一、概述

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铸殷
8 years ago
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1 一概述 TM629C TM629C 是带键盘扫描接口的 LED( 发光二极管显示器 ) 驱动控制专用电路, 内部集成有 MCU 数字接口数据锁存器 LED 高压驱动键盘扫描等电路主要应用于冰箱空调家庭影院等产品的高段位显示屏驱动二特性说明采用功率 CMOS 工艺显示模式 5 段 8 位键扫描 (8 it) 辉度调节电路 ( 占空比 8 级可调 ) 串行接口 (CLK,,) 振荡方式 :RC 振荡内置上电复位电路采用 SOP32 封装三管脚定义 TM629C 26 CLK 8 (TOP VIEW) 25 K0 VDD SEG/KS /KS2 /KS3 /KS4 /KS GRD8 VDD SEG SEG0 KS8/ KS7/ KS6/ Titn Miro Eltronis V.2

2 四管脚功能说明 TM629C 符号管脚名称说明数据输入 / 输出在时钟上升沿输入 / 输出串行数据, 从低位开始片选在上升或下降沿初始化串行接口, 随后等待接收指令为低后的第一个字节作为指令, 当处理指令时, 当前其它处理被终止当为高时,CLK 被忽略 CLK 时钟输入时钟上升沿输入 / 输出串行数据 K0 键扫数据输入输入该脚的数据在显示周期结束后被锁存 SEG/KS~/KS8 输出 ( 段 ) 段输出 ( 也用作键扫描 ),P 管开漏输出 ~ 输出 ( 段 ) 段输出,P 管开漏输出 ~ 输出 ( 位 ) 位输出,N 管开漏输出 VDD 逻辑电源接电源正逻辑地接系统地注意 : 口输出数据时为 N 管开漏输出, 在读键的时候需要外接 K-0K 的上拉电阻本公司推荐 0K 的上拉电阻在时钟的下降沿控制 N 管的动作, 此时读数时不稳定, 你可以参考图 (6), 在时钟的上升沿读数才时稳定芯片内部电路 0K CT 图 () Titn Miro Eltronis V.2 2

3 TM629C 五指令说明指令用来设置显示模式和 LED 驱动器的状态在下降沿后由输入的第一个字节作为一条指令经过译码, 取最高 B7 B6 两位比特位以区别不同的指令 B7 B6 指令 0 数据命令设置 0 显示控制命令设置地址命令设置如果在指令或数据传输时被置为高电平, 串行通讯被初始化, 并且正在传送的指令或数据无效 ( 之前传送的指令或数据保持有效 ) 5. 数据命令设置 : 该指令用来设置数据写和读,B 和 B0 位不允许设置 0 或 MSB LSB B7 B6 B5 B4 B3 B2 B B0 功能说明写数据到显示寄存器数据读写模式设置 0 0 读键扫数据 0 无关项, 填 0 自动地址增加地址增加模式设置 0 0 固定地址 0 0 测试模式设置 ( 内普通模式 0 部使用 ) 测试模式 5.2 地址命令设设置 : MSB LSB B7 B6 B5 B4 B3 B2 B B0 显示地址 C0H CH C2H 0 0 C3H C4H 0 0 C5H 无关项, 0 0 C6H 填 0 0 C7H C8H 0 0 C9H 0 0 CAH 0 CBH 0 0 CCH 0 CDH 0 CEH CFH Titn Miro Eltronis V.2 3

4 SEG SEG0 SEG TM629C 该指令用来设置显示寄存器的地址 ; 如果地址设为 D0H 或更高, 数据被忽略, 直到有效地址被设定, 上电时, 地址默认设为 00H 5.3 显示控制 : MSB LSB B7 B6 B5 B4 B3 B2 B B0 功能说明设置脉冲宽度为 / 设置脉冲宽度为 2/ 设置脉冲宽度为 4/6 0 0 设置脉冲宽度为 0/6 消光数量设置 0 无关项, 填 0 0 设置脉冲宽度为 / 设置脉冲宽度为 2/6 0 0 设置脉冲宽度为 3/6 0 设置脉冲宽度为 4/6 0 0 显示关显示开关设置 0 显示开六显示寄存器地址该寄存器存储通过串行接口从外部器件传送到 TM629C 的数据, 地址从 C0H-CFH 共 6 字节单元, 分别与芯片 SGE 和 GRID 管脚所接的 LED 灯对应, 分配如下图 : 写 LED 显示数据的时候, 按照从显示地址从低位到高位, 从数据字节的低位到高位操作 X xxhl( 低四位 ) xxhu( 高四位 ) xxhl( 低四位 ) xxhu( 高四位 ) B0 B B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B B2 B3 B4 B5 B6 B7 C0HL C0HU CHL CHU C2HL C2HU C3HL C3HU C4HL C4HU C5HL C5HU C6HL C6HU C7HL C7HU C8HL C8HU C9HL C9HU CAHL CAHU CBHL CBHU CCHL CCHU CDHL CDHU CEHL CEHU CFHL CFHU 图 (2) 写 LED 显示数据的时候, 按照从低位地址到高位地址, 从字节的低位到高位操作 ; 在运用中没有使用到的 SEG 输出口, 在对应的 BIT 地址位写 0 Titn Miro Eltronis V.2 4

5 七键扫描和键扫数据寄存器 : 键扫矩阵为 8 it, 如图 (3) 所示 : TM629C KS8 KS7 KS6 KS5 KS4 KS3 KS2 KS K0 图 (3) 键扫数据储存地址如图 (4) 所示, 先发读键命令后, 开始读取按键数据 BYTE BYTE4 字节, 读数据从低位开始输出, 芯片 K 和 KS 引脚对应的按键按下时, 相对应的字节内的 BIT 位为 B0 B B2 B3 B4 B5 B6 B7 X X X K0 X X X K0 KS KS2 BYTE KS3 KS4 BYTE2 KS5 KS6 BYTE3 KS7 KS8 BYTE4 图 (4) 注意 : TM629C 最多可以读 4 个字节, 不允许多读 2 读数据字节只能按顺序从 BYTE-BYTE4 读取, 不可跨字节读例如 : 硬件上的 K0 与 KS8 对应按键按下时, 此时想要读到此按键数据, 必须需要读到第 4 个字节的第 7BIT 位, 才可读出数据八显示驱动共阴数码管: SEG SEG DPY A B C D E F [LEDn] G 图 (7) 图 7 给出共阴数码管的连接示意图, 如果让该数码管显示 0, 那你需要在为低电平的时候让 SEG,,,,, 为高电平, 为低电平, 查看图 (2) 显示地址表格, 只需在 00H 地址单元里面写数据 3FH 就可以让数码管显示 0 Titn Miro Eltronis V.2 5

6 TM629C SEG H B7 B6 B5 B4 B3 B2 B B0 2 驱动共阳数码管 : SEG DPY A B C D E F [LEDn] G SEG 图 (8) 图 8 给出共阳数码管的连接示意图, 如果让该数码管显示 0, 那你需要在,,,,, 为低电平的时候让 SEG 为高电平, 在为低电平的时候让 SEG 为低电平要向地址单元 C0H,C2H,C4H,C6H,C8H,CAH 里面分别写数据 0H, 其余的地址单元全部写数据 00H SEG C0H C2H C4H C6H C8H CAH CCH B7 B6 B5 B4 B3 B2 B B0 注意 :SEG-5 为 P 管开漏输出,-8 为 N 管开漏输出, 在使用时候,SEG-5 只能接 LED 的阳极,GRID 只能接 LED 的阴极, 不可反接 Titn Miro Eltronis V.2 6

7 九串行数据传输格式读取和接收个 BIT 都在时钟的上升沿操作 TM629C 数据接收 ( 写数据 ) CLK B0 B B2 B3 B4 B5 B6 B7 图 (5) 数据读取 ( 读数据 ) CLK B0 B B2 B3 B4 B5 B6 B7 B0 B B2 B3 B4 发读按键命令 Twit 读取按键数据图 (6) 注意 : 读取数据时, 从串行时钟 CLK 的第 8 个上升沿开始设置指令到 CLK 下降沿读数据之间需要一个等待时间 Twit( 最小 2μ S) 具体参数见时序特性表十应用时串行数据的传输 : () 地址增加模式使用地址自动加模式, 设置地址实际上是设置传送的数据流存放的起始地址起始地址命令字发送完毕, 不需要置高紧跟着传数据, 最多 6BYTE, 数据传送完毕才将置高 CLK Commn Commn2 Dt Dt2 ``````` Dt n Commn3 Commn: 设置数据命令 Commn2: 设置显示地址 Dt~n: 传输显示数据至 Commn3 地址和后面的地址内 ( 最多 6yts) Commn3: 显示控制命令 (2) 固定地址模式使用固定地址模式, 设置地址其实际上是设置需要传送的 BYTE 数据存放的地址地址发送完毕, 不需要置高, 紧跟着传 BYTE 数据, 数据传送完毕才将置高然后重新设置第 2 个数据需要存放的地址, 最多 6BYTE 数据传送完毕, 置高 Titn Miro Eltronis V.2 7

8 CLK TM629C Commn Commn2 Dt Commn3 Dt2 ``````` Commn4 Commn: 设置数据命令 Commn2: 设置显示地址 Dt: 传输显示数据至 Commn3 地址内 Commn3: 设置显示地址 2 Dt2: 传输显示数据 2 至 Commn4 地址内 Commn4: 显示控制命令 (3) 读按键时序 CLK Commn Dt Dt2 Dt3 Dt4 Commn: 设置读按键命令 Dt~4: 读取按键数据 Titn Miro Eltronis V.2 8

9 No (4) 采用地址自动加一和固定地址方式的程序设计流程图 : 采用地址自动加一程序设计流程图 : TM629C 开始设置读键数据命令 ( 42H) 初始化 No 读 BTYE 内容设置写显存的数据命令, 采用地址自动加 ( 40H) 将按键值存放在 MCU 的寄存器中 No 设置起始地址 ( 0C0H) 传送数据读完 4BYTE 吗? 6BYTE 数据传送完毕了? Ys 传显示控制命令设置最高亮度 ( 8FH) Ys Ys 有按键被按下吗? 按键处理程序结束 Titn Miro Eltronis V.2 9

10 No 采用固定地址的程序设计流 TM629C 开始初始化传显示控制命令设置最高亮度 ( 8FH) 设置读键数据命令 ( 42H) 设置写显存的数据命令采用固定地址 ( 44H) No 读 BTYE 内容设置地址 ( 0C0H) 将按键值存放在 MCU 的寄存器中传送 BYTE 数据读完 4BYTE 吗? 重新设置地址 ( 0CH) 传送 BYTE 数据 Ys Ys 有按键被按下吗? 传完所有的数据按键处理程序结束 Titn Miro Eltronis V.2 0

11 TM629C Titn Miro Eltronis V.2 十一应用电路 : TM629C 驱动共阳数码屏硬件电路 SEG SEG0 SEG SEG p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p p R 0K R2 0K R3 0K C4 0 C5 0 C3 0 CLK + C 00uF C MCU 接口 CLK K0 VDD SEG/KS /KS2 /KS3 /KS4 /KS5 SEG0 SEG VDD TM629C SEG SEG SEG0 /KS6 /KS7 /KS8

12 TM629C 2 Titn Miro Eltronis V.2 TM629C 驱动共阴数码屏硬件电路 SEG R 0K R2 0K R3 0K C4 0 C5 0 C3 0 CLK + C 00uF C MCU 接口 CLK K0 VDD SEG/KS /KS2 /KS3 /KS4 /KS5 SEG0 SEG VDD TM629C SEG SEG SEG0 /KS6 /KS7 /KS8 p p p p p p p p SEG SEG SEG SEG p p p p p p p p SEG SEG SEG SEG p p p p p p p p SEG0 SEG p p p p p p p p SEG0 SEG SEG0 SEG SEG0 SEG SEG0 SEG SEG0 SEG SEG0 SEG SEG0 SEG

13 注意 : TM629C VDD 之间滤波电容在 PCB 板布线应尽量靠近 TM629C 芯片放置, 加强滤波效果 2 连接在 CLK 通讯口上三个 00P 电容可以降低对通讯口的干扰 3 因蓝光数码管的导通压降压约为 3V, 因此 TM629C 供电应选用 5V 十二电气参数 : 极限参数 (T = 25, Vss = 0 V) 参数符号范围单位逻辑电源电压 VDD -0.5 ~+7.0 V 逻辑输入电压 VI -0.5 ~ VDD V LED S 驱动输出电流 IO -50 ma LED Gri 驱动输出电流 IO ma 功率损耗 PD 400 mw 工作温度 Topt -40 ~ +80 储存温度 Tst -65 ~+50 正常工作范围 (T = -20 ~ +70,Vss = 0 V) 参数符号最小典型最大单位测试条件逻辑电源电压 VDD 5 V - 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD - VDD V - 低电平输入电压 VIL VDD V - 电气特性 (T = -20 ~ +70,VDD = 4.5 ~ 5.5 V, Vss = 0 V 参数符号最小典型最大单位测试条件高电平输出电流 Ioh ma Ioh ma S~S5, Vo = v-2v S~S5, Vo = v-3v Titn Miro Eltronis V.2 3

14 低电平输出电流 IOL ma Gri~Gri8 Vo=0.3V TM629C 低电平输出电流 Iout ma VO = 0.4V,out 高电平输出电流容许量 Itols % VO = VDD 3V, S~S5 输出下拉电阻 RL 0 KΩ K0 输入电流 II - - ± μa VI = VDD / VSS 高电平输入电压 VIH 0.7 VDD 低电平输入电压 VIL V CLK,, 0.3 VDD V CLK,, 滞后电压 VH V CLK,, 动态电流损耗 IDDyn ma 无负载, 显示关开关特性 (T = -20 ~ +70,VDD = 4.5 ~ 5.5 V) 参数符号最小典型最大单位测试条件振荡频率 os KHz R = 6.5 KΩ tplz ns CLK 传输延迟时间 tpzl ns CL = 5pF, RL = 0K Ω 上升时间 TTZH - - μs 下降时间 TTHZ - - μs CL = 300p F S~S5 最大时钟频率 Fmx - - MHz 占空比 50% 输入电容 CI pf - Titn Miro Eltronis V.2 4

15 时序特性 (T = -20 ~ +70,VDD = 4.5 ~ 5.5 V) TM629C 参数符号最小典型最大单位测试条件时钟脉冲宽度 PWCLK ns - 选通脉冲宽度 PW - - μs - 数据建立时间 tsetup ns - 数据保持时间 thold ns - CLK 时间 tclk - - μs CLK 等待时间 twait - - μs CLK CLK 时序波形图 : Titn Miro Eltronis V.2 5

16 E E A A2 A C 十三封装尺寸 (SOP32) TM629C L θ D 符号单位 (mm) 单位 (mm) 符号最小 (Min) 最大 (Mx) 最小 (Min) 最大 (Mx) A E A E A (BSC) L θ 0 7 D All sps n pplitions shown ov sujt to hn without prior noti. ( 以上电路及规格仅供参考, 如本公司进行修正, 恕不另行通知 ) Titn Miro Eltronis V.2 6

ICN2028

ICN2028 概述 DP5220B 是一款专为 LED 显示屏设计的驱动 IC, 采用 16 路恒流灌电流输出 DP5220B 集成了 Noise Free TM 技术, 具有极佳的抗干扰特性, 使恒流及低灰效果不受 PCB 板的影响并可选用不同的外挂电阻对输出级电流大小进行调节, 精确控制 LED 的发光亮度 DP5220B 在显示过程中 (OE=0) 会缓存 16bit 显示数据, 所以系统在 DP5220B

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