入出力フルスイング高出力電流 回路入り C-MOS オペアンプ 特徴 動作電源電圧 V DD =.8 to.v 入出力フルスイング 高出力電流 4mA typ. (at Vo=V) 入力オフセット電圧 V IO =mv max. 広同相入力電圧範囲 V SS to V DD 消費電流 I DD =3μA typ. (per Amplifier) 高入力インピーダンス TΩ typ. 低バイアス電流 I IB =pa typ. GND センシング可能 温度特性範囲 -4 ~+ 全温度保証品 外形 NJU743M DMP8 NJU743RB TVSP8 外形 NJU743RB NJU743M 端子配列 ( Top View ) 3 4 A B 8 7 6 PIN FUNCTION. OUTPUT A. INPUT A 3. +INPUT A 4. V SS. +INPUT B 6. INPUT B 7. OUTPUT B 8. V DD Ver.-7-4 - -
絶対最大定格 項目記号定格単位 電源電圧 V DD 7 V 同相入力電圧範囲 V ICM to 7 ( 注 ) V 差動入力電圧範囲 V ID ±7 V (Ta= C) 許容損失 P D 38 (DMP8) 4 (TVSP8) ( 注 3) mw 動作温度範囲 Topr -4 ~ + C 保存温度範囲 Tstg - ~ + C ( 注 ) 入力電圧は V DD または 7V より小さいほうの値を越えて印加しないで下さい ( 注 ) IC を安定して動作させるために V DD -V SS 間にデカップリングコンデンサを挿入してください ( 注 3) P D 値 : 基板実装時 76. x 4.3 x.6mm(fr- 層 ) EIA/JEDEC 準拠 推奨動作範囲 (Ta= C) 項目記号定格単位 電源電圧 V DD.8 ~. V 電気的特性 DC 特性 (V DD =3.V, Ta= C) 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 消費電流 I DD 無信号時 - 6, µa 入力オフセット電圧 V IO - - mv 入力バイアス電流 I B - - pa 入力オフセット電流 I IO - - pa 電圧利得 A V R L =kω 7 9 - db 同相信号除去比 CMR V CM.V,. V CM 3.V ( 注 4) 4 6 - db 電源電圧除去比 SVR.V V DD.V, V CM = V DD / 6 8 - db H レベル出力電圧 V OH R L =kω.9 - - V L レベル出力電圧 V OL R L =kω - -. V H レベル出力電圧 V OH R L =6Ω.9 - - V L レベル出力電圧 V OL R L =6Ω - -. V 同相入力電圧範囲 V ICM CMR 4dB - 3 V ( 注 4) CMR は CMR+,CMR- 両方を測定し 低いほうを採用します CMR+ 測定時の同相入力電圧範囲. V CM 3.V CMR- 測定時の同相入力電圧範囲は V CM.V です AC 特性 (V DD =3.V, Ta= C) 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 利得帯域幅 GB R L =kω -.8 - MHz 全高調波歪率 T H D f=khz, Vin=Vpp, A v =db -. - % nv/ 入力換算雑音電圧 e n f=khz - 4 - Hz 過渡応答特性 (V DD =3.V, Ta= C) 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 スルーレート SR R L = kω -.7 - V/µs - - Ver.-7-4
DC 特性 (V DD =3.V, Ta=-4~ C) 項目記号条件 MIN TYP MAX 単位 消費電流 I DD 無信号時 - -, µa 入力オフセット電圧 V IO - - mv 電圧利得 A V R L =kω - - db 同相信号除去比 CMR V CM.V,. V CM 3.V ( 注 ) 4 - - db 電源電圧除去比 SVR.V V DD.V, V CM = V DD / - - db H レベル出力電圧 V OH R L =kω.9 - - V L レベル出力電圧 V OL R L =kω - -. V H レベル出力電圧 V OH R L =6Ω.9 - - V L レベル出力電圧 V OL R L =6Ω - -. V 同相入力電圧範囲 V ICM CMR 4dB - 3 V ( 注 ) CMR は CMR+,CMR- 両方を測定し 低いほうを採用します CMR+ 測定時の同相入力電圧範囲. V CM 3.V CMR- 測定時の同相入力電圧範囲は V CM.V です Ver.-7-4 - 3 -
消費電流対電源電圧特性例 Gv = db, Ta=ºC 消費電流対電源電圧特性例 ( 温度特性 ) Gv = db 9 9 Ta=8ºC 8 8 7 7 消費電流 [μa] 6 4 3 消費電流 [μa] 6 4 3 Ta=ºC Ta=-4ºC 3 電源電圧 V + /V - [V] 3 電源電圧 V + /V - [V] 出力電圧対電源電圧特性例 Gv = OPEN R L =6Ω Ta=ºC 出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 電源電圧 ) Gv = OPEN Ta=ºC 3.. -. -. - V + /V - =±.9V V + /V - =±.V V + /V - =±.V - -. - -3 3 電源電圧 V + /V - [V] -. 負荷抵抗 [Ω] 電圧利得 位相対周波数特性例 V + /V - =±.V, Gv=4dB, Rf=k, Rg=k, C L = 全高調波歪率対出力電圧特性例 V + /V - =±.V, Gv=dB, R L =k, Ta=ºC 8 6 Phase 電圧利得 [db] 4 Gain 位相 [deg] 全高調波歪率 [%].. f=khz f=khz - -. f=hz -4 - M M k k M k M M M 周波数 [Hz]... 出力電圧 [Vrms] - 4 - Ver.-7-4
入力換算雑音電圧対周波数特性例 V + /V - =±.V, Gv=4dB, Rs=6, R G =, R F =k, Ta=ºC 入力換算雑音電圧対信号源抵抗特性例 V + /V - =±.V, Gv=4dB, R G =, R F =k, Ta=ºC 3 入力換算雑音電圧 [nv/ Hz] 入力換算雑音電圧 [μv] DIN-AUDIO JIS A k k 周波数 [Hz]. k k k k k 信号源抵抗 [Ω] 正弦波応答特性例 V + /V - =±.V, V IN =3Vp-p, f=khz Gv=dB, Rs=, R L =k, C L =F, Ta=ºC パルス応答特性例 V + /V - =±.V, V IN =Vp-p, f=khz Gv=dB, Rs=, R L =k, C L =F, Ta=ºC 6.8.6 入力.4. 4 3 出力 - - -3 入力電圧 [V].6. 入力 -. -.6 - 入力電圧 [V] -4 - - -. 出力 -.4-4 8 6 時間 [μs] パルス応答特性例 ( 上昇時 ) V + /V - =±.V, V IN =Vp-p, f=khz Gv=dB, Rs=, R L =k, C L =F, Ta=ºC -6 -.6 4 6 8 時間 [μs] パルス応答特性例 ( 下昇時 ) V + /V - =±.V, V IN =Vp-p, f=khz Gv=dB, Rs=, R L =k, C L =F, Ta=ºC -.8.8.6.8.6.4..4 入力..6. 入力 -. -.6 - 入力電圧 [V].6. 出力 -. -.6 - 入力電圧 [V] -. 出力 -.4 -. -.4 -.6 -.8 4 6 8 時間 [μs] -.6 -.8 4 6 8 時間 [μs] Ver.-7-4 - -
V.F. ピーク対周波数特性例 ( 負荷容量 ) V + /V - =±.V, V IN =-dbm, Gv=dB, R L =k, Ta=ºC V.F. ピーク対周波数特性例 ( 負荷容量 ) V + /V - =±.V, V IN =-dbm, Gv=dB, R L =6, Ta=ºC C L =47pF C L =33pF C L =68pF C L =47pF C L =33pF 電圧利得 [db] - C L =pf C L =pf C L =pf 電圧利得 [db] - C L =pf C L =pf C L =pf - - - k k k M k M 周波数 [Hz] - k k k M k M 周波数 [Hz] 位相余裕 [deg] 7 6 4 3 位相余裕対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =-3dBm, Gv=4dB, R L =k, Rs=, Rg=k, Rf=k, Ta=ºC.4. 利得帯域幅積対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =-3dBm, Gv=4dB, R L =k, Rs=, Rg=k, Rf=k, Ta=ºC 位相余裕 [deg] 7 6 4 3 位相余裕対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =-3dBm, Gv=4dB, R L =6, Rs=, Rg=k, Rf=k, Ta=ºC.4. 利得帯域幅積対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =-3dBm, Gv=4dB, R L =6, Rs=, Rg=k, Rf=k, Ta=ºC 利得帯域幅積 [MHz].8.6.4 利得帯域幅積 [MHz].8.6.4.. - 6 - Ver.-7-4
オーバーシュート対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =Vp-p, f=khz Gv=dB, R L =k, Rs=, Ta=ºC オーバーシュート対負荷容量特性例 V + /V - =±.V, V IN =Vp-p, f=khz Gv=dB, R L =6, Rs=, Ta=ºC 3 オーバーシュート [%] Positive Negative オーバーシュート [%] Positive Negative 6 4 電圧利得 位相対周波数特性例 ( 周囲温度特性 ) V DD /V SS =±.V,G V =4dB,R F =KΩ, R G =kω,r L =kω,c L =3pF,V IN =-3dBm 電圧利得 Ta=+ ft=.86mhz φ M =47.deg 8 電圧利得 [db] - 位相 6-6 位相 [deg] -4-6 Ta=-4 Ta=+ Ta=+ - -8 周波数 [khz] Ver.-7-4 - 7 -
消費電流対周囲温度特性例 入力オフセット電圧対周囲温度特性例 無信号時, A V =db 4 無信号時, A V =db 消費電流 [ma] 9 8 7 6 4 3 入力オフセット電圧 [mv] 3 - - - - 7 周囲温度 [ ] -3 - - 7 周囲温度 [ ] 電源電圧除去比対周囲温度特性例 同相信号除去比対周囲温度特性例 電源電圧除去比 [db] 無信号時, A V =db 4 3 9 8 7 6 4 - - 7 周囲温度 [ ] 同相信号除去比 [db] 9 8 7 6 4 3 - - 7 周囲温度 [ ] 最大出力電圧対負荷抵抗特性例 ( 周囲温度特性 ). V DD /V SS =±.V, G V =OPEN. +V OM 最大.. -. Ta=+ Ta=+ Ta=-4 -. -. -V OM.. 負荷抵抗 [kω] < 注意事項 > このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しておりますが 掲載内容について何らかの法的な保証を行うものではありません 特に応用回路については 製品の代表的な応用例を説明するためのものです また 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴うものではなく 第三者の権利を侵害しないことを保証するものでもありません - 8 - Ver.-7-4