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泯明储
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1 是适用于 WLAN b/g/n 和 Bluetooth 系统的全集成前端模块 (Front-End Module, FEM) RF 模块包括一个功率放大器 (Power Amplifier, PA) 一个低噪声放大器 (Low Noise Amplifier, LNA) 和一个天线开关, 是需要小尺寸和高性能的 WLAN/BT 嵌入式应用的理想选择专为 IEEE b/g/n 应用所设计, 基于 GaAs PHEMT/HBT 技术, 其工作频率范围为 2.4 至 2.5 GHz, 直流电流消耗极低发送器链路具有良好的线性度, 对于输出功率最高为 19 dbm 的 54 Mbps g 操作, 增加的 EVM 通常为 3%, 同时满足 22 dbm 时的 b 频谱模板接收器链路提供一个低噪声放大器, 并允许 WLAN 和蓝牙同时工作提供 20 触点 UQFN 封装特性输入 / 输出端口内部匹配 50Ω 且直流去耦可用封装 20 触点 UQFN 3 mm x 3 mm x 0.55 mm 所有无铅器件均符合 RoHS 标准发送器链路高增益对于发送器, 在 -20 C 至 +85 C 的温度范围内, 从 2.4 GHz 到 2.5 GHz 的增益典型值为 28 db 高线性输出功率功率高达 21 dbm 的时候仍满足 g OFDM ACPR 的要求对于功率最高为 19 dbm 的 54 Mbps g 信号, 增加的 EVM 为 3% 功率高达 22 dbm 的时候仍满足 b ACPR 的要求高功率附加效率 / 低工作电流, 适合 b/g/n 应用对于 b/g 应用, P OUT = 22 dbm 时约为 25% 低 I REF 上电 / 掉电控制 I REF <2 ma 低静态电流 I CQ 约 55 ma 高速上电 / 掉电开启 / 关断时间 (10%- 90%) <100 ns 上电 / 掉电延时 ( 含驱动器延时 ) 典型值 <200 ns 低关断电流 ( 约 2 µa) 随温度变化有限 -20 C 至 +85 C 之间的功率变化约为 1 db -20 C 至 +85 C 之间的增益变化约为 2 db 对温度和负载不敏感的片上功率检测器动态范围大于 20 db 且温度稳定的片上功率检测接收器链路 LNA 开启增益典型值为 12 db 3.1 db 噪声系数 >5 db P1dB 蓝牙路径损耗典型值为 2.5 db BT/WLAN 同时接收模式 : 8 db 增益 3.1 db 噪声系数应用 WLAN(IEEE b/g/n) 家用 RF 无绳电话 2.4 GHz ISM 无线设备 Zigbee Bluetooth

2 产品描述是专为 IEEE b/g/n 应用设计的 2.4 GHz 前端模块 (FEM) 它结合了高性能功率放大器 (PA) 低噪声放大器和天线开关该单极三向天线开关提供了 WLAN 发送和接收功能以及 Bluetooth 连接接收路径还允许 WLAN 和蓝牙同时工作 TX 链路包含一个基于 InGaP/GaAs HBT 技术的高效率 PA 此链路可提供典型值为 28 db 的增益, 对于 g 和 b 操作,POUT = 22 dbm 时功率附加效率 (power-added efficiency,pae) 为 25% 该 TX 链路具有良好的线性度, 对于输出功率最高为 19 dbm 的 54 Mbps g 操作, 增加的 EVM 通常为 3%, 同时满足 22 dbm 时的 g 频谱模板还具有简单的电路板级用法以及高速上电 / 掉电控制超低参考电流 ( 总 I REF 约 2 ma) 使可直接由基带芯片控制这些特性再加上低工作电流, 使得非常适合于电池供电的 b/g/n WLAN 发送器应用中末级的功率放大发送器具有线性片上单端功率检测器, 该检测器温度稳定, 对负载不敏感, 且线性动态范围大于 20 db 优异的片上功率检测器为电路板级功率控制提供可靠的解决方案此外, 接收器路径还包括 LNA, 并具有允许 WLAN 和蓝牙同时工作的选项, 以及可选的低损耗 LNA 旁路路径在 WLAN 工作模式下, 该接收器提供了典型值为 12 db 的增益和仅 3.1 db 的噪声系数, 并且大于 5 db P1dB WLAN/BT 同时工作时, 该接收器将同时为 WLAN 和蓝牙端口提供 8 db 的增益和 3.1 db 的噪声系数所有输入 / 输出 RF 端口均为单端隔离直流且内部匹配 50Ω 无需外部隔直电容或匹配元件这有助于降低系统电路板的物料 (Bill of Materials, BOM) 成本提供 20 触点 UQFN 封装关于引脚分配, 请参见图 2 ; 关于引脚说明, 请参见表 1 2

3 功能模块 VCC2 LEN PEN VCC1 DET DNC 1 15 DNC SRX 2 14 TX DNC 3 13 GND STX 4 12 RX SREF 5 11 BT ANT SBT SBTR CND VCC B1.1 图 1: 功能框图 3

4 引脚分配 VCC2 LEN PEN VCC1 DET DNC 1 15 DNC SRX 2 3x3 UQFN 14 TX DNC 3 13 GND STX 4 12 RX SREF 5 11 BT ANT SBT SBTR CND VCC P1.0 图 2: 20 触点 UQFN 的引脚分配 4

5 引脚说明表 1: 引脚说明符号引脚编号引脚名称类型 1 功能 DNC 1 不要连接不要连接此引脚 SRX 2 WLAN 接收天线开关控制 DNC 3 不要连接不要连接此引脚 STX 4 STX WLAN 发送天线开关控制 SREF 5 C REF 控制引脚参考高电平输入 ANT 6 天线 I/O 天线端口, 交流耦合 SBT 7 SBT BT 天线开关控制 SBTR 8 SBTR BT/RX 同时工作的开关控制 GND 9 地接地引脚 VCC3 10 V CC3 PWR LNA 电源 BT 11 BT 端口, 交流耦合 RX 12 R X I WLAN 接收端口, 交流耦合 GND 13 地接地引脚 TX 14 T X O WLAN 发送端口, 交流耦合 DNC 15 不要连接不要连接此引脚 DET 16 WLAN 发送功率检测器 VCC1 17 V CC1 WLAN 功率放大器电源 #1 PEN 18 WLAN PA 使能 LEN 19 LNA 使能 VCC2 20 V CC2 PWR WLAN 功率放大器电源 #2 Center GND 地接地引脚 1. I = 输入, O = 输出 T

6 电气规范下文指定了功率放大器的直流和 RF 规范关于直流电压和电流规范, 请参见表 3 关于 RF 性能, 请参见图 3 至图 9 绝对最大极限参数 ( 如果器件工作条件超过下述绝对最大极限参数, 可能会对器件造成永久性损坏这仅是极限参数, 我们不建议器件工作在极限值甚至超过下述极限值工作于绝对最大极限参数条件下时, 器件可靠性可能会受到影响 ) 引脚 3 的输入功率 (P IN ) dbm 引脚 11 的平均输出功率 (P OUT ) dbm 引脚 6 和 9 的电源电压 (V CC ) V 至 +4.2V 引脚 4 的参考电压 (V REF ) V 至 +3.3V 直流电源电流 (I CC ) ma 工作温度 (T A ) C 至 +85 C 存储温度 (T STG ) C 至 +120 C 最大结温 (T J ) C 表面贴装回流焊温度 C (10 秒 ) 1. 切勿使用 CW 源进行测量建议使用占空比小于 50% 的单频脉冲源超出平均输出功率的最大额定值可能会导致器件永久损坏 2. 在 100% 占空比的 54 Mbps g OFDM 信号下测量表 2: 工作范围范围环境温度 V CC 扩展级 -20 至 V 表 3: 直流电气特性符号参数最小值典型值最大值单位 V CC 引脚 6 和 9 上的 TX 电源电压 V I CQ 对于 g 应用, 满足 19 dbm 时 EVM 约为 3% 的 TX 空闲 55 ma 电流 V REG TX 参考电压 V PEN PA 使能 ; PA 关闭 2.0 V I CC TX 电源电流对于 11g OFDM 54 Mbp 信号, P OUT = 22 dbm 175 ma 对于 11b DSSS 1 Mbp 信号, P OUT = 22 dbm 185 ma V DD 引脚 10 的 LNA 电源电压 V I DD LNA 电源电流 15 ma V CNTL 控制电压逻辑高电平 SRX STX SBT 和 LEN V CC V 控制电压逻辑低电平 V T

7 表 4: TX 链路 WLAN RF 特性符号参数最小值典型值最大值单位测试条件 F L-U 频率范围 MHz G 小信号增益 db TX 和 PA 开启 G VAR1 频带 ( MHz) 内的增益变化 ±0.5 db TX 和 PA 开启 G VAR2 频道 (20 MHz) 间的增益纹波 0.2 db TX 和 PA 开启 P OUT 输出功率满足 11g OFDM 6 Mbps 频谱模板 dbm TX 和 PA 开启增加的 EVM 输出功率满足 11b DSSS 1 Mbps 频谱模板 dbm TX 和 PA 开启对于输出功率为 19 dbm 的 11g OFDM 3 % TX 和 PA 开启 54 Mbps 信号 2f 3f 4f 和 5f 22 dbm 时的谐波, 无外部滤波器 -35 dbc TX 和 PA 开启 ISO1 隔离 (TX 与 RX) -12 db TX 和 PA 开启 ISO2 隔离 (TX 与 BT) -10 db TX 和 PA 开启 ISO3 隔离 (RX 与 TX) -30 db TX 和 PA 开启 ISO4 隔离 (BT 与 TX) -50 db TX 和 PA 开启 T 表 5: RX 链路 WLAN RF 特性符号参数最小值典型值最大值单位测试条件 F L-U 频率范围 MHz G ON LNA 开启时的增益 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 P1dB 接收器 1 db 压缩 5 dbm LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 G ONS LNA 开启且 BT 同时工作时的增益 7 8 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT= 低电平 IL S LNA 同时旁路到 BT 和 RX 时的插入损耗 4.8 db SBT=SBTR= 高电平 PEN=STX=SRX=LEN= 低电平 NF ON LNA 开启时的噪声系数 3.1 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 NF ONS LNA 开启且 BT 同时工作时的噪声系数 3.1 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT= 低电平 I DD LNA 开启时的接收器电源 15 ma LEN= 高电平电流 ISO BT-RX 隔离 BT 与 RX 17 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 ISO BT-RX TX 开启时隔离 TX 与 RX 25 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 RL ANT LNA 开启时天线的接收器输入回波损耗 12 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 RL RX 仅 WLAN 工作时的接收器输出回波损耗 12 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT=SBTR= 低电平 RX RXS WLAN/BT 同时工作时的接收器输出回波损耗 10 db LEN=SRX= 高电平 PEN=STX=SBT= 低电平 T

8 表 6: 蓝牙链路 RF 特性符号参数最小值典型值最大值单位测试条件 F L-U 频率范围 MHz IL 损耗 :BT 天线 2.5 db SBT= 高电平 LEN=PEN=STX=SRX=SBTR= 低电平 G ONS LNA 开启且 BT 同时工作时的增益 7 8 db LEN=SRX=SBTR= 高电平 PEN=STX=SBT= 低电平 NF ONS LNA 开启且 BT 同时工作时的噪声系数 3.1 db LEN=SRX=SBTR= 高电平 PEN=STX=SBT= 低电平 RL ANT LNA 开启时天线的接收器输入回波损耗 12 db SBT= 高电平 PEN=STX=SBTR=LEN=SRX= 低电平 BT RX 接收器输出回波损耗 12 db SBT= 高电平 PEN=STX=SBTR=LEN=SRX= 低电平 RX RXS WLAN/BT 同时工作时的接收器输出回波损耗 8 db SBT=SBTR= 高电平 PEN=STX=LEN=SRX= 低电平 T 表 7: 开关控制逻辑模式 STX SRX SBT SBTR PEN LEN 全部关闭 ( 不支持 ) L L L L L L 蓝牙开启 L L H L L H WLAN TX 开启 H L L L H L WLAN RX 开启 L H L L L H WLAN/BT RX 同时开启 L H L H L H T

9 典型 WLAN 发送器性能特性测试条件 : 除非另外说明, 否则 V CC = 3.3V, PEN=2.80V, STX= 高电平, SRX=SBT=SBTR= 低电平, T A = 25 C S11 versus Frequency S12 versus Frequency S11 (db) Frequency (GHz) S12 (db) Frequency (GHz) 40 S21 versus Frequency 0 S22 versus Frequency S21 (db) S22 (db) Frequency (GHz) Frequency (GHz) S-Parms.1.0 图 3: WLAN 发送器的 S 参数曲线 9

10 典型 WLAN 发送器性能特性测试条件 :V CC = 3.3V, PEN=2.80V, STX= 高电平, SRX=SBT=SBTR= 低电平, T A = 25 C, 54 Mbps g OFDM 信号使用频道估计序列和数据的均衡器训练设置 EVM versus Output Power Freq=2.412 GHz Freq=2.442 GHz Freq=2.472 GHz EVM (%) Output Power (dbm) 图 4: g OFDM 54 Mbps 的 WLAN Tx EVM 曲线 10

11 Gain versus Output Power Freq=2.412 GHz Freq=2.442 GHz Freq=2.472 GHz Gain (db) 图 5: Output Power (dbm) g OFDM 54 Mbps 的 WLAN Tx 增益曲线 F8.0 Supply Current versus Output Power Supply Current (ma) Freq=2.412 GHz Freq=2.442 GHz Freq=2.472 GHz Output Power (dbm) F6.0 图 6: g OFDM 54 Mbps 的 WLAN Tx 电源电流曲线 11

12 Detector Voltage versus Output Power 1.20 Detector Voltage (V) Freq=2.412 GHz Freq=2.442 GHz Freq=2.472 GHz Output Power (dbm) F7.0 图 7: g OFDM 54 Mbps 的 WLAN Tx 检测器电压曲线 12

13 典型 WLAN 接收器性能特性测试条件 : 除非另外说明, 否则 V DD = 3.3V, SRX=LEN= 高电平, STX=SBT=SBTR= 低电平, T A = 25 C S11 versus Frequency S12 versus Frequency S11 (db) Frequency (GHz) S12 (db) Frequency (GHz) 40 S21 versus Frequency 0 S22 versus Frequency S21 (db) S22 (db) Frequency (GHz) Frequency (GHz) S-Parms.2.0 图 8: WLAN 接收器增益曲线 13

14 Noise Figure versus Frequency Noise Figure (db) 图 9: WLAN Rx 噪声系数曲线 Frequency (GHz) F

15 VCC 4.7 µf 3.6 nh LEN PEN DET CRX Ω TX 3 12LF03 13 CTX Ω RX CREF Ω BT ANT 50Ω CBTB CBTR VCC Schematic 1.0 图 10: 高效率 b/g/n 应用的典型原理图 15

16 产品订购信息 SST 12 LF 03 - Q3DE XX XX XX - XXXX 环保特性 E 1 = 无铅触点 ( 引脚 ) 加工封装说明符 D = 20 触点封装类型 Q3 = UQFN 产品系列标识符产品类型 F = 前端模块电压 L = V 工作频率 2 = 2.4 GHz 产品线 1 = RF 产品 1. 环保后缀 E 代表无铅锡焊 SST 无铅锡焊器件均符合 RoHS 标准的有效组合 -Q3DE 评估工具包 -Q3DE-K 注 : 有效组合是已量产或即将投入量产的产品要确认有效组合的供应情况, 以及确认新组合的供应情况, 请咨询您的 SST 销售代表 16

17 封装图 TOP VIEW SIDE VIEW BOTTOM VIEW 0.15 See notes 2 and 3 Pin #1 (Engraved Indicator) 3.00 ± Pin #1 0.4 BSC ± Max mm Note: 1. Complies with JEDEC JEP95 MO-248E, variant UEEE except external paddle nominal dimensions, shape of terminals at the body edge and shape of inboard terminals near the corners. 2. From the bottom view, the pin #1 indicator may be either a 45-degree chamfer or a half-circle notch. 3. The external paddle is electrically connected to the die back-side and to V SS. This paddle must be soldered to the PC board; it is required to connect this paddle to the V SS of the unit. Connection of this paddle to any other voltage potential will result in shorts and electrical malfunction of the device. 4. Untoleranced dimensions are nominal target dimensions. 5. All linear dimensions are in millimeters (max/min). 20-uqfn-3x3-Q3D-1.0 图 11: 20 触点超薄型正方扁平无引脚封装 (UQFN) SST 封装代码 :Q3D 17

18 表 8: 版本历史版本说明日期 A 的初始版本 2011 年 6 月 B 特性和产品描述多处更新更新了第 3 页上的图 1 第 4 页上的图 2 和第 5 页上的表 1 中的引脚名称修改了第 6 页上的表 3 第 7 页上的表 5 第 8 页上的表 6 和第 8 页上的表 7 中的值对第 16 页上的产品订购信息进行了少量修改 2011 年 9 月 ISBN: Silicon Storage Technology, Inc. (Microchip Technology Inc. 的子公司 ) 版权所有 SST Silicon Storage Technology SST 徽标 SuperFlash MTP 和 FlashFlex 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的注册商标 MPF SQI Serial Quad I/O 和 Z-Scale 均为 Silicon Storage Technology, Inc. 的商标在此提及的所有其他商标和注册商标均为各持有公司所有规范值可能发生变更, 恕不另行通知关于最新文档, 请访问最新封装图请至查看封装规范存储器容量表示原始存储容量, 实际可用容量可能会少一些除非在标准销售条款与条件中明确包含, 否则 SST 不对其产品的使用做出任何担保关于销售办事处的地点和信息, 请访问 Silicon Storage Technology, Inc. A Microchip Technology Company 18

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Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR