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泺牛糜
7 years ago
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1 图书描述出版日期 2016 年 4 月 22 日教材名称 2017 天津大学半导体物理考研复习精编全程备考首选精品编著研途宝开本大 16 开字数 146 千字页数 234 页购买网址天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

2 2017 天津大学半导体物理考研复习精编编写说明复习精编是研途宝精品考研专业课系列辅导材料中的核心产品本书严格依据学校官方最新指定参考书目, 并结合考研的精华笔记题库和内部考研资讯进行编写, 是研途宝老师的倾力之作通过本书, 考生可以更好地把握复习的深度广度, 核心考点的联系区分, 知识体系的重点难点, 解题技巧的要点运用, 从而高效复习夺取高分主要内容考试分析解析考题难度考试题型章节考点分布以及最新试题, 做出考试展望等 ; 复习之初即可对专业课有深度把握和宏观了解复习提示揭示各章节复习要点总结各章节常见考查题型提示各章节复习重难点与方法知识框架图构建章节主要考点框架梳理全章主体内容与结构, 可达到高屋建瓴和提纲挈领的作用核心考点解析去繁取精高度浓缩初试参考书目各章节核心考点要点并进行详细展开解析以星级多寡标注知识点重次要程度便于高效复习往年真题与答案解析反复研究近年真题, 洞悉考试出题难度和题型 ; 了解常考章节与重次要章节, 有效指明复习方向主要特色复习精编具有以下特点: (1) 立足教材, 夯实基础以指定教材为依据, 全面梳理知识, 注意知识结构的重组与概括让考生对基本概念基本定理等学科基础知识有全面扎实系统的理解把握 (2) 注重联系, 强化记忆复习指南分析各章节在考试中的地位和作用, 并将各章节的知识体系框架化网络化, 帮助考生构建学科知识网络, 串联零散的知识点, 更好地实现对知识的存储, 提取和应用 (3) 深入研究, 洞悉规律深入考研专业课考试命题思路, 破解考研密码, 为考生点拨答题技巧 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

3 使用说明 1 全面了解, 宏观把握备考初期, 考生需要对复习精编中的考前必知列出的历年报录情况等考研信息进行全面了解, 合理估量自身水平, 结合自身研究兴趣, 科学选择适合自己的研究方向, 为考研增加胜算 2 稳扎稳打, 夯实基础基础阶段, 考生应借助复习精编中的考试分析初步了解考试难度考试题型考点分布, 并通过最新年份的试题分析以及考试展望初步明确考研命题变化的趋势 ; 通过认真研读复习指南核心考点解析等初步形成基础知识体系, 并通过做习题来进一步熟悉和巩固知识点, 达到夯实基础的目的做好充分的知识准备, 过好基础关 3 强化复习, 抓住重点强化阶段, 考生应重点利用复习精编中的复习指南 ( 复习提示和知识点框架图 ) 来梳理章节框架体系, 强化背诵记忆 ; 研读各章节的核心考点解析, 既要纵向把握知识点, 更应横向对比知识点, 做到灵活运用高效准确 4 查缺补漏, 以防万一冲刺阶段, 考生要通过巩固复习精编中的核心考点解析, 并参阅备考方略, 有效把握专业课历年出题方向常考章节和重点章节, 做到主次分明有所侧重地复习, 并加强应试技巧 5 临考前夕, 加深记忆临考前夕, 应重点记忆核心考点解析中的五星级考点浏览知识点框架图, 避免考试时因紧张等心理问题而出现遗忘的现象, 做到胸有成竹走向考场考生体悟考生 A: 考研不像高考, 有老师为我们导航, 为我们答疑解惑, 考研是一个人的战役, 有一本好的教辅做武器, 胜算便多了几分研途宝版复习精编对知识点的归纳讲解还是很不错的, 配合着教材复习, 少了几分盲目考生 B: 我是外校跨考微电子学与固体电子学专业的考生, 天津大学是名校, 指定的参考书目又和我本科使用的教材不同, 研途宝版复习精编给了我莫大的支持, 它对指定教材分析得很透彻, 为我节省了很多复习时间考生 C: 本科院校和所学专业都不是我理想的, 所以我信誓旦旦准备考研, 跨考的压力很大, 我又是不大善于总结归纳和分析的人, 研途宝出品的教辅给我吃了一颗小小的定心丸, 有对教材的讲解, 更有对真题的详细解析, 以及对出题规律的把握, 相信我一定能考好! 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

4 目录 Ⅰ 序言 Ⅱ 考前必知一历年报录情况二学费与奖学金 Ⅲ 复习方略 Ⅳ 考试分析一考试难度二考试题型三考点分布四试题分析五考试展望 Ⅴ 复习指南 Ⅵ 核心考点解析半导体物理学第一章半导体中的电子状态第二章半导体中的杂质和缺陷能级第三章半导体中载流子的统计分布第四章半导体的导电性第五章非平衡载流子第六章 pn 结第七章金属和半导体的接触第八章半导体表面与 MIS 结构第九章半导体异质结构第十章半导体的光学特性和光电与发光现象第十一章半导体的热电性质第十二章半导体磁和压阻效应 Ⅶ 往年真题试卷与答案解析往年考研真题试卷天津大学 2007 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题天津大学 2008 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题天津大学 2009 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

5 天津大学 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题天津大学 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题往年考研真题试卷答案解析天津大学 2007 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析天津大学 2008 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析天津大学 2009 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析天津大学 2010 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析天津大学 2011 年招收攻读硕士学位研究生入学考试试题答案解析 Ⅷ 专业课教辅 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

6 Ⅴ 复习指南半导体物理学第四章半导体的导电性一本章复习提示本章主要阐述了载流子在外加电场作用下的漂移运动, 讨论了半导体的迁移率电导率电阻率随着温度和杂质浓度的变化规律为了了解迁移率的实质, 着重讨论一个重要概念载流子的散射概念在历年的考题中, 本章考题多以简答题和名词解释题出现, 且考试出题频繁较高考生要加以重视, 全面掌握所有的考点复习上, 建议考生首先全面掌握这章节的知识点, 理清他们的脉络, 了解他们的关联性, 对其中的重点考点应该尤其注意, 这是最容易考查也是最核心的考点二本章知识框架图半导体的导电性 1. 欧姆定律载流子的漂移运动和迁移率 2. 漂移速度和迁移率 3. 半导体的电导率和迁移率 1. 电离杂质散射载流子的散射 2. 晶格振动散射 3. 其他因素引起的散射迁移率和杂质浓度和温度的关系电阻率及其与杂质浓度和温度的关系强电场下的效应热载流子体内负微分电导 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

7 Ⅵ 核心考点解析半导体物理学第四章半导体的导电性一载流子的漂移运动和迁移率 1. 欧姆定律在半导体中, 常遇到电流分布不均匀的情况, 即流过不同截面的电流强度不相等所以, 通常用电流密度来描述半导体中的电流电流密度是指通过垂直于电流方向的单位面积的电流, 根据熟知的欧姆定律可以得到电流密度它把通过半导体中某一点的电流密度和该处的电导率及电场强度直接联系起来, 称为欧姆定律的微分形式 J = σε 表示通过导体中某一点的电流密度和该出的电导率及电场强度直接联系起来, 称为欧姆定律的微分形式 2. 漂移速度和迁移率有外加电压时, 导体内部的自由电子受到电场力的作用, 沿着电场的反方向作定向运动构成电流电子在电场力的作用下的这种运动称为漂移运动定向运动的速度称为漂移速度以 v d 表示电子的平均漂移速度设在导体内任作一截面 A, 电流强度是一秒钟内通过截面 A 的电量在 A 面右方, 距 A 面为 v 1处做一 O 面, 则 OA 截面间的电子, 在一秒钟内均能通过 A 面设 n 为电子 d 浓度, 则 OA 间的电子数为 nv d 1 s, 乘以电子电量即为电流强度, 所以 I = nqvd 1 s 得到 J = nqv d, 由于平均漂移速度的大小与电场强度成正比, 可以写成 = µε 其 v 中 µ 称为电子的迁移率, 表示单位场强下电子的平均漂移速度由于 = 得到 J = nqµε 对比得 σ = nqµ, 为电导率和迁移率间的关系 µ d 3. 半导体的电导率和迁移率半导体中的电流是电子电流和空穴电流的总和 : 一块均匀半导体, 两端加以电压, 在半导体内部就形成电场因为电子带负电, 空穴带正电, 所以两者漂移运动的方向不同, 电子反电场方向漂移, 空穴沿电场方向漂移但是, 形成的电流都是沿着电场方向因而, 半导体中的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和电子迁移率比空穴迁移率大 : 迁移率数值大小可表示载流子在电场作用下运动的难易程 ε v d 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

8 度, 导电的电子是在导带中, 它们是脱离了共价键可以在半导体中自由运动的电子 ; 而导电的空穴是在禁带中, 空穴电流实际上是代表了共价键上的电子在价键间运动时所产生的电流显然, 在相同的电场作用下, 两者的平均漂移速度不会相同, 而且, 导带电子平均漂移速度要大些, 就是说, 电子迁移率与空穴迁移率不相等, 前者要大些一块均匀半导体, 两端加一电压, 在半导体内部就形成电场因为电子带负电, 空穴带正电, 所以两者漂移运动的方向不同, 电子反电场方向漂移, 空穴沿电场方向漂移但是形成的电流是沿电场方向的, 因此, 半导体的导电作用应该是电子导电和空穴导电的总和导电的电子在导带中, 他们是脱离了共价键可以在半导体中自由运动的电子 ; 而导电的空穴是在价带中, 空穴电流实际上是代表了共价键上的电子在价键间运动时所产生的电流, 显然, 在相同电场的作用下, 两者的平均漂移速度不会相同, 而且导带电子平均漂移速度要大些, 这就是说, 电子迁移率和空穴迁移率不相等前者要大些以空穴的迁移率 ; J, 总电流密度 J 应为 n J p 分别代表电子和分别代表电子和空穴电流密度 ;n 和 p 分别代表电子和空穴浓度, 则 J = J + J = nqµ + pqµ ) ε, ε n p ( n p µ n, µ p 在电场强度不太大时,J 和仍满足欧姆定律式, 得到半导体的电导率为 σ = nq µ + pqµ n p σ 对于 n 型半导体, n >> p, 空穴对电流的贡献可以忽略, 电导率为 σ = nqµ 对于 p 型半导体, p >> n, 电导率为 σ = pqµ p 对于本证半导体, n = p =, 电导率为 σ = n q µ + µ ) n i ( n p 例题 1:Si N D =10 15 cm -3,N A =4*10 14, 室温, ρ i =2.2*10 5 ω.cm, μ n =1350 cm 2 /(v.s), μ p =500 cm -1, 忽略硅杂质浓度对 μ 影响, 求掺杂晶体的电导率答案解析 : 电子浓度 n N = *10 14 cm -3 0 = D N A = 6 10 i i 14 n 则空穴浓度为 p = ni / n0 = ( ) / = cm 3 掺杂晶体的电导率为 σ = 0 qµ n + p0 n qµ p 由于 p 0 << n 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

9 所以 σ 0 = n qµ 带值计算即可得到掺杂晶体的电导率 n 二载流子散射 1. 载流子散射的概念载流子在半导体中运动时, 便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用, 或者说发生碰撞, 碰撞后载流子速度的大小及方向就发生了改变, 用波的概念, 就是说电子波在半导体中传播时遭到了散射所以载流子在运动时, 由于晶格热振动或者电离杂质以及其他因素的影响, 不断的遭到散射, 载流子的速度的大小和方向不断的改变着载流子无规则的热运动也正是由于它们不断遭到散射的结果所谓自由载流子, 实际上只是在两次散射之间才真正是自由运动的, 其连续两次散射间的自由运动的自由路程称为平均自由程, 而平均时间称为平均自由时间当有外电场作用时, 载流子存在着两种相互矛盾的两种运动一方面载流子受到了电场力的作用, 沿电场方向 ( 空穴 ) 或者反电场方向 ( 电子 ) 定向运动 ; 另一方面, 载流子仍不断地遭到散射, 使得载流子的运动方向不断改变这样, 由于电场作用获得的漂移速度, 便会不断地散射到各个方向上去, 使得漂移速度不能无限的积累起来, 载流子在电场力作用下的加速运动, 也只有在两次散射间才存在, 经过散射后, 他们又失去了获得的附加速度从而, 在外力和散射的双重作用下, 使得载流子以一定的平均速度沿力的方向漂移, 这个平均速度才是上面所说的恒定的平均漂移速度载流子在外电场作用下的实际轨迹应该是热运动和漂移运动的叠加更多精彩内容, 详见 2017 天津大学半导体物理考研复习精编 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

10 Ⅶ 往年真题试卷与答案解析往年考研真题试卷天津大学招收 2007 年硕士学位研究生入学考试试题考试科目名称 : 半导体物理或电介质物理考试科目代码 :813 答题说明 : 所有答案必须写在答题纸上, 并写清楚题号, 写在试题上无效一名词解释 1. 导带 2. 价带 3. 有效质量 4. 空穴 5. 热载流子 6. 非平衡载流子二晶格常数为 0.25nm 的一维晶格, 当外加 10 计算电子自能带底运动到能带顶所有的时间 2 7 V / m,10 V / m 的电场时, 分别三解释理想半导体和非理想半导体的区别四第八章 Q-V,C-V 曲线五解释 ρ 随 T 的变化曲线六证明爱因斯坦关系式七 pn 结电流电压特性八解释海恩斯 - 肖克来实验原理九合金结和扩散结形成突变结和缓变结原理 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

11 十证明平衡时的 pn 结空间区 E F 为常数十一肖特基二极管的工作原理及应用十二画出异质结能带图 ( 尖峰 ) 十三应变异质结的概念十四直接跃迁间接跃迁概念, 并以 Si 和 GaAs 能带图为例说明哪种材料更适合做光探测材料十五解释太阳能电池原理十六霍尔效应原理及应用 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

12 往年考研真题试卷答案解析天津大学招收 2007 年硕士学位研究生入学考试试题答案解析考试科目名称 : 半导体物理或电介质物理考试科目代码 :813 答题说明 : 所有答案必须写在答题纸上, 并写清楚题号, 写在试题上无效一名词解释 1. 导带考查重点 : 本题考查考生对导带概念的理解及掌握, 这是第一章半导体中电子状态中的半导体的考点, 考查频率适当, 考生应该加以理解记忆答案解析 : 对于被电子部分占满的能带, 在外电场的作用下, 电子可从外电场中吸收能量跃迁到未被电子占据的能级去, 形成电流, 起导电作用, 常称这种能带为导带 2. 价带考查重点 : 本题考查考生对价带概念的理解及掌握, 这是第一章半导体中电子状态中的半导体的考点, 考查频率适当, 考生应该加以理解记忆答案解析 : 被价电子占满的满带对于满带, 其中的能级已经被电子所占满, 在外电场的作用下, 满带中的电子并不形成电流, 对导电没有贡献 3. 有效质量考查重点 : 本题考查考生对电子有效质量相关性知识的掌握, 这是第一章半导体中电子状态中的半导体的考点, 考查相当频繁, 考生应该加以理解记忆答案解析 : 2 = 2 d E h / dk * mn 2, 与能量函数对 k 的二次微分成反比半导体中的电子在外力作用下, 描述电子运动规律的方程中出现的是有效质量, 而不是电子的惯性质量 m 这是因为 mn 0 外力 f 并不是电子受力的总和, 他也要受到半导体内部电子以及其他电子的势场作用当电子在外力作用下时, 它一方面受到外电场力 f 的作用, 同时还受到半导体内部原子, 电子相互作用者, 电子的加速度应该是半导体内部势场与外加势场作用的共同结果但是要找到内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难, 引入有效质量就可以使问题变得简单, 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

13 直接把外力 f 和电子的加速度结合起来, 而内部势场的作用则由有效质量加以概括因此, 引入有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用, 使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时, 可以不涉及半导体内部势场的作用特别是可以直接实验测定, 因而可以很方便的解决电子的运动规律 4. 空穴考查重点 : 本题考查考生对空穴效应概念的理解与掌握, 这是第一章中的考点, 考查频率频繁, 考生应该加以重点掌握答案解析 : 把价带中空着的状态看成是带正电的粒子, 称为空穴引入空穴概念后, 就可以把价带中大量电子对电流的贡献用少数的空穴表达出来 5. 热载流子考查重点 : 本题考查考生对热载流子概念的理解, 这是第四章半导体的导电性中强电场效应与热载流的考点, 考生应该加以理解记忆答案解析 : 在没有外加电场情况下, 载流子和晶格散射时, 强吸收声子或发射声子与晶格交换动量和能量, 交换的净能量为零载流子的平均能量与晶格的相同, 两者处于热平衡状态有电场存在时, 载流子从电场中获得能量, 随后又以发射声子的形式将能量传给晶格, 这时, 平均的说, 载流子发射的声子数多于吸收的声子数到达稳定状态时, 单位时间载流子从电场中获得的能量同给予晶格的能量相同但是, 在强电场情况下, 载流子从电场中获得的能量很多, 载流子的平均能量比热平衡状态时的大, 因而载流子和晶格系统不再处于热平衡状态温度是平均动能的量度, 既然载流子的能量大于晶格系统的能量, 人们便引进载流子的有效温度为热载流子 T C m n 来描述语晶格系统不处于热平衡状态的载流子, 并称这种状态的载流子余下答案详解, 请看 2017 天津大学半导体物理考研复习精编 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

14 Ⅷ 专业课教辅专业课考研复习可分为预备阶段基础阶段强化阶段冲刺阶段模考阶段复试阶段, 我们应学会在每个阶段高效合理利用复习资料一教辅简介 1 复习精编 (1) 复习方略 : 实战经验, 高屋建瓴 (2) 考前必知 : 考研常识, 一览无余 (3) 考试分析 : 题型分析, 考点分布 (4) 复习指南 : 宏观指导, 提纲挈领 (5) 核心考点解析 : 考点详解, 星级重点 (6) 考研真题与答案解析 : 研读深究, 实战演练 2 冲刺宝典 (1) 高分冲刺复习指南 : 冲刺策略制定考前心态调整答题策略研究 (2) 历年考题风格与解法剖析 : 剖析考题风格, 洞悉考试规律, 提升解题技巧 (3) 考点考题分析与预测 : 把握命题走向, 分析往年考题, 预测考点考题 (4) 近年试题分析与展望 : 往年试题分析, 预测考试方向, 当年考试展望 3 模拟五套卷 (1) 模拟试卷 : 遵循近年考试风格真题题型考查范围命题趋势等进行模拟汇编 (2) 答案解析 : 对具体题目配有答案解析, 内容详实准确, 重点突出 4 历年真题及答案解析 (1) 真题试卷 : 往年真题试卷, 每个考生必备的重点复习材料之一 (2) 答案解析 : 提炼试题考点命题角度并点拨答题要领, 全面详细分析试题 5 复试一本通 (1) 复试流程 : 了解复试各环节, 打好考研最后一仗 (2) 复试真题与经验谈 : 专业课复试题型部分真题题目, 高分经验谈 (3) 复试高分攻略 : 专业课笔试面试高分攻略, 复试英语高分攻略 (4) 导师论文与联系方式 : 归类汇总主要老师的论文和课题及联系方式 (5) 复试注意事项 : 面试中常见的注意事项和复试细节 6 其他精品 (1) 核心考点解析 : 提炼浓缩指定教材各章节核心要点并详细解析 (2) 名校真题汇编 :20 余所知名高校专业课真题题目汇编 (3) 课后习题精选 : 指定参考书目的课后习题精选 (4) 题库精粹 : 专业课经典题目答案详解 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

15 二使用说明预备阶段 : 复习精编通过全面了解复习精编中的考前必知列出的考研信息, 科学选择适合自己的专业 ; 参阅复习方略制定属于自己的最佳复习方略基础阶段 : 复习精编 + 历年真题及答案解析借助复习精编中的考试分析与历年真题及答案解析了解考研命题变化的趋势 ; 通过认真研读复习精编中的核心考点解析初步形成基础知识体系, 并通过做真题习题来进一步熟悉和巩固知识点, 达到夯实基础的目的强化阶段 : 复习精编 + 历年真题及答案解析利用复习精编中的复习指南 ( 复习提示和知识点框架图 ) 来梳理章节框架体系, 结合历年真题及答案解析强化背诵记忆各章节的核心考点解析中星级高的常考点及考试重点冲刺阶段 : 复习精编 + 冲刺宝典通过冲刺宝典中的考点考题分析与预测, 以题目带动知识点, 考查自身是否能灵活运用所有的重要内容, 结合复习精编中的核心考点解析迅速找到知识体系中的盲点, 对已考知识点熟练掌握, 对未考知识点多加留心, 进行最后地加强与巩固模考阶段 : 模拟五套卷严格按照考试规定时间完成模拟五套卷, 并适当预留出 5-10 分钟的机动时间, 用于拆封试卷填涂答题卡填写信息检查内容正确与否及完整程度等环节在答题过程中, 应一丝不苟不要随意中断, 始终保持应试的状态进行全真演练复试阶段 : 复试一本通复试之前, 考生就需要对复试一本通中的复试流程进行宏观了解, 准备好所需的材料表格, 同时需仔细研读复试真题复试经验谈导师论文部分, 对复试指定书目进行全面复习复试演练时, 考生可参阅复试高分攻略部分, 强化口语表达, 同时根据复试注意事项中的提示, 规范自身的举止, 重视礼仪和细节的展现, 争取给导师留下良好印象, 展现自身良好的学术素养和心理素质三内部权威资料 1 天津大学半导体物理考研复习精编研途宝编著 2 天津大学信号与系统考研复习精编研途宝编著 3 天津大学半导体物理考研冲刺宝典研途宝编著 4 天津大学信号与系统考研冲刺宝典研途宝编著 5 天大半导体物理考研模拟五套卷与答案解析研途宝编著 6 天大信号与系统考研模拟五套卷与答案解析研途宝编著 7 天津大学电子信息工程学院考研复试一本通研途宝编著 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

16 四考研必备网站推荐 1. 研途宝 2. 研途宝官方微信 yantubang 3. 研途宝论坛 bbs.yantubao.com 4. 研途宝官方微博新浪 :weibo.com/yantubao 研途宝微信公众号 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

17 研途宝会员登陆研途宝官方网站注册一个用户名, 注册成功之后即成为研途宝会员首次注册会员即可获得积分奖励, 研途宝会员可尊享会员福利会员专享福利 > 择校指导 : 提供翔实的院校专业及部分导师信息 ; 根据学员情况提出中肯建议, 免去择校择专业的苦恼, 让你的选择实际可行有的放矢! > 在线问答 :24 小时有问必答, 根据学员提出的问题提供专业的回答及中肯的建议, 消除你心中的疑问 > 免费课程 : 提供海量公共课专业课免费课程, 节省学员自己搜索的时间及精力 > 资料下载 : 提供海量公共课专业课免费资料, 节省学员自己搜索的时间及精力 > 研友互动 : 师兄学姐答疑解惑, 分享同一考研路中不一样的考研经历小研积分获取小研积分是研途宝为回馈用户专门定制的一种福利用户可通过以下几种途径来获取小研积分 : 1 注册登录: 新用户注册即可获得 5 积分 ; 2 购买产品: 用户在研途宝上下单并购买产品即可获得对应的小研积分 3 产品分享: 注册登陆官网并分享产品或文章到 QQ 空间微信朋友圈微博博客或社区等地, 即可获得对应的积分奖励 4 参加活动: 用户可通过参加研途宝活动获得积分小研积分使用小积分, 大作用, 小研积分可有以下用途 : 1 资料下载: 下载网站上需要积分的资料 ; 2 礼品兑换: 积分越多, 所能兑换的礼品就越多 2017 天津大学半导体物理考研复习精编电话 QQ / 17

2017 华南理工大学自动控制原理考研复习精编编写说明复习精编是研途宝精品考研专业课系列辅导材料中的核心产品本书严格依据学校官方最新指定参考书目, 并结合考研的精华笔记题库和内部考研资讯进行编写, 是研途宝老师的倾力之作通过本书, 考生可以更好地把握复习的深度广度, 核心考点的联系区分,

2017 华南理工大学自动控制原理考研复习精编编写说明复习精编是研途宝精品考研专业课系列辅导材料中的核心产品本书严格依据学校官方最新指定参考书目, 并结合考研的精华笔记题库和内部考研资讯进行编写, 是研途宝老师的倾力之作通过本书, 考生可以更好地把握复习的深度广度, 核心考点的联系区分, 图书描述出版日期 2016 年 4 月 19 日教材名称 2017 华南理工大学自动控制原理考研复习精编全程备考首选精品编著研途宝开本大 16 开字数 70 千字页数 228 页购买网址 http://scut.yantubao.com/zl/14277906880006745500207107326042.html 2017 华南理工大学自动控制原理考研复习精编电话 4008-113-567