权利要求书 1/1 页 1. 一种 SERS 活性基底, 所述 SERS 活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构, 所述贵金属材料为银和 / 或金 2. 如权利要求 1 所述的 SERS 活性基底, 其特征在于, 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 纳米锥体根部直径约为 nm,

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1 (19) 中华人民共和国国家知识产权局 (21) 申请号 (12) 发明专利申请 *CN A* (10) 申请公布号 CN A (43) 申请公布日 (22) 申请日 (71) 申请人中国科学院上海硅酸盐研究所地址 上海市长宁区定西路 1295 号申请人日本名古屋工业大学 (72) 发明人杨勇黄政仁野上政行钟村荣 (74) 专利代理机构上海专利商标事务所有限公司 代理人郭辉 (51)Int.Cl. B32B 15/04 ( ) G01N 21/65 ( ) 权利要求书 1 页 1 页 5 5 页附图 2 页 (54) 发明名称用于检测毒品的高灵敏度 SERS 传感器活性基底及其制备方法 (57) 摘要本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域, 具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度 SERS 传感器活性基底及其制备方法 本发明提供一种 SERS 活性基底, 所述 SERS 活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构, 所述贵金属材料为银和 / 或金 本发明还提供一种采用氩离子冲击方法制备所述 SERS 活性基底的方法 本发明所述高灵敏度 SERS 传感器活性基底具有表面增强拉曼活性, 重复率高的, 可用于痕量化合物如毒品 爆炸物等探测 CN A

2 权利要求书 1/1 页 1. 一种 SERS 活性基底, 所述 SERS 活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构, 所述贵金属材料为银和 / 或金 2. 如权利要求 1 所述的 SERS 活性基底, 其特征在于, 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 纳米锥体根部直径约为 nm, 锥体针尖直径为 10-20nm, 纳米锥体长度为 nm 3. 如权利要求 1 所述的 SERS 活性基底, 其特征在于, 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 纳米锥体之间的间距为 nm 4. 如权利要求 1 所述的 SERS 活性基底, 其特征在于, 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 顶椎角为 度, 锥体的中轴线与基底之间的角度为 0-90 度 5. 一种采用氩离子冲击方法制备权利要求 1-4 任一项所述 SERS 活性基底的方法, 所述方法包括以下步骤 : (1) 基片上形成贵金属膜层 ; (2) 贵金属膜层上 诱导 形成碳膜层 ; (3) 对覆盖碳膜层的贵金属膜层进行氩离子冲击 ; (4) 清洗去掉多余碳膜层 6. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 步骤 1 中采用的基片选自硅片 玻璃 钢铁 和 / 或塑料 7. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 所述贵金属 Au 和 / 或 Ag 8. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 所述贵金属膜层的厚度为 100nm 到 1000nm 9. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上 10. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 步骤 2 中, 所述碳膜层厚度为 nm, 优选约为 100nm 11. 如权利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 步骤 3 通过装备有超高真空和考夫曼 (Kaufman) 型离子枪的离子束系统来进行 2

3 1/5 页 用于检测毒品的高灵敏度 SERS 传感器活性基底及其制备 方法 技术领域 [0001] 本发明属于激光拉曼光谱和痕量毒品检测技术领域, 具体涉及一种用于检测毒品的高灵敏度 SERS 传感器活性基底及其制备方法 ; 更具体地说, 本发明涉及一种具有表面增强拉曼活性, 重复率高的, 可用于痕量化合物如毒品 爆炸物等探测的高灵敏度 SERS 传感器活性基底及其制备方法 背景技术 [0002] 作为分析分子振动光谱的常用方法, 激光拉曼技术已经被广泛应用于鉴别物质的分子结构 分析表面结合状态等领域 然而拉曼效应信号往往非常弱, 当被测分子的浓度较小, 或对表面吸附物质进行探测时, 常规激光拉曼方法就显得力不从心 表面增强拉曼散射 (SERS) 效应能够使吸附在粗糙金属基底表面的分子拉曼散射信号得到极大增强, 因此被作为一种高灵敏度的表面分析探测技术, 在痕量分析和定性检测 表面科学 生物科学等领域得到了广泛研究 [0003] 理想的 SERS 活性基底应具有制备方法简单易行, 表面粗糙度均匀 增强效果好 重复性好等特点 常用的制备 SERS 基底的方法 : 一是利用化学或电化学方法使金属电极表面粗糙化, 得到具有高比表面积的粗糙表面 ; 另一种方法是制备具有纳米尺度的金属溶胶, 将负载有金属溶胶颗粒的基片作为增强基底 目前应用最多的增强基底是银或金的溶胶颗粒, 具有较强的 SERS 效应, 但是信号重现性和稳定性差, 不易存放 鉴于此, 开发出一种同时具备简单易行 表面粗糙度均匀 增强效果好, 并有足够的稳定性和重复性的活性 SERS 基底很有必要, 这在拓宽 SERS 在痕量分定性检测和单分子体系光谱等方面的应用具有重要的意义 [0004] 基于激光拉曼光谱发的爆炸物毒品探测仪器, 其核心在于 SERS 传感器的研制和开发 ; 而 SERS 传感器的关键技术在于探测头上高灵敏度 SERS 活性基底的性能 该活性基底的好坏, 可以导致探测浓度级别的差异甚至在 倍以上, 将极大的影响毒品探测系统的探测灵敏度和性能 现今报道的活性基底 SERS 增强因子基本上都在 10 6 级别, 用于超敏探测痕量毒品还有一定困难 比如国家十一五科技支撑计划就要求对体液或尿液中毒品如氯胺酮 K 粉等最低检测限要达到 100ng/ml, 大致在 100ppb 级别 这一高灵敏度传感器活性基底将对提高爆炸物毒品 SERS 探测仪灵敏度具有极大意义 发明内容 [0005] 本发明的目的是通过对贵金属材料表面纳米结构进行设计, 以提供一种高灵敏度 SERS 传感器活性基底, 从而解决现有技术中存在的上述问题, 用本发明的这种高灵敏度 SERS 传感器活性基底应具有极高的 SERS 增强和灵敏度 附着性好 体积小 便携性好 [0006] 本发明一方面提供一种 SERS 活性基底, 所述 SERS 活性基底是涂覆在基片上的贵金属纳米锥体阵列结构, 所述贵金属材料为银和 / 或金 在一个实施方式中, 在所述贵金 3

4 2/5 页 属纳米锥体阵列结构中, 纳米锥体根部直径约为 nm, 锥体针尖直径为 10-20nm, 纳米锥体长度为 nm 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 纳米锥体之间的间距为 nm 在所述贵金属纳米锥体阵列结构中, 顶椎角为 度, 锥体的中轴线与基底之间的角度为 0-90 度 [0007] 本发明另一方面提供一种采用氩离子冲击方法制备本发明所述 SERS 活性基底的方法, 所述方法包括以下步骤 : [0008] (1) 基片上形成贵金属膜层 ; [0009] (2) 贵金属膜层上 诱导 形成碳膜层 ; [0010] (3) 对覆盖碳膜层的贵金属膜层进行氩离子冲击 ; [0011] (4) 清洗去掉多余碳膜层 [0012] 在本发明一个实施方式中, 步骤 1 中采用的基片选自硅片 玻璃 钢铁 和 / 或塑料 所述贵金属 Au 和 / 或 Ag 所述贵金属膜层的厚度为 100nm 到 1000nm 所述贵金属膜层采用磁控溅射或金属蒸镀形成在基片上 [0013] 在本发明一个实施方式中, 步骤 2 中的所述碳膜层厚度为 nm, 优选约为 100nm 在本发明一个实施方式中, 步骤 3 通过装备有超高真空和考夫曼 (Kaufman) 型离子枪的离子束系统来进行 [0014] 在上述方法中, 步骤 2 首先在贵金属膜层 ( 例如银膜 ) 表面沉积一层碳膜, 作为 模板 诱导形成锥体纳米结构, 所述碳层厚度优选为 100nm 左右 [0015] 在上述方法中, 步骤 3 是通过装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统来制备 600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 150 ~ 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向来调节 室内基础真空度为 ~ Pa, 工作真空为 ~ Pa 室温下氩离子冲击持续约 4-20 分钟 [0016] 在上述方法步骤 4 中, 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉 [0017] 本发明提供的制备方法成本较低, 操作控制简便 用本发明得到的表面增强拉曼散射金属基底具有增强效果显著, 可重复性高, 基底稳定性好等特点 本发明制备的 SERS 可以探测到浓度低至 M 的 R6G( 罗丹明 6G) 分子和 100ppb 级别的氯胺酮 (Katamine, 即 K 粉 ) 分子, 增强因子可达 数量级, 这充分证明运用本方法制备的活性基底对探测分子进行 SERS 光谱检测有极高的灵敏性, 可用于痕量化合物如毒品 爆炸物等探测的高灵敏度 SERS 传感器, 在痕量分析 定性检测甚至单分子探测等方面具有极大的应用潜力 附图说明 [0018] 图 1 是本发明的 SERS 活性基底贵金属纳米锥体阵列结构的高放大倍数电子扫描显微镜 (SEM) 形貌照片 [0019] 图 2 是本发明的以罗丹明 6G 为探针分子, 以不同长度的纳米锥体阵列结构为增强基底的表面增强拉曼散射谱图 谱线从下到上依次为 :(A)0.1M R6G 吸附在硅基底的拉曼光谱,(B)10nM R6G 吸附在银膜的拉曼光谱 ; 以及 10nM R6G 吸附在银膜厚度为 (C)200 (D)300 (E)400 (F)500nm 改性的银基底的拉曼光谱 激发光为 532nm, 激发时间为 3s [0020] 图 3 是本发明的以不同浓度的罗丹明 6G 为探针分子, 以纳米锥体阵列结构为增 4

5 3/5 页 强基底的表面增强拉曼散射谱图 谱线从下到上依次为 :(A)10nM R6G 吸附在银膜的拉曼光谱 ; 以及厚度 500nm 的银膜改性后的基底吸附浓度分别为 (B)0.001nM,20s ;(C)0.01nM ; (D)0.1nM ;(E)1nM ;(F)10nM 的 R6G 的拉曼光谱 未特殊说明激发条件为 532nm, 激发时间为 3s [0021] 图 4 是本发明的以不同浓度的氯胺酮溶液为试验毒品试剂, 以纳米锥体阵列结构为增强基底的表面增强拉曼散射谱图 谱线从下到上依次为 :(A)0.1M 氯胺酮吸附在银膜的拉曼光谱 ; 以及 182ppb 氯胺酮吸附在银膜厚度为 (B)200 (C)300 (D)400 (E)500nm 改性的银基底的拉曼光谱 激发光为 633nm, 激发时间为 3s 具体实施方式 [0022] 下面通过实施例和对比例对本发明的技术方案做进一步说明 : [0023] 本发明利用独有的氩离子冲击技术对基片上的贵金属膜层进行冲击改性, 得到具有圆锥状的纳米结构阵列 首先在基片上采用物理方法如磁控溅射方法制备贵金属 Au Ag 膜层, 然后在 模板 导引和氩离子冲击作用下, 形成各种贵金属纳米锥体阵列结构 通过改变贵金属膜层厚度可以调节纳米结构的长度等参数 ; 通过改变氩离子冲击角度和时间可以调节纳米锥体中轴与基底面的角度 以及针顶角 这种方法的好处是可以在很多基底如硅片 玻璃 钢铁 甚至塑料等上面制备相应的纳米结构 ; 而且纳米锥体可以和基底成任何角度 ( 从 0 度到垂直于基底面 ) 纳米锥体结构的各种参数, 如锥体长度 锥低直径 锥顶角等都可以很好的控制和调配 这种结构增大了电磁波在金属基体上的局域化, 使吸附分子的拉曼信号得到共振增强, 得到良好的表面增强效果 当使用 R6G 作为探针分子时, 在银纳米锥体阵列结构得到最强的 SERS 信号, 增强因子约 [0024] 在以下实施例和对比例中, 用探测到的极微浓度的 R6G 分子的拉曼信号强度作为评判 SERS 活性基底灵敏度的参数 ; 信号越强, 说明灵敏度越高 在常温常压下, 把参考样品和银纳米锥体阵列分别浸入不同浓度的 R6G 溶液,20 分钟之后取出 ; 并用乙醇清洗掉表面多余层, 置于空气中干燥 [0025] 在室温下采用 532nm 激光进行激发, 激发光光斑直径为 2-4um, 能量 2mW ; 拉曼信号收集时间均为 1 秒 在表 1 中列出了测试结果 [0026] 本发明提出的具有表面拉曼散射活性的 SERS 活性银基底的制备方法包括以下步骤 : [0027] (1) 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3 型 ) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 银膜厚度可以通过调节溅射时间控制在 100nm 到 1000nm [0028] (2) 在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为 诱导模板 诱导形成锥体纳米结构, 其厚度控制在 100nm 左右 [0029] (3) 将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统 其中,600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向来调节 室内基础真空度为 Pa, 工作真空为 Pa 室温下氩离子冲击持续约 4-20 分钟 [0030] (4) 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉, 得到银纳米锥体阵 5

6 4/5 页 列结构作为 SERS 活性基底 [0031] 实施例 1 [0032] (1) 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 溅射时间 200s, 银膜厚度为 200nm [0033] (2) 在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为 诱导模板 诱导形成锥体纳米结构, 其厚度控制在 100nm 左右 [0034] (3) 将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统 其中,600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为 45 度 室内基础真空度为 Pa, 工作真空为 Pa 室温下氩离子冲击持续约 4 分钟 [0035] (4) 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉, 得到银纳米锥体阵列结构作为 SERS 活性基底 [0036] 实施例 2 [0037] (1) 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 溅射时间 300s, 银膜厚度为 300nm [0038] (2) 在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为 诱导模板 诱导形成锥体纳米结构, 其厚度控制在 100nm 左右 [0039] (3) 将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统 其中,600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为 45 度 室内基础真空度为 Pa, 工作真空为 Pa 室温下氩离子冲击持续约 5 分钟 [0040] (4) 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉, 得到银纳米锥体阵列结构作为 SERS 活性基底 [0041] 实施例 3 [0042] (1) 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 溅射时间 400s, 银膜厚度为 400nm [0043] (2) 在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为 诱导模板 诱导形成锥体纳米结构, 其厚度控制在 100nm 左右 [0044] (3) 将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统 其中,600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为 45 度 室内基础真空度为 Pa, 工作真空为 Pa 室温下氩离子冲击持续约 6 分钟 [0045] (4) 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉, 得到银纳米锥体阵列结构作为 SERS 活性基底 [0046] 实施例 4 [0047] (1) 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶 6

7 5/5 页 在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 溅射时间 500s, 银膜厚度为 500nm [0048] (2) 在银膜层上蒸镀一层碳膜层作为 诱导模板 诱导形成锥体纳米结构, 其厚度控制在 100nm 左右 [0049] (3) 将上述镀有银膜和碳膜的基片放入装备有超高真空和考夫曼型离子枪的离子束系统 其中,600eV 氩离子束聚焦成一个 380um 直径的微束, 其平均离子电流密度为 220uA/cm 2 离子束和样品表面夹角可以通过改变氩离子枪方向调节为 45 度 室内基础真空度为 Pa, 工作真空为 Pa 室温下氩离子冲击持续约 8 分钟 [0050] (4) 在冲击完成后, 残留的碳层可以通过酒精超声清洗清除掉, 得到银纳米锥体阵列结构作为 SERS 活性基底 [0051] 对比例 1 [0052] 为了和现阶段广泛采用的银 SERS 基底作对比, 我们制备了银膜 SERS 基底并测试了其 SERS 性能, 结果见表 1 [0053] 采用磁控溅射 (ULVAC,MPS-2000-HC3) 在基片上面镀银膜,99.99% 高纯银靶在高纯 (99.995% ) 氩气中溅射 基片在溅射前在乙醇中超声清洗 15 分钟, 工作真空度为 Pa, 溅射时间 500s, 银膜厚度为 500nm [0054] 下表 1 中各实施例和对比例涂层的探测 R6G 氯胺酮浓度极限和拉曼增强因子的测试数据说明, 无论单一性能上, 还是综合性能上, 本发明的 SERS 活性基底都明显地优于对比例的银膜基底 [0055] 表 1 : 各实施例和对比例涂层的探测 R6G 氯胺酮浓度极限和拉曼增强因子的测试数据 [0056] [0057] 实施例表明 : 银膜厚度越高 氩离子冲击镀有银膜和碳膜的基片的持续时间越长, 则探测 R6G 浓度极限和探测 K 粉浓度极限也越小, 即传感器活性基底的灵敏度越高 7

8 附图 1/2 页 图 1 图 2 8

9 附图 2/2 页 图 3 图 4 9

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