第 41 卷 第 12 期 第 41 卷 第 12 期 2013 年 12 月 张 小 锋 等 : 黏 结 层 粗 糙 度 对 热 障 涂 层 高 温 氧 化 及 力 学 性 能 的 影 响 1679 硅 酸 盐 学 报 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY Vol. 41,No. 12 December,2013 DOI:10.7521/j.issn.0454-5648.2013.12.14 在 线 化 学 气 相 沉 积 法 制 备 雾 度 可 控 的 SnO 2 :F 薄 膜 赖 新 宇 1, 姜 宏 2, 赵 会 峰 1, 鲁 鹏 (1. 海 南 省 特 种 玻 璃 工 程 技 术 研 究 中 心, 海 南 中 航 特 玻 材 料 有 限 公 司, 海 口 571924; 2. 海 南 省 特 种 玻 璃 重 点 实 验 室, 海 南 大 学, 海 口 570100 ) 1 摘 要 : 采 用 在 线 化 学 气 相 沉 积 法 在 玻 璃 基 片 上 制 备 FTO(SnO 2 :F) 薄 膜, 并 通 过 调 整 原 料 MBTC(C 4 H 9 SnCl 3 ) 的 含 量 实 现 FTO 薄 膜 的 雾 度 可 控 采 用 雾 度 计 分 光 光 度 计 X 射 线 衍 射 仪 扫 描 电 子 显 微 镜 原 子 力 显 微 镜 和 四 探 针 方 阻 计 研 究 了 不 同 雾 度 的 FTO 薄 膜 的 微 观 结 构 和 光 电 性 能, 并 分 析 了 雾 度 形 成 的 机 理 研 究 表 明 : 随 着 MBTC 投 放 量 的 增 加, 薄 膜 的 晶 粒 粒 径 增 大, 膜 层 表 面 粗 糙 度 增 大, 膜 厚 增 加, 雾 度 随 之 增 加, 同 时 晶 粒 趋 向 于 (200) 面 生 长 ; 另 一 方 面, 随 着 雾 度 增 加, 透 过 率 有 所 下 降, 薄 膜 的 雾 度 与 透 过 率 是 一 对 矛 盾 关 系, 高 雾 度 和 高 透 过 率 难 以 同 时 实 现 关 键 词 : 掺 氟 氧 化 锡 玻 璃 ; 雾 度 ; 透 过 率 ; 在 线 化 学 气 相 沉 积 法 中 图 分 类 号 :TG171 文 献 标 志 码 :A 文 章 编 号 :0454 5648(2013)12 1679 06 网 络 出 版 时 间 :2013 11 29 13:42:00 网 络 出 版 地 址 :http://www.cnki.net/kcms/detail/11.2310.tq.20131129.1341.201312.1679_014.html Haze Controllable SnO 2 :F Films Prepared by on-line CVD LAI Xinyu 1,JIANG Hong 2,ZHAO Huifeng 1,LU Peng 1 (1. Hainan Provincial Special Glass Engineering Research Center, AVIC (Hainan) Special Glass Material Co., LTD, Haikou 571924, China; 2. Hainan Provincial Special Glass Key Lab, Hainan University, Haikou 570100, China) Abstract: Haze controllable FTO (SnO 2 :F) films were prepared via on-line chemical vapor deposition on the floating glass substrates with various MBTC (C 4 H 9 SnCl 3 ) contents. The structure and photoelectric properties of the films were investigated by haze-meter, spectrophotometer, X-ray diffractometer, scanning electron microscope, atomic force microscope and four-point probe sheet resistance meter, respectively. The haze formation mechanism was analyzed. The results show that the crystal size, the surface roughness of film, the film thickness and the haze increase with the increase of MBTC content. The crystals tend to the (200) plane growth when the MBTC content increases. The transmittance of film declines with the increase of the haze. It was found that it could be difficult to obtain the high haze and the high transmittance of the film simultaneously. Key words: fluorine-doped tin oxide glass; haze; transmittance; on-line chemical vapor deposition method SnO 2 :F (fluorine-doped tin oxide,fto) 薄 膜 是 一 种 透 明 导 电 氧 化 物 薄 膜, 禁 带 宽 度 为 3.7 ev [1], 具 有 较 高 的 透 过 率 [2], 光 学 性 能 优 异, 方 块 电 阻 较 低, 导 电 性 能 好, 机 械 化 学 性 能 稳 定, 制 造 成 本 较 低, [3] 适 合 大 规 模 生 产, 现 广 泛 应 用 于 节 能 领 域 和 太 阳 能 领 域 目 前 硅 基 薄 膜 太 阳 电 池 一 般 采 用 FTO 镀 膜 玻 璃 作 为 前 电 极 盖 板 玻 璃, 要 求 FTO 玻 璃 具 有 一 定 的 雾 度, 以 增 加 光 的 散 射 [4] 雾 度 越 高, 散 射 能 力 越 强, 光 在 薄 膜 电 池 中 的 光 程 越 长, 电 池 捕 获 的 光 子 越 多, 电 池 的 转 换 效 率 也 就 越 高 在 线 化 学 气 相 沉 积 (CVD) 法 是 在 浮 法 原 片 玻 璃 生 产 线 上 设 置 镀 膜 区 域, 把 镀 膜 设 备 作 为 生 产 线 的 组 成 部 分 [5], 在 玻 璃 成 型 时, 采 用 CVD 法 把 镀 膜 原 料 喷 射 在 高 温 洁 净 的 玻 璃 基 板 表 面, 从 而 形 成 稳 定 膜 层 的 方 法 在 线 CVD 法 具 有 成 本 低 适 合 大 面 积 批 量 生 产 形 成 的 薄 膜 具 有 经 久 耐 用 等 优 点, 因 而 广 泛 应 用 于 工 业 应 用 领 域 目 前 对 FTO 薄 膜 的 研 究 基 本 集 中 在 离 线 镀 膜 收 稿 日 期 :2013 04 27 修 订 日 期 :2013 06 03 第 一 作 者 : 赖 新 宇 (1983 ), 男, 硕 士 通 信 作 者 : 姜 宏 (1961 ), 男, 博 士, 教 授 Received date: 2013 04 27. Revised date: 2013 06 03. First author: LAI Xinyu (1983 ), male, Master. E-mail: greenapple146@sina.com Correspondent author: JIANG Hong (1960 ), male, Ph.D., Professor. E-mail: jhong63908889@sina.com
1680 硅 酸 盐 学 报 2013 年 领 域, 或 者 是 实 验 室 模 拟 在 线 CVD 系 统, 少 有 关 于 在 线 CVD 的 研 究 ; 研 究 的 关 注 点 主 要 集 中 在 FTO 薄 膜 的 光 学 性 能 电 学 性 能, 少 有 关 于 雾 度 的 研 究 为 此 采 用 在 线 CVD 的 方 法, 在 超 白 玻 璃 基 底 上 制 备 出 不 同 雾 度 的 FTO 薄 膜, 实 现 雾 度 可 调 整 ; 研 究 了 FTO 薄 膜 的 表 面 形 貌 晶 体 结 构 光 学 性 能 与 雾 度 的 关 系 1 实 验 1.1 薄 膜 制 备 在 浮 法 玻 璃 生 产 线 锡 槽 窄 段 插 入 多 通 道 镀 膜 器, 以 纯 度 为 95% ( 质 量 分 数, 下 同 ) 的 单 丁 基 三 氯 化 锡 (C 4 H 9 SnCl 3,MBTC) 为 前 驱 物,99% 的 三 氟 乙 酸 (CF 3 COOH,TFA) 为 掺 杂 剂, 以 空 气 和 水 作 为 反 应 的 氧 化 剂 和 催 化 剂 进 行 镀 膜 采 用 摩 尔 分 数 为 1.6% 的 MBTC 0.88% 的 TFA 4.8% 的 水 和 N 2 为 载 气, 进 入 蒸 发 器 后 在 175 气 化 气 化 后 进 入 混 气 室 混 合 并 通 过 镀 膜 器 喷 涂 在 温 度 为 675 玻 璃 的 表 面, 混 合 气 体 在 气 固 相 界 面 发 生 反 应, 沉 积 形 成 致 密 的 FTO 固 态 薄 膜 其 它 产 物 通 过 废 气 系 统 排 出 锡 槽 进 行 无 害 处 理, 工 艺 流 程 如 图 1 所 示 玻 璃 的 拉 引 率 为 11.55 m/min, 厚 度 为 3.2 mm, 宽 度 为 4 060 mm 图 1 在 线 CVD 工 艺 流 程 图 Fig. 1 On-line CVD process flow diagram 玻 璃 中 存 在 着 大 量 的 Na + 和 K + 离 子, 玻 璃 受 热 时, 上 述 离 子 会 加 速 向 膜 层 扩 散 如 果 这 些 离 子 大 量 进 入 FTO 薄 膜,FTO 薄 膜 的 性 能 将 下 降 甚 至 失 效 为 延 长 FTO 薄 膜 的 使 用 时 间, 需 在 玻 璃 表 面 先 镀 一 层 膜 厚 为 20~30 nm 的 硅 锡 的 氧 化 物, 以 阻 挡 Na + K + 向 FTO 薄 膜 的 迁 移 1.2 薄 膜 测 试 采 用 PerkinElmer 公 司 的 Lambda 950 型 紫 外 可 见 分 光 光 度 计 测 试 FTO 薄 膜 的 光 学 性 能 用 德 国 BYK 公 司 的 Haze-gard 雾 度 测 试 仪 测 试 薄 膜 的 雾 度 用 R-CHEK meter 型 四 探 针 方 阻 计 测 试 薄 膜 的 方 块 电 阻 采 用 美 国 Veeco 公 司 的 NT9100 型 光 学 轮 廓 仪 测 试 薄 膜 的 粗 糙 度 用 日 本 日 立 公 司 的 S-4800 型 场 发 射 电 子 扫 描 显 微 镜 观 察 薄 膜 的 形 貌 用 日 本 岛 津 公 司 的 XRD-7000S/L 型 X 射 线 衍 射 仪 分 析 薄 膜 的 结 构 2 结 果 与 讨 论 2.1 MBTC 的 用 量 对 雾 度 的 影 响 按 照 国 家 标 准 GB/T 2410 2008 透 明 塑 料 透 光 率 和 雾 度 的 测 定 的 要 求, 采 用 紫 外 可 见 分 光 光 度 计 测 量 FTO 薄 膜 性 能 表 1 为 不 同 MBTC 用 量 条 件 下 制 备 的 FTO 薄 膜 性 能, 表 1 中 的 每 个 样 品 为 10 片, 样 品 大 小 为 100 mm 100 mm, 取 中 心 点 测 试, 测 试 数 据 取 其 平 均 值 图 2 为 MBTC 用 量 对 FTO 薄 膜 雾 度 的 影 响 从 表 1 和 图 2 可 看 出, 随 着 MBTC 含 量 的 增 加, 薄 膜 的 雾 度 逐 渐 增 大, 可 见 光 透 过 率 有 下 降 的 趋 势 文 献 [5] 指 出, 作 为 催 化 剂 的 水 影 响 着 薄 膜 的 膜 厚 及 其 他 性 能, 本 实 验 中 水 的 含 量 均 统 一 为 MBTC 摩 尔 含 量 的 4 倍 TFA 主 要 用 于 掺 杂, 提 高 FTO 薄 膜 的 导 电 性, 其 用 量 并 不 会 对 薄 膜 的 雾 度 和 透 过 率 产 生 影 响, 仅 影 响 膜 层 的 方 块 电 阻, 通 过 调 节 TFA 的 用 量, 保 证 FTO 薄 膜 方 块 电 阻 稳 定 在 11 Ω/ 左 右 2.2 表 面 形 貌 图 3 为 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 FTO 薄 膜 的 表 面 形 貌 SEM 照 片 从 图 3 可 以 看 出, 制 备 的 FTO 薄 膜 由 多 边 形 片 状 结 构 的 晶 粒 组 成, 晶 粒 分 布 均 匀 从 图 3 各 样 品 的 SEM 照 片, 选 取 10 个 较 大 的 颗 粒 测 量 颗 粒 的 尺 寸, 并 计 算 其 平 均 值 结 果 为 :FTO 薄 膜 样 品 S1 S2 S3 和 样 品 S4 中 的 晶 体 颗 粒 平 均 大 小 分 别 为 200.86 272.45 312.42 和 419.67 nm 可 见 随 着 MBTC 摩 尔 含 量 的 增 加, 晶 粒 明 显 增 大, 小 晶 粒 减 少, 大 晶 粒 增 多 采 用 轮 廓 仪 对 薄 膜 表 面 的 粗 糙 度 RMS 进 行 测 量,FTO 薄 膜 样 品 S1 S2 S3 和 样 品 S4 的 表 面 粗 糙 度 分 别 为 16.0 27.1 32.9 和 38.2 nm 图 4 为 不 同 晶 粒 尺 寸 样 品 的 粗 糙 度 与 雾 度 关 系 从 图 4 可 以
第 41 卷 第 12 期 赖 新 宇 等 : 在 线 化 学 气 相 沉 积 法 制 备 雾 度 可 控 的 SnO 2 :F 薄 膜 1681 表 1 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 FTO 薄 膜 性 能 Table 1 Performance of SnO 2 :F(FTO) film prepared with different amounts of MBTC Sheet resistance/(ω 1 ) Sample x(mbtc)/ x(tfa)/ Haze/% Transmissi- Mean square No. % % vity/% Data deviation S1 1.6 0.88 2.25 84.13 10.7 0.05 S2 2.8 0.42 6.48 81.66 11.4 0.07 S3 3.2 0.38 9.94 80.14 11.1 0.06 S4 3.4 0.50 15.02 80.82 11.4 0.07 x(mbtc) and x(tfa) represent mole fraction of MBTC and TFA, respectively. 图 2 MBTC 含 量 与 FTO 薄 膜 的 雾 度 关 系 Fig. 2 Dependence of haze of FTO film on MBTC content 看 出, 随 着 晶 粒 的 增 大, 晶 粒 表 面 凹 槽 的 增 多, 样 品 表 面 的 粗 糙 度 增 加, 雾 度 增 大 雾 度 的 定 义 为 透 过 样 品 而 偏 离 入 射 光 方 向 的 散 射 光 通 量 与 透 射 光 通 量 之 比 薄 膜 表 面 不 光 滑 具 有 凹 凸 不 平 的 微 结 构 是 产 生 散 射 光 的 物 理 基 础, 表 面 的 凹 凸 微 结 构 通 过 表 面 粗 糙 度 来 表 征, 因 此 表 面 越 粗 糙, 散 射 光 通 量 越 大, 雾 度 也 就 越 大 2.3 MBTC 含 量 对 制 备 的 FTO 薄 膜 样 品 厚 度 的 影 响 图 5 为 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 FTO 薄 膜 样 品 截 面 形 貌 的 SEM 照 片 从 图 5 可 以 看 出, 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 不 同 雾 度 的 FTO 薄 膜, 其 厚 度 不 同 MBTC 是 沉 积 FTO 薄 膜 的 主 要 原 料,MBTC 含 量 越 高, 制 备 出 的 FTO 薄 膜 厚 度 越 厚 膜 厚 与 MBTC 含 量 的 关 系 以 及 膜 厚 与 雾 度 的 关 系 的 相 关 曲 线 如 图 6 所 示 由 图 6 可 见, 随 着 MBTC 含 量 的 增 加, 制 备 的 FTO 薄 膜 的 厚 度 增 加, 其 雾 度 也 随 之 增 加 在 膜 厚 达 到 1 000 nm 后 继 续 增 加 MBTC 的 用 量, 制 备 的 FTO 薄 膜 的 膜 厚 增 加 趋 缓, 晶 粒 颗 粒 趋 向 于 平 面 生 长, 晶 粒 颗 粒 增 大 对 上 述 的 结 果 进 行 分 析, 这 是 因 为 更 多 的 大 颗 粒 有 助 于 提 高 膜 层 表 面 的 粗 糙 度, 膜 厚 的 增 加 使 得 颗 粒 增 图 3 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 FTO 薄 膜 表 面 形 貌 的 SEM 照 片 Fig. 3 SEM photographs of surfaces of FTO film samples prepared at different MBTC amounts
1682 硅 酸 盐 学 报 2013 年 图 4 不 同 晶 粒 尺 寸 和 雾 度 粗 糙 度 的 关 系 Fig. 4 Variation of haze and roughness with different grain size 大, 粗 糙 度 较 大 的 表 面 能 使 薄 膜 产 生 较 高 的 雾 度, 因 此 膜 层 较 厚 的 FTO 薄 膜, 可 以 实 现 较 大 的 雾 度 值 2.4 晶 体 结 构 对 雾 度 的 影 响 图 7 为 不 同 雾 度 FTO 薄 膜 的 X 射 线 衍 射 (XRD) 谱 由 图 7 可 见, 薄 膜 具 有 四 方 相 金 红 石 型 结 构, 比 较 各 衍 射 峰 的 相 对 强 度, 不 同 雾 度 的 FTO 薄 膜 均 有 向 (200) 面 择 优 生 长 的 特 征, 与 文 献 [6 8] 报 道 所 制 备 的 样 品 具 有 相 同 的 生 长 情 况 从 样 品 S1 到 样 品 S4( 雾 度 值 不 断 增 加 ),(200) 面 的 衍 射 峰 相 对 强 度 不 断 增 强, 样 品 S4 的 雾 度 最 高, 其 (200) 面 的 衍 射 峰 [9] 也 最 高 这 与 金 相 学 等 报 道 的 (200) 面 生 长 的 晶 粒 能 使 FTO 薄 膜 具 有 更 高 的 粗 糙 度, 使 雾 度 更 高 的 结 果 一 致 另 外, 晶 体 在 (101) (211) (301) 面 的 生 长 发 育 程 度 不 同, 使 晶 体 由 单 一 方 向 向 更 多 面 生 长, 这 也 是 雾 度 高 的 一 个 原 因 2.5 透 过 率 与 雾 度 的 关 系 图 8 为 FTO 薄 膜 样 品 不 同 波 长 的 透 过 率 和 雾 度 关 系 从 图 8d 可 以 看 出, 样 品 4 在 350 nm 波 长 处 雾 度 值 为 48.4%, 在 550 nm 波 长 处 雾 度 值 为 21.2%, 在 1 100 nm 波 长 处 雾 度 值 为 8.76% 表 明 薄 膜 的 雾 度 在 短 波 处 较 高, 之 后 随 着 波 长 增 大 而 不 断 降 低 比 较 样 品 S1~ 样 品 S4 的 透 过 率 和 雾 度 关 系 曲 线 ( 图 8a~ 图 8d) 可 以 看 出, 在 波 长 大 于 700 nm 的 雾 度 值 相 差 不 大, 主 要 区 别 在 350 nm 到 700 nm 之 间, 因 此 制 备 的 FTO 薄 膜 主 要 散 射 短 波 段 的 光 线, 而 且 随 着 波 长 变 大, 散 射 光 不 断 减 少, 雾 度 随 之 减 少 从 透 过 率 的 情 况 看, 样 品 S1 的 透 过 率 最 高 为 84.13%, 样 品 S3 和 样 品 S4 的 透 过 率 相 近, 分 别 为 80.14% 和 80.82% 这 主 要 是 样 品 S1 的 膜 层 厚 度 较 薄, 而 样 品 S3 和 样 品 S4 膜 层 厚 度 较 厚 造 成 的 图 5 不 同 MBTC 含 量 制 备 的 不 同 厚 度 的 FTO 薄 膜 样 品 的 截 面 形 貌 SEM 照 片 Fig. 5 SEM photographs of cross section of FTO film samples with different thickness prepared at different MBTC amounts
第 41 卷 第 12 期 赖 新 宇 等 : 在 线 化 学 气 相 沉 积 法 制 备 雾 度 可 控 的 SnO 2 :F 薄 膜 1683 图 6 膜 厚 与 MBTC 含 量 雾 度 的 关 系 Fig. 6 Variation of thickness of FTO film with MBTC content and haze 图 7 不 同 雾 度 FTO 薄 膜 的 XRD 谱 Fig. 7 XRD patterns of FTO films with different hazes 2.6 讨 论 在 线 CVD 法 制 备 的 FTO 薄 膜 的 雾 度 和 膜 层 厚 度 粗 糙 度 以 及 晶 向 有 密 切 关 系, 同 时 雾 度 的 大 小 影 响 透 过 率 的 大 小 从 制 备 工 艺 角 度 看, 增 加 MBTC 的 量 会 产 生 两 个 结 果 ( 见 图 9): 一 个 是 增 加 了 膜 层 的 厚 度 ; 另 一 个 是 增 加 了 晶 体 颗 粒 的 平 均 大 小 设 膜 图 8 FTO 薄 膜 样 品 在 不 同 波 长 的 透 过 率 和 雾 度 关 系 曲 线 Fig. 8 Relationship of transmittance and haze of FTO film samples under different wavelengths
1684 硅 酸 盐 学 报 2013 年 3 结 论 图 9 MBTC 含 量 与 膜 厚 晶 体 颗 粒 平 均 大 小 的 关 系 Fig. 9 Variation of thickness and average grain size of FTO film with the MBTC content 层 的 平 面 为 xy 平 面, 膜 厚 增 长 方 向 为 z 轴 建 立 坐 标 系, 增 加 MBTC 的 量 促 使 薄 膜 在 沿 xy 平 面 生 长 的 同 时, 也 沿 z 轴 方 向 生 长 图 10 为 薄 膜 的 雾 度 与 膜 厚 晶 体 颗 粒 大 小 的 关 系 由 图 10 可 见, 晶 体 颗 粒 平 均 尺 寸 增 大 时, 薄 膜 的 雾 度 增 大 ; 膜 厚 增 大, 雾 度 也 随 之 增 大 薄 膜 颗 粒 增 大 表 明 颗 粒 不 仅 在 xy 平 面 上 生 长, 也 往 z 轴 上 生 长, 因 此 表 现 为 颗 粒 平 均 尺 寸 不 断 增 大, 膜 厚 亦 不 断 增 大 颗 粒 生 长 使 得 薄 膜 表 面 粗 糙 度 增 加, 因 此 导 致 了 雾 度 增 加 从 图 8 的 透 过 率 和 雾 度 的 关 系 可 见, 随 着 雾 度 的 增 加, 透 过 率 下 降 这 主 要 是 随 着 雾 度 的 增 加, 薄 膜 厚 度 增 大, 厚 度 的 增 大 必 定 使 透 过 率 下 降 因 此 要 得 到 高 雾 度 高 透 过 率 的 FTO 薄 膜, 其 优 化 参 数 应 为 : 使 FTO 薄 膜 晶 粒 在 (200) 面 生 长, 增 加 晶 粒 的 粒 径 和 粗 糙 度, 同 时 控 制 膜 厚 由 于 薄 膜 的 雾 度 随 MBTC 含 量 的 提 高 而 提 高, 因 此 制 备 雾 度 可 控 的 FTO 薄 膜, 需 要 控 制 MBTC 的 含 量 图 10 薄 膜 晶 粒 平 均 大 小 与 膜 厚 雾 度 关 系 Fig. 10 Variation of thickness and haze of FTO film with average grain size 1) 以 MBTC 为 前 驱 物,TFA 为 掺 杂 剂, 采 用 在 线 CVD 法 制 备 出 雾 度 可 控 的 FTO 薄 膜 制 备 的 FTO 薄 膜 晶 粒 结 晶 度 良 好 分 布 均 匀, 晶 粒 具 有 在 (200) 面 生 长 的 特 性,(200) 面 生 长 有 助 于 提 高 雾 度 ; 如 要 沉 积 低 雾 度 的 FTO 薄 膜, 应 尽 量 抑 制 晶 粒 (200) 面 的 生 长 2) 影 响 雾 度 大 小 的 主 要 因 素 是 膜 层 表 面 的 粗 糙 度 制 备 过 程 中 增 加 MBTC 含 量, 可 以 制 备 出 粗 糙 度 较 高 的 薄 膜, 同 时 会 增 加 晶 粒 颗 粒 的 粒 径, 增 加 薄 膜 厚 度, 致 使 薄 膜 的 雾 度 增 加 3) 随 着 雾 度 增 加, 薄 膜 的 透 过 率 会 有 所 下 降, 这 主 要 是 膜 厚 增 加 导 致 的 薄 膜 的 雾 度 与 透 过 率 是 一 对 矛 盾 关 系, 高 雾 度 和 高 透 率 不 可 能 同 时 实 现, 仅 能 进 行 综 合 考 虑 后 优 化 参 考 文 献 : [1] 殷 德 生, 许 广 文, 王 兆 芳, 等. CVD 法 大 面 积 SnO 2 薄 膜 的 沉 积 [J]. 太 阳 能 学 报, 1990, 4(11): 118 121. YIN Desheng, XU Guangwen, WANG Zhaofang, et al. Acta Energiae Solaris Sin (in Chinese), 1990, 4(11): 118 121. [2] GAU S C, VOLLTRAUER H, FARAS F, et al. Manufacturing process for interconnected submodules of hydrogenated amorphous silicon photovoltaic panels. [J]. Appl Phys Lett, 1985, 47: 1317 1319. [3] 滕 繁, 刘 涌, 王 伟, 等. 掺 氟 二 氧 化 锡 / 二 氧 化 钛 复 合 薄 膜 的 光 催 化 和 低 辐 射 性 能 [J]. 硅 酸 盐 学 报, 2012, 40(2): 283 288. TENG Fan, LIU Yong, WANG Wei, et al. J Chin Ceram Soc, 2012, 40(2): 283 288. [4] 勒 瑞 敏. 太 阳 能 电 池 原 理 与 应 用 [M]. 北 京 : 北 京 大 学 出 版 社, 2011: 69 70. [5] 莫 建 良. CVD 法 F 掺 杂 SnO 2 低 辐 射 薄 膜 的 制 备 结 构 性 能 及 低 辐 射 镀 膜 玻 璃 的 产 业 化 研 究 [D]. 杭 州 : 浙 江 大 学, 2003. MO Jianliang. CVD method F doped SnO 2 low-e film coating of the preparation, structure, performance and low radiation glass the industrialization of research (in Chinese, dissertation). Hangzhou: Zhejiang University, 2003. [6] 赵 洪 力, 刘 起 英, 蔡 永 秀, 等. H 2 O 对 SnO 2 :F 低 辐 射 薄 膜 结 构 和 性 能 的 影 响 [J]. 硅 酸 盐 学 报, 2007, 35(11): 1498 1502. ZHAO Hongli, LIU Qiying, CAI Yongxiu, et al. J Chin Ceram Soc, 2007, 35(11): 1498 1502. [7] 莫 建 良, 陈 华, 曹 涯 雁, 等. F 掺 杂 SnO 2 透 明 导 电 薄 膜 微 结 构 及 性 能 研 究 [J]. 太 阳 能 学 报, 2004, 25(2): 152 156. MO Jiangliang. CHEN Hua, CAO Yayan, et al. Acta Energiae Solaris Sin (in Chinese), 2004, 25(2): 152 156. [8] 周 之 斌, 崔 容 强, 徐 秀 琴, 等. 一 种 喷 涂 SnO 2 减 反 射 薄 膜 的 新 工 艺 及 材 料 研 究 [J]. 太 阳 能 学 报, 2000, 21(1): 106 109. ZHOU Zhibin, CUI Rongqiang, XU Xiuqin, et al. Acta Energiae Solaris Sin (in Chinese), 2000, 21(1): 106 109. [9] 金 相 学, 金 昌 烈, 柳 道 馨, 等. 氟 掺 杂 氧 化 锡 透 明 导 电 薄 膜 玻 璃 及 其 制 造 方 法 [P]. CN Patent, 200710301408.2. 2009 02 25. JIN Xiangxue, JIN Changlie, LIU Daoxin, et al. Fluorine doped tin oxide transparent conductive film glass and its manufacturing method (in Chinese). CN Patent, 200710301408.2. 2009 02 25.