ADP75 目录 产品特性... 应用... 典型应用电路... 概述... 修订历史... 技术规格... 3 推荐规格 : 输入和输出电容... 4 绝对最大额定值... 5 热数据... 5 热阻... 5 ESD 警告... 5 引脚配置和功能描述... 6 典型性能参数... 7 工作原理

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1 产品特性输入电压范围 :3.3 V 至 V 最大输出电流 :5 ma 低噪声 :5 ( 固定输出型 ) PSRR 性能 :6 db( khz,v OUT = 3.3 V) 反向电流保护低压差 :35 mv (5 ma) 初始精度 :.8% 在整个线路 负载与温度范围内的精度 :-% 至 +% 低静态电流 :9 μa(v IN = V,I OUT = 5 ma) 低关断电流 :<5 μa (V IN = V 时 ), 利用 μf 小型陶瓷输出电容实现稳定工作 3 种固定输出电压选项 :.8 V 3.3 V 和 5 V 可调输出电压 :. V 至 9 V 可编程软启动 : 控制浪涌电流折返型限流和热过载保护用户可编程的精密 UVLO/ 使能功能电源良好指示 8 引脚 LFCSP 和 8 引脚 SOIC 封装 V 5 ma 低噪声 LDO 稳压器, 具有软启动功能 ADP75 V IN = 8V OFF ON V IN = 8V OFF ON CIN µf kω kω + 典型应用电路 VIN EN/ UVLO GND VOUT SENSE PG 图. 提供 5 V 固定输出电压的 ADP75 CIN µf kω kω + VIN VOUT ADJ 图. 提供 5 V 可调输出电压的 ADP75 SS EN/ UVLO PG GND SS + COUT µf CSS 4.kΩ 3kΩ CSS V OUT = 5V kω PG V OUT = 5V + COUT µf kω PG 应用适应噪声敏感应用 :ADC 和 DAC 电路 精密放大器 高频振荡器 时钟和 PLL 通信和基础设施医疗和保健工业和仪器仪表 概述 ADP75 是一款 CMOS 低压差(LDO) 线性稳压器, 采用 3.3 V 至 V 电源供电, 最大输出电流为 5 ma 这款高输入电压 LDO 适用于调节采用. V 至 9 V 电轨供电的高性能模拟和混合信号电路 该器件采用先进的专有架构, 提供高电源抑制 低噪声特性, 仅需一个 μf 小型陶瓷输出电容, 便可实现出色的线路与负载瞬态响应性能 ADP75 提供 3 个固定输出电压选项和可调输出版本, 可通过外置反馈分压器, 将输出电压调节至. V 至 9 V ADP75 可以连接外部软启动电容, 对启动进行编程设置 请注意, 在本数据手册中,SENSE/ADJ 引脚的检测功能 (SENSE) 仅应用于固定输出电压模式, 而可调输入功能 (ADJ) 仅应用于可调输出电压模式 例如, 图 显示检测功能, 图 显示可调输入功能 ADP75 输出噪声电压为 5 μv rms, 并不受输出电压影响 该器件具有一个 电源良好指示 数字输出引脚, 允许电源系统监控器检查输出电压是否正常 用户可编程精密欠压闭锁功能则便于控制多个电源的时序 ADP75 提供 8 引脚 3 mm 3 mm LFCSP 和 8 引脚 SOIC 两种封装 LFCSP 不仅提供一种超紧凑的解决方案, 而且散热性能出色, 在小尺寸薄型电路板空间中满足高达 5 ma 输出电流的应用需求 Rev. Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No One Technology Way, P.O. Box 96, Norwood, MA 6-96, U.S.A. license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Tel: Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. Technical Support ADI 中文版数据手册是英文版数据手册的译文, 敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI 不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责 如需确认任何词语的准确性, 请参考 ADI 提供的最新英文版数据手册

2 ADP75 目录 产品特性... 应用... 典型应用电路... 概述... 修订历史... 技术规格... 3 推荐规格 : 输入和输出电容... 4 绝对最大额定值... 5 热数据... 5 热阻... 5 ESD 警告... 5 引脚配置和功能描述... 6 典型性能参数... 7 工作原理... 7 应用信息... 8 电容选择... 8 可编程欠压闭锁 (UVLO)... 9 软启动功能... 9 电源良好特性... ADP75 可调型号的降噪特性... 限流与热过载保护... 散热考虑... 印刷电路板布局考虑... 4 外形尺寸... 5 订购指南... 6 修订历史 3 年 7 月 修订版 : 初始版 Rev. Page of 8

3 ADP75 技术规格 除非另有说明,V IN = (V OUT + V) 或 3.3 V( 取较大者 ),EN = V IN,I OUT = ma,c IN = C OUT =,T A = 5 表. 参数 符号 测试条件 / 注释 最小值 典型值最大值 单位 输入电压范围 VIN 3.3 V 工作电源电流 IGND IOUT = µa, VIN = V 4 µa I OUT = μa,v IN = V,T J = 4 C 至 +5 C 9 µa IOUT = ma, VIN = V 45 µa I OUT = ma,v IN = V,T J = 4 C 至 +5 C 5 µa IOUT = 3 ma, VIN = V 75 µa I OUT = 3 ma,v IN = V,T J = 4 C 至 +5 C 4 µa IOUT = 5 ma, VIN = V 9 µa I OUT = 5 ma,v IN = V,T J = 4 C 至 +5 C 6 µa 关断电流 IGND-SD EN = GND, VIN = V 4 5 µa EN = GND,V IN = V,T J = 4 C 至 +5 C 75 µa 输入反向电流 IREV-INPUT EN = GND, VIN = V, VOUT = V.3 µa EN = GND,V IN = V,V OUT = V, TJ = 4 C 至 +5 C 5 µa 输出电压精度固定输出电压精度 VOUT IOUT = ma % ma < I OUT < 5 ma,v IN = (V OUT + V) 至 V, T J = 4 C 至 +5 C + % 可调输出电压精度 VADJ IOUT = ma...3 V ma < I OUT < 5 ma,v IN = (V OUT + V) 至 V, T J = 4 C 至 +5 C.96.3 V 电压调整率 VOUT/ VIN V IN = (V OUT + V) 至 V,T J = 4 C 至 +5 C %/V 负载调整率 VOUT/ IOUT ma < IOUT < 5 ma. %/A ma < I OUT < 5 ma,t J = 4 C 至 +5 C.75 %/A ADJ 输入偏置电流 ADJI-BIAS ma < I OUT < 5 ma,v IN = (V OUT + V) 至 V, na ADJ 连接到 VOUT 检测输入偏置电流 SENSEI-BIAS ma < I OUT < 5 ma,v IN = (V OUT + V) 至 V, SENSE 连接到 VOUT,V OUT =.5 V 3 压差 VDROPOUT IOUT = ma mv I OUT = ma,t J = 4 C 至 +5 C 4 mv IOUT = 5 ma mv I OUT = 5 ma,t J = 4 C 至 +5 C 75 mv IOUT = 3 ma mv I OUT = 3 ma,t J = 4 C 至 +5 C 35 mv IOUT = 5 ma 35 mv I OUT = 5 ma,t J = 4 C 至 +5 C 55 mv 4 启动时间 tstart-up CSS = nf, IOUT = ma 65 µs CSS = nf, IOUT = ma.5 ms 5 限流阈值 ILIMIT ma PG 输出逻辑电平 PG 输出逻辑高电平 PGHIGH IOH < µa. V PG 输出逻辑低电平 PGLOW IOL < ma.4 V PG 输出阈值 输出电压下降 PGFALL 9. % 输出电压上升 PGRISE 6.5 % 热关断热关断阈值 TSSD T J 上升 5 C 热关断迟滞 TSSD-HYS 5 C Rev. Page 3 of 8

4 ADP75 参数 符号 测试条件 / 注释 最小值 典型值最大值 单位 软启动源电流 SSI-SOURCE SS = GND µa 可编程 EN/UVLO UVLO 阈值上升 UVLORISE 3.3 V V IN V,T J = 4 C 至 +5 C V UVLO 阈值下降 UVLOFALL 3.3 V V IN V,T J = 4 C 至 +5 C,.3 V kω 电阻与使能输入引脚串联 UVLO 迟滞电流 UVLOHYS V EN >.5 V,T J = 4 C 至 +5 C µa 使能下拉电流 IEN-IN EN = VIN 5 na 启动阈值 VSTART T J = 4 C 至 +5 C 3. V 关断阈值 VSHUTDOWN T J = 4 C 至 +5 C.45 V 迟滞 5 mv 输出噪声 OUTNOISE Hz 至 khz,v IN = 5.5 V,V OUT =.8 V 5 µv rms Hz 至 khz,v IN = 6.3 V,V OUT = 3.3 V 5 µv rms Hz 至 khz,v IN = 8 V,V OUT = 5 V 5 µv rms Hz 至 khz,v IN = V,V OUT = 9 V 5 µv rms Hz 至 khz,v IN = 5.5 V,V OUT =.5 V, 8 µv rms 可调模式 Hz 至 khz,v IN = V,V OUT = 5 V, 3 µv rms 可调模式 Hz 至 khz,v IN = V,V OUT = 5 V, 可调模式 65 µv rms 电源抑制比 电源抑制比 (PSRR) khz, VIN = 4.3 V, VOUT = 3.3 V 5 db khz, VIN = 6 V, VOUT = 5 V 5 db khz, VIN = 4.3 V, VOUT = 3.3 V 6 db khz, VIN = 6 V, VOUT = 5 V 6 db khz,v IN = 3.3 V,V OUT =.8 V, 可调模式 5 db khz,v IN = 6 V,V OUT = 5 V, 可调模式 6 db khz,v IN = 6 V,V OUT = 5 V, 可调模式 6 db khz,v IN = 3.3 V,V OUT =.8 V, 可调模式 6 db khz,v IN = 6 V,V OUT = 5 V, 可调模式 8 db khz,v IN = 6 V,V OUT = 5 V, 可调模式 8 db 基于使用 ma 和 5 ma 负载的端点计算 ma 以下负载的典型负载调整性能见图 6 SENSE/ADJ 引脚的可调输入功能 (ADJ) 仅适用于可调输出电压模式 ; 而检测功能 (SENSE) 仅适用于固定输出电压模式 3 压差定义为将输入电压设置为标称输出电压时的输入至输出电压差 该规格仅适用于高于 3. V 的输出电压 4 启动时间定义为 EN 的上升沿到 V OUT 达到其标称值 9% 的时间 5 限流阈值定义为输出电压降至额定典型值 9% 时的电流 例如,5. V 输出电压的电流限值定义为引起输出电压降至 5. V 的 9% 或 4.5 V 的电流 推荐规格 : 输入和输出电容 表. 参数 符号 测试条件 / 注释 最小值 典型值最大值 单位 最小输入和输出电容 CMIN T A = 4 至 +5.7 µf 电容 ESR RESR T A = 4 至 +5.. Ω 确保在所有工作条件下, 输入和输出电容至少大于.7 μf 选择器件时必须考虑应用的所有工作条件, 确保达到最小电容要求 与任何 LDO 稳压器配合使用时, 建议使用 X7R 型和 X5R 型电容, 而不建议使用 Y5V 和 Z5U 电容 Rev. Page 4 of 8

5 ADP75 绝对最大额定值 表 3. 参数额定值 VIN 至 GND.3 V 至 + V VOUT 至 GND.3 V 至 + V EN/UVLO 至 GND.3 V 至 VIN PG 至 GND.3 V 至 VIN SENSE/ADJ 至 GND.3 V 至 VOUT SS 至 GND.3 V 至 +3.6 V 存储温度范围 65 C 至 +5 C 工作结温范围 4 C 至 +5 C 焊接条件 JEDEC J-STD- 注意, 超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏 这只是额定最值, 不表示在这些条件下或者在任何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下, 器件能够正常工作 长期在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性 热数据各绝对最大额定值只能单独应用, 而不能一起应用 如果温度超过结温 (T J ) 限值,ADP75 可能会受损 监控环境温度并不能保证 TJ 不会超出额定温度限值 在功耗高 印刷电路板 (PCB) 热阻差的应用中, 可能需要降低最大环境温度 在功耗适中 PCB 热阻较低的应用中, 只要结温处于额定限值以内, 最大环境温度可以超过最大限值 器件的结温 (T J ) 取决于环境温度 (T A ) 器件的功耗(P D ) 和封装的结至环境热阻 (θ JA ) 最高结温 (T J ) 由环境温度 (T A ) 和功耗 (P D ) 通过下式计算 : 板结构的详细信息, 请参考 JEDEC JESD5-7 和 JESD5-9 欲了解更多信息, 请参阅应用笔记 AN-77 引线框芯片级封装 (LFCSP) 设计与制造指南 ( Ψ JB 是结至板热特性参数, 单位为 C/W 封装的 Ψ JB 基于使用 4 层板的建模和计算方法 JEDEC JESD5- 报告和使用电子封装热信息指南 中声明, 热特性参数与热阻不是一回事 Ψ JB 衡量沿多条热路径流动的器件功率, 而 θ JB 只涉及一条路径 因此,Ψ JB 热路径包括来自封装顶部的对流和封装的辐射, 这些因素使得 Ψ JB 在现实应用中更有用 最高结温 (T J ) 由板温度 (T B ) 和功耗 (P D ) 通过下式计算 : TJ = TB + (PD ΨJB) 有关 Ψ JB 的更多详细信息, 请参考 JESD5-8 和 JESD5- 热阻 θ JA 和 Ψ JB 针对最差条件, 即器件焊接在电路板上以实现表贴封装 θ JC 是带顶部安装散热器的表贴封装的参数, 这里提供的 θ JC 仅供参考 表 4. 热阻 封装类型 θja θjc ΨJB 8 引脚 LFCSP C/W 8 引脚 SOIC C/W ESD 警告 单位 ESD( 静电放电 ) 敏感器件 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电 尽管本产品具有专利或专有保护电路, 但在遇到高能量 ESD 时, 器件可能会损坏 因此, 应当采取适当的 ESD 防范措施, 以避免器件性能下降或功能丧失 TJ = TA + (PD θja) 封装的结至环境热阻 (θ JA ) 基于使用 4 层板的建模和计算方法, 主要取决于应用和板布局 在最大功耗较高的应用中, 需要特别注意热板设计 θ JA 的值可能随 PCB 材料 布局和环境条件不同而异 θ JA 的额定值基于 4" 3" 的 4 层电路板 有关 Rev. Page 5 of 8

6 ADP75 引脚配置和功能描述 VOUT SENSE/ADJ GND 3 SS 4 ADP75 TOP VIEW (Not to Scale) 8 VIN 7 PG 6 GND 5 EN/UVLO VOUT SENSE/ADJ GND 3 SS 4 ADP75 TOP VIEW (Not to Scale) VIN PG GND EN/UVLO NOTES. IT IS HIGHLY RECOMMENDED THAT THE EXPOSED PAD ON THE BOTTOM OF THE PACKAGE BE CONNECTED TO THE GROUND PLANE ON THE BOARD. 图 3. 引脚配置,LFCSP 封装 64-3 NOTES. IT IS HIGHLY RECOMMENDED THAT THE EXPOSED PAD ON THE BOTTOM OF THE PACKAGE BE CONNECTED TO THE GROUND PLANE ON THE BOARD. 图 4. 引脚配置, 窄体 SOIC 封装 64-4 表 5. 引脚功能描述 引脚编号 引脚名称 说明 VOUT 输出电压 使用 μf 或更大的电容旁路 VOUT 至 GND SENSE/ADJ 检测 (SENSE) SENSE 测量负载上的实际输出电压, 并将其馈入误差放大器 应使 SENSE 引脚尽可能靠近负载, 以使稳压器输出与负载之间的 IR 压降的影响最小 此功能仅适用于固定电压模式 调整输入 (ADJ) 外部电阻分压器设置输出电压 此功能仅适用于可调电压模式 3 GND 地 4 SS 地 5 EN/UVLO 使能输入 (EN) 将 EN 接到高电平时, 稳压器启动 ; 将 EN 接到低电平时, 稳压器关闭 若要实现自动启动, 请将 EN 接 VIN 可编程欠压闭锁 (UVLO) 使用可编程 UVLO 功能时, 阈值上下限由编程电阻决定 6 GND 地 7 PG 电源良好指示 此开漏输出需要一个外部上拉电阻连接至 VIN 或 VOUT 如果器件处于关断模式 限流模式或热关断, 或者如果 V OUT 降至标称输出电压的 9% 以下,PG 将立即变为低电平 如果不用电源良好功能, 可将此引脚悬空或连接到地 8 VIN 稳压器输入电源 使用 μf 或更大的电容旁路 VIN 至 GND EPAD 裸露焊盘 封装底部的裸露焊盘可增强散热性能, 它与封装内部的 GND 之间存在电气连接 强烈建议将裸露焊盘连接到板上的接地层 Rev. Page 6 of 8

7 ADP75 典型性能参数 除非另有说明,V IN = 7.5 V,V OUT = 5 V,I OUT = ma,c IN = C OUT =,T A = LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA GROUND CURRENT (µa) LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA T J ( C) T J ( C) 64-8 图 5. 输出电压与结温的关系 (V OUT = 3.3 V) 图 8. 接地电流与结温的关系 (V OUT = 3.3 V) GROUND CURRENT (µa) I LOAD (ma) I LOAD (ma) 64-9 图 6. 输出电压与负载电流的关系 (V OUT = 3.3 V) 图 9. 接地电流与负载电流的关系 (V OUT = 3.3 V) LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA GROUND CURRENT (µa) LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) V IN (V) 64- 图 7. 输出电压与输入电压的关系 (V OUT = 3.3 V) 图. 接地电流与输入电压的关系 (V OUT = 3.3 V) Rev. Page 7 of 8

8 ADP75 SHUTDOWN CURRENT (µa) V 4.V 6.V 8.V.V.V TEMPERATURE ( C) 图. 不同输入电压下关断电流与温度的关系 64- GROUND CURRENT (µa) LOAD = 5mA LOAD = ma LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) 图 4. 低压差下接地电流与输入电压的关系 (V OUT = 3.3 V) 64-4 DROPOUT VOLTAGE (mv) V OUT = 3.3V T A = 5 C LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA I LOAD (ma) C 5 C 5 C 85 C 5 C T J ( C) 64-5 图. 压差与负载电流的关系 (V OUT = 3.3 V) 图 5. 输出电压与结温的关系 (V OUT LOAD = 5mA.8 LOAD = ma LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) I LOAD (ma) 64-6 图 3. 低压差下输出电压与输入电压的关系 (V OUT = 3.3 V) 图 6. 输出电压与负载电流的关系 (V OUT Rev. Page 8 of 8

9 ADP LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA DROPOUT VOLTAGE (mv) V OUT = 5V T A = 5 C V IN (V) 64-7 I LOAD (ma) 64-8 图 7. 输出电压与输入电压的关系 (V OUT 图. 压差与负载电流的关系 (V OUT 9 8 LOAD = µa LOAD = 3mA GROUND CURRENT (µa) T J ( C) LOAD = 5mA LOAD = ma LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) 64-9 图 8. 接地电流与结温的关系 (V OUT. 低压差下输出电压与输入电压的关系 (V OUT GROUND CURRENT (µa) I LOAD (ma) 64-9 GROUND CURRENT (µa) 5 5 LOAD = 5mA LOAD = ma LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) 64- 图 9. 接地电流与负载电流的关系 (V OUT 图. 低压差下接地电流与输入电压的关系 (V OUT Rev. Page 9 of 8

10 ADP LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA GROUND CURRENT (µa) LOAD = µa LOAD = 3mA T J ( C) T J ( C) 64-6 图 3. 输出电压与结温的关系 (V OUT =.8 V) 图 6. 接地电流与结温的关系 (V OUT =.8 V) GROUND CURRENT (µa) I LOAD (ma) 64-. I LOAD (ma) 64-7 图 4. 输出电压与负载电流的关系 (V OUT =.8 V) 图 7. 接地电流与负载电流的关系 (V OUT =.8 V) LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA GROUND CURRENT (µa) LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) V IN (V) 64-4 图 5. 输出电压与输入电压的关系 (V OUT =.8 V) 图 8. 接地电流与输入电压的关系 (V OUT =.8 V) Rev. Page of 8

11 ADP LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA REVERSE INPUT CURRENT (µa) V 4V 5V 6V 8V V V 5V 8V V T J ( C) TEMPERATURE ( C) 图 9. 输出电压与结温的关系 (V OUT = 5 V, 可调 ) 图 3. 反相输入电流与温度的关系 (V IN = V,V OUT 为差分电压 ) EN V OUT I IN I LOAD (ma) 图 3. 输出电压与负载电流的关系 (V OUT = 5 V, 可调 ) 64-6 CH.V CH.V M.ms A CH 3.V CH3 ma T 5.95ms 图 33. 启动时间 (V EN 和 V IN = 6 V, C IN 和 C OUT =,C SS = nf,i OUT = ma,v OUT LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = µa LOAD = 3mA LOAD = 5mA V IN (V) 图 3. 输出电压与输入电压的关系 (V OUT = 5 V, 可调 ) k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 34. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT =.8 V,V IN = 3.3 V) 64-8 Rev. Page of 8

12 ADP75 LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = 5mA LOAD = 3mA k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 35. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 3.3 V,V IN = 4.8 V) 64-9 k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 38. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 6.5 V) 64-3 LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = 5mA LOAD = 3mA k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 36. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 3.3 V,V IN = 4.3 V) 64-3 k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 39. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 6 V) LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = 5mA LOAD = 3mA k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 37. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 3.3 V,V IN = 3.8 V) k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 4. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 5.5 V) Rev. Page of 8

13 ADP75 LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = 5mA LOAD = 3mA k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 4. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 5.3 V) k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 44. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 6 V, 可调并带降噪电路 ) LOAD = 5mA LOAD = 3mA 8 LOAD = 5mA LOAD = 3mA 9 k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 4. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 5. V) HEADROOM VOLTAGE (V) 图 45. 电源抑制比与裕量电压的关系 ( Hz,V OUT LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD = 5mA LOAD = 3mA k k k M M FREQUENCY (Hz) 图 43. 电源抑制比与频率的关系 (V OUT = 5 V,V IN = 6 V, 可调 ) HEADROOM VOLTAGE (V) 图 46. 电源抑制比与裕量电压的关系 ( khz,v OUT 64-4 Rev. Page 3 of 8

14 ADP75 LOAD = 5mA LOAD = 3mA 3.3V 5V 5V ADJ 5V ADJ NR NOISE (µv/hz) HEADROOM VOLTAGE (V) 图 47. 电源抑制比与裕量电压的关系 ( khz,v OUT k k k FREQUENCY (Hz) 图 5. 输出噪声频谱密度 (I LOAD = ma,c OUT = μf) LOAD = 5mA LOAD = 3mA LOAD CURRENT OUTPUT VOLTAGE HEADROOM VOLTAGE (V) 图 48. 电源抑制比与裕量电压的关系 ( khz,v OUT CH 5mA Ω B W CH 5mV B W M µs A CH 7m A T % 图 5. 负载瞬态响应 (C IN = C OUT = μf, I LOAD = ma 至 5 ma,v OUT =.8 V,V IN LOAD CURRENT NOISE (µv rms) 5 OUTPUT VOLTAGE 3.3V 5.8V 5V 5V ADJ 5V ADJ NR..... I LOAD (A) 图 49. 输出噪声与负载电流和输出电压的关系 (C OUT = μf) CH 5mA Ω B W CH 5mV B W M µs A CH 8m A T.% 图 5. 负载瞬态响应 (C IN = C OUT = μf, I LOAD = ma 至 5 ma,v OUT = 3.3 V,V IN Rev. Page 4 of 8

15 ADP75 LOAD CURRENT INPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE CH 5mA Ω B W CH 5mV B W M µs A CH 3m A T.% 图 53. 负载瞬态响应 (C IN = C OUT = μf, I LOAD = ma 至 5 ma,v OUT = 5 V,V IN = 7 V) CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 56. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = 5 ma,v OUT 64-5 INPUT VOLTAGE INPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 54. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = 5 ma,v OUT =.8 V) CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 57. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = ma,v OUT =.8 V) 64-5 INPUT VOLTAGE INPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 55. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = 5 ma,v OUT = 3.3 V) CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 58. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = ma,v OUT = 3.3 V) 64-5 Rev. Page 5 of 8

16 ADP75 INPUT VOLTAGE OUTPUT VOLTAGE CH V B W CH mv B W M 4µs A CH4.56V T 9.8% 图 59. 线路瞬态响应 (C IN = C OUT = μf,i LOAD = ma,v OUT Rev. Page 6 of 8

17 VIN GND EN/ UVLO VIN GND EN/ UVLO VREG 9.8µA VREG 9.8µA 工作原理 ADP75 是一款低静态电流 LDO 线性稳压器, 采用 3.3 V 至 V 电源供电, 最大输出电流为 5 ma ADP75 满载时静态电流典型值低至 9 μa, 非常适合电池供电的便携式设备使用 室温时, 关断模式下的功耗典型值为 4 μa ADP75 经过优化, 利用 陶瓷电容可实现出色的瞬态性能 SHORT-CIRCUIT, THERMAL PROTECT SHUTDOWN PGOOD 图 6. 固定输出电压型号内部框图 SHORT-CIRCUIT, THERMAL PROTECT SHUTDOWN VOUT 图 6. 可选输出电压型号内部框图 ADP75 内置一个基准电压源 一个误差放大器 一个反馈分压器和一个 PMOS 调整管 输出电流经由 PMOS 调整管提供, 其受误差放大器控制 误差放大器比较基准电压与输出端的反馈电压, 并放大该差值 如果反馈电压低于基准电压,PMOS 器件的栅极将被拉低, 以便通过更多电 R R.V REFERENCE PGOOD R.V REFERENCE PG SENSE SS VOUT PG ADJ SS VOUT =. V( + R/R) V IN = 8V OFF ON CIN µf R3 kω R4 kω + VIN VOUT R 4.kΩ ADJ EN/ UVLO GND PG SS R 3kΩ CSS 图 6. 典型可调输出电压应用原理图 RPG kω ADP75 流, 提高输出电压 如果反馈电压高于基准电压,PMOS 器件的栅极将被拉高, 以便通过较少电流, 降低输出电压 ADP75 提供 3 种固定输出电压选项 :.8 V 3.3 V 和 5 V, 以及可调输出版本, 可通过外部分压器在. V 至 9 V 范围内设置输出电压 输出电压可根据下式设置 : + COUT µf V OUT = 5V 确保 R 的值低于 kω, 以便将 ADJ 输入电流引起的输出电压误差降至最低 例如, 当 R 和 R 都是 kω 时, 输出电压为.46 V 假设 5 时 ADJ 输入电流典型值为 na, 则 ADJ 输入电流引起的输出电压误差为 mv 或.8% 在正常工作条件下,ADP75 利用 EN/UVLO 引脚使能和禁用 VOUT 引脚 EN/UVLO 为高电平时,VOUT 开启 ;EN/UVLO 为低电平时,VOUT 关闭 若要实现自动启动, 可将 EN/ UVLO 接至 VIN ADP75 内置反向电流保护电路, 当输出电压高于输入电压时, 它可防止电流通过调整元件回流 比较器检测输入电压与输出电压之间的差值 当该差值超过 55 mv 时,PFET 的本体切换到 V OUT 并关闭或开路 换言之, 栅极连接到 VOUT PG Rev. Page 7 of 8

18 ADP75 应用信息电容选择输出电容 ADP75 设计采用节省空间的小型陶瓷电容, 不过只要注意等效串联电阻 (ESR) 值要求, 也可以采用大多数常用电容 输出电容的 ESR 会影响 LDO 控制环路的稳定性 为了确保 ADP75 稳定工作, 推荐使用至少 μf ESR 为 Ω 或更小的电容 输出电容还会影响负载电流变化的瞬态响应 采用较大的输出电容值可以改善 ADP75 对大负载电流变化的瞬态响应 图 63 显示了输出电容值为 时的瞬态响应 LOAD CURRENT 图 64 所示为 4 μf V X5R 电容的电容与电压偏置特性关系图 电容的电压稳定性受电容尺寸和电压额定值影响极大 一般而言, 封装较大或电压额定值较高的电容具有较好的稳定性 X5R 电介质的温度变化率在 4 至 +85 温度范围内约为 ~±5%, 与封装或电压额定值没有函数关系 CAPACITANCE (µf) OUTPUT VOLTAGE CH 5mA Ω CH 5mV M µs A CH 7m A T % 图 63. 输出瞬态响应 (V OUT =.8 V,C OUT = ) 输入旁路电容在 VIN 至 GND 之间连接一个 μf 电容可以降低电路对 PCB 布局布线的敏感性, 特别是遇到长输入走线或高信号源阻抗时 如果要求输出电容大于 μf, 可选用更高的输入电容来与其相匹配 输入和输出电容特性只要符合最小电容和最大 ESR 要求,ADP75 可以采用任何质量优良的陶瓷电容 陶瓷电容可采用各种各样的电介质制造, 温度和所施加的电压不同时其特性也不相同 电容必须具有足以在必要的温度范围和直流偏置条件下确保最小电容的电介质 推荐使用额定电压为 6.3 V 至 5 V 的 X5R 或 X7R 电介质 Y5V 和 Z5U 电介质的温度和直流偏置特性不佳, 建议不要使用 图 64. 电容与电压偏置特性的关系考虑电容随温度 元件容差和电压的变化时, 可以利用公式 确定最差情况下的电容 CEFF = CBIAS ( TEMPCO) ( TOL) () 其中 : C BIAS 为工作电压下的有效电容 TEMPCO 是最差情况下的电容温度系数 TOL 是最差情况下的元件容差 本例中, 假定 X5R 电介质在 4 至 +85 范围内的最差条件温度系数 (TEMPCO) 为 5% 如图 64 所示, 在.8 V 电压下, 假定电容容差 (TOL) 为 %,C BIAS =.94 μf 将这些值代入公式 中可得到 : CEFF VOLTAGE (V) 因此, 在选定输出电压条件下, 本例中所选电容满足 LDO 稳压器在温度和容差方面的最小电容要求 为了保证 ADP75 的性能, 必须针对每一种应用来评估直流偏置 温度和容差对电容性能的影响 Rev. Page 8 of 8

19 ADP75 可编程欠压闭锁 (UVLO) 在正常工作条件下,ADP75 利用 EN/UVLO 引脚使能和禁用 VOUT 引脚 如图 65 所示, 当 EN/UVLO 上的上升电压越过上阈值时,VOUT 开启 当 EN/UVLO 上的下降电压越过下阈值时,VOUT 关闭 EN/UVLO 阈值的迟滞由与 EN/ UVLO 引脚串联的戴维宁等效电阻决定 图 65. 对 EN/UVLO 引脚工作方式的典型 VOUT 响应上下阈值是用户可编程的, 可以利用两个电阻来设置 当 EN/UVLO 引脚电压低于.3 V 时,LDO 禁用 当 EN/UVLO 引脚电压跃迁至.3 V 以上时,LDO 使能, 该引脚提供 μa 迟滞电流以提升电压, 从而提供阈值迟滞 通常由两个外部电阻设置 LDO 的最小工作电压 R 和 R 电阻的值可通过下式确定 : R = VHYS V OUT, EN/UVLO RISE V OUT, EN/UVLO FALL EN/UVLO (V) R =.3 V R/(VIN.3 V) 其中 : V HYS 为所需的 EN/UVLO 迟滞电平 V IN 为所需的开启电压 迟滞也可以通过在 EN/UVLO 引脚上串联一个电阻来实现 在图 66 所示的例子中, 使能阈值为.46 V, 迟滞为 V 64-6 图 65 显示了 EN/UVLO 引脚的典型迟滞, 这可以防止 EN/ UVLO 引脚上的噪声在经过阈值点时引起开关振荡 软启动功能针对要求受控启动的应用,ADP75 提供可编程软启动功能 可编程软启动可以降低启动时的涌入电流并提供电压时序控制 若要实现软启动, 应在 SS 与 GND 之间连接一个小型陶瓷电容 启动时, μa 电流源对此电容充电 ADP75 的启动输出电压受 SS 引脚电压的限制, 平稳地上升至标称输出电压 软启动时间计算公式如下 : tss = VREF (CSS/ISS) 其中 : t SS 为软启动延迟 V REF 为. V 基准电压 C SS 为 SS 和 GND 之间的软启动电容 I SS 为 SS 提供的电流 ( μa) 当 ADP75 禁用 ( 通过将 EN 驱动至低电平 ) 时, 软启动电容通过内部 5 Ω 电阻放电至 GND OUTPUT VOLTAGE (V) EN nf.7nf 6.8nF nf 5 5 TIME (ms) 图 67. 典型启动性能 64-6 V IN = 8V C IN µf + VIN VOUT SENSE + C OUT µf V OUT = 5V OFF ON R kω R kω EN/ UVLO GND PG SS C SS kω PG 图 66. EN/UVLO 引脚的典型分压器 Rev. Page 9 of 8

20 ADP75 电源良好特性 ADP75 提供一个电源良好引脚 (PG) 来指示输出的状态 此开漏输出需要一个外部上拉电阻连接至 VIN 或 VOUT 如果器件处于关断模式 限流模式或热关断, 或者如果 V OUT 降至标称输出电压的 9% 以下, 电源良好引脚 (PG) 将立即变为低电平 软启动期间, 电源良好信号的上升阈值为标称输出电压的 93.5% 当 ADP75 有足够的输入电压来开启内部 PG 晶体管时, 此开漏输出保持低电平 PG 晶体管通过一个上拉电阻端接至 VOUT 或 VIN 当此电压上升时, 电源良好精度为稳压器标称输出电压的 93.5%; 当此电压下降时, 跳变点为标称输出电压的 9.8% 如果 V OUT 降至标称输出电压的 9.8% 以下, 则表明稳压器输入电压关断或受到干扰, 从而触发电源不良信号 当 V OUT 降至 9.8% 以下时, 正常关断将导致电源良好信号变为低电平 图 68 和图 69 显示了整个温度范围内的典型电源良好上升和下降阈值 PG (V) PG (V) C 5 C +5 C +85 C +5 C 图 68. 典型电源良好阈值与输出电压和温度的关系 (V OUT 上升 ) C 5 C +5 C +85 C +5 C 64-6 ADP75 可调型号的降噪特性固定输出 ADP75 的超低输出噪声特性是通过如下方法实现的 :LDO 误差放大器保持单位增益, 并设置基准电压等于输出电压 这种架构不适用于可调输出电压 LDO 稳压器 可调输出 ADP75 采用更为传统的架构, 其中基准电压为固定值, 误差放大器增益与输出电压成函数关系 传统 LDO 架构的缺点是输出电压噪声与输出电压成比例 可以对可调 LDO 电路稍加修改, 以将输出电压噪声降低到与固定输出 ADP75 接近的水平 图 7 所示的电路在输出电压设置电阻分压器上增加了 个元件 :C NR 和 R NR, 它们与 R FB 并联, 用以降低误差放大器的交流增益 选择 R NR 等于 R FB, 从而将误差放大器的交流增益限制在约 6 db 实际增益为 R NR 和 R FB 的并联组合除以 R FB, 这可以确保误差放大器始终以大于 的增益工作 选择的 C NR 应使得在频率为 5 Hz 至 Hz 时,C NR 的电抗等于 R FB R NR 此电容值设置的频率将使得误差放大器的交流增益比直流增益低 3 db V IN = 8V OFF ON CIN µf R3 kω R4 kω + VIN VOUT R FB 4.kΩ ADJ EN/ UVLO GND PG SS R FB 3kΩ R NR 3kΩ + C NR nf 图 7. 更改可调输出 LDO 稳压器以降低噪声可调 LDO 稳压器的噪声可通过下式计算, 计算时假定固定输出 LDO 的噪声约为 5 μv: 5 μv + / 3kΩ /3kΩ + / 4. kω 基于图 7 所示的元件值,ADP75 具有下列特性 : CSS V OUT = 5V + COUT µf RPG kω 直流增益 :4.9 (. db) 3 db 滚降频率 :59 Hz 高频交流增益 :.76 (4.89 db) 降噪系数 :.33 (.59 db) 无降噪功能的 ADP75 可调 LDO 的 RMS 噪声 :7.8 有降噪功能的 ADP75 可调 LDO 的 RMS 噪声 ( 假定固定电压选项为 5 ):9.95 PG 图 69. 典型电源良好阈值与输出电压和温度的关系 (V OUT 下降 ) Rev. Page of

21 ADP75 限流和热过载保护 ADP75 内置限流和热过载保护电路, 可防止功耗过大导致受损 当输出负载达到 775 ma( 典型值 ) 时, 限流电路就会起作用 当输出负载超过 775 ma 时, 输出电压会被降低, 以保持恒定的电流限制 随着输出电压下降, 电流折返至大约 5 ma, 以最大程度降低 LDO 稳压器内部的发热量 热过载保护电路将结温限制在 5 C( 典型值 ) 以下 在极端条件下 ( 即高环境温度和 / 或高功耗 ), 当结温开始升至 5 C 以上时, 输出就会关闭, 从而将输出电流降至 当结温降至 35 C 以下时, 输出又会开启, 输出电流恢复为正常工作值 考虑 VOUT 至地发生负载短路的情况 首先,ADP75 的限流功能起作用, 因此, 仅有 775 ma 电流传导至短路电路 如果结的自发热量足够大, 使其温度升至 5 C 以上, 热关断功能就会激活, 输出关闭, 输出电流降至 当结温冷却下来并降至 35 以下时, 输出开启, 将 775 ma 电流传导至短路路径中, 再次导致结温升至 5 C 以上 结温在 35 C 至 5 C 范围内的热振荡导致电流在 775 ma 和 ma 之间振荡 ; 只要输出端存在短路, 振荡就会持续下去 限流和热过载保护旨在保护器件免受偶然过载条件影响 为保证器件稳定工作, 必须从外部限制器件的功耗, 使结温不会超过 5 C 散热考虑在输入至输出电压差很小的应用中,ADP75 不会产生很多热量 然而, 在环境温度很高和 / 或输入电压很大的应用中, 封装发出的热量可能非常大, 导致芯片结温超过最高结温 5 C 当结温超过 5 C 时, 稳压器进入热关断模式 只有当结温降至 35 C 以下时, 它才会恢复, 以防永久性受损 因此, 为了保证器件在所有条件下具有可靠性能, 必须对具体应用进行热分析 芯片的结温为环境温度与功耗所引起的封装温升之和, 如公式 所示 为保证器件可靠工作,ADP75 的结温不得超过 5 C 为确保结温低于此最高结温, 用户需要注意会导致结温变化 的参数 这些参数包括环境温度 功率器件的功耗 结与周围空气之间的热阻 (θ JA ) θ JA 值取决于所用的封装填充物和将封装 GND 引脚焊接到 PCB 所用的覆铜数量 表 6 给出了各种 PCB 覆铜尺寸时 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 LFCSP 封装的典型 θ JA 值 表 7 给出了 8 引脚 SOIC 和 8 引脚 LFCSP 封装的典型 Ψ JB 值 ( 含 PCB 面积 ) 表 6. 典型 θ JA 值 θja ( C/W) 覆铜面积 (mm) LFCSP SOIC 器件焊接在最小尺寸引脚走线上 表 7. 典型 Ψ JB 值 ( 含 PCB 面积 ) 模型 ΨJB ( C/W) 8 引脚 LFCSP 5. 8 引脚 SOIC 3.3 注意,LFCSP 封装的 Ψ JB 值包括 PCB 面积, 该 PCB 面积通过裸露焊盘用作散热器, 而表 4 中的数值依据 JEDEC 标准 ADP75 的结温可通过下式计算 : TJ = TA + (PD θja) () 其中 : T A 是环境温度 θ JA 为结至环境热阻 P D 为芯片的功耗, 计算公式如下 : PD = [(VIN VOUT) ILOAD] + (VIN IGND) (3) 其中 : V IN 和 V OUT 分别为输入和输出电压 I LOAD 为负载电流 I GND 为接地电流 接地电流引起的功耗相当小, 可忽略不计 因此, 结温的计算公式可简化为 : TJ = TA + {[(VIN VOUT) ILOAD] θja} (4) 如公式 4 所示, 针对给定的环境温度 输入与输出电压差和连续负载电流, 需满足 PCB 的最小覆铜尺寸要求, 以确保结温不升至 5 C 以上 图 7 至图 76 显示了不同环境温度 功耗和 PCB 覆铜面积下的结温计算结果 Rev. Page of 8

22 ADP JUNCTION TEMPERATURE ( C) mm 5mm 35 5mm T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) JUNCTION TEMPERATURE ( C) mm 5mm 35 5mm T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) 图 7. LFCSP,T A = 5 C 图 74. SOIC,T A = 5 C JUNCTION TEMPERATURE ( C) mm 6 5mm 5mm T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) 图 7. LFCSP,T A = 5 C JUNCTION TEMPERATURE ( C) TOTAL POWER DISSIPATION (W) 图 75. SOIC,T A = 5 C 64mm 5mm 5mm T J MAX JUNCTION TEMPERATURE ( C) mm 75 5mm 5mm T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) JUNCTION TEMPERATURE ( C) mm 75 5mm 5mm T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) 64-7 图 73. LFCSP,T A = 85 C 图 76. SOIC,T A = 85 C Rev. Page of 8

23 ADP75 在已知板温的情况下, 可以利用热特性参数 (Ψ JB ) 来估算结 4 温上升情况 ( 见图 77 和图 78) 最高结温 (T J ) 可由板温度 (T B ) 和功耗 (P D ) 通过下式计算 : JUNCTION TEMPERATURE (T J ) TJ = TB + (PD ΨJB) (5) 8 引脚 LFCSP 封装的 Ψ JB 典型值为 5. C/W,8 引脚 SOIC 封 装则为 3.3 C/W( 见表 7) T B = 5 C T B = 5 C T B = 65 C T B = 85 C T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) 64-7 JUNCTION TEMPERATURE (T J ) T B = 5 C T B = 5 C T B = 65 C T B = 85 C T J MAX TOTAL POWER DISSIPATION (W) 图 78. SOIC 封装 64-7 图 77. LFCSP 封装 Rev. Page 3 of 8

24 ADP75 印刷电路板布局考虑通过增加 ADP75 引脚处的覆铜用量, 可改善封装的散热性能 但是, 如表 6 所示, 这种增加存在效益递减的现象, 当覆铜量达到某一数量点后, 再继续增加覆铜的用量并不会带来明显的散热效益 输入电容应尽可能靠近 VIN 和 GND 引脚放置 输出电容应尽可能靠近 VOUT 和 GND 引脚放置 在板面积受限的情况下, 采用 85 或 63 尺寸的电容和电阻可实现最小尺寸解决方案 图 8. SOIC PCB 布局示例 图 79. LFCSP PCB 布局示例 Rev. Page 4 of 8

25 ADP75 外形尺寸 SQ SEATING PLANE INDEX AREA TOP VIEW.8 MAX.55 NOM.5 BSC EXPOSED PAD 图 8. 8 引脚引线框芯片级封装 [LFCSP_WD] 3 mm x 3 mm, 超薄体, 双列引脚 (CP-8-5) 图示尺寸单位 :mm MIN BOTTOM VIEW PIN INDICATOR (R.).5 MAX FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO. NOM THE PIN CONFIGURATION AND COPLANARITY FUNCTION DESCRIPTIONS.8 SECTION OF THIS DATA SHEET.. REF COMPLIANT TOJEDEC STANDARDS MO-9-WEED B SEATING PLANE.7 BSC TOP VIEW REF MAX.5 NOM COPLANARITY BOTTOM VIEW COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS--AA 图 8. 8 引脚标准小型封装, 带裸露焊盘 [SOIC_N_EP] 窄体 (RD-8-) 图示尺寸单位 :mm 45.4 REF FOR PROPER CONNECTION OF THE EXPOSED PAD, REFER TO THE PIN CONFIGURATION AND FUNCTION DESCRIPTIONS SECTION OF THIS DATA SHEET B Rev. Page 5 of 8

26 ADP75 订购指南 型号 温度范围 输出电压 (V) 封装描述 封装选项 标识 ADP75ACPZ-.8-R7 4 C 至 +5 C.8 8 引脚 LFCSP_WD CP-8-5 LNS ADP75ACPZ-3.3-R7 4 C 至 +5 C 引脚 LFCSP_WD CP-8-5 LNT ADP75ACPZ-5.-R7 4 C 至 +5 C 5 8 引脚 LFCSP_WD CP-8-5 LNU ADP75ACPZ-R 4 C 至 +5 C 可调 8 引脚 LFCSP_WD CP-8-5 LNV ADP75ACPZ-R7 4 C 至 +5 C 可调 8 引脚 LFCSP_WD CP-8-5 LNV ADP75ARDZ-.8 4 C 至 +5 C.8 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ-.8-R7 4 C 至 +5 C.8 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ C 至 +5 C 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ-3.3-R7 4 C 至 +5 C 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ-5. 4 C 至 +5 C 5 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ-5.-R7 4 C 至 +5 C 5 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ 4 C 至 +5 C 可调 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- ADP75ARDZ-R7 4 C 至 +5 C 可调 8 引脚 SOIC_N_EP RD-8- Z = 符合 RoHS 标准的器件 Rev. Page 6 of 8

27 ADP75 注释 Rev. Page 7 of 8

28 ADP75 注释 3 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D64sc--7/3() Rev. Page 8 of 8

<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>

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