華信光電科技股份有限公司 股票代號 : 3627 公司簡介 1
關於華信 專業的半導體雷射製造商 正式成立於 2007 年 8 月 由原華上光電 (6289) 雷射事業部分割獨立 資本額 : 新台幣 2 億元 年營業額 : 新台幣 7.4 億元 (2012 年 ) 現有人員 : 約 280 人 位於桃園縣大溪鎮仁和路二段 349 號 7 樓 2
重要里程碑 2000 年 : 於華上光電設立雷射二極體事業部 2001 年 : Sony DVD LD 代工產量 > 500k pcs/m 2002 年 : Sony DVD LD 代工產量 > 2kk pcs/m 自有品牌 650nm DVD LD 量產 2003 年 : 整體產量 > 4kk pcs/m 自有品牌 635nm LD 發表 2004 年 : 三菱 DVD-RW LD 量產整體產量 > 6kk pcs/month 2005 年 : 自有品牌 3.3f TO-Can LD 量產自有品牌 APC LD 發表 2006 年 : 自有品牌 850nm LD 發表自有品牌 9f TO-Can LD 發表 2007 年 : 自華上光電分割獨立為華信光電科技自有品牌 1310 & 1550nm LD chip 發表 2008 年 : 自有品牌 635nm/500mW C-mount LD 發表 2009 年 : 808nm 高功率 LD 發表 & 雷射光學觸控模組 (Touch Panel Module) 發表 2010 年 : 光通訊封裝代工產量 >900K pcs/m 635nm/4W CCP 傳導冷卻紅光二極體陣列雷射發表共晶型式熔接在 TO 封裝技術發展 2011 年 : 830nm 150mW LD 量產高功率氣密純銅 9φ LD 封裝 2012 年 :635nm 700mW TO-9 LD 發表 Hybrid Laser on PCB 量產 2013 年 : 櫃買中心上興櫃 3
最近五年營運績效 4
損益表 年度 最近五年度財務資料 單位 : 新台幣千元 項目 102 年上半 98 年 99 年 100 年 101 年年度 營業收入 385,294 493,097 629,259 741,479 398,582 營業毛利 16,577 95,854 150,566 211,244 140,693 營業費用 (118,687) (93,962) (102,195) (97,686) (54,687) 營業損益 (102,110) 1,892 48,371 113,558 86,006 營業外收入及利益 19,373 20,208 9,841 2,521 9,515 營業外費用及損失 8,662 11,772 157 9,139 稅前損益 (91,399) 10,328 58,055 106,940 95,521 本期損益 (91,311) 2,833 46,739 93,741 80,237 每股盈餘 (2.02) 0.11 2.34 4.69 4.01 5
資產負債表 年度 最近五年度財務資料 單位 : 新台幣千元 項目 98 年 99 年 100 年 101 年 102 年上半年度 流動資產 552,544 447,658 538,495 650,816 789,993 固定資產 282,041 205,883 181,673 133,636 106,097 無形資產 2,494 1,833 1,543 1,201 1,210 其他資產 27,596 17,165 11,613 7,740 37,103 資產總額 864,675 672,539 733,324 793,393 934,403 流動負債 99,084 94,115 108,161 110,489 255,036 其他負債 4,481 4,481 4,481 4,481 7,984 負債總額 103,565 98,596 112,642 114,970 263,020 股本 390,000 200,000 200,000 200,000 200,000 資本公積 375,300 371,110 371,110 371,110 371,110 保留盈餘 (4,190) 2,833 49,572 107,313 100,273 股東權益總額 761,110 573,943 620,682 678,423 671,383 每股淨值 19.52 28.70 31.03 33.92 33.57 6
核心競爭力 7
核心優勢 元件開發能力 應用整合能力 量產技術能力 8
核心競爭力 1 元件開發能力 量子井雷射結構開發 結構設計 磊晶成長 分析模擬 先進雷射晶粒製程技術 蝕刻製程技術 擴散製程技術 鏡面鍍膜技術 元件特性評價與測試 電特性 光特性 9
核心競爭力 2 量產技術能力 生產製造垂直整合 生產紀律管控 磊晶成長 晶粒製作 製程能力 生產良率 生產作業時間 高效率生產 環境控制 庫存控制 日期 批號 序號 樣 本 測 定 值 2003/1/1 2003/1/2 2003/1/3 2003/1/4 2003/1/5 2003/1/4 2003/1/5 2003/1/6 2003/1/7 2003/1/8 201001 201008 201010 201011 201015 201015 201016 201017 201018 201019 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 X1 0.50 8.00-3.00 3.00 8.00 6.00 0.50 8.00-3.00 3.00 X2 0.80 7.00-8.00 8.00 9.00 3.00 0.80 7.00-8.00 8.00 X3 3.00 2.00-2.00 5.00 12.00 8.00 3.00 2.00-2.00 5.00 X4 2.00-3.00 0.00-1.00 10.00-2.00 2.00-3.00 0.00-1.00 X5-3.00 6.00 0.50-12.00 11.00-6.00-3.00 6.00 0.50 0.00 Cpk X 精度 2.0 1.8 1.6 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0.0 Jan Feb Mar Apr May Jun Jul Aug Sep Oct Nov Dec 1.65 1.53 1.31 1.56 X Target 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 1.33 ΣX 3.30 20.00-12.50 3.00 50.00 9.00 3.30 20.00-12.50 15.00 X 0.66 4.00-2.50 0.60 10.00 1.80 0.66 4.00-2.50 3.00 R 6.00 11.00 8.50 20.00 4.00 14.00 6.00 11.00 8.50 9.00 15 10 5 0-5 -10-15 自動封裝 預燒測試 25 20 15 10 5 0 10
核心競爭力 3 應用整合能力 電路整合 自動功率控制型雷射二極體 客製化封裝技術 Hybrid LD on PCB 光學整合 小型精密雷射模組 特殊雷射光束模組 11
核心競爭力 4 研究與發明能力 專利項目 申請類型 國家 數量 申請類型 名稱 US 1 發明 VCSEL WITH TRIANGLE PRISM OPTICAL CAVITY RESONATOR 可調多波長半導雷射之共振腔架構 商標 /Resonating Cavity system for Broadly JP 1 發明 Tunable Multi-Wavelength Semiconductor Lasers CN 1 發明 使用非對稱量子井結構之半導體雷射 US 4 發明 雷射二極體裝置 CN 4 發明 表面黏著型雷射二極體 發明 TW 11 發明 內建高頻調變 IC 之雷射二極體模組 KR 1 發明 穩定極化的垂直腔面射型雷射及其製法 EPC 1 發明 光學式定位輸入之方法及裝置 CN 6 發明 雷射水平線調整機構 新型 TW 14 發明 微小化綠光雷射裝置 JP 1 發明 光學偵測裝置及其方法 小計 45 發明 一種包含封裝光學裝置及包含此裝置的光學滑鼠 發明 光學裝置 發明 偵測模組及包含此偵測模組之光學偵測系統 12
事業範疇 13
事業範疇 自有品牌雷射二極體 自有品牌雷射模組 封裝代工服務 14
事業範疇 TO 封裝 / 代工服務 高產能 4KK/ 月 高效率 高品質 全自動化設備 15
事業範疇 雷射二極體產品應用 > 5W 1W 500mW 100mW 50mW 20mW < 5mW CW Power Wavelength 635nm 650nm 780nm 808nm 830nm ~ 850nm 1310nm ~ 1550nm 16
事業範疇 雷射二極體產品型式 > 5W 1W 9φ 9φ 500mW 5.6φ 5.6φ 100mW 50mW 5.6φ 5.6φ 20mW 5.6φ < 5mW 5.6φ 3.3φ 5.6φ 3.3φ CW Power Wavelength 635nm 650nm 780nm 808nm 830nm ~ 850nm 1310nm ~ 1550nm 17
事業範疇 雷射模組 應用 APC Laser Diode TM ( 通過 TÜV 安規認證 ) 體積小 易使用 18
品質政策 顧客 誠信 創新 關懷 19
環境政策 ISO 14001 由 SGS 台北認證 RoHS 所有產品均通過 RoHS 認證 OHSAS 18001 通過國際職業安全衛生管理系統 20
謝謝指教 21