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1 Ver 1.3 抗辐照高可靠 64 路模拟开关电路 产品使用手册 产品型号 :BM2720MQRH

2 版本控制页 版本号发布日期更改章节更改说明备注 第六章增加 6.1 节 质量等级及执行标准 第六章增加 6.3 节 贮存条件 附录 2 增加典型应用电路说明 更改全文格式 1

3 目 录 1 产品特性 产品概述 结构图 引脚描述 引脚定义( 见附录 1) 产品描述 质量等级及执行标准 功能描述 真值表 典型特性曲线和测试电路 贮存条件 绝对最大额定值 推荐工作条件 抗辐照指标 电参数 典型应用描述( 见附录 2) 封装说明 附录 1 引脚定义 附录 2 典型应用

4 1 产品特性 抗静电能力 ( 人体模型 ) 2000V 低功耗 1mA 导通时间短 600ns Break-Before-Make Delay 40ns 低导通电阻 600Ω 低漏电 100nA 高隔离度 60dB@f in =200kHz 抗电离总剂量能力 100Krad(Si) 抗单粒子锁定能力 80Mev cm 2 /mg 2 产品概述 BM2720MQRH 型抗辐照高可靠 64 路模拟开关电路是一个 64 路 T 型模拟开关 电路分为两级来实现, 由四组构成, 每一组由一个 16 选 1 的模拟开关单元和一个 4 选 1 模拟开关单元中的一个传输开关单元级联而成, 在内部连接点处有一个开关接地, 构成 T 型开关结构 电路不工作时, 四个大通道接地开关都导通, 实现与输出的有效隔离, 这种结构能够有效的提高关断隔离度 电路的选择控制功能由两级译码器来实现, 在某一时刻能够选通 64 路中的任一路 1

5 3 结构图 A0~A3 IN1~IN16 16 选 1 开关单元传输开关单元 接地开关单元 A4 A5 译码器 A0~A3 IN17~IN32 16 选 1 开关单元传输开关单元 接地开关单元 A4 A5 译码器 A0~A3 IN33~IN48 16 选 1 开关单元传输开关单元 接地开关单元 A4 A5 译码器 A0~A3 IN49~IN64 16 选 1 开关单元传输开关单元 接地开关单元 A4 A5 译码器 图 3-1 BM2720MQRH 结构示意图 2

6 4 引脚描述 芯片采用 CQFP80 引脚封装形式, 引脚布局如图 4-1 所示 IN26 IN25 IN24 IN23 IN22 IN21 IN20 IN19 IN18 IN17 IN16 IN15 IN14 IN13 IN12 IN11 IN10 IN IN IN8 IN IN7 IN30 IN31 IN IN6 IN5 IN IN3 V DD 7 54 IN2 A5 A4 A3 A2 A1 A IN1 V DD V DD IN IN63 V DD IN62 IN33 IN IN61 IN60 IN IN59 IN IN58 IN IN38 IN39 IN40 IN41 IN42 IN43 IN44 IN45 IN46 IN47 IN48 IN49 IN50 IN51 IN52 IN53 IN54 IN55 IN56 IN27 BM2720MQRH IN57 图 4-1 引脚布局 ( 顶视图 ) 注 : 在芯片背面 1 引脚和 80 引脚之间有一个小圆点, 由此可以帮助确认芯片引脚位置 BM2720MQRH 详细功能描述见表 4-1: 3

7 表 4-1 BM2720MQRH 引脚功能描述 引脚符号 IN1~64 A0~A5 V DD 第 1~64 路输入端地址选择端使能端输出端电源地 功能描述 5 引脚定义 ( 见附录 1) 6 产品描述 6.1 质量等级及执行标准 抗辐照型电路 BM2720MQRH 质量保证等级为 Q/Zt 规定的 B 级, 符合 半导体集成电路 BM2720MQRH 型抗辐照高可靠 64 路模拟开关电路详细规范 规定的要 求 6.2 功能描述 真值表 BM2720MQRH 有 6 个地址选择端, 一个使能端, 可选择 64 路的任何一路进行输出, 其真值表如表 6-1 所示 表 6-1 真值表 A5 A4 A3 A2 A1 A0 开启通道 X X X X X X L 无 L L L L L L H 1 L L L L L H H 2 L L L L H L H 3 L L L L H H H 4 L L L H L L H 5 L L L H L H H 6 L L L H H L H 7 L L L H H H H 8 L L H L L L H 9 L L H L L H H 10 4

8 L L H L H L H 11 L L H L H H H 12 L L H H L L H 13 L L H H L H H 14 L L H H H L H 15 L L H H H H H 16 L H L L L L H 17 L H L L L H H 18 L H L L H L H 19 L H L L H H H 20 L H L H L L H 21 L H L H L H H 22 L H L H H L H 23 L H L H H H H 24 L H H L L L H 25 L H H L L H H 26 L H H L H L H 27 L H H L H H H 28 L H H H L L H 29 L H H H L H H 30 L H H H H L H 31 L H H H H H H 32 H L L L L L H 33 H L L L L H H 34 H L L L H L H 35 H L L L H H H 36 H L L H L L H 37 H L L H L H H 38 H L L H H L H 39 H L L H H H H 40 H L H L L L H 41 H L H L L H H 42 H L H L H L H 43 H L H L H H H 44 H L H H L L H 45 H L H H L H H 46 H L H H H L H 47 H L H H H H H 48 H H L L L L H 49 H H L L L H H 50 H H L L H L H 51 H H L L H H H 52 5

9 H H L H L L H 53 H H L H L H H 54 H H L H H L H 55 H H L H H H H 56 H H H L L L H 57 H H H L L H H 58 H H H L H L H 59 H H H L H H H 60 H H H H L L H 61 H H H H L H H 62 H H H H H L H 63 H H H H H H H 典型特性曲线和测试电路 1. 导通电阻 V VIN I =100uA 600 图 6-1 导通电阻测试图 550 导通电阻 (Ω) VIN (V) 图 6-2 导通电阻与输入信号关系曲线 2. 电源电流 6

10 A A 5 V DD IN1 A 4 f=100khz 50Ω A 3 A 2 A 1 IN2 ~ IN64... A 0 4V 10MΩ 14pF 3. 关断漏电流 图 6-3 电源电流测试图 V A I D(OFF) 4. 开启漏电流 图 6-4 关断漏电流测试图... A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 4V A I D(ON) 0.8V 图 6-5 开启漏电流测试图 5. 关断隔离度 7

11 IN1 0.8V Vsin V pp = f=200khz 1KΩ 50pF 图 6-6 关断隔离度测试图 关断隔离度 (db) k 200k 500k 1M 2M 5M 10M 20M 输入信号频率 (Hz) 6. 导通时间 图 6-7 关断隔离度与输入信号频率关系曲线 A 5 V DD IN1 A 4 50Ω A 3 A 2 A 1 IN2 ~ IN64... A 0 4V 10KΩ 50pF 图 6-8 导通时间测试图 8

12 50% 50% V A t on t off 90% 90% 图 6-9 导通时间及截止时间定义波形图 5 V A 电压 (V) 时间 (ns) 截止时间 图 6-10 导通时间测试结果 A 5 V DD IN1 50Ω A 4 A 3 A 2 A 1 IN2 ~ IN64... A 0 4V 10KΩ 50pF 图 6-11 截止时间测试图 9

13 电压 (V) V A 时间 (ns) 图 6-12 截止时间测试结果 使能延时 ( 导通 ) A 5 V DD IN1 0.8V A 4 A 3 A 2 A 1 IN2 ~ IN64... A 0 50Ω 1KΩ 50pF 图 6-13 使能延时 ( 导通 ) 测试图 50% 50% 90% 90% t on() t off() 图 6-14 使能延时定义波形图 10

14 电压 (V) 时间 (ns) 500 图 6-15 使能延时 ( 导通 ) 测试结果 9. 使能延时 ( 关断 ) A 5 V DD IN1 A 4 0.8V A 3 A 2 A 1 IN2 ~ IN64... A 0 50Ω 1KΩ 50pF 图 6-16 使能延时 ( 关断 ) 测试图 电压 (V) 时间 (ns) 500 图 6-17 使能延时 ( 关断 ) 测试结果 11

15 10.Break-Before-Make Delay A 5 V DD IN1 50Ω A 4 A 3 A 2 IN2 ~ IN63... A 1 A 0 IN64 4V 1KΩ 14pF 图 6-18 Break-Before-Make Delay 测试图 V A 50% 50% t OP 图 6-19 Break-Before-Make Delay 定义波形图 4 3 电压 (V) 时间 (ns) 1000 图 6-20 Break-Before-Make Delay 测试结果 12

16 6.3 贮存条件产品包装由无腐蚀的材料制成, 能导电或用抗静电材料涂敷过或浸渍过, 具备足够的抗静电能力 在避免雨 雪直接影响的条件下, 装有产品的包装箱可以用任何运输工具运输 但不能和带有酸性 碱性和其它腐蚀性物体堆放在一起 包装好的产品贮存环境应满足 Q/W 657A-2007 第 8.1 规定的 I 类库房条件要求 ( 温度 : 15 ~25, 湿度 :25%~65%), 周围没有酸 碱或其它腐蚀性气体, 通风良好, 且具备相应防静电措施 6.4 绝对最大额定值 a) 电源电压范围 (VDD) V ~ 6.0 V b) 输入电压范围 (VS) ~ VDD+ 0.5 V c) 存储温度范围 (Tstg) ~ d) 最大功耗 (PD) mW e) 结至外壳的热阻 (Rth(J-C) ) /W f) 最高结温 (Tj) 推荐工作条件 a) 电源电压范围 (VDD) ~ 5.5 V b) 模拟输入范围 (VS)... 0 ~ VDD c) 工作温度范围 (TA) ~ 抗辐照指标 a) 抗电离总剂量能力 100Krad(Si); b) 抗单粒子锁定能力 80Mev cm2/mg; 7 电参数 参数 典型性能指标是在 TA=25 的条件下测试得到的 符号 表 7-1 电参数表 条件 ( 除另有规定外,-55 TA 125 VDD=,=0V,VAH=4V, VAL=0.8V) 最小典型最大单位 电源电压 VDD V 13

17 模拟输入范围 VS 0 VDD V 导通电阻 数字输入高电平 电压 数字输入低电平 电压 电源电流 RON V=4V, VIN =, I= I IN=100uA Ω VAH 4.0 V VAL 0.8 V IDD 关断漏电流 ID(OFF) 开启漏电流 关断隔离度 导通时间 截止时间 使能延时 ( 导通 ) 使能延时 ( 关断 ) Break-Before-Mak e Delay ID(ON) OFF Isolation ton toff ton() toff() top V=4V,VA =0.8V 跳变到 4V( 频 率为 100kHz),VIN1=,VIN2~IN64 =0V, RL=10MΩ,CL=14pF V=0.8V, VIN1~IN64 =, V=0 V, 测 端电流 V=4V, VA =0.8V, VIN2~IN64 =, VIN1=V=0V, 测 端与 IN1 端的总电流 V=0.8V,VIN1( 正弦 ): 信号范围 =0~, f=200khz, RL=1kΩ, CL=50pF V=4V,VA=0.8V 跳变到 4V, VIN2~IN64=0V,VIN1 =,RL=10 kω,cl=50pf V=4V, VA=4 跳变到 0.8V, VIN2~IN64=0V,VIN1 =,RL=10 kω,cl=50pf V =0.8V 跳变到 4V,VA=0.8V, VIN1 =,VIN2~IN64=0V,RL=1 kω,cl=50pf V =4V 跳变到 0.8V,VA=0.8V, VIN1 =,VIN2~IN64=0V,RL=1 kω,cl=50pf V =4V,VA=0.8V 跳变到 4V,VIN1 = VIN64 =,VIN2~IN63=0V,RL=1 kω,cl=14pf ma na na db ns ns 90 ns 185 ns 40 ns 8 典型应用描述 ( 见附录 2) 14

18 9 封装说明 封装类型为 80 引线陶瓷四边引线扁平封装, 封装形式为 CQFP80 外壳外形及尺寸如 图 9-1 及表 9-1 所示 图 9-1 外形及尺寸 表 9-1 CQFP80 外壳外形及尺寸 尺寸 数值 ( 单位 :mm) 内容 符号 最小 公称 最大 厚度 ( 含盖板 ) A 引线宽度 b 引线厚度 c * c * D/E * D1/E 磁体尺寸 D2/E 引线节距 e 最外侧引线中心到磁体边缘的距离 Z 备注 :* 这些尺寸和绝缘筋外框相关, 用户在实际使用中可根据自身需求切筋成形 切筋成型主要参数满足航天标准 QJ , 其外型尺寸如下图 : 15

19 尺寸符 数值 ( 单位 : 毫米 ) 号 最小 公称 最大 A A b 0.22 c 0.15 e 0.5 Z 1.25 D/E HD/HE L 图 9-2 切筋成型后外形及尺寸 16

20 附录 1 引脚定义 引脚定义见附表 1-1: 附表 1-1 引脚定义 CQFP80 封装引出端序 符号 功能描述 CQFP80 封装引出端序 符号 功能描述 号 号 1 IN28 第 28 输入端 41 IN57 第 57 输入端 2 IN29 第 29 输入端 42 IN58 第 58 输入端 3 IN30 第 30 输入端 43 IN59 第 59 输入端 4 IN31 第 31 输入端 44 IN60 第 60 输入端 5 IN32 第 32 输入端 45 IN61 第 61 输入端 6 地 46 IN62 第 62 输入端 7 VDD 电源 47 IN63 第 63 输入端 8 A5 地址选择端 48 IN64 第 64 输入端 9 A4 地址选择端 49 VDD 电源 10 A3 地址选择端 50 地 11 A2 地址选择端 51 输出 12 A1 地址选择端 52 VDD 电源 13 A0 地址选择端 53 IN1 第 1 输入端 14 使能端 54 IN2 第 2 输入端 15 VDD 电源 55 IN3 第 3 输入端 16 IN33 第 33 输入端 56 IN4 第 4 输入端 17 IN34 第 34 输入端 57 IN5 第 5 输入端 18 IN35 第 35 输入端 58 IN6 第 6 输入端 19 IN36 第 36 输入端 59 IN7 第 7 输入端 20 IN37 第 37 输入端 60 IN8 第 8 输入端 21 IN38 第 38 输入端 61 IN9 第 9 输入端 22 IN39 第 39 输入端 62 IN10 第 10 输入端 23 IN40 第 40 输入端 63 IN11 第 11 输入端 24 IN41 第 41 输入端 64 IN12 第 12 输入端 25 IN42 第 42 输入端 65 IN13 第 13 输入端 26 IN43 第 43 输入端 66 IN14 第 14 输入端 27 IN44 第 44 输入端 67 IN15 第 15 输入端 28 IN45 第 45 输入端 68 IN16 第 16 输入端 29 IN46 第 46 输入端 69 IN17 第 17 输入端 30 地 70 IN18 第 18 输入端 31 IN47 第 47 输入端 71 地 32 IN48 第 48 输入端 72 IN19 第 19 输入端 33 IN49 第 49 输入端 73 IN20 第 20 输入端 34 IN50 第 50 输入端 74 IN21 第 21 输入端 17

21 35 IN51 第 51 输入端 75 IN22 第 22 输入端 36 IN52 第 52 输入端 76 IN23 第 23 输入端 37 IN53 第 53 输入端 77 IN24 第 24 输入端 38 IN54 第 54 输入端 78 IN25 第 25 输入端 39 IN55 第 55 输入端 79 IN26 第 26 输入端 40 IN56 第 56 输入端 80 IN27 第 27 输入端 18

22 附录 2 典型应用 模拟开关可以在电子设备中起接通或断开信号的作用 此款 64 路 T 型模拟开关芯片具有抗辐照 耐高压静电 高隔离度 低功耗等特点, 可以被广泛应用在各种电子系统中, 如数据通讯电路 仪器仪表电路 传感电路 微波电路 ; 同时它还用于军用集成电路, 如导弹数据测量中的信道编译码纠错电路 雷达制导系统中脉冲调制器和取样保持电路等 其典型应用如附图 2-1 所示 为提高电路在实际应用中的可靠性, 可按附图 2-2 中所示的典型应用电路进行连接, 图中 R1 推荐阻值为 1KΩ, 防悬空电阻 R2 推荐阻值为 100KΩ 至 10MΩ, 在这种情况下, 输入信号 VS 在 -1V~+7. 的范围内不会造成电路的损伤, 且电路会保持正常功能 但要确保传输信号的完整性和良好的线性度, 电路的输入信号范围 VS 应该在 0~VDD 之间 BM2720MQRH 数据采集系统 数据处理系统 附图 2-1 典型应用电路图 1 A5 A4 A3 A2 A1 A0 VS R1 IN1 A5 A4 A3 A2 A1 A0... BM2720MQRH R2 IN2 IN64 VDD VDD 附图 2-2 典型应用电路图 2 19

23 服务与支持 通信地址 : 北京市丰台区东高地四营门北路 2 号邮政编码 : 联系部门 : 市场二部电话 / 传真 : / AD/DA 部张丛丛电话 : /

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