Microsoft PowerPoint - vlsi_chapter04
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- 玄 尚
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1 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 本章目录 4.1 硅工艺概述 4.2 材料生长与淀积 4.3 刻蚀 4.4 CMOS 工艺流程 4.5 设计规则 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 硅工艺概述 平面工艺, 多层加工 以硅圆片为单位制作 硅圆片及其芯片部位 圆片的直径 :100~300mm 圆片的厚度 :0.4~0.7mm 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 2
2 4.1 硅工艺概述 集成电路成本 (1) 固定成本固定成本与销售量无关 包括基础设施和生产设备的建设费用 ; 研发费用 ; 人工费用等 (2) 可变成本可变成本是指直接用于制造产品的费用, 与产品的产量成正比 芯片成本 + 芯片测试成本 + 芯片封装成本可变成本 = 最终测试的成品率 固定成本每个集成电路的成本 = 每个集成电路的可变成本 + 产量 经济学观点 : 提高成品率将降低每个集成电路的成本, 因此成品率分析很重要 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 硅工艺概述 成品率 Y Y = N N G T 100% N N G T : 功能正确的芯片数目 : 芯片的总数目 N T 2 π ( d 2) = A die πd 2A die A die : 芯片面积 d: 圆片直径 D Adie Y = ( 1+ ) α α 圆片成本芯片成本 = N G D: 缺陷密度, 单位 : cm 2 α: 与制造工艺复杂性相关的参数 对于现代复杂的 CMOS工艺, α 3 芯片成本 = f 4 ( 芯片面积 ) 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 4
3 4.1 硅工艺概述 集成电路加工的基本操作 形成某种材料的薄膜 在各种薄膜材料上形成需要的图形 通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 材料生长与淀积 形成薄膜的方法 热氧化 物理气相淀积 (PVD) 化学气相淀积 (CVD) 二氧化硅 SiO 2 称为石英玻璃, 电阻率约为 Ω cm SiO 2 是一种极好的电绝缘体 SiO 2 能很好地附着在大多数材料上 SiO 2 可生长在硅圆片上或淀积在硅圆片上面 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 6
4 4.2 材料生长与淀积 1 热氧化层生长 反应式 : 干氧 :Si+O 2 SiO 2 湿氧 :Si+2H 2 O SiO 2 +2H 2 消耗的硅层厚度 :xsi 0. 46x ox 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 材料生长与淀积 2 化学气相淀积 (CVD) 氧化工艺气态物质通过化学反应在材料表面形成薄膜 适宜晶圆表面已覆盖氧化层情况 反应式 : SiH 4 ( 气 )+2O 2 ( 气 ) SiO 2 ( 固 )+2H 2 O( 气 ) 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 8
5 4.2 材料生长与淀积 氮化硅 用于表面覆盖, 对大多数物质原子有阻挡作用, 防污染 介电常数较大 : ε 7.8ε N 制造过程中用来在电气上隔离相邻场效应管 同 SiO 2 一样, 能被化学漂洗掉 0 反应式 : 3SiH 4 ( 气 )+4NH 3 ( 气 ) Si 3 N 4 ( 固 )+12H 2 ( 气 ) 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 材料生长与淀积 多晶硅 多晶硅 :Poly 层, 形成栅极 在 SiO 2 上淀积硅原子, 形成多晶 ( 局部小区域 Si 原子规则排列 ) Poly 优点 : 反应式 : 可被掺杂, 增强导电性 与 SiO 2 良好接合 SiH 4 Si+2H 2 可覆盖高熔点金属, 如钛 (Ti) 铂 (Pt) 钨 (W) 钴 (Co), 降低薄层电阻 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 10
6 4.2 材料生长与淀积 金属化 铝 : 粘附性好 在真空腔中加热蒸发, 形成蒸铝流体覆盖晶圆 电阻率 ρ = 2.65μΩ cm 缺点 : 电阻率比较大 ; 高电流密度情况下存在电迁移问题, 原子从导线一端移出, 在另一端堆积 I 电流密度 : J = = A I wt 铝的电迁移效应 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 材料生长与淀积 掺杂 扩散 高温过程 离子注入 常温下进行, 注入后需要高温退火处理 掺杂剂原子在腔室中电离 加速到很高能量 质量分离器 射入衬底 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 12
7 4.2 材料生长与淀积 高斯分布的注入剖面 N R N ion p ΔR D ( x) : 穿透的平均深度 p I p = N p e : 穿透深度的标准差 : 峰值密度 = All x N ion 1 x Rp 2 R Δ p ( x) dx D : I 单位面积注入的离子数 2 采用退火法使掺杂剂处于晶格位置上 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 材料生长与淀积 离子注入法的特点 : 掺杂的过程可通过调整杂质剂量及能量来精确的控制, 杂质分布均匀 可进行小剂量的掺杂 可进行极小深度的掺杂 较低的工艺温度, 故光刻胶可用作掩模 可供掺杂的离子种类较多 在大剂量注入时半导体晶格会被严重破坏并很难恢复 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 14
8 4.2 材料生长与淀积 化学机械抛光 (CMP) 平坦化技术 : 将硅片表面变为一平坦表面 采用化学刻蚀和机械 喷沙 在硅圆片上产生平整的表面 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 刻蚀 光刻 : 图形由掩模转移到光刻胶上刻蚀 : 图形由光刻胶转移到光刻胶下面的材料上掩模 : 一块有铬图案的玻璃板 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 16
9 4.3 刻蚀 涂光刻胶 : 滴光刻胶 高速旋转 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 刻蚀 曝光 : 光刻胶与光相互作用, 发生化学反应 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 18
10 4.3 刻蚀 光刻胶 : 根据曝光前后溶解特性的变化, 分为正胶和负胶 正胶 : 曝光前不可溶, 曝光后可溶负胶 : 曝光前可溶, 曝光后不可溶正光刻胶特点 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 刻蚀 例 : 氧化层刻蚀 工艺步骤 : 甩胶 曝光 显影 刻蚀 去胶 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 20
11 4.3 刻蚀 例 : 形成掺杂硅层图案 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 刻蚀 圆片上的芯片部位 芯片用 步进和重复过程 一个一个曝光 洁净间 : 光刻在洁净间完成,X 级的洁净间是指每立方英尺中直径大于 0.5µm 的颗粒应当少于 X 个 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 22
12 4.4 CMOS 工艺流程 1 N 阱 CMOS 工艺 (1)CMOS 制造中起始的几道工序 (a) 有外延层的初始圆片 (b) 在外延层中形成 n 阱 (c) 用氮化物 / 氧化物确定有源区 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 (d) 硅片刻蚀 (e) 场氧生长 (f) 表面去除氮化物 / 氧化物 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 24
13 4.4 CMOS 工艺流程 (2)NMOS 和 PMOS 的形成 (a) 栅氧生长 (b) 多晶硅的淀积和形成图案 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 (c)pselect 掩模与注入 (d)nselect 掩模与注入 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 26
14 4.4 CMOS 工艺流程 (3) 第一层金属互连层 (a) 退火和 CVD 氧化 (b)cvd 氧化层中有源区接触及钨塞形成 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 (c) 金属 1 涂层及图案形成 用同样的方法加入更多的金属层, 金属互连层之间用二氧化硅绝缘 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 28
15 4.4 CMOS 工艺流程 (4) 压焊块 : 芯片内核与封装管壳之间的连接界面 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 2 工艺改进 (1) 轻掺杂漏区 (LDD)FET 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 30
16 4.4 CMOS 工艺流程 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 (2) 硅化物 在栅极两侧形成一定厚度的二氧化硅或氮化硅侧墙, 然后淀积难熔金属并和硅反应形成硅化物 作用 : 减小多晶硅和源 漏区的寄生电阻 ; 减小金属连线和源 漏区接触孔的接触电阻 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 32
17 4.4 CMOS 工艺流程 (3) 铜互连线与铜通孔 铜比铝的电阻率低 40% 左右, 用铜互连代替铝互连可减小互连线的寄生电阻 采用铜互连可减少连线层数 铜易于扩散到二氧化硅中, 会影响器件性能 铜不能用常规的方法制作, 需要特殊的工艺技术 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 CMOS 工艺流程 铜互连线 大马士革镶嵌工艺 刻蚀二氧化硅 淀积铜 ( 电镀 ) 化学机械抛光 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 34
18 4.4 CMOS 工艺流程 铜通孔 双大马士革镶嵌工艺 铜通孔特点 : 铜通孔比钨通孔具有更低的电阻 避免了由标准工艺的铝 钨界面引起的接触电阻 铜易于扩散到二氧化硅中, 铜的周围需要阻挡层 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 设计规则 设计规则 : 指导版图掩模设计的对几何尺寸的一组规定 设计规则的四种主要类别 : 最小宽度 最小间距 离周边距离 露头 w= 对最小宽度的规定 s= 对最小间距的规定 d= 其他一般的最小距离例 :w m1 = 金属 1 的最小宽度 s m1-m1 = 金属 1 和金属 1 之间的最小间距 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 36
19 4.5 设计规则 两条多晶线的设计规则 例 :w p = 多晶线的最小宽度 s p-p = 多晶线与多晶线之间的最小间距 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 设计规则 离周边距离设计规则的例子 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 38
20 4.5 设计规则 没有对准引起的缺陷 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 设计规则 露头设计规则的例子 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 40
21 4.5 设计规则 设计规则的两种形式 : (1) 微米设计规则 : 直接以微米为单位给出各种图形几何尺寸的要求 灵活性大, 能反映实际工艺水平 ; 电路设计可达到最高的集成度 ; 通用性差, 一旦工艺变化, 需重新制定设计规则 (2)λ 设计规则 : 以 λ 为单位给出各种图形几何尺寸的相对值 工艺的最小线宽设为 2λ, 设计规则中所有的几何尺寸均规定为 λ 的整数倍 通用性强, 适合 CMOS 电路按比例缩小的发展规律 ; 电路设计无法达到最高的集成度 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 设计规则 物理极限 (1) 光刻工艺的限制 光的衍射 (2) 刻蚀工艺的限制 各向异性程度 : r A = 1 lat r vert r r lat vert : 横向刻蚀速率 : 纵向刻蚀速率 A = 1, 纯各向异性 ; A = 0, 纯各向同性 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 42
22 4.5 设计规则 (3)n+ 间距的限制 (4) 导线间串扰的限制 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 设计规则 电气规则 金属互连线的允许宽度 ; n+ 间距的限制 ; 相邻两层导线重合面积的限制 ; 有源区与阱的距离 ; 天线效应 第 4 章 CMOS 集成电路的制造 44
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集成电路制造工艺 北京大学 集成电路设计与制造的主要流程框架 系统需求 设计 掩膜版 芯片制造过程 芯片检测 封装 测试 单晶 外延材料 集成电路的设计过程 : 设计创意 + 仿真验证 功能要求 行为设计 (VHDL) 行为仿真是综合 优化 网表 否 时序仿真 是 布局布线 版图 否 设计业 后仿真 Sing off 集成电路芯片设计过程框架 是 否 From 吉利久教授 芯片制造过程 制造业 硅片
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第 一 章 服 装 制 作 工 艺 基 础 知 识 第 一 节 服 装 术 语 服 装 术 语 是 服 装 技 术 专 用 语, 如 服 装 的 每 一 个 品 种 服 装 上 的 每 一 块 裁 片 服 装 制 作 过 程 中 每 一 种 操 作, 以 及 所 使 用 的 工 具 服 装 制 作 过 程 中 出 现 的 各 种 弊 病 和 要 达 到 的 某 些 质 量 要 求 等, 都 有 其
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第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 本章目录 3.1 集成电路工艺层 3. MOSFET 3.3 CMOS 工艺层 3.4 FET 阵列设计 018-9-5 第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 1 3.1 集成电路工艺层 硅集成电路 (IC) 分层的一个主要特点 : 形成图形的导体层在绝缘体的上面 018-9-5 第 3 章 CMOS 集成电路的物理结构 3.1 集成电路工艺层 叠放过程完成后的各层情形
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Chapter 3 1 N P 掺 ( 掺 ) MOS 2 3 掺 Si Ge (SiGe), (SiC) (GaAs), (InP) 4 5 P 掺 掺 N 掺 6 , E c, E g, E v 7 E g = 1.1 ev E g = 8 ev 2.7 cm 4.7 cm ~ 10 10 cm > 10 20 cm 8 Shared electrons Si Si Si Si Si Si Si
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LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF LPKF 的吸尘器噪音 适用于 ProtoMat S 系列和激光设备 ProtoLaser S U ProtoMat S ProtoLaser S U 22,500 Pa 241 m 3 /hour (142 cfm) 800W (230V/50Hz) 250mm/300mm/350mm (10"/12"/14") 噪音 50 db(a)
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校园之星
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第一章 绪论
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Microsoft Word - 第三章第三節.doc
第 三 節 植 栽 及 建 物 環 境 敷 地 調 查 一 周 圍 環 境 調 查 臺 中 刑 務 所 典 獄 長 官 舍 及 浴 場 位 於 臺 中 市 西 區, 刑 務 所 演 武 場 之 後 方, 以 林 森 路 自 由 路 一 段 與 貴 和 街 為 界 圍 塑 出 之 區 域, 林 森 路 25 巷 與 自 由 路 一 段 89 巷 縱 橫 貫 穿 其 中 本 案 刑 務 所 典 獄 長
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中華民國 第51屆中小學科學展覽會
中 華 民 國 第 51 屆 中 小 學 科 學 展 覽 會 作 品 說 明 書 國 小 組 物 理 科 第 三 名 080115 問 水 哪 得 高 如 許? 為 有 熱 源 伴 水 來 學 校 名 稱 : 桃 園 縣 龍 潭 鄉 三 坑 國 民 小 學 作 者 : 指 導 老 師 : 小 六 陳 嬿 云 黃 啟 晉 小 六 張 婉 怡 關 鍵 詞 : 熱 脹 冷 縮 模 擬 燃 燒 影 響 力
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冷 凍 空 調 初 步 認 知 與 基 礎 維 修 技 術 ( 三 ) 壹 冷 凍 空 調 基 本 技 能 銅 管 的 認 識 銅 管 在 於 冷 凍 空 調 這 行 業 上, 一 般 用 於 冷 凝 器 蒸 發 器 製 造 及 高 低 壓 管 路 配 管, 其 特 性 為 耐 蝕 性 高, 易 彎 曲 可 焊 接 可 擴 管 及 製 作 喇 叭 口, 材 料 強 度 高, 耐 高 壓, 熱 傳 導
动力厂安全规程
安 钢 动 力 厂 岗 位 安 全 操 作 规 程 2015 年 10 月 目 录 1. 通 用 部 分.. 1 2. 变 配 电 工 3 3. 电 气 维 检 工 4 4. 锅 炉 运 行 工 6 5. 化 学 分 析 工 7 6. 化 学 水 工 8 7. 混 合 加 压 工 10 8. 管 道 工 11 9. 机 械 维 检 工 14 10. 电 焊 工. 16 11. 安 装 起 重 工.
CIP 1 μm μm [Mg/m 3 ] 5 未经东洋炭素的事先许可, 不得使用或转载本目录信息
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碳-石墨产品 特种石墨 1 单晶硅制造设备 2 临界等离子测试设备 JT-6 * 照片由日本原子能研究开发机构提供 (1) (2) CIP 1 μm 2 25 1 μm 5 1 15 2 [Mg/m 3 ] 5 未经东洋炭素的事先许可, 不得使用或转载本目录信息 / 未经东洋炭素的事先许可, 不得使用或转载本目录信息 6 LEDEDM * * CVD 7 未经东洋炭素的事先许可, 不得使用或转载本目录信息
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第一章 前言
85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 1 2 3 110 4 5 6 7 8 9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 111 1 2 3 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 () () 124 125 126
1 产品说明 1 产品说明 1.1 规定 所述法兰是带有密封条的螺纹法兰, 可以交付带 G 1 或 G 1½ 内螺纹 (ISO 228 T1) 的法兰 在本附加说明书中的说明针对用材料 316L 制成的法兰 材料 316L 相当于 或 所有距离值以毫米为单位 提供多种不同
附加说明书 符合 DIN - EN - ASME - JIS - GOST 的法兰 技术参数 Document ID: 31088 1 产品说明 1 产品说明 1.1 规定 所述法兰是带有密封条的螺纹法兰, 可以交付带 G 1 或 G 1½ 内螺纹 (ISO 228 T1) 的法兰 在本附加说明书中的说明针对用材料 316L 制成的法兰 材料 316L 相当于 1.4404 或 1.4435 所有距离值以毫米为单位
地勘快讯
地 勘 快 讯 2016 年 第 20 期 ( 总 第 72 期 ) 重 庆 市 地 勘 局 党 委 办 公 室 主 办 2016 年 7 月 1 日 地 勘 动 态 我 局 召 开 纪 念 建 党 95 周 年 暨 先 进 基 层 党 组 织 优 秀 共 产 党 员 优 秀 党 务 工 作 者 表 彰 大 会 6 月 29 日 下 午, 我 局 在 机 关 一 会 议 室 举 办 纪 念 建 党
公開徵求廠商提供「採購專業人員訓練計畫企劃書」公告
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凯莱东尼铁路应用同轴电缆
凯莱东尼铁路应用同轴电缆 www.addison-cables.com 凯莱东尼铁路电缆 目录 目录 FRA 316 SW4 2 FRA 400 SW4 4 FRA 213D SW4 6 FRA 213 URM SW4 8 FRA 3002 SW4 10 FRA 59 SW4 12 FRA 179 SW4 14 COAXIAL CABLES 1 FRA 316 SW4 Ô Ô应用 该电缆适合铁路机车内外灵活安装
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101 45.5cm 38.0cm 2007 19222007 19121996 1894 1943 48 49 50 51 72.5cm 50.5cm 2006 60 1980 1958 30 53.0cm 45.5cm 2008 21 19 101 33.0cm 24.0cm 2007 33.0cm 24.0cm 2008 41.0cm 31.5cm 2008 52 53 53.0cm 33.0cm
1 2 册 3 4 5 6 7 8 2 3 4 234 5 15 6 5 5 5 14 14 ( )4 ( ) 15( )6 ( ) 5 5 14 14 9 10 11 2 8 8 16 3 1 4 2 8 8 16 16 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 5 4 4 3 6 5
13. 下 列 植 物 的 向 性 或 運 動, 哪 些 是 受 到 生 長 素 作 用 的 影 響?(5-4) 甲. 睡 蓮 的 花 到 了 晚 上 會 合 起 來 ; 乙. 黃 瓜 的 捲 鬚 攀 附 竹 竿 向 上 生 長 ; 丙. 含 羞 草 的 葉 經 碰 觸 後 閉 合 ; 丁. 紅 豆
新 北 巿 立 江 翠 國 民 中 學 104 學 年 度 第 一 學 期 自 然 生 活 科 技 領 域 七 年 級 第 三 次 定 期 考 查 試 卷 班 別 : 座 號 : 姓 名 : 測 驗 說 明 1. 範 圍 : 康 軒 版 第 一 冊 5-1~6-5 2. 本 題 目 卷 兩 張 雙 面 共 3 頁 3. 全 部 試 題 共 44 題, 皆 為 單 一 選 擇 題, 請 以 2B 鉛
16 标 本 缓 急 的 护 理 原 则 不 包 括 ( 扶 正 祛 邪 法 ) 17 顺 从 疾 病 假 象 而 进 行 护 理 的 方 法 为 ( 反 护 法 ) 18 下 列 属 于 正 护 法 的 是 ( 虚 则 补 之 ) 19 因 中 气 不 足 脾 阳 不 运 而 致 的 腹 胀 便
中 医 护 理 学 习 题 集 一 填 空 题 1 医 疗 体 育 的 奠 基 人 是 (1 华 佗 ) 2 伤 寒 杂 病 论 开 创 了 (1 辨 证 施 护 ) 先 河 3 头 有 疮 则 (1 沐 ), 身 有 疡 则 (2 浴 ) 4 首 创 麻 沸 散 的 是 (1 华 佗 ) 5 我 国 第 一 部 医 学 典 籍 是 (1 黄 帝 内 经 ), 成 书 于 战 国 至 秦 汉 时 期,
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緊 張 蜥 蜥 求 生 術 -- 斯 文 豪 氏 攀 木 蜥 蜴 摘 要 本 研 究 透 過 飼 養 戶 外 觀 察 與 實 驗, 瞭 解 斯 文 豪 氏 攀 木 蜥 蜴 的 外 觀 及 生 態 習 性, 並 以 不 同 的 環 境 因 子 結 合 松 果 腺 的 反 應 探 討 體 色 的 變 化 研 究 發 現 : 一 情 緒 會 影 響 攀 蜥 的 體 色, 當 驚 慌 逃 竄 暴 躁 攻 擊
3. 透 過 團 體 小 組 分 別 設 計 出 一 套 自 行 車 伸 展 操 4. 教 師 介 紹 騎 乘 自 行 車 上 座 方 法 煞 車 及 踩 踏 等 要 領. 練 習 自 行 車 運 動 中 基 本 的 上 座 平 衡 直 行 轉 彎 煞 車 等 動 作 ( 二 ) 自 行 車 運 動
普 通 高 級 中 學 新 課 程 體 育 科 教 學 資 源 研 發 單 元 設 計 理 念 架 構 一 單 元 名 稱 : 戶 外 活 動 ( 自 行 車 ) 二 適 用 對 象 : 高 一 三 教 學 節 數 : 二 節 (100 分 鐘 ) 四 教 學 目 標 設 計 者 : 田 珮 甄 / 景 美 女 中 能 瞭 解 自 行 車 的 歷 史 背 景 裝 備 服 裝 及 競 賽 種 類, 透
( ) 5. 自 行 車 有 吱 吱 喳 喳 的 聲 音 可 能 是 什 麼 原 因 所 造 成?(1) 鈴 號 的 聲 音 (2) 螺 栓 ( 帽 ) 鬆 動 (3) 腳 踏 板 磨 損 ( ) 6. 下 列 敘 述 何 者 是 對 的?(1) 輪 胎 的 胎 壓 是 愈 高 愈 好, 所 以 填
一 是 非 題 :( 每 題 2 分, 共 20 分 ) ( )1. 發 生 交 通 事 故 時, 為 了 使 失 去 知 覺 的 傷 者 儘 快 恢 復 意 識, 應 向 傷 者 拍 打 搖 動 ( )2. 腳 踏 自 行 車 煞 車 壞 掉 不 修 沒 關 係, 因 為 用 腳 也 可 以 煞 車 ( )3. 雖 然 腳 踏 自 行 車 速 度 比 機 車 慢, 但 是 為 了 安 全 起 見,
学做一体手册，餐饮.doc
流 程 化 用 流 程 优 化 制 度 化 用 制 度 规 范 工 具 化 用 工 具 执 行 范 例 化 用 范 例 演 示 黑 龙 江 职 业 学 院 酒 店 管 理 团 队 编 制 自 助 餐 工 作 流 程 及 注 意 事 项 一 餐 前 工 作 流 程 1 摆 放 餐 具 上 午 10:30 分 以 前, 将 消 毒 好 的 餐 具 摆 放 在 餐 厅 内 的 消 毒 柜 中 按 照 字
硕士论文正文
大连文史资料第四辑 - 1 - ...5...13...17...30...32...34...37...43...48...54...56...60...62 ...64...68...72...79...81 16 24cm, 3 12cm 5 12 8 1884 13 24-35cm 3 12-25cm 6 8cm 4 8 24cm 2 15-35cm 2 8cm 4 6 15cm
9-1909743-20160311-yy.xls
序 号 单 位 名 称 单 位 性 质 职 位 性 质 单 位 层 级 职 位 名 称 职 位 简 介 招 录 人 数 1 2 3 4 5 岳 阳 市 残 疾 人 联 合 会 岳 阳 市 商 务 粮 食 岳 阳 市 商 务 粮 食 岳 阳 市 商 务 粮 食 岳 阳 市 商 务 粮 食 参 照 管 理 的 人 民 团 体 和 市 州 直 群 众 团 体 科 员 财 务 工 作 科 员 报 考 人 员
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84 1004 999 1001 271 955 971 994 1021 272 1066 273 1137 85 274 1037 1038 275 1983 3044 276 277 3947-3948 86 278 279 3948 280 87 281 83 88 282 283 4194-4196 284 285 4558-4559 89 1007 286 746-747 1009-1010
http://www.cyut.edu.tw/~recruit http://www.cyut.edu.tw/~recruit 93 14 93 14 () 2B 2B 逹 逹 25.7cm 36.4cm A B C D E F G H I J K L M 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10 11 12 13 N O P Q R S T U V W X Y Z
第十二章 角色转换 走向成功
第 十 一 章 教 学 目 的 通 过 该 章 使 大 学 生 掌 握 与 就 业 相 关 的 法 律 法 规, 树 立 就 业 权 利 意 识, 掌 握 就 业 权 益 的 内 涵 特 点 和 基 本 内 容, 引 导 学 生 防 范 就 业 陷 阱, 正 确 处 理 和 用 人 单 位 的 各 种 纠 纷, 能 使 用 法 律 武 器 维 护 自 身 合 法 权 益 教 学 内 容 第 一 节
國立和美實驗學校103學年度第1次教師甄選簡章
國 立 和 美 實 驗 學 校 105 學 年 度 第 1 次 教 師 甄 選 簡 章 壹 依 據 : 教 師 法 教 育 人 員 任 用 條 例 暨 其 施 行 細 則 高 級 中 等 以 下 學 校 教 師 評 審 委 員 會 設 置 辦 法 公 立 高 級 中 等 以 下 學 校 教 師 甄 選 作 業 要 點 及 本 校 教 師 甄 選 作 業 要 點 等 有 關 規 定 辦 理 貳 甄 選
104 年 度 推 廣 校 園 正 確 用 藥 教 育 模 式 中 心 學 校 成 果 報 告 書 學 校 : 桃 園 市 中 心 學 校 田 心 國 民 小 學 壹 計 畫 目 的 一 凝 聚 本 市 中 心 學 校 與 重 點 種 子 學 校 正 確 用 藥 教 育 推 廣 共 識, 期 能 培
衛 生 福 利 部 食 品 藥 物 管 理 署 104 年 度 推 廣 校 園 正 確 用 藥 教 育 模 式 計 畫 桃 園 市 田 心 國 民 小 學 中 心 學 校 成 果 報 告 書 104 年 11 月 10 日 104 年 度 推 廣 校 園 正 確 用 藥 教 育 模 式 中 心 學 校 成 果 報 告 書 學 校 : 桃 園 市 中 心 學 校 田 心 國 民 小 學 壹 計 畫 目