第三章 半导体三极管及其应用
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- 葆佟 何
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1 第三章 双极结型三极管及其放大电路 Part 吉林大学电子科学与工程学院李传南 2013 Oct.
2 3.1 BJT- 双极结型晶体管 BJT 是双极结型三极管或双极结型晶体三极管 (Bipolar Junction Transistor), 又称为晶体管, 或晶体三极管 : 是通过一定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件 由于 PN 结之间的相互影响, 使 BJT 表现出 不同于单个 PN 结的特性 具有放大作用
3 3.1.1 半导体三极管的结构 -1 晶体三极管由两个背靠背 PN 结组成的 发射极 (Emitter) 发射结 集电结 发射区基区集电区 集电极 (ollector) 基极 (Base)
4 3.1.1 半导体三极管的结构 -2 发射区的掺杂浓度大 ; 集电区掺杂浓度低, 但集电结面积大 ; 基区很薄, 其厚度一般在几个微米至几十个微米 管芯结构剖面图 PNP 和 NPN 型 BJT 具有几乎等同的特性, 不同的是各电极端的电压极性和电流流向
5 3.1.1 半导体三极管的结构 -3 频率 : 高频管 低频管功率 : 小 中 大功率管材料 : 硅管 锗管类型 :NPN 型 PNP 型
6 3.1.1 半导体三极管的结构 -4 大功率低频三极管 中功率低频三极管 小功率高频三极管
7 3.1.1 半导体三极管的结构 -5
8 3.1.1 半导体三极管的结构 半导体三极管的型号 我国国家标准对半导体三极管的命名如下 : 3 D G 110 B 同一型号中的不同规格 同种器件型号的序号 器件的种类 材料三极管 第二位 :A 锗 PNP 管 B 锗 NPN 管 硅 PNP 管 D 硅 NPN 管 第三位 :X 低频小功率管 D 低频大功率管 G 高频小功率管 A 高频大功率管 K 开关管
9 3.1.1 半导体三极管的结构 双极型三极管的参数 P M mw M ma BO EO EBO BO μa f T MHz 参数型号 3AX31D * 8 3BX * 8 3G DG DD101D 50W 5A mA 3DK100B DKG23 250W 30A 注 :* 为 f β
10 3.1.1 半导体三极管的结构 -8 名称封装极性功能耐压电流功率频率配对管 PNP 低频放大 A 0.625W NPN 低频放大 A 0.625W NPN 低噪放大 A 0.4W 150M PNP 低噪放大 A 0.4W 150M NPN 高频放大 A 0.4W 1000M NPN 高频放大 A 1W 100M PNP 高频放大 A 1W 100M N NPN 通用 A 0.5W 2N2369 4A NPN 开关 A 0.3W 800M 2N NPN 功率放大 A 15W 2N NPN 视放开关 450 1A 1W 15M 3DA87A 6 NPN 视频放大 A 1W 3DG6B 6 NPN 通用 A 0.1W 150M 3DG6 6 NPN 通用 A 0.1W 250M
11 3.1.1 半导体三极管的结构 -9
12 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -1 双极型三极管工作在放大状态的外部条件 : 发射结加正向电压, 集电结加反向电压, 如图所示 : 以 NPN 型三极 B 管的放大状态为例 NPN, 来说明三极管内部的电流关系 o E 从内部导电情况解 释其放大作用 BB _
13 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -2 1 BJT 内部载流子得传输过程 : (1) 发射极向基区注入电子 : 电场 E 在 BB 作用下, 发射区向基区注入电子形成 EN, 基区空穴向发射区扩散形成 EP EN >> EP 方向相同 BB
14 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -3 (2) 电子在基区复合和扩散由发射区注入基区的电子由于浓度差异继续向集电结扩散, 扩散过程中少部分电子与基区空穴复合形成电流 BN 电场 E 复合对于放大不利, 为减小复合, 常把基区做得很薄 ( 几微米 ), 并使基区掺杂得浓度很低, 使电子大部分都能到达集电极 BB
15 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -4 (3) 集电结收集电子由于集电结反偏, 集电结势垒增加, 所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集电结, 到 达集电区, 形成电流 N 集电结收集到的电子包括两部分 : 发射区扩散到基区的电子漂移 N 电场 E 基区的少数载流子漂移 BO BB
16 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -5 电场 E 发射结和集电结的内建电场示意图
17 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -6 三极管内有两种载流子 ( 自由电子和空穴 ) 参与导电, 故称为双极型三极管, 或 BJT (Bipolar Junction Transistor) 以 NPN 为例 : 发射区 : 发射载流子 集电区 : 收集载流子 基区 : 传送和控制载流子
18 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -7 2 电流分配关系 : 根据传输过程可知 : E EN EP N BO B EP BN - BO 且有 : E B BB
19 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -8 设 α 传输到集电极的电流 发射极注入电流 即 α N 通常 >> BO, 则有 E α E α 为电流放大系数, 它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关, 与外加电压无关 一般 α
20 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -9 2 电流分配关系 ( 续前 ): α 又设 β 1 α 根据 E B n BO α E n 且令 则 β EO (1 β ) BO ( 穿透电流 ) B EO 当 >> EO 时, β B β 是另一个电流放大系数, 同样, 它也只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关, 与外加电压无关 一般 β >> 1
21 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 三极管的三种组态 : BJT 的三种组态
22 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 放大作用 : - E i E i EB e c B i B v veb v O EE - L 1kΩ 共基极放大电路 的微小变化 ( 20m), 引起 i E 的很大变化 i E - 1mA, 相应产生 i 的变化 i, 流过负载电阻 L, 产生一个变化的输出电压 o
23 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 放大作用 ( 续前 ): - v E i E e EB v EB c B i B i vo - L 1kΩ EE 共基极放大电路 若 v 20m 使 i E -1 ma, 当 则 i α i E ma, v O - i L 0.98, v v m O 电压放大倍数 : A 49 α 0.98 时,
24 3.1.2 放大状态下 BJT 的工作原理 -13 三极管实现放大电路的条件两个条件 : 内部条件 : 发射区杂质浓度远大于基区杂质浓度, 且基区很薄 外部条件 : 发射结正向偏置, 集电结反向偏置 NPN 管 : U BE >0 U B <0 即 > B > E PNP 管 : U BE <0 U B >0 即 < B < E
25 3.1.3 BJT 的特性曲线 -1 1 输入特性曲线 : i B f(v BE ) ve 常数 (1) 当 v E 0 时, 相当于 PN 结的正向伏安特性曲线 (2) 当 v E 1 时, 特性曲线右移,?? v E 0 v E 0 v E 1 i c B v BE e - - v E i BB 共射极放大电路
26 3.1.3 BJT 的特性曲线 -2 1 输入特性曲线 ( 续前 ): (3) 输入特性曲线的三个部分 1 死区 2 非线性区 3 线性区
27 3.1.3 BJT 的特性曲线 -1 2 输出特性曲线 : i f(v E ) ib 常数 输出特性曲线的三个区域 : 饱和区 :i 明显受 v E 控制的区域截止区 :i, 该区域内 接近零的, 一般区域放大区 v, E <0.7( 相当 :i i B 0 硅管的曲 平行于 ) v E 轴的此时线的下方 此时区域,, 发射结正偏曲线基本平行等距, 集电结正偏或反偏电压很 v BE 此时小于死区电压, 发射结正偏, 集小 电结反偏
28 3.1.4 BJT 的主要参数 -1 1 电流放大系数: (1) 共发射极直流电流放大系数 β ( - EO )/ B / B v E 常数 β
29 3.1.4 BJT 的主要参数 -2 1 电流放大系数 : (2) 共发射极交流电流放大系数 β β / B ve 常数
30 3.1.4 BJT 的主要参数 -3 1 电流放大系数 (3) 共基极直流电流放大系数 α (4) 共基极交流电流放大系数 α α / E B 常数 α ( - BO )/ E / E 当 BO 和 EO 很小时, α α β β, 可以不加区分
31 3.1.4 BJT 的主要参数 -4 2 极间反向电流 (1) 集电极基极间反向饱和电流 BO 发射极开路时, 集电结的反向饱和电流 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流 EO EO (1 β ) BO BO 即输出特性曲 ua - 线 B 0 那条曲线所 e 对应的 Y 坐标的数值 EO 也称为集电极 e 0 发射极间穿透电流 c c e EO EO - ua
32 3.1.4 BJT 的主要参数 -5 3 极限参数 (1) 集电极最大允许电流 M (2) 集电极最大允许功率损耗 P M P M E
33 3 极限参数 BJT 的主要参数 -6 (3) 反向击穿电压 (B)BO 发射极开路时的集电结 反向击穿电压 (B) EBO 集电极开路时发射结的反 向击穿电压 (B)EO 基极开路时集电极和发射极间的击穿电压 几个击穿电压有如下关系 : (B)BO > (B)EO > (B) EBO
34 3.1.4 BJT 的主要参数 -7 由 P M M 和 (B)EO 在输出特性曲线上可以确定过损耗区 过电流区和击穿区 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
35 人----Steve 活着就Jos 是为了改变世界
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37 第三章 半导体三极管及其放大电路 Part 李传南 2013 年 10 月
38 3.2 基本共射极放大电路 基本共射放大电路 放大原理 性能指标 放大电路的图解分析法 直流通路与交流通路 静态分析 动态分析 放大电路的小信号模型分析法 微变等效电路 指标计算 基本放大电路的三种组态
39 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -1 放大电路概念 : 放大电路主要用于放大微弱信号, 输出电压或电流在幅度上得到了放大, 输出信号的能量得到了加强 输出信号的能量实际上是由直流电源提供的, 经过三极管的控制, 使之转换成信号能量, 提供给负载
40 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -2 电路组成 : (1) 三极管 T; (2) : 为 J 提供反偏电压, 一般几 ~ 几十伏 ; (3) : 将 i 的变化转换为 v o 的 _ BB 变化, 一般几 k~ 几十 k 欧姆 E -, 和 同属集电极回路 v i 1 c e T 2 v o _ (4) BB : 为发射结提供正向偏压
41 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -3 电路组成 :( 续前 1) (5) : 一般为几十 k~ 几千 k, 和 属基极回路 c 2 B BB BE 一般, 硅管 BE 0.7 锗管 BE 0.3 v i 1 _ BB e T v o _ 当 BB >> BE 时 : B BB
42 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -4 电路组成 :( 续前 2) (6 ) 1, 2 : 耦合电容或隔直电容, 其作用是通交流隔直流 (7) v i : 输入信号 (8) v o : 输出信号 (9) 放大作用的实质是放大器件的控制作用 ; 是一种能量控制部件, 放大作用是针对变化量而言的 v i 1 _ BB c e T 2 v o _ (10) 是公共地或共同端
43 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -5 v i 1 _ BB c e T 2 v o _ 1 L T v _ i T 2 L v o _ L : 负载电阻 因为 和 cc 的值不同, 两个电路中的 值也不同
44 3.2.1 基本共射放大电路的组成 -6 1 v i 变化 i B 变化 i β i B i 变化 v E - i v E 变化 v o 变化 B E β B 40uA 1.6mA v i i v v _ i K 4K 1m E 0.2mA i i β40 B v o _ 5uA v o
45 3.2.2 基本共射放大电路的指标 -1 放大电路的主要技术指标 : (1) 放大倍数 (2) 输入电阻 i (3) 输出电阻 o (4) 通频带
46 3.2.2 基本共射放大电路的指标 -2 放大倍数 : 电压放大倍数 : 电流放大倍数 : 功率放大倍数 : o / i o / i P / P A v A i A p / o i o o i i
47 3.2.2 基本共射放大电路的指标 -3 i 的定义 : i i i 输入电阻 : 表明放大电路从信号源吸取电流大小的参数 i 大, 放大电路从信号源吸取的电流小, 反之则大
48 3.2.2 基本共射放大电路的指标 -4 输出电阻 o : 表明放大电路带负载的能力, o 大表明放大电路带负载的能力差, 反之则强 o o 的定义 : o. L, S 0. o (a) 从假想的 ' o 求 o () 从负载特性曲线求 o
49 3.2.2 基本共射放大电路的指标 -5 输出电阻 o ( 续前 ) 图 ( ) 中在带 L 时得 o o, 开路时得 ' o, 则 : 则 : o o / o ( ' o o )/ o ( ' o o ) L / o [( ' o / o ) 1] L 注意 : 放大倍数 输入电阻 输出电阻通常都是在正弦信号下的交流参数, 只有在放大电路处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义
50 3.2.2 基本共射放大电路的指标 通频带 放大电路的增益 A( f ) 是频率的函数 在低频段和 高频段放大倍数都要下降 当 A( f ) 下降到中频电压放 大倍数 A 0 的 1/ 时, 即 : 2 A0 A( f ) A( f ) 0. 7A L H 2 0 相应的频率 : f L 称为下限频率 f H 称为上限频率
51 3.3 放大电路的图解分析法 直流通路与交流通路 静态分析 近似估算法 图解分析 电路参数变化对 Q 点的影响 动态分析 截止失真 饱和失真 交流负载线 最大不失真输出 输出功率和功率三角形
52 3.3 放大电路的图解分析法 -1 1 直流通路与交流通路 : 静态 : 只考虑直流信号, 即 v i 0, 各点电位不变 ( 直流工作状态 ); 动态 : 只考虑交流信号, 即 v i 不为 0, 各点电位变化 ( 交流工作状态 ) 直流通路 : 电路中无变化量, 电容相当于开路, 电感相当于短路 ; 交流通路 : 电路中电容短路, 电感开路, 直流电压源短路 注意 : 偏置 ( 提供工作条件 ) 信号 ( 处理的对象, 分为小信号和大信号 )
53 3.3 放大电路的图解分析法 -2 2 直流通路 : v i 1 T 2 v o T 电容 1 和 2 断开 直流通路 即能通过直流的通道 从 B E 向外看, 有直流负载电阻, c
54 3.3 放大电路的图解分析法 -3 v vi i 1 T 2 v v o 直流电源和耦合电容对交流相当于短路 v i _ 交流通路 : T v o _ 交流通路 : 能通过交流的电路通道 从 B E 向外看, 有等效的交流负载电阻, c // L 和偏置电阻
55 3.3 放大电路的图解分析法 -4 (1) 静态工作点的近似估算法 : 已知硅管导通时 BE 0.7, 锗管 BE 以及 β40, 根据直流通路则有 : 300K 4K 12 BQ Q EQ β -BE 40μ A 1.6mA BQ Q Q:(40uA,1.6mA,5.6) β40 固定偏流电路
56 3.3 放大电路的图解分析法 -5 例 : 电路及参数如图, 求 Q 点值 330K 4K K 4K β50 v o β50 v i 0.5K e 0.5K e 直流通路
57 3.3 放大电路的图解分析法 -5 续 : B BE 1 β ) ( e uA 330K 4K 15 β 50 >> 1 β50 E 50 40uA 2mA E ( c c E e e) 0.5K e 直流通路
58 3.3 放大电路的图解分析法 -6 例 : 电路及参数如图, 求 Q 点值 68K 1 4K K 1 4K 15 v i 1 β40 v o β40 12K 2 0.5K e 12K 2 0.5K e 固定偏压电路, 射极偏置电路 直流通路
59 例 : ( 续前 1) 68K 1 12K K BB BB 1 1 // K
60 例 : ( 续前 2) 10.2K BB K e 15 4K BB B 50uA (1 β ) E E β B 2 - ( 15-2 (4.5) 6 e e ma ) Q : (50μ A,2mA,6 )
61 共射极放大器各点的信号 2 v v i 1 T v v o
62 3.3 放大电路的图解分析法 静态工作点的图解分析 (a) 画直流通路 () 把基极回路和集电极回路电路分为线性和非线性两部分 : 如图 B 40uA 4K 12 B B e 回路 B _ c e 回路 _ BE BB - B 输入特性求 BE B 的方法同二极管图解分析 输出特性 E -
63 (c) 作非线性部分的伏安特性曲线 : i (ma) i f ( v ) E B 40uA (d) 作线性部分的伏安特性曲线 直流负载线 E 12-4 ( 12, 4K), 用两点法做直线 M(12,0),N(0,3mA) (e) 直线 MN 与 B 40uA 曲线的交点 (5.6,1.6mA) 就是静态工作点 Q B 100uA 直流负载线 N (5.6,1.6mA) Q 80uA 60uA 40uA 20uA B 40uA 4K M v E (v)
64 3.3 放大电路的图解分析法 动态工作情况分析 ( 输入回路 )
65 3.3 放大电路的图解分析法 动态工作情况分析 ( 输出回路 )
66 放大电路的图解分析法 -8 i B (ua) v BE () ---- 动态工作情况分析 i (ma) v i 0.02sinωt() i 20sinωt(uA) i B 20uA~60uA 1 2 4v 6 8 β40 i uA 80uA 60uA 40uA 20uA 2 v o v E () v i v i 0.02sinωt() v o
67 i βi B 0.8~2.4(mA) i B (ua) v E 8.8 ~ 2.4 v o v ce -3.2sin ω t K 10 v BE () β40 v i 2 v o i (ma) uA 80uA 60uA 40uA 20uA v E () v i v i 0.02sinωt() v o
68 讨论 : 电路参数变化对 Q 点的影响 -1 改变 : B E Q 点沿 MN 向下移动 300K 4K β40 12 N i Q Q B B B B B 固定偏流电路 0 M v
69 改变 : 电路参数变化对 Q 点的影响 -2 E MN的斜率变小 MN绕 M点逆时针转动 300K 4K 12 N 3 i B B B β Q Q B B 固定偏流电路 0 M v
70 改变 : 电路参数变化对 Q 点的影响 -3 E 不变 MN向右平移 E i B BB B BE E N Q Q B B B B 0 M v
71 截止失真 : 由于放大电路的工作点达到了三极管的截止区而引起的非线性失真 对于 NPN 管, 输出电压表现为顶部失真 i B i B 3 B B 4 2 B 0 v B 1 0 B Q v v i 截 v o
72 饱和失真 : 由于放大电路的工作点达到了三极管的饱和区而引起的非线性失真 对于 NPN 管, 输出电压表现为底部失真 i B i B 8 3 Q B B 2 B 1 B 0 v B 0 v v i v o 饱
73 3.3 放大电路的图解分析法 动态工作情况分析 1 2 o 的幅值远比 i 大, 且同为正弦信号, 体现了放大作用 ; 3 反向电压放大器
74 3.3 放大电路的图解分析法 交流负载线 交流通路 1 vo T v o L vi i - L // L v i _ T v o - L
75 3.3 放大电路的图解分析法 交流负载线交流负载线确定方法 : a. 通过输出特性曲线上的 Q 点做一条直线, 其斜率为 -1/' L L L c 是交流负载电阻. 交流负载线是有交流输入信号时 Q 点的运动轨迹 c. 交流负载线和直流负载线相交与 Q 点
76 最大不失真输出 放大电路要想获得大的不失真输出幅度, 需要 : 1 工作点 Q 要设置在输出特性曲线放大区的中间部位 ; 2 Q 点过高产生饱和失真, 过低产生截止失真 交流动态范围
77 End of part
78 第三章 双极结型三极管及其放大电路 ----Part 吉林大学电子科学与工程学院李传南
79 3.4 放大电路的小信号模型分析法 图解法的适用范围 : 信号频率低 幅度较大的 情况 如果电路中输入信号很小, 三极管可以用一个 小信号模型来代替 对于低频模型, 可以不考虑结电容的影响 2
80 第三章半导体三极管及其放大电路 - part 的主要内容 放大电路的小信号模型分析法 微变等效电路 ; 利用小信号模型进行电路分析 基本放大电路的三种组态 共射极 共集电极 共基极 ; 三种基本组态的混合连接电路 ; 复合管的使用 ; 3
81 3.4 放大电路的小信号模型分析法 三极管共射 H 参数的引出 c _ e _ ce 输入特性表达式 :v BE f 1 ( i B,v E ) 输出特性表达式 :i f 2 ( i B,v E ) 4
82 5 3.4 放大电路的小信号模型分析法 三极管共射 H 参数等效电路 E E B B E E BE B B BE BE dv v i di i i di dv v v di i v dv B E B E ce c ce e h h h h 小信号时 :
83 3.4 放大电路的小信号模型分析法 三极管共射 H 参数等效电路 - e c _ ce dv di BE v i i i BE B B E E v dib v i dib v E BE E B B dv dv E E c 6
84 h 3.4 放大电路的小信号模型分析法 参数的物理含义 1 v i BE 11 E B r e 的组成 : r e r r e r e 很小, 忽略 : 表示 E 为 EQ 时 i B 对 v BE 的影响, 即 : 在 Q 点 附近 与 e 之间的动态电阻, 用 r e 表示 e r e r e r r c r c c r : 基区体电阻 r e : 发射结正偏电阻 r e r ' (1 β ) 26m E 7
85 h 放大电路的小信号模型分析法 参数的物理含义 2 v v BE E 表示 BQ 附近 v E 对 v BE 的影响 : v E >1 后,h 12 <10-2 B h i 21 E : 表示 EQ 附近 i B 对 i 的影响, 即 β8 B i
86 3.4 放大电路的小信号模型分析法 参数的物理含义 3 h 22 i v E B BQ 处 v E 对 i 的影响, 是 BQ 这条曲线 在 Q 点的导数 通常用 r ce 表示 h 22 : rce h 1 22 一般 r ce >10 5 Ω 9
87 3.4 放大电路的小信号模型分析法 模型的简化 c 忽略 h 12 和 h 22 影响的简化参数等效电路 10
88 3.4 放大电路的小信号模型分析法 模型的简化 小信号模型分析法也成为微变电路模型, 也是因为信号只有微小的变化 11
89 3.4 放大电路的小信号模型分析法 -9 放大电路分析步骤 : 画直流通路, 计算静态工作点 Q; 计算 r e ; 26m re r' (1 β ) E 画交流通路 ; 画微变等效电路 ; 计算电压放大倍数 A v ; 计算输入电阻 i ; 计算输出电阻 o 12
90 13 画出小信号等效电路 计算电压放大倍数 Av T v v i o v o v i T v o v i c e c o e i r -β - e i o v r β A -
91 计算输入电阻 i i i i i // r e re r e r e 14
92 计算输出电阻 o 把输入信号源短路 ( s 0) 但保留信号源内阻, 在输出端加信号 o, 求此时的 o, 则 : o o / 如图, 如果 s 0, 则 0, 所以 β 0 o 所以 : o o o 电流源的处理?? 15 o
93 例 3.4.1: 求如下电路的 A v, i, o 电路及参数如图,r 100Ω, 求 A v, i, o 3 4 v vi i 0 e 1 β50 v vo o 解 : 静态工作点 (40uA,2mA,6) r e r' (1 β ) 26m E /20.763K 16
94 17 例 ( 续前 1) e e i β r ) (1 c o β - e e c i o v β r β A ) ( T c e v i v o
95 例 ( 续前 2) i o [ ] i // re (1 β ) e 330K//26.263K24.3K o c 4K 18
96 3.5 放大电路的工作点稳定问题 固定偏流电路, 当更换管子或环境温度变化引起管子参数变化, 电路的工作点就会移动, 需要设计能够自动调整工作点位置的偏置电路 如温度升高导致 : (1) 输入特性曲线左移 ; (2) BO 增大, 输出特性曲线上移 ; (3)β 增大 19
97 3.5 放大电路的工作点稳定问题 ---- 射极偏置电路 1 引入 2 和 e, 使 Q 点稳定 反馈控制的原理 : 0 B0 E0 ( 0 Δ 0 ) E E BE ( 0 Δ 0 -Δ ) B ( B0 -Δ B ) v v i i c 0 e 1 v v o 反馈 (feedack): 这里称之为负反馈 0 e 20 e
98 3.5 放大电路的工作点稳定问题 例 3.5.1: 电路及参数如图, β40,r 100Ω (1) 计算静态工作点 ; (2) 求 A v, i, o 解 : (1) 画直流通路, 求静态工 作点 ; ---- 射极偏置电路 2 v v i i c 0 e 0 e 1 21 v v o e
99 例 3.5.1( 续前 1) c 0 e 0 e e 0 e 直流通路 1 4 c 22
100 23 K BB // 例 3.5.1( 续前 2) BB
101 例 3.5.1( 续前 3) B 50uA (1-0.7 β) BB ( ) e1 e2 10.2k 1 BB 0.1K e1 4K c 15 cc β 2mA E B r e E 15 ( e 1 e 2) 2 (4.5) 6 26m r' (1 β ) 0.633KΩ E K e2 24
102 例 3.5.1( 续前 4) (2) 画微变等效电路, 求 A v, i, o i re (1 β ) e1 o - c -β o -β Av re (1 β ) e1 i i i [ r β ] // e (1 ) e // KΩ o o 4K 25
103 说明 : 带 e 的共射极放大器, BQ 可以由电阻 1 和 2 的分压来确定, 因为 B 远小于电阻 上的电流 BB v v i i c 0 e 0 e 1 v v o e 26
104 v vi i 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共射电路 T v v o v i _ c T e v o _ A v o i β - r e i //r e o c 27
105 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共集电极电路 1 共集电极组态基本放大电路如下图所示, 射极输出 为什么称之谓共集电极放大器, 要看交流电路 *** 28
106 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共集电极电路 2 直流分析 B ( BB - BE )/ [ (1β) e ] β B 直流通路 E - E e - e 1 // 2 29
107 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共集电极电路 3 交流分析 交流通路 : 共集电极 30
108 3.6 基本放大电路的三种组态 交流通路 ---- 共集电极电路 4 交流分析 微变等效电路 31
109 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共集电极电路 5 放大倍数和输入电阻 1 中频电压放大倍数 A v o o r e (1 β ) ' L (1 β ) ' L 1 比较 E 和 组态放大电路的电压放大倍数公式, 它们的分子都是 β 乘以输出电极对地的交流等效负载电阻, 分母都是三极管基极对地的交流输入电阻 2 输入电阻 : i 1 // 2 //[r e (1β) L )] 大 ' L L // e 32
110 基本放大电路的三种组态 ---- 共集电极电路 5 输出电阻将输入信号短路, 负载开路, 加, 信号源短路, 内阻保留 ' o β r r β r β β 1 ' // ' ' ) / ' )] ( ' /( ' ) [(1 ' // // ', ) ' /( ' ) / ' ( ) (1 ' s e e o o o e o s e o o 2 1 s s s e o e o o e 小用途?
111 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共基极放大电路 1 电路的构成??? 34
112 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共基极放大电路 2-- 交流和直流通路 交流通路 35
113 3.6 基本放大电路的三种组态 ---- 共基极放大电路 3-- 微变等效电路 e 36
114 基本放大电路的三种组态 ---- 共基极放大电路 4-- 性能指标 3 输出电阻 o e L e L v r r A ' / ' i o β β 1 电压放大倍数 β β β 1 // 1 // ) (1 / e e e i i i r r r e e 2 输入电阻
115 3.6 基本放大电路的三种组态 -- 三种组态电路比较 共射电路 : 电压和电流放大倍数均大, 输入输出电压相位相反, 输入和输出电阻适中 常用于电压放大 ; 共集电路 : 电压放大倍数是小于且接近于 1 的正数, 具有电压跟随特点, 输入电阻大, 输出电阻小 常作为电路的输入和输出级 ; 共基电路 : 放大倍数同共射电路, 输入电阻小, 频率特性好 电流放大系数接近于 1, 电流跟 38 随器 常用作宽带放大器
116 PNP 晶体管放大电路举例 直流偏压和电流的方向与 NPN 晶体管相反 ( 镜像 ), 其他的基本一致 39
117 The End of Part 40
118 第三章 双极结型三极管及其放大电路 -----Part 吉林大学电子科学与工程学院 2013 年 10 月
119 3.6 组合放大电路 -1 1 共发- 共基组合放大电路 理想的电压放大器 : 输入电阻无穷大, 输出电阻为零的放大器 -- 共集放大器相似 ; 理想的电流放大器 : 输入电阻为 0, 输出电阻为无穷大的放大器 -- 共基放大器相似 而共发射极放大器既有电压增压, 又有电流增益, 但是其输入电阻和输出电阻和理想放大器相差较大, 须组合达到理想放大器相似的性质
120 3.6 组合放大电路 -2 v v i i c 0 e 0 e 1 v e v o o
121 3.6 组合放大电路 -3 交流回路
122 3.6 组合放大电路 v v o o i i o v A A v v v v v v A ) ( ' 1 β β β e e e L A r r r v ' ) ( e L c e L v r r A β β ) ( ) ( ) 1 ( e L e L e e A r r r r v β β β β e e i i r r i o 2
123 3.6 组合放大电路 -5 2 共集 - 共集放大电路 放大倍数更接近 1, 输入电阻更大, 输出电阻更小
124 采用复合管 -- 提高放大倍数和输入电阻 B β c e β 1 β 2 T 2 T B B β β β β 1) ( ) ( β β β β β β B B B β β 1 β 2 所以 ) 1 ( e e e r r r r e β β
125 采用复合管 -- 提高放大倍数和输入电阻 -2 NPNNPNNPN PNPPNPPNP NPNPNPNPN PNPNPNPNP
126 采用复合管 -- 提高放大倍数和输入电阻 -3
127 入放大电路输多级放大器 -- 与级之间的耦合方式 第一级 放大电路 1 多级放大器所考虑的问题 (1) 级间耦合 ; 即信号的传送 (2) 估算整个放大器的放大倍数 ; 第 n 级放大电路 输出第二级 (3) 频率响应 2 耦合方式: 直接耦合 ; 阻容耦合 ; 变压器耦合 ; 光电耦合 3 多级放大电路对耦合电路要求: (1) 它的加入应尽量不影响前 后级间的静态工作点 ; (2) 把前一级的信号尽可能多地传到后一级 ; (3) 失真小
128 多级放大器的电路形式 -1
129 多级放大器的电路形式 -2 U (24) 1M 2 82k 10k 1 3 T 1 T 2 S L U S 20k U i E1 27k 3 43k E2 8k 10k E U o 前级 后级
130 3.7 基本放大电路的频率响应 频率失真 : 幅度失真和相位失真 幅度频率特性 : 幅频特性是描绘输入信号幅度固定, 输出信号的幅度随频率变化而变化的规律 即 A o /i f ( ω ) 相位频率特性 : 相频特性是描绘输出信号与输入信号之间相位差随频率变化而变化的规律 即 A o i f ( ω)
131 3.7.1 电路的频率响应 低通滤波电路 A v o i 1 jω 1 jω 1 1jω 令 : f ωh 1 1, ( ωh 2π 2π H ), 上限截止频率
132 3.7.1 电路的频率响应 -2 A 1 v 1j ω 1 ω 1j ω H 1 1j f f H A v 1 1 f f H 2 幅频特性 φ tg 1 f f H tg 1 f f H 相频特性
133 3.7.1 电路的频率响应 -3 A v 1 1 ( f ) f H φ tg -1 (- ) -tg -1 2 H H f f ( f f ) 当 f << f H 时 A v φ 1 0 o 当 f >> f H 时 Av 0 φ 90 o 当 f f H 时 Av 1 2 o φ
134 3.7.1 电路的频率响应 -4 当波特图 f f 20lg A v (db) H 时, 相频特性将滞后 45, 并具有 -45 /dec -3dB的 0.1fH fh 10fH 斜率 在 0.1 f H 和 10 f H 处与实际的相频特性有最大的误 0 f 差, 其值分别为 5.7 和 幅频特性这种折线化画出的频率特性曲线称为波特图 -20, 是分 -20dB/ 十倍频析放大电路频率响应的重要手段 -40 幅频特性的 X 轴采用指数坐标 φ fH,Y 轴采用对数坐 fh 10fH f 标,f 0 相频特性 H 称为上限截止频率 当 f >> f H 时, 幅频特性将以十倍频 20dB 的斜率下降, 或写成 -20dB/dec 在 f f H 处的误差最大 -45, 有 dB
135 3.7.1 电路的频率响应 高通滤波电路 Av 1 jω 令 : f 1, L 2 π A v jω 1j ω 下限截止频率 f j jω f L 1 j f 1 ω 1j jω f L
136 3.7.1 电路的频率响应 -6 高通滤波电路频率响应 : 幅频 : Av 1 1 ( f f L ) 2 相频 :φ c tan -1 ( f f L ) 当 f << f L 时 A v 0 φ 90 o 当 f f L 时 当 f >> f L 时 1 Av o φ 45 Av 1 φ 0 o
137 3.7.1 电路的频率响应 -7 波特图幅频特性 20lg A v (db) 0.1fL f L 10fL dB/Ê ± Ƶ -40 φ f 相频特性 f
138 3.7.2 三极管的高频等效模型 1 模型的引出 : e r e r r c r c r e c e c ' e :2~10pF : 几十到几百 pf ' c
139 3.7.2 三极管的高频等效模型 -1 形高频小信号模型
140 3.7.2 三极管的高频等效模型 -2 模型中参数的获得 低频时两个模型的比较 : r r r r (1 β ) T r r r e ' ' e ' e 0 ' e ' e E
141 3.7.2 三极管的高频等效模型 -3. 模型中用 g m 'e 代替 β, 这是因为 β 本身就与频率有关, 而 g m 与频率无关. g m i v ' B E E β r 0 ' e EQ T 约几十 ms, 见 P161
142 3.7.2 三极管的高频等效模型 三极管的频率参数 f β 和 f T F β :BJT 的共射极截止频率, 表示 β 下降到 β 0 时的信号频率, 决定于管子的结构 f T : 频率增大使 β 下降到 0dB ( β 1) 时的频率, 称为特征频率 f β f T 0 β
143 3.7.2 三极管的高频等效模型 三极管的频率参数 f β 和 f T 当 20lgβ 下降 3dB 时, 频率 f β 称为共发射极接法的截止频率 当 β1 时对应的频率称为特征频率 f T, 且有 f T β0f β
144 3.7.3 基本共射电路的频率响应 密勒电容 : 在简化混合 π 型模型中, 因存在 c, 对求解不便, 可通过单向化处理加以变换
145 3.7.3 基本共射电路的频率响应 -2 用输入侧的 µ 和输出侧的 µ 两个电容分别代替 c, 但变换前后相关电流不应变
146 3.7.3 基本共射电路的频率响应 -3 ' ' 利用米勒定理, 令放大倍数 A g, 则 : A ' ' (1 ) µ ' c µ '' (1 ) ' ' c A 1 m L
147 单级基本共射极放大电路的波特图 全频段放大倍数波特图
148 放大电路的增益带宽积 带宽 : f BW f H - f L f H 增益带宽积 : A f H 2 π ( r )[ (1 ' ' s g e m ' L g m ' L ) ' c ] 三极管一旦选定, 带宽增益积就确定下来, 放大倍数增大多少倍, 带宽就减少多少倍
149 本章总结 三极管结构及其工作原理 ; 放大电路的静态 动态 ; 直流通路 交流通路 ; 静态工作点估算 ; 放大电路的图解分析 ( 静态 动态 ); 三极管小信号模型及微变等效电路分析法 ; 共射 共集 共基电路分析及性能比较 ; 三极管高频模型及共射电路的频率响应
150 好玩的图片 : 人到底是站 在哪里呢?
151 附录 -- 密勒定理 -1 i - Z K o - i - Z K Z 1 2 o - - Z - K Z i o i i 1- i K Z i Z Z 1- K 1
152 密勒定理 -2 Z K Z K Z o o o o i Z K Z o Z Z Z i - o - K K i - o - 1 2
第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路
第 3 章分立元件基本电路 3.1 共发射极放大电路 3.2 共集电极放大电路 3.3 共源极放大电路 3.4 分立元件组成的基本门电路 3.1 共发射极放大电路 3.1.1 电路组成 3.1.2 静态分析 3.1.3 动态分析 3.1.4 静态工作点的稳定 3.1.5 频率特性 3.1.1 电路组成 基极电阻 输入电容 u i C C 2 C 1 CE E 晶体管 集电极电阻 u 0 CC 直流电源
课程简介
第三章双极型晶体管及 其基本放大电路 郭圆月 2014 年 10 月 9 日 本章主要内容 3.1 双极型晶体管 3.2 JT 基本放大电路直流分析方法 3.3 JT 基本放大电路交流分析方法 3.4 三种组态放大器的中频特性 3.5 单级共发放大器的频率特性 3.6 多级放大电路 2 3.1 双极型晶体管 1. 结构与功能 2. 放大工作原理 3. bers-moll 数学模型 4. 静态工作伏安特性曲线
课程简介
3.4 三种组态放大器的中频特性 放大电路的交流小信号分析是分频段进行 ; 中频段 : 电路电容不起作用, 晶体管用低频小信号模型 ; 低频段 : 电路电容起作用, 晶体管用低频小信号模型 ; 高频段 : 主要考虑 PN 结电容, 晶体管用高频小信号模型 ; 标志放大电路的增益和阻抗特性的分析是在中频段 进行, 不随频率变化, 反映带通特性 ; 1 分析的对象和内容 1. 单级共射放大电路 对象 :BJT
第五章生活中的电子-电子门铃
第五章生活中的电子 - 电子门铃 5.1 概述 5.2 器件原理 - 三极管 5.2.1 概述 5.2.2 BJT 的结构原理 5.2.3 双极型三极管的特性曲线 5.2.4 三极管的主要参数 5.2.5 温度对 BJT 参数及特性的影响 5.3 电路分析及测量 5.3.1 电路原理分解 5.3.2 电路测量方法 5.1 概述 1. 门铃的历史 2. 现代电子门铃作用及延伸 3. 简单电子门铃电路模型
电子技术基础 ( 第 版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图 整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B
直流稳压电源 第 4 章 4.1 整流电路及其应用 学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路
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习题解答 第一章.4. 解 : 由图可知, ( ) L +, + s s () 0, 0 时, s L L 0 s ( s + ), 0 0 + L L s 00 / 8.6 /0 s () s (3) s (4) s 5.5 s 0 / 0.086 /0 s 0 / 0.86 /0 s.5.5 解 : 输入级 : 高输入电阻型放大电路 减小对信号源的衰减中间级 : 高增益型放大电路 提高信号的放大倍数输出机
一 填空题 1 深度反馈 ; 同相输入点接地 2 稳定直流工作点 ; 抑制零点漂移 3 小 4 截止 ; 90 ; 大于 6 效率低 ; 甲乙类 7 0 ; 500 ;100 8 低 9 晶体管结电容 90 ; 小于 模拟电子技术基础 模拟卷 ( 一 ) 参考答案 共集 ;
一 填空题 深度反馈 ; 同相输入点接地 稳定直流工作点 ; 抑制零点漂移 3 小 4 截止 5 8 ; 9 ; 大于 6 效率低 ; 甲乙类 7 ; 5 ; 8 低 9 晶体管结电容 9 ; 小于 模拟电子技术基础 模拟卷 ( 一 ) 参考答案 8 共集 ; 共集 ; 共射 ; 共集 ; 共基 自由电子 ; 空穴 绝缘栅型 ; 电压 3 共射 4 输入 5 负反馈 二 分析判断题 解: 稳压管的最大稳定电流
模拟电子技术基础》（满分150分）
模拟电子技术基础 模拟测试一答案 一 填空题 ( 每小题 3 分, 共 5 分. 自由电子, 空穴. 源极 3. 相同. 小 5. 高, 饱和失真 6. 增大, 减小 7. 虚短, 虚断 8. 放大电路, 选频网络 9. 正反馈, 非线性 0. 变窄. 反向击穿. 射, 集, 基 3. 串联, 电压. 选频, 正反馈 5. 最大输出功率, 电源提供的功率 二 分析判断题 ( 本大题共 小题, 每小题
36 第二章晶体三极管及基本放大电路 晶体三极管是具有放大作用的半导体器件, 由三极管组成的放大电路广泛应用于各种电子 设备中, 例如收音机 电视机 扩音机 测量仪器及自动控制装置等 本章介绍三极管应用的必备 知识及由它构成的基本放大电路的工作原理和一般分析方法 第一节晶体三极管 晶体三极管是电子电
第二章 晶体三极管及基本放大电路 知识目标 了解三极管的结构, 掌握三极管的电流分配关系及放大原理 掌握三极管的输入和输出特性, 理解其含义, 了解主要参数的定义 掌握单级低频放大电路的组成和工作原理 熟悉用估算法分析放大电路的基本方法, 了解图解法分析放大电路的要领 熟悉常用稳定静态工作点的偏置放大电路, 理解稳定静态工作点的基本原理 技能目标 会查阅半导体器件手册, 能按要求选用三极管 会用万用表判别三极管的引脚,
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模拟电子技术 蒋乐天 http://nuedc-sh.sjtu.edu.cn/analog/analog.htm Jiangletian@163.com QQ 群 :545196085 主要内容 半导体器件 放大电路 集成运放电路 负反馈 波形的发生及信号转换 功放电路 直流电源 第一章半导体器件 1.1 半导体基础 1.2 二极管 1.3 双极型晶体管 ( 三极管 ) 1.4 场效应管 1.1 半导体基础
P 型半导体 N 型半导体 P 区 ( 中性区 ) N 区 ( 中性区 ) 负离子区 空间电荷区耗尽层阻挡层势垒区 正离子区 电中性 2) 特性 伏安特性 单向导电性 ( 正向导通 反向截止 ) 什么是正向偏置? 什么是反向偏置? 在正向偏置下, 空间电荷区如何变化? 在反向偏置下, 空间电荷区又如
模拟电子技术 1 至 4 章小结 前面五章的内容结构非常明确, 第一章介绍构成电子线路的半导体器件, 第二章是由基本元器件 三极管和场效应管构成的基本放大电路来实现信号的放大功能, 第三章为基本放大电路级联而成的多级放大电路 第二 三章的内容是来构成分立电路, 而第四章内容就涉及到了集成电路 ( 把分立电路集成到一片硅片上, 利用一个集成芯片来构成具有一定功能的集成电路 ) 前面四章的内容都不考虑电路性能与输入信号频率之间的关系,
实验7 单管低频电压放大电路
实验 7 单管低频电压放大电路 实验目的. 认识实验所用的电子元器件 ( 双极型晶体管 电阻 电位器和电容器等 ) 2. 学习看图接线, 能熟练使用常用电子测量仪器 3. 学习单管电压放大电路的基本测试方法 4. 了解双极型晶体管电压放大电路中引入负反馈后对其工作性能的影响 实验原理. 单管低频电压放大电路介绍 +U R B RP 00kΩ R 3kΩ 2V R S 0kΩ e S u 0μF RB2
器之 间 向一致时为正 相反时则为负 ③大量电荷的定向移动形成电 流 单个电荷的定向移动同样形成电流 ３ 电势与电势差 １ 陈述概念 电场中某点处 电荷的电势能 Ｅ ｐ 与电荷量 ｑ Ｅｐ 的比值叫做该点处的电势 表达式为 Ｖ 电场中两点之间的 ｑ 电势之差叫做电势差 表达式为 ＵＡＢ Ｖ Ａ ＶＢ ２ 理解概念 电势差是电场中任意两点之间的电势之差 与参考点的选择无关 电势是反映电场能的性质的物理量
1、电路如图1所示，用支路电流法求图中各支路电流及各电源及电阻的功率
1 计算图 P1 所示各电路,K 打开时及闭合时的 U a U b 及 U ab 图 P1 2 电路如图 P2 所示, 求 U x I x 和电压源电流 电流源电压 图 P2 3 在图 P3 所示电路中, 试求受控源提供的电流以及功率 4 电路如图 P4 所示, 若 U s =19.5 V,U 1 =1 V, 试求 R 图 P3 图 P4 5 求图 P5 所示各二端网络的输入电阻 R i 6 求图
知识目标 1. 掌握 PN 结的单向导电性和伏安特性 半导体二极管的模型及其伏安特性与主要参数 稳压二极管的稳压原理及稳压电路 三极管的工作状态及伏安特性与主要参数 2. 熟悉 PN 结的特性 电流分配及放大作用 能力目标 1. 通过学习半导体二极管基础知识, 具备二极管的识别和检测能力 2. 通过
知识目标 1. 掌握 PN 结的单向导电性和伏安特性 半导体二极管的模型及其伏安特性与主要参数 稳压二极管的稳压原理及稳压电路 三极管的工作状态及伏安特性与主要参数 2. 熟悉 PN 结的特性 电流分配及放大作用 能力目标 1. 通过学习半导体二极管基础知识, 具备二极管的识别和检测能力 2. 通过学习半导体三极管基础知识, 具备三极管的识别和检测能力 学习重点 1. 半导体二极管的模型及其伏安特性
Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000
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模拟电子技术 主讲教师 : 王庆凤 Emal:wangqf@jlu.edu.cn 模拟电子技术参考资料 参考教材 康华光电子技术基础模拟部分 ( 第五版 ) 高等教育 童诗白模拟电子技术基础 ( 第四版 ) 高等教育 华成英模拟电子技术基本教程清华大学出版社 习题集 模拟电子技术基础解题指南清华大学 模拟电子技术常见题型解析及模拟题西北工业大学 模拟电子技术基础学习与解题指南华中科技大学 电子技术的发展
不变, 分别增大和减小 W, 使波形出现失真, 绘出 U o 的波形, 并测出失真情况下的 I C 和 U CE 值, 记入表 2.4 中 每次测 I C 和 U CE 值时要使输入信号为零 ( 即使 u i =0) 表 2.4 C=2.4k, L=,U i= mv I C /ma U CE /V
3. 测量电压放大倍数调节一个频率为 1kHz 峰- 峰值为 50mV 的正弦波作为输入信号 U i 断开 DTP5 接地的线, 把输入信号连接到 DTP5, 同时用双踪示波器观察放大器输入电压 U i (DTP5 处 ) 和输出电压 U o (DTP25 处 ) 的波形, 在 U o 波形不失真的条件下用毫伏表测量下述三种情况下 :1 不变实验电路时 ;2 把 DTP32 和 DTP33 用连接线相连时
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部分习题参考答案 第 1 章 1.1 (1) U ab 5 (2) U ab 5 () I 2 () I 2 1.2 (a)-10w(b)-8w,0w(c)-50w,25w 1. () P 560 W, P 50 W, P 600 W, P 20 W, P 180 W 1. I 2 m U 60 1.5 P 50 W 1.6 U 26, U 7 ac bd 1.7 U ab 11, I, I 2,
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6 电路 : 理解和掌握基本放大电路 集成运算放大器 功率放大器 信号 发生器及直流稳压电源, 并能熟练应用 7 基本方法掌握微变等效电路分析法 能够较灵活地分析各种模拟电路 三. 教学内容 第一章电路的基本概念与基本定律电流 电压的参考方向欧姆定律基尔霍夫电流 电压定律电位计算第二章电路的分析方法
天津大学 电路与电子技术 课程教学大纲 课程编号 : 2160242 课程名称 : 电路与电子技术 学 时 : 64 学 分 : 3.5 学时分配 : 授课 : 48 上机 : 实验 : 16 实践 : 实践 ( 周 ): 授课学院 : 计算机科学与技术 适用专业 : 计算机科学与技术 先修课程 : 大学物理 一. 课程的性质与目的本课程是高等学校本科计算机及其应用专业必修的一门重要的学科基础课程,
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台湾合泰 HOLTEK 型号品牌封装说明 HT7022A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7022A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7027A-1#-SOT89
《分析化学辞典》_数据处理条目_1.DOC
3 4 5 6 7 χ χ m.303 B = f log f log C = m f = = m = f m C = + 3( m ) f = f f = m = f f = n n m B χ α χ α,( m ) H µ σ H 0 µ = µ H σ = 0 σ H µ µ H σ σ α H0 H α 0 H0 H0 H H 0 H 0 8 = σ σ σ = ( n ) σ n σ /
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Diode 肖特基二极管 (Schottky Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC Blocking Voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS Reverse Voltage 反向电压有效值 I F(AV) Average
第一章三角函数 1.3 三角函数的诱导公式 A 组 ( ) 一 选择题 : 共 6 小题 1 ( 易诱导公式 ) 若 A B C 分别为 ABC 的内角, 则下列关系中正确的是 A. sin( A B) sin C C. tan( A B) tan C 2 ( 中诱导公式 ) ( ) B. cos(
第一章三角函数 1. 三角函数的诱导公式 A 组 一 选择题 : 共 6 小题 1 ( 易诱导公式 ) 若 A B C 分别为 ABC 的内角 则下列关系中正确的是 A. sin( A B) sin C C. tan( A B) tan C ( 中诱导公式 ) B. cos( B C) cos A D. sin( B C) sin A sin60 cos( ) sin( 0 )cos( 70 ) 的值等于
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PowerPoint 演示文稿
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4 级半导体器件物理期末试题 (A 卷 ) ( 共 8 题, 满分 1 分, 考试时间 :15 分钟 可以使用简单计算器 ) 1 1 分 证明小注入情况下在 PN 结空间电荷区边界上有 ( x ) e ( x ) e 成立 15 分 共基极连接双极结型晶体管 (J): (1) 5 分 画出电流分量示意图 () 5 分 写出各个极电流表达式 (3) 5 分 写出各个极电流之间满足的关系式 3 15 分
1996 1997 GJB-151 1998 1999 2001 2002 220AC TEMPEST TEMPEST / / 1.dV/dt di/dt 2. NEMP ESD V -- - +++ - +++ - - - + V V V G PCB PCB / / IEC CISPR CISPR Pub. IEC TC77 IEC CENELEC EN FCC DOD FCC Part,
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加热器用固态继电器 单相 CSM_-Single-phase_DS_C 带纤细型散热器的一体式小型 SSR 备有无过零触发型号, 用途广泛 符合 RoHS 标准 包含无过零触发型号, 产品线齐全 输出回路的抗浪涌电压性能进一步提高 根据本公司的试验条件 小型 纤细形状 除了 DIN 导轨安装, 还可进行螺钉安装 获取 UL CSA EN 标准 TÜV 认证 请参见 共通注意事项 种类 关于标准认证机型的最新信息,
Microsoft PowerPoint - Ch5 The Bipolar Junction Transistor
O2005: Electronics The Bipolar Junction Transistor (BJT) 張大中 中央大學通訊工程系 dcchang@ce.ncu.edu.tw 中央大學通訊系張大中 Electronics, Neamen 3th Ed. 1 Bipolar Transistor Structures N P 17 10 N D 19 10 N D 15 10 中央大學通訊系張大中
PowerPoint 演示文稿
第 2 章逻辑代数基础 第 2 章逻辑门 2. 逻辑函数 2.2 逻辑门描述 2.3 逻辑门电路实现 2.4 集成逻辑门 第 2 章逻辑代数基础 2. 逻辑运算 2.. 三种基本运算 自然界中许多事物之间存在着一定的逻辑关系 其中 与 或 和 非 是三种基本的逻辑关系. 逻辑与关系 ( 与运算 / 逻辑乘 ) 逻辑 与 关系是指事物之间的这样一种逻辑关系 : 设有三个事件, 和 C 事件 C 的发生与否,
Microsoft Word - n9786954.doc
企 业 境 外 所 得 税 收 抵 免 操 作 指 南 目 录 第 一 条 关 于 适 用 范 围 第 二 条 关 于 境 外 所 得 税 额 抵 免 计 算 的 基 本 项 目 第 三 条 关 于 境 外 应 纳 税 所 得 额 的 计 算 第 四 条 关 于 可 予 抵 免 境 外 所 得 税 额 的 确 认 第 五 条 关 于 境 外 所 得 间 接 负 担 税 额 的 计 算 第 六 条 关
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泵站设计规范
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《分析化学辞典》_数据处理条目_2.DOC
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模拟电子技术基础
第二章 PN 结二极管及其应用 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 二极管应用电路 1 半导体基础知识 一 本征半导体二 杂质半导体三 PN 结的形成及其单向导电性四 PN 结的电容效应 一 本征半导体 1 什么是半导体? 什么是本征半导体? 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体 导体 -- 铁 铝 铜等金属元素等低价元素, 其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动, 形成电流
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Microsoft PowerPoint - 第1章.ppt
电子技术基础 (2) 2010 年 3 月 5 日 1 课程内容 电子技术基础 (2)- 模拟电路部分 (40 学时 ) 教材 : 1. 电子技术基础, 康华光考试 : 考一次 分数 : 考试占 80%, 作业占 20% 作业 : 在每章结束后下一堂课时交, 具体安排请各班学习委员同辅导老师商量 辅导教师 : 梁福田 3606495 2 第一章 绪 论 3 1-1 电子系统 电子系统是指由若干相互联接
Microsoft Word - 参数符号汇总 doc
Diode 普通二极管 (Diode) V RRM Peak repetitive reverse voltage 反向重复峰值电压 V RWM Working peak reverse voltage 反向工作峰值电压 V R DC blocking voltage 反向直流电压 V R(RMS) RMS reverse voltage 反向电压有效值 I O Average rectified
Microsoft PowerPoint - vlsi_chapter08
第 8 章高速 MOS 逻辑电路设计 本章目录 8. 门延时 8. 驱动大电容负载 8. 逻辑努力 (ogical Effot) 8.4 BiMOS 驱动器 08-9-5 第 8 章高速 MOS 逻辑电路设计 8. 门延时 MOS 逻辑门的开关时间 上升时间 : t 下降时间 : t f t 0 t f 0 α p n α 08-9-5 第 8 章高速 MOS 逻辑电路设计 8. 门延时 参照晶体管
第 5 卷第 9 期 3 9 年 月 电力电容器与无功补偿 &+ 1 ) + ; & ).& &+ 1 & / ) 5 93 & 9 *67893: + 99: 单相 谐波补偿电流对直流侧电压和电流纹波的影响分析!"#$%&'!"#$%&' '& ( ')*&+,& '(-./01 &
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电子技术基础
电子技术基础 第 版 周筱龙潘海燕主编 电子工业出版社 1 内容简介 本教材共分五章和附录, 其中第一 二章为模拟电子技术, 主要内容可归纳为三个方面 : 其一是三种半导体器件 ( 二极管 双极型三极管和运放 ) 的结构 特性和有关参数内涵的介绍 ; 其二是以分立元件实用功放案例为中心, 介绍组成案例的各种晶体管单元电路的结构 工作过程和技术参数 ; 其三是以带双电源的函数信号发生器案例为中心, 介绍组成案例的各种单元电路,
河北省 2016 年普通专科接本科教育考试
河北省普通高校专科接本科教育考试 电气工程及其自动化 / 电子信息工程 / 信息工程 / 自动化 专业考试说明 第一部分 : 电路 Ⅰ. 课程简介 一 内容概述与要求电路考试是为招收电气工程及其自动化 电子信息工程 自动化等专业专科接本科学生而实施的入学考试 参加本课程考试的考生应理解或了解电路模型和电路定律 电阻电路的等效变换 电阻电路的一般分析 电路定理 储能元件 一阶电路和二阶电路的时域分析
06知识单元-集成运算放大电路
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第 6 章 MOFET 的电气特性 本章目录 6. MO 物理学 6. FET 电流 - 电压方程 6.3 FET 的 R 模型 6.4 pfet 特性 6.5 小尺寸 MOFET 模型 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 NMO 的电流和电压 D D ( G, D 08-9-5 第 6 章 MOFET 的电气特性 6. MO 物理学 MO 的结构 ε 4 ε 3.9ε
情况汇报
电子线路 南京航空航天大学王成华 chwang@nuaa.edu.cn 025-84892797(O) 一 信息无处不在, 信息改变生活 电视广播 数码摄像机 现代信息化战争 因特网 移动通信 信息社会 核磁共振 笔记本电脑 MP5 音视频播放器 GPS 导航仪 计算机硬件 笔记本电脑 信息服务业 通信产业 曙光超级计算机 信息检索 电子商务和娱乐等 集成电路生产装备 固定通信移动通信 卫星通信 微波通信
电子产品原理安装与调试 续表 电子产品 直流电源类型 电子产品 直流电源类型 光动能电子表 太阳能电池 台式电脑 开关电源 半导体收音机 变压器降压整流电源 干电池 太阳能交通信号灯 太阳能电池 / 蓄电池 彩色电视机 开关电源 太阳能照明灯 太阳能电池 / 蓄电池 手机充电器 阻容降压整流电源 有
1 第 1 章电子产品常用单元电路分析 各种电子产品的内部都会有一个能够维系其工作的电子系统, 这个电子系统无论多么复杂, 都是由若干个基本单元电路组成的, 因此掌握常用的电子单元电路的结构及工作原理就显得非常重要 本章是从实际应用的角度对电子产品常用单元电路的结构及原理进行分析和讨论, 同时也涉及实践中的一些技术问题 1.1 直流电源电路 1.1.1 直流电源概述直流电源是电子设备工作的动力源,
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egan FET 昂首阔步前进 采用氮化镓场效应晶体管 (egan FET) 的 无线电源传送解决方案 宜普电源转换公司 www.epc-co.com.cn 1 议题 无线电源拓扑概述 每种拓扑所取得的无线电源结果 总结 www.epc-co.com.cn 2 概述 输出功率 < 30 W 松散耦合 根据 A4WP 标准的 6.78 MHz(ISM 频带 ) 探讨不同的拓扑 : D 类放大器 ( 电流及电压模式
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Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
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Microsoft PowerPoint - 第6章.ppt
第六章 模拟集成电路 010 年 4 月 30 日 1 集成电路 在半导体制造工艺的基础上, 把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上, 构成特定功能的电子电路, 称为集成电路 模拟集成电路种类繁多, 有运算放大器 宽频带放大器 功率放大器 模拟乘法器 模拟锁相环 模数和数模转换器 稳压电源和音像设备中常用的其他模拟集成电路等 模拟集成电路一般是由一块厚约 0.-0.5mm 的 P 型硅片制成, 称为基片
MS20 方案与 ACPL-C79B,C784 方案和 AMC1200B 方案测评 一 介绍 MS20 电流传感器基于 MAGTRON 公司的 Quadcore TM 传感器技术, 内部具有 PGA 可编程增益单元,TC 温度校正模块, 可编程基准模块和专用 DSP 处理器等功能 单电源供电, 无需
MS20 方案与 ACPL-C79B,C784 方案和 AMC1200B 方案测评 一 介绍 MS20 电流传感器基于 MAGTRON 公司的 Quadcore TM 传感器技术, 内部具有 PGA 可编程增益单元,TC 温度校正模块, 可编程基准模块和专用 DSP 处理器等功能 单电源供电, 无需检测电阻, 能检测交直流电流和外围电路简单 检测电流方案为电流传感器 APCL-C784 和 C79B
本章綱要 -1 節點電壓法 -2 迴路電流法 -3 重疊定理 - 戴維寧定理 -5 諾頓定理 -6 戴維寧與諾頓等效電路之轉換 -7 最大功率轉移定理 Chapter 直流網路分析 0626-0.indd 125 2009/11/10 下午 0:58:09
ELECTRICITY ELECTRICITY BASIC BASIC 本章學習目標 1. 利用節點電壓法分析各支路的電流 2. 利用迴路電流法分析各迴路的電流 3. 瞭解重疊定理在多電源電路的應用. 利用戴維寧與諾頓定理化簡電路 5. 瞭解戴維寧與諾頓等效電路的轉換 6. 學習負載如何在電路中獲得最大的功率轉移 0626-0.indd 12 2009/11/10 下午 0:58:02 本章綱要 -1
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图书在版编目 <CIP) 数据 医学电子学基础与医学影像物理学 / 潘志达主编 - 北京 z 科学技术文献出版社, 医学影像专业必修课考试辅导教材 ISBN 医 II. 潘 ffi. 1 医用电子学 - 医学院校 - 教材 2 影像诊断 - 医用物理
医学影像专业必修课考试辅导教材 医学电子学基础与 医学影像物理学 主编潘志达副主编伍建林盖立平王保芳 编者 ( 以姓氏笔画为序 丁晓东王保芳宁殿秀伍建林陈艳霞盖立平潘志达主审洪洋 科学技术文献出版社 Scientific and Technical Documents Publishing H 因 e 北京 图书在版编目
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物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 授課 老師 : 輔仁 大學物理系副教授張敏娟 2015 spring 1 物理系光電組 二年級電 子學 單元七 BJT 電晶體 BJT 電晶體 基本原理 1 BJT 電晶體把 N 型和 P 型半導體, 再組合, 變成電晶體 BJT 電晶體 是一個把訊號放大的元件 3 BJT 電晶體 三端元件 4 BJT 有兩種組成 NPN 型 PNP 型 5 N
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第2章 半导体二极管及其应用B.doc
第 章半导体二极管及其应用 第 章半导体二极管及其应用. 教学基本要求 半导体基础知识 半导体二极管 主要知识点本征半导体, 掺杂半导体 PN 结的形成 PN 结的单向导电性 PN 结的电容效应二极管的结构及类型 教学基本要求 熟练掌握 正确理解 一般了解 二极管的伏安特性及主要参数 二极管的应用 ( 整流和限幅 ) 硅稳压管的伏安特性 主要参数 硅稳压管稳压电路. 重点和难点 一 重点 光电二极管,
第一章.doc
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模拟集成电路设计原理 (Principle of Analog Integrated Circuit Design, INF013005.0) 01 年 1 月 0 日 副教授 zwtang@fudan.edu.cn http://rfic.fudan.edu.cn/courses.htm 复旦大学 / 微电子学系 / 射频集成电路设计研究小组 版权 01, 版权保留, 侵犯必究 版权 01, 版权保留,
Protel Schematic
设计绘制标化第 页共 页批准 主回路校对审核徐德进 LG LE HE HG HG LG IF R R R R AC AC +HT R R C.NF-0V +HT NC ANODE CATHODE NC VEE VO VO U VO0 +V C 0N Q IKW0N0H Q IKW0N0H Q FGH0N0SFD Q FGH0N0SFD Q FGH0N0SFD Q FGH0N0SFD D HER0 D
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电子技术习题解答汇总
P55 晶体管起放大作用的外部条件, 发射结必须正向偏置, 集电结反向偏置 晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换. 晶体管的电流分配关系 晶体管工作在放大区时, 其各极电流关系如下 : I βi I = I I = ( β ) I E β I I = β = I I. 晶体管的特性曲线和三个工作区域 () 晶体管的输入特性曲线 : 晶体管的输入特性曲线反映了当 UE
安全生产管理知识
2011 年 二 建 机 电 真 题 及 答 案 1. 机 电 工 程 测 量 竣 工 图 的 绘 制 包 括 安 装 ( ) 的 绘 制 安 装 过 程 及 结 果 的 测 量 图 的 绘 制 A. 测 量 控 制 网 B. 测 量 基 准 点 C. 沉 降 观 测 点 D. 过 程 测 量 点 参 考 答 案 A 解 析 参 见 教 材 P18 考 查 内 容 : 机 电 工 程 测 量 的 要
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Publishing House of Electronics Industry BEIJING :,,,,,, ( CIP) /. :, 2004. 2 ISBN 7-5053-9594-7... :. T N710 CIP ( 2004) 002543 : : : : 173 100036 : : 787980 1/ 16 :23 : 518 : 2004 2 1 : 5 000 :30. 00
罗姆的电源模块
可简单构成24V/15V/12V/5V电源 罗姆的电源模块 无需电路设计 罗姆半导体集团 省电 无需热设计 节省空间 IoT() AC/DC 1 / 1 1 18kWh/ 8kWh/ 1,440/ 5.5W 5.0W 12.5W 5.0W LDO DC/DC 0 20 40 60 80 10 (%) LOAD REGULATION(DC/DC Only) LDO 10 LDO 50 DC/DC BP5293-50
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