CM1051 系列 5 串可充电锂电池保护 IC CM1051 系列是一款专用于 5 串锂 / 铁电池的保护芯片, 内置有高精度电压检测电路和电流检测电路, 通过检测各节电 池的电压 充放电电流及温度等信息, 实现电池过充电 过放电 放电过电流 短路 充电过电流 过

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1 5 串可充电锂电池保护 IC 是一款专用于 5 串锂 / 铁电池的保护芯片, 内置有高精度电压检测电路和电流检测电路, 通过检测各节电 池的电压 充放电电流及温度等信息, 实现电池过充电 过放电 放电过电流 短路 充电过电流 过温等保护功能, 可通 过外接电容来调节过充电 过放电 过电流保护延时 功能特点 1) 高精度电池电压检测功能 : 过充电保护电压 ~ ( 步进 50 m) 精度 25 m 过充电迟滞电压 精度 50 m 过放电保护电压 ~ 精度 80 m 过放电迟滞电压 0 ~ 精度 100 m 2) 三段放电过电流保护功能 : 过电流保护电压 ~ ( 步进 50 m) 精度 15 m 过电流保护电压 ~ ( 步进 50 m) 精度 20% 短路保护电压 ~ ( 步进 100 m) 精度 20% 3) 充电过流保护电压 ~ ( 步进 50 m) 精度 30% 4) 充电器检测及负载检测功能 5) 通过外接电容可设置过充电 过放电 过电流保护延时 ; 6) 高温充放电保护及低温充电保护功能 ; 7) 电池断线保护功能 ; 8) NTC 电阻断线保护功能 ; 9) 低电流消耗 : 工作时 15 A ( 典型值 ) (Ta = +25 C) 休眠时 4.5 A ( 典型值 ) (Ta = +25 C) 10) 无铅 无卤素 应用领域 电动工具 扫地机器人 UPS 后备电源 封装 TSSOP-16 SOP16 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 1 / 12

2 系统功能框图 CC 负载 / 充电器检测电路 M C1 CO 端限压电路 C1 电压检测电路 C2 DO 端限压电路 C2 电压检测电路 C3 C4 C3 电压检测电路 过充 / 过放信号处理 逻辑处理 过流检测电路 INI C4 电压检测电路 C5 C5 电压检测电路 外置延时控制电路 温度保护检测电路 RT RTS SS TEC TOC TOD 图 1 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 2 / 12

3 命名规则 CM1051-XX 封装形式,T 代表 TSSOP-16,S 代表 SOP16 参数信息, 从 A~Z 0/1,0 代表无温度保护,1 代表有温度保护电池串数, 如 3/4/5 版本号产品系列 产品型号 产品名 过充电 保护电压 OC 过充电 解除电压 OCR 过放电 保护电压 OD 过放电 解除电压 ODR 放电过流 1 EC1 放电过流 2 EC2 短路 SHORT 充电过流 CHA CM1051-AS/AT CM1051-BS/BT CM1051-CS/CT CM1051-DS/DT CM1051-FS/FT CM1051-GS/GT CM1051-MS/MT 表 1 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 3 / 12

4 引脚排列图 1 CC M 16 2 C1 CO 15 3 C2 DO C3 C4 CM1051 INI RT C5 RTS 11 7 SS TEC 10 8 TOC TOD 9 图 2 引脚号 符号 描述 1 CC 正电源输入端子 电池 1 的正电压连接端子 2 C1 电池 1 的正电压连接端子 3 C2 电池 1 的负电压 电池 2 的正电压连接端子 4 C3 电池 2 的负电压 电池 3 的正电压连接端子 5 C4 电池 3 的负电压 电池 4 的正电压连接端子 6 C5 电池 4 的负电压连接端子 电池 5 的正电压连接端子 7 SS 芯片地 电池 5 的负电压连接端子 8 TOC 过充电保护延时用的电容连接端子 9 TOD 过放电保护延时用的电容连接端子 10 TEC 过流保护延时用的电容连接端子 11 RTS 接 NTC, 用于温度保护 12 RT 接电阻到 RTS 端子, 用于调节温度保护阈值 13 INI 过流检测端子 14 DO 过放电检测输出端子 15 CO 过充电检测输出端子 16 M 过电流保护锁定 充电器及负载检测端子表 2 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 4 / 12

5 绝对最大额定值 ( 除特殊注明以外 : Ta = +25 C) 项目 符号 适用端子 绝对最大额定值 单位 电源电压 CC CC SS-0.3 ~ SS+30 各串电池电压 CELL C1-C2, C2-C3, C3-C4, C4-C5, C5-SS SS-0.3 ~ SS+5.5 输入电压 1 IN1 TOC, TOD, TEC, RTS, RT, INI SS-0.3 ~ SS+5.5 输入电压 2 IN2 M CC-30 ~ CC+0.3 CO 输出端子电压 CO CO CC-30 ~ CC+0.3 DO 输出端子电压 DO DO SS-0.3 ~ CC+0.3 工作环境温度 TOPR 40 ~ 85 C 保存温度 TSTG 40 ~ 125 C 表 3 注意 : 所加电压超过绝对最大额定值, 可能导致芯片发生不可恢复性损伤 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 5 / 12

6 电气特性 ( 除特殊注明以外 : Ta = +25 C,) 项目符号条件最小值典型值最大值单位 正常工作电流 ICC C1=C2=C3=C4=C5= μa 休眠电流 ISTB C1=C2=C3=C4=C5= μa 过充电 保护电压解除电压保护延时 OC OCR TOC C1=C2=C3=C4=3.5, C5= C1=C2=C3=C4=3.5, C5= C1=C2=C3=C4=3.5, C5= CTOC=0.1μF OC OCR OC OCR OC OCR s 过 保护电压 OD C1=C2=C3=C4=3.5, C5= OD OD OD 放电 解除电压保护延时 ODR TOD C1=C2=C3=C4=3.5, C5= C1=C2=C3=C4=3.5, C5= CTOD=0.1μF ODR ODR ODR s 放电过流 1 保护电压保护延时解除延时 EC1 TEC1 TEC1R C1=C2=C3=3.5, INI-SS= C1=C2=C3=3.5, INI-SS= C1=C2=C3=3.5, INI-SS= CTEC=0.1μF CTEC=0.1μF EC EC1 EC s ms 放电过流 2 保护电压保护延时解除延时 EC2 TEC2 TEC2R C1=C2=C3=3.5, INI-SS= C1=C2=C3=3.5, INI-SS= C1=C2=C3=3.5, INI-SS= CTEC=0.1μF CTEC=0.1μF EC2 *80% EC2 EC2 *120% ms ms 保护电压 SHORT C1=C2=C3=3.5, INI-SS=0 0.8 SHORT *80% SHORT SHORT *120% 短路 保护延时 TSHORT C1=C2=C3=3.5, INI-SS= μs 解除延时 TSHORTR C1=C2=C3=3.5, INI-SS= ms 充电过流 保护电压保护延时解除延时 CHA TCHA TCHAR C1=C2=C3=C4=C5=3.5, INI-SS =0-1 C1=C2=C3=C4=C5=3.5, INI-SS =0-1 C1=C2=C3=C4=C5=3.5, INI-SS =-1 0 CHA *70% CHA CHA *130% ms ms 断线 保护 保护延时 TOW ms 解除延时 TOWR ms 表 4 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 6 / 12

7 功能说明 1. 过充电任意一个电池电压上升到 OC 以上并持续了一段时间 TOC 或更长, CO 端子的输出就会反转, 将充电控制 MOS 管关断, 停止充电, 这称为过充电状态 所有电池电压降低到过充电解除电压 OCR 以下并持续了一段时间 TOCR 或更长, 过充电状态解除, 恢复为正常状态 若此时连接负载 (M>EC1), 当所有电池电压降低到过充电保护电压 OC 以下时, 过充电状态解除, 恢复为正常状态, 此功能称作负载检测功能 2. 过放电任意一个电池电压降低到 OD 以下并持续了一段时间 TOD 或更长, DO 端子的输出就会反转, 将放电控制 MOS 管关断, 停止放电, 这称为过放电状态 所有电池电压上升到过放电解除电压 ODR 以上并持续了一段时间 TODR 或更长, 过放电状态解除, 恢复为正常状态 若此时连接充电器 (M<CHA), 当所有电池电压上升到过放电保护电压 (OD) 以上时, 过放电状态解除, 恢复为正常状态, 此功能称作充电器检测功能 3. 放电过电流电池处于放电状态时,INI 端电压随着放电电流的增大而增大, 当 INI 端电压高于 EC1 并持续了一段时间 TEC1 或更长, 芯片认为出现了放电过流 1; 当 INI 端电压高于 EC2 并持续了一段时间 TEC2 或更长, 芯片认为出现了放电过流 2; 当 INI 端电压高于 SHORT 并持续了一段时间 TSHORT 或更长, 芯片认为出现了短路 上述 3 种状态任意一种状态出现后,DO 端子的输出就会反转, 将放电控制 MOS 管关断, 停止放电 ; 进入放电过电流保护状态后, 如断开负载 (M<3), 放电过电流状态解除, 恢复为正常状态 4. 延迟时间的设置过充电保护延时, 当 CTOC = 0.1μF 时,TOC=1.0s; 过放电保护延时, 当 CTOD = 0.1μF 时,TOD=1.0s; 放电过流 1 与过流 2 保护延时由 TEC 端子所接电容 CTEC 共同控制, 延时时间比例为 10:1, 调节 CTOC, CTOD, CTEC 电容大小时, 各功能解除延时随保护延时等比变化 5. 温度保护充放电过程中电芯温度过高或过低都会给电芯带来损坏, 所以需要连接热敏电阻 RNTC 用于感知温度变化, 当 RTS 端子检测到的电压达到内部保护阈值电压, 维持延时 10ms 后, 即发生过温保护, 实现对电芯高低温充放电的保护 当 INI 端大于 4m 时, 芯片识别为放电状态 当发生充电高温保护时, 且芯片处于充电状态, 关断充电 MOS 管 ; 当发生放电高温保护时, 且芯片处于放电状态, 关断充电和放电 MOS 管 ; 当温度低于 -10 时, 且芯片处于充电状态, 充电 MOS 管关断, 禁止对电芯充电 RT 端子连接电阻 RT 用于设置充电高温保护阈值 THCP, RT 电阻大小取值参考表 5 放电高温保护温度 THDP 为充电高温保护温度加 20, 即 THDP=THCP+20, 低温充电保护温度 TLCP 固定为 -10 充电高温保护, 放电高温保护及低温保护三者的恢复迟滞温度均为 10 例如,RNTC 选用 100kΩ@25,THCP 设置为 50, 此时 RNTC=35.88KΩ@50,RT=3*RNTC@50 =107.64kΩ, 则, 充电高温保护恢复温度为 THCPR=THCP-10 =40 ; THDP=THCP+20 =70, 放电高温保护恢复温度为 THDPR=THDP-10 =60 ; TLCP=-10, 低温保护恢复温度 TLCPR=TLCP+10 =0 具有 NTC 断线保护功能,NTC 断线后,CO DO 端子的输出均会反转 ; 如不使用温度保护功能, 将 RTS 端子对 SS 接 1K 电阻,RT 端子悬空即可 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 7 / 12

8 ( 以常见 NTC 型号 为例 :) 充电高温保护温度点 THCP( ) 放电高温保护温度点 THDP( ) NTC 电阻 RNTC(KΩ) RT 电阻值 (KΩ) 表 1 常用温度保护点与 RT 电阻对应关系 6. 充电过电流正常工作状态下的电池, 在充电过程中, 如果 INI 端子电压低于充电过流保护电压 (CHA), 并且这种状态持续的时间超过充电过流保护延迟时间 TCHA 或更长, 则关闭充电控制用的 MOSFET, 停止充电, 这个状态称为充电过流状态 进入充电过流保护状态后, 如果断开充电器 (M>CHA) 充电过电流状态被解除, 恢复到正常工作状态 7. 断线保护正常状态下, 芯片管脚 C1 C2 C3 C4 C5 中任意一根或多根与电芯的连线断开, 芯片通过检测并判断为发生断线状态, 强制将 CO 输出为高阻态,DO 输出为低电平, 即同时关闭充放电 MOS 管, 此状态称为断线保护状态 当断开的连线重新正确连接后, 芯片退出断线保护状态 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 8 / 12

9 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 9 / 12 应用电路 1. 充放电回路共用 CM CCC RCC CC1 RC1 RC2 RC3 RC4 RC5 CC2 CC3 CC4 CC5 CTOC CC C1 C5 C3 C4 C2 SS TOC CTOD M CO RTS INI RT DO TEC TOD RT RNTC RSENSE RINI RDO RCO RM P+ CTEC RPD P-(CH-) 图 3 2. 充放电回路分开 CM CCC RCC CC1 RC1 RC2 RC3 RC4 RC5 CC2 CC3 CC4 CC5 CTOC CC C1 C5 C3 C4 C2 SS TOC CTOD M CO RTS INI RT DO TEC TOD RT RNTC RSENSE RINI RDO RCO RM P+ CTEC RPD CH- P- 图 4

10 BOM 清单 器件标识 典型值 参数范围 单位 RCC RC1 RC2 RC3 RC4 RC ~ 1 kω RNTC C kω RT 3*RNTC@THCP kω RINI ~ 2 kω RM ~ 510 kω RDO 2 1 ~ 10 kω RCO 10 1 ~ 12 MΩ RPD ~ 4 MΩ RSENSE - 可依实际过流值设定 mω CCC ~ 10μF, 耐压 25 μf CC1 CC2 CC3 CC4 CC ~ 1μF, 耐压 25 μf CTOC CTOD 0.1 可依设定选取, 耐压 10 μf CTEC 0.1 可依设定选取, 耐压 10 μf D1 1N4148 If=1mA, f<0.75 表 5 如非上述两种典型应用方案应用, 请详细咨询我司 FAE 1 其它特殊应用电路需要更改部分上述 BOM 表, 例如无检流电阻方案 P 充 N 放方案 超大电流充放电等 ; 2 RCO RDO RPD 等电阻的值是需要结合 MOSFET 的器件参数和系统级功能需求进行调试 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 10 / 12

11 封装信息 TSSOP-16 封装尺寸 符号 尺寸 (mm) 最小值典型值最大值 A A A A b b c c D E E e 0.635BSC L L1 1.00BSC θ 0 8 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 11 / 12

12 SOP-16 封装尺寸 Rev 1.7 深圳市创芯微微电子有限公司 12 / 12

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