产品手册 Datasheet MM32P021 32 位基于 ARM Cortex M0 核心的微控制器 版本 :1.9.0 保留不通知的情况下, 更改相关资料的权利
目录 1. 总介... 5 1.1 概述... 5 1.2 产品特性... 5 2. 规格说明... 6 2.1 器件对比... 6 2.2 功能简述... 6 3. 引脚定义... 7 3.1 引脚配置... 7 3.2 引脚描述... 8 4. 电气特性... 9 4.1 极限参数... 9 4.2 电气特性描述... 9 4.3 特性曲线图...10 5. 封装信息...14 5.1 SOP14 封装...14 5.2 MSOP10 封装...15 5.3 SOP8 封装...16 6. 型号命名...17 7. 修改记录...18 2 / 18
图片目录 图 1. 系统框架... 6 3 / 18
表格目录 表 1. MM32P021 产品功能和外设配置... 6 表 2. 绝对最大额定值... 9 表 3. DC 特性... 9 表 4. ADC 特性... 9 4 / 18
1. 总介 1.1 概述 MM32P021 使用高性能的 ARM Cortex -M0 为内核的 32 位微控制器, 内置 4K Bytes OTP 存储器, 最高工作频率可达 16MHz MM32P021 系列包含 1 个 12 位的 ADC 2 个 8 位定时器, 支持 PWM/Buzzer 输出 1 个内置看门狗定时器 MM32P021 产品系列工作电压为 2.5V ~ 5.5V, 工作温度范围包含 -40 ~ +85 MM32P021 是一个使用 Cortex- M0 为内核的高性能和低功耗系统, 引脚相对较少, 开发工具链广泛 广泛应用于小家电 温度测量 高端智能型充电器 开关电源等领域 MM32P021 产品提供包括 SOP14 MSOP10 和 SOP8 共 3 种不同封装形式 ; 根据不同的封装形式, 器件中的外设配置不尽相同 下面给出了该系列产品中相关外设的基本介绍 1.2 产品特性 内核与系统 - 32 位 ARM Cortex -M0 处理器内核, 最高工作频率可达 16MHz 存储器 - 4K Bytes 的 OTP 程序存储器 + 64 Bytes OTP 信息字节存储空间 - 128 Bytes 的 SRAM 时钟 复位和电源管理 - 2.5V ~ 5.5V 供电和 I/O 引脚 - 上电复位 (POR) - 1M ~ 16MHz 外部时钟输入 - 内嵌经出厂调校的 16MHz 振荡器 - 内嵌 40KHz 低速振荡器 低功耗 - 睡眠 停机模式 I/O 端口 : - 双向输入输出口 :P0 P4 P5 - 具有时间唤醒功能的端口 :P0 电平触发 - 内置上拉电阻端口 :P0 P4 P5 - ADC 输入硬件 :P4.0 ~ P4.4 - P0.0 P0.1 可以映像到 2 个外部中断 2 个定时器 - 2 个 8 位定时器, 支持外部事件计数器 /PWM/Buzzer 输出功能 1 个 12 位 5 个通道模数转换器 - 转换范围 :0V ~ 5.5V - 5 个外部信号源 - 可选外部内部 (V DD) 参考电压 1 个内置看门狗定时器, 其时钟源由内部低速振荡器提供 采用 SOP14/MSOP10/SOP8 封装 5 / 18
2. 规格说明 2.1 器件对比 表 1. MM32P021 产品功能和外设配置 产品型号外围接口 MM32P021SR MM32P021MN MM32P021SE OTP ROM K 字节 4 4 4 SRAM 字节 128 128 128 8 位定时器 2 2 2 GPIO( 通道数 ) 11 7 5 12 位同步 ADC ( 通道数 ) 1 5 channels 1 4 channels 1 3 channels CPU 频率 16MHz 工作电压 2.5V ~ 5.5V 封装 SOP14 MSOP10 SOP8 2.2 功能简述 图 1. 系统框架 ARM Cortex-M0 OTP 32M ROSC LVD SRAM 40K ROSC VREF SYS_CTRL WDT GPIO TC0/1 ADC INT_EVENT 6 / 18
7 / 18 3. 引脚定义 3.1 引脚配置 MM32P021SR(SOP14) RST/VPP P0.2 P0.3/XIN P5.3/BZ1/PWM1 P5.4/BZ0/PWM0 P0.1/INT1 VDD P4.1/AIN1 P4.0/AIN0/AVREFH P0.0/INT0 VSS P4.4/AIN4 P4.3/AIN3 P4.2/AIN2 SOP14 10 9 8 14 13 12 11 5 6 7 1 2 3 4 MM32P021MN(MSOP10) RST/VPP P0.2 P5.3/BZ1/PWM1 P5.4/BZ0/PWM0 VDD P4.1/AIN1 P4.0/AIN0/AVREFH VSS P4.4/AIN4 P4.2/AIN2 MSOP10 6 10 9 8 7 5 1 2 3 4 MM32P021SE(SOP8) P5.3/BZ1/PWM1 RST/VPP P5.4/BZ0/PWM0 VDD P4.1/AIN1 P4.0/AIN0/AVREFH VSS P4.2/AIN2 SOP8 8 7 6 5 1 2 3 4
3.2 引脚描述 SOP MSOP SOP 14 10 8 名称 类型 引脚说明 1 1 1 VDD S 电源输入端 2 P0.3/XIN IO P0.3: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻, 支持事件唤醒功能 XIN: 使能外部振荡电路时为振荡信号输入引脚 3 2 P0.2/CLKOUT IO P0.2: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻, 支持事件唤醒功能 CLKOUT: 内部系统时钟输出 4 3 2 RST/VPP I,S RST: 系统复位输入引脚, 施密特结构, 低电平触发, 通常保持高电平 VPP:OTP 烧录引脚 5 4 3 P5.3/PWM1/BZ1 I/O P5.3: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻 PWM1:PWM 输出引脚 BZ1:Buzzer TC1 输出引脚 6 5 4 P5.4/PWM0/BZ0 I/O P5.4: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻 PWM0:PWM 输出引脚 BZ0:Buzzer TC0 输出引脚 7 P0.1/INT1 I/O P0.1: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻, 支持事件唤醒功能 INT1: 外部中断输入引脚 8 P0.0/INT0 I/O P0.0: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻, 支持事件唤醒功能 INT0: 外部中断输入引脚 P4.0: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置 9 6 5 P4.0/AIN0/ 上拉电拉电阻 I/O AVREFH AIN0:ADC 输入通道 0 AVERFH:ADC 参考电压的高电平输入引脚 P4.1: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置 10 7 6 P4.1/AIN1 I/O 上拉电阻 AIN1:ADC 输入通道 1 11 8 7 P4.2/AIN2 I/O P4.2: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻 AIN2:ADC 输入通道 2 12 P4.3/AIN3 I/O P4.3: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻 AIN3:ADC 输入通道 3 13 9 P4.4/AIN4 I/O P4.4: 双向输入 / 输出引脚, 输入模式时施密特触发, 内置上拉电阻 AIN4:ADC 输入通道 4 14 10 8 VSS S 电源地输入端 8 / 18
4. 电气特性 4.1 极限参数 表 2. 绝对最大额定值 符号 参数 最小值 最大值 单位 VCC - VSS 直流电源电压 - 0.3 + 5.5 V VIN 输入电压 VSS - 0.3 VCC - 0.3 V Frequence 外部时钟频率 1 16 MHz TA 工作温度 - 20 + 85 4.2 电气特性描述 表 3. DC 特性 参数符号描述最小值典型值最大值单位 工作电压输入低电平电压输入高电平电压 VDD 正常模式,25 2.5 5.0 5.5 V 正常模式,- 40 ~ 85 2.5 5.0 5.5 V ViL 所有输入端口 Vss - 0.3VDD V ViH 所有输入端口 0.7VDD - VDD V 工作模式 VDD = 5V - 6.79 7.2 ma ( 无负载 ) VDD = 3V - 2.02 2.34 ma 供电电流 ( 未 使用 ADC) IDD 睡眠模式 VDD = 5V,- 40 ~ 85-4.53 14.84 ma VDD = 3V,- 40 ~ 85-1.37 1.6 ma VDD = 5V,- 40 ~ 85-7.0 8.0 μa 停机模式 VDD = 3V,- 40 ~ 85-6.0 7.0 μa 25, 15.68 16 16.32 MHz 内部高速振 VDD = 5V Fosc 内部高速振荡器荡器频率 - 40 ~ 85, 14.40 16 17.60 MHz VDD = 5V LVD 电压 Vdet 低电压复位电平 1.7 2.0 2.3 V 表 4. ADC 特性 参数 符号 描述 最小值 典型值 最大值 单位 VREFH 输入电压 AIN0 ~ AIN5 输入电压 Vref 外部参考电压 0 - VDD V Virf 内部 VDD 参考电压,VDD = 5V - VDD - V Vani VDD = 5V 0 - VDD V 微分非线性 DNL VDD = 5V ± 8 - - LSB 积分非线性 INL VDD = 5V ± 15 - - LSB 9 / 18
4.3 时钟源特性 4.3.1 外部时钟源特性来自外部有源时钟作为输入时钟下表中给出的特性参数是使用一个高速的外部有源时钟源测得, 环境温度和供电电压符合表 11 的条件 表 5. 高速外部用户时钟特性符号参数条件最小值典型值最大值单位 fhse_ext 用户外部时钟频率 (1) 1 8 16 MHz VHSEH OSC_IN 输入引脚高电平电压 0.7VDD - VDD VHSEL OSC_IN 输入引脚低电平电压 - VSS - 0.3VDD tw(hse) OSC_IN 高或低的时间 (1) 16 - - tr(hse) tf(hse) OSC_IN 上升或下降的时间 (1) - - 20 V ns Cin(HSE) OSC_IN 输入容抗 (1) - - 5 - pf DuCy(HSE) 占空比 - 45-55 % IL OSC_IN 输入漏电流 VSS VIN VDD - - ± 1 ua 1. 由设计保证, 不在生产中测试 图 2. 外部高速时钟源的交流时序图 VHSEH 90% 10% VHSEL tr(hse) tf(hse) tw(hse) tw(hse) t THSE 外部时钟源 fhse_ext OSC_IN I L 4.3.2 内部时钟源特性 下表中给出的特性参数是使用环境温度和供电电压符合表 11 的条件测量得到 高速内部 (HSI) 振荡器 10 / 18
表 6. HSI 振荡器特性 (1)(2) 符号参数条件最小值典型值最大值单位 fhsi 频率 12 16 20 MHz TA = -40 ~ 85-10 9 ACCHSI HSI 振荡器的精度 TA = -10 ~ 85 TA = 0 ~ 70 % TA = 25-2 2 tsu(hsi) HSI 振荡器启动时间 2 μs IDD(HSI) HSI 振荡器功耗 85 200 μa 1. V DD = 3.3V,T A = - 40 ~ 85, 除非特别说明 2. 由设计保证, 不在生产中测试 低速内部 (LSI) 振荡器 表 7. LSI 振荡器特性 (1) 符号参数条件最小值典型值最大值单位 flsi (2) 频率 15 32 45 KHz tsu(lsi) (2) LSI 振荡器启动时间 1 μs IDD(LSI) (3) LSI 振荡器功耗 1 1.7 μa 1. V DD = 3.3V, T A = -40 ~ 85, 除非特别说明 2. 由综合评估得出, 不在生产中测试 11 / 18
频率值 (KHZ) 频率值 (MHZ) 4.3.3 内部时钟源特性曲线图 图 3. HSI 时钟 Trim 后高速时钟特性 20.00 18.00 16.00 14.00 12.00 10.00 8.00 6.00 4.00 2.00 0.00 HSI 15.84 16.24 16.64 17.04 17.36 17.60 16.08 16.56 16.96 17.36 17.76 18.08 15.04 15.36 13.60 13.92 14.24 14.56-40 度 -20 度 0 度 25 度 45 度 65 度 85 度 105 度 125 度 3.3V 5V 图 4. LSI 时钟 Trim 后高速时钟特性 LSI 38.00 37.00 36.00 35.00 34.00 37.60 37.44 37.20 37.12 37.12 36.80 36.80 36.40 36.40 36.16 36.08 35.84 35.68 35.44 34.96 35.04 34.80 34.40 33.00 32.00-40 度 -20 度 0 度 25 度 45 度 65 度 85 度 105 度 125 度 3.3V 5V 12 / 18
4.3.4 NRST 引脚特性 NRST 引脚输入驱动使用 CMOS 工艺, 它连接了一个不能断开的上拉电阻,R PU( 参见表 31) 除非特别说明, 下表列出的参数是使用环境温度和 V DD 供电电压符合表 11 的条件测量得到 表 8. NRST 引脚特性 符号参数条件最小值典型值最大值单位 VIL(NRST) (1) NRST 输入低电平电压 -0.5 0.8 VIH(NRST) (1) NRST 输入高电平电压 2 VDD V Vhys(NRST) NRST 施密特触发器电压迟滞 0.2VDD mv RPU 弱上拉等效电阻 (2) VIN = VSS 15 kω VF(NRST) (1) NRST 输入滤波脉冲 100 ns VNF(NRST) (1) NRST 输入非滤波脉冲 300 1. 由设计保证, 不在生产中测试 2. 上拉电阻是设计为一个真正的电阻串联一个可开关的 PMOS 实现 这个 PMOS/NMOS 开关的电阻很小 ( 约占 10%) 图 5. 建议的 NRST 引脚参考电路 1. 复位网络是为了防止寄生复位 2. 用户必须保证 NRST 引脚的电位能够低于表 31 中列出的最大 V IL(NRST) 以下, 否则 MCU 不能得到复位 3. Rpu = 10K, C=0.1uF 13 / 18
5. 封装信息 5.1 SOP14 封装 1. 图不是按照比例绘制 2. 尺寸单位为毫米 标号 毫米 最小值典型值最大值 A 1.50 1.6 1.75 A1 0.10 0.25 b 0.33 0.40 0.51 c 0.20 D 8.53 8.66 8.74 E 5.8 6 6.2 E1 3.81 3.91 3.99 e 1.27 L 0.4 1.27 θ 0 8 N 引脚数目 = 14 14 / 18
5.2 MSOP10 封装 1. 图不是按照比例绘制 2. 尺寸单位为毫米 毫米 标号 最小值 典型值 最大值 A 0.8 1.10 A1 0.00 0.15 A2 0.75 0.85 0.95 b 0.17 0.2 0.27 c 0.08 0.23 D 3.00 BSC E 4.90 BSC E1 3.00 BSC e 0.50 BSC L 0.40 0.60 0.80 L1 0.95 REF θ 0 8 N 引脚数目 = 10 15 / 18
5.3 SOP8 封装 1. 图不是按照比例绘制 2. 尺寸单位为毫米 毫米 标号 最小值 典型值 最大值 A 1.50 1.75 A1 0.10 0.25 A2 1.40 1.70 b 0.40 c 0.20 D 4.85 4.95 E 5.84 6.20 E1 3.88 4.00 e 1.27 L 0.40 0.90 θ 0 8 N 引脚数目 = 8 16 / 18
6. 型号命名 MM32 P 0 2 1 S R x Device family MM32 = ARM-based 32-bit microcontroller Product type P = OTP Sub-family 0 = Cortex M0 User code memory size 2 = 4 K Bytes Function Family 1 = Support ADC Package S = SOP M = MSOP Pin count R = 14 Pins N = 10 Pins E = 8 Pins Options TR = tape and reel packing blank = tray packing 17 / 18
7. 修改记录 版本内容日期 V1.0 Working version 2016/12/30 V1.2 修改产品编号图 2017/2/10 V1.4 修改格式符号, 修改封装描述 2017/3/30 V1.5 添加停机模式电流消耗值 2017/4/1 V1.6 添加封装 SOP8 2017/8/21 V1.7 修改封装 SOP8 2017/9/1 18 / 18