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- 友 童
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1 集成电路制造工艺 北京大学
2 集成电路设计与制造的主要流程框架 系统需求 设计 掩膜版 芯片制造过程 芯片检测 封装 测试 单晶 外延材料
3 集成电路的设计过程 : 设计创意 + 仿真验证 功能要求 行为设计 (VHDL) 行为仿真是综合 优化 网表 否 时序仿真 是 布局布线 版图 否 设计业 后仿真 Sing off 集成电路芯片设计过程框架 是 否 From 吉利久教授
4 芯片制造过程 制造业 硅片 由氧化 淀积 离子注入或蒸发形成新的薄膜或膜层 用掩膜版重复 次 曝光 刻蚀 测试和封装
5 集成电路芯片的显微照片
6 集成电路制造工艺 图形转换 : 将设计在掩膜版 ( 类似于照 相底片 ) 上的图形转移到半导体单晶片上 掺杂 : 根据设计的需要, 将各种杂质掺 杂在需要的位置上, 形成晶体管 接触等 制膜 : 制作各种材料的薄膜
7 图形转换 : 光刻 光刻三要素 : 光刻胶 掩膜版和光刻机 光刻胶又叫光致抗蚀剂, 它是由光敏化合物 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体 光刻胶受到特定波长光线的作用后, 导致其化学结构发生变化, 使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变 正胶 : 分辨率高, 在超大规模集成电路工艺中, 一般只采用正胶 负胶 : 分辨率差, 适于加工线宽 3 m 的线条
8 正胶 : 曝光 后可溶 负胶 : 曝光 后不可溶
9 几种常见的光刻方法 图形转换 : 光刻 接触式光刻 : 分辨率较高, 但是容易造成掩膜版和光刻胶膜的损伤 接近式曝光 : 在硅片和掩膜版之间有一个很小的间隙 (10~25 m), 可以大大减小掩膜版的损伤, 分辨率较低 投影式曝光 : 利用透镜或反射镜将掩膜版上的图形投影到衬底上的曝光方法, 目前用的最多的曝光方式
10 接触式 接近式 投影式 光源 光学系统 掩膜版 光刻胶 硅片 三种光刻方式
11 图形转换 : 光刻 超细线条光刻技术 甚远紫外线 (EUV) 电子束光刻 X 射线 离子束光刻
12 图形转换 : 刻蚀技术 湿法刻蚀 : 利用液态化学试剂或 溶液通过化学反应进行刻蚀的方法 干法刻蚀 : 主要指利用低压放电 产生的等离子体中的离子或游离基 ( 处于激发态的分子 原子及各种原子基团等 ) 与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的
13 湿法腐蚀 : 图形转换 : 刻蚀技术 湿法化学刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用 : 磨片 抛光 清洗 腐蚀 优点是选择性好 重复性好 生产效率高 设备简单 成本低 缺点是钻蚀严重 对图形的控制性较差
14 干法刻蚀 溅射与离子束铣蚀 : 通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀, 各向异性性好, 但选择性较差 等离子刻蚀 (Plasma Etching): 利用放电产生的游离基与材料发生化学反应, 形成挥发物, 实现刻蚀 选择性好 对衬底损伤较小, 但各向异性较差 反应离子刻蚀 (Reactive Ion Etching, 简称为 RIE): 通过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀 具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点, 同时兼有各向异性和选择性好的优点 目前,RIE 已成为 VLSI 工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术 高密度等离子体源反应离子刻蚀 (ECR ICP): 化学 - 物理作用结合
15 化学刻蚀基本反应式 : M+YF(Plasma) MF x M+YCl(Plasma) MCl x M+YBr(Plasma) MBr x 干法刻蚀的特点 : 物理作用和化学作用相结合的过程 刻蚀的各向异性性 选择刻蚀性
16 物理刻蚀的特点 : 各向异性好 对被刻蚀材料适用性好 选择性差 刻蚀速率低 离子对表面损伤大 化学刻蚀的特点 : 刻蚀速率高 各向异性不好 选择性好 离子损伤小 对被刻蚀材料适用性差 化学 - 物理刻蚀相结合 : 合理好的选择性和对材料的适用性 各向异性性好 中等的离子损伤
17 Electron Cyclotron Resonance Plasma Etchers (ECR) 在磁场存在的条件下, 利用微波激发产生高密度的 plasma 原理 : 电子在 Lorentz 力的作用下, 产生回旋运动, 当回旋频率与微波频率相同时, 发生电子运动和电磁场的共振耦合, 导致 plasma 高的离子化 特点 : 电子被加速从 plasma 源中分离在 Wafer 方向产生负电势 离子通过单极扩散从源区进入 Wafer 加工室 Wafer 上加 rf 或 dc 偏压来控制离子能量 单极扩散和镜象磁场作用使得 plasma 的均匀性受到限制, 但可通过多极磁槽 (bucket) 得到改善
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19 Inductively Coupled Plasma Etchers, ICP) 在低压力下可产生高密度的 plasma 源, 同时离子流密度 能量等可独立调节, 而且较 ECR 简单, 符合 ULSI 技术的主流刻蚀技术的要求和发展方向
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22 刻蚀技术的发展趋势 在刻蚀技术方面, 将普遍使用由电感耦合 (ICP) 或电子回旋共振 (ECR) 方法形成的低压 高密度的等离子体源作为反应刻蚀剂 目前普遍采用的刻蚀气体主要是卤族基的刻蚀气体, 对环境有污染 从环境保护的角度, 未来将发展环保型的干法刻蚀技术, 即研究开发和采用对环境无害的刻蚀气体, 形成可以自行分解的对环境无害的刻蚀产物, 对刻蚀技术发展的方向的新要求
23 杂质掺杂 掺杂 : 将需要的杂质掺入特定的半导体区域中, 以达到改变半导体电学性质, 形成 PN 结 电阻 欧姆接触 磷 (P) 砷(As) N 型硅 硼 (B) P 型硅 掺杂工艺 : 扩散 离子注入
24 扩散 替位式扩散 : 杂质离子占据硅原子的位 : Ⅲ Ⅴ 族元素 一般要在很高的温度 (950~1280 ) 下进行 磷 硼 砷等在二氧化硅层中的扩散系数均远小于在硅中的扩散系数, 可以利用氧化层作为杂质扩散的掩蔽层 间隙式扩散 : 杂质离子位于晶格间隙 : Na K Fe Cu Au 等元素 扩散系数要比替位式扩散大 6~7 个数量级
25 杂质横向扩散示意图
26 固态源扩散 : 如 B 2 O 3 P 2 O 5 BN 等
27 利用液态源进行扩散的装置示意图
28 离子注入 离子注入 : 将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术, 掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定, 掺杂浓度由注入杂质离子的数目 ( 剂量 ) 决定 掺杂的均匀性好 温度低 : 小于 600 可以精确控制杂质分布 可以注入各种各样的元素 横向扩展比扩散要小得多 可以对化合物半导体进行掺杂
29 离子注入系统的原理示意图
30 离子注入到无定形靶中的高斯分布情况
31 退火 退火 : 也叫热处理, 集成电路工艺中所有的在氮气等不活泼气氛中进行的热处理过程都可以称为退火 激活杂质 : 使不在晶格位置上的离子运动到晶格位置, 以便具有电活性, 产生自由载流子, 起到杂质的作用 消除损伤 退火方式 : 炉退火 快速退火 : 脉冲激光法 扫描电子束 连续波激光 非相干宽带频光源 ( 如卤光灯 电弧灯 石墨加热器 红外设备等 )
32 氧化工艺 氧化 : 制备 SiO 2 层 SiO 2 的性质及其作用 SiO 2 是一种十分理想的电绝缘材料, 它的化学性质非常稳定, 室温下它只与氢氟酸发生化学反应
33 氧化硅层的主要作用 在 MOS 电路中作为 MOS 器件的绝缘栅介质, 器件的组成部分 扩散时的掩蔽层, 离子注入的 ( 有时与光刻胶 Si 3 N 4 层一起使用 ) 阻挡层 作为集成电路的隔离介质材料 作为电容器的绝缘介质材料 作为多层金属互连层之间的介质材料 作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料
34 SiO 2 的制备方法 热氧化法 干氧氧化 水蒸汽氧化 湿氧氧化 干氧 - 湿氧 - 干氧 ( 简称干湿干 ) 氧化法 氢氧合成氧化 化学气相淀积法 热分解淀积法 溅射法
35 进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图
36 化学汽相淀积 (CVD) 化学汽相淀积 (Chemical Vapor Deposition): 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程 CVD 技术特点 : 具有淀积温度低 薄膜成分和厚度易于控制 均匀性和重复性好 台阶覆盖优良 适用范围广 设备简单等一系列优点 CVD 方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜, 例如掺杂或不掺杂的 SiO 2 多晶硅 非晶硅 氮化硅 金属 ( 钨 钼 ) 等
37 化学汽相淀积 (CVD) 常压化学汽相淀积 (APCVD) 低压化学汽相淀积 (LPCVD) 等离子增强化学汽相淀积 (PECVD)
38 APCVD 反应器的结构示意图
39 LPCVD 反应器的结构示意图
40 平行板型 PECVD 反应器的结构示意图
41 化学汽相淀积 (CVD) 单晶硅的化学汽相淀积 ( 外延 ): 一般地, 将在单晶衬底上生长单晶材料的工艺叫做外延, 生长有外延层的晶体片叫做外延片 二氧化硅的化学汽相淀积 : 可以作为金属化时的介质层, 而且还可以作为离子注入或扩散的掩蔽膜, 甚至还可以将掺磷 硼或砷的氧化物用作扩散源 低温 CVD 氧化层 : 低于 500 中等温度淀积 :500~800 高温淀积 :900 左右
42 化学汽相淀积 (CVD) 多晶硅的化学汽相淀积 : 利用多晶硅替代金属铝作为 MOS 器件的栅极是 MOS 集成电路技术的重大突破之一, 它比利用金属铝作为栅极的 MOS 器件性能得到很大提高, 而且采用多晶硅栅技术可以实现源漏区自对准离子注入, 使 MOS 集成电路的集成度得到很大提高 氮化硅的化学汽相淀积 : 中等温度 (780~ 820 ) 的 LPCVD 或低温 (300 ) PECVD 方法淀积
43 物理气相淀积 (PVD) 蒸发 : 在真空系统中, 金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子, 淀积在晶片上 按照能量来源的不同, 有灯丝加热蒸发和电子束蒸发两种 溅射 : 真空系统中充入惰性气体, 在高压电场作用下, 气体放电形成的离子被强电场加速, 轰击靶材料, 使靶原子逸出并被溅射到晶片上
44 蒸发原理图
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46 集成电路工艺 图形转换 : 光刻 : 接触光刻 接近光刻 投影光刻 电子束光刻 刻蚀 : 干法刻蚀 湿法刻蚀 掺杂 : 离子注入 扩散 退火 制膜 : 氧化 : 干氧氧化 湿氧氧化等 CVD:APCVD LPCVD PECVD PVD: 蒸发 溅射
47 作 业 集成电路工艺主要分为哪几大类, 每一类中包括哪些主要工艺, 并简述各工艺的主要作用 简述光刻的工艺过程
48 集成电路制造工艺 北京大学
49 CMOS 集成电路 制造工艺
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51 形成 N 阱 初始氧化 淀积氮化硅层 光刻 1 版, 定义出 N 阱 反应离子刻蚀氮化硅层 N 阱离子注入, 注磷
52 形成 P 阱 去掉光刻胶 在 N 阱区生长厚氧化层, 其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化 去掉氮化硅层 P 阱离子注入, 注硼
53 推阱 去掉 N 阱区的氧化层 退火驱入
54 形成场隔离区 生长一层薄氧化层 淀积一层氮化硅 光刻场隔离区, 非隔离区被光刻胶保护起来 反应离子刻蚀氮化硅 场区离子注入 去胶 热生长厚的场氧化层 去掉氮化硅层 形成多晶硅栅 生长栅氧化层 淀积多晶硅 离子注入 : 磷 光刻多晶硅栅 刻蚀多晶硅栅
55 形成硅化物 淀积氧化层 反应离子刻蚀氧化层, 形成侧壁氧化层 淀积难熔金属 Ti 或 Co 等 低温退火, 形成 C-47 相的 TiSi 2 或 CoSi 去掉氧化层上的没有发生化学反应的 Ti 或 Co 高温退火, 形成低阻稳定的 TiSi 2 或 CoSi 2
56 形成 N 管源漏区 光刻, 利用光刻胶将 PMOS 区保护起来 离子注入磷或砷, 形成 N 管源漏区 形成 P 管源漏区 光刻, 利用光刻胶将 NMOS 区保护起来 离子注入硼, 形成 P 管源漏区
57 形成接触孔 化学气相淀积磷硅玻璃层 退火和致密 光刻接触孔版 反应离子刻蚀磷硅玻璃, 形成接触孔
58 形成第一层金属 淀积金属钨 (W), 形成钨塞
59 形成第一层金属 淀积金属层, 如 Al-Si Al-Si-Cu 合金等 光刻第一层金属版, 定义出连线图形 反应离子刻蚀金属层, 形成互连图形
60 形成穿通接触孔 化学气相淀积 PETEOS 通过化学机械抛光进行平坦化 光刻穿通接触孔版 反应离子刻蚀绝缘层, 形成穿通接触孔 形成第二层金属 淀积金属层, 如 Al-Si Al-Si-Cu 合金等 光刻第二层金属版, 定义出连线图形 反应离子刻蚀, 形成第二层金属互连图形
61 合金 形成钝化层 在低温条件下 ( 小于 300 ) 淀积氮化硅 光刻钝化版 刻蚀氮化硅, 形成钝化图形 测试 封装, 完成集成电路的制造工艺 CMOS 集成电路一般采用 (100) 晶向的硅材料
62 集成电路芯片的显微照片
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64 双极集成电路 制造工艺
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66 双极集成电路工艺 制作埋层 初始氧化, 热生长厚度约为 500~1000nm 的氧化层 光刻 1# 版 ( 埋层版 ), 利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉, 并去掉光刻胶 进行大剂量 As + 注入并退火, 形成 n + 埋层
67 生长 n 型外延层 利用 HF 腐蚀掉硅片表面的氧化层 将硅片放入外延炉中进行外延, 外延层的厚度和掺杂浓度一般由器件的用途决定
68 形成横向氧化物隔离区 热生长一层薄氧化层, 厚度约 50nm 淀积一层氮化硅, 厚度约 100nm 光刻 2# 版 ( 场区隔离版
69 形成横向氧化物隔离区 利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氮化硅层 - 氧化层以及一半的外延硅层刻蚀掉 进行硼离子注入
70 形成横向氧化物隔离区 去掉光刻胶, 把硅片放入氧化炉氧化, 形成厚的场氧化层隔离区 去掉氮化硅层
71 形成基区 光刻 3# 版 ( 基区版 ), 利用光刻胶将收集区遮挡住, 暴露出基区 基区离子注入硼
72 形成接触孔 : 光刻 4# 版 ( 基区接触孔版 ) 进行大剂量硼离子注入 刻蚀掉接触孔中的氧化层
73 形成发射区 光刻 5# 版 ( 发射区版 ), 利用光刻胶将基极接触孔保护起来, 暴露出发射极和集电极接触孔 进行低能量 高剂量的砷离子注入, 形成发射区和集电区
74 金属化 淀积金属, 一般是铝或 Al-Si Pt-Si 合金等 光刻 6# 版 ( 连线版 ), 形成金属互连线 合金 : 使 Al 与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触, 一般是在 450 N 2 -H 2 气氛下处理 20~30 分钟 形成钝化层 在低温条件下 ( 小于 300 ) 淀积氮化硅 光刻 7# 版 ( 钝化版 ) 刻蚀氮化硅, 形成钝化图形
75 隔离技术 PN 结隔离 场区隔离 绝缘介质隔离 沟槽隔离
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77 PN 结隔离工艺
78 绝缘介质隔离工艺
79 LOCOS 隔离工艺
80 LOCOS 隔离工艺
81 沟槽隔离工艺
82 接触与互连 Al 是目前集成电路工艺中最常用的金 属互连材料, 但 Al 连线也存在一些比较 严重的问题 电迁移严重 电阻率偏高 浅结穿透等 Cu 连线工艺有望从根本上解决该问题 IBM Motorola 等已经开发成功 目前, 互连线已经占到芯片总面积的 70~80%; 且连线的宽度越来越窄, 电流密度迅速增加
83 几个概念 场区 有源区 栅结构材料 Al- 二氧化硅结构 多晶硅 - 二氧化硅结构 难熔金属硅化物 / 多晶硅 - 二氧化硅结构
84 Salicide 工艺 淀积多晶硅 刻蚀并形成侧壁氧化层 ; 淀积 Ti 或 Co 等难熔金属 RTP 并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属 ; 最后形成 Salicide 结构
85 集成电路封装工艺流程
86 集成电路芯片的显微照片
87 各种封 装类型 示意图
88 集成电路工艺小结 前工序 图形转换技术 : 主要包括光刻 刻蚀等技术 薄膜制备技术 : 主要包括外延 氧化 化学气相淀积 物理气相淀积 ( 如溅射 蒸发 ) 等 掺杂技术 : 主要包括扩散和离子注入等技术
89 集成电路工艺小结 后工序 划片 封装 测试 老化 筛选
90 集成电路工艺小结 辅助工序 超净厂房技术 超纯水 高纯气体制备技术 光刻掩膜版制备技术 材料准备技术
91 作业 设计制备 NMOSFET 的工艺, 并画出流程图 写一篇对本课程感想的小论文
92 Vss poly 栅 Vdd 布线通道 参考孔 N + P + 有源区 集成电路的内部单元 ( 俯视图 )
93 沟道长度为 0.15 微米的晶体管 栅长为 90 纳米的栅图形照片
94 N 沟道 MOS 晶体管
95 CMOS 集成电路 ( 互补型 MOS 集成电路 ): 目前应用最为广泛的一种集成电路, 约占集成电路总数的 95% 以上
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第 4 章 CMOS 集成电路的制造 本章目录 4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS 工艺流程 4.5 设计规则 2018-9-5 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 1 4.1 硅工艺概述 平面工艺, 多层加工 以硅圆片为单位制作 硅圆片及其芯片部位 圆片的直径 :100~300mm 圆片的厚度 :0.4~0.7mm 2018-9-5 第 4 章 CMOS
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( 勤奋 求是 创新 奉献 ) 学院 班级 姓名 学号 ( 本卷考试时间 90 分钟 ) 题号 一 二 三 四 五 总分 题分 15 25 20 20 20 100 得分 一 名词解释 ( 共 3 题, 每题 5 分, 共 15 分 ) 1. 光刻 2. 外延 3. 图形曝光 (lithography) 二 填空题 ( 共 10 题, 每空 1 分, 共 25 分 ) 1. 外延分为和 考试试卷第
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= = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) e - + Ar Ar + + 2 e - (1) = = F d ( ) = q ε λ q ε λ q e - + Ar + Ar + hν (2) - - ( ) (Degree of Ionization) 0.1% 100% PECVD 1% PECVD (2) e - + Ar Ar + hν (3) Ar* 1 torr (q ε λ i ) (q
AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO
AL Si O OH 4 2 2 5 K AL Si O 2 3 8 2 3 8 2 3 8 Na AL Si O Ca AL Si O AL O 2SiO 2H O AL O 2SiO + 2H O 2 3 2 2 2 3 2 2 CaCO3 + CaO CO2 CaSO4 + CaO SO3 CaSO3 + CaO SO2 2AL O + 6SiO 3AL O 2SiO + 4SiO 2 3 2
CIP 1 μm μm [Mg/m 3 ] 5 未经东洋炭素的事先许可, 不得使用或转载本目录信息
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微电子与电路基础 黄如 陈江 北京大学信息科学技术学院 1 微电子与电路基础 课程简介 分立电路 集成电路 课程目的 课程内容 ( 课程提纲 ) 讲授方式 参考书 考核方法 电路方面 课程目的 初步掌握与电路相关的基础知识 数字电路 模拟电路 数模混合电路等基础知识 微电子方面 了解什么是微电子学 历史 现状和未来 ; 初步掌握 半导体物理 半导体器件物理 集成电路工艺集成电路设计及设计自动化 (EDA)
第 期 牛文翰等 模板辅助合成氮掺杂的多孔碳基氧还原电催化剂的研究进展!"#$ %&' ' () * +,,,,,,( *,( - -, ( '+, *, -,,, +, ',,. /, ',,+, " $ 2 * ' /+ / / / (+ 5 (/(
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第五章 1. 2. 理解干法所需的等离子体基础知识 3. 干法原理和设备 干法机理 / 各向异性机理 干法设备 高密度等离子体的必要性和设备 4. 干法要求的特性 各种材料的和有关问题 干法引起的损伤 相应的环境问题 5. 6. 结语 光刻 过程 光刻胶 多晶 Si Al 合金 SiO 2 等 除去光刻胶没有遮盖的不需要的部分薄膜 清除光刻胶, 只留下薄膜的电路图形 259 260 各向同性和各向异性
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附件 1 标签要素的分配 附件 1 标签要素的分配 É Í f y fq f Ì ú qè Ê p Šü ºp«g²±q l rqy Ì f Ìq É Í q i 爆炸物 z f g 1.1 È 1.2 È 1.3 È 1.4 È 1.5 È 1.6 È 1.5, 1.6, w z f g î «f ( µ ² ±) f g ƒf f g e ² f g f ² 1.1 1.2 1.3 ² ³ ùœ
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LPKFPCB LPKF ProConductProMask LPKF 1,800W mm (inch) 580/290/350 (22.8"/11.4"/13.8") mm (inch) 440/210/290 (17.3"/8.3"/11.4") PCB ProtoMask 35
LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF 的吸尘器噪音 适用于 ProtoMat S 系列和激光设备 ProtoLaser S U ProtoMat S ProtoLaser S U 22,500 Pa 241 m 3 /hour (142 cfm) 800W (230V/50Hz) 250mm/300mm/350mm (10"/12"/14") 噪音 50 db(a)
38 诚 信 始 于 入 口 从 入 口 处 着 手 打 好 律 师 队 伍 建 设 的 诚 信 基 础 / 刘 彦 平 4 0 我 国 证 券 公 司 治 理 缺 陷 的 根 源 及 其 出 路 / 黄 运 成 曹 里 加 李 畅 4 3 中 止, 因 为 什 么? 被 告 人 胡 鹏 等 五 人
4 规 范 建 设 年 : 又 是 一 年 新 挑 战 / 赵 守 华 5 坚 持 不 懈 地 推 进 律 师 队 伍 建 设 张 福 森 部 长 在 律 师 队 伍 集 中 教 育 整 顿 活 动 总 结 暨 开 展 合 伙 律 师 事 务 所 规 范 建 设 年 活 动 动 员 会 议 上 的 讲 话 ( 摘 编 ) 6 建 立 健 全 律 师 队 伍 建 设 长 效 机 制 段 正 坤 副 部
Contents
2017 Contents Contents 噁 Contents Contents 能源化工 .. Dalian Institute of Chemical Physics,Chinese Academy of Sciences.. .. Dalian Institute of Chemical Physics,Chinese Academy of Sciences.. .. Dalian Institute
用 矿 物 质 丰 富 的 盐 炼 成 的 竹 盐 是 科 学 Contents 可 以 解 决 矿 物 质 缺 乏 的 生 命 之 盐 - 竹 盐 2 什 么 是 矿 物 质? 3 盐 不 是 单 纯 的 氯 化 钠 4 难 道 盐 是 高 血 压 的 元 凶 吗? 5 推 荐 用 盐 补 充 体 内 缺 乏 矿 物 质 8 什 么 是 竹 盐? 10 盐 与 竹 盐 的 成 分 分 析 11 竹
建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 编 制 说 明 建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 由 具 有 从 事 环 境 影 响 评 价 工 作 资 质 的 单 位 编 制 1. 项 目 名 称 指 项 目 立 项 批 复 时 的 名 称, 应 不 超 过 30 个 字 ( 两 个 英 文
建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 项 目 名 称 : 马 钢 股 份 公 司 冷 轧 总 厂 新 增 电 解 脱 脂 机 组 工 程 项 目 建 设 单 位 ( 盖 章 ): 马 鞍 山 钢 铁 股 份 有 限 公 司 编 制 日 期 : 二 0 一 五 年 八 月 国 家 环 境 保 护 总 局 制 建 设 项 目 环 境 影 响 报 告 表 编 制 说 明 建 设 项 目 环 境 影
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4 26 Silver Interconnect Technology Intel 22 Fin FET Abstract In view of commercial electronic product requirements, the integration circuit (IC
4 26 Silver Interconnect Technology Intel 22 Fin FET 10 10 Abstract In view of commercial electronic product requirements, the integration circuit (IC) manufacturing technology needs to keep moving to
CO 2 3 HCO 3 F1 10 i= 1 10 F1 i= 电子技术基础 ( 第 版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图 整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B
直流稳压电源 第 4 章 4.1 整流电路及其应用 学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路
場效電晶體簡介.doc
(field effect transistor FET) FET (gate G ) FET (source S ) FET (drain D ) n (n-channel FET) p (p-channel FET) n FET n (channel) p FET p (channel) 1 n p FET FET (unipolar devices) 1 n p FET FET BJT FET
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煤 炭 学 报 仪器与药品 黏土矿物的提纯 黏土样品的制备 红外光谱 分析 射线衍射 分析 射线光电子能谱 分析
张明青 刘炯天 单爱琴 刘汉湖 为了深刻认识煤泥水中 同黏土矿物颗粒之间的相互作用 笔者用 溶液在不同 值条件下分别同高岭土和蒙脱土作用 测定黏土作用前后的 射线衍射 红外光谱和 射线光电子能谱 实验证实了在 溶液中 在黏土表面以静电形式吸附 在 溶液中 以 沉淀和静电形式吸附 此外 在 以上的溶液中还可能存在一 羟基络合吸附形式 提出了 沉淀吸附和一羟基络合吸附的吸附过程模式 黏土颗粒表面的 沉淀使颗粒间形成的非选择性
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微电子学概论 北京大学 1 2 参考书 微电子学概论 张兴 / 黄如 / 刘晓彦 北京大学出版社 2010 年 2 月 ( 第三版 ) 3 本课程的目的 什么是微电子学和微电子学是研究什么的 对微电子学的发展历史 现状和未来有一个比较清晰的认识 初步掌握半导体物理 半导体器件物理 集成电路工艺 集成电路设计 集成电路 CAD 方法 MEMS 技术等基本概念, 对微电子学的整体有一个比较 全面的认识
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第 6 章 MOFET 的电气特性 本章目录 6. MO 物理学 6. FET 电流 - 电压方程 6.3 FET 的 R 模型 6.4 pfet 特性 6.5 小尺寸 MOFET 模型 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 NMO 的电流和电压 D D ( G, D 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 MO 的结构 ε 4 ε 3.9ε
3 2010 9 20 25 ...1..4.... 4.... 5... 7 9.. 41.. 42.... 42 2008 2010 9 20 25 Cu-Ni-Pt-Pd-Cr-Ti-V 22 130 630 300 IAGOD 1 973 l. ( ) 2 3 2. ( ) 3. E-mail kchhy2010@gmail.com 13910520152 13578875758 13154370506
标题
第 31 卷 2016 年 4 月 第 4 期 液晶与显示 CJuLqudCdDp V.31 N.4 Ap.2016 文章编号 :1007G27802016)04G0363G07 LTPTT 层间绝缘层过孔刻蚀的工艺优化 陈丽雯 1, 叶芸 1, 郭太良 1, 彭涛 2, 周秀峰 2, 文亮 2 1. 福州大学物理与信息工程学院, 福建福州 350001; 2. 厦门天马微电子有限公司, 福建厦门
I 元器件上市公司经济状况分析及年度展望
2002 1 2002 5 WWW.CEI.GOV.CN 2001-2005 2005 3000 2010 7500 : : : 21 1 FAX 010 68558370 2 FAX 010 68558370 I.. 2...2...3...7...8 2002...9 II..11...11...12...17...21...23 III.26...26...27...27...27 1 2001...3
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中 华 人 民 共 和 国 国 家 环 境 保 护 标 准 HJ 777-2015 空 气 和 废 气 颗 粒 物 中 金 属 元 素 的 测 定 电 感 耦 合 等 离 子 体 发 射 光 谱 法 Ambient air and waste gas from stationary sources emission -Determination of metal elements in ambient
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中 国 太 平 洋 人 寿 保 险 股 份 有 限 公 司 世 纪 行 人 身 意 外 伤 害 保 险 (C 款 ) 条 款 太 平 洋 人 寿 [2013] 意 外 伤 害 保 险 062 号 阅 读 指 引 本... 阅 读 指 引 有 助 于 理 解 条 款, 对 本 合 同 内 容 的 解 释 以 条 款 为 准 您 拥 有 的 重 要 权 益 本 合 同 提 供 的 保 障 在 保 险 责
978 东南大学学报 ( 自然科学版 ) 第 46 卷 利用纳机电系统 (nanoelectromechanicalsys tems,nems) 技术制造的传感器具有体积小 功耗低 易大规模生产等优点. 这类传感器已在生物芯片 可穿戴设备 航空航天 工业控制 消费电子等领域得到广泛的应用. 基于纳米
第 46 卷第 5 期 206 年 9 月 东南大学学报 ( 自然科学版 ) JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition) Vol.46 No.5 Sept.206 DOI:0.3969/j.isn.00-0505.206.05.03 SiN 薄膜纳米孔芯片制造工艺实验研究,2 袁志山 蔺卡宾 杨浩杰 纪安平 沙菁 谢 3 骁 倪中华 易 红
第 期 等 乙腈 碳酸氢钠溶液混合物电嫁接叔丁氧羟基 乙二胺 7B7! " # $% # &'#! "% #!! #& (& )&# &#&# #*$% + %!, # $% "( ( # ( # "! #-.& #% & (& %" & %& & #& (& & )&# &#& # & "%&/
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2012.479 KIBS http://www.pref.osaka.jp/aid/sangyou/index.html 100 10 90 5 0 80-5 -10 70 7 8 9 101112 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112 1 2 3 4 5 6-15 7 8 9 101112 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112
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() 1-1-1 1-1-2 2004 2008~2009 2011 1-1-3 2013 2014 2015 1-4 -757.00-1,722.71-588.98 2013 2014 2015 1-4 1-1-4 -629.42-1,518.99-531.01 697.30 481.81697.30 1-1-5 ...1...2...8...11...11...12...14...26...46...50...51...55...57...59...59...61...66...87...98...100...112...112...115
公開徵求廠商提供「採購專業人員訓練計畫企劃書」公告
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第 卷第 期 & 年 月 电力电容器与无功补偿 ' % # $ % ( ) $ * ' % +#,-,. /! 0!& 1#%!!"!#$%#$!!! 高压全膜电容器三维温度场数值计算分析! "# $%! E +F! <! < &'! ()* +,-./0(1 * (1 78!960
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地 方 建 设 篇 南 宁 市 一 城 市 规 划 与 建 设 [ 规 划 管 理 ]2007 年 度, 共 召 开 业 务 审 查 会 89 次, 共 组 织 各 种 方 案 评 审 会 466 次 共 办 理 建 设 工 程 审 批 业 务 7088 项, 办 理 新 开 工 面 积 993.6 万 平 方 米 ; 共 核 发 建 设 用 地 规 划 许 可 证 292 份, 审 批 建 设
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13 品 书 闻而思之 而后修 华 海 公 司 高 级 经 营 管 理 干 部 培 训 纪 实 规划发展部 已近年终岁末 寒意阵阵 但中国银行珠 真正达到了增强素质 修德育才的目的 党课培训催人奋进 烈 来自北京 上海 广州 珠海 山东 新 加坡 南通等地的华海公司全体经营管理干 中国共产党是怎么诞生的 如何理解党 部 党员和入党积极分子齐聚一堂 正以只争 章 怎样做一个共产党员 原中国工艺品进出
北 京 蓝 皮 书 公 共 服 务 相 比 而 言, 养 老 医 疗 失 业 等 保 险 都 早 已 经 由 国 务 院 颁 布 了 相 应 的 立 法 条 例, 在 全 国 范 围 内 形 成 了 统 一 的 制 度 党 的 十 八 届 四 中 全 会, 首 次 以 依 法 治 国 为 主 题,
北 京 市 生 育 保 险 制 度 的 国 际 比 较 与 借 鉴 11 北 京 市 生 育 保 险 制 度 的 国 际 比 较 与 借 鉴 李 凤 欧 阳 杰 摘 要 : 以 北 京 市 生 育 保 险 制 度 为 研 究 对 象, 从 国 际 比 较 与 借 鉴 的 视 野 和 角 度, 分 析 了 北 京 市 生 育 保 险 制 度 的 现 状, 以 及 与 英 国 德 国 日 本 等 发 达
2006年中央、国家机关公务员录用考试
2006 年 国 家 公 务 员 考 试 行 测 真 题 第 一 部 分 言 语 理 解 与 表 达 ( 共 30 题, 参 考 时 限 30 分 钟 ) 每 道 题 包 含 一 段 文 字 或 一 个 句 子, 后 面 是 一 个 不 完 整 的 陈 述, 要 求 你 从 四 个 选 项 中 选 出 一 个 来 完 成 陈 述 注 意 : 答 案 可 能 是 完 成 对 所 给 文 字 主 要 意
577 13681911 442 1019 1 120 107 155 60 1 4 8 1 4 209 1882 3 8 8 4 1 1987 154 18 1937 1983 1962 1978 1931 1933 1937 1979 1940 1941 1947 1948 1982 1985 1981 1984 6 20 1951 1981 5 IBM
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材料导报 研究篇 年 月 下 第 卷第 期 种球的制备 单步溶胀法制备分子印迹聚合物微球 洗脱处理 种子溶胀聚合机理 种球用量的影响
水相中 组氨酸单分散分子印迹聚合物微球的合成 表征及其识别性能研究 李思平等 李思平 徐伟箭 较佳工艺条件下 在水性体系中选用无皂乳液聚合法制得的单分散微米级聚苯乙烯微球为种球 分别以组氨酸 甲基丙烯酸 或丙烯酸胺 乙二醇二甲基丙烯酸酯 为模板分子 功能单体和交联剂 合成了 组氨酸分子印迹聚合物微球 研究了形貌 粒径及其分布以及模板分子与功能单体之间的相互作用 分别以 激光粒度分析仪紫外分光光度法和红外光谱表征功能单体与交联剂之间的共聚情况
唐昭焕等 功率 '($ 器件抗 $<$& 技术研究进展 年 件结构结合微米级制造工艺为主 抗单粒子辐射加固仍是抗辐射功率 '($ 器件的技术瓶颈 鉴于抗辐射加固 '($ 器件应用领域的特殊性 有关抗辐射加固技术细节的报道很少 本文从功率 '($ 器件的辐射失效机理及过程出发 结合功率 '($ 器件抗
第 卷第 期 年 月 微电子学 功率器件抗技术研究进展 1 22) 唐昭焕 杨发顺 马 奎 谭开洲 傅兴华 贵州大学大数据与信息工程学院 贵阳 ))) 模拟集成电路重点实验室 重庆 摘 要 针对功率 '($ 器件抗单粒子辐射加固技术在空间辐射环境下的要求 从重粒子对 '($ 器件的辐射机理及作用过程出发 归纳出功率 '($ 器件抗单粒子辐射加固的三类技术 屏蔽技术 复合技术和增强技术 综述了国内外功率
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东南大学硕士学位论文 LCD 显示中灰度控制机理的研究及电路实现姓名 : 曹志香申请学位级别 : 硕士专业 : 微电子学与固体电子学指导教师 : 孙大有 20040327 LCD 显示中灰度控制机理的研究及电路实现 作者 : 曹志香 学位授予单位 : 东南大学 相似文献 (1 条 ) 1.
SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
1985 223 1582 183 1283 40 300 90 74 1985 1971 12000 2 5 1971 2 1 1973 26 12 1 28400 6 260 70 1949 10 1958 2 5 1 5 1 5 250 60 1983 1985 1957 1 1963 196
50 40 1957 20 1958 4 63600 3300 1970 50 1972 1970 196 120 30 2 13 1970 9 1975 1981 7 1981 70 1979 1988 22 43 1990 22497 17647 93 220 27 5382 30 4270 78 1985 223 1582 183 1283 40 300 90 74 1985 1971 12000
【第一类】
第 一 类 用 于 工 业 科 学 摄 影 农 业 园 艺 森 林 的 化 学 品, 未 加 工 人 造 合 成 树 脂, 未 加 工 塑 料 物 质, 肥 料, 灭 火 用 合 成 物, 淬 火 和 金 属 焊 接 用 制 剂, 保 存 食 品 用 化 学 品, 鞣 料, 工 业 用 粘 合 剂 [ 注 释 ] 本 类 主 要 包 括 用 于 工 业 科 学 和 农 业 的 化 学 制 品, 包
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王 第１期 健等 太赫兹量子级联激光器光束特性分析 ｌ３１ Ｏ９ Ｏ ９ Ｏ ８ Ｏ ８ Ｏ ７ Ｏ ７ Ｏ ６ Ｏ ６ Ｏ ５ Ｏ ５ Ｏ ４ Ｏ ４ Ｏ ３ Ｏ ３ Ｏ ２ Ｏ ２ 涮潞鳗 Ｏ Ｏ 矧潮瑚疆誓 一 ａ ＴＭ ｌ ｍｄｅ ｂ ＴＭ ｍｄｅ 图６ Ｆｉｇ ６ ｚ １ Ｏ ７ Ｕ ｍｍ处的衍射光斑 Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｎ ｓｐｔｓ ｗｈｅｎ ｚ ｌｏｍｍ 在戈和 方向上ｐｘ和１５Ｉ 随激射波长的变化曲线如图８所示
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1 He2+ 4 2 2.1 SI C SI kg * u ** e -1.6022 10-19 -1 9.1096 10-31 0.00055 p +1.6022 10-19 +1 1.6726 10-27 1.0073 n 0 1.6749 10-27 1.0087 H 1.673 10-27 1.008 * 1 ** u 12 C=12.000000 1u=1.6605 10-27 kg
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明 慧 专 题 文 章 汇 编 这 些 文 章 是 各 位 大 法 弟 子 作 者 在 各 自 在 修 炼 过 程 中 在 当 时 所 在 层 次 的 认 识 ; 我 们 收 集 成 册, 谨 供 不 经 常 访 问 明 慧 网 的 同 修 参 考 师 父 的 法 才 是 指 导 大 法 弟 子 修 炼 提 高 的 根 本, 广 泛 阅 读 明 慧 网 上 更 多 同 修 的 修 炼 交 流, 能
014315 市 立 永 平 高 中 無 填 報 無 填 報 (02)22319670 014322 市 立 樹 林 高 中 已 填 報 已 填 報 (02)86852011 014326 市 立 明 德 高 中 已 填 報 (02)26723302 014332 市 立 秀 峰 高 中 已 填 報
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2. 禁 止 母 乳 代 用 品 之 促 銷 活 動, 以 及 不 得 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴 認 證 說 明 以 贊 助 試 用 或 免 費 等 方 式, 取 得 奶 瓶 及 安 撫 奶 嘴, 並 在 婦 產 科 門 診 兒 科 門 診 產
104 年 母 嬰 親 善 醫 療 院 所 認 證 基 準 及 評 分 說 明 ( 調 整 對 照 表 ) 認 證 說 明 措 施 一 : 明 訂 及 公 告 明 確 的 支 持 哺 餵 母 乳 政 策 (8 分 ) ( 一 ) 醫 療 院 所 成 立 母 嬰 親 善 推 動 委 員 會, 由 副 院 長 級 以 上 人 員 擔 任 主 任 委 員, 並 定 期 召 開 會 議, 評 估 醫 療 院
77 ( ) http: www. qdpub. com ( 0532) ( ) ( 850mm 1168mm) ISBN
77 ( 266071) http: www. qdpub. com 13335059110 ( 0532) 85814750( ) 85814611-8664 2006 1 2 2006 1 2 20 ( 850mm 1168mm) 20 450 6001 12000 ISBN 7-5436 - 2391-9 29. 00 ( 0532) 85814926, ,,,,,,,,,,,,, 260,,,,
单位代码：10698
001 机 械 工 程 学 院 含 推 免 生 160. 拟 招 收 推 免 生 人 数 学 术 型 215 以 087200 设 计 学 1 101 思 想 政 治 理 论 复 试 科 目 : 设 计 测 试 01 设 计 学 3 701 工 业 设 计 思 想 基 础 4 801 设 计 能 力 与 经 验 测 试 080200 机 械 工 程 01 机 械 制 造 及 其 自 动 化 1 101
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第 七 章 配 位 化 合 物 和 生 物 元 素 自 然 界 有 一 类 组 成 较 为 复 杂, 在 理 论 上 和 应 用 上 都 十 分 重 要 的 化 合 物, 这 类 化 合 物 的 核 心 部 分 是 以 配 位 键 相 连, 故 称 为 配 位 化 合 物, 简 称 配 合 物 近 几 十 年 来, 随 着 科 学 的 发 展 近 代 物 理 仪 器 的 涌 现 和 实 验 技 术
1 ( CIP) /,. :, ISBN X753 CIP ( 2005 ) : : : : /
( 50474050) ( 20040533011) 1 ( CIP) /,. :, 2005. 12 ISBN 7-81105-260-1............. X753 CIP ( 2005 ) 151885 : : 410083 : 0731-8876770 : 0731-8710482 880 1230 1 /32 11. 25 277 2006 3 1 2006 3 1 ISBN 7-81105-260-1
- [Ca 3(PO 4) 2] Ca ( PO ) + 3SiO + 5C = 3CaSiO + 5CO + 2P 3 4 2 2 3 2 1 4 39. 96 99. 60 + 37. 96 0. 96 + 3597. 34 = 39. 95 100 4096. 688. + 39. 96 001. + 38. 96 9308. = 3910. 100
晶体硅电池片(加logo)
晶体硅太阳电池片 主要内容 一 基础概念 二 硅片的生产流程 三 电池片的生产流程 四 电池片的检测 半导体介绍 一 基础概念 本征半导体纯净晶体结构的半导体称为本征半导体 常用的半导体材素是元素周期表中的 4 价元素, 如 : 硅 (Si) 锗 (Ge) 其原子结构中最外层轨道上有 4 个电子 ; 晶体中相邻的两个原子的一对最外层电子 ( 价电子 ) 结合成为共有电子, 组成共价键 ; 原子可以形成稳定的
PYROGRAPH PYROGRAPH CVD PYROGRAPH PYROGRAPH 20 μm OLED PYROGRAPH B < <0.10 <0.01 <0.01 * * [m 2 /s] pp
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考生编号政治政治分外语外语分科目 1 科目 1 分科目 2 科目 2 分总分专业代码专业名称专业排名考试方式报名号 思想政治理论 62 英语一 78 数学一 108 普通物理 ( 包括力学 电磁学 光学 ) 物理电子学 1 全国统考 11
100019000480001 思想政治理论 62 英语一 78 数学一 108 122 370 080901 物理电子学 1 全国统考 110199199 100019000480002 思想政治理论 49 英语一 44 数学一 0 电子线路 0 93 080902 电路与系统 3 全国统考 110189851 100019000480003 59 英语 ( 单考 63 高等数学 100 电子线路
公司生产的 AR 3840 正性光刻胶, 光刻胶与配套稀释液的稀释比例为 1: 5.5, 旋涂转速为 4000 r/min, 所得的胶厚约为 100 nm, 如图 1(b) 所示. 接着利用劳厄镜激光干涉光刻系统 [16] 对旋涂光刻胶后的样品进行曝光, 光束在样品表面的入射角 θ 为 21.2,
![公司生产的 AR 3840 正性光刻胶, 光刻胶与配套稀释液的稀释比例为 1: 5.5, 旋涂转速为 4000 r/min, 所得的胶厚约为 100 nm, 如图 1(b) 所示. 接着利用劳厄镜激光干涉光刻系统 [16] 对旋涂光刻胶后的样品进行曝光, 光束在样品表面的入射角 θ 为 21.2,](/thumbs/92/110463935.jpg "公司生产的 AR 3840 正性光刻胶, 光刻胶与配套稀释液的稀释比例为 1: 5.5, 旋涂转速为 4000 r/min, 所得的胶厚约为 100 nm, 如图 1(b) 所示. 接着利用劳厄镜激光干涉光刻系统 [16] 对旋涂光刻胶后的样品进行曝光, 光束在样品表面的入射角 θ 为 21.2,")
一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法 * 戴隆贵禤铭东丁芃贾海强周均铭陈弘 ( 中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家实验室, 新能源材料与器件北京市重点实验室, 中国科学院清洁能源前沿研究重点实验室, 北京 100190 ) ( 2013 年 3 月 20 日收到 ; 2013 年 3 月 29 日收到修改稿 ) 本文介绍了一种简单高效的制备硅纳米孔阵结构的方法. 利用激光干涉光刻技术, 结合干法和湿法刻蚀工艺,
( ) 63 ( ) 68 ( ) 72 ( ) 77 ( ) 85 ( ) 91 ( ) ( ) 98 ( ) 103 ( ) 107 ( ) 111 ( ) 114 ( ) 117 ( ) 121 ( ) 125 ( ) 127 ( ) ( ) 133 ( ) 139
1 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 7 ( ) 9 ( ) 10 16 ( ) 16 ( ) 17 ( ) 19 ( ) 23 ( ) 25 ( ) 26 30 ( ) 30 ( ) 46 50 ( ) 50 ( ) 52 1 ( ) 63 ( ) 68 ( ) 72 ( ) 77 ( ) 85 ( ) 91 ( ) 94 98 ( ) 98 ( ) 103 ( ) 107 ( ) 111 ( )
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Chapter 7 電 漿 的 基 礎 原 理 1 目 標 列 出 至 少 三 種 用 到 電 漿 的 半 導 體 製 程 列 出 電 漿 中 的 主 要 三 種 碰 撞 說 明 平 均 自 由 路 徑 說 明 電 漿 如 何 增 強 蝕 刻 及 CVD 製 程 列 出 兩 種 高 密 度 電 漿 源 2 電 漿 的 應 用 CVD 蝕 刻 PVD 離 子 佈 植 光 阻 剝 除 製 程 反 應 室
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