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埋温
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1 习题解答第一章.4. 解 : 由图可知, ( ) L +, + s s () 0, 0 时, s L L 0 s ( s + ), L L s 00 / 8.6 /0 s () s (3) s (4) s 5.5 s 0 / /0 s 0 / 0.86 /0 s.5.5 解 : 输入级 : 高输入电阻型放大电路减小对信号源的衰减中间级 : 高增益型放大电路提高信号的放大倍数输出机 : 低输出电阻型放大电路提升负载能力前级电路的受控源和输出电阻为后级电路的信号源和内阻, 后级电路的输入电阻是前级

2 电路的负载电阻 I s s + 6 ( ) I + I 3 ( 0 + 0) I3 I ( + 0) L 3 I3 3 L ( ) 000 /3 输出功率 P W 0.574W > 0.5W 00 L 第三章解 :() 二极管处于导通状态, 由恒压降模型可知 I D ( 0 0.7) DD D 8.6m 3 0 Ω D () 由小信号模型, 温度在室温时 r d T 6m 3.0 I 8.6m Ω D r r r, 有设 d d d rd 3.0Ω Δ Δ DD ± ± 6m + r Ω d ( ) O B. O C. 0 O

3 D. 6 O 3.5. I Z Z 解 :() 稳压管耗散功率 PZ ZIZ Z L I Z 当 L 开路时,P Z 达到最大值 PZM Z 当 I 最大时,I Z I Z(mn),P Z 最小 () 负载吸收功率 P I L Z O 限流电阻消耗功率 ( ) Z P I I Z L ( ) I Z 第四章 4.. 解 : 在放大电路中, 故工作在放大区对硅基 BJT, BE 0.7, 对锗基 BJT, BE 0. BC 0., 故为锗 BJT B> C>>, 故为集电极若为 NPN 型 BJT, 发射结正向导通, 则 B 为基极,C 为发射极, 但 B> 0, 集电结正偏, 不符合放大区条件若为 PNP 型 BJT, 发射结正向导通, 则 C 为基极,B 为发射极, 但 C> 0, 集电结反偏, 符合放大区条件故为锗 PNP 型 BJT,B 为发射极,C 为基极, 为集电极 4.. 解 :(a) 直流分析 :T 发射极偏置电压方向错误 ; 交流分析 : 缺少输入隔离输入交流信号被短路, 无法进入 T 所以, 不能放大

4 (b) 直流分析 : 没有问题 ; 交流分析 : 没有问题共发射极放大 (c) 直流分析 : 电容 Cb 隔离了基极的直流偏置电路 ; 交流分析 : 没有问题所以, 不能放大 (d) 直流分析 : cc 极性接反, 集电结正偏 ; 交流分析 : 没有问题所以, 不能放大

5 4.3. 解 :() 直流分析计算静态工作点 I BQ CC be CC 40μ b b I β I 4m CQ BQ I CEQ CC CQ C () ( ) 4m kω 4 (3) ( ) ( ) 6 T rbe rbb β m Ω Ω I 4m ( c L) EQ β 55.6 r be b rbe 857Ω kω c (4) 输入信号正电压半周期发生失真由于是 PNP 管, 在此电路配置下静态工作点输入偏置为负电压, 故失真的动态工作点靠近截止区, 为截止失真解 :()

6 0kΩ ( ).8 + kω () BQ ( 0 33) I EQ ( BQ BEQ ) (.8 ( 0.7) ) EQ.4m + kω e e ( 0..3) r be ( ) 00 ( 50) 6 T m rbb + + β Ω+ + 47Ω I.4m EQ ( β ) b b rbe + + e 4.6kΩ 3.3kΩ (3) c s ( c L) β 7.8 r ( β ) s s be e s 7.8 5m 7m s s

7 4.5.3 解 () 求静态工作点 4.3 b BQ CC b + b BQ BEQ ICQ IEQ.8m e ( ).8 I + I CEQ CC CQ c e BQ ICQ 8μ β () 求 rbe 计 T rbe rbb + ( + β ).66kΩ I EQ ( β ) b b rbe + + e 8.kΩ (3) 求放大倍数 ( c L) β s 0.79 s s rbe + ( + β ) e s + ( + β ) e ( β ) s s s rbe + + e s + 0.8

8 (4) 求 kω C ( ) rbe + b b s e 3Ω + β 4.6. 解.78 b () BQ CC b + b ( ) I I /.04m EQ CQ BQ BEQ e I / 0.4 BQ ICQ β μ ( ) I CEQ CC CQ c+ e 7.6 I EQ BQ BEQ CC CQ c BEQ 9 I I /.7m CQ EQ EQ e I / 7 BQ ICQ β μ I CEQ CC CQ e 6 r.73 kω, r.kω () be be

9 β L rbe { c rbe + ( + β )( e L) } β 8 r be rbe b b.88kω + r 6 c be e Ω + β 4.7. 解 : f f f f 00 j 00 j j j f f f f f f + j + j j j j j f f f j+ j 5 f f f f j + j C j f 0 Hz 上限频率时, 相位偏移为 -45 ; ( ) 5 f f j + j C + j f 0Hz 下限频率时, 相位偏移为 45 ; ( ) 中频时 << f <<, 则有 f f f ; f f 相位偏移为 0, mag j + j 0 5 f, f real j + j 5 f + f f f f f 0 f f j+ j 00 40dB 故 5 f f f + + 0

10 第五章 5.. 解 : (a)n 沟耗尽型 MOSFET, p-3 (b)p 沟耗尽型 MOSFET, p (c)p 沟增强型 MOSFET, p-4

11 5..9 解 : () () 3 4 gmgs d g gs m gs + / / MΩ+ 300 kω/ /00kΩ 075kΩ (3) ( ) ( ) g3 g g 5.5. 解 MOSFET 小信号模型的等效 g d m gs g d m gs g m gs r ds g r ds m gs ds r ds g r ds m gs ds g r m gs ds

12 () gs gs ( gs gs) ( rds ) μ 解得又有故 ( μ )( ) rds μ ( ) μ ( ) ( μ ) μ + r + r gs ds ds rds + + rds ( μ) ( μ )( ) μ + + r ds () 加电压源测电流以求输出电阻 gs gs μ μ + r + r T gs T ds 解得 r + ( + μ ) ds 同理 r + ( + μ ) ds T T ds + + rds r 故 T T + ( + μ) + ( + μ) ds

13 G 0 T + r + + r + + ( μ) ( μ) T ds ds (3) 当时 0 ( ) ( μ ) μ r ds + + μ μ r ds / + G r + + r + + r ds ( μ ) + + ds ( μ) ( μ) ds

14 第六章 6..3 解 I I m EF I 为通过 T 的沟道电流, 有 ( ) I K p GS T 考虑到 T 为 PMOS, 代入参数解得 GS 7.3 对 NMOS 管 T 有 ( ) I I K EF n GS T 代入参数解得 5.47 故 GS I + SS SG GS.k SS GS GS Ω I 考虑到 T 3 和 T 对称, I 3 I m 若 n n 4 K K, 则 I4 I m, 无需给出宽长比! W 4 W, I 则 4 : I : : I4 m L4 L 若 Kn K n 4, 但前面计算 gs 也应带入 K n! 6..4 解 : 从电流源入手, 两端电压为

15 EE 3. + I BE3 E3 e3 m IE IE IE3 m r T 00Ω+ ( + β ).53kΩ I be r B E β3e3 rce 3 + r M Ω be3 e3 r B 足够大, 可当理想电流源处理由半边电路方法得, 单端输出差模电压增益 d ( c L) ( β ) β + r + + 单端输出共模电压增益 c 共模抑制比 K β s be e ( c L) ( + β ) r d CM c 差模输入电阻 B ( β ) d s + rbe + + e 3.5kΩ 差模输出电阻 c 4.7kΩ

16 6.4. 解 : 6.5. 解 : 输出误差电压为 0, 要求输入电压对称, 即 N P, 故有 ( ) I I BN f BP I 93.75kΩ BN I BP ( f ).3.

17 解 : 利用虚短和虚断概念, 有 0 n p n (a) (b) 类似 (a) + p + 6 (c) 0 n p (d) n p p.4.3 解 : 教材已推导 d P P 为 0 时增益最大, 有 kω kΩ 00kΩ p

18 增益最小时, 00kΩ kω+ P P 99kΩ 00kΩ 3 4可取 5KΩ.4.5 解 : 根据理想运放虚断虚短假设 0 n n (a) n p 3 3 正向输入端虚断, 有 p p p + + 故有若所有电阻相等 (b) 电压跟随器形式, 有 n p 正向输入端虚断, 有 p p 3 p

19 解得若所有电阻相等

20 第七章 7../ 解 (a) 构成交 / 直流负反馈, 电压并联反馈 (b)ff 直流负反馈 e 交 / 直流负反馈, 电流串联反馈 (c)f 构成交 / 直流负反馈, 电流并联反馈

21 (d) 构成交 / 直流负反馈, 电压串联反馈 (e)3 构成交 / 直流负反馈, 电压并联反馈 (f)6 构成交 / 直流负反馈, 电流串联反馈

22 7..4 解 : () a-c, b-d, h-, j-f () a-d, b-c, h-, j-f (3) a-d, b-c, g-, j-e (4) a-c, b-d, g-, j-e 7.3. 解 : 开环增益 x x x x x x F d d + 闭环增益 f x + F x + F + F + F + F + F

23 7.4.3 解 + F ( ) + F ( ) + F 3 3, 有由于 ( ) + / 3/ + F 前级干扰更加严重, 多极放大电路中要注意减小前级噪声引人负反馈对回路以外输入噪声无作用 7.5. 解 : 电压串联负反馈, 输入电阻上升, 输出电阻下降

24 b f b + f f + f b 7.6. 解 : 考虑到话筒的输出电阻较大, 需要放大电路有很大的输入电阻, 以降低对话筒输出信号的影响由于负载电阻小, 需要放大电路有很小的输出电阻因此, 需设计电压串联负反馈 f F, 故 F 0.0, 深度负反馈, f / 4 环路增益 F ( ) ( ) + F MΩ f /+ F 0.5Ω f 满足要求近似计算得 ( ) f + / 50, 即 / 49 从放大电路输出端看, 反馈网络亦为负载,(+)>> 以减小对负载的影响从放大电路输入端看, 反馈网络为串联, << 以减小对输入信号进入放大电路的影响因此, 可选择 kω,49kω

25 第八章解 : 电路的输出功率 P O 管耗 ( ) ( ) 6 6 O 6W 6Ω L L CCm m PT L π 4 6 ( 6 ) CC L π Ω π 4 5.6W 电源供给功率 ( 6 ) P P + P 6W + 5.6W.6W O T 6 效率 η PO W 00% 74.% P.6W 解 : ()T3 组成 BE 扩大电路 T3 集电极与发射极间的电压 CE3 为互补推挽输出级提供一个偏置电压, 以克服输出的交越失真 CE3 可根据功率放大管的工作状态加以调节因为 T3 的 BE 可视为固定值 (0.7), 只要流过电阻的电流远大于基极电流 IB3, 则 BE3 CE 3 BE3 + BE3 + 改变电阻即可调节 CE3 () 恒流源 I 为 TT 管的有源负载, 可提高本级的电压增益 (3) 当正向电流过大时,3 增大使 D 导通, 此时送到 T4 的基极电流有一部分通过 D 旁路, 使 T4 的输出电流受到限制, 从而保护 T4 同理, 当负向电流过大时,D 导通, 将 T5 基极电流的一部分通过 D 旁路, 限制了 T5T6 的电流, 起到保护作用

26 第九章解 () 令 ω c C, 原式可改写为 ωc ωc j 3 ω ω ( ω) j 当 ω->0 时, ->0; 当 ω-> 时, -> 因此, 电路具有高通特性 () 比较高通的典型函数形式, 有 0, ωc, Q C 解 : 瞬时极性法判断相位关系是否为正反馈 (a) 共发射极电路 T 基极输入 + 信号,T 集电极输出 - 信号, 变压器反馈回为 - 信号, 负反馈, 不能振荡 (b) 共基极电路 T 发射极输入 + 信号,T 集电极输出 + 信号, 变压器反馈回 + 信号,

27 正反馈有可能振荡 (c) 共基极电路 T 发射极输入 + 信号,T 集电极输出 + 信号, 变压器反馈回 - 信号, 负反馈不能振荡 (d) 共发射极电路 T 基极输入 + 信号,T 集电极输出 - 信号, 变压器反馈回为 + 信号, 正反馈, 可能振荡解 : 同向输入迟滞比较器 I P I + 当 0 转 N 时发生跳 P I O Z 故上下门限电压为 3 3 T+ T () 传输特性如右图所示

28 9.8.8 解 : () 电路组成 C 3 分别形成 C 桥式正弦波振荡器过零比较器和积分电路 ; 各自组成相应的电压跟随器故为正弦波, 为方波,3 为三角波 () 定性波形如下 :

一填空题 1 深度反馈 ; 同相输入点接地 2 稳定直流工作点 ; 抑制零点漂移 3 小 4 截止 ; 90 ; 大于 6 效率低 ; 甲乙类 7 0 ; 500 ;100 8 低 9 晶体管结电容 90 ; 小于模拟电子技术基础模拟卷 ( 一 ) 参考答案共集 ;

一填空题 1 深度反馈 ; 同相输入点接地 2 稳定直流工作点 ; 抑制零点漂移 3 小 4 截止 ; 90 ; 大于 6 效率低 ; 甲乙类 7 0 ; 500 ;100 8 低 9 晶体管结电容 90 ; 小于模拟电子技术基础模拟卷 ( 一 ) 参考答案共集 ; 一填空题深度反馈 ; 同相输入点接地稳定直流工作点 ; 抑制零点漂移 3 小 4 截止 5 8 ; 9 ; 大于 6 效率低 ; 甲乙类 7 ; 5 ; 8 低 9 晶体管结电容 9 ; 小于模拟电子技术基础模拟卷 ( 一 ) 参考答案 8 共集 ; 共集 ; 共射 ; 共集 ; 共基自由电子 ; 空穴绝缘栅型 ; 电压 3 共射 4 输入 5 负反馈二分析判断题解: 稳压管的最大稳定电流