上海海栎创微电子有限公司 CSM212/216/224 数据手册 具有专用电容检测模块的 8 位单片机 Rev: V1.2 www.hynitron.com CSM212/216/224 是一款具有高性能精简指令集且集成电容触控功能的 EERPOM 型 8051 单片机 此单 片机集成有硬件触控 CDC 模块, 可多次编程的 EEPROM 存储器和常用通讯接口, 为各种触摸按键的应用 提供了一种简单而又有效的实现方法
目录 目录... 2 芯片特性... 3 系统框图... 4 系统概述... 4 选型表... 5 引脚图... 6 封装外形尺寸... 13 电参数规格说明... 18 绝对最大额定值... 18 直流电气特性... 18 交流电气特性... 19 交流 I2C 电气特性... 20 交流 SPI 电气特性... 20 版本修订... 22 Rev: V1.2 Page 2 海栎创机密请勿外泄
芯片特性 低功耗触摸检测模块 任一管脚都可无需外接器件配置成电容感应检测通道 支持电容按键 滑条以及接近传感器应用 高性能精简指令集架构处理器 单周期 8051 处理器的速度最高可达 12.8 MHz 速度高 功耗低 宽工作电压 : 2.5 V 至 5.5 V 工作温度范围 : 20 C 至 +85 C 灵活的片上存储器 8K 字节 EEPROM 程序存储器, 大于 100,000 次擦 / 写循环 触控 API 使用小于 4K 字节 EEPROM 程序存储器 768 字节的 SRAM 数据存储器 支持数据 EEPROM 模拟, 可动态将数据存入 8K 字节程序 EEPROM 中 灵活的基于程序段的保护模式, 更好的保护程序代码 高精度的可编程时钟 内部 ±2.5% 25.6 MHz 主振荡器 内部 ±10% 32KHz 低速振荡器, 能够实现看门狗和睡眠功能 24 个可编程引脚配置 所有 GPIO 均可选择上拉驱动 High Z 驱动 开漏驱动和 CMOS 驱动模式 所有 GPIO 均接受可配置的输入 所有 GPIO 均具有 10mA 的灌电流能力 可配置内部输入输出总线连接 GPIO 与内部数字模块 其它系统资源 四个可级联的 8 位定时 / 计数器 支持最高 400KHz I2C 主 / 从通讯接口 支持最高 10MHz SPI 主 / 从通讯接口 支持最高 115.2 KHz UART 通讯接口 看门狗和睡眠定时器 内部参考电压 支持可配置的低电压检测功能 支持多种工作模式 : 全速, 空闲以及睡眠模式 内置一个 100KSPS 8 位 SAR ADC, 两个可配置比较电压的比较器 Rev: V1.2 Page 3 海栎创机密请勿外泄
系统框图 GPIO GDI GDO Timer0 Timer1 Timer2 Timer3 UART SPI 2K SROM RISC 8051 8K E2R CMB CDC I2C 256 SRAM SFR BUS 512 SRAM POR LVD BG LDO IMO ILO DIG CLK SLP WTD 系统概述 CSM212/216/224 是一款具有高性能精简指令集且完全集成触控功能的 EERPOM 型 8051 单片机 此单片机集成有硬件触控 CDC 模块, 可多次编程的 EEPROM 存储器和常用通讯接口, 为各种触摸按键的应用提供了一种简单而又有效的实现方法 如上图所示,CSM212/216/224 架构由三个主要部分 : 即内核 模拟系统 ( 含 CDC 模块 ) 和系统资源组成 CSM212/216/224 通过 SFR 总线, 能够实现三个部分之间的连接 CSM212/216/224 内核包括一款单周期的 8051 处理器,2K 字节的固化程序 SROM,8K 字节可电擦写用户程序 EEPROM, 和共 768 字节的两块数据 SRAM 该 8051 处理器支持硬件乘法 / 除法指令且 100% 兼容标准 8051 指令集 其运行速度最高为 12.8MHz, 用户可通过寄存器设定不同的运行频率以降低内核功耗 8K 字节的用户程序 EEPROM 同时支持数据 EEPROM 模拟功能, 用户可以动态地将一些需要掉电保存的数据写入该 EEPROM 中 768 字节数据 SRAM 分为两个模块, 一个是 256 字节内部数据 SRAM, 另一个是 512 字节外部数据 SRAM CSM212/216/224 包含一个专用的 CDC 模块, 该模块能够完成对任一通用 I/O 口的电容触控检测, 用户通过读取该模块的检测结果即可判断该 I/O 口上电容的变化 CSM212/216/224 同时还提供了一套完整的触控检测算法 API, 包括应用环境跟踪与噪声滤波等, 用户只需要调用该 API 就可以完整的实现触控检测的功能 触控 API 最多占用 4K 字节 Rev: V1.1 Page 4 海栎创机密请勿外泄
EEPROM 程序存储器和 512 字节数据存储器, 根据用户配置的触控通道数量的多少, 资源占 用会有一定差别 触控通道越少, 资源占用越小 CSM212/216/224 单片机集成了丰富的系统资源, 包括有 SPI,UART,I2C 等通讯接口, 四个可级联的 8 位定时 / 计数器, 看门狗定时器 低电压检测, 低电压复位, 模拟比较器, SAR ADC 等 CSM212/216/224 具有良好的抗噪声和抗 ESD 保护功能, 确保单片机在恶劣的电气环境中仍能保持稳定的操作 等等 该单片机能广泛应用于各种触摸按键产品中, 例如仪器仪表, 家用电器, 电子控制工具 选型表 型号 系统 /CPU 时钟 程序存储器 数据存储器 数据 EEPROM 定时器 /PWM SPI/ I2C/UART ADC 通道 CSM212 25.6/12.8Mhz 8KB 768B <8KB* 4 1/1/1 8 位 4 通道 CSM216 25.6/12.8Mhz 8KB 768B <8KB* 4 1/1/1 8 位 4 通道 CSM224 25.6/12.8Mhz 8KB 768B <8KB* 4 1/1/1 8 位 4 通道 * 数据 EEPROM 与程序存储器共享 8KB 空间 GPIO/ 触摸按键 VDD 封装形式 13/12 2.5-5.5 SOP16 17/16 2.5-5.5 SOP20/QFN20 24/23 2.5-5.5 SOP28/QFN28 Rev: V1.2 Page 5 海栎创机密请勿外泄
引脚图 CSM224 提供 SOP28/QFN28 封装 RGL CP0[1] AIO[0],CP0[3] AIO[1],CP0[5] AI[2],CP0[7] AI[3],CP2[1] CP2[3] CP2[5] CP2[7] I2C_SCL0,CP1[1] I2C_SDA0,CP1[3] CP1[5] I2C_SCL1, CP1[7] VSS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 VDD CP0[0] CP0[2] CP0[4] CP0[6] CP2[0] CP2[2] CP2[4] CP2[6] XRES# CP1[0] CP1[2] CP1[4] CP1[6],I2C_SDA1 SOP28 封装 CSM224 SOP28 管脚描述 管脚号 名称 类型 描述 1 RGL Ana-IO 旁路滤波电容 2 CP0[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 3 AIO[0],CP0[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 0, 内部比较器输入端口 0 或内部 VDAC 输出端口 1 4 AIO[1],CP0[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 1, 内部比较器输入端口 1 或内部 VDAC 输出端口 2 5 AI[2],CP0[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 2, 内部比较器输入端口 2 6 AI[3],CP2[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 3, 内部比较器输入端口 3 7 CP2[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 8 CP2[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 9 CP2[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 10 I2C_SCL0,CP1[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SCL 端口 11 I2C_SDA0,CP1[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SDA 端口 12 CP1[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 13 I2C_SCL1,CP1[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SCL 端口 14 VSS 地 接地 15 I2C_SDA1,CP1[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SDA 端口 Rev: V1.2 Page 6 海栎创机密请勿外泄
管脚号 名称 类型 描述 16 CP1[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 17 CP1[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 18 CP1[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 19 XRES# 复位 芯片外部复位引脚, 低有效, 内部 8~10K 上拉 20 CP2[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 21 CP2[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 22 CP2[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 23 CP2[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 24 CP0[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 25 CP0[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 26 CP0[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 27 CP0[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 28 VDD 电源 电源接口 CP0[4] AIO[1],CP0[5] AI[2],CP0[7] AI[3],CP2[1] CP2[3] CP2[5] CP2[7] I2C_SCL0, CP1[1] CP0[6] CP2[0] CP2[2] CP2[4] CP2[6] XRES# CP1[0] I2C_SDA0, CP1[3] CP1[5] I2C_SCL1, CP1[7] VSS I2C_SDA1, CP1[6] CP1[4] CP1[2] AIO[0],CP0[3] CP0[1] RGL VDD CP0[0] CP0[2] QFN28 封装 CSM224 QFN28 管脚描述 管脚号名称类型描述 1 AIO[1],CP0[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 1, 内部比较 器输入端口 1 或内部 VDAC 输出端口 2 Rev: V1.2 Page 7 海栎创机密请勿外泄
管脚号 名称 类型 描述 2 AI[2],CP0[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 2, 内部比较器输入端口 2 3 AI[3],CP2[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 3, 内部比较器输入端口 3 4 CP2[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 5 CP2[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 6 CP2[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 7 I2C_SCL0,CP1[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SCL 端口 8 I2C_SDA0,CP1[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SDA 端口 9 CP1[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 10 I2C_SCL1,CP1[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SCL 端口 11 VSS 地 接地 12 I2C_SDA1,CP1[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SDA 端口 13 CP1[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 14 CP1[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 15 CP1[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 16 XRES# 复位 芯片外部复位引脚, 低有效, 内部 8~10K 上拉 17 CP2[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 18 CP2[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 19 CP2[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 20 CP2[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 21 CP0[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 22 CP0[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 23 CP0[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 24 CP0[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 25 VDD 电源 电源接口 26 RGL Ana-IO 旁路滤波电容 27 CP0[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 28 AIO[0],CP0[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 0, 内部比较器输入端口 0 或内部 VDAC 输出端口 1 注意 : 如用户需要使用触控功能, 则必须选一个通用 I/O 口作为触控滤波电容接口 接口推荐使用 CP0[3] 引脚, 滤波电容推荐使用 1.5nF 至 10nF 之间的 C0G 电容 注意 : 文中可能混用 CPx[x] 和 Px[x] 两种管脚命名方式, 它们含义相同 CSM216 提供 SOP20/QFN20 封装, 其引脚图如下 : Rev: V1.2 Page 8 海栎创机密请勿外泄
RGL AIO[0],CP0[3] AIO[1],CP0[5] AI[2],CP0[7] AI[3],CP2[1] I2C_SCL0, CP1[1] I2C_SDA0, CP1[3] CP1[5] I2C_SCL1, CP1[7] VSS 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 VDD CP0[0] CP0[2] CP0[4] CP0[6] CP2[0] CP1[0] CP1[2] CP1[4] CP1[6],I2C_SDA1 SOP20 封装 CSM216 SOP20 管脚描述 管脚号 名称 类型 描述 1 RGL Ana-IO 旁路滤波电容 2 AIO[0],CP0[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 0, 内部比较器输入端口 0 或内部 VDAC 输出端口 1 3 AIO[1],CP0[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 1, 内部比较器输入端口 1 或内部 VDAC 输出端口 2 4 AI[2],CP0[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 2, 内部比较器输入端口 2 5 AI[3],CP2[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 3, 内部比较器输入端口 3 6 I2C_SCL0,CP1[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SCL 端口 7 I2C_SDA0,CP1[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SDA 端口 8 CP1[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 9 I2C_SCL1,CP1[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SCL 端口 10 VSS 地 接地 11 I2C_SDA1,CP1[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SDA 端口 12 CP1[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 13 CP1[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 14 CP1[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 15 CP2[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 16 CP0[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 17 CP0[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 18 CP0[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 Rev: V1.2 Page 9 海栎创机密请勿外泄
管脚号名称类型描述 19 CP0[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 20 VDD 电源电源接口 CP0[4] CP0[6] CP2[0] CP1[0] CP1[2] CP1[4] I2C_SDA1, CP1[6] VDD CP0[0] CP0[2] AIO[1],CP0[5] AI[2], CP0[7] AI[3], CP2[1] I2C_SCL0, CP1[1] I2C_SDA0, CP1[3] 1 2 3 4 5 QFN 20 CP1[5] I2C_SCL1, CP1[7] VSS 20 19 18 17 16 6 7 8 9 10 AIO[0],CP0[3] RGL 15 14 13 12 11 QFN20 封装 CSM216 QFN20 管脚描述 管脚号 名称 类型 描述 1 AIO[1],CP0[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 1, 内部比较器输入端口 1 或内部 VDAC 输出端口 2 2 AI[2],CP0[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 2, 内部比较器输入端口 2 3 AI[3],CP2[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 3, 内部比较器输入端口 3 4 I2C_SCL0,CP1[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SCL 端口 5 I2C_SDA0,CP1[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第一组 I2C SDA 端口 6 CP1[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 7 I2C_SCL1,CP1[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SCL 端口 8 VSS 地 接地 9 I2C_SDA1,CP1[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, 第二组 I2C SDA 端口 10 CP1[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 11 CP1[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 Rev: V1.2 Page 10 海栎创机密请勿外泄
管脚号 名称 类型 描述 12 CP1[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 13 CP2[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 14 CP0[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 15 CP0[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 16 CP0[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 17 CP0[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 18 VDD 电源 电源接口 19 RGL Ana-IO 旁路滤波电容 20 AIO[0],CP0[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 0, 内部比较器输入端口 0 或内部 VDAC 输出端口 1 CSM212 提供 SOP16 封装, 其引脚图如下 : RGL AIO[0],AI[0],CP0[3] AIO[1],AI[1],CP0[5] AI[2],AI[1],CP0[7] CP1[1] CP1[5] I2C_SCL, CP1[7] VSS 1 2 3 4 5 6 7 8 16 15 14 13 12 11 10 9 VDD CP0[2] CP0[4] CP0[6] CP1[0] CP1[2] CP1[4] CP1[6],I2C_SDA SOP16 封装 CSM212 SOP16 管脚描述 管脚号 名称 类型 描述 1 RGL Ana-IO 旁路滤波电容 2 AIO[0],CP0[3] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 0, 内部比较器输入端口 0 或内部 VDAC 输出端口 1 3 AIO[1],CP0[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 1, 内部比较器输入端口 1 或内部 VDAC 输出端口 2 4 AI[2],CP0[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,SAR ADC 转换通道 2, 内部比较器输入端口 2 5 CP1[1] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 6 CP1[5] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 7 I2C_SCL,CP1[7] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道, I2C SCL 端口 8 VSS 地 接地 9 I2C_SDA,CP1[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道,I2C SDA 端口 10 CP1[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 Rev: V1.2 Page 11 海栎创机密请勿外泄
管脚号 名称 类型 描述 11 CP1[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 12 CP1[0] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 13 CP0[6] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 14 CP0[4] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 15 CP0[2] GPIO 通用 I/O 口, 可配置为电容检测通道 16 VDD 电源 电源接口 Rev: V1.2 Page 12 海栎创机密请勿外泄
封装外形尺寸 SOP28 封装外形 SOP28 封装外形尺寸 标识 尺寸 ( 毫米 ) 标识 尺寸 ( 毫米 ) 最小 最大 最小 最大 A 17.90 18.10 C4 0.244 0.264 A1 0.356 0.456 D 1.353 1.453 A2 1.17 1.37 D1 0.764 0.964 A3 0.542 TYP D2 0.18 TYP B 7.40 7.60 R1 0.30 TYP B1 10.206 10.406 R2 0.20 TYP C 2.18 2.28 θ 1 12 TYP C1 0.938 1.038 θ 2 12 TYP C2 0.938 1.038 θ 3 0 ~ 8 C3 0.145 0.205 Rev: V1.2 Page 13 海栎创机密请勿外泄
QFN28L4x4 封装外形 QFN28L4x4 封装外形尺寸 Rev: V1.2 Page 14 海栎创机密请勿外泄
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电参数规格说明 绝对最大额定值 符号 说明 最小值 典型值 最大值 单位 注 TSTG 存放温度 -40 25 +100 C 存放温度越高, 数据保留时间就越短 TA 通电时的工作环境温度 -20 +85 C VDD 相对于 VSS 的 VDD 供电电 -0.5 +6.0 V 压 VIO 直流输入电压 VSS - 0.5 VDD + 0.5 V VIOZ 应用于三态的直流电压 VSS - 0.5 VDD + 0.5 V ESD 静电放电电压 4000 V 人体模型 ESD LU 栓锁电流 200 ma 直流电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位注 VDD 供电电压 2.50 5.5 V IDD 供电电流,IMO = 25.6 MHz, CPUCLK = 12.8 MHz 6 ma VDD = 5.0 V, TA = 25 C ISB 使用 POR LVD 睡眠定时器 WDT 和内部慢速振荡器时的 7 µa V DD = 5.0 V, 0 C T A 85 C 睡眠 ( 模式 ) 电流 RPU 上拉电阻 5.5 7.8 10.5 kω V DD = 5.0 V, 0 C T A 85 C VOH 高输出电压 VDD-1.0 V I OH = 6 ma, V DD = 5 V, I/O 最多共输出 80mA VOL 低电平输出电压 0.7 V I OL = 10 ma, V DD = 5.0 V, I/O 最多共灌入 80mA Rev: V1.2 Page 18 海栎创机密请勿外泄
IOH 高电平输出电流 6 ma V OH = V DD 1.0, V DD = 5.0 V, 请参见 V OH 注解中的总电流限制 IOL 低电平灌入电流 10 ma V OL = 0.7V, V DD = 5.0 V, 请参见 V OL 注解中的总电流限制 VIL 输入低电平电压 1.0 V 2.5 V VDD 5.5 V VIH 输入高电平电压 2.0 V 2.5 V VDD 5.5 V IIL 输入漏电流 ( 绝对值 ) 1 na CIN 引脚上作为输入的电容负载 3 5 10 pf 取决于封装和引脚, 温度 = 25 C COUT 引脚上作为输出的电容负载 3 5 10 pf 取决于封装和引脚, 温度 = 25 C VDDP 用于 EEPROM 编程的 V DD 2.5 5.5 V FlashEND EEPROM 擦写次数 100,000 擦 / 写循环次数 FlashDR EEPROM 数据保留时间 10 年 交流电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位注 FCPU1 CPU 频率 (2.5 V 5.5 V 额定值 ) 0.1 12.8 MHz F32K 内部 32K 低速振荡器频率 29 32 35 khz 0 C T A 85 C 2.5 V VDD 5.5 V FIMO 内部 25.6 MHz 高振荡器 25 25.6 26.2 MHz 0 C T A 85 C DCIMO IMO 的占空比 45 50 55 % DCILO 内部低速振荡器占空比 45 50 55 % txrst 外部复位脉冲宽度 1 us 2.5 V VDD 5.5 V tpowerup 从 POR 结束到 CPU 执行代码时的时间 8 12 ms Rev: V1.2 Page 19 海栎创机密请勿外泄
t WRITE EEPROM 块写时间 3 ms V DD = 2.5 V 至 5.0 V, 该时间包含 EEPROM 擦除 FGPIO GPIO 工作频率 0 10 MHz V DD = 2.5 V 至 5.0 V, CMOS 驱动模式 时间 trise tfall 上升时间,CMOS 驱动模式, Cload = 50 pf 下降时间,CMOS 驱动模式, Cload = 50 pf 30 ns V DD = 2.5 V 至 5.0 V, 20% 至 80% 20 ns VDD = 2.5 V 至 5.0 V,20% 到 80% 交流 I2C 电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位注 FSCLI2C I2C 时钟频率 0 400 khz 0 C T A 85 C thdstai2c 保留时间 ( 重复 )START 条 件 经过此时间段之后, 会 0.6 us 2.5 V VDD 5.5 V tlowi2c SCL 时钟的低周期 1.3 µs thighi2c SCL 时钟的高周期 0.6 µs tsustai2c 重复 START 条件的建立时间 0.6 µs tsudati2c 数据建立时间 100 ns tsustoi2c STOP 条件的建立时间 0.6 µs tbufi2c STOP 和 START 条件之间的总线空闲时间 1.3 µs CLOAD 总线电容负载 400 pf 交流 SPI 电气特性 符号说明最小值典型值最大值单位注 FSCLK2 SPI 时钟频率 0 5 MHz 0 C T A 85 C DC SCLK SCLK 占空比 50 % 2.5 V VDD 5.5 V t SETUP1 从 MISO 到 SCLK 建立时间 40 ns Rev: V1.2 Page 20 海栎创机密请勿外泄
t HOLD1 从 MISO 到 SCLK 保持时间 0 ns t OUT1 从 SCLK 到 MOSI 有效时间 0 20 ns t LOW SCLK 低电平时间 50 ns t HIGH SCLK 高电平时间 50 ns t SETUP2 从 MOSI 到 SCLK 建立时间 20 ns t HOLD2 从 MOSI 到 SCLK 保持时间 20 ns t OUT2 从 SCLK 到 MISO 有效的 时间 40 ns Rev: V1.2 Page 21 海栎创机密请勿外泄
版本修订 文档标题 :CSM212/216/224 数据手册 版本 历史 1.2 加入 QFN20 封装尺寸描述 1.1 加入触控 API 资源占用信息和通用 IO 触控滤波电容描述 1.0 初始版本 Rev: V1.2 Page 22 海栎创机密请勿外泄