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3 致用户 中国振华集团永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 始建于 1966 年, 隶属于中电振华集团公司, 生产 中光 牌半导体器件有四十多年的历史 是研制和生产半导体器件的专业工厂, 是军工产品定点生产厂, 国家二级企业, 贵州省重点高新技术企业 公司本部位于贵州省贵阳市国家级高新技术产业开发区, 占地面积 平方米, 现有在岗员工 900 余人 主要产品有 : 军用高可靠硅二极管 三极管 ; 集成电压调整器和过压保护器 ; 表面安装 陶瓷表贴二极管 三极管 ; 集成稳压器 MOS 场效应晶体管 发光二极管 LED 平面显示器件等系列产品, 年生产能力约 15 亿只 公司拥有完善的质量保证体系 硅开关整流二极管生产线 硅电压调整二极管生产线 瞬变电压抑制二极管生产线 硅电压基准二极管和功率晶体管生产线通过了国军标认证, 拥有专利 64 项 ( 其中含发明专利 15 项 ) 截止 2015 年底已有 432 个品种列入了 QPL 表 工厂所有军工生产线均通过了武器装备质量体系 GJB9001B-2009 审查, 包括半导体分立器件 集成稳压器在内的所有民用产品也取得了 ISO9001:2008 质量管理体系认证书, 而且已按照 GB/T idt ISO 14001:2004 标准建立并实施了环境管理体系 公司具有独立设计 研制 开发 生产半导体器件的能力以及各种半导体器件测试和可靠性试验及分析和零部件设计加工的能力, 每年都承担着国家多项重点工程的半导体器件研制和生产配套任务 所研制的部分产品填补了国内空白, 多次受国家有关部门嘉奖 公司依托 高新二期 技术改造项目, 对厂房进行了改造, 并对生产线设备进行了更新, 目前生产线水平已达国内先进水平 中光 牌半导体器件以其性能优异 质量可靠 使用方便 服务周全在国内外用户中一直享有良好声誉 产品广泛用于航天 航空 船舶 兵器 电子等国防重点工程和通讯 计算机 家用电器 电动玩具 节能照明 车用电子等民用领域, 不少产品已开始出口欧美进入国际市场 公司一贯坚持 科学规范 诚信建业 的质量方针, 最大程度满足用户要求 我们愿以高新的技术, 可靠的产品, 优质的服务竭诚欢迎您选用 中光 牌半导体器件 中光器件一旦进入您的整机, 定将为您的产品增添光彩 本手册收录了公司研制生产的部份已定型产品的技术资料, 供用户在订购和使用产品时参考 工厂具有较强的新产品研制开发能力, 用户如有特殊要求的产品, 工厂可为用户专门研制, 以满足用户需要 本手册中增加了我厂产品质量等级与 GJB/Z 299C-2006 电子设备可靠性预计手册 中质量等级的对应关系表 ( 见附表 ) 手册中所列产品技术数据, 随着产品的改进, 可能会有所变化, 届时恕不另行通知 因此本手册不作为产品验收依据, 产品验收请按订货合同和相关产品详细规范或技术协议执行, 敬请用户理解

4 附表 产品质量等级对应关系表 质量等级 质量要求说明 质量要求补充说明 A A1 符合 GJB33A, 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 JY 级产品 - A2 符合 GJB33A, 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 JCT 级产品 符合 GJB , 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 GCT 级产品 A3 符合 GJB33A, 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 JT 级产品 符合 GJB , 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 GT 级产品 A4 符合 GJB , 且列入军用电子元器 符合 GJB33A, 且列入军用电子元器件合格产品目录 (QPL) 的 JP 级产品 件合格产品目录 (QPL) 的 GP 级产品按 QZJ840611A 七专 技术条件组织生产的产品 A5 符合 GB/T , 且经中国电子元器按 QZJ QZJ 七专 技术件质量认证委员会认证合格的 Ⅱ 类产品条件组织生产的产品符合 GB/T Ⅲ 类的产品 B B1 按军用标准的筛选要求进行筛选的按 七九 O 五 七专质量控制技术协议 B2 质量等级的产品组织生产的产品符合 GB/T 的 Ⅱ 类产品 B2 符合 GB/T 的 Ⅰ 类产品 符合 *SJ614 的产品 C 低档产品

5 目 录 文字符号 1 半导体器件使用注意事项 5 整流二极管 序号型号 I O (A) V RWM (V) 外形页次 1 2CZ ~2000 D2-10A CZ ~400 YD2-10C CZ ~600 YD2-10E CZ103S(BZ1S) 1 200~600 SMD BZ2S 2 200~600 SMD CZ101S(BZ03S) ~600 SMD CZ102S(BZ05S) ~600 SMD CZ32S(BZ15S) ~600 SMD BZ3S 3 200~600 SMD BZ4S 4 200~600 SMD CZ117S(BZ5S) 5 200~600 SMD 快恢复整流二极管 序号型号 I O (A) V RWM (V) t rr (s) 外形页次 1 1N5802 1N5804 1N ~150 25n D2-10A CZ ~ n D2-10A CZ ~ n D2-10A CZ ~600 35n~50n D2-10A CZ106S(BZG1S) 1 200~600 3μ SMD BZG2S 2 200~600 1μ SMD CZ104S (BZG03S) 2CZ105S (BZG05S) ~600 2μ SMD ~600 2μ SMD

6 快恢复整流二极管 ( 续 ) 序号 型 号 I O (A) V RWM (V) t rr (s) 外形 页次 9 2CN3S(BZU1S) 1 200~600 2μ SMD CN4S(BZU15S) ~600 1μ SMD BZG3S 3 200~600 1μ SMD BZG4S 4 200~600 1μ SMD BZG5S 5 200~600 1μ SMD CZ ~ n~400 n A BZK5 5 50~ μ A CL ~0.8 2K~10K 60n YD2-10B CL ~0.4 2K~10K 30n YD2-10L 67 电压调整二极管 序号 型 号 P tot (W) V Z (V) 外形 页次 1 2CW ~11.7 仿 D2-10A 69 2 BWB2V4S~BWB110S ~119 SMD BWC100S~BWC121S 1 1.0~40 SMD 低结电容瞬态电压抑制二极管 序号 型 号 1 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A) (SY340(A) S ~ SY386(A) S) 2 LC6.5(A)~LC170(A) (SY387(A) ~SY429(A) 3 LC3KP6.5A~LC3KP28A (SY430A~SY449A) P PP (W) V(BR) (V) 外形 页次 ~255.8 SMD ~231 D2-09A (DO-13) ~34.4 YD2-16B 88 瞬态电压抑制二极管应用指南 91 稳压二极管测试筛选方法 110 正向压降 反向漏电流测试方法原理介绍 116 2

7 文字符号 一 通用文字符号 T A T C T L T ref T j T jm T stg T op R th Z (th)t R (th)j- R (th)j-c C j C cse C tot R L t p t w D 环境温度管壳温度引线温度基准温度工作结温最高结温贮存温度工作温度热阻瞬态热阻抗结到环境的热阻结到管壳的热阻结电容管壳电容总电容负载电阻脉冲时间脉冲宽度占空比 二 整流 开关二极管文字符号 V F V R V FM V F(AV) V RWM V RRM V RSM V (BR) I F I FSM I O I R I F(AV) I R(AV) P F 正向直流电压反向直流电压正向峰值电压正向平均电压反向工作峰值电压反向重复峰值电压反向不重复峰值电压击穿电压正向直流电流正向不重复浪涌电流整流输出平均电流反向直流电流正向平均电流反向平均电流正向耗散功率 1

8 P R P M t rr f M 反向耗散功率最大耗散功率反向恢复时间最高工作频率 三 电压调整 电压基准 瞬态电压抑制二极管文字符号 V F 正向电压 V Z 工作电压 V R 低于工作电压范围的反向直流电压 V Zmx 最大工作电压 V Zmin 最小工作电压 ΔV Z 在工作电压范围内的电压变化量 V Z(reg) 电压调整 V (BR) 击穿电压 V RWM 最大反向工作电压 V C 箝位电压 V n 噪声电压 I F 正向电流 I Z 在工作电压范围内的工作电流 I ZT 规定工作电压的测试电流 I ZO 规定工作电压温度系数的工作电流 I R 电压低于工作电压范围的反向直流电流 I ZK 拐点电流 I ZM 在工作电压范围内的最大工作电流 I ZSM 浪涌电流 I P 峰值电流 P tot 总耗散功率 P PP 脉冲峰值功率 r z 在工作电压范围内的微分电阻 r zk 在拐点电流下的微分电阻 α VZ 工作电压温度系数 α V(BR) 击穿电压温度系数 β tv 长时间稳定性 四 双极型晶体管文字符号 V CB 集电极 基极电压 V CE 集电极 发射极电压 V BE 基极 发射极电压 V CBO I E =0 时的集电极 基极电压 V EBO I C =0 时的发射极 基极电压 V CEO I B =0 时的集电极 发射极电压 V CER R BE 为规定电阻时的集电极 发射极电压 2

9 V CES V CEX V (BR)CBO V (BR)EBO V (BR)CEO V( BR)CER V (BR)CEX V (BR)CES V CE(st) V BE(st) V BE(on) V CEO(sus) V CER(sus) V CC V BB V EE I C I CM I B I BM I E I CBO I CEO I CER I CES I CEX I EBO P tot P C P CM h FE f T f mx f op N F t d V BE =0 时的集电极 发射极电压 V BE 为规定反向偏置时的集电极 发射极电压 I E =0 时的集电极 基极击穿电压 I C =0 时的发射极 基极击穿电压 I B =0 时的集电极 发射极击穿电压 R BE 为规定电阻时的集电极 发射极击穿电压 V BE 为规定反向偏置时的集电极 发射极电压 V BE =0 时的集电极 发射极击穿电压集电极 发射极饱和电压基极 发射极饱和电压基极 发射极开通电压 I B =0 时的集电极 发射极维持电压 R BE 为规定电阻时的集电极 发射极维持电压集电极电源电压基极电源电压发射极电源电压集电极直流电流集电极峰值电流基极直流电流基极峰值电流发射极电流 I E =0 时的集电极 基极截止电流 I B =0 时的集电极 发射极截止电流 R BE 为规定电阻时的集电极 发射极截止电流 V BE =0 时的集电极 发射极截止电流 V BE 为规定反向偏置时的集电极 发射极截止电流 I C =0 时的发射极 基极截止电流总耗散功率集电极耗散功率集电极最大允许耗散功率共发射极正向电流传输比特征频率最高振荡频率工作频率噪声系数延迟时间 3

10 t r t s t f t on t off R BE C OB 上升时间存储时间下降时间开通时间关断时间基极发射极外接电阻共基极输出电容 五 集成稳压器 过压保护器文字符号 V REF V i V 0 V i - V 0 V TK V FK I 0 I 0mx I 0min I ADJ I ADJ I 0pp I D I D I REF 基准电压输入电压输出电压输入 - 输出电压差阈值电压通态压降输出电流最大负载电流最小负载电流调整端电流调整端电流变化输出峰值电流静态电流静态电流变化基准电流 I S 切断能力 ( 电流 ) P DM P D S V S i S rip R L C i C 0 t DK 最大功率耗散功率电压调整率电流调整率纹波抑制比负载电阻输入电容输出电容开通时间 4

11 半导体器件使用注意事项 半导体器件的可靠性, 不仅决定于器件本身的固有可靠性因素, 而且取决于用户所选择的电路条件 装配操作 使用环境等各种因素 因此, 为了提高半导体器件的可靠性, 做到合理使用, 有必要对各种因素的注意事项予以考虑 关于半导体器件使用注意事项, 大致可以分为以下几个方面 : 一 对半导体器件的选择 ; 二 装配和焊接操作时的注意事项 ; 三 在贮存 运输等方面的注意事项 ; 四 测试器件时的注意事项 一 对半导体器件的选择为了合理使用器件, 首先必须考虑器件的最大额定值 降额因子及封装形式 1 不能超过器件的最大额定值器件的最大额定值是指对器件能够安全使用的工作条件和环境条件的极限值 器件使用时, 无论条件怎样恶劣, 都不允许超过或瞬时超过规定的极限值 只有在此规定值以下使用, 才能保证充分发挥器件的功能, 使其可靠地工作, 否则就有可能使器件性能损坏或使参数退化, 寿命大大缩短 因此, 电路设计者在选择器件时, 应充分考虑到在初期和整个工作寿命期, 外界条件发生的任何变化 ( 如电流电压变化 设备元件变化 电路控制调整 负载变化 信号变化 环境条件变化等 ), 都不会超过器件所允许的最大额定值 此外, 还要注意到器件最大额定值的各参数之间是相互联系的, 在设计或使用时必须兼顾考虑 例如, 对于晶体管, 其最大工作电流和反向工作电压受晶体管最大耗散功率以及安全工作区的限制, 如果是脉冲工作状态, 则还应考虑电流 电压的瞬时峰值不应超过允许值 2 降额使用半导体器件的电流和功率额定值与器件所处的热环境密切相关 器件的结温越高, 运行的失效风险会越大 为了有利于提高器件工作的可靠性, 应考虑对器件的最大额定参数进行降额使用或者选用最大额定值参数更高的器件 二极管 三极管的典型降额使用范围见表 1( 仅供用户参考 ) 5

12 表 1 降额因子 二极管 三极管 温度 结温 <110 <110 环境温度 0~45 0~45 电压 耐压 <0.8 反向工作电压或 <0.5 反向工作电压 <0.8 反向击穿电压 平均电流 <0.5 I O 或 <0.25 I O <0.5 I c 电流 峰值电流 <0.8 i F <0.8 i c 瞬时电流 小于浪涌电流 小于最大允许峰值电流 功耗 平均功耗 <0.5 P tot <0.5 P tot 安全工作区不能超过器件的安全工作区 3 正确选择封装形式半导体器件的封装多种多样 从结构形式分, 有气密封装和实体封装 气密封装是指封装腔体内在管芯周围有一定气氛的空间并与外界相隔离 ; 实体封装则指管芯周围与封装腔体形成整个实体 从封装材料上分, 则有金属封装 陶瓷封装 玻壳封装 玻璃实体封装 塑料封装等 这些封装各具特色, 总的来讲, 实体封装不存在金属外壳气密封装有可能出现的漏气和封装多余物问题, 但实体封装对封装材料要求较高, 必须致密 抗潮, 与管芯材料粘附和热匹配良好, 而且在高温 低气压下不应产生有害气氛 金属封装具有较高的机械强度 散热性能优良, 对电磁有一定屏蔽功能, 在功率器件中经常采用 我厂首创的玻璃钝化兼实体封装, 由于封装玻璃采用特殊配方, 对管芯可起到钝化保护, 使器件电性能稳定 钝化玻璃又兼实体封装, 具有体积小 重量轻 机械强度好等特点, 是高可靠器件较理想的封装类型 但这种封装散热性能欠佳, 通常只适宜于中 小功率器件采用 塑料封装的防潮性能比气密性封装要差一些, 但因塑料封装可以采用高度自动化加工, 适宜于工业化大批量生产, 因而塑封器件成本低廉, 在民用整机中普遍大量使用, 其应用前景良好 如果工作环境要求严酷, 设备寿命要求较长, 或者对可靠性要求较高的场合, 一般选用金属气密性封装或玻璃实体封装较好 如果工作环境条件较好, 成本要求低廉, 则可以选用塑料封装 随着塑料材料致密性 抗潮性能的改进, 塑料封装器件的可靠性亦随之有很大的提高 目前在军用设备上使用塑料封装的也日趋见多 二 装配和焊接操作时的注意事项 器件使用时, 装配质量的好坏对可靠性影响很大, 必须有科学合理的方法 主要从引线的成形 切断 散热板的固定 在印刷电路板上的安装 焊接 涂敷 清洗以及器件的布置等方面加以注意 1 引线的成形和切断 6

13 在对器件进行成形和切断时, 应尽量避免使器件内部遭到机械损伤和不合理的机械应力, 否则有可能使器件内引线折断, 管壳和引线之间的玻璃绝缘子出现裂缝, 甚至将外引线折断, 从而降低器件的可靠性 为此应注意以下几点 : 1 打弯引线时, 必须在管体和打弯点之间用钳子夹紧, 以防止将应力直接加在管体引线间, 如图 1 所示, 切断引线时, 亦应如此, 如图 2 所示 ; W W 正确 图 1 不正确 器件本体 间距 引线成形或切断装置 t W 夹紧装置 图 2 2 引线打弯必须在离管体 3mm 以外处进行, 见图 3; 3 引线弯曲角度不能大于 90, 而且不要使引线反复弯折, 见图 3b; 4 对扁型引线不允许横向弯曲, 见图 3c; 3.0min 正确 错误 错误 b c 图 3 引线弯曲角度 5 采用切断或成形引线的工具, 不能损伤引线表面涂层 2 在印刷电路板上安装器件在印刷电路板上安装操作时, 必须小心, 要注意以下几点 : 1 印刷电路板上安装孔的间隔要与引线的间隔一致, 插入时不要硬拉引线, 以免造成引线和管壳间的过大应力, 见图 4 沿引线轴方向的引线拉力与引线直径有关, 操作时不 7

14 应超过表 2 的规定值 表 2 引线直径 *(mm) 拉力 (N) 受力时间 (s) 0.3<d <10 0.5<d <10 0.8<d < <d 40 <10 * 对异形引线, 按截面面积计算等效直径 正确 错误 轻轻插入, 引线根部无应力正确 硬插入引线孔, 在器件引线上产生附加应力错误 引线间隔和安装孔间隔合适正确 错误 引线间隔和安装孔间隔不合适 将引线轻轻插入引线孔 用钳子硬拉 图 4 器件的安装 2 在印刷电路板上需要通过粘接固定器件本体时, 粘接应严格在器件的管脚空间进行, 避免使引线受力 3 在印刷电路板和器件之间, 如果必须采用垫层的话, 则应事先留下适当空隙 4 当把器件固定在印刷电路板上时, 应避免在器件上施加机械应力 为此, 将器件焊接到印刷电路板上, 必须事先将器件固定在散热板上, 并将散热板固定在印刷电路板上方可进行 8

15 3 焊接器件不允许在高温下暴露较长时间, 因此焊接时温度要尽可能低, 时间尽可能短 1 器件允许耐焊接热的条件是 260 下, 时间不超过 10 秒 焊接时应在距离本体至少 2mm 以上进行 焊接的温度过高 时间过长, 器件的结温会随之上升, 可能导致器件性能退化或热破坏 2 焊接时, 应避免使用酸性或碱性强的助焊剂, 否则会腐蚀引线或造成整机内气氛不好, 影响可靠性 需要时可以采用中性焊剂, 同时进行必要的清洗, 除去多余的焊剂 3 引线浸锡时的注意事项 : 为了提高器件的焊接性能, 用户在使用时往往对引线进行预先浸锡, 此时应注意浸锡方式和操作方法, 否则会带来不必要的热应力, 造成器件失效. 引线浸锡时, 不能直接浸到引线根部, 必须距离器件本体一定的距离, 一般 2mm 以上 b. 用电铬铁浸锡时, 应在烙铁与器件本体间用摄子夹住, 以减少热量直接传向器件内部 c. 绝不允许将器件丢进锡锅内浸锡, 这样会直接造成器件失效 d. 浸锡温度不超过 260, 时间不超过 10 秒 4 散热板的安装在使用功率器件时, 为发挥其最佳性能, 通常要安装散热板, 散热板的热阻 R th 应与器件将耗散掉的功率相适应 为达到良好的散热效果, 在安装散热板时, 要注意以下几点 : 1 在器件和散热板的接触面均匀地涂复一层导热硅脂, 以提高散热效果 2 使用合适的紧固力矩, 以保证器件与散热板之间接触良好 力矩过大会产生应力, 使器件变形, 严重时甚至使芯片产生裂纹或使引线折断 ; 力矩过小 过松则不能保证良好接触, 会增大热阻 表 3 列出了不同标称螺纹直径器件, 推荐的紧固力矩和最大使用的紧固力矩数值 表 3 标称螺纹直径 (mm) Φ3.0 Φ3.5 Φ4.0 Φ5.0 Φ6.0 Φ8.0 Φ10 Φ12 推荐的紧固力矩 (N m) 最大使用的紧固力矩 (N m) 对散热板的要求. 散热板凹凸弯度与螺栓孔之间的间隔应小于 0.05mm, 如图 5 所示 9

16 图 5 对散热板弯度的要求 b. 采用铝板 铜板 铁板做散热板时, 应保证无冲压张力, 且螺栓孔应倒角 c. 散热板与器件的接触面必须平滑, 其平整度一般要求小于 25μm, 否则需进行适当研磨 d. 在器件的散热板间不能有切削多余物或其它碎屑等 e. 散热板表面不允许有裂纹 起泡 起皮 局部机械损伤最大深度不超过 0.5mm 4 在紧固器件时, 不能对管壳施加机械应力, 否则有可能损坏管芯 折断引线或使玻璃绝缘子碎裂 5 在安装好以后, 不允许对器件的散热片和管壳进行机械加工或整形, 否则将产生应力或增大热阻 6 建议使用下列装配零件, 如衬垫 垫圈 焊片等 图 6 给出了几种常见外形器件中的散热板安装说明 带槽圆头螺钉 云母垫片 散热板 绝缘套管垫圈锁紧垫圈六角螺母焊接端 云母垫圈聚四氟乙烯套管散热板 云母垫圈钢垫圈焊接端 锁紧垫圈 六角螺母 图 6 B2-01B(F-1) B2-01C(F-2) 封装器件的散热板安装说明 图 6b C1-01A(D0-4) C1-01C(D0-5) 封装器件的散热板安装说明 10

17 带槽圆头螺钉 矩形垫圈云母垫片散热板绝缘套管垫圈锁紧垫圈六角螺母焊接端 云母垫圈聚四氟乙烯套管散热板云母垫圈钢垫圈焊接端锁紧垫圈六角螺母 图 6C F3-03A(TO-220) 封装器件的散热板安装说明 图 6d G-3 G-4 封装器件的散热板安装说明 在安装使用螺钉时, 还应注意以下几点 :. 不能使用沉头螺钉, 因为沉头螺钉容易将不正常的应力加到器件上, 而应使用非沉头螺钉, 如圆头或圆柱头螺钉等 b. 使用攻丝螺钉时, 应采取合适的扭转力矩 c. 散热板螺孔不宜过大 过小, 否则都容易引起不正常的应力, 损伤器件 7 散热板可以根据实际情况, 选用适当的形状和面积, 放置在通风较好的地方, 还可以采用风冷 水冷等一系列辅助性散热措施 在散热板安装时还应注意散热板的安装方向, 应适合空气的对流, 形成良好的散热 5 器件的位置在整机装配时, 器件位置排列是否合适, 对器件的使用可靠性影响亦很大 下面几种情况应引起注意 1 使器件尽量远离大的电阻器 变压器等发热源, 以避免热量传到散热板上或使器件周围环境温度升高 2 器件应当放置在不易积聚灰尘的地方, 以防止绝缘性能下降, 也可以采取在器件或印刷电路板上涂敷一层防水树脂 3 特别注意避免在高压 高频设备中由于各种感应而引起的器件击穿 11

18 三 在贮存 运输等方面的注意事项 1 产品应贮存在温度-10~40 和相对湿度不大于 80% 的干燥 通风 无腐蚀性气体影响的库房内 2 在库房内贮存超过 36 个月的器件, 上机使用前, 应对主要电参数及可焊性进行测试和检验, 以确保器件质量可靠 3 产品运输时应有牢固包装箱, 箱外应有符合规定的 小心轻放 防湿 等标志 装有产品的包装箱允许用任何运输工具运输 运输中应避免雨 雪的直接淋袭和机械撞击 四 测试器件时的注意事项为了确保器件测试时, 不至于损坏器件, 并使测试数据准确, 应注意以下几点 : 1 标准测试条件: 如无其它规定, 器件应在下述条件下进行电测试 : 环境温度 :25±5 相对温度 :45%~75% 大气压力 :86~106Kp 2 测试时, 半导体器件不应承受将产生超过器件最大额定值的工作条件 作为预防措施, 应避免引线误接 反接 短路 ; 应注意防止因开启 关闭而造成的浪涌电压加到器件上 3 测试截止电流或反向电流小( 如 na 级 ) 的器件时, 要注意保证测试夹具与测试仪器连接电路的寄生电流或外部漏电流远小于被测器件的截止电流或反向电流 4 当可施加的测试条件有可能对器件产生功率耗散时, 为了避免器件发热引起的测量误差或损伤器件, 应采取脉冲测试 除非另有规定, 脉冲时间 (t p ) 不大于 10ms, 占空比最大 2% 在此范围内, 脉冲宽度必须长至足以适应试验设备的能力和所要求的准确度, 短至足以避免过热 5 在进行较大电流测试时, 为了避免因引线压降和接触压降所引起的测量误差, 应尽可能采用具有开尔文连接功能的测试仪器和测试夹具 12

19 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约 0.5 克 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) GB Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器电路中作整流用 D2-10A 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高 工作 贮存 峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T OP T stg 型号 V V A A 2CZ84B CZ84C CZ84D CZ84E CZ84F CZ84G CZ84H CZ84J CZ84K ~125-55~150 2CZ84L CZ84M CZ84N CZ84P CZ84Q CZ84R CZ84S 试验条件 2CZ84 阻性负载 T L 80 I F =I O t p =10ms T A =25 T L >80 时, 按 7.1mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 整流二极管 0.5A 50V~2000V 13

20 电特性 (TA=25, 除非另有规定 ): 规范值参数名称符号测试条件单位最小最大 I R1 V R =V RWM 10 μa 反向电流 I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =0.5A 1.0 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CZ84B 2CZ84C 2CZ84D 2CZ84E 2CZ84F 2CZ84G 2CZ84H 印章标志 Z84B Z84C Z84D Z84E Z84F Z84G Z84H 企标型号 2CZ84J 2CZ84K 2CZ84L 2CZ84M 2CZ84N 2CZ84P 2CZ84Q 印章标志 Z84J Z84K Z84L Z84M Z84N Z84P Z84Q 企标型号 2CZ84R 2CZ84S 印章标志 Z84R Z84S 外形图及尺寸 : 2CZ84 Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 D2-10A 最小 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 25 外形尺寸图 14

21 2CZ136 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特 点 : 体积小, 重量轻 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB GB/T Q/FR 整流二极管 100mA 50V~400V YD2-10C 主要用途 : 各种电器 电子仪器电路中作整流或各类继电器线圈续流作用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复反向工作整流输出正向不重复峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流 I O V RSM V RWM I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 V V ma A T stg 2CZ136B CZ136C CZ CZ136D ~125-55~150 2CZ136E CZ136F 试验条件 阻性负载 t p =10ms T L 50 T A =25 T L >50 时, 按 1mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 15

22 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 2CZ136 参数名称符号测试条件 规范值 最小 最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 2CZ136B 1.1 2CZ136C 1.1 正向电压 V F I F =0.1A 2CZ CZ136D 1.15 V 2CZ136E CZ136F 1.15 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 极性标志 : 负极用色环表示 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 YD2-10C 最小 典型 最大 Φb ΦD 1.5 G 2.0 L 20 外形尺寸图 16

23 2CZ152 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约为 0.2 克 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 整流二极管 0.4A 50V~600V 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G YD2-10E QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器电路中作整流用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复反向工作 整流输出正向不重复最高 工作 贮存 峰值电压 V RSM 峰值电压 V RWM 平均电流 I O 浪涌电流 I FSM 结温 T jm 温度 T OP 温度 T stg V V A A 2CZ152B CZ152C CZ152D CZ152E ~125-55~150 2CZ152F CZ152G CZ152(H) 试验条件 阻性负载 TL 65 I F =0.4A t p =10ms T A =25 T L >65 时, 按 4.2mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 17

24 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ) 2CZ152 参数名称符号测试条件 规范值 最小 最大 单位 反向电流 正向电压 I R1 V R =V RWM 5 μa I R2 V R =V RWM T A = μa V F 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ) I F =0.4A 1 V 企标型号 2CZ152B 2CZ152C 2CZ152D 2CZ152E 2CZ152F 2CZ152G 印章标志 52B 52C 52D 52E 52F 52G 企标型号 2CZ152H 2CZ152 印章标志 52H 152 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 单位为毫米 符号 尺寸 最小 YD2-10E 最大 Φb ΦD 1.8 G 3.8 L 25 外形尺寸图 18

25 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 2CZ103S(BZ1S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 整流二极管 1A 200V~600V 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CZ103SD (BZ1SD) 2CZ103SE (BZ1SE) 2CZ103SF (BZ1SF) 2CZ103SG (BZ1SG) 2CZ103SH (BZ1SH) 试验条件 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A T C >25 时, 按 8mA/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 规范值参数名称符号测试条件单位最小最大 I R1 V R =V RWM 10 μa 反向电流 I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 19

26 2CZ103S(BZ1S) 印章标志 : 示例 :2CZ103SB(BZ1SB) 标志为 Z103SB(Z1SB), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 20

27 BZ2S 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 整流二极管 2A 200V~600V SMD-0.1 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZ2SD BZ2SE BZ2SF BZ2SG BZ2SH 试验条件 T C >25 时, 按 16mA/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa 反向电流 I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 21

28 BZ2S 印章标志 : 示例 :BZ2SH 标志为 Z2SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 22

29 2CZ101S(BZ03S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 0.3A 200V~600V SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CZ101SD (BZ03SD) 2CZ101SE (BZ03SE) 2CZ101SF (BZ03SF) 2CZ101SG (BZ03SG) 2CZ101SH (BZ03SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 2.4 ma/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 反向电流 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 23

30 2CZ101S(BZ03S) 印章标志 : 示例 :2CZ101SH(BZ03SH) 标志为 Z101SH(Z03SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 24

31 2CZ102S(BZ05S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 0.5A 200V~600V SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CZ102SD (BZ05SD) 2CZ102SE (BZ05SE) 2CZ102SF (BZ05SF) 2CZ102SG (BZ05SG) 2CZ102SH (BZ05SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 4 ma/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa 反向电流 I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 25

32 2CZ102S(BZ05S) 印章标志 : 示例 :2CZ102SH(BZ05SH) 标志为 Z102SH(Z05SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 26

33 2CZ32S(BZ15S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 1.5A 200V~600V SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CZ32SD (BZ15SD) 2CZ32SE (BZ15SE) 2CZ32SF (BZ15SF) 2CZ32SG (BZ15SG) 2CZ32SH (BZ15SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 12mA/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 反向电流 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 2.0 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 27

34 2CZ32S(BZ15S) 印章标志 : 示例 :2CZ32SH(BZ15SH) 标志为 Z32SH(Z15SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 28

35 BZ3S 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 3A 200V~600V SMD-0.3 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZ3SD BZ3SE BZ3SF BZ3SG BZ3SH 试验条件 T C >25 时, 按 24mA/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 反向电流 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % V F 29

36 BZ3S 印章标志 : 示例 : BZ3SH 标志为 Z3SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 30

37 BZ4S 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 4A 200V~600V SMD-0.3 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZ4SD BZ4SE BZ4SF BZ4SG BZ4SH 试验条件 T C >25 时, 按 32mA/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 反向电流 正向电压 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa I F =3I O 1.65 V V FM1 V FM3 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % I F =3I O T A = V 31

38 BZ4S 印章标志 : 示例 : BZ4SH 标志为 Z4SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 32

39 2CZ117S(BZ5S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特 点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在各种电器 电子仪器线路中作整流作用 整流二极管 最大额定值 : 参数 反向不重复 反向工作整流输出正向不重复 最高 工作 贮存 峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A 2CZ117SD (BZ5SD) CZ117SE (BZ5SE) CZ117SF (BZ5SF) ~125-55~150 2CZ117SG (BZ5SG) CZ117SH (BZ5SH) 阻性负载试验条 t 单相 50H p =10ms 件 Z T T C 25 A =25 T C >25 时, 按 40mA/ 线性降额 5A 200V~600V SMD-0.3 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 反向电流 最小 规范值 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 I F =3I O 1.8 V 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % V F 33

40 2CZ117S(BZ5S) 印章标志 : 示例 : BZ5SH 标志为 Z5SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 34

41 1N5802 1N5804 1N5806 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 ; 超快恢复 快恢复整流二极管 2.5A 50V~150V 25ns 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 D2-10A GB Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高压 高频整流, 保护电路中做整流用 最大额定值 : 参数 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 正向平均电流 I F(AV) 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg 型号 V V A A 1N N ~125-55~150 1N 试验条件 阻性负载 T L 40 t p =10ms T A =25 T L >40 时, 按 0.023A/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 35

42 1N5802 1N5804 1N5806 电特性 (TA=25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 规范值 最小 最大 单位 反向电流 正向电压 I R1 V R =V RWM 3 μa I R2 V R =V RWM T A = μa V F I F =1A V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 25 ns 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 1N5802 1N5804 1N5806 印章标志 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 单位为毫米 符号 尺寸 最小 D2-10A 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 25 外形尺寸图 36

43 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 Q/FRQZJ GB Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高压 高频整流, 保护电路中做整流用 最大额定值 : 参数 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 2CZ024 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 500mA 50V~2000V 150ns 工作温度 T OP D2-10A 贮存温度 T stg 型号 V V ma A 2CZ024B CZ024C CZ024D CZ024E CZ024F CZ024G CZ024H CZ024J CZ024K ~125-55~150 2CZ024L CZ024M CZ024N CZ024P CZ024Q CZ024R CZ024(S) 测试条件 阻性负载 T L 50 t p =10ms T A =25 T L >50 时, 按 5mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 37

44 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 反向电流 正向电压 规范值最小最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa V F I F =0.5A 2CZ024B~M 1.65 V 2CZ024N~S 3.0 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 150 ns 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CZ024B 2CZ024C 2CZ024D 2CZ024E 2CZ024F 2CZ024G 2CZ024H 印章标志 Z024B Z024C Z024D Z024E Z024F Z024G Z024H 企标型号 2CZ024J 2CZ024K 2CZ024L 2CZ024M 2CZ024N 2CZ024P 2CZ024Q 印章标志 Z024J Z024K Z024L Z024M Z024N Z024P Z024Q 企标型号 2CZ024R 2CZ024S 2CZ024 印章标志 Z024R Z024S Z024 外形图及尺寸 : 2CZ024 Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 D2-10A 最小 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 25 外形尺寸图 38

45 2CZ121 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB Q/FR 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 1A 50V~1500V 100ns D2-10A 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高压 高频整流, 保护电路中做整流用 最大额定值 : 反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存参数峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T OP T stg 型号 V V A A 2CZ121B CZ121C CZ121D CZ121E CZ121F CZ121G CZ121H ~125-55~150 2CZ121J CZ121K CZ121L CZ121M CZ121N CZ121P 测试条件 阻性负载 T L 50 t p =10ms T A =25 T L >50 时, 按 10mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 39

46 2CZ121 电特性 (TA=25, 除非另有规定 ): 参数名称符号测试条件 反向电流 正向电压 规范值最小最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa V F I F =1A 2CZ121B~K 1.65 V 2CZ121L~P 2.6 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 100 ns 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CZ121B 2CZ121C 2CZ121D 2CZ121E 2CZ121F 2CZ121G 印章标志 Z121B Z121C Z121D Z121E Z121F Z121G 企标型号 2CZ121H 2CZ121J 2CZ121K 2CZ121L 2CZ121M 2CZ121N 印章标志 Z121H Z121J Z121K Z121L Z121M Z121N 企标型号 2CZ121P 印章标志 Z121P 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 D2-10A 最小 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 25 外形尺寸图 40

47 2CZ145 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 1A 50V~600V 35ns~50ns 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ D2-10A 国标 Ⅱ 类 GB/T Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高压 高频整流, 保护电路中做整流用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复反向工作整流输出正向不重复峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流 I O V RSM V RWM I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 V V A A T stg 2CZ145B CZ145C CZ145D CZ145E ~125-55~150 2CZ145F CZ145G CZ145(H) 阻性负载 t p =10ms 测试条件 T L 80 T A =25 T L >80 时, 按 14.3mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 41

48 2CZ145 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 5 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =1A 1.25 V 2CZ145B 35 2CZ145C 35 2CZ145D 35 反向恢复时间 t rr I F =0.5A I R =1A I rr =0.25A 2CZ145E 50 ns 2CZ145F 50 2CZ145G 50 2CZ145(H) 50 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CZ145B 2CZ145C 2CZ145D 2CZ145E 2CZ145F 2CZ145G 2CZ145H 2CZ145 印章标志 Z145B Z145C Z145D Z145E Z145F Z145G Z145H Z145 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 D2-10A 最小 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 外形尺寸图

49 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特 点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 最大额定值 : 参数反向不重复峰值电压 V RSM 型号 2CZ106SD (BZG1SD) 2CZ106SE (BZG1SE) 2CZ106SF (BZG1SF) 2CZ106SG (BZG1SG) 2CZ106SH (BZG1SH) 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 8mA/ 线性降额 2CZ106S(BZG1S) ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 快恢复整流二极管 1A 200V~600V 3μs SMD-0.1 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 3 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 43

50 2CZ106S(BZG1S) 印章标志 : 示例 :2CZ106SH(BZG1SH) 标志为 Z106SH(G1SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 44

51 BZG2S 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 2A 200V~600V 1μs 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 SMD-0.1 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZG2SD BZG2SE BZG2SF BZG2SG BZG2SH 试验条件 T C >25 时, 按 16mA/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 1 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 45

52 BZG2S 印章标志 : 示例 : BZG2SH 标志为 G2SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 46

53 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特 点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 最大额定值 : 参数 型号 2CZ104SD (BZG03SD) 2CZ104SE (BZG03SE) 2CZ104SF (BZG03SF) 2CZ104SG (BZG03SG) 2CZ104SH (BZG03SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 2.4mA/ 线性降额 2CZ104S(BZG03S) ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 快恢复整流二极管 0.3A 200V~600V 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 2 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 2μs SMD

54 2CZ104S(BZG03S) 印章标志 : 示例 :2CZ104SH(BZG03SH) 标志为 Z104SH(G03SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 48

55 2CZ105S(BZG05S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 快恢复整流二极管 0.5A 200V~600V 2μs SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CZ105SD (BZG05SD) 2CZ105SE (BZG05SE) 2CZ105SF (BZG05SF) 2CZ105SG (BZG05SG) 2CZ105SH (BZG05SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 4 ma/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 2 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 49

56 2CZ105S(BZG05S) 印章标志 : 示例 :2CZ105SH(BZG05SH) 标志为 Z105SH(G05SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 50

57 2CN3S(BZU1S) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 1A 200V~600V 2μs SMD-0.1 最大额定值 : 参数 型号 2CN3SD (BZU1SD) 2CN3SE (BZU1SE) 2CN3SF (BZU1SF) 2CN3SG (BZU1SG) 2CN3SH (BZU1SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 8 ma/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.65 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 2 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 51

58 2CN3S(BZU1S) 印章标志 : 示例 :2CN3SD(BZU1SD) 标志为 N3SD(U1SD), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 52

59 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特 点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 最大额定值 : 参数 型号 2CN4SD (BZU15SD) 2CN4SE (BZU15SE) 2CN4SF (BZU15SF) 2CN4SG (BZU15SG) 2CN4SH (BZU15SH) 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 试验条件 T C >25 时, 按 12 ma/ 线性降额 2CN4S(BZU15S) ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 快恢复整流二极管 1.5A 200V~600V 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.65 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 1 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 1μs SMD

60 2CN4S(BZU15S) 印章标志 : 示例 :2CN4SH(BZU15SH) 标志为 N4SH(U15SH), 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 54

61 BZG3S 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 3A 200V~600V 1μs 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T SMD-0.3 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZG3SD BZG3SE BZG3SF BZG3SG BZG3SH 试验条件 T C >25 时, 按 24mA/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 1 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 55

62 BZG3S 印章标志 : 示例 :BZG3SH 标志为 G3SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 56

63 BZG4S 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 4A 200V~600V 1μs 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 SMD-0.3 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZG4SD BZG4SE BZG4SF BZG4SG BZG4SH 试验条件 T C >25 时, 按 32mA/ 线性降额 ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 t p =10ms T A =25 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V FM1 I F =3I O 1.7 V V FM3 I F =3I O T A = V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 1 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 57

64 BZG4S 印章标志 : 示例 : BZG4SH 标志为 G4SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 58

65 BZG5S 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 快恢复 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 5A 200V~600V 1μs 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作高频整流作用 SMD-0.3 最大额定值 : 参数反向不重复反向工作整流输出正向不重复最高工作贮存峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流结温 温度温度 V RSM V RWM I O I FSM T jm T T stg OP 型号 V V A A BZG5SD BZG5SE BZG5SF BZG5SG BZG5SH 试验条件 T C >25 时, 按 40mA/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): ~125-55~150 阻性负载单相 50H Z T C 25 参数名称符号测试条件 反向电流 正向电压 t p =10ms T A =25 规范值 最小 最大 单位 I R1 V R =V RWM 10 μa I R2 V R =V RWM T A = μa V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 1 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2 % 59

66 BZG5S 印章标志 : 示例 : BZG5SH 标志为 G5SH, 其余类同 外形图及尺寸 : 单位为毫米 尺寸 SMD-0.3 符号 min mx U U A A L L SMD-0.3 封装外形尺寸 60

67 2CZ420 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约为 1.2 克 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 ; 快恢复 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 4A 50V~800V 100ns~400ns 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T A423 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高频整流 保护电路中作整流用 最大额定值 : 参数 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg 型号 V V A A 2CZ420B CZ420C CZ420(D) CZ420E CZ420F ~125-55~150 2CZ420G CZ420H CZ420J 750V 700 2CZ420K 850V 800 试验条件 阻性负载 t p =10ms TL 40 T A =25 T L >40 时, 按 36.4mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 61

68 2CZ420 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ) 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 30 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 正向电压 V F I F =4A 1.2 V 2CZ420B 100 2CZ420C 100 2CZ420(D) 100 I F =50mA 2CZ420E 150 反向恢复时间 trr V R =10V 2CZ420F 150 ns R L =75Ω 2CZ420G 250 2CZ420H 250 2CZ420J 400 2CZ420K 400 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CZ420B 2CZ420C 2CZ420D 2CZ420E 2CZ420F 2CZ420G 印章标志 Z420B Z420C 420D Z420E Z420F Z420G 企标型号 2CZ420H 2CZ420J 2CZ420K 2CZ420 印章标志 Z420H Z420J Z420K 420 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 62 符号 单位为毫米 尺寸 A423 最小 最大 Φb ΦD 6.0 G 7.52 L 25 外形尺寸图

69 BZK5 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约 1.2 克 ; 实体封装, 密封性好, 可靠性高 ; 耐温度冲击 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流二极管 5A 50V~600V 0.15μs 七专级 G QZJ Q/FRQZJ12-89 国标 Ⅱ 类 GB/T Q/FR58-90 A423 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高频整流 保护电路中作整流用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复反向工作整流输出正向不重复峰值电压峰值电压平均电流浪涌电流 I O V RSM V RWM I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 V V A A T stg BZK5B BZK5C BZK5D BZK5E ~125-55~150 BZK5F BZK5G BZK5H 试验条件 阻性负载 t p =10ms T L 75 T A =25 T L >75 时, 按 66.7mA/ 线性降额,T L 为距管体 10mm 处的引线温度 63

70 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): BZK5 参数名称符号测试条件 规范值 最小 最大 单位 反向电流 正向电压 I R1 V R =V RWM 20 μa I R2 V R =V RWM T A =125 2 ma V F I F =3I O 1.8 V 反向恢复时间 t rr I F =50mA V R =10V R L =75Ω 0.15 μs 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 BZK5B BZK5C BZK5D BZK5E BZK5F BZK5G BZK5H 印章标志 K5B K5C K5D K5E K5F K5G K5H 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 单位为毫米 符号 尺寸 最小 A423 最大 Φb ΦD 6.0 G 7.52 L 25 外形尺寸图 64

71 2CL014 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约为 1.5 克 实体封装, 密封性好, 可靠性高 耐温度冲击 高反压 快恢复 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流硅堆 0.4~0.8A 2KV~10KV 60ns 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G YD2-10B2 QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高频 高压整流用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 2CL014C CL014D CL014E CL014G CL014 J (2CL014) CL014P ~125-55~150 2CL014U 试验条件 阻性负载 T L 25 t p =10ms T A =25 65

72 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ) 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 15 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 反向恢复时间 trr I F =0.5A I R =1.0V irr=0.25a 60 ns I F =0.8A 2CL014C 6 I F =0.8A 2CL014D 10 I F =0.6A 2CL014E 10 正向电压 V F I F =0.6A 2CL014G 12.5 V I F =0.4A 2CL014 J (2CL014) 12.5 I F =0.4A 2CL014P 15 I F =0.4A 2CL014U 15 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CL014C 2CL014D 2CL014E 2CL014G 2CL014J 2CL014P 印章标志 L014C L014D L014E L014G L014J L014P 企标型号 2CL014U 2CL014 印章标志 L014U L014 外形图及尺寸 : 2CL014 Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 YD2-10B2 最小 最大 Φb ΦD G 13 L 25 外形尺寸图 66

73 2CL001 产品结构 : 硅扩散台面型, 玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约为 0.5 克 实体封装, 密封性好, 可靠性高 耐温度冲击 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 快恢复整流硅堆 0.15~0.4A 2KV~10KV 30ns 高反压 快恢复 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G YD2-10L QZJ 国标 II 类 Q/FRQZJ GB Q/FR 主要用途 : 各种电器 电子仪器的高频 高压整流用 最大额定值 : 型号 参数 反向不重复峰值电压 V RSM 反向工作峰值电压 V RWM 整流输出平均电流 I O 正向不重复浪涌电流 I FSM 最高结温 T jm 工作温度 T OP 贮存温度 T stg V V A A 2CL001C CL001D CL001E CL001G CL001J (2CL001) CL001P ~125-55~150 2CL001U 试验条件 阻性负载 T L 55 t p =10ms T A =25 67

74 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ) 参数名称 符号 测试条件 规范值最小最大 单位 反向电流 I R1 V R =V RWM 0.5 μa I R2 V R =V RWM T A = μa 反向恢复时间 t rr I F =0.5A I R =1.0V irr=0.25a 30 ns I F =0.4A 2CL001C 6 I F =0.4A 2CL001D 10 I F =0.25A 2CL001E 10 正向电压 V F I F =0.25A 2CL001G 12.5 V I F =0.15A 2CL001J (2CL001) 12.5 I F =0.15A 2CL001P 16.0 I F =0.15A 2CL001U 16.0 脉冲法 : 脉宽 300μs, 占空比 2% 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CL001C 2CL001D 2CL001E 2CL001G 2CL001J 2CL001P 2CL001 印章标志 L001C L001D L001E L001G L001J L001P L001 外形图及尺寸 : 2CL001 Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 YD2-10L 最小 最大 Φb ΦD 5.0 G 8.5 L 25 外形尺寸图 68

75 产品结构 : 硅台面型玻璃钝化实体封装 特点 : 体积小, 重量轻, 单只重量约 0.4 克 ; 双向稳压, 低微分电阻 ; 耐冲击, 耐振动, 可靠性高 质量等级及执行标准 : 企军标 JP JT 级 GJB33A-97 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T CW1038 主要用途 : 在电子线路中作稳压 箝位用 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 电压调整二极管 150mW 5.2V~11.7V 仿 D2-10A 最大额定值 : 参数名称 符号 最大额定值 单位 总耗散功率 P tot 150 mw 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 T A >25 时按 1.5mW/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数 工作电压 微分电阻 最大工 反向电流工作电压电压不对称性 V Z r Z r ZK 作电流 I R 温度系数 V Z2 -V Z1 I ZT I Z =I ZT I ZK I ZM V R α VZ I Z =I ZT 最小最大 最大最大 最大 最大 最大 型号 V V ma Ω Ω ma ma μa V %/ V 2CW CW1038A (2CW168B) CW1038B (2CW170A) CW1038C (2CW1022) CW1038D (2CW1025) 测试点温度为

76 2CW1038 印章标志 ( 极性 : 负极用色环表示 ): 企标型号 2CW1038 2CW1038A 2CW1038B 2CW1038C 2CW1038D 印章标记 W1038 W1038A W1038B W1038C W1038D 企标型号 2CW1027 2CW168B 2CW170A 2CW1022 2CW1025 印章标记 W1027 W168B W170A W1022 W1025 外形图及尺寸 : Φb2 Φb2 ΦD 符号 单位为毫米 尺寸 仿 D2-10A 最小 最大 Φb ΦD 3.5 G 5.0 L 25 外形尺寸图 70

77 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : LMS JCT/K 级 : GJB33A-97 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 BWB2V4S~BWB110S Q/FR Q/FRQZJ GB/T 主要用途 : 在电子线路中做稳压 钳位用 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 电压调整二极管 500mW 2.28V~119V SMD-0.1 最大额定值 : 参数名称 符号 最大额定值 单位 总耗散功率 P tot 500 mw 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 T A >25 时按 4mW/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数 工作电压 微分电阻 V Z r Z r ZK I Z =I ZT 最大工作电流 I ZM 反向电流 I R1 工作电压温度系数 α VZ I ZT I ZK V R 最小 最大 最大 最大 最大是 最大 V V ma Ω Ω ma ma μa V %/ 型号 BWB2V4S BWB2V7S BWB3V0S BWB3V3S BWB3V6S BWB3V9S BWB4V3S BWB4V7S BWB5V1S BWB5V6S BWB6V2S BWB6V8S

78 BWB2V4S~BWB110S 电特性 ( 续上表 ) 参数工作电压 V Z r Z 微分电阻 r ZK 最大工作电流 I ZM 反向电流 I R1 工作电压温度系数 α VZ I ZT I Z =I ZT I ZK V R 最小 最大 最大 最大 最大 最大 V V ma Ω Ω ma ma μa V %/ 型号 BWB7V5S BWB8V2S BWB9V1S BWB10S BWB11S BWB12S BWB13S BWB15S BWB16S BWB18S BWB20S BWB22S BWB24S BWB27S BWB30S BWB33S BWB36S BWB39S BWB43S BWB47S BWB51S BWB56S BWB60S BWB62S BWB68S BWB75S BWB82S BWB91S BWB100S BWB110S 测试点温度为 25,75 印章标志 : 示例 :BWB110S 标志为 B110S, 其余类同 72

79 BWB2V4S~BWB110S 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 73

80 BWC100S~BWC121S 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击 可靠性高 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 电压调整二极管 1W 1.0V~40V 七专级 G QZJ Q/FRQZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T SMD-0.1 主要用途 : 在电子线路中做稳压 钳位用 最大额定值 : 参数名称 符号 最大额定值 单位 总耗散功率 P tot 1 W 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 T A >25 时按 8mW/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 参数 工作电压 微分电阻 最大工作 反向电流 V Z r Z r ZK 电 流 I R1 I ZT I Z =I ZT I ZK I ZM V R 最小 最大 最大 最大 最大 最大 型号 V V ma Ω Ω ma ma μa V %/ 74 工作电压温度系数 α VZ BWC100S BWC101S BWC102S BWC103S BWC104S BWC105S BWC106S BWC107S BWC108S

81 BWC100SS~BWC121S 电特性 ( 续上表 ) 工作电压参数 V Z 型号 I ZT r Z I Z =I ZT 微分电阻 r ZK I ZK 最大工作电流 I ZM 反向电流 I R1 V R 工作电压温度系数 α VZ 最小 最大 最大 最大 最大 最大 V V ma Ω Ω ma ma μa V %/ BWC109S BWC110S BWC111S BWC112S BWC113S BWC114S BWC115S BWC116S BWC117S BWC118S BWC119S BWC120S BWC121S 测试温度为 印章标志 : 示例 :BWC110S 标志为 C110S, 其余类同 外形图及尺寸 : 负极标识 75

82 BWC100SS~BWC121S 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 76

83 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A) (SY340(A) S ~ SY386(A) S) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 产品结构 : 硅台面型金属陶瓷贴片封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击, 可靠性高 低结电容 瞬态电压抑制二极管 600W 7.2V~255.8V 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T SMD-0.1 主要用途 : 在电子线路中作过压保护和防静电保护 最大额定值 : 稳态功率 参数名称符号最大额定值单位 P R 1 W 脉冲峰值功率 P PR 600 W 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 TA>25 时按 8mW/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 电参数击穿电压 V ( BR ) 型号 SMBJLC5.0 (SY340S) SMBJLC5.0A (SY340AS) SMBJLC6.0 (SY341S) SMBJLC6.0A (SY341AS) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 77

84 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 SMBJLC6.5 (SY342S) SMBJLC6.5A (SY342AS) SMBJLC7.0 (SY343S) SMBJLC7.0A (SY343AS) SMBJLC7.5 (SY344S) SMBJLC7.5A (SY344AS) SMBJLC8.0 (SY345S) SMBJLC8.0A (SY345AS) SMBJLC8.5 (SY346S) SMBJLC8.5A (SY346AS) SMBJLC9.0 (SY347S) SMBJLC9.0A (SY347AS) SMBJLC10 (SY348S) SMBJLC10A(SY 348AS) SMBJLC11 (SY349S) SMBJLC11A (SY349AS) SMBJLC12 (SY350S) SMBJLC12A (SY350AS) SMBJLC13 (SY351S) SMBJLC13A (SY351AS) 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 78

85 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 SMBJLC14 (SY352S) SMBJLC14A (SY352AS) SMBJLC15 (SY353S) SMBJLC15A (SY353AS) SMBJLC16 (SY354S) SMBJLC16A (SY354AS) SMBJLC17 (SY355S) SMBJLC17A (SY355AS) SMBJLC18 (SY356S) SMBJLC18A (SY356AS) SMBJLC20 (SY357S) SMBJLC20A(SY 35AS) SMBJLC22 (SY358S) SMBJLC22A (SY358AS) SMBJLC24 (SY359S) SMBJLC24A(SY 359AS) SMBJLC26 (SY360S) SMBJLC26A (SY360AS) SMBJLC28 (SY361S) SMBJLC28A (SY361AS) 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 79

86 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 SMBJLC30 (SY362S) SMBJLC30A (SY362AS) SMBJLC33 (SY363S) SMBJLC33A (SY363AS) SMBJLC36 (SY364S) SMBJLC36A (SY364AS) SMBJLC40 (SY365S) SMBJLC40A (SY365AS) SMBJLC43 (SY366S) SMBJLC43A (SY366AS) SMBJLC45 (SY367S) SMBJLC45A (SY367AS) SMBJLC48 (SY368S) SMBJLC48A (SY368AS) SMBJLC51 (SY369S) SMBJLC51A (SY369AS) SMBJLC54 (SY370S) SMBJLC54A (SY370AS) SMBJLC58 (SY371S) SMBJLC58A (SY371AS) 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 80

87 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 SMBJLC60 (SY372S) SMBJLC60A (SY372AS) SMBJLC64 (SY373S) SMBJLC64A (SY373AS) SMBJLC70 (SY374S) SMBJLC70A (SY374AS) SMBJLC75 (SY375S) SMBJLC75A (SY375AS) SMBJLC78(SY3 76S) SMBJLC78A (SY376AS) SMBJLC85 (SY377S) SMBJLC85A (SY377AS) SMBJLC90 SY378S) SMBJLC90A (SY378AS) SMBJLC100 (SY379S) SMBJLC100A (SY379AS) SMBJLC110 (SY380S) SMBJLC110A (SY380AS) SMBJLC120 (SY381S) SMBJLC120A (SY381AS) 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 81

88 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf SMBJLC130 (SY382S) SMBJLC130A (SY382AS) SMBJLC150 (SY383S) SMBJLC150A (SY383AS) SMBJLC160 (SY384S) SMBJLC160A (SY384AS) SMBJLC170 (SY385S) SMBJLC170A (SY385AS) SMBJLC188 (SY386S) SMBJLC188A (SY386AS) V R =0V,f=1MHz 条件下测试 印章标志 : 示例 :SMBJLC188A(SY386AS) 标志为 C188A(Y386AS), 其余类同 C J 82

89 SMBJLC5.0(A)~SMBJLC188(A)(SY340(A) S ~ SY386(A) S) 外形图及尺寸 : 负极标识 符号 单位为毫米 尺寸 SMD-0.1 min mx U U A L b b SMD-0.1 封装外形尺寸 83

90 产品结构 : 硅扩散台面型, 金属气密封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击, 可靠性高 低结电容 质量等级及执行标准 : 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作过压保护和防静电保护 最大额定值 : LC6.5(A)~LC170(A) (SY387(A) ~SY429(A) 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) D2-09A(DO-13) 参数名称符号最大额定值单位 稳态功率 1 W 脉冲峰值功率 P PR 1500 W P R 瞬态电压抑制二极管 1500W 7.22V~231V 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 T A >25 时按 8mW/ 线性降额 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 击穿电压电参数 V ( BR ) 型号 84 I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf LC6.5(SY387) LC6.5A(SY387A) LC7.0(SY388) LC7.0A(SY388A) LC7.5(SY389) LC7.5A(SY389A) LC8.0(SY390) LC8.0A(SY390A) LC8.5(SY391) LC8.5A(SY391A) LC9.0(SY392) LC9.0A(SY392A) LC10(SY393) LC10A(SY393A) C J

91 LC6.5(A)~LC170(A)(SY387(A) ~SY429(A)) 电特性 ( 续上表 ) 电参数 击穿电压 V ( BR ) 反向电流 I R1 最大反向工作电压 箝位电压 V C 最大结 电容 I(BR) V R =V RWM V RWM I P C J 型号 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf LC11(SY394) LC11A(SY394A) LC12(SY395) LC12A(SY395A) LC13(SY396) LC13A(SY396A) LC14(SY397) LC14A(SY397A) LC15(SY398) LC15A(SY398A) LC16(SY399) LC16A(SY399A) LC17(SY400) LC17A(SY400A) LC18(SY401) LC18A(SY401A) LC20(SY402) LC20A(SY402A) LC22(SY403) LC22A(SY403A) LC24(SY404) LC24A(SY404A) LC26(SY405) LC26A(SY405A) LC28(SY406) LC28A(SY406A) LC30(SY407) LC30A(SY407A) LC33(SY408) LC33A(SY408A) LC36(SY409) LC36A(SY409A) LC40(SY410) LC40A(SY410A) LC43(SY411) LC43A(SY411A) LC45(SY412) LC45A(SY412A) LC48(SY413) LC48A(SY413A) LC51(SY414)

92 LC6.5(A)~LC170(A)(SY387(A) ~SY429(A)) 电特性 ( 续上表 ) 电参数 击穿电压 V ( BR ) 反向电流 I R1 最大反向工作电压 箝位电压 V C 最大结 电容 I(BR) V R =V RWM V RWM I P C J 型号 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf LC51A(SY414A) LC54(SY415) LC54A(SY415A) LC58(SY416) LC58A(SY416A) LC60(SY417) LC60A(SY417A) LC64(SY418) LC64A(SY418A) LC70(SY419) LC70A(SY419A) LC75(SY420) LC75A(SY420A) LC80(SY421) LC80A(SY421A) LC90(SY422) LC90A(SY422A) LC100(SY423) LC100A(SY423A) LC110(SY424) LC110A(SY424A) LC120(SY425) LC120A(SY425A) LC130(SY426) LC130A(SY426A) LC150(SY427) LC150A(SY427A) LC160(SY428) LC160A(SY428A) LC170(SY429) LC170A(SY429A) V R =0V,f=1MHz 条件下测试 86

93 LC6.5(A)~LC170(A)(SY387(A) ~SY429(A)) 印章标志 : 示例 :LC170A(SY429A) 标志为 LC170A(SY429A), 其余类同 外形图及尺寸 : L G L ΦD ΦD1 Φb Φb 符号 单位为毫米 尺寸 D2-09A min nom mx Φb ΦD 5.96 G L 25.4 ΦD D2-09A(DO-13) 型封装外形尺寸 87

94 LC3KP6.5A~LC3KP28A (SY430A~SY449A) 产品结构 : 硅扩散台面型, 金属气密封装 特点 : 体积小, 重量轻 耐振动, 耐温度冲击, 可靠性高 低结电容 质量等级及执行标准 : 永光电子有限公司 ( 国营第八七三厂 ) 瞬态电压抑制二极管 3000W 7.22V~34.4V 七专级 G QZJ 国标 Ⅱ 类 GB/T 主要用途 : 在电子线路中作过压保护和防静电保护 最大额定值 : 参数名称符号最大额定值单位 稳态功率 2 W 脉冲峰值功率 P PR 3000 W 最高结温 T jm 150 工作温度 T op -55~125 贮存温度 T stg -55~150 当 T A >25 时按 16mW/ 线性降额 P R 电特性 (T A =25, 除非另有规定 ): 击穿电压电参数 V ( BR ) 型号 LC3KP6.5A (SY430A) LC3KP7.0A (SY431A) LC3KP7.5A (SY432A) LC3KP8.0A (SY433A) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf C J 88

95 LC3KP6.5A~LC3KP28A(SY430A~SY449) 电特性 ( 续上表 ) 型号 电参数 击穿电压 V ( BR ) I(BR) 反向电流 I R1 V R =V RWM 最大反向工作电压 V RWM 箝位电压 V C I P 最大结 电容 最小 最大 最大 最大 最大 V V ma µa V V A pf LC3KP8.5A (SY434A) LC3KP9.0A (SY435A) LC3KP10A (SY436A) LC3KP11A (SY437A) LC3KP12A (SY438A) LC3KP13A (SY439A) LC3KP14A (SY440A) LC3KP15A (SY441A) LC3KP16A (SY442A) LC3KP17A (SY443A) LC3KP18A (SY444A) LC3KP20A SY445A) LC3KP22A (SY446A) LC3KP24A (SY447A) LC3KP26A (SY448A) LC3KP28A (SY449A) V R =0V,f=1MHz 条件下测试 C J 印章标志 : 示例 :LC3KP28A(SY449A) 标志为 LC3KP28A(SY449A), 其余类同 89

96 LC3KP6.5A~LC3KP28A(SY430A~SY449) 外形图及尺寸 : L G L ΦD ΦD1 Φb Φb 符号 单位为毫米 尺寸 YD2-16B min nom mx Φb ΦD 6.5 G L 25.4 ΦD1 1.6 YD2-16B 型封装外形尺寸 90

97 瞬态电压抑制二极管应用指南第一章 TVS 器件的特点 电特性和主要电参数 1.1 TVS 器件的特点瞬态电压抑制二极管 (Trnsient Voltge Suppressor Diode) 简称 TVS 器件, 在规定的反向应用条件下, 当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时, 其工作阻抗能立即降至很低的导通值, 允许大电流通过, 并将电压箝制到预定水平, 从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏 TVS 能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦, 其箝位响应时间仅为 lps(10-12 s) TVS 允许的正向浪涌电流在 T A =25,t=10ms 条件下, 可达 50A~200A 双向 TVS 可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率, 并把电压箝制到预定水平, 双向 TVS 适用于交流电路, 单向 TVS 一般用于直流电路 1.2 TVS 器件的电特性 单向 TVS 的 V-I 特性如图 l-l 所示, 单向 TVS 的正向特性与普通稳压二极管相同, 反向击穿拐点近似 直角 为硬击穿 从击穿点到 V C 值所对应的曲线段表明, 当有瞬时过压脉冲时, 器件的电流急骤增加而反向电压则上升到箝位电压值, 并保持在这一水平上 双向 TVS 的 V-I 特性 如图 1-2 所示, 双向 TVS 的 V-I 特性曲线如同两只 图 1-1 单向 TVS 背靠背 组合, 其正反两个方向都具有相同的雪崩击穿特性和箝位特性, 正反两面击穿电压的对称关系为 :0.9 V(BR)( 正 )/V(BR)( 反 ) 1.1, 一旦加在它两端的干扰电压超过击穿电压 v(br) 就会立刻被抑制掉, 双向 TVS 在交流回路应用十分方便 1.3 TVS 器件的主要电参数 击穿电压 V(BR) 图 1-2 器件在发生击穿的区域内, 在规定的试验电流 I(BR) 下, 测得器件两端的电压称为击穿电压, 在此区域内, 二极管成为低阻抗的通路 最大反向脉冲峰值电流 I PP 在反向工作时, 在规定的脉冲条件下, 器件允许通过的最大脉冲峰值电流 I PP 与最大箝位电压 V c (mx) 的乘积, 就是瞬态脉冲功率的最大值 91

98 使用时应正确选取 TVS, 使额定瞬态脉冲功率 P PR 大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率 图 1-3 表明当瞬时脉冲峰值电流出现时,TVS 被击穿, 并由击穿电压值上升至最大箝位电压值, 随着脉冲电流呈指数下降, 箝位电压亦下降, 恢复到原来状态 因此,TVS 能抑制可能出现的脉冲功率的冲击, 从而有效地保护电子线路 峰值电流波形典型的峰值电流有如下四种波形 : 正弦半波 b 矩形波 c 标准波( 指数波形 ) d 三角波图 1-3 TVS 峰值电流的试验波形采用标准波 ( 指数波形 ), 由 t r /t p 来进行描述 峰值电流上升时间 t r : 电流从 0.1I PP 开始达到 0.9I pp 的时间 半峰值电流时间 t p : 电流从零开始通过最大峰值后, 下降到 0.5I pp 值的时间 其波形如图 1-4 所示 下面列出典型试验波形的 t r /t p 值 : 电磁脉冲波:10ns/1000ns b 闪电波:8μs/20μs( 图 1-5) c 标准波:10μs/1000μs 图 1-5 为闪电脉冲波形 ; 图 1-6 为施加试 验波的试验电路 图 1-4 图 1-5 闪电脉冲波形 图 1-6 施加试验波的试验电路 92

99 1.3.3 最大反向工作电压 V RWM ( 或变位电压 ) 器件反向工作时, 可重复的最大工作电压称为最大反向工作电压 V RWM 通常 V RWM = (0.8~0.9)V(BR) 在这个电压下, 器件的功率消耗很小 使用时, 应使 V RWM 不低于被保护器件或线路的正常工作电压 最大箝位电压 V C (mx) 在脉冲峰值电流 I PP 作用下器件两端的最大电压值称为最大箝位电压 见图 1-1 和图 1-2, 它实际上是器件的最大反向浪涌电压 使用时, 应使 V C (mx) 不高于被保护器件的最大允许安全电压 最大箝位电压与击穿电压之比称为箝位系数 即 : 箝位系数 =V c (mx)/v(br) 一般箝位系数为 1.3 左右 最大箝位电压 V c (mx) 的测试方法见 4.4 脉冲电流波形见图 l 反向脉冲峰值功率 P PR TVS 的 P PR 取决于脉冲峰值电流 I PP 和最大箝位电压 V c (mx), 除此以外, 还和脉冲波形 脉冲时间及环境温度有关 图 1-7 当脉冲时间 t P 一定时,P PR =K 1 K 2 V C (mx) I PP 式中 K l 为功率系数,K 2 为功率的温度系数 典型的脉冲持续时间 t P 为 lms, 当施加到瞬态电压抑制二极管上的脉冲时间 t P 比标准脉冲时间短时, 其脉冲峰值功率将随 t P 的缩短而增加, 图 1-8 给出了 P PR 与 t P 的关系曲线 TVS 的反向脉冲峰值功率 P PR 与经受浪涌的脉冲波形有关, 用功率系数 K 1 表示, 各种浪涌波形的 K l 值如表 1 所示 图 1-8 脉冲峰制值功率与脉冲时间的关系 图 1-9 脉冲峰值功率降额曲线 93

100 表 1 波形 K 1 标准波 ( 试验波形 ) 1.00 矩形波 1.40 正弦半波 2.20 三角波 2.80 随环境温度升高,TVS 管承受的脉冲峰值功率将会降低, 图 1-9 给出了脉冲峰值功率降额曲线 TVS 器件可承受的脉冲能量是一个额定值, 由下式决定 : E = i( t) V(t) d t 式中 :i(t) 为脉冲电流波形,V(t) 为箝位电压波形 这个额定能量值在极短的时间内对 TVS 是不可重复施加的 但是, 在实际的应用中, 浪涌通常是重复地出现, 在这种情况下, 即使单个的脉冲能量比 TVS 器件可承受的脉冲能量要小得多, 但若重复施加, 这些单个脉冲能量累积起来, 在某些情况下, 也会超过 TVS 器件可承受的脉冲能量 因此, 电路设计必须在这点上认真考虑和选用 TVS 器件, 使其在规定的间隔时间内, 重复施加脉冲能量的累积不至超过 TVS 器件的脉冲能量额定值 电容 C PP TVS 的电容由硅片的面积和偏置电压来决定, 电容在零偏情况下, 如图 1-10 所示 随偏置电压的增加, 该电容值呈下降趋势 电容的大小会影响 TVS 器件的响应时间 94

101 图 1-10 TVS 管的电容 C PP 与偏置电压的关系 漏电流 I R 当最大反向工作电压施加到 TVS 上时,TVS 管有一个漏电流 I R, 当 TVS 用于高阻抗电路时, 这个漏电流是一个重要的参数 第二章 TVS 选用原则 在选用 TVS 时, 必须考虑电路的具体条件, 一般应遵循以下原则 : 1 最大箝位电压 V c (mx) 不大于电路的最大允许安全电压 2 最大反向工作电压( 变位电压 )V RWM 不低于电路的最大工作电压, 一般可以选 V RWM 等于或略高于电路最大工作电压 3 额定的最大脉冲功率, 必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率 下面是 TVS 在电路应用中的典型例子 : 图 2-1 图 2-2 图 2-3 图

102 图 2-5 图 2-6 图 2-7 TVS 在电路中起保护和电压限制的作用 TVS 用于交流电路 : 见图 2-1, 这是一个双向 TVS 在交流电路中的应用, 可以有效地抑制电网带来的过载脉冲, 从而起到保护整流桥及负载中所有元器件的作用 TVS 的箝位电压不大于电路的最大允许电压 图 2-2 所示, 是用单向 TVS 并联于整流管旁侧, 以保护整流管不被瞬时脉冲击穿, 选用 TVS 必须和整流管相匹配 图 2-3 所示电路中, 单向 TVSl 和 TVS2 反接并联于电源变压器输出端或选用一个双向 TVS, 用以保护整流电路及负载中的元器件 TVS3 保护整流以后的线路元件, 如电源变压器输出端电压为 36 伏时一般 TVSl 和 TVS2 的工作电压 V R 应根据 36 2 来选择, 其它参数依据电路中的具体条件而定 TVS 用于直流电路 : 图 2-4 所示 TVS 并联于输出端, 可有效地保护控制系统 TVS 的反向工作电压应等于或略高于直流供电电压, 其它参数根据电路的具体条件而定 图 2-5 所示为两个单向 TVS 连接在电源线路中, 用以防止直流电源反接或电源通 断时产生的瞬时脉冲使集成电路损坏 当电路连接有感性负载, 如电机 继电器线圈 螺线管时, 会产生很高的瞬时脉冲电压, 图 2-6 中的 TVS 可以保护晶体管及逻辑电路, 从而省去了较复杂的电阻 / 电容保护网络 图 2-7 电路中 TVS 起保护和电压限制的作用 直流电路中选用举例 : 整机直流工作电压 12V, 最大允许安全电压 25V( 峰值 ), 浪涌源的阻抗 50mΩ, 其干扰波形为方波,t P :lms, 最大峰值电流 50A 选择 :1) 先从工作电压 12V 选取最大反向工作电压 V RWM 为 13V, 则击穿电压 VRWM V( BR) = = 15. 3V ) 从击穿电压值选取最大箝位电压 V C (mx) = 1.30 V(BR)=19.89V, 取 V C =20V; 96

103 3) 再从箝位电压 V C 和最大峰值电流 I P, 计算出方波脉冲功率 : P PR =V C I P =20 50=1000W 4) 计算折合为 t P = 1ms 指数波的峰值功率, 折合系数 K 1 = 1.4, P PR =1000W 1.4=1400W 从手册中可查到 1N6147A 其 P PR =1500W, 变位电压 V RWM =12.2V, 击穿电压 V(BR)=15.2V, 最大箝位电压 V C =22.3V, 最大浪涌电流 I P =67.3A 可满足上述设计要求, 而且留有一倍的余量, 不论方波还是指数波都适用 交流电路应用举例 : 直流线路采用单向瞬变电压抑制二极管, 交流则必须采用双向瞬变电压抑制二极管 交流是电网电压, 这里产生的瞬变电压是随机的, 有时还遇到雷击 ( 雷电感应产生的瞬变电压 ) 所以很难定量估算出瞬时脉冲功率 P PR 但是对最大反向工作电压必须有正确的选取 一般原则是交流电压乘 1.4 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压 直流电压则按 1.1~1.2 倍来选取 TVS 管的最大反向工作电压 V RWM 图 2-8 给出了一个微机电源采用 TVS 作线路保护的原理图, 由图可见 : ~ ~ (1) 在进线的 220V 处加 TVS 管抑制 220V 交流电网中尖峰干扰 (2) 在变压器进线加上干扰滤波器, 滤除小尖峰干扰 ~ (3) 在变压输出端 V=20V 处又加上 TVS 管, 再一次抑制干扰 (4) 到了直流 10V 输出时还加上 TVS 管抑制干扰 其中 : 双向 TVS 管 D1 的 V RWM =220V 1.4=308V 左右双向 TVS 管 D2 的 V RWM =20V 1.4=28V 左右单向 TVS 管 D3 的 V RWM =10V 1.2=12V 左右 图 2-8 经过如上四次抑制, 变成所谓的 净化电源, 还可以加上其它措施, 更有效地抑制干扰, 防止干扰进入计算机的 CPU 及存贮器中, 从而提高微机系统的应用可靠性 有失效统计资料表明 : 微机系统产生 100 次故障, 其中 90 次来自电源,10 次是微机本 97

104 身, 可见电源的可靠性最重要, 要提高整机可靠性, 首先应提高电源的可靠性 第三章 TVS 应用实例 TVS 在美国应用十分广泛, 特别是在军事电子装备中非常重视, 美国军标不但出版了不 少 TVS 器件的标准, 同时在线路应用方面也有军标, 如 MIL-HDBK-978B 宇航用电子元器 件手册 中第 4.8 节为 双极型瞬变电压抑制器, 文中列出不少 TVS 的应用实例 MIL-HDBK-338B 电子设备可靠性手册 中第 节为 瞬态和过应力保护, 文中也谈 到了 TVS 的应用 TVS 在国内的应用, 正处于推广应用的阶段, 为了加深电路设计人员对 TVS 的认识, 提高国产整机的可靠性, 现将上述两个美国军标中译出的部分资料整理成文, 推荐给广大电 路设计人员参考使用 3.1 TVS 在微机中的应用实例 图 3-1 是一个典型的微机系统, 通过电源线 输入线 输出线进入的各种干扰或瞬变电 压, 可能使微机误动作出故障, 特别是来自开关电源, 微机近旁的电动机的开与关 交流电 源电压的浪涌和瞬变 静电放电等场合都可能使系统产生误动作, 严重时还可能损坏器件 将瞬变电压抑制二极管接到微机的电源线输入和输出线上, 可防止瞬变电压进入 微机 总 线, 加强微机对外界干扰的抵抗能力, 保证微机正常工作, 提高其应用可靠性 由图 3-1 可 以看出, 使用 TVS 管的量是很多的 图中 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 是瞬变电压抑制二极管 ( 译自 MIL-HDBK-978B) 图 3-1 微机系统中应用 TVS 管实例 3.2 TVS 管保护开关电源实例对开关电源设计师来讲, 必须对影响开关电源的三种瞬变类型进行保护 : 1 由负载变化引起的瞬变电压( 电感负载 ); 2 由电源线引入的瞬变电压; 3 由开关电源内部发生的瞬变电压 由于这些瞬变电压有很大的能量, 可能引起开关电源的误动作或元器件失效 98

105 开关电源中需要保护的典型元器件有 : 1 高反压开关晶体管(VMOS 管 ) 2 高压整流器( 高压整流二极管 ) 3 输出整流器( 输出大电流整流二极管 ) 4 内部控制电路( 脉宽调制器等 ) 图 3-2 是典型开关电源中应用 TVS 的实例, 由图可见共有八个 TVS 管, 各自保护自己的对象, 当然八个 TVS 管的特性也不同, 从 击穿电压 最大脉冲峰值功率 脉冲峰值电流 到 箝位电压 等都有区别 图 3-3 是美国 HP 公司某仪器使用的开关电源, 从图中可以看到该电源中所用瞬态电压抑制二极管的数量及情况 1~8 共八个瞬变电压抑制二极管 图 3-2 典型开关电源中应用 TVS 实例 (MIL-HDBK-978A) D1 为双向 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 为单向, 合计八个 TVS 管图 3-3 HP 公司仪器中电源应用 TVS 实例由图 3-l 可以看出, 国外应用 TVS 是非常普遍的, 而且数量也是很多的, 可见 TVS 对提高整机应用可靠性是至关重要的 3.3 TVS 保护直流稳压电源实例图 3-4 是一个直流稳压电源, 并有扩大电流输出的晶体管, 在其稳压输出端加上瞬变电压抑制二极管, 可以保护使用该电源的仪器设备, 同时还可以吸收电路中晶体管的集电极到发射极间的峰值电压, 保护晶体管 建议在每个稳压源输出端增加一个 TVS 管, 可大幅 99

106 度提高整机应用可靠性 图 3-4 直流稳压电源上应用 TVS 实例 ( 译自 MIL-HDBK-978B) 3.4 TVS 保护晶体管实例各种瞬变电压能使晶体管 EB 结或 CE 结击穿而损坏, 特别是晶体管集电极有电感性 ( 线圈 变压器 电动机 ) 负载时, 会产生高压反电势, 往往使晶体管损坏 建议采用 TVS 管作为保护器 图 3-5 为 TVS 保护晶体管的四种实例 )D 1 D 2 为 TVS 管 b)d 1 D 2 为 TVS 管 c)d 1 D 2 为 TVS 管 d)d 3 D 4 为 TVS 管图 3-5 用 TVS 管保护晶体管实例 ( 译自 MIL-HDBK-338) 3.5 TVS 保护集成电路实例由于集成电路集成度越来越高, 其耐压越来越低, 容易受到瞬变电压的冲击而损坏, 必须采取保护措施 例如 CMOS 电路在其输入端及输出端都有保护网路, 为了更可靠起见, 在各整机对外接口处还增加各种保护网络 图 3-6 中介绍了 TTL 及 CMOS 器件的有关保护措施 防止输入电压超过 V CC 防止输人电压高于 V CC, 低于地 100

107 防止门电路击穿防止输入电压击穿 CMOS 图 3-6 用 TVS 管保护集成电路和 CMOS 电路的实例 ( 译自 MIL-HDBK-338) 3.6 TVS 保护可控硅实例可控硅可能误触发导致误动作, 可控硅控制极电流不能太大, 电压不能过高, 必须采用各种保护措施 图 3-7 为 TVS 保护可控硅实例 : LG RG 限制初始浪涌电流,D1 为 TVS 管阳限制控制门电流,D1 为 TVS 管图 3-7 用 TVS 保护可控硅实例 ( 译自 MIL-HDBK-338) 3.7 TVS 保护继电器实例继电器有驱动线圈, 当用大功率晶体管驱动时, 应采取保护措施, 如图 3-5 所示 有时也采用图 3-8 所示方法来抑制线圈中的高压反电势保护晶体管, 哪个方案更好应根据实际情况决定 图中二极管允许的电流应比晶体管的工作电流大一倍左右, 例如继电器线圈的最大电流 1A, 则二极管额定电流选 2A~3A 左右, 耐压则应大于电源电压的 2 倍左右, 例如电源电压 27V, 则二极管耐压应为 60V 以上 图 3-8 中选用的 D3 管, 其击穿电压是电源电压的 1.4 倍, 为双向 TVS 管 图 3-8 继电器线圈绕组反电势抑制应用实例 101

108 继电器的触点往往用大电流去开关电动机等大电流电感负载, 而电感在开关时有很高的 反电势, 而且有较大的能量, 往往把触点烧坏或击穿产生电弧等, 必须对触点采取保护, 抑 制电弧的产生, 以保护继电器 但是这种电弧产生的浪涌电流很大, 过去采用电容或者用电 容串联电阻 二极管 二极管串联电阻等抑制方案, 现在采用瞬变电压抑制二极管方案效果 更好, 如图 3-9 所示 序号 继电器触点保护措施 触点间电压波形 说 明 1 二极管保护 1 瞬变电压等于二管 D l 的正向压 2 瞬态时间较长 二极管 1 瞬变电压等于断开 2 加电阻电流与 R 电阻的乘积保护加上 D 2 的正向压降 2 瞬态时间较短 3 双向 TVS 保护 1 瞬变电压等于 D 3 的击穿电压 2 瞬态时间最短 图 3-9 继电器触点保护的三种方法比较 ( 译自 MIL-HDBK-338) 另外,MIL-HDBK-978 推荐另一种在触点两端加上 TVS 管的保护措施见图 3-10 图 3-10 继电器触点保护措施 ( 译自 MIL-HDBK-978) 美国军标举例说明 TVS 管的选取方法 : 已知 :TVS 管的箝位电压 V c, 负载电感 L 和电阻 R L V 计算 : 由图 3-10 可见 : 最大峰值电流 :I P = R 最大脉冲峰值功率 P PR I P V C PD L 脉冲时间 t p V = V PD C R L L I = V C P L = I P L V C 102

109 管 瞬变电压抑制二极管的脉冲峰值功率与持续时间有一定关系见图 3-11, 否则会烧坏 TVS 脉冲占空比 0.1% 图 3-11 脉冲峰值功率与持续时间的关系 3.8 TVS 保护集成运放集成运放对外界电应力非常敏感, 在使用运放的过程中, 如果因操作失误或采取了不正常的工作条件, 出现了过大的电压或电流, 特别是浪涌和静电脉冲, 就很容易使运放受损或失效 图 3-12 所示在运放差模输入端采取的过压损伤保护方法 如图所示的积分电路中, 如果电容充放电到高电位, 然后切断电源电压, 就会在输入端产生瞬态电压, 并出现大的放电电流, 导致运放受损 如果电容值较大 ( 如大于 0.1μF), 这种效应将会十分显著 图 3-12 TVS 保护集成运放如图采用简单的保护电路, 就能有效地防止差模电压过大, 导致运放内部的电路失效 3.9 TVS 抑制电磁脉冲干扰实例美国哈里斯公司对电子元器件抗辐射的论文中, 谈及核爆炸引发强大的电磁脉冲, 这种电脉冲在导线中引起感应电压, 如果感应电压超过器件的击穿电压, 就可能使元器件击穿失效, 特别长线传输时, 更能感应而产生较高的电压 103

110 用瞬变电压抑制二极管并联在信号线及电源线上, 可以吸收电磁脉冲引起的感应电压, 保证系统的可靠性, 避免辐射损坏元器件 3.10 用 TVS 防止感应雷电损坏微机系统实例广州深圳海关计算机加上瞬变电压抑制器, 提高了应用可靠性, 受到用户好评 南方打雷很多, 雷电感应电压常常把计算机网中的部分计算机的集成电路击穿 每年有不少联网计算机因雷击而损坏, 原因是分机与主机之间有 200 米以上的电缆, 电缆中因雷电感应产生瞬态高压把计算机中的元器件击穿而损坏, 产生较大的损失, 在微机中加装很多瞬变电压抑制二极管后不再损坏 实践说明瞬变电压抑制二极管很实用, 能提高整机应用可靠性, 会产生较大的经济效益 还有很多应用, 例如对 VMOS 大功率三极管, 在栅极与源极之间加上瞬变电压抑制二极管, 可以防止栅极击穿 ( 见图 3-13) 提高 VMOS 功率管的应用可靠性 图 3-13 VMOS 管栅极加上 TVS 管 第四章 TVS 的质量与可靠性 TVS 的可靠性是由器件的固有可靠性和应用可靠性两部分组成 4.1 器件的固有可靠性固有可靠性是通过器件的设计 制造及有效的工艺筛选进行保证的 器件在设计时应充分考虑产品的应用环境可能带来的各种应力对器件性能的影响, 在器件的电特性 机械特性和热特性等各因素的设计上应保证使用并留有一定的余量 在制造过程中进行有效的质量控制和可靠性筛选, 剔除早期失效产品, 同时规定合理的使用条件, 从而提高器件的固有可靠性 军品的一般筛选程序内部目检 高温贮存 温度循环 恒定加速度 高温反偏 中间电参数测试 功率老炼 最后测试 密封 外观及机械检验 ( 试验方法见 GJBl28-97 中相应条款 ) 老炼筛选 : TVS 进行老炼筛选, 其筛选方法一般如下 : 104

111 A 高温反偏试验( 稳态工作寿命试验 ) 条件是 :(1) 温度 125 ; (2) 施加 0.8 倍 V RWM 的反向电压 ; (3) 时间 96 小时, 对于双向器件两个方向各做 48 小时 ; (4) 复测电参数符合规定 B 功率老炼( 即脉冲通电试验 ) 条件是 :(1) 环境温度 25 ( 室温下 ); (2) 用最大脉冲峰值电流对器件冲击 20 次, 如果是双向器件, 则两个方向各冲击 10 次, 冲击间隔时间 1 分钟 ; (3) 复测器件电参数符合规范值 对于军用器件可按国家军标总规范 (GJB33A-97) 和行业军标详细规范规定进行, 经过筛选剔除早期失效产品, 提高器件的固有可靠性, 还要做严格的鉴定试验和质量一致性试验确保产品质量 失效模式美国军标在 TVS 管的广泛试验中, 认为 (1) 脉冲峰值功率 ;(2) 脉冲峰值电流 ;(3) 反向漏电流三个参数最重要, 作为 TVS 管的应用实质, 必须经受较高的脉冲功率, 如果脉冲峰值功率超过额定值, 则芯片引起龟裂, 可能导致器件短路或开路, 如果是开路, 则失去保护功能, 尚不至对整机系统产生严重影响, 如果是短路, 则可以使整机系统产生严重故障, 所以应当特别避免短路失效 怎样避免短路失效, 工艺上可增加敲击或振动试验, 剔除内接触不良或瞬间短路产品, 应用时关键是要脉冲峰值功率不超过额定值, 做到充分的降额使用, 留有充分的余量, 提高 TVS 管的应用可靠性 4.2 应用可靠性应用可靠性是通过正确选用器件及器件周边的线路设计 机械设计和热设计等来控制器件在整机中的工作条件, 防止各种不适当的应力或操作给器件带来损伤, 从而最大限度地发挥器件的固有可靠性 最大脉冲功率 P PR / 最大脉冲电流 I PP 随温度降负荷曲线为了提高应用可靠性, 大多采用降额准则, 例如原来额定电流 10A, 为了提高应用可靠性规定只用 5A 在 25 时功耗为 100w, 到 85 时只用 50W 等等, 如选择恰当, 应用合适的确可以大大提高元器件的应用可靠性 TVS 管的最大脉冲峰值功率 P PR 和最大脉冲峰值电流 I PP 随温度的降负荷曲线见图 4-1 由图可见, 环境温度 25 及以下时, 可以 100% 应用, 随温度升高降额使用 由图推算 T A =100 时, 只能用 50% 所以应用 TVS 管必须注意环 105

112 境温度的影响 图 4-1 脉冲峰值功率降负荷曲线 脉冲峰值功率与脉冲时间的关系曲线由图 4-2 可见, 脉冲峰值功率与脉冲时间的关系极大 例如对 500W 脉冲峰值功率的 SY6103~SY6137 来讲,lms 时为 500W, 到 10ms 时只有 150W, 但是到 0.005ms( 即 5μs) 时可达到 5000W 左右 虽然规定是 lms 之内的脉冲峰值功率的管子, 但对某些短窄的高速脉冲则有更大的吸收能力 最大稳态功耗随温度的降负荷曲线 TVS 管在稳态时可以作普通稳压管用, 此时有一个最大稳态功耗, 例如 SY6139~ SY6173 瞬态功率为 1500W, 稳态功率为 3W,SY5555~5558 瞬态功率为 1500W, 而稳态功率为 1W, 这些功率都是在 25 室温时的功率 如果环境温度上升, 则应降负荷使用, 见图 4-3 当然 T A 低于 25 时, 稳态功耗尚可适当增加 为了增加应用可靠性, 即使在常温 T A =25 时, 还要降额约 50% 使用, 例如 T A =25 P z =3W, 如果是稳态 连续工作, 实际上只用 1.5W 左右 4-2 脉冲峰值功率与脉冲时间的关系 106

113 图 4-3 最大稳态功耗随环境温度的降负荷曲线 4.3 国内外已出版的有关瞬态电压抑制二极管标准 美国已出版的军用标准 1)MIL-S-19500/434B(1)-93 JAN JANTX JANTXV 和 JANS 级 1N5555-1N5558 1N5610~1N5613 硅瞬态电压抑制二极管详细规范 2)MIL-S-19500/500B-93 JAN JANTX JANTXV 和 JANS 级 1N5907 1N5629-1N5665A 硅瞬态电压抑制二极管详细规范 3)MIL-S-19500/516B(2)-92 JAN JANTX JANTXV 和 JANS 级 1N6102~lN6137 1N6102A~1N6137A 1N6138~1N6173 1N6138A~lN6173A 硅双向瞬态电压抑制二极管详细规范 4)MIL-S-19500/551A(1)-92 JAN JANTX JANTXV 级 1N6461~1N6468 硅瞬态电压抑制二极管详细规范 5)MIL-S-19500/552-8l JAN JANTX JANTXV 级 1N6469~lN6476 硅瞬态电压抑制二极管详细规范 6)MtL-S-l9500/507B-93 JAN JANTX JANTXV 和 JANS 级 1N6036~1N6072 1N6036A~1N6072A 硅双向瞬态电压抑制二极管详细规范上述六个军标准覆盖了单 TVSl34 个品种和双向 TVSl46 个品种共计 280 个型号, 工作电压从 5.5V~200V 范围 国内已出版的瞬态电压抑制二极管标准 1)SY6103~SY6137 SY6139~SY6173 型瞬变电压抑制二极管详细规范航空航天工业部标准 :QJ 最大脉冲功率 :500W~1500W 工作电压:5.7V~152V 包括单向 140 个品种 双向 140 个品种 2) SY5629~SY5665 SY5629A~SY5665A 型硅瞬态电压抑制二极管详细规范 107

114 细规范 细规范 电子行业军用标准 :SJ50033/ 最大脉冲功率 :1500W 最大工作电压 :5.5V~171V 包括 72 个品种 3) SY5633~SY5650 型硅瞬变电压抑制二极管详细规范 国营第八七三厂企业军用标准 :Q/FR 最大脉冲功率 :1500W 最大工作电压 :8.1V~41.3V 包括 18 个品种 4)SY5643A SY5645A SY5646A SY5648A SY5650A 型硅瞬变电压抑制二极管详 国营第八七三厂企业军用标准 :Q/FR 最大脉冲功率 :1500W 最大工作电压 :21.8V~43.6V 包括 5 个品种 5)SY5633A~SY5642A SY5644A SY5647A SY5649A 型硅瞬态电压抑制二极管详 国营第八七三厂企业军用标准 :Q/FR 最大脉冲功率 :1500W 最大工作电压 :8.55V~40.2V 包括 13 个品种 6)SY5651A~ SY5657A 型硅瞬态电压抑制二极管详细规范 国营第八七三厂企业军用标准 :Q/FR 最大脉冲功率 :1500W 最大工作电压 :45.4V~85.5V 包括 7 个品种 4.4 最大箝位电压 V C (mx) 的测试方法 目的 本测试的目的是为了在规定条件下确定 TVS 的箝位电压是否符合规定的极限值 电路图 测试电路图见图 A 电路说明和要求 G 为脉冲电流发生器 ; R 1 为电流 I P 调节电位器 ; R 为电流 I P 取样电阻 ; D 为被测瞬变电压抑制二极管 ; V C 为峰值电压表 ; V S 为偏置电压源 ; 图 A1 箝位电压测试电路图 108

115 D 1 为隔离二极管 ; R 2 为偏置电流调节器 测试步骤 ) 将环境温度控制到规定条件 ; b) 调节 R 2, 使偏置电流达到规定值 ; c) 调节 R 1 使其流过二极管的脉冲电流符合规定条件的要求 ; d) 合上开关 S, 在 V C 表上读出箝位电压 V C 规定条件 ) 环境温度 T A =25 ; b) 偏置电流值 ; c) I P 为指数波形,0.1I PP 到 0.9I PP 的上升时 间 t r =10μ s, 在 t P =lms(+10%,-0) 时下降到 I PP 的 50%, 波形见图 A2 图 A2 脉冲电流波形 ( 指数波 ) 109

116 稳压二极管测试筛选方法 1 产品分类 1.1 封装分类 A 玻璃钝化封装 B 金属封装 C 玻壳封装 D 陶瓷贴片封装 1.2 电气属性分类 A 电压调整二极管 B 瞬态电压抑制二极管 C 低温度系数电压基准二极管 1.3 结构分类 A 合金型二极管 B 外延型二极管 C 扩散型二极管 2 高温贮存试验试验目的 : 确定器件在高温条件下贮存适应能力 试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 1032 执行 将器件置放于高温箱内, 按照详细规范规定设置高温箱温度与贮存时间 注意事项 : 1) 温度设置必须严格按照规范值设置, 若超温会导致 :1 二极管引线因氧化而发黑 2 印章会发黑, 甚至脱落 因此, 该实验过程中必须定时检查高温箱温度 2) 高温贮存时间也需严格按规定值进行, 器件长时间处于高温下, 会导致器件性能退化, 外观受损 3) 实验结束后, 不应立即从高温箱内取出实验二极管, 待高温箱降温至室温时方可取出实验管经行下一步实验 4) 该实验考核器件高温适应能力, 检测方法有 :1 外观检查 2 机械性能检查 3 电参数检测 在电参数检测时, 应在结束本试验后的 96h 内完成, 否则该测试无效 3 温度循环试验试验目的 : 考察器件在较短时间内对高温和低温的承受能力 试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 1051 执行 将器件置放于高低温循环箱内, 设置工作区内的高低温参数, 高低温保持时间以及温度转换时间 温度循环次数 注意事项 : 1) 温度设置必须严格按照规范值设置, 若超温会导致 :1 二极管引线因氧化而发黑 2 印章会发黑, 甚至脱落 因此, 该实验过程中必须定时检查高低温箱温度 2) 温度循环次数也必须严格按规定值进行, 器件较长时间处于超高低温交替下, 会导致器件性能退化, 外观受损, 封装体出现裂纹或断裂, 芯片龟裂等 3) 该实验考核器件高低温适应能力, 检测方法有 :1 外观检查 2 机械性能检查 3 电参数检测 在电参数检测时, 应在结束本试验后的 96h 内完成, 否则该测试无效 110

117 4) 试验过程中, 试验管应放置于夹具中, 留有一定间隔距离 4 恒定加速度试验试验目的 : 确定器件在离心力下的适应能力试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 2006 执行 将器件置放于离心设备夹具上, 按照详细规范规定设置离心加速度值以及在离心力方向上的保持时间 注意事项 : 1) 试验过程中注意保护好器件引线, 避免划伤 2) 放置位置必须正确 如位置不正确, 会对器件非试验方向上产生一个极大的应力而损坏器件 3) 严格按照产品规范规定设置离心加速度值与保持时间, 加速度值越大, 产生的离心力越大, 器件受到的应力也越大, 超过规范的加速度值可能会导致二极管结构上的损坏 5 颗粒碰撞噪声试验试验目的 : 检测器件内腔的自由粒子, 对于残留物 试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 2052 执行 将器件用粘附剂粘接于试验振动台上, 按照规范要求设置冲击加速度与振动频率 注意事项 : 1) 严格按规范值设置振动频率及加速度值, 频率过高或加速度过大均会导致器件本生的结构损坏 6 功率老炼 6.1 电流老化试验目的 : 剔除有隐患的器件, 考核器件对额定最大功率的承受能力 试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 1038 执行试验条件 B 稳态工作功率老炼执行 将试验管安装于老化夹具上, 设置上限电压, 施加额定反向老化电流 I ZM 注意事项 : 1) 在整个二极管电流老化过程中, 必须保证器件具有良好的散热条件, 必要时, 需加装散热片辅助散热 2) 二极管安放于夹具上时, 注意保护引线不被夹具划伤 3) 该试验方法一般使器件处于最大额定功率条件下, 若电流超过最大额定值, 会使二极管结温超过额定值而烧毁 PN 结 4) 在试验过程中, 必须保证二极管与夹具接触良好, 若是接触不良, 由于电流源检测不到负载而增大输出电压, 该电压极易造成二极管由于过压击穿, 甚至管体炸裂 5) 试验时间也必须按规范要求值进行, 器件长时间处于最大额定功率下, 会导致器件性能 111

118 退化 6) 应防止器件接反 器件接反时, 电流有正向 PN 流过, 失去电流老化的目的 6.2 高温反偏试验目的 : 剔除有隐患的器件, 考核器件高温条件下的承受能力 试验方法 : 参考 GJB128A-97 方法号 1038 试验条件 A 高温反偏执行 将试验管安装于老化夹具上, 设置上限电流, 施加额定反向电压 V RWM 注意事项 : 1) 高温箱试验温度为规范规定值, 若温度过高, 容易导致二极管 PN 结结温过高, 在反偏电压产生的电场作用下损坏二极管 2) 二极管安放于夹具上时, 注意保护引线不被夹具划伤 3) 设置反偏电压时, 严格按产品规范值施加, 大于 V RWM 时, 器件反向漏电流会增加, 此时器件的功耗会加大, 产生的热量不易散失, 从而导致器件烧毁 4) 反偏时间必须严格按照规范值进行, 器件长时间处于高温反偏条件下, 会导致器件性能退化 5) 应防止器件反接, 如反接容易导致试验设备电源保护或者烧毁试验设备 6.3 Ip 浪涌冲击试验目的 : 剔除有隐患的器件, 考核器件对反向浪涌电流的承受能力 试验方法 : 注意事项 : 1)I p 浪涌冲击电流严格按规范规定执行, 过大的脉冲电流会使二极管曾受较大的瞬时功耗, 使二极管结温快速上升, 从而烧毁二极管 2) 二极管连续 I p 冲击间隔时间必须大于 1min, 使器件在前次浪涌下积累的热量得以散失, 如小于该时间, 会导致二极管内部积累大量热量而损坏该器件 3) 浪涌电流需选择 tr/tp 为 10us/1000us 标准波, 其他波形测试时, 需要严格计算其携带的瞬时能量, 从而选择合适的脉冲宽度与电流强度 4) 最大箝位电压 V C 测试, 需用专门开尔文夹具进行测量 (4 线测量 ),V C 测试点应选取引线距离管体 10mm 处 传输线均具有一定电阻, 在大的 I P 电流值下, 所产生的压降不能忽略, 因此 V C 测试点不同, 所测量的 V C 值也不尽相同 5)I p 电流冲击时, 必须保证接触良好, 在大电流下, 接触不良会产生电火花, 损伤引线或管体 6) 二极管应正确放置于测试夹具之上, 避免引线划伤 7 气密性试验 112

119 试验目的 : 检测金属封装瞬变电压抑制二极管气密性 7.1 粗检漏试验方法 : 参考 GJB-128A-97 方法号 1071 执行 将待测器件用氮气加压 ( 压力大小与保持时间随器件空腔体积不同而不同, 具体参考 GJB-128A-97 方法号 1071), 然后放置于温度为 125 氟油中, 浸没深度至少为 50mm, 浸泡时间至少为 1min, 在光源照射下观察气泡 注意事项 : 1) 试验过程中, 氟油温度维持在 125 ±5, 温度过高过低均会导致观察结果不准确 2) 试验结束后, 清洗器件时, 不应划伤器件表面及引线, 应注意保护印章不被损坏 7.2 细检漏试验方法 : 参考 GJB-128A-97 方法号 1071 执行 将待测器件用氦气加压 ( 压力大小与保持时间随器件空腔体积不同而不同, 具体参考 GJB-128A-97 方法号 1071) 然后放置于氦质谱检漏仪中, 在真空容器内检测氦气残留量 注意事项 : 1) 氦质谱检漏仪的真空度与检测灵敏度应满足检测要求 2) 加压结束后到氦质谱检测中间停留时间应小于 1h, 超过该时间, 将会导致测试结果错误 8 X 光照射照相检验试验目的 : 非破坏性的方法检测密封管壳内缺陷, 特别是封装材料内部缺陷以及芯片焊接缺陷 试验方法 : 参考 GJB 128A-97 方法号 2076 执行 将待测器件安装于夹具之上, 平放于 X 光透射仪检测箱内, 调整 X 光透射强度, 使得 0.025mm 的物体有清晰图像 第一次照相完成后, 关闭 X 射线, 取出待测二极管, 沿顺时针方向旋转 90 度, 重复照相 注意事项 : 1)X 射线电压不应超过 150KV, 过高的照射能量会使器件受损 2) 要求 X 射线照相系统分辨率大于 0.025mm 9 电参数测量试验目的 : 检测器件各项电参数是否满足规范要求 试验方法 : 参考 GB/T 第 Ⅳ 章第二节 9.1 电参数测试方法分类二极管电参数测试方法一般可分为直流测试法与脉冲测试法二类 直流法是指给器件通过稳定的直流电压或电流, 当器件达到热平衡后, 开始测量所需参量 当器件未达到热平衡时, 所测量的结果是不准确的 直流法需要的测试时间较长, 不适合规模化测试 113

120 脉冲法是指给器件施加一定脉冲宽度的电流或电压信号, 在施加信号末端测量所需参量 脉冲法对测试系统具有较高要求, 测试速度快, 适合计算机测量系统 PN 结具有明显的温度特性, 在不同结温下的电参数也不尽相同 因此, 无论是哪一种测试方法, 在测试过程中, 施加的测试信号不应使器件的结温发生明显变化 在无特殊说明时, 测试环境温度为 25 ±5, 相对湿度为 45%~75%, 大气压力 86~106kP 理论上, 只要施加于器件的测试功率不足以使器件温度发生明显变化, 则直流法与脉冲法的测试结果应相同, 如果对测试参数有争议时, 选取直流测试法仲裁 我厂测试方法选用脉冲测试法, 具体方法参考 GB/T 第四章 9.2 玻璃钝化封装稳压二极管参数测试玻璃钝化封装稳压二极管是指我厂生产的 BWA 系列 BWB 系列 BWC 系列 BWD 系列等稳压二极管 这类二极管具有较大温度系数 (>100ppm), 一般用于简单稳压 电压分段 降压 限幅 小功率反向浪涌吸收 低压整流等场合 属于一般稳压二极管, 多处于直流工作状态下, 在参数测试时, 需要测量的电参数有 : 正向压降 V F, 击穿电压 V BR, 常温漏电 I R1, 动态电阻 Z Z1, 高等级二极管或用户特殊要求需要测试高温漏电 I R2, 低温动态电阻 Z Z2, 功率老练前后参数变化量 测试要点 : 1 不同的测试系统, 测量精度与稳定性不同, 因此每次测试前, 需要用标准样管或自检程序对整个测试系统进行检查校准, 不进行该操作, 有可能会导致测试结果出现偏差 2 测量夹具必须使用 4 线测试夹具 ( 开尔文夹具 ), 距离引线根 10mm 处为测量点 ( 轴向二极管安装时, 引线 10mm 处焊接于印刷电路板上 ) 3 在测量时, 测试系统的最大输出电压不应设置过高, 一般大于 V BR 规范值 5V~10V, 设置过高的输出电压在接触不良时可能会导致二极管烧毁 4 测试时, 环境温度必须稳定, 且保证测试环境温度与湿度满足测试要求, 测试机房若是采用空调恒温, 避免恒温气流直接流向测试夹具位置 同时避免其他热源对待测二极管的影响 5 待测二极管在测试时, 测试人员必须戴细砂手套或指套测量, 测试前也勿用手紧握玻璃球, 这会导致二极管壳温上升, 使测量结果出现偏差 6 测量时, 必须保证引线与夹具接触良好, 特别是低温参数测试时由于引线结冰可能会导致接触不良 7 高低温参数测量时, 高低温箱的温度达到预定温度时, 必须恒温 30min 以上, 以使器件达到完全热平衡状态, 未恒温或恒温时间不到 30min, 测试结果不准确 8 数据读取时, 一般取 4 位有效位数, 超出部分不作器件参数判别标准 114

121 9.3 低温度系数电压基准二极管电参数测试低温度系数电压基准二极管主要指我厂外延型带有正向 PN 结补偿的二极管, 有玻璃钝化封装和玻壳封装二类 这类二极管属于复合型二极管, 具有较好的温度系数 (<100ppm), 一般用于精密电路中作为电压参考, 如精密稳压电路 ADC/DAC 电压参考等 除测量一般二极管电参数外, 还应测量二极管温度系数 测试要点 : 1 测量温度系数时, 对测试中使用的电流源电压表具有较高要求 ( 保证 5 位有效位数 ), 电流源不低于 5 位半, 电压表不低于 7 位半 2 三温参数测试时, 要求高低温箱具有良好的恒温效果, 温度不稳定直接导致测量的温度系数错误 3 测量时, 温度达到测量要求温度后, 至少保持该温度 30min 方可记录数据测试数据 在器件未完全达到热平衡时所测试的参数视为无效参数 4 其他电参数测试要点参考玻璃钝化封转稳压二极管测试要点 9.4 瞬变电压抑制二极管电参数测试瞬变电压抑制二极管是指我厂生产的 SY50 系列单向 SY60 系列双向瞬变电压抑制二极管, 有轴向金属封装与陶瓷贴片封装二类 这类二极管有较大功率的峰值脉冲吸收能力, 在电路中作为保护器件使用 电路中未出现浪涌电流时, 器件处于未击穿状态, 一般用于电源浪涌吸收 电压箝位 传感器保护 数据接口保护 ( 低结电容瞬变电压抑制二极管 ) 等电路结构中 需要测试的电参数有 : 正向电压 V F, 击穿电压 V BR1, 漏电流 I R1, 箝位电压 V C 高等级二极管或有用户特殊需要时, 还需测量高温漏电 I R2 和低温击穿电压 V BR2 测试要点 : 1 V C 测试时, 务必使用开尔文测量夹具, 因其测试浪涌电流 IP 一般比较大, 故测试夹具需保证大电流接触时不产生电火花 2 测试所使用的浪涌电流 IP 需选用标准波, 即 tr/tp=10us/1000us 不同的测试波形所携带的能量不一致, 过大的测试电流或过长的脉冲宽度均会导致器件损坏 ( 前者使芯片电流密度超过设计电流密度, 后者使二极管结温超过设计结温 ) 3 当瞬态电压抑制二极管吸收浪涌电流时, 会使 PN 结结温快速上升 为保证二极管上次吸收浪涌电流时积累的热量能正常散失, 下次浪涌电流输入时间需大于 1min 否则会导致二极管结温上升过快, 超过最大设计结温而损坏 4 其他电参数测试要点参考玻璃钝化封转稳压二极管测试要点 115

122 正向压降 反向漏电流测试方法原理介绍 一 正向电压的测试方法正向电压的测试方法常用的有以下几种 : ) 平均正向电压测试法 在额定的交流电流的条件下, 国内通常是采用 50Hz 的正弦半波来测试二极管两端电压的方法, 我们称之为平均正向电压测试法, 方法实用简单, 在我国 60 年代得到了广泛的应用, 其电原理图如下 : 图 1 正向平均电压测试原理图图中,D 为被测二极管 ;G 1 为高阻抗可调电流源 ;A 为平均值电流表 ; V 为平均值电压表 ; R 1 和 D 1 的作用是保证负半波的反向偏置电压使被测二极管和 D 1 反偏时电压几乎都由 D 1 来承担 ;D 2 为负半波整流二极管 在测试的过程中, 我们可通过调节交流电流源的大小, 使流过被测二极管的电流达到规定值, 这时在平均值电压表上即可测得二极管的正向平均电压 其波形如 4 图所示 : 图 2 二极管正向平均电压波形 116

123 b) 脉冲法脉冲法是采用瞬间加载一个持续的恒定直流电流来测试二极管的正向电压的方法与直流法相似, 它是在很短的时间 ( 一般在 0.3mS) 完成整个测试, 就是说被测器件加一个瞬间的规定电流, 同时, 测出器件的正向电压, 相当于瞬间直流测试 所以叫脉冲法 其优点如下 : 1. 由于其测试时间很短, 不会引起被测二极管的结温升高, 这样就可以测得在规定温度下的正向压降 2. 测试速度快, 效率高, 可用于大批量自动化生产 3. 测试设备所需的功率较低 4. 可实现与计算机等设备互联, 方便快捷 5. 不会对二极管的电性能参数造成不可恢复性破坏 随着半导体分立器件行业的发展, 该测试方法目前已在国内被广泛采用 其测试原理图如下 : 图 3 脉冲电压测试原理图 测试中, 我们通过设置脉冲电流源的大小, 使流过被测二极管的电流达到规定值, 在采 样保持电压表上测得二极管的脉冲正向电压 被测二极管的电流 电压波形如下 : 图 3-4 脉冲电压测试波形 117

124 和平均电压测试法不同的是, 平均电压测试法是在一个正弦半波的周期内, 测试电流时动态变化的, 整个测试过程的正向压降也是动态变化的, 而脉冲法在整个测试很短的周期内其测试电流是不变的, 因此在整个测试过程测得的正向电压也是保持恒定的 除以上介绍的两种测试方法外, 还有直流法和示波器法 直流法是在被测二极管上加上一个持续恒定的直流电流来测试二极管的正向电压 示波器法则是通过在示波器上调节不同的测试电流来观察被测二极管在该电流条件下的正向压降, 属瞬时值测试 在忽略测试电流会使二极管的温度升高的前提下, 采用相同的测试电流, 脉冲法 直流法以及示波器法测试出来的正向压降值是一样的 因此, 直流法和示波器法, 在这里将不再阐述 二 反向漏电流的测试方法反向漏电流的测试方法常用的有以下几种 : ) 反向平均电流法在规定的交流反向电压条件下, 测量二极管的反向平均值电流的方法 我们称之为反向平均电流法, 其电原理图如下 : 图 5 反向平均电流测试原理图 电路中,D 为被测二极管 ;D 1 和 D 2 为提供负半周通路的二极管, 这样使测量的仅仅是整流二极管的反向特性 ;R 1 为限流电阻器 ;G 为可调交流电压源测量时, 调节交流电压源, 使被测二极管两端的峰值电压 V RM 达到测试的规定值 ; 从电流表上读得反向平均漏电流 I R (AV) 下面是被测二极管上通过的反向电流波形可能会出现的几种情况 : 118

125 图 3-6 反向平均电流波形图从分析的几种情况可以看到, 由于反向平均电流值是在测试的正弦半波周期内的测得的各瞬时反向电流值相加, 并在周期内求平均所得, 因此不同的反向瞬时电流波形, 说明被测二极管的反向特性不同, 而最高峰值电压 VRM 下的反向瞬时电流与整个周期内的反向平均电流没有任何规律可循 但可以确定的是最高峰值电压 VRM 下的反向瞬时电流肯定比反向平均电流要大 直流法在规定的反向电压下, 用直流法测量整流二极管的反向电流 其电原理图如下 : 图 3-7 反向直流测试原理图 119

126 电路中,D 为被测二极管 ;R 为限流电阻器 ;G 为可调直流电压源 ; 测量时, 调节直流电压源, 使被测二极管两端的电压 V R 达到规定值 ; 从电流表上读得 反向电流 IR, 被测二极管上的反向电压波形和反向电流波形如下 : 图 3-8 二极管反向直流测试波形除以上两种测试方法外, 还有脉冲法 有正向平均电流功耗的反向平均电流法以及示波器法 反向漏电流测试方法中的脉冲法和示波器法与前面介绍的正向电压测试方法中的脉冲法和示波器法相似 在忽略温度影响的条件下, 采用相同的测试条件, 这两种测试方法与直流法的测试结果也基本是一样的 而有正向平均电流功耗的反向平均电流法, 则是模拟二极管在实际电路中作整流用时, 其反向电流的水平还受到了工作电流的影响, 因此该测试方法是在测试反向平均电流的正半波上加上一个正向电流来测试二极管的此时反向平均电流值 除示波器法外, 其它几种测试方法都较常用 ; 随着科技的发展, 脉冲法得到了广泛的应用, 现在普遍应用的是直流法与脉冲法 120

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