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疲每漱花
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1 TI C2000 系列 DSP FLASH 烧写解决方案 Rev. A

2 综述 TI C2000 系列 DSP 从硬件构架和开发环境上可以划分为 F28x F240x F240 与 F206 几类而 Flash 的烧写问题一直是开发过程中, 编程人员比较关注的问题本文从最后出现的 F28x 的 Flash 烧写方法开始, 依次介绍这三种 DSP 的 Flash 烧写的方法和步骤首先是详细介绍 F28 系列的烧写工具和方法由于 C2000 系列 DSP 的烧写方法大同小异所以简要描述 F240 与 F206 的烧写方法, 并归纳和总结 F240x 烧写的一些经验最后一部分以 F2812 为例介绍用户自定义的嵌入式 Flash 编程 (API)

3 第一部分 : TMS320F28x Flash 烧写指南

4 第一章 :F28x FLASH 特点和应用这部分主要讲述以下几方面内容 : F28x Flash 的特点 F28x Flash 的存储器映像 F28x Flash 的电源模式 F28x Flash 的访问 F28x Flash 流水线 F28x Flash 的寄存器

5 F28x Flash 的特点 F2812 片内 FLASH 128K, 地址为 3D8000h-3F7FFFh F2810 片内 FLASH 64K, 地址为 3E8000h-3F7FFFh 即可映像到程序空间, 也可映像到数据空间采用分区操作可单独擦写某一个区段可以通过单独的可改善性能的 Flash 流水线进行操作基于 CPU 频率可进行调整的等待周期低功耗模式受代码安全模块 CSM 的保护

6 F28x Flash 的存储器映像地址范围 0x3D8000-0x3D9FFF 0x3DA000-0x3DBFFF 0x3DC000-0x3DFFFF 0x3E0000-0x3E3FFF 0x3E4000-0x3E7FFF 0x3E8000-0x3EBFFF 0x3EC000-0x3EFFFF 0x3F0000-0x3F3FFF 0x3F4000-0x3F5FFF 0x3F6000-0x3F7FF6-0x3F7FF7 段 J,8K*16 段 I,8K*16 段 H,16K*16 段 G,16K*16 段 F,16K*16 段 E,16K*16 段 D,16K*16 段 C,16K*16 段 B,8K*16 程序和数据空间段 A,8K*16 boot 到 Flash 的入口处 ( 此处有程序分支 ) 0x3D8000-0x3D9FFF 安全密码 (128 位 ) F2812 存储器区段地址

7 F28x Flash 的存储器映像地址范围 0x3E8000-0x3EBFFF 0x3EC000-0x3EFFFF 0x3F0000-0x3F3FFF 0x3F4000-0x3F5FFF 0x3F6000-0x3F7FF6-0x3F7FF7 段 E,16K*16 段 D,16K*16 段 C,16K*16 段 B,8K*16 程序和数据空间段 A,8K*16 boot 到 Flash 的入口处 ( 此处有程序分支 ) 0x3D8000-0x3D9FFF 安全密码 (128 位 ) F2810 存储器区段地址

8 F280x 与 F281x 在 Flash 上的差别 F280x 与 F281x 在 Flash 的结构和烧写的方法上是完全相同不同点如下 : 从容量来说是依次减小的, 同时段的长度也是不断变化 F2808: 64K X 16 Flash F2806: 32K X 16 Flash F2801: 16K X 16 Flash API 的算法和配置是不同的, 并且相互之间不兼容性其他相关内容请参照相对应的用户手册, 本文以 F281x 为主

9 F28x Flash 的电源模式复位和休眠状态复位状态最低功耗待机状态 CPU 读和取指访问都将暂停 CPU 激活或读状态最大功耗变为低功耗 : 改变 PWR 模式位变为高功耗 : 改变 FPWR 寄存器通过读访问或程序取指操作

10 F28x Flash 的访问 CPU 对 FLASH 的读或取指操作有如下形式 : 32 位取指指令 16 位或 32 位数据空间读操作 16 位程序空间读操作存储器访问类型 : Flash 存储器随机访问 Flash 存储器页访问 NOTES: 对存储器应先取得写操作被忽略保护后读操作是正常的周期但返回 0 支持零等待访问但 CPU 需要适应访问时间

11 F28x Flash 流水线模式 Flash 一般用于保护用户代码为了改善代码执行性能, 采用了 Flash 流水线模式通过 FOPT 寄存器中的 ENPIPE 位控制流水线模式使能该模式独立于 CPU 流水线该模式下使用了预取机能, 减少了 Flash 对整个代码执行过程的影响改善了 FLASH 代码执行效率 15 0 保留 R-0 ENPIPE 位 0 ENPIPE 使能流水线 / 流水线使能时等待状态必须大于 0

12 F28x Flash 寄存器 1. Flash 选择寄存器 FOPT 2. Flash 电源寄存器 FPWR 3. Flash 状态寄存器 FSTATUS 4. Flash 待机等待寄存器 FSTDBYWAIT 5. Flash 待机到激活等待计数器寄存器 FACTIVEWAIT 6. Flash 等待状态寄存器 FBANKWAIT 以上寄存器的设置, 已经包含在相应的 FLASH 烧写工具中不在此详细介绍, 可以通过 TI 的相关文档和 CCS 中包含的用户手册进行查询 FLASH 的烧写过程不包括这些寄存器的设置, 对参数设置的过程实际上就是通过 TI 或第三方软件对寄存器的设置

13 第二章 : F28x Flash 烧写基础本部分主要讲述以下几方面内容 : Flash 烧写的硬件条件 Flash 算法相关描述 Flash 的烧写步骤 - 擦写操作 - 编程操作

14 F28x Flash 烧写的硬件条件具备什么样的硬件条件才可以进行烧写 Flash 操作 Flash 必须是完好的 Flash 有可能因为意外导致毁坏, 比如在擦写过程中断电或死机此时虽然 DSP 程序可以在 RAM 中运行但是除非更换 DSP, 否则无法再进行 Flash 烧写 CSM 必须是可用的您必须是设备的合法使用者 Flash 受 CSM 的保护 Flash 的烧写必须处于非安全模式下 (CSM unlock) VDD3VFL 管脚必须可靠接到 3.3V 电源上 Flash 的编程和读出都需要这个电源, 必须被连接 Notes: 当该电源未连接时, 口线输出也有可能是 3.3V 而且某些 TI 评估板上在此处放置了跳线或未焊接的电阻封装因此必须通过相应测试切实保证这个电压正常

15 F28x Flash 执行算法的一般要求 F281x 的设备编程以后是通过时间边缘算法 (time-critical algorithms) 在 DSP 上执行的这个算法包含一个时间边缘的延时环这个算法必须在单周期的 SARAM 中执行必须根据 DSP 的时钟频率来设置这个算法为了保证程序可以正确执行, 应该在系统最快的时钟频率上执行这个算法这个算法绝对不能使用中断这个算法是 FLASH 编程的基本构架算法, 它可以通过相应的插件工具或自行编写的 API 程序实现以上是 Flash 烧写的基本要求

16 F28x Flash 编程算法的操作 Flash 烧写的操作包括如下两个基本步骤 : 擦写擦写算法的执行结果通常是将 FLASH 的一个段中的所有的位都置成 1 这个擦写算法包含以下 3 个步骤 : 1. 擦除 : 将一个段中所有的位都置 0 2. 擦写 : 将一个段中所有的位都置 1 3. 效验 : 纠正所有耗尽的位, 保证所有位都变成 1 编程编程算法的执行结果是将应用代码或数据中的特定位改写成 0

17 F28x Flash 的擦写操作 Flash 擦写操作的相关描述 Flash 的出厂设置是已经擦写过的状态也就是所有 Flash 段中的位都是 1 这个擦写算法是将一个段中所有的位都置 1 一次可以擦写的最小内存单元是一个段擦写操作只适用于 Flash,OTP 不能进行擦写

18 F28x Flash 的编程操作 Flash 擦写操作的相关描述编程操作使 Flash 中某些特定的位变成 0 编程操作不能使某一个位由 0 变成 1 编程操作可以对 FLASH 和 OTP 进行操作编程操作每次操作是针对 16 位中的一位进行

19 F28x Flash 烧写方法概述 TI 及其第三方提供的烧写软件主要有两种 : 一个是 TI 提供的 TMS320C2000 Code Composer Studio on-chip Flash programmer plug-in 其最新版本是发行日期是 , 可以从 TI 网站上下载或者向 SEED 索取 ( 另一个工具是 Spectrum Digital 公司提供的 SDFlash 这个软件在 TI 的 CCS 插件推出之前比较受欢迎, 但是有了上面更方便的插件以后因为使用的限制用得比较少其最新版本是 1.63 包含在 CCS2.21 以上的版本中, 当然也可以单独下载升级包进行安装可以从其官方网站或者向 SEED 索取 ( 接下来的两章分别介绍这两种工具的使用

20 第三章 : F28x Flash CCS 插件 Code Composer Studio Plug-in 的特点 : 完美的整合到 CCS 中, 并且提供大量的 TI 在线帮助开发特定的 CCS Flash 设备并且提供了多样的设定不需要关闭 CCS 和开关工具即可实现 Flash 烧写和设置支持 CCS2.2 及以上版本

21 F28x CCS 插件的功能框图

22 F28x CCS 插件的安装 1. 安装 CCS C2000V 安装 2.2 to 2.21 补丁 C FULL-to- C FULL 3. 安装 C SA-to-TI-FLASH2x 到 CCS 目录 4. 设置好 CCS, 打开 CCS 系统自动提示发现插件点击确认使插件生效

23 F28x CCS 插件的调用 1. 点击 tools F28xx On Chip Flash Programmer 2. 点击插件图标

24 F28x CCS 插件的界面

25 F28x CCS 插件的 API 设置图中所示的 API 为经过确认的版本, 而不是 beta 版如果没有这个版本, 则说明下载的插件版本不够新可能无法正常烧写 F281x

26 F28x CCS 插件的频率设定

27 F28x CCS 插件频率配置的测试 NOTE:ToggleTest 不会自动停止必须通过用户手动停止 ( 后面 API 的相关部分在使用时也存在同样的问题 )

28 F28x CCS 插件的烧写步骤现在描述一下如何通过 CCS 插件完成一个程序的烧写 Step 1 : 选择一个工程这个工程应该是调试通过的, 并且可以在 CCS 调试状态下正常运行 Step 2 : 对这个工程的 CMD 文件进行增加 Flash 的内存分配的内容最好同时编制两份 CMD 文件 : 一份给烧写 Flash 用, 一份仿真和试验使用 Step 3: 需要时对工程的文件进行修改, 增加 Flash API 程序搬移等文件以扩展程序的有效运行和应用

29 F28x CCS 插件烧写步骤 Step 4 : 编译这个文件以生成插件可识别的 COFF 文件 Step 5 : 打开 CCS 插件, 设置时钟和相关内容 Step 6 : 配置插件的 API Step 6 : 测试时钟和工作频率 Step 7 : 选择需要擦写的段 Step 8 : 选择擦写编程效验的集合操作 Step 9 : 选择执行操作等待插件自动执行烧写过程设置硬件跳线 GPIOF4_SCITXDA 为高 ( 硬件已设置好 ), 则上电后, 复位矢量直接跳转到 flash 处执行至此一个使用 Flash 的烧写全过程就执行完了, 在去掉仿真器的情况下上电程序就可以自动执行了

30 F28x CCS 插件烧写的一些经验 1. 在擦写的过程中意外或异端终止有可能造成 Flash 烧毁 2. 通常的非破坏性的错误操作不会影响到 CSM, 但是要注意 SCM 也在 Flash, 不要将此段地址烧入内容 3. 不要试图将 Flash 所有位置 0, 这样 CSM 将永远是安全的也就是说该芯片不能再调试和编程 4. 通常 Flash 毁坏 DSP 依然可以进行不牵扯 Flash 的仿真和调试 5. CCS 插件有时候会出现死机但并不意味着 Flash 已经毁坏通过再次或不同环境下的烧写有可能挽救和恢复 6. 绝对不可以在烧写过程中断电 7. 烧写过程中不要试图运行程序 8. 对 Flash 自由等待和页等待的设置可以提高 Flash 执行速度, 理论最大 120Mhz

31 关于 F28x CCS 插件除了上述问题外 CCS 插件因为软硬件 bug 还可能出现一些意料不到的问题以下列举了一些常见的不正常状况和相应的解决方法 1. 上电初始 CCS 处于运行状态烧写时出现错误提示不能正常进行 --Flash 本身已经有程序, 需停止后再进行烧写 2. 烧写过程中程序死在擦除状态, 关掉 CCS 插件再开状况依旧 -- 硬件重新上电并重启 CCS, 同时移除所有断点 3. 在没有非法操作时出现 Flash 不能正常 Unlock -- 通常需要在其他系统中重新烧写一次 Flash 后, 插件恢复正常 4. 烧写过程中出错并且无法正常进行 -- 按上述 1-3 步骤进行, 同时需要检查硬件电压和软件版本支持 5. 烧写完成但是程序运行错误或者过度缓慢 -- 需要关注相应的设置和系统是否处于正常状态必要时有可能需要重新安装 CCS 和插件

32 第四章 SDflash SDFlash 烧写工具的特点 : SDFlash 是 Spectrum Digital 公司推出的 Flash 编程接口 SDFlash 不依赖于 CCS 可以独立的运行只需要连接设备的 JTAG 仿真器上电就可以进行 JTAG 编程不支持 USB 仿真器工程的组织形式与 CCS 略有不同适合于大批量芯片的烧写

33 SDFlash 的功能框图

34 SDflash 工程 SDFlash 工程由文本文件用储存用户的擦写和编程设置通过 SDFlash GUI 界面可以观看和编辑 SDFlash 工程在 TI 的例程中包含了算法文件在自建工程时可以借用

35 SDflash 设置 - 目标

36 SDflash 设置 - 擦写

37 SDflash 设置 - 编程

38 SDflash 频率配置在 SDFlash28x_Wrapper.h 中进行 PLLCR 的相关设定通过修改 Flash281x_API_Config.h 进行 CPU 频率的设定重建算法文件关闭 CCS 运行频率触发测试来检验 CPU 频率设置 CCS 中的 SDFlash JTAG 算法工程

39 SDflash 频率配置 2

40 SDflash 的操作步骤 1. 打开工程 / 新建工程新建工程时算法文件和各项设定参考 TI 提供的例程, 一步一步的建立 2. Programming Setting 参照前几页的叙述将擦写编程效验各个参数设置好 3. 点击 Device Flash 4. 选择所需操作 5. 点击 Start 由此可见在参数都设置好的情况下, 当有大量芯片需要烧写时不必每次都开关 CCS 这也是 SDFlash 的一大优势但是在程序调试过程中还是推荐通过插件来进行

41 SDflash 的一些经验在设置时最好参照 TI 的例程烧写 28 时为了免除麻烦最好直接下载最新的版本当 CPU 不能复位时, 可以先使用 SDConfig 来进行复位新建工程中推荐套用 TI 例程的框架, 这样快速又不容易出现错误出现问题及时参看其说明和帮助, 其中大部分的异常情况的解决方法都写得很清楚此软件的灵活度不高, 参数操作又比较繁琐所以一般来说还是推荐由 TI 的插件来进行操作, 要方便许多必要时配合 CCS 使用

42 关于 28x Flash 的执行 1) 选用合适的 CMD 文件, 分配 flash 和其他存储器, 可以参照 DSP281x F2812.cmd 2) 确保在 0x3F7FF6 处有指令跳转到代码执行的开始可以参考 DSP281x_CodeStartBranch.asm 来实现 3) 如果要 flash 有最好的性能, 需要设置 flash 存储器的等待周期该设置程序需要 copy 到 ram 中运行, 可以用 DSP281x_MemCopy.c 来实现 ( 参考如下内容 ) #include "DSP281x_Device.h" void MemCopy(Uint16 *SourceAddr, Uint16* SourceEndAddr, Uint16* DestAddr) {while(sourceaddr < SourceEndAddr) {*DestAddr++ =*SourceAddr++; } return;} Notes:Flash 体系强制限制一次只执行一个操作, 也就是说在擦写编程过程中无法在 Flash 中执行程序或读取所以在使用 API 并且将程序写到 Flash 中时这一步是必须的

43 关于 28x Flash 烧写的补充说明 2812 烧写补充说明 : 算法不但不能在 Flash 运行而且不能在外部存储器 XINXF 中运行 (SPRA958) SDFlash 和 CCS 不要在同一时间内执行 (GUI SDFlash readme) CCS 插件执行过程中应移除所有断点 Flash Memory Programming Setup(TIweb) 中有更详细的设计和操作描述对于 280x 和 281x 的不同请参照 (TMS320x281x to TMS320x280x Migration Overview) 对于 2810 API 程序只能擦写 A-E 段注意不要过界使用

44 第二部分 : TMS320F240x/240/206 Flash 烧写指南

C2000 Flash 烧写综述对于 C2000 系列其他 DSP 的 Flash 烧写的问题主要也是通过 SDFlash 和 CCS 插件来实现基本方法是一致的不再累述, 本部分主要描述一下他们的差别以下连接对 C2000 系列的 DSP Flash 编程工具的下载页面 http://dspvillage.ti.

45 C2000 Flash 烧写综述对于 C2000 系列其他 DSP 的 Flash 烧写的问题主要也是通过 SDFlash 和 CCS 插件来实现基本方法是一致的不再累述, 本部分主要描述一下他们的差别以下连接对 C2000 系列的 DSP Flash 编程工具的下载页面 ateid=5121&path=templatedata/cm/toolswovw/data/tools_flash 烧写过程中应该下载相对应的软件和驱动下图列出了 TI 及其第三方推荐和提供支持的 C2000 系列全部烧写工具

46 C2000 Flash 烧写综述 C2000 Flash 烧写基本上都可以通过 CCS 插件进行也推荐这种做法,F24x 的编写需要在 windows 下的 DOS 窗中进行使用 SDFlash 的烧写不再累述, 需要时注意看相应的 Readme 有几点需要注意 : a. 必须为 MC 方式 ; b.f206 的工作频率必须为 20MHz; c.f240 需要根据 PLL 修改 C240_CFG.I 文件建议外部时钟为 20MHz d.lf240x 也可能需要根据 PLL 修改文件, 工作频率为 30MHz e. 如果编写有问题, 可以用 BFLWx.BAT 修复 TI 还提供了一种串口编写方式 :TI 的网页上有相关软件注意此法只能编写一次, 因为编写程序会破坏串口通信程序 API 方式 : 请查阅 TI 的网页上有相关资料

47 F206/240 Flash 烧写 TMS320F206 片内有 32KX16BIT 的 FLASH, 从 0X000H~0X003F 为中断向量区当 MP/MC 引脚等于 0 时, 片内 FLASH 使能, 当 MP/MC 引脚等于 1 时, 影射到扩展程序空间 F206 复位后从 0X0000H 开始执行程序烧写步骤 : 1 设置 MP/MC=0, 使能片内 FLASH 连好仿真器 2 安装 FALSH2XX 烧写软件 3 开启 CCS 4 使用 File-> Load Program 载入需要烧写的文件 5 使用 File->Data->Save 存储刚载入的程序数据到主机文件中 (*.dat\*.out) 指定文件名后,CCS 提示输入数据的起始地址, 数据长度, 内存页类型设置完成后确认数据将存储到您指定的目录与文件名中注意 : 内存页类型请选择 Program

48 F206/240 Flash 烧写 6 使用 File->Load GEL 加载 GEL 文件 ( 如 : 烧写 F240 的程序, 就加载 C:\flash2xx\flash240\ fprogram.gel 文件到系统中加载成功后在 CCS 系统菜单中的 GEL 下面出现 Flash 编程及子项 FlashClear,FlashErase, Write2Flash 7 顺序使用 GEL->Flash 编程 -> FlashClear, GEL->Flash 编程 - >FlashErase 对 Flash 进行擦除 FlashClear 后 Flash 中所有数据为 0,FlashErase 后 Flash 中所有数据为 1 8 使用 GEL->Flash 编程 -> Write2Flash, 系统提示输入要烧写的数据文件数据长度此处输入的烧写数据文件是第三步存储的数据文件及其数据长度, 输入文件名时请务必使用此格式 :( 假设数据文件 sample.dat 存在 C:\flash2xx\flash240 中其格式为 C:\\flash2xx\\flash240\\sample.dat 引号必须 ) 9 数据输入完成后点击 Execute 按钮烧写 Flash 工作完成

49 F240x 烧写说明 F2407 的烧写与 F28x 基本相同这里仅将注意事项列出 : 1 关于 FLASH 时钟的选择, 此烧写工具默认最高频率进行 FLASH 的操作根据目标系统的工作主频重新要进行 PLL 设置方法 : 先在 advance options 下面的 View Config file 中修改倍频存盘后在相应的目录下 (tic2xx\algos\ 相应目录 ) 运行 buildall.bat 就可以完成修改了再进行相应的操作即可 2 若是你所选的频率不是最高频率, 还需要设定你自已的 timings.xx 来代替系统默认的最高频率的 timings.xx 例如 LF2407a 的默认文件是 timings.40 Timings.xx 可以利用 include\timings.xls 的 excel 工作表来生成然后在 advance options 下面的 View Config file 中修改相应的位置存盘后, 在相应的目录下运行 buildall.bat 就可以完成修改了

50 F240x 烧写说明 3 对于 TMS320LF240XA 系列, 还要注意 : 由于这些 DSP 的 FLASH 具有加密功能, 加密地址为程序空间的 0x40-0X43H, 程序禁止写入此空间, 如果写了, 此空间的数据被认为是加密位, 断电后进入保护 FLASH 状态, 使 FLASH 不可重新操作, 从而使 DSP 报废, 烧写完毕后一定要进行 Program passwords 的操作, 如果不做加密操作就默认最后一次写入加密位的数据作为密码 A 不能用 DOS 下的烧写软件烧写, 必须用 CCS 插件

51 F240x 烧写说明 5 一些相关建议如下 : 1) 一般调试时, 在 RAM 中进行 ; 2) 程序烧写时, 避开程序空间 0x40-0x43H 加密区, 程序最好小于 32k; 3) 每次程序烧写完后, 将 word0,word1,word2,word3 分别输入自己的密码, 再点击 Program password, 如果加密成功, 提示 Program is arrayed, 如果 0x40-0x43h 中写入的是 ffff, 认为处于调试状态,flash 不会加密 ; 4) 断电后, 下次重新烧写时需要往 word0~word3 输入已设的密码, 再 unlock, 成功后可以重新烧写了 ; 6 VCPP 管脚接在 +5V 上, 是应直接接的, 中间不要加电阻 7 具体事宜请阅读相应目录下的 readme 和帮助文件 8 cmd 文件的编写时应该避开 40-43H 单元, 好多客户由于没有注意到这里而把 FALSH 加密

52 第三部分 : TMS320F281x Flash API 应用指南

53 Flash API 本部分主要介绍如何在自己的程序中嵌入 Flash 编程通过 TI 提供的 Flash API( 应用程序接口 ) 可以定义和进行更复杂自由的 Flash 操作 Flash API 可以使用在 CCS 插件和 SDflash 中 Flash API 是进行更自由的 Flash 操作 / 编程的解决方案 Flash API 嵌入方式灵活易用本部分以 F2812 为例进行讲解其他芯片请参照相应手册进行

54 Flash API 实现方法方式 A: 调试时用和仿真一致程序在 RAM 中算法直接在 RAM 中方式 B: 代码通过通讯口引导来实现在 RAM 中运行不推荐使用方式 C: 程序在 Flash 中需要通过程序拷贝到 RAM 中运行, 此方式不方便调试应用于最终产品

55 Flash API 库 Flash API library 包含了 TI 提供支持的 Flash 编程算法并且提供了良好的接口和易于使用的定义, 使开发更方便快捷

56 F28x Flash API 函数调用擦写指定段 : Uint16 Flash2812_Erase(SectorMask, &FStatus) SectorMask: 要擦写哪个段 &Fstatus: 编程代码和数据到 Flash/OTP: 指向 Flash 状态结构的指针 Uint16 Flash2812_Program(&FlashAddr, &BuffAddr, Length, &FStatus) &FlashAddr: 指向要编程的 Flash/OTP 首地址的指针 &BuffAddr: 指向要编程的 Flash/OTP 缓冲器的指针 Length: &Fstatus: 要编程的 16 位的字的数目指向 Flash 状态结构的指针

57 F28x Flash API 函数调用 2 效验正确的算法频率配置 : Uint16 Flash2812_ToggleTest (&MuxReg, ToggleReg, Mask) &MuxReg: 指向一个 GP I/O MUX 寄存器的指针 &ToggleReg: 指向一个 GP I/O 触发寄存器的指针 Mask: Flash/OTP 的效验值 : 指示哪个管脚被触发 Uint16 Flash2812_Verify(&FlashAddr, &BuffAddr, Length, &FStatus) &FlashAddr: 指向 Flash/OTP 的第一个地址 &BuffAddr: Length: &FStatus: 指向反向比较缓冲器的指针比较的 16 位字的数目指向 Flash 状态结构的指针

58 Flash API 状态结构

59 Flash API 的运作为了增加植入的 flash 编程, 必须进行如下几步操作 : 1. 增加 Flash API 库到工程 2. 添加 Flash API 头文件到源代码中 3. 根据 CPU 频率初始化 PLLCR 和配置 Flash 算法 4. 进行触发测试 ( 如果测试未通过不要擦写或编程, 可能导致 Flash 毁坏此测试无法自动停止故仅限于开发阶段使用测试的结果为 10KHz 左右对于首次设置测试是必须的 ) 5. 单周期 SARAM 执行 Flash API 源代码 6. 另外还应注意 CSM 的配置 (SPRU078, 只能在 Flash 使能的情况下控制和进行解锁操作 )

60 Flash API Stap1: 添加库

61 Flash API Stap2: 添加头文件添加 Flash API 的头文件到项目中这个头文件包括 : 函数原形状态结构定义 API 出错代码 API 配置文件

62 Stap3: 根据操作频率配置 API 根据系统的 CPU 操作频率来进行 API 的配置通过修改 Flash281x_Config.h 来实现其中 CPU_RATE 是一个用来为正确的 CPU 频率配置算法比例因子不要进行修改

63 Stap3: 根据操作频率配置 API 在程序中增加如下代码, 来初始化全局变量 Flash_CPUScale_Factor 的值这个值通常是循环的比例因子初始化 PLLCR 寄存器并且等待, 直到锁相环稳定

64 Stap4: 拷贝 API 到 SARAM 如果 Flash API 源程序是保存在 Flash/OTP 中, 那么必须在调用 API 之前将其拷贝到 SARAM 中才可以正常运行这是需要在 linker.cmd 文件中为 API 的源程序分配装载开始, 装载结束和运行开始地址的相应符号

65 Stap4: 拷贝 API 到 SARAM 通过这些符号将源程序从 Flash 的装载地址复制到 SARAM 中运行

66 API 应用为了更好的使用 API CSM 应处于解锁状态或者在安全的 SARAM 运行也可以扩展相关概念到其他通讯端口创造解决方案关于应用 API 的相关建议 1. 在单循环内存执行算法而不要在等待状态内存中执行 2. 根据 CPU 频率配置 API 并且在系统最快的 CPU 频率下执行算法 3. 每次配置完毕效验频率配置 4. 在擦写和编程过程中不要执行代码或读取 Flash/OTP 5. API 只能通过大内存模式编译并且只能在 28x 目标代码方式下使用 (OBJMODE = 1, AMODE = 1) 6. API 在执行中禁用全局中断和看门狗

67 总结本文通过三个部分从原理到应用介绍了 TI C2000 系列 Flash 烧写的相关知识先从 F28x Flash 的配置和定义开始然后介绍了 Flash 烧写的过程和相关知识详细描述了两种 Flash 烧写工具的使用 --CCS 插件是应用和调试最方便的 --SDFlash 不需要 CCS, 适合大规模生产之后扩展性的介绍了 C2000 系列其他 DSP 的烧写再后介绍了嵌入式烧写和应用 Flash 的方法 --Flash API 的相关内容以便用户能编写属于自己的解决方案本文仅仅是宽泛的介绍希望读者能将您的问题意见和经验提供给我们, 我们将不胜感激

68 测试控制对于 SEED 公司现行的仿真器的测试如下 : CCS 插件 SD Flash Flash API SEED-XDSPP SEED-XDSusb2.0 - SEED-XDSPCI - SEED-XDS560 - SDFlash 相应的驱动较少只支持可以通过 SDConfig 复位的仿真器

69 REVISION HISTORY Ver A

一登录 crm Mobile 系统 : 输入 ShijiCare 用户名和密码, 登录系统, 如图所示 : 第 2 页共 32 页

一登录 crm Mobile 系统 : 输入 ShijiCare 用户名和密码, 登录系统, 如图所示 : 第 2 页共 32 页第 1 页共 32 页 crm Mobile V1.0 for IOS 用户手册一登录 crm Mobile 系统 : 输入 ShijiCare 用户名和密码, 登录系统, 如图所示 : 第 2 页共 32 页二 crm Mobile 界面介绍 : 第 3 页共 32 页三新建 (New) 功能使用说明 1 选择产品第 4 页共 32 页 2 填写问题的简要描述和详细描述第 5 页共