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CDMOS 线性集成电路硅单片最大功率 49 W BTL 4 通道音频功放集成电路 1. 描述是一款内置四通道 BTL 功放专为汽车音频应用而开发的集成电路最大输出功率 POUT 为 49 W, 采用完全互补 P 通道和 N 通道 DMOS 输出级此外, 还包括待机开关静音功能输出偏移电压检测器和各种保护功能 2. 应用功率放大 IC 专为汽车音响应用而开发重量 :7.

2 CDMOS 线性集成电路硅单片最大功率 49 W BTL 4 通道音频功放集成电路 1. 描述是一款内置四通道 BTL 功放专为汽车音频应用而开发的集成电路最大输出功率 POUT 为 49 W, 采用完全互补 P 通道和 N 通道 DMOS 输出级此外, 还包括待机开关静音功能输出偏移电压检测器和各种保护功能 2. 应用功率放大 IC 专为汽车音响应用而开发重量 :7.7 g( 典型值 ) 3. 特点输出功率高, 失真度低, 噪声低 ( 详情见表 1 典型特性 ) 内置全时输出偏移检测 ( 引脚 25) 内置静音功能 ( 引脚 22) 内置自动静音功能 ( 低电压和待机开关 ) 内置待机开关 ( 引脚 4) 内置各种保护电路 ( 热关断过电压接地短路 VDD 短路, 输出 - 输出短路 ) V DD = 6V 工作对应启停巡航 ( 发动机怠速熄火功能 ) 表 1 典型特性 ( 注 1) 测试条件典型值单位输出功率 (P OUT ) V DD = 15.2 V, 最大功率 49 VDD = 14.4 V, 最大功率 44 W V DD = 14.4 V,THD = 10% 29 THD = 10% 24 总谐波失真 (THD) P OUT = 4 W % 输出噪声电压 (V NO )( Rg = 0 Ω) 滤波器 : 加权 A 45 µv 工作电源电压 (V DD ) RL_amp = 4 Ω 6 ~ 18 RL_amp = 2 Ω 6 ~ 16 V 注 1: 典型测试条件 : VDD = 13.2 V f = 1 khz RL_amp = 4 Ω 和 Ta = 25 C, 除非另有规定 Rg: 信号源电阻 2016 TOSHIBA Corporation 1

3 4. 方框图 C2: 10 μf Ripple NC V DD2 V DD1 C5: 3900 μf C3: 0.1 μf +B 11 C1: 0.22 μf IN1 OUT1 (+) 9 8 PW-GND1 R L _amp C1: 0.22 μf 12 IN2 AC-GND OUT1 ( ) 7 OUT2 (+) 5 2 PW-GND2 R L _amp 13 Pre-GND AC-GND C1: 0.22 μf IN3 15 OUT2 ( ) 3 OUT3 (+) 17 C6: 1 μf 16 AC-GND AC-GND PW-GND3 18 OUT3 ( ) 19 R L _amp C1: 0.22 μf IN4 14 OUT4 (+) 21 5 V 24 PW-GND4 R L _amp Play Mute R1: 47 kω C4: 1 μf 4 Stby 22 Mute AC-GND Offset Det OUT4 ( ) 为清楚起见, 方框图中的一些功能框电路或常数标签可能已被省略或简化 2

4 5. 引脚配置 5.1 引脚配置 ( 顶视图 ) Offset Det PW-GND4 OUT4 (-) Mute OUT4 (+) V DD 1 OUT3 (-) PW-GND3 OUT3 (+) AC-GND IN3 IN4 Pre-GND IN2 IN1 Ripple OUT1 (+) PW-GND1 OUT1 (-) V DD 2 OUT2 (+) Stby OUT2 (-) PW-GND2 NC 3

5 5.2 引脚说明引脚符号 I/O 说明 1 NC 无连接 2 PW-GND2 OUT2 接地 3 OUT2(-) OUT OUT2 (-) 输出 4 Stby V ST -IN 待机电压输入 5 OUT2(+) OUT OUT2 (+) 输出 6 V DD 2 V DD -IN 电源电压 2 7 OUT1(-) OUT OUT1 (-) 输出 8 PW-GND1 OUT1 接地 9 OUT1(+) OUT OUT1 (+) 输出 10 Ripple 纹波电压 11 IN1 IN OUT1 输入 12 IN2 IN OUT2 输入 13 Pre-GND 信号接地 14 IN4 IN OUT4 输入 15 IN3 IN OUT3 输入 16 AC-GND 所有输入的共同基准电压 17 OUT3(+) OUT OUT3 (+) 输出 18 PW-GND3 OUT3 接地 19 OUT3(-) OUT OUT3 (-) 输出 20 V DD 1 V DD -IN 电源电压 1 21 OUT4(+) OUT OUT4 (+) 输出 22 Mute V mute IN 静音电压输入 23 OUT4(-) OUT OUT4 (-) 输出 24 PW-GND4 OUT4 接地 25 Offset Det V od -OUT 输出偏移 / 短路电压检测器输出 4

6 6. 外部元件规格 C2: 10 μf Ripple NC V DD2 V DD1 C5: 3900 μf C3: 0.1 μf +B 11 C1: 0.22 μf IN1 OUT1 (+) 9 8 PW-GND1 R L _amp C1: 0.22 μf 12 IN2 AC-GND OUT1 ( ) 7 OUT2 (+) 5 2 PW-GND2 R L _amp 13 Pre-GND AC-GND C1: 0.22 μf IN3 15 OUT2 ( ) 3 OUT3 (+) 17 C6: 1 μf 16 AC-GND AC-GND PW-GND3 18 OUT3 ( ) 19 R L _amp C1: 0.22 μf IN4 14 OUT4 (+) 21 5 V 24 PW-GND4 R L _amp Play Mute R1: 47 kω C4: 1 μf 4 Stby 22 Mute AC-GND Offset Det OUT4 ( ) 元件名称推荐值引脚目的低于推荐值效果 ( 注 1) 高于推荐值 C μf Inx (x: 1 to 4) 消除直流电流截止频率变高截止频率变低 C2 10 μf Ripple 减少纹波开启时间缩短开启时间延长 C3 0.1 μf V DD1, V DD2 提供足够的振荡余量减少噪音并提供足够的振荡余量 C6 1 μf AC-GND 所有输入的共同基准电压 C1:C6 = 1:4 时抑制 pop 噪声 ( 注 2) C μf V DD1, V DD2 纹波滤波器用于电源嗡嗡声和纹波的滤波器 R1 C4 47 kω 1 μf Mute 静音 ON / OFF 平稳切换 pop 噪声变大切换时间变长注 1: 使用非推荐值时, 请对其进行充分检查是否足以通过系统评估注 2: 由于 AC-GND 引脚是所有输入的共同基准电压, 因此本产品需要将输入电容 (C1) 和 AC-GND 电容 (C6) 的比率设为 1:4 注 3: 请为 C1 和 C6 配用低漏电流电容 5

7 7. 待机开关功能 ( 引脚 4) 电源可以通过引脚 4(Stby) 打开或关闭引脚 4 的阈值电压如下表所示在待机状态下, 电源电流约为 0.01μA( 典型值 ) 表 2 待机控制电压 (V SB ): 引脚 4 电源 ON OFF 4 10 kω 待机电源 V SB (V) ON OFF 0 ~ 0.8 OFF ON 2.2 ~ V DD 图 1 待机用内部电路待机开关的好处 (1) 可以直接通过微型控制器打开或关闭 V DD, 从而省去了一个开关继电器的必要性 (2) 由于控制电流很小, 可以使用低电流额定值的开关继电器大电流额定开关电池继电器电池 V DD V DD 接自微型控制器 - 常规方法 - 小电流额定开关电池接自微型控制器电池 Stby V DD Stby V DD - 使用待机开关图 2 待机开关 6

8 8. 静音功能 ( 引脚 22) 音频静音功能通过将引脚 22 设置为 Low( 低电平 ) 而进行启用 R 1 和 C 4 决定静音功能的时间常数时间常数会影响打开或关闭电源或静音功能时产生的 pop 噪声 ; 因此, 必须根据每种应用确定时间常数 ( 参见图 3 和图 4) 该引脚的外部元件 (R1,C4) 的值已根据 5 V 控制电压对其进行了设计如果通过 5 V 以外的电压进行控制, 请重新检查外部上拉电阻数值, 具体如下 : 例如 : 当控制电压从 5 V 变为 3.3 V 时, 上拉电阻应为 : 3.3 V/5 V 47 kω = 31 kω ATT V MUTE 5 V R 1 C kω 静音衰减 ATT (db) 控制电压 : V MUTE (V) 图 3 静音功能图 4 静音衰减 V MUTE (V) 7

9 9. 自动静音功能有两种自动静音功能 a) 低 V DD 静音 ( 自动静音功能 ) b) 待机关闭静音 9.1 低 V DD 静音当电源电压低于 5.5V( 典型值 ) 时, 自动启用静音电路该功能可以防止由低 V DD 产生的大的可听到的瞬态噪声 9.2 待机关闭静音在待机关闭转换期间启用静音电路当纹波电压达到 V DD /5 时, 终止待机关闭静音此外, 在待机关闭转换中, 建议打开外部静音, 直到内部静音关闭, 且外部静音关闭的时序必须在内部静音关闭后设置完成 V SB Stby 引脚 ( 引脚 4) 0 t V M 静音控制电压 0 t Mute 引脚 ( 引脚 22) V M 0 t V DD /4 V DD /5 Ripple 引脚 ( 引脚 10) 0 t V DD/ 2 出声时间 500 ms( 最大 )( 注 1) 最大 ) 输出引脚 0 注 1: 出声时间由于 C2 电容器的容量而被更改图 5 待机时序图 t 8

10 9.3 待机关闭后静音关闭当纹波输入和 AC-GND 的电容器尚未充满电时, 会产生 pop 噪声在中点电位稳定后, 考虑到足够的充电时间, 请设置有足够余量的静音关闭 V SB Stby 引脚 ( 引脚 4) 0 t V M 静音控制电压 0 t 静音引脚 ( 引脚 22) V M 0 t V DD /4 纹波引脚 ( 引脚 10) 0 t 输出引脚 V DD /2 0 t 图 6 待机关闭后静音关闭转换 9

11 10. 输出直流偏移检测该功能检测 OUT(+) 与 OUT( - ) 之间的偏移电压检测结果通过引脚 25 获得当外部部件事故 ( 例如耦合电容器漏电 ) 导致出现偏移电压时, 该功能有助于安全系统部分防止扬声器损坏流程图示例 : 可防止异常偏移对扩音器造成损害的安全系统 (a) 偏移检测 (b) 判断正常 / 异常 (c) 降低扩音器应力使待机 -ON 静音-ON 等检测结果不能判断是否出现异常偏移该功能仅检测由技术规格规定的偏移电压 10.1 输出偏移引脚操作说明引脚 25 的输出偏移电压检测结果通过与偏移电压同步的内部开漏晶体管获得该功能始终可用如果不使用该引脚, 连接到 GND 或开路 V ref 漏电或短路 R S1 V in(dc) 功率放大器集成电路 V ref 25 V 25 + ( 参考 ) 技术规格规定了偏移电压为 OUT(+)~ OUT(-) Rs1: 生成正偏置电压 Rs2: 生成负偏置电压 E. vol Vout(dc) RS2 Vos-det( 开 ) Vout(dc) > Vin(dc) 漏电或短路图 7 异常输出偏移电压产生示例异常偏移电压 +V os-det ( 开 ) 输出波形 0 OUT(+) ~ OUT(-) t -V os-det( 开 ) 偏移检测输出 V 25 当电压超过阈值时输出低电平 0 异常偏移电压时段图 8 放大器和引脚 25 输出波形 10

12 10.2 输出短路检测该功能可以检测输出引脚与 V DD / GND 短路或超过 23 V( 典型值 ) 的过电压施加到电源引脚 ( 参见图 9) 在负载短路的情况下,MOS 晶体管也将重复打开 / 关闭输出信号 ( 参见图 10) 此外, 设计上拉电阻时, 确保电流应不大于 Io = 500 μa I O V P 微型计算机输出短路 / 过电压检测器 25 V 输出引脚短路 / 过电压取消 V 输出短路取消 V 25 引脚 25 电压正常操作 V 25 引脚 25 电压正常操作 GND 输出短路检测 / 过电压检测 t GND 20 µs( 最小 ) 输出短路 t 图 9 输出短路检测 / 过电压检测图 10 输出对输出短路检测 10.3 层间短路检测可以适当连接到负载, 如 2-Ω 扩音器, 但是其中一个扩音器线路可能通过低阻抗路径短接到地可以检测到这种情况 V DD IC 出出 SP = 2 Ω GND 由于一些异常条件, 负 ( ) 扩音器连接通过低阻抗路径短接到地图 11 层间短路与输出直流偏移检测一样, 如上所述, 当其中一个扩音器线路短路时, 引脚 25 也被激活检测阻抗为 2.5Ω( 典型值 ) 该功能允许通过除扩音器阻抗之外的低阻抗路径来检测短路这有助于在异常系统条件下避免扩音器损坏, 并提高系统可靠性 11

13 11. 低电压操作采用相应的放大器电路以减少由于低 VDD 电压引起的可听见的 pop 噪声和断音 11.1 巡航工作描述当通过低 V DD 抑制净空电压时, 将输出中点电位从 V DD / 2 切换到 V DD / 4, 并减少可听见的 pop 噪声和断音输出 (Vout) 和纹波 (Vrip) 的情况如下图 12 所示 (A) V DD > Vth1 (B) V DD < Vth1 (C) V DD < Vth2 正常操作将中点电位从 V DD /2 切换到 Vrip, 以保持净空电压 C2( 纹波 ) 放电并静音, 放大器关闭各阈值电压如下 Vrip = 3 V( 纹波引脚电压 ) Vhr1 = 2.2 V( 典型值 ), Vhr2 = 1.7 V( 典型值 ) Vth1 = Vout + Vhr1 = 2Vrip + Vhr1,Vth2 = Vrip + Vhr2 图 12 降低 V DD 时的输出 V DD /2 12

14 12. 保护功能本产品具有内部保护电路, 例如热关断过压短接到 V DD 短接到 GND, 并输出短路保护 (1) 热关断在结温超过 150 C( 典型值 ) 时工作工作时按下列顺序启动保护程序 1. 首先输出开始衰减, 且衰减量也随温度上升而增加 2. 如果输出衰减无效, 当温度继续上升, 所有输出变为静音状态 3. 当所有输出均处于静音状态时, 但温度仍持续上升, 停机功能将启动在任何情况下, 如果温度下降, 将自动恢复到正常运行状态 (2) 过电压在超过工作范围的电压被施加到 V DD 引脚时工作如果电压下降, 将自动恢复到正常运行状态工作时, 所有输出偏置关闭, 所有输出被关断阈值电压为 21.5 V( 典型值 ) (3) 短接到 VDD 短接到 GND 输出 ~ 输出短路在每个输出引脚处于异常连接且负载线路超过功率晶体管 (DMOS)SOA( 安全工作区 ) 时工作工作时, 所有输出偏置电路关闭, 所有输出被关断如果取消异常连接, 将自动恢复到正常运行状态 13

15 13. 绝对最大额定值 (Ta = 25 C, 除非另有说明 ) 特性符号额定值单位条件电源电压 ( 浪涌 ) V DD ( 浪涌 ) 50 V 最大 0.2 s 电源电压 (DC) V DD (DC) 25 V 施加 1 分钟的最大电压放大器输出电流 ( 浪涌 ) Io( 峰值 ) 9 A 功率耗散 P D 125 W ( 注 1) 结温 Tj 150 C ( 注 2) 工作温度范围 Topr -40 ~ 85 C 存放温度 Tstg -55 ~ 150 C 引脚间电压差 V DD 1 ~ V DD 2 dv1-2 ±0.3 V Pre-GND ~ PW-GND dv_gnd ±0.3 V VDD1 和 VDD2 之间的允许电压差 Pre-GND 和 PW-GND 之间的允许电压差 V DD V DD 1,2 6 ~ 18 V RL = 4 Ω Stby Stby GND-0.3 ~ V DD V 静音 Mute GND-0.3 ~ V DD V 输入引脚电压 IN In1,2,3,4 GND-0.3 ~ V DD V ACGND ACG GND-0.3 ~ V DD V 纹波 Rip GND-0.3 ~ V DD V P25 Diag Diag GND-0.3 ~ V DD V 半导体器件的绝对最大额定值是一组指定参数值, 在运行过程中不得被超过, 即使是瞬间运行期间, 如果超出这些额定值中的任意一个, 设备电气特性会被改变而无法修复, 因而也再也无法保证设备的可靠性和使用寿命另外, 这些超过额定值的允许可能导致其他设备故障损坏和 / 或退化采用这种设备的应用在设计时要确保在所有操作条件下都不会超过各最大额定值使用创建和 / 或进行设计之前, 要参照并遵守本文件所述预防措施和条件注 1: 封装热阻 Rth(j-t) = 1 C/W( 典型值 )(Ta = 25 C, 无穷大散热片 ) 注 2: 当 TAB 温度大于绝对最大额定值时, 热关断系统 ( 静音 ) 工作阈值 TAB 温度为 160 C( 典型值 ) 阈值 TAB 温度被定义为金属侧表面的最高温度点关于散热设计, 在设计器件时要使热量得到适当耗散, 在任何时间和条件下不得超过规定结温 (Tj) 14

16 14. 功率耗散功率耗散 PD( 最大 ) (W) P D( 最大 ) Ta 120 (1) 无穷大散热片 R th(j-t) = 1 C/W 100 (2) 散热片 (R th(hs) = 3.5 C/W) R th(j-t) + R th(hs) = 4.5 C/W 80 (3) 无散热片 R th(j-a) = 39 C/W (1) (2) (3) 环境温度 Ta( C) 15. 操作范围特性符号条件最小值典型值最大值单位电源电压 V DD 6 18 V R L = 2 Ω 6 16 V 15

17 16. 电气特性 16.1 放大器 (V DD = 13.2 V,f = 1 khz,rl_amp = 4 Ω,Vsb/Vm = 5 V,Ta = 25, 除非另有说明 ) 特性符号测试条件最小值典型值最大值单位静态电源电流 I Q V IN = 0V ma P OUT MAX (1) V DD = 15.2 V, 最大功率 49 输出功率 P OUT MAX (2) V DD = 14.4 V, 最大功率 44 P OUT (1) V DD = 14.4 V,THD = 10% P OUT (2) THD = 10% W P OUT MAX (3) V DD = 14.4 V, 最大功率 80 输出功率 (R L = 2 Ω) P OUT (3) V DD = 14.4 V,THD = 10% 46 P OUT (4) THD = 10% 45 总谐波失真 THD P OUT = 5 W % 电压增益 G V V OUT = Vrms db 通道间电压增益 G V V OUT = Vrms db 输出噪声电压 V NO Rg = 0 Ω, DIN 音频 μv 纹波抑制比 R.R. f rip = 100 Hz, R g = 620 Ω V rip = Vrms db 串扰 C.T. R g = 620 Ω P OUT = 4 W 80 db 输出偏移电压 V OFFSET mv 输入电阻 R IN 100 kω 待机电流 I SB 待机,V4 = 0,V22 = μa 待机控制电压静音控制电压 V SB H 电源 :ON 2.2 V DD V SB L 电源 :OFF V M H 静音 :OFF 2.2 V DD V M L 静音 : ON, R 1 = 47 kω V V 静音衰减 ATT M 静音 :ON,DIN 音频 V OUT = 7.75 Vrms 静音 :OFF db 16.2 输出偏移电压检测 (V DD = 13.2 V,f = 1 khz,rl_amp = 4 Ω,Rpull-up = 10 kω,vsb/vref = 5 V,Ta = 25 C, 除非另有说明 ) 特性符号测试条件最小值典型值最大值单位输出偏移检测电源电压 V DD _offset1 Vsb = 5 V, Vref = 5 V 6 18 V 输出偏移检测电压 Vos1-det(on) Vsb = 5 V, Vo(+)-Vo(-) ±1.0 ±1.5 ±2.0 V 检测中的饱和电压 P25-sat Rpull-up = 10 kω, Vref = 5.0 V 检测中 ( 引脚 : 低电平 ) mv 输出偏移检测时间 Dtime 静态 ms 16

18 17. 测试电路 C2: 10 μf Ripple NC V DD2 V DD1 C5: 3900 μf C3: 0.1 μf +B 11 C1: 0.22 μf IN1 OUT1 (+) 9 8 PW-GND1 R L _amp C1: 0.22 μf 12 IN2 AC-GND OUT1 ( ) 7 OUT2 (+) 5 2 PW-GND2 R L _amp 13 Pre-GND AC-GND C1: 0.22 μf IN3 15 OUT2 ( ) 3 OUT3 (+) 17 C6: 1 μf 16 AC-GND AC-GND PW-GND3 18 OUT3 ( ) 19 R L _amp C1: 0.22 μf IN4 14 OUT4 (+) 21 5 V 24 PW-GND4 R L _amp Play Mute R1: 47 kω C4: 1 μf 4 Stby 22 Mute AC-GND Offset Det OUT4 ( )

19 18. 特性图 18.1 总谐波失真与输出功率 THD P OUT ( 通道 1) THD P OUT ( 通道 2) 总谐波失真 THD (%) V dd = 13.2 V G V = 26 db 滤波器 100 Hz : ~ 30 khz 1 khz :400 Hz ~ 30 khz 10 khz :400 Hz 或以上 20 khz :400 Hz 或以上 20 khz 10 khz 总谐波失真 THD (%) V dd = 13.2 V G V = 26 db 滤波器 100 Hz : ~ 30 khz 1 khz :400 Hz ~ 30 khz 10 khz :400 Hz 或以上 20 khz :400 Hz 或以上 20 khz 10 khz 100 Hz 100 Hz f = 1 khz f = 1 khz 输出功率 P OUT (W) 输出功率 P OUT (W) THD P OUT ( 通道 3) THD P OUT ( 通道 4) 总谐波失真 THD (%) V dd = 13.2 V G V = 26dB 滤波器 100 Hz : ~ 30 khz 1 khz :400 Hz ~ 30 khz 10 khz :400 Hz 或以上 20 khz :400 Hz 或以上 20 khz 10 k 总谐波失真 THD (%) V dd = 13.2 V G V = 26 db 滤波器 100 Hz : ~ 30 khz 1 khz :400 Hz ~ 30 khz 10 khz :400 Hz 或以上 20 khz :400 Hz 或以上 20 khz 10 khz 100 Hz 100 Hz f = 1 khz f = 1 khz 输出功率 P OUT (W) 输出功率 P OUT (W) 图 13-1 各频率总谐波失真 (R L = 4Ω) 18

20 THD P OUT ( 通道 1) THD P OUT ( 通道 2) 10 G V = 26 db f = 1 khz 滤波器 400 Hz ~ 0 khz 10 G V = 26 db f = 1 khz 滤波器 400 Hz ~ 30 khz 总谐波失真 THD (%) V 13.2 V 18 V 总谐波失真 THD (%) V 13.2 V 18 V 输出功率 P OUT (W) 输出功率 P OUT (W) THD P OUT ( 通道 3) THD P OUT ( 通道 4) G V = 26 db G V = 26 db f = 1 khz f = 1 khz 滤波器滤波器 Hz ~ 30 khz Hz ~ 30 khz 总谐波失真 THD (%) V 13.2 V 18 V 总谐波失真 THD (%) V 13.2 V 18 V 输出功率 P OUT (W) 输出功率 P OUT (W) 图 13-2 电源电压总谐波失真 (R L = 4Ω) 19

21 18.2 各种频率特性 THD f( 通道 1) THD f( 通道 2) 总谐波失真 THD (%) 6 V 18 V 13.2 V RL = 4 Ω POUT = 5 W 无滤波器总谐波失真 THD (%) 18 V 6 V 13.2 V P OUT = 5 W 无滤波器频率 f (khz) 频率 f (khz) THD f( 通道 3) THD f( 通道 4) 总谐波失真 THD (%) 13.2 V 6 V 6 V 18 V P OUT = 5 W 18 V 无滤波器总谐波失真 THD (%) 13.2 V P OUT = 5 W 无滤波器频率 f (khz) 频率 f (khz) 图 13-3 总谐波失真频率特性 20

775 Vrms (0 dbm) 周频率波 f 数 (khz) f (khz) 频率 f (khz) 图 13-4 电压增益和静音衰减频率特性 R.

22 G V f ATT MUTE f V DD = 13.2 V 电压增益 GV (db) 1~4 通道 V DD = 13.2 V 静音衰减 ATTMUTE (db) V OUT = 7.75 Vrms (20 dbm) 1~4 通道 V OUT = Vrms (0 dbm) 周频率波 f 数 (khz) f (khz) 频率 f (khz) 图 13-4 电压增益和静音衰减频率特性 R.R. f 纹波抑制比 R.R. (db) V DD = 13.2 V R G = 620 Ω Vrip = Vrms (0 dbm) G V = 26 db 通道 1 通道 3 通道 2 通道 4 频率 f (khz) 图 13-5 纹波抑制率频率特性 21

C.T. f ( 通道 1) C.T. f ( 通道 2) V DD = 13.2 V f = 1 khz V OUT = 0.775 Vrms (0 dbm) R G = 620 Ω V DD = 13.2 V RL = 4 Ω f = 1 khz VOUT = 0.775 Vrms (0 dbm) RG = 620 Ω 串扰 C.T. (db) 通道 2 通道 4 通道 3 串扰 C.T. (db) 通道 1 通道 4 通道 3 频率 f (khz) 频率 f (khz) C.

23 C.T. f ( 通道 1) C.T. f ( 通道 2) V DD = 13.2 V f = 1 khz V OUT = Vrms (0 dbm) R G = 620 Ω V DD = 13.2 V RL = 4 Ω f = 1 khz VOUT = Vrms (0 dbm) RG = 620 Ω 串扰 C.T. (db) 通道 2 通道 4 通道 3 串扰 C.T. (db) 通道 1 通道 4 通道 3 频率 f (khz) 频率 f (khz) C.T. f ( 通道 3) V DD = 13.2 V RL = 4 Ω f = 1 khz VOUT = Vrms (0 dbm) RG = 620 Ω C.T. f ( 通道 4) V DD = 13.2 V RL = 4 Ω f = 1 khz VOUT = Vrms (0 dbm) RG = 620 Ω 串扰 C.T. (db) 通道 1 通道 2 串扰 C.T. (db) 通道 4 通道 3 通道 2 通道 1 频率 f (khz) 频率 f (khz) 图 13-6 串扰频率特性 22

2 V 无滤波器输入信号电压 V IN (rms) (V) 输入信号电压 V IN (rms) (V) P OUT ( 通道 3) V IN P OUT ( 通道 4) V IN 输出功率 POUT (W) 10 khz f = 20 khz 1 khz 100

24 18.3 输出功率特性与输入电压的关系 P OUT ( 通道 1) V IN P OUT ( 通道 2) V IN 输出功率 POUT (W) 1 khz f = 20 khz 10 khz 100 Hz V DD = 13.2 V 无滤波器输出功率 POUT (W) 10 khz f = 20 khz 1 khz 100 Hz V DD = 13.2 V 无滤波器输入信号电压 V IN (rms) (V) 输入信号电压 V IN (rms) (V) P OUT ( 通道 3) V IN P OUT ( 通道 4) V IN 输出功率 POUT (W) 10 khz f = 20 khz 1 khz 100 Hz V DD = 13.2 V 无滤波器输出功率 POUT (W) 10 khz f = 20 khz 1 khz 100 Hz V DD = 13.2 V 无滤波器输入信号电压 V IN (rms) (V) 输入信号电压 V IN (rms) (V) 18.4 功率耗散与输出功率 P D P OUT () 功率耗散 PD (W) 6 V 18 V 13.2 V f = 1 khz 4ch drive 输出功率 P OUT/CH (W) 23

25 18.5 其他特性 V NO R g I CCQ V DD 输出噪声电压 VNO (μv) V DD = 13.2 V f = 1 khz 滤波器 ~ 20 khz 1~4 通道静态电流 ICCQ (ma) V IN = 0 V R L = 信号源电阻 R g (Ω) 电源电压 V DD (V) 24

26 19. 封装尺寸单位 :mm 重量 :7.7 g( 典型值 ) 25

27 20. 使用注意事项要采用适当的电源保险丝, 以在过电流和 / 或集成电路故障时不会有大电流持续流入在使用条件超过其绝对最大额定值接线不当或接线或负荷出现异常脉冲噪声时, 集成电路会完全损坏, 造成大电流持续流动, 故障还会产生冒烟或着火如果造成损坏, 为尽量降低大电流流入的影响, 需要进行适当的设置, 如保险丝容量熔断时间和插入电路位置如果涉及包含电感负载, 如电机线圈, 要在设计中并入保护电路, 以防设备在上电时因涌流或断电时因反电动势产生的负电流而造成故障或损坏关于如何连接保护电路 ( 如限流电阻器或反电动势吸收二极管 ) 的详细情况, 请参阅各集成电路数据表或集成电路数据手册集成电路损坏可能导致人身伤害冒烟或着火要使用带内置保护功能集成电路的稳定电源如果电源不稳定, 保护功能可能无法工作, 从而导致集成电路损坏集成电路损坏可能导致人身伤害冒烟或着火谨慎选择外部元件 ( 如输入和负反馈电容器 ) 和负载元件 ( 如扩音器 ), 例如, 功率放大器和稳压器如果存在大量漏电电流, 如输入或反馈电容器, 集成电路输出直流电压就会增加如果该输出电压连接至耐受电压的低输入扩音器, 则过电流或集成电路故障就会导致冒烟或着火 ( 过电流会导致集成电路本身冒烟或着火 ) 在使用桥接式负载 (BTL) 连接类型的集成电路 ( 向扩音器直接输入输出 DC 电压 ) 时, 要尤其注意过电流保护电路过电流保护电路 ( 称为限流器电路 ) 并不一定在所有情况下均保护集成电路如果过电流保护电路在过电流下工作, 要立即消除过电流状态取决于使用方法和使用条件, 如超过绝对最大额定值会导致过电流保护电路无法正常工作或集成电路损坏此外, 取决于使用方法和使用条件, 如果过电流在运行之后持续长时间流动, 则集成电路可能会发热, 从而造成损坏热关断电路热关断电路并不一定在所有情况下均保护集成电路如果热关断电路在过热条件下工作, 则要立即消除发热状态取决于使用方法和使用条件, 如超过绝对最大额定值会导致热关断电路无法正常工作或集成电路损坏散热设计使用大电流集成电路时 ( 如功率放大器稳压器或驱动器 ), 要设计在任何时间和条件下都不超过规定结温 (Tj) 的适当散热装置即使在正常使用期间, 这些集成电路也会发热集成电路散热设计不当会导致集成电路寿命缩短集成电路特性退化或集成电路损坏此外, 设备的设计要充分考虑集成电路热辐射对外围元件的影响安装散热片要将电源集成电路安装在不会对集成电路施加过大机械应力的散热片上机械应力过大会导致封装破裂, 从而降低可靠性或损坏内部集成电路芯片此外, 根据集成电路情况, 可能会禁用硅胶在打算使用集成电路时, 要检查是否禁用硅胶关于电源集成电路散热设计和散热片安装的详细情况, 请参阅各技术数据表或集成电路数据手册 26

28 RESTRICTIONS ON PRODUCT USE Toshiba Corporation, and its subsidiaries and affiliates (collectively "TOSHIBA"), reserve the right to make changes to the information in this document, and related hardware, software and systems (collectively "Product") without notice. This document and any information herein may not be reproduced without prior written permission from TOSHIBA. Even with TOSHIBA's written permission, reproduction is permissible only if reproduction is without alteration/omission. Though TOSHIBA works continually to improve Product's quality and reliability, Product can malfunction or fail. Customers are responsible for complying with safety standards and for providing adequate designs and safeguards for their hardware, software and systems which minimize risk and avoid situations in which a malfunction or failure of Product could cause loss of human life, bodily injury or damage to property, including data loss or corruption. 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Please use Product in compliance with all applicable laws and regulations that regulate the inclusion or use of controlled substances, including without limitation, the EU RoHS Directive. TOSHIBA ASSUMES NO LIABILITY FOR DAMAGES OR LOSSES OCCURRING AS A RESULT OF NONCOMPLIANCE WITH APPLICABLE LAWS AND REGULATIONS. 27

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Microsoft Word - Atmel-45136A-Pick-Best-Microcontroller-Strom-Eiland-Flodell_Article_CS 如何为您的下一款设计选出最好的 8 位或 32 位微控制器作者 : Atmel 产品营销高级总监 Oyvind Strom Atmel 产品营销总监 Andreas Eieland Atmel 研发工具部门高级产品营销经理 Henrik Flodell 不久之前, 嵌入式系统还是既昂贵