附件 12 版本号 :FH-2013-001 风华高科 低感抗片式电容器 Low Inductance MLCC 一 概述 低感抗多层陶瓷电容器通过改变与端头结合部分的长宽比, 做成低而宽的产品, 提高电极的导电率和导电面积, 降低 ESR 和 ESL, 减少电流变化的电压下降引起的电压干扰 从而使系统达到低损耗 高效率 高速运行的目的 适合回流焊接 二 用途 适用于高速微处理器 适用于芯片模块 (MCM) 中心流噪声的抑制 适用于高速数字设备 一 Features Low inductance MLCC is short and wide products by change the length over width ratio of the section that connected with the termination. This can increase the conductivity and current conducting area, reduce ESR and ESL, reduce the noise disturbance due to voltage decreasing caused by current change, then make the whole system has low dissipation factor, high efficiency and high speed. Suitable for reflow soldering. 二 Applications High-speed micro processor. Reduce multi chip module center current noise High speed digital equipment. 三 型号规格表示方法及温度特性 HOW TO ORDER & Temperature Coefficient /Characteristics 0508 B 102 K 500 N T 1 2 3 4 5 6 7 第 1 页共 10 页
1 产品尺寸及产品类型 : PRODUCT SIZE AND PRODUCT TYPE 代码 Code 长 ( 英寸 ) L(inch) 宽 ( 英寸 ) W(inch) 0508 0.05 0.08 0612 0.06 0.12 2 介质种类 DIELECTRIC STYLE 介质种类 (Dielectric Code) CG B F 介质材料 (Dielectric) COG X7R Y5V 3 标称容量 NOMINAL CAPACITANCE 表示方式 实际值 (Express Method) (Actual Value) 0R5 0.5 1R0 1.0 102 10 10 2 单位 (unit): pf 注 : 头两位数字为有效数字, 第三位数字为 0 的个数 ;R 为小数点 Note: the first two digits are significant; third digit denotes number of zeros; R=decimal point. 4 容量误差 CAPACITANCE TOLERANCE 代码 (Code) J K M 误差 (Tolerance) ±5.0% ±10% ±20% 5 额定电压 RATED VOLTAGE 表示方式 实际值 (Express Method) (Actual Value) 6R3 6.3 500 50 1 0 201 20 10 1 102 10 10 2 单位 (unit):v 注 : 头两位数字为有效数字, 第三位数字为 0 的个数 ;R 为小数点 Note: the first two digits are significant; third digit denotes number of zeros; R=decimal point.. 第 2 页共 10 页
6 端头材料 TERMINAL MATERIAL STYLES 端头类别 (Termination Styles) 表示方式 (Express Method) 纯银端头 (Silver Solderable Termination) S 纯铜端头 (Copper Solderable Termination) C 三层电镀端头 (Nickel Barrier Termination) N 7 包装方式 PACKAGE STYLES B 散包装 (Bulk Bag) T 编带包装 (Taping Package) 温度系数 / 特性 Temperature Coefficient /Characteristics 介质种类 参考温度点 标称温度系数 工作温度范围 Dielectric Reference Temperature Point Temperature Coefficient Operation Temperature Range COG 20 C 0±30 ppm/ -55 ~125 X7R 20 C ±15% -55 ~125 Y5V 20 C -80%~+30% -25 ~85 备注 :Ⅰ 类电容器标称温度系数和允许偏差是采用温度在 20 C 和 85 C 之间的电容量变化来确定的 Note:Nominal temperature coefficient and allowed tolerance of class Ⅰare decided by the changing of the capacitance between 20 C and 85 C 四 外形尺寸 L L W T WB WB 型号规格 L W T WB 0508 1.20±0.10 2.00±0.20 0.80±0.10 0.25±0.10 0612 1.60±0.10 3.20±0.20 0.80±0.15 0.25±0.10 第 3 页 共 10 页
五 电容量范围 0508 尺寸 COG X7R Y5V 工作电压 16V 25V 50V 16V 25V 50V 16V 25V 50V 电容量 0.5PF 5 PF 10 PF 20 PF 22 PF 33 PF 47 PF 100 PF 150 PF 220 PF 330 PF 470 PF 1000 PF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10 nf 22 nf 33 nf 47 nf 68 nf 100 nf 220nF 330 nf 470 nf 第 4 页共 10 页
五 电容量范围 0612 尺寸 COG X7R Y5V 工作电压 16V 25V 50V 16V 25V 50V 16V 25V 50V 电容量 0.5PF 5 PF 10 PF 22 PF 33 PF 47 PF 100 PF 220 PF 330 PF 470 PF 1000 PF 2.2nF 3.3nF 4.7nF 6.8nF 10 nf 22 nf 33 nf 47 nf 68 nf 100 nf 220nF 330 nf 470 nf 1uF 2.2uF 第 5 页共 10 页
六 可靠性测试 Reliability Test 技术规格 测试方法 Technical Specification Test Method and Remarks 容量 Capacitance Ⅰ 类 ClassⅠ Ⅱ 类 Class Ⅱ 应符合指定的误差级别 Should be within the specified tolerance. 应符合指定的误差级别 Should be within the specified tolerance. 测试频率测试电压标称容量 Measuring Measuring Capacitance Frequency Voltage 1000pF 1MHZ±10% 1.0±0.2Vrms >1000 pf 1KHZ±10% 测试温度 : 25 ±3 Test Temprature: 25 ±3 C 10µF: 测试频率 : 1KHZ±10% 测试电压 : 1.0±0.2Vrms Test Frequency: 1KHZ±10% Test Voltage: 1.0±0.2Vrms 损耗角正切 (DF, tanδ) Dissipation Factor Ⅰ 类 ClassⅠ 测试频率 标称容量 DF Measuring Capacitance Frequency 0.56% Cr<5 pf 1MHZ±10% 1.5[(150/Cr)+7] 10-4 5pF Cr<50 pf 1MHZ±10% 0.15% 50pF Cr 1000 pf 1MHZ±10% 测试电压 Measuring Voltage 1.0±0.2Vrms 0.15% >1000 pf 1KHZ±10% 损耗角正切 (DF, tanδ) Dissipation Factor Ⅱ 类 Class Ⅱ X7R Y5V 50V 25V 16V 2.5% 3.5% 5.0% 25V 16V 7.0% (C<1.0µF) 12.5% 9.0% C 10µF 测试频率 : 1KHZ±10% 测试电压 : 1.0±0.2Vrms Test Frequency: 1KHZ±10% Test Voltage: 1.0±0.2Vrms (C 1.0µF). 第 6 页共 10 页
六 可靠性测试 Reliability Test 技术规格 Technical Specification 测试方法 Test Method and Remarks Ⅰ 类 C 10 nf, Ri 50000MΩ 测试电压 : 额定电压 ClassⅠ C>10 nf, Ri C R 500S 测试时间 : 60±5 秒 测试湿度 : 75% 绝缘电阻 (IR) Insulation Resistance Ⅱ 类 Class Ⅱ X7R Y5V C 25 nf, Ri 10000MΩ C>25 nf, Ri C R >100S C 25 nf, Ri 4000MΩ C>25 nf, Ri C R >100S 测试温度 : 25 ±3 测试充放电电流 : 50mA Measuring Voltage: Rated Voltage Measuring Voltage: Rated Voltage Duration: 60±5s Test Humidity: 75% Test Temprature: 25 ±3 Test Current: 50mA 测量电压 : 介质耐电强度 (DWV) Dielectric Withstanding Voltage 不应有介质被击穿或损伤 No breakdown or damage. 上锡率应大于 95% Ⅰ 类 :300% 额定电压 Ⅱ 类 :250% 额定电压时间 : 1~5 秒充 / 放电电流 : 不应超过 50mA Measuring Voltage: ClassⅠ:300% Rated voltage ClassⅡ:250% Rated voltage Duration: 1~5s Charge/ Discharge Current: 50mA max. 将电容在 80~120 的温度下预热 10~30 秒. Preheating conditions:80 to 120 ; 10~30s. 可焊性 Solderability 外观 : 无可见损伤. At least 95% of the terminal electrode is covered by new solder. 有铅焊料 :(Sn/Pb:63/37) 浸锡温度 : 235±5 浸锡时间 : 2±0.5s 无铅焊料 : 浸锡温度 : 245±5 浸锡时间 : 2±0.5s Visual Appearance: No visible damage. Solder Temperature: 235±5 Solder Temperature: 245±5 Duration: 2±0.5s Duration: 2±0.5s 第 7 页共 10 页
耐焊接热 Resistance to Soldering Heat 抗弯曲强度 Resistance to Flexure of Substrate (Bending Strength) 技术规格 Technical Specification NPO X7R Y5V ΔC/C ±0.5% -5~+10% -10~+20% DF 同初始标准 Same to initial value. IR 同初始标准 Same to initial value. 外观 : 无可见损伤上锡率 : 95% Appearance:No visible damage.at least 95% of the terminal electrode is covered by new solder. 外观 : 无可见损伤. Appearance: No visible damage. 测试方法 Test Method and Remarks 将电容在 100~200 的温度下预热 10±2 分钟. 浸锡温度 : 265±5 浸锡时间 : 10±1s 然后取出溶剂清洗干净, 在 10 倍以上的显微镜底下观察. 放置时间 :24±2 小时放置条件 : 室温 Preheating conditions: 100 to 200 ; 10±2min. Solder Temperature: 265±5 Duration: 10±1s Clean the capacitor with solvent and examine it with a 10X(min.) microscope. Recovery Time: 24±2h Recovery condition: Room temperature 试验基板 :Al 2 O 3 或 PCB 弯曲深度 :1mm 施压速度 :0.5mm/sec. 单位 :mm 应在弯曲状态下进行测量 20 T=10 45±2 45±2 Test Board: Al 2 O 3 or PCB ΔC/C ±10% Warp: 1mm Speed: 0.5mm/sec. Unit: mm The measurement should be made with the board in the bending position. 端头结合强度 Termination Adhesion 外观无可见损伤 No visible damage. 施加的力 :5N 时间 :10±1S Applied Force: 5N Duration: 10±1S 第 8 页共 10 页
温度循环 Temperature Cycle 潮湿试验 Moisture Resistance ΔC/C: 技术规格 Technical Specification Ⅰ 类 : ±1% 或 ±1pF, 取两者中最大者 Ⅱ 类 : B: ±10% E: ±20% ClassⅠ: ±1% or ±1pF, whichever is larger. ClassⅡ: B: ±10% E: ±20% Δ C/C DF IR Ⅰ 类 : ±2% 或 ±1pF, 取两者之中较大者 Ⅱ 类 : B: ±10% E: ±30% ClassⅠ: ±2% or ±1pF, whichever is larger. ClassⅡ: B: ±10% E: ±30% 2 倍初始标准 Not more than twice of initial value. Ⅰ 类 :Ri 2500MΩ 或 Ri CR 25S 取两者之中较小者. ClassⅠ:Ri 2500MΩ 或 Ri CR 25S whichever is smaller. Ⅱ 类 :Ri 1000MΩ 或 Ri CR 25S 取两者之中较小者. ClassⅡ:Ri 1000MΩ 或 Ri CR 25S whichever is smaller. 外观 : 无损伤 Appearance: No visible damage. 测试方法 Test Method and Remarks 预处理 (2 类 ): 上限类别温度,1 小时恢复 :24±1h 初始测量循环次数 :5 次, 一个循环分以下 4 步 : 阶段温度 ( ) 时间 ( 分钟 ) NPO/X7R/X5R: -55 第 1 步下限温度 ( Y5V:-25 Z5U:+10) 30 第 2 步常温 (+20) 2~3 第 3 步 上限温度 ( NPO/X7R/X5R:+125 Y5V/Z5U: +85) 30 第 4 步常温 (+20) 2~3 试验后放置 ( 恢复 ) 时间 :24±2h Preheating conditions: up-category temperature, 1h Recovery time: 24±1h Initial Measurement Cycling Times: 5 times, 1 cycle, 4 steps: Step Temperature( ) Time (min.) NPO/X7R/X5R: -55 1 Low- category temp. ( Y5V:-25 Z5U:+10) 30 2 Normal temp. (+20) 2~3 3 Up- category temp. ( NPO/X7R/X5R:+125 Y5V/Z5U: +85) 30 4 Normal temp. (+20) 2~3 Recovery time after test: 24±2h 温度 :40±2 湿度 :90~95%RH 施加电压 : 额定工作电压时间 :500 小时充电电流 : 不应超过 50mA 放置条件 : 室温放置时间 :24 小时 (Ⅰ 类 );48 小时 (Ⅱ 类 ) Temperature: 40±2 Humidity: 90~95%RH Voltage: Rated Voltage Duration: 500h Charge/Discharge Current: 50mA max. Recovery conditions: Room temperature Recovery Time: 24h (Class1) or 48h (Class2) 第 9 页共 10 页
技术规格 Technical Specification 测试方法 Test Method and Remarks Ⅰ 类 : ±2% 或 ±1pF 取两者之中较大者 Ⅱ 类 :B: ±20% E: ±30% ΔC/C ClassⅠ: ±2% or ±1pF, whichever is larger. ClassⅡ: B: ±20% E: ±30% 电压 :1.5 倍额定工作电压时间 :1000 小时充电电流 : 不应超过 50mA 2 倍初始标准放置条件 : 室温 DF 寿命试验 Not more than twice of initial value. 放置时间 :24 小时 (Ⅰ 类 ), 或 48 小时 (Ⅱ 类 ), Life Test Ⅰ 类 :Ri 4000MΩ 或 Ri C R 40S 取两者之中较小者. ClassⅠ: Ri 4000MΩ 或 Ri C R Applied Voltage: 1.5 Rated Voltage Duration: 1000h Charge/ Discharge Current: 50mA max. IR 40S whichever is smaller. Recovery Conditions: Room Temperature Ⅱ 类 :Ri 2000MΩ 或 Ri C R 50S Recovery Time: 24h (Class 1), or 48h (Class2) 取两者之中较小者. ClassⅡ: Ri 2000MΩ 或 Ri C R 50S whichever is smaller. 外观 : 无损伤 Visual Appearance: No visible damage. 注解 : 专门预处理 ( 仅对 2 类电容器 ): 将电容器放在上限类别温度或按详细规范中可能规定的更高温度下经 1h 后, 接着在试验的标准大气条件下恢 复 24±1h Note:Pretreatment (only for class2 capacitor) Pretreatment (only for class2 capacitor) is a method to treat the capacitor before measurement. First, place the capacitor in the up-category temperature or other specified higher temperature environment for 1hour. Then recovery the capacitor at standard pressure conditions for 24±1hours 以最新版本的内容为准 第 10 页共 10 页