概述

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1 1 特性 USB PD3.0 认证 TID:713 支持 USB Type -C 协议 - 配置为 DFP(Source) - 广播 3A/1.5A 电流 支持 USB Power Delivery(PD)3.0 协议 - 集成完整 PD3.0 分层通信协议 - PDO 电压 :5V,9V(XPD618A) - PDO 电压 :5V,9V,12V(XPD618B) - 输出功率 18W 支持 Quick Charge 3.0/2.0 协议 支持华为 FCP/SCP 协议 支持三星 AFC 协议 支持 USB BC1.2 DCP 支持 Apple 2.4A 充电规范 集成 VBUS 通路低阻抗功率开关管 内置 VBUS Discharge 功能 支持线损补偿功能 外围极简, 无需额外的电阻电容 安全性 - 过压 / 欠压保护 - 过流保护 - 过温保护 CC1/CC2/DP/DM 过压保护 ESD 特性 ±4KV Package: ESOP8 2 应用 AC-DC 适配器 USB 充电设备 3 应用简图 XPD618A/B Power Supply Feedback 100k C VPWR R VIN C VIN VPWR VIN VBUS CC2 CC1 C VBUS USB TYPE-C FBO GND DP DM Version 2.0 第 1 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

2 4 概述 XPD618A/B 是一款集成 USB Type-C USB Power Delivery(PD)3.0 QC3.0/2.0 CLASS A 快充协议 华为 FCP/SCP 快充协议 三星 AFC 快充协议 BC1.2 DCP 以及苹果设备 2.4A 充电规范的多功能 USB 端口控制器, 为 AC-DC 适配器 移动电源 车载充电器等设备提供完整的 USB Type-C 端口充电解决方案 XPD618A/B 内置的 TYPE-C 协议可以支持 TYPE-C 设备插入自动唤醒系统, 智能识别插头的正插与反插, 实现连接 集成的 TYPE-C PD3.0 协议支持双向标记编码 (BMC), 集成硬件的物理层协议和协议引擎, 无需软件参与编解码 XPD618A/B 支持 18W 输出功率 其中,XPD618A 广播 PDO 电压为 5V/9V,XPD618B 广播 PDO 电压为 5V/9V/12V XPD618A/B 是专为手机充电设备量身定制的高性价比方案 XPD618A/B 通过一路可 Sink/Source 的电流源, 连接到 AC-DC 或 DC-DC 的反馈引脚实现动态调节电压的功能, 不管是启动还是调压过程, 都具备软启动 / 调压功能, 实现电压平顺过渡 XPD618A/B 内建多种保护机制确保设备安全 : 包括动态过压 / 欠压 / 过流保护 ( 可根据设备请求的工作电压 / 电流按照比例调整保护点 ); 启动监测 (VBUS 输出前会监测端口电压是否处于安全状态 );DP/DM 和 CC1/CC2 过压保护 XPD618A/B 集成 30mΩ VBUS 通路功率开关管和内部放电通路, 节省了外围器件, 在发生错误时也可以更快关闭输出并恢复到安全状态 XPD618A/B 采用常见的 ESOP8 封装形式, 提供最优化的 BOM 成本特性 Version 2.0 第 2 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

3 5 引脚定义 VPWR 1 8 VBUS VIN 2 XPD618 7 CC2 FBO 3 6 CC1 DP 4 5 DM 引脚序号 名称 描述 1 VPWR VBUS 输入电源 2 VIN 芯片输入电源 3 FBO 电压调节端口 ( 接到系统电压反馈点 ) 4 DP USB DP 5 DM USB DM 6 CC1 Type-C 检测引脚 CC1 7 CC2 Type-C 检测引脚 CC2 8 VBUS VBUS 输出电源 9 GND 芯片地和散热片 6 订购信息 料号印字特性封装 XPD618A XPD618B XPD618A2 XPD618B2 XPD618X XXXXXX XPD618X XXXXXX2 PDO:5V/3A, 9V/2A PDO:5V/3A, 9V/2A, 12V/1.5A PDO:5V/2.5A, 9V/2A PDO:5V/2.5A, 9V/2A, 12V/1.5A ESOP8 印字说明 : 第一行,XPD618X: 芯片型号 ; 第二行,XXXXXX+X:Lot Number+ 封装或软件版本 Version 2.0 第 3 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

4 7 规格参数 7.1 极限工作参数 (1) 参数 最小值 最大值 单位 VBUS,VPWR,VIN, 耐压 ( 对 GND) CC V 其他 V 结温 存储温度 (1) 超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏 长期工作在极限额定值下可能会影响器件的可靠性 7.2 ESD 性能 符号参数值单位 V ESD HBM ±4000 V ESD 测试基于人体放电模型 (HBM) 7.3 推荐工作条件 参数最小值典型值最大值单位 VPWR 输入电压 V C VBUS VBUS 电容 µf C VPWR VPWR 电容 µf C VIN VIN 电容 0.1 µf R VIN VIN 限流电阻 10 Ω R FBUP 系统电压分压电阻 100 kω T A 工作环境温度 热阻值 符号参数值单位 R θja (1) 结温和周围温度之间的热阻 R θjctop 结温和封装外壳表面温度之间的热阻 /W R θjb 结温和板温度之间的热阻 电气特性 如无特殊说明, 下述参数均在该条件下取得 :T J = 25,5V VPWR 12V 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 芯片供电相关 (VPWR,VBUS) Version 2.0 第 4 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

5 Rising edge 3.5 V VPWR_TH VPWR UVLO 门限 Falling edge 3.2 V Hysteresis 0.3 Rising edge 4.45 V VBUS_TH VBUS UVLO 门限 Falling edge 3.9 V Hysteresis 0.55 I SUPP 典型工作电流 VPWR=5V,VBUS=5V 2.5 ma Voltage Protection (VBUS) V FOVP Fast OVP 门限, always enabled Ref to target voltage +20% V V SOVP Slow OVP 门限 Ref to target voltage +15% V V SUVP VBUS UVP 门限 Ref to target voltage -22% V Switch MOSFET R DSON 30 mω Transmitter (CC1, CC2) R TX Output resistance During transmission 50 Ω V TXHI Transmit HIGH 1.15 V V TXLO Transmit LOW mv t UI Bit unit interval 3.3 us t BMC Rise/fall time of BMC R load =5.1k,C load =1nF ns Receiver (CC1, CC2) V RXHI Receive HIGH mv V RXLO Receive LOW A DFP mode, 0 CC1/CC ua I RP_SRC Broadcasting 1.5A DFP mode, 0 current ua V OVP_CC V ITRIP T J1 CC1/CC2 过压保护阈值 Shunt voltage when OCP tripped Die temperature OCP (ISEN, VBUS) 6 V Ref to Power Capability(pd) +30% A OTP (internal) Temperature rising edge Hysteresis 20 HVDCP interface (DP, DM) V DAT(REF) 数据线检测电压 V V SEL(REF) 输出电压选择 V T GLITCH(DP)HIGH D+ 高电平扰动滤波时间 s T GLITCH(DM)LOW D- 低电平扰动滤波时间 1 ms T GLITCH(V)CHANGE 输出电压扰动滤 ms Version 2.0 第 5 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

6 波时间 T GLITCH(CONT)CHANGE 连续模式的扰动滤波时间 us R DAT(LKG) D+ 漏泄电阻 KΩ R DM(DWN) D- 下拉电阻 KΩ R ON(N1) 开关 N1 导通电阻 Ω V TH(PD) 受电设备连接检测电压阈值 V TD PD 受电设备连接检测滤波时间 ms ΔI T(UP) 电压升高时电流源阶跃步长 R IREF =100KΩ 2 ua ΔI T(DO) 电压降低时电流源阶跃步长 R IREF =100KΩ 2 ua V OVP_DPDM DP/DM 过压保护阈值 6 V Apple 2.4A 充电模式 V DAT(2.7V) D+/D- 数据线电压 V R DAT(2.7V) D+/D- 数据线输出阻抗 15 KΩ FCP 充电模式 V TX-VOH D- FCP TX Valid High 2.7 V V TX-VOL D- FCP TX Valid Low 0.3 V V RX-VIH D- FCP RX Valid High 1.2 V V RX-VIL D- FCP RX Valid High 0.9 V Trise FCP Pulse Rise Time 10% - 90% 2.5 us Tfall FCP Pulse Fall Time 90% - 10% 2.5 us 8 PCB Layout 注意事项 1 输入电容 C VPWR 以及输出电容 C VBUS 尽量靠近芯片 ; 2 PCB 布局时尽量避免与主发热器件摆放在一起 ; 3 尽量避免 FBO 连线受到干扰 ; 4 VIN 脚的 RC 尽量靠近芯片管脚 Version 2.0 第 6 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体

7 9 封装信息 Version 2.0 第 7 页共 7 页 Copyright 2018, 云矽半导体