体验不同的功率 : CoolMOS 7- CoolSiC - CoolGaN 和互补的 EiceDRIVER IC CN

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1 体验不同的功率 : 7- CoolSiC - CoolGaN 和互补的 EiceDRIVER IC CN

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3 目录 体验不同的功率 : 7 CoolSiC - CoolGaN 4 应用概述 5 汽车应用 6 车载充电 6 DCDC 转换器 7 工业应用 8 电动汽车充电 8 由电池供电的应用 10 通信电源 11 服务器电源 13 工业 SMPS 15 太阳能 16 用电设备应用 19 TV 电源 19 适配器和充电器电源 20 LED 照明 21 音频电源和 D 类放大器 22 PC 电源 23 智能电表 24 主要家用电器 25 封装的产品创新 27 产品组合 28 3

4 体验不同的功率 英飞凌为您精通一切 通过,CoolSiC 和 CoolGaN 体验不同的功率 英飞凌是功率半导体市场的领导者, 是目前唯一掌握所有电源技术的制造商, 其提供的基于硅 ( 如 SJ MOSFET,IGBT) 碳化硅 ( 如肖特基二极管,MOSFET) 和氮化镓 (e-mode HEMT) 器件的产品和技术组合最为广泛, 涵盖了裸片 离散和模块解决方案 SJ MOSFET 产品在导电性 开关和驱动损耗方面品质出众 CoolSiC 和 CoolGaN 能够实现极为高效和紧凑的系统设计, 从而满足未来对更环保 更优质产品的需求 此外, 采用 Si 和 WBG 技术的栅极驱动器 IC 的全面产品组合可释放开关的全部潜能 英飞凌拥有一家针对功率半导体的 300 毫米晶圆厂, 最能充分 抓住功率半导体行业的增长机会 CoolSiC 和 CoolGaN 都将涵盖 600 V/650 V 段的电源产品, 并根据应用要求提出特定的价值主张 英飞凌凭借其产品的质量和保证效率的特征, 在能源效率 功 率密度和易用性方面设定了新标准 Superjunction MOSFETs 最佳性价比 在市场上具有最多的 SJ MOSFET 产品组合 成熟 稳定 信誉良好 技术相比较 Efficiency CoolSiC MOSFETs 高性能 稳健耐用 简单易用 坚固, 特别是在高温和恶劣环境下 系统尺寸更小 CoolGaN HEMTs Portfolio Price-performance Power density Robustness 最高效率和最高功率密度 以最高开关频率运作 可以实现系统集成 Ease-of-use CoolSiC CoolGaN

5 体验不同的功率 产品矩阵应用 7 汽车 CoolSiC CoolGaN 应用 S7 600 V CFD7 600 V PFD7 600 V C7 650 V C7 600 V G7 650 V G7 600 V P7 600 V P7S 600 V P7S 700 V P7S 800 V P7S 950 V CFD7A 650 V CFDA 650 V C3A 800 V CPA 600 V SiC SiC MOS 二极管 650 V 600 V 400 汽车 车载充电器 高压至低压 DCDC 转换器 工业 电动汽车充电 服务器 电信系统 工业 SMPS 太阳能 / 不间断电源 (UPS) LSEV( 工业电池充电器 ) 固态继电器和断路器 电池化成 消费性电子 TV/PC/ 游戏机 充电器 / 适配器 照明设备 音频 智能电表 主要家用电器 汽车产品组合 C3A 800 V CPA 600 V CFDA 650 V CFD7A 650 V 偏置电源 PFC PFC LLC PFC LLC : mω 工业应用产品范围 S7 600 V C7 600 V C7 650 V G7 600 V G7 650 V CFD7 600 V C7 600 V G7 600 V CFD7 600 V CFD7 600 V P7 600 V P7 600 V CFD7 600 V CFD7 600 V CoolSiC 二极管 600 V/650 V CoolGaN 600 V 同步整流 PFC LLC ZVS PS FB PFC LLC ZVS PS PFC PFC : mω I F : 4-20 A : mω 消费性电子产品组合 PFD7 600 V P7 600 V P7 700 V P7 800 V P7 950 V CoolGaN 400 V 和 600 V PFC/ 反激式 / 逆变器反激式 LLC PFC 反激式 PFC 反激式 PFC 反激式反激式 125 mω-2 Ω Ω Ω Ω Ω mω

6 汽车 车载充电器 英飞凌在生产优质汽车产品方面拥有悠久的历史 凭借在为主要市场参与者提供优质 可靠设备方面积累的成熟经验, 英飞凌的产品 拥有极具吸引力的性价比, 同时又具备最高性能和高交付可靠性 英飞凌在进一步提高新产品性能的同时, 继续在扩大产能方面进行 投资, 以满足日益增长的市场需求 主流应用一般使用最高 475 V DC 的高压电池系统, 以支持系统成本优化 车载充电器 在带车载充电器 (OBC) 的汽车上, 可以通过标准交流电源插座 ( 单相或三相 ) 为电池充电, 该插座的功率通常为 3.6 kw 至 11 kw 充电情形通常集中于 : 家庭或办公地点充电桩充电 ( 小功率交流电 ) 在超市 电影院和饭店停车时的目的地充电桩充电 ( 小功率交流电或小功率直流电 ); 高速公路或行驶路线上的增程充电 ( 大功率直流电 ) 除了满足汽车的可靠性标准外,OBC 的主要要求是在达到中等效率水平 (>94%) 的同时兼顾高功率密度和低成本 双向 OBC 正在兴 起, 未来将成为更加重要的附加功能 典型的 OBC 结构包含一个 PFC 级和一个隔离的高压 DC 到 DC 转换级 再来系统有需要一个滤波器级以满足 EMI 标准并能够保护 板网免受不良干扰 Power TRENCHSTOP 5 IGBT Power / CoolSiC Grid Filter PFC DC-DC (primary) DC-DC (secondary) Filter High voltage battery Drive AUIRS11xx / AUIRS21xx Supply and control OPTIREG TLE9250xxx CAN/SBCs SLT9481 (isocan) Control and communication AURIX TC2xx / TC3xx 6

7 汽车 高压至低压 DCDC 转换器 当车载充电器内的 DCDC 转换器负责为电池充电时, 高压至低压 DCDC 转换器可以确保电能流向混动车辆或电动车辆中的低电压 电池 在一些情况中,DCDC 转换器还可以是双向的 该系统针对轻载条件进行了优化 所需功率在 3500 W 范围之内 除了高功率密度和低成本外, 典型要求还包括低纹波电流, 出色的 EMI 性能以及双向功率流能力 Power CoolSiC diodes and MOSFETs SJ MOSFETs High voltage battery Filter DC-DC (primary) DC-DC (secondary) Filter Low voltage battery Gate drivers and level shifters AUIRS2191S, AUIRS2113S 2ED020I12FA, AUIRS1170S Supply and communication OPTIREG PMIC / TLF35584 OPTIREG Switcher / TLS412x CAN FD Transceiver / TLE925x System Basis Chips (SBC) / TLE9471 Control and communication AURIX TC2xx / TC3xx 车载单元的汽车产品 功能块产品系列描述 功率汽车 CFD7A 集成快速体二极管的 650 V MOSFET, :22 至 230 mω 汽车 CFDA 汽车 C3A 汽车 CPA 汽车 TRENCHSTOP 5 IGBT 汽车 CoolSiC 二极管 集成快速体二极管的 650 V MOSFET, :48 至 660 mω 800 V MOSFET, :290 至 2700 mω 600 V MOSFET, :45 至 299 mω 带和不带一体型 SIC 二极管或快速体二极管的 600 V/650 V IGBT,15 50 A 650 V SiC 二极管, 8-50 A 汽车 CoolSiC MOSFET 1200 V, mω 栅极驱动器 汽车 EiceDRIVER 单通道和双通道隔离驱动器 供应和控制 OPTIREG 针对 AURIX 优化的系统电源 CAN FD 收发器 高速汽车 CAN 收发器 控制和通信 AURIX 微控制器 32 位锁步微控制器 7

8 工业 非车载直流电动汽车充电站 非车载直流电动充电代表什么? 汽车市场正面临电动汽车 (EV) 的快速增长, 尤其是在中国, 越来越多的人开始关注电动汽车 要真正大规模投放电动汽车, 这些市场需要普及直流充电基础设施 直流充电系统是一种很有吸引力的选择, 因为它们提供的充电速度比许多电动汽车驱动器所拥有的标准交流电动汽车充电器提供的充电速度快得多 例如, 现在 150 kw 的直流充电器在短短 15 分钟的时间为汽车电池所充的电量即可维持电动汽车行驶 200 km 充电技术的改进有望使进一步缩短充电时间 因此, 非车载充电将会变得越来越受欢迎 在设计直流电动汽车充电器方面, 为了取得更大成果, 工程师将会面临许多新挑战 要使直流充电设计获得长期成功, 必须 : 增大输出功率, 缩短充电时间 提高充电站设定尺寸内的功率密度 通过增大负荷并降低功耗来提高效率 降低每瓦电能的设计成本 与合适的合作伙伴合作可以一起解决所有上述问题 可以为目标应用中提供最合适的性能 超快速体二极管且在整个 系列中最佳的 Q rr 水平 最高的可靠性和稳健性 在 快速体二极管系列中效率最高 实现了最高的功率密度水平, 因为 THD 和 SMD 封装中具有一流的 非常简单易用 600 V P7 出色的 ESD 耐用性 > 2 kv (HBM) 平滑的开关波形 600 V CFD7 体二极管的耐用性同类最佳 提前关闭通道可以增大 R Gon,, 且不会降低效率 质量和性价比高 品组一流的性价比 高性能技术的价格定位很有 吸引力 粒状产合 - 在常见 TO-247 封装中 范围在 70 mω 到 18 mω 之间 英飞凌高品质保证 系统图 Control Power AC power in AC-DC including PFC DC-DC stage DC power to batteries Communication and security Gate driver and galvanic isolation Microcontroller AURIX / XMC Internal power supply Communication to user Human-machine interface (HMI) Authentication and encryption Communication to car - end user 8

9 工业 PFC 级 ( 三相输入 ) 产品种类产品系列产品型号其他信息 高压 MOSFET/ SiC MOSFET/IGBT SiC 二极管 用于高电压 MOSFET 和 SiC MOSFET 的栅极驱动器 IC 600 V C7 IPW60R017C7 600 V, 17 mω, TO V P7 IPW60R024P7 600 V, 24 mω, TO-247 IPW60R037P7 IPW60R060P7 600 V, 37 mω, TO V, 60 mω, TO V C7 IPW65R019C7 650 V, 19 mω, TO-247 CoolSiC MOSFET 650 V IMZA65R027M1H 650 V, 35 mω, TO IMW65R027M1H IMZA65R048M1H IMW65R048M1H 650 V, 35 mω, TO V, 65 mω, TO V, 65 mω, TO TRENCHSTOP 5 IGBT 650 V H5 IKW50N65EH5/IKZ50N65EH5 650 V, 50 A, TO-247-3/4 IKW75N65EH5/IKZ75N65EH5 650 V, 75 A, TO-247-3/4 CoolSiC MOSFET 1200 V IMW120R045M1/IMZ120R045M V, 45 mω, TO-247-3/4 CoolSiC 简易模块 1200 V F3L15MR12W2M1_B V, 15 mω, Easy 2B, Vienna 整流器相脚 CoolSiC Schottky 二极管 1200 V G5 FS45MR12W1M1_B11 IDW15G120C5B/IDWD15G120C5 IDW20G120C5B/IDWD20G120C5 IDW30G120C5B/IDWD30G120C V, 45 mω, Easy 1B, sixpack 1200 V, 15 A, TO-247-3/ V, 20 A, TO-247-3/ V, 30 A, TO-247-3/2 EiceDRIVER 2EDi 2EDF7175F 双通道, 功能,1 A/2 A 输出,4 V UVLO 2EDF7275F 2EDF7975F 双通道, 功能,4 A/8 A 输出,4 V UVLO 双通道, 功能,2 A/4 A 输出,4 V UVLO EiceDRIVER 1EDB* 1EDB7275F 单通道, 功能,4 A/8 A 输出,4 V UVLO 1EDB8275F 1EDB9275F 单通道, 功能,4 A/8 A 输出,8 V UVLO 单通道, 功能,4 A/8 A 输出,14 V UVLO EiceDRIVER 1EDN-TDI 1EDN8550B 单通道, 具有真差分输入的低端栅极驱动器 HV DC-DC 主级 产品种类产品系列产品型号其他信息 高压 MOSFET/ SiC MOSFET 600 V CFD7 / CSFD IPW60R024CFD7 600 V, 24 mω, TO-247 IPW60R037CSFD IPW60R040CFD7 IPW60R055CFD7 IPW60R070CFD7 600 V, 37 mω, TO V, 40 mω, TO V, 55 mω, TO V, 70 mω, TO-247 用于高电压 MOSFET 和 SiC MOSFET 的栅极驱动器 IC SiC 二极管输出整流二极管 CoolSiC MOSFET 1200 V IMW120R045M1/IMZ120R045M V, 45 mω, TO-247-3/4 CoolSiC Easy 模块 1200 V FF6MR12W2M1_B V, 6 mω, Easy 2B, 半桥式 FF8MR12W2M1_B V, 8 mω, Easy 2B, 半桥式 FF11MR12W1M1_B V, 11 mω, Easy 1B, 半桥式 FF23MR12W1M1_B V, 23 mω, Easy 1B, 半桥式 F4-23MR12W1M1_B V, 23 mω, Easy 1B, fourpack FS45MR12W1M1_B V, 45 mω, Easy 1B, sixpack EiceDRIVER 2EDi 2EDS8165H 双通道, 加强型,1 A/2 A 输出,8 V UVLO 2EDS8265H 双通道, 加强型,4 A/8 A 输出,8 V UVLO 2EDS9265H 双通道, 加强型,4 A/8 A 输出,14 V UVLO CoolSiC Schottky 二极管 1200 V G5 IDW15G120C5B/IDWD15G120C V, 15 A, TO-247-3/2 IDW20G120C5B/IDWD20G120C V, 20 A, TO-247-3/2 IDW30G120C5B/IDWD30G120C V, 30 A, TO-247-3/2 CoolSiC Schottky 二极管 650 V G5 IDW12G65C5 650 V, 12 A, TO-247 IDW16G65C5 650 V, 16 A, TO-247 IDW20G65C5 650 V, 20 A, TO-247 IDW30G65C5 650 V, 30 A, TO-247 IDW40G65C5 650 V, 40 A, TO-247 CoolSiC Schottky 二极管 650 V G6 IDH12G65C6 650 V, 12 A, TO-220 IDH16G65C6 650 V, 16 A, TO-220 IDH20G65C6 650 V, 20 A, TO * 即将发布 9

10 工业 由电池供电的应用 我们生活在充满电气设备的移动世界中 消费级机器人 轻型电动车 多轴飞行器以及由高效电动机驱动的其他最终产品 随着这些产品的发展和改进, 对设计人员和工程师的要求日益增长, 他们需要找到更高效 体积更小且成本更低的解决方案 英飞凌凭借行业领先的技术 最高的质量和制造专业知识, 提供有多种创新型功率半导体, 可满足各种由电池供电的电机控制应用, 例如电动工具 叉车 各种轻型电动车 包括电动滑板 电动滑板车 电动助力车 低速汽车等 通过对用于电源管理 功耗和电压调节的设备 ( 例如功率 MOSFET ( 如 OptiMOS 和 HEXFET / StrongIRFET ) XMC 微控制器 EiceDRIVER 栅极驱动器等 ) 进行优选, 英飞凌不仅可以为如今紧凑型高性价比的设计提供所需的所有元器件, 也可以为未来的创新设计提供所需的所有元器件 由电池供电的应用的主要辅助产品 消费机器人 家用电器和专业电器 轻型电动车 MOSFET 栅极驱动器 IC IPM 微控制器微控制器和驱动器电源 CAN 收发器磁性传感器认证 HEXFET /StrongIRFET V OptiMOS V OptiMOS V 7 7 EiceDRIVER 200 V 和 600 V 栅极驱动器 IC CIPOS Nano XMC1100 XMC1300/XMC1400 XMC1000/XMC4000 XMC4500/XMC4400 imotion 和嵌入式功率 IC 线性电压和 DC-DC 开关调节器 IFX1050, IFX1051 霍尔传感器和 xmr 传感器 OPTIGA Trust B/X, OPTIGA TPM OPTIGA Trust B 可以确保系统成本竞争力和高性能解决方案的一整套组件 英飞凌提供的产品费机器人家用电器和专业电器轻型电动车 电源电压 V V V OptiMOS 和 HEXFET / StrongIRFET 功率 MOSFET 电压 V V V 封装 SuperS08, PQFN 3x3, DirectFET S/M/L-Can, TOLL, TO-220, DPAK, D²PAK SuperSO8 PQFN 3x3 DirectFET S/M/L- Can TOLL TO-220 TO-247 DPAK D²PAK 7 引脚 D²PAK SuperS08 PQFN 3x3 TO-220 DPAK D²PAK 7 引脚 D²PAK 7 引脚 + D²PAK TOLL DirectFET L-Can HV MOSFETs 7 电压 V P V P7 600 V P7 600 V CFD7/CSFD 栅极驱动器 IC IPM CIPOS Nano 1EDN, 2EDN, 1EDN7550, 1EDN7550B, 1EDN8550B, 2EDL811x, 2EDF7275K, 2EDF7235K, 6ED003L02-F2, 6ED003L06-F2, 6EDL04N02PR, 6EDL04N06PT, 2EDL05N06PF, 集成栅极驱动器 IC : IFX9201/2, NovalithIC BTN8982, Trilith IC BTM7752 IRSM836-0x4MA (x=2,4,8), IRSM MH 1EDN/2EDN/6EDL04N02PR, 6ED003L02- F2, 2EDL05N06PF, 2ED2304S06F, 2EDF7275K, 2EDF7235K, 1EDN7550B, 1EDN8550B 集成 :IFX9201SG/ BTN8982 IRSM MH, IRSM MH 认证 IC 安全 OPTIGA Trust B/X, OPTIGA TPM OPTIGA Trust B OPTIGA Trust B 1EDN/2EDN/ 2EDL/ 6EDL04N02PR, 6ED003L02-F2, 2EDL05N06PF, 2ED2304S06F XMC 微控制器 imotion epower 微控制器和驱动器电源 : 线性电压和 DCDC 开关调节器 CAN 收发器 XMC1100 XMC1000/XMC4000 imotion : IRMCK099M epower: TLE987X (BLDC), TLE986X (BDC) IFX1763/IFX54441/IFX54211/IFX30081/IFX90121/IFX91041 IFX1050, IFX1051 传感器霍尔开关 (TLE 496X) 角度传感器 (TLI5012B TLE5501) 3D 磁性传感器 (TLV493D) 电流传感器 (TLI4970) XMC1300 XMC4400/XMC4500 imotion IRMCK099M epower: TLE987X (BLDC) 霍尔开关 (TLE496X) 角度传感器 (TLI5012B) 3D 磁性传感器 (TLV493D) XMC1300 XMC 4400/XMC4500 霍尔开关 (TLE496X) 角度传感器 (TLI5012B) 3D 磁性传感器 (TLV493D) 10

11 工业 通信电源 提供数据 语音和视频服务的电信行业随着向新市场的扩展, 并且随着无线和宽带技术的普及推动下不断加速增长 过去十年来, 电 信 SMPS 性能的显著改善主要是由于采用革命性的超结原理, 大大降低了高压 MOSFET 的导通电阻 这一原理由英飞凌在上世纪九 十年代末通过 系列引入 高压 CoolSiC ( 碳化硅 ) 二极管在反向恢复特性上做出的改进同样令人印象深刻 新推出的 HV GaN 和 SiC 开关 CoolGaN 和 CoolSiC 系列补充了英飞凌的高压 (HV) 产品, 它们以极具吸引力的系统成本实现了最高的电转换效率 为了满足新的非常具有挑战性的效率目标, 即使在电信整流器通常具有高输出电压的情况下, 利用 OptiMOS 低压 MOSFET 的独特性能进行的同步整流也变得越来越流行 Analog and digital control ICs AC-DC rectifier AC Synchronous rectification V in PFC V bulk DC-DC main stage Synchronous rectification Or-ing V out DC AUX V aux DC Isolated DC-DC Non-isolated POL DC Battery protection Power distribution Hot swap Primary side PWM Synchronous rectification Or-ing nipol, buck Load Load 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 PFC 高压 MOSFET CCM/ 交叉 PFC;TTF 600 V/650 V C7/ G7 600 V P7 高压 GaN CCM 图腾柱 CoolGaN 600 V SiC MOSFET CCM 图腾柱 CoolSiC MOSFET 650 V SiC 二极管 CCM/ 交叉 PFC CoolSiC 肖特基二极管 650 V G6 控制 IC CCM PFC IC 800 V ICE3PCS0xG SiC 和 GaN 栅极驱动器 IC 高压 MOSFET 栅极驱动器 IC 高压 SiC 的 GaN 驱动器 IC 高压 GaN 的 GaN 驱动器 IC CCM/ 交叉 PFC TTF CCM 图腾柱 CCM 图腾柱 EiceDRIVER 2EDi (2EDF7275F 2EDF7175F) EiceDRIVER 1EDB* (1EDB7275F, 1EDB8275F) EiceDRIVER 1EDN-TDI (1EDN8550B) EiceDRIVER 2EDi, 1EDB* (2EDF9275F 1EDB9275F) EiceDRIVER 1EDi-GaN (1EDF5673F 1EDF5673K) 最佳的 FOM *Q G 和 *E oss 最低的 ( 每个封装 ) R g,ext 对开关损耗的依赖性小 关断损耗低 低 Q oss 低 Q G 高频开关 (> Si) 实现了高功率密度 效率增大 功率密度增大 支持恶劣环境操作和高温操作 低 FOM V F *Q C 高 PFC 和低 THD EiceDRIVER 1EDB, 2EDi 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 提高了开关速度 低器件间偏差和低通道失配, 实现了空载优化 EiceDRIVER 1EDN-TDI 结合 EiceDRIVER 1EDBx 使用时, 最适合用作低端栅极驱动器进行半桥驱动 针对大功率 PFC 的推荐解决方案, 以使用单通道驱动器减少栅极驱动回路 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 提供单通道 (1EDB) 和双通道 (2EDF) 版本 用于 SiC MOSFET 驱动的 14 V UVLO 版本 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 以免开关引起的栅极过冲 相比于双极驱动, 降低了反向导通损耗 * 即将发布 11

12 工业 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 DC-DC 主级 高压 MOSFET CCM/ 交叉 PFC; TTF HB LLC 600 V C7/P7/G7 LLC 600 V C7/G7 CCM/ 交叉 PFC; TTF HB LLC 600 V CFD7 SiC MOSFET CMM 图腾柱 CoolSiC MOSFET 650 V 控制 IC HB LLC IC ICE1HS01G-1, ICE2HS01G GaN 驱动器 IC LLC,ZVS 相移全桥 EiceDRIVER 1EDi-GaN (1EDS5663H) GaN 增强模式 HEMT 高压 MOSFET 栅极驱动器 IC 高压 GaN 栅极驱动器 IC LLC,ZVS 相移全桥 CoolGaN 600 V LLC,ZVS 相移全桥 LLC,ZVS 相移全桥 同步整流 低压 MOSFET 同步整流 MOSFET( 次 级侧 ) 高压 MOSFET 低压 MOSFET 和高压 MOSFET 栅极驱动器 IC 同步整流 MOSFET( 初级侧 ) 标准同步整流 全桥同步整流 辅助电源 控制 IC 第 5 代 QR/FF 反激式 CoolSET EiceDRIVER 2EDi (2EDS8265H 2EDS8165H) EiceDRIVER 1EDi (1EDS5663H) 辅助电路微控制器 - XMC1xxx 转换微控制器 - XMC4xxx OptiMOS V 600 V ColMOS S7 EiceDRIVER 2EDi EiceDRIVER 2EDL8 (2EDL811x) EiceDRIVER 1EDN (1EDN751x) EiceDRIVER 2EDN QR 800 V - ICE5QRxx80Ax FF 800 V - ICE5xRxx80AG Or-ing 控制器低压 MOSFET Or-ing MOSFET OptiMOS V 电池保护低压 MOSFET MOSFET OptiMOS V 隔离 DC-DC 低压 MOSFET 初级侧 PWM MOSFET OptiMOS V 同步整流 MOSFET Or-ing MOSFET StrongIRFET V 小信号 MOSFET V OptiMOS V StrongIRFET V OptiMOS V StrongIRFET V 快速开关速度, 提高了效率和散热 低栅极电荷, 提高了轻载条件下的效率并降低了空载条件下的功耗 优化了 V GS 阈值, 降低了关断损耗 具有坚固的体二极管, 可以避免硬换向期间的设备故障 关断损耗低 低 Q oss 低 Q G 一流的 Q rr 和 t rr 级别 显著降低了 Q G 与之前的 快速体二极管系列相比, 提高了效率提高了效率 简单易用 高效且 EMI 低 低驱动阻抗 ( 导通电阻 0.85 Ω( 输出 ),0.35 Ω( 输入 ) 输入 - 输出传播时延精度 :±5ns 提供功能隔离和增强型隔离 实现了最高的效率和最高的功率密度 高达 1000RMS 输入到输出工作电压的增强型隔离 低器件间偏差和低通道失配, 实现了空载优化 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 以免开关引起的栅极过冲 相比于双极驱动, 降低了反向导通损耗 业界最低 FOM ( *Q G ), 能够以高性价比实现高效率 电压过冲低, 设计简单 业界最低 具有最高的系统效率和功率密度 出色的质量和可靠性 减少了对缓冲电路的需求 消除或减少了固态设计中的散热器 提高了能源效率 EiceDRIVER 2EDi 高达 650 V DC 通道间隔离的功能隔离 在 lga-13 5x5 mm 封装中提供紧凑型解决方案 EiceDRIVER 2EDL8 电平移动半桥栅极驱动器, 高达 120 V 隔离 低端栅极驱动器 用于逻辑电平和正常电平 OptiMOS 驱动的 4 V 和 8 V UVLO 输出电源 UVLO 版本 准谐振开关操作, 高效且 EMI 低 固定频率开关操作, 设计简单 100 Khz 和 125 KHz 通过共源共栅结构配置实现快速鲁棒性启动 通过可调节线路输入过压保护,V CC 和 CS 引脚对地短路保护实现强大保护 降低中载和轻载条件下的频率, 以减小开关损耗并提高效率 通过无散热器 SMD 封装中的 800 V CoolSET 提供高达 42 W 的大功率输出灵活性 HR PWM 数字通信 基于 ARM 的标准 MCU 系列和广泛系列灵活性 HR PWM 数字通信 基于 ARM 的标准 MCU 系列和广泛系列 业界最低 FOM ( *Q G ), 能够以高性价比实现高效率 电压过冲低, 设计简单 业界最低 具有最高的系统效率和功率密度 出色的质量和可靠性 减少了对缓冲电路的需求 12

13 工业 服务器电源 效率优化是服务器和数据中心设计在整个负载范围内的关键要求 而希望服务器实现更高功率 更大功率密度和成本效益设计的要求则是市场的驱动趋势 英飞凌针对 PFC 级推出了具有最低 FOM * Q g 和 * E oss 的 600 V C7 系列 这样可以实现最低的开关损耗, 能够对高端服务器 SMPS 进行快速开关, 从而从轻载运行开始就优化效率 SMD 封装 ( 例如 ThinPAK) 非常紧凑, 具有空间和功率密度优势, 并可以与英飞凌的新行业标准非隔离式驱动器系列 2EDN752x 配合使用 与高效 PFC 中的 600 V C7 互补的是 CoolSiC 肖特基二极管 G6 和 G5 600 V P7 系列的性价比很高 在低输出电压和高输出电流的应用中, 通过不断减小同步整流级中使用的英飞凌低压 OptiMOS MOSFET 系列的导通电阻, 可以进一步提高效率 StrongIRFET 补充了英飞凌的低压系列, 该产品针对较低的开关频率和最高的系统耐用性进行了优化 新型 S7 具有最佳的性价比, 适合低频下的插座开关和机械继电器替换 如果将其与整流桥并联或者使其取代二极管, 则只需进行很少的设计即可提高效率 用 S7 代替浪涌机械继电器, 可以释放空间并提供增大功率密度的机会 新型基于 GaN 和 SiC 的开关可以使系统效率接近理论极限, 并且功率密度很高 大型超大型数据中心越来越需要业界实现更高能源效率, 为满足这一不断增长的需求, 他们需要向前迈出一步 结构图 PFC-PWM with AUX and ICs Control and housekeeping AC Synchronous rectification V in PFC V bus Main stage Rectification V out DC Auxiliary power V aux DC 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 PFC 高压 MOSFET CCM/ 交叉 PFC;TTF 600 V/650 V C7 600 V/650 V G7 SiC MOSFET CMM 图腾柱 CoolSiC MOSFET 650 V SiC 二极管 CCM/ 交叉 PFC CoolSiC 肖特基二极管 650 V G6 and G5 控制 IC CCM PFC IC ICE3PCS0xG IGBT CCM/ 交叉 PFC TRENCHSTOP IGBT 650 V H5 TRENCHSTOP IGBT 650 V F5 最佳的 FOM *Q G 和 *E oss 每个封装都具有最低的 Rg,ext 对开关损耗的依赖性小 I 提高了效率 增加功率密度 支持恶劣环境操作和高温操作 低 FOM V F *Q G 简单易用 高 PFC 和低 THD 在低电感设计中效率很高 13

14 工业 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 PFC 高压 MOSFET 栅极驱动器 IC SiC MOSFET 栅极驱动器 IC 高压 GaN 栅极驱动器 IC CCM/ 交叉 PFC EiceDRIVER 2EDi : (2EDF7275F 2EDF7175F) EiceDRIVER 1EDB*: (1EDB7275F 1EDB8275F) EiceDRIVER 1EDN-TDI: (1EDN8550B) CMM 图腾柱 CMM 图腾柱 EiceDRIVER 2EDi, 1EDB*: (2EDF9275F, 1EDB9275F) EiceDRIVER 1EDi-GaN (1EDF5673F 1EDF5673K) 主级高压 MOSFET ITTF 600 V C7/P7 LLC 半桥低于 1 kw LLC, 相移全桥低于 1 kw ZVS PS FB;LLC,TTF 600 V P7/CFD7 600 V CFD7 650 V CFD2 TRENCHSTOP IGBT 650 V F5 GaN LLC,ZVS 相移全桥 CoolGaN 600 V 控制 IC HB LLC IC ICE1HS01G-1 ICE2HS01G 高压 MOSFET 栅极驱动器 IC 高压 GaN 栅极驱动器 IC 高压 SiC 栅极驱动器 IC LLC,ZVS 相移全桥 LLC,ZVS 相移全桥 LLC,ZVS 相移全桥 EiceDRIVER 2EDi (2EDS8265H, 2EDS8165H) EiceDRIVER 1EDi-GaN (1EDS5663H) EiceDRIVER 2EDi (2EDS9265H) 同步整流低压 MOSFET HB LLC 和中间抽头 40 V OptiMOS 40 V StrongIRFET ITTF 60 V OptiMOS 60 V StrongIRFET ZVS PS FB 和中间抽头 80 V OptiMOS 80 V StrongIRFET 高压 MOSFET V S7 低压 MOSFET 栅极驱动器 IC 标准同步整流 全桥同步整流 EiceDRIVER 2EDF7275K 2EDS7235K 2EDL811x EiceDRIVER 1EDN751x 2EDNx EiceDRIVER 1EDB*, 2EDi: 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 提高了开关速度 低器件间偏差和低通道失配, 实现了空载优化 EiceDRIVER 1EDN-TDI: 结合 EiceDRIVER 1EDBx 使用时, 最适合用作低端栅极驱动器进行半桥驱动 最适合大功率 PFC, 以使用单通道驱动器减少栅极驱动回路 高达 1500 V DC 通道间隔离 用于 SiC MOSFET 驱动的 14 V UVLO 版本 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 以免开关引起的栅极过冲 相比于双极驱动, 降低了反向导通损耗 快速开关速度, 提高了效率和散热, 低栅极电荷, 提高了轻载条件下的效率并降低了空载条件下的功耗 优化了 V GS 阈值, 降低了关断损耗 具有坚固的体二极管, 可以避免硬换向期间的设备故障 关断损耗低 低 Q oss 低 Q G 快速而坚固的体二极管 优化了 Q G ( 变低 ) 和软换向性能以获得最高的效率 650 V V DS 的最高可靠性 提高了耐用性并且在低电感设计下的效率很高 实现了最高的效率和最高的功率密度 高效且 EMI 低 高达 1000RMS 输入到输出工作电压的增强型隔离 低器件间偏差和低通道失配, 实现了空载优化 高达 1500 V DC 通道间隔离的功能隔离 强力驱动, 以免开关引起的栅极过冲 相比于双极驱动, 降低了反向导通损耗高达 1000 RMS 输入到输出工作电压的增强型隔离 用于 SiC MOSFET 驱动的 14 V UVLO 版本 在整个负载范围内的效率都很高, 具有布局公差 高耐用性和坚固性 高效 低散热 H 低 V DS 过冲 高耐用性和坚固性 在整个负载范围内具有很高的效率, 低 V DS 过冲和振荡 高耐用性和坚固性 消除或减少了固态设计中的散热器 提高了能源效率 EiceDRIVER 2EDF72x5K 高达 650 V DC 通道间隔离的功能隔离 在 lga-13 5x5 mm 封装中提供紧凑型解决方案 EiceDRIVER 2EDL811x 电平移动半桥栅极驱动器, 高达 120 V 隔离 低端栅极驱动器 用于逻辑电平和正常电平 OptiMOS 驱动的 4 V 和 8 V UVLO 输出电源 UVLO 版本 辅助电源 控制 IC QR/FF 反激式 CoolSET 800 V ICE2QRxx80(Z)(G) ICE3xRxx80J(Z)(G) 700 V ICE5QRxx70A(Z)(G) 800 V ICE5QRxx80A(Z)(G) 辅助电路微控制器 - XMC1xxx 转换微控制器 - XMC4xxx 待机功率低 高效且坚固耐用 集成式 700 V/800 V 超结功率 MOSFET 具有雪崩性能 突发模式进入 / 退出, 可优化不同低负载条件下的待机功耗 灵活性 HR PWM 数字通信 基于 ARM 的标准 MCU 系列和广泛系列 灵活性 HR PWM 和数字通信 * 即将发布 14

15 工业 工业 SMPS 工业 SMPS 为从工业自动化机器人到医疗设备和自动售货机的各种设备供电 随着物联网的普及和工业 4.0 的采用, 对工业 SMPS 的需求正在上升 适应各种用途 ( 通常是在恶劣的环境条件下, 具有许多不同的任务配置以及工业和医疗设备固有的可用性需求 ) 的要求使得产品可靠性成为工业 SMPS 制造商的主要关注点之一 朝着更高功率密度发展的持续趋势也要求在系统级进行良好的热管理 英飞凌的 7 系列和 CoolSiC 碳化硅二极管 G6 具有出色的质量 无与伦比的能源效率和最佳的性价比, 专为满足该市场的高要求而量身定制 庞大的产品组合使客户能够满足所有工业 SMPS 功率等级, 并能很好地适应最常用的拓扑结构 英飞凌的 CoolGaN HV HEMT 和 CoolSiC MOSFET 650 V 朝着实现最大效率和最大功率密度迈出了下一步 功率等级 PFC 拓扑结构主级拓扑结构产品系列优点 <75 W 反激式 ( 准谐振 ) 700 V P7 800 V P W DCM PFC 标准 W CCM PFC 标准 有源电桥整流 >500 W CCM PFC 标准交叉双 Boost CCM 图腾柱 高压 MOSFET 和 SiC 栅极驱动器 IC 反激式 ( 准谐振 ) LLC 双管正激 半桥全桥 700 V P7 800 V P7 600 V P7 650/ 600 V C7 650/ 600 V CFD7 600 V P7 CoolSiC 肖特基二极管 650 V 600 V S7 650/ 600 V C7 and G7 650/ 600 V CFD7 600 V P7 CoolSiC 二极管 650 V CoolSiC MOSFET 650 V 有源桥整流 600 V S7 CCM,DCM PFC 标准 交叉 双 Boost - EiceDRIVER 2EDi: (2EDSxx65H, 2EDFxx75F) EiceDRIVER 1EDBx275F* 坚固耐用 良好性价比 高能源效率 出色的产品组合粒度 简单利用 最佳的 EMI 性能 坚固耐用 紧固性 CFD7 的快速体二极管 C7 在不同封装达到最低 C7 的最佳效率 CoolSiC 650 V 二极管的最佳 Q c x V f FOM 最大的大功率产品组合 效率更高 最高效率和功率密度 ( 采用 CoolSiC 和 CoolGaN ) 效率更高 提供功能隔离和增强型隔离 低器件间偏差和低通道失配, 实现了空载优化 HV MOSFET 和 SiC 的 4 V 8 V 14 V 输出电源 UVLO 变型 * 即将发布 15

16 工业 太阳能 英飞凌提供有全面的产品组合, 可为太阳能应用提供最佳的效率 功率密度和可靠性 英飞凌凭借其领先技术 ( 例如 SJ MOSFET HighSpeed 3 和 TRENCHSTOP 5 CoolSiC 肖特基二极管 CoolSiC MOSFET 无芯变压器驱动器等 ) 及其丰富经验和最高质量, 确保了我们在太阳能应用领域第一的地位 最新增加的基于 ARM Cortex -M4 的 MCU 可实现简单高效的设计 优化器 W 单电平 / 双电平 / 四电平微型逆变器 W 单相多电平逆变器 <10 kw 单相组串式逆变器标准 <10 kw OptiMOS SuperSO8/DirectFET V OptiMOS SuperSO V OptiMOS SuperSO8/D 2 PAK 150 V MOSFET D 2 PAK/TOLL / V TO-247/D 2 PAK 600 V / 650 V TO-247-3/TO /650 V CoolSiC MOSFET TO-247-3/TO /1200 V SiC 二极管 CoolSiC 肖特基二极管 DPAK 1200 V CoolSiC 肖特基二极管 TO V/1200 V D 2 PAK 650 V CoolSiC 肖特基二极管 TO-220/TO V/1200 V D 2 PAK 650 V IGBT TRENCHSTOP 5 / TRENCHSTOP IGBT6 TO-247-3/TO /650/1200 V Easy 1B/2B 栅极驱动器 IC EiceDRIVER 2EDi 系列 EiceDRIVER 2EDi 产品系列 (2EDSxx65H, 2EDFxx75F), EiceDRIVER 1EDBx275F* 肖特基二极管 BA165 肖特基二极管 辅助电源 CoolSET 800 V 微控制器 XMC1xxx ARM Cortex -M0 XMC45xx ARM Cortex -M4 XMC1xxx ARM Cortex -M0 XMC45xx ARM Cortex -M4 XMC1xxx ARM Cortex -M0 XMC45xx ARM Cortex -M4 XMC1xxx ARM Cortex -M0 XMC45xx ARM Cortex -M4 英飞凌领先的完整太阳能系统产品 Photovoltaic panels MPP tracker DC-DC conversion DC-AC conversion Grid Auxiliary power supply EiceDRIVER... Sensing Energy storage (optional) EiceDRIVER... Sensing EiceDRIVER... Sensing MCU with ARM Cortex -M4 MPPT calculation PWM generation ADC Battery management * 即将发布 16

17 工业 微型逆变器 DC 20 to 90 V 45 V (typ.) PV OptiMOS OptiMOS OptiMOS OptiMOS CoolSiC Schottky diode CoolSiC Schottky diode CoolSiC Schottky diode CoolSiC Schottky diode Grid Gate driver ICs Gate driver ICs Microcontroller power supply MPPT calculation XMC1000/XMC4000 PWM generation ADC 功能块 产品技术 电压等级 [V DS max] 封装 零件编号 MPPT Boost 级 OptiMOS 60 V SuperSO8 BSC028N06NS 2.8 mω 80 V BSC026N08NS5 2.6 mω 120 V BSC190N12NS mω 150 V BSC093N15NS5 9.3 mω BSC160N15NS mω 逆变器级 600 V TO- 无引线 IPT60R102G mω D 2 PAK IPB60R145CDF mω TO247 IPW60R145CFD mω 650 V D 2 PAK IPB65R150CFD mω 650 V TO247 IPW65R150CFD mω CoolSiC S 肖特基二极管 1200 V DPAK IDM02G120C5 2.0 A IDM05G120C5 5.0 A IDM08G120C5 8.0 A 栅极驱动器 IC EiceDRIVER 2Edi 系列 (2EDF7175F 和 2EDF7275F) EiceDRIVER 1ED Compact 微控制器 XMC1000, XMC

18 工业 单相组串式逆变器 H4 拓扑结构 H6 拓扑结构 Boost Inverter Circuit Breaking Boost Inverter < 600 DC (typ.) PV PV CoolSiC Schottky diode /TRENCHSTOP / TRENCHSTOP Sensors Grid 400 DC (typ.) PV PV CoolSiC Schottky diode /TRENCHSTOP Sensors Grid EiceDRIVER EiceDRIVER EiceDRIVER EiceDRIVER PWM PWM Microcontroller power supply MPPT MPPT calculation XMC4000 PWM generation ADC Microcontroller power supply MPPT MPPT calculation XMC4000 PWM generation ADC 逆变器功能块产品类别产品技术封装零件编号 单相 MPPT Boost 级 Si MOSFET 600 V P7 TO247-3 IPW60R037P7 TO247-4 IPZA60R037P7 SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V TO247-4 IMZA65R026M1H TO247-4 IMZA65R046M1H IGBT TRENCHSTOP V TO247-3 IKW40N65H5 二极管 CoolSiC 二极管 650 V TO247 IDW20G65C5 逆变器 Si MOSFET 650 V C7 TO247-3 IPW65R65C7 600 V S7 TO 无引线型 IPT60R022S7 IPT60R040S7 600 V CFD7 TO247-3 IPW60R018CFD7 TO247-3 IPW60R031CFD7 SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 650 V TO247-4 IMZA65R026M1H TO247-4 IMZA65R048M1H IGBT 600 V HighSpeed 3 TO247-3 IKW40N60H3 TRENCHSTOP 5 IGBT 650 V H5 TO247-3 IKW40N65H5 组串式逆变器栅极驱动器 IC 功率器件驱动方法电压等级零件编号 IGBT/SiC MOSFET 单通道 1200 V EiceDRIVER 1ED Compact EiceDRIVER Enhanced 1ED020I12-F2/ 2ED020I12-F2 IGBT/SiC MOSFET 半桥和高端和低端 1200 V EiceDRIVER Enhanced 2ED020I12-F2/FI HV MOSFET/SiC MOSFET 半桥和高端和低端 1200 V EiceDRIVER 2EDi 产品系列 (2EDSxx65H, 2EDFxx75F), EiceDRIVER 1EDBx275F* 用于组串式逆变器的 CoolSET 电压等级 零件编号 800 V ICE3AR2280JZ 650 V ICE3BR1765JZ 用于组串式逆变器的微控制器 拓扑结构 封装 电压等级 技术 微控制器 全部 全部 XMC1000 微控制器电源 线性电压调节器 最高 20 V IFX1763, IFX54441, IFX54211 微控制器 全部 全部 XMC4000 有关英飞凌用于组串式逆变器和中央逆变器的大量模块产品组合, 请访问 : * 即将发布 18

19 消费性电子 TV 电源 越来越多的电视制造商正在使用外部适配器向电视提供直流电源, 以实现低散热和纤薄的设计 英飞凌推出了两款基于数字电源技术的产品, 旨以满足具有物联网功能的电视 ( 嵌入式 PSU 和适配器 ) 的高效率和待机功耗要求 借助数字电源, 我们的客户可以通过灵活的参数设置使数字 IC 参数适应不同的电视和屏幕型号, 从而减少电视电源的数量 最近, 英飞凌推出了基于数字的反激式控制器, 非常适合为电视和显示器安装低功耗适配器 通过数字软开关, 适配器的功率密度可以得到显著提高 新型 600 V P7 的开发涵盖了各种要求出色性能和简单易用性的不同应用 坚固的体二极管适合 PFC Boost 和两种晶体管正激以及在共振拓扑结构 ( 例如 LLC 等 ) 中使用 对于较高的导通电阻 ( ) 等级, 集成式 ESD 二极管的新功能有助于提高制造质量, 并同时在各种拓扑结构中实现高效率 英飞凌专门为电视电源开发了一系列封装, 其特点是引线短 采用 SOT-223 模制塞且爬电距离大, 这些特点使我们的客户能够实现成本效益和可靠的制造 600 V P7 可以提供 : 有竞争力的价格定位 在高压线路以及低压线路中, 效率显著提高 ( 高达 1.8%) 降低了超结设备温度, 可减小应用级的散热 700 V P7 可以提供 : 最佳的性价比 得益于 的温度依赖性和较低的开关损耗, 即使集成式栅极电阻较高, 也可以切换到较高的 等级 与竞争对手的设备相比, 效率更高 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 主级 /PFC combo non-aux 高压 MOSFET DCM PFC, HB LLC 600 V/700 V P7 500 V/600 V CE 控制 IC IDP2308 用于电视嵌入式 PSU 的 PFC-LLC 非辅助数字 IC IDP2303A 用于电视适配器的 PFC-LLC 非辅助数字 IC PFC 升压二极管 DCM PFC 650 V 快速二极管 CCM PFC CoolSiC 肖特基二极管 650 V G5 控制 IC CCM PFC ICs ICE3PCS0xG 主级控制 IC HB LLC ICs ICE1HS01G-1/ICE2HS01G 辅助电源控制 IC QR/FF 反激式 CoolSET 700 V/800 V ICE5QRxx70/80A(Z)(G) 反激式控制 IC 数字 ZVS 反激式 IDP2105 高压 MOSFET 反激式 700 V P7 快速开关速度, 提高了效率 低栅极电荷, 提高了轻载条件下的效率并降低了空载条件下的功耗 优化了 V GS 阈值, 降低了关断损耗 半桥 LLC 应用中的坚固的体二极管 即使在非优化的布局中也可简单控制开关性能 与先前产品相比, 开关损耗降低 具有坚固的体二极管, 可以避免硬换向期间的设备故障 由于高度集成,BOM 数量少 / 系统成本低 待机功耗低 系统可靠性高 开发周期更短, 设计和生产灵活性更高 因为高度集成,BOM 数量少 / 系统成本低 待机功耗低 小外形尺寸设计 系统可靠性高 导通损耗低 反向恢复损耗非常低 高 PFC 和低 THD 高效且 EMI 低 待机功耗低 高效且坚固耐用 强制共振 ZVS 控制可降低开关损耗 多级保护实现了坚固的设计 灵活的固件为 OEM 提供了更多差异化 优化了反激式拓扑结构 最具价格竞争力的 SJ MOSFET 系列 与标准 MOSFET 相比, 开关损耗更低 dv/dt 和 di/dt 受控, 可以获得更好的 EMI 19

20 消费性电子 Charger 适配器和充电器电源 轻薄适配器的制造商需要采用小型封装且具有高成本效益的 MOSFET, 这些 MOSFET 要具有良好的电磁干扰 (EMI) 和出色的散热热性能, 以实现高效率和低待机功耗的目标 英飞凌提供有各种专门为适配器设计的产品, 包括用于 PFC 和 PWM 级的高压 SJ MOSFET 和控制 IC 以及用于同步整流的低压 MOSFET 特别是 P7 系列, 其特点就是具有多种用途 高效 成本得到优化且简单易用 其封装的特点是引线短 IPAK Short Lead 带 ISO 支架的板金铜柱且爬电距离长 - 可以实现具有成本效益的可靠制造, 尤其是针对适配器 使用英飞凌的 SOT-223 高性价比封装可实现 SMT 制造, 同时维持非常好的散热性能, 从而以较低的制造成本实现高功率密度的目标 对于同步整流, 英飞凌的 OptiMOS 系列具有极低的导通电阻并且电容也低 新型控制 IC 支持准谐振反激式和强制频率共振反激式 ( 零电压开关 ) 操作等拓扑结构, 是实现高功率密度适配器并很好地满足 USB-PD 要求的理想选择 600 V P7 技术上最为平衡的 系列 集成齐纳二极管 最高效率 非常简单易用且切换耐用性 有竞争力的价格 出色的产品组合粒度 700 V/800 V/950 V P7 与同类竞争对手技术相比, 具有价格竞争力 支持增大的开关频率以降低磁性 集成齐纳二极管 在以下几方面最适合目标应用 散热和效率 易用程度 满足常见的 EMI 标准 CoolGaN 600 V 出色的性能 最高的功率密度 > 20 W/in³ 600 V PFD7 最小化开关损耗 BOM 成本降低且易于制造 坚固耐用且可靠 集成齐纳二极管 最高 2 kv 静电放电保护 功能块产品种类拓扑结构产品系列优点 反激式逆变器 高压 MOSFET 和 HEMT 反激式 (ACF FFR 等 ) 600 V/700 V/800 V/950 V P7 PFC CoolGaN 600 V 增强模式 HEMT 600 V PFD7 低压 MOSFET 同步整流 OptiMOS PD 控制 IC QR 反激式 IC ICE2QS03G, ICE5QSAG 高压 MOSFET HEMT 和二极管 FFR 反激式 IC XDPS21071 DCM PFC DCM/CCM PFC 600 V/700 V/800 V/950 V P7 CoolGaN 600 V 增强模式 HEMT 升压二极管 DCM/PFC 650 V 快速 1 二极管 控制 IC DCM PFC IC TDA4863G, IRS2505LTRPBF 主级 高压 MOSFET 和 HEMT HB LLC 600 V P7 600 V PFD7S CoolGaN 600 V 增强模式 HEMT 同步整流低压 MOSFET 同步整流 OptiMOS PD 控制 IC 同步整流 IR1161LTRPBF 快速开关速度, 提高了效率和散热 栅极电荷降低, 提高了轻载效率 优化了栅源电压 (V GS ) 阈值, 降低了关断损耗最高效率 最高的功率密度 优化了开关 快速体二极管 集成齐纳二极管 导通损耗低, 过冲减小 逻辑电平可以支持低电平栅极驱动, 以实现高效率 高效且待机功耗低 高功率密度和数字控制 快速开关速度, 提高了效率 栅极电荷降低, 提高了轻载效率 优化了栅源电压 (V GS ) 阈值, 降低了关断损耗通过少许寄生参数实现最高效率 通过 SMD 较小封装节省空间 导通损耗低外部电路简单 高功率因数和低 THD 快速开关速度, 提高了效率和散热 栅极电荷降低, 提高了轻载条件下的效率 优化了栅源电压 (V GS ) 阈值, 降低了关断损耗最高效率 最高的功率密度导通损耗低, 过冲减小 逻辑电平开关 高效率 外部电路简单 20

21 消费性电子 LED 照明 我们英飞凌的关注点就是为 LED 驱动器 LED 管 LED 控件和 LED 灯条提供量身定制的产品 我们的高质量节能产品和解决方案组合包括适用于 LED 驱动器的 LED 驱动器 IC MOSFET 和微控制器以及用于安全通信的传感器和 IC 照明应用在效率 热管理 电涌保护 电磁干扰和成本等方面对电源设计提出了很高的要求 我们的 产品显著降低了导通消耗 开关消耗和驱动消耗, 并使超级功率转换系统实现了高功率密度和高效率 特别是, 最先进的最新一代高压功率 MOSFET 有助于使 LED 驱动器比以往更高效 更紧凑 更轻且温度更低 800 V/950 V P7 SOT-223 中的 P7 600 V P7 在效率 散热和易用性方面均表现出色 支持更高的功率密度设计 节省了 BOM 并降低了组装成本 易于驱动且设计简单 通过减少静电放电相关故障, 提高了产量 将最适合的性能和简单易用的超 结技术与经济高效的封装解决方案结合 SOT-223 用作 DPAK 的简易替换器件 E 在低功耗的设计中实现了空间节约并改善了外形尺寸 凭借出色的换向耐用性, 适于硬 / 软开关 显著降低了开关损耗和导通损耗 在效率和易用性之间达到最佳平衡 LED 驱动器 功能块 产品类型 IC 产品系列 MOSFET 技术 电压等级 PFC 级 PFC IRS2505 P7 600/700/800/950 V 1) 主级 PFC + LCC( 恒定电流 )PFC + LLC( 恒定电流 ) ICL5102 2) P7( 最大 600 mω) 600 V Ce( 大于大于 600 mω) 600 V ICL5102HV P7 950 V C3 900 V PFC + 反激式 ( 双级 ) XDPL8220 3) / XDPL8221 2) P7 700/800/950 V PFC/ 反激式 ( 单级恒定电流 ) XDPL8105 / XDPL8210 P7 800/950 V PFC/ 反激式 ( 单级恒定电压 ) XDPL8218 P7 800/950 V 主 Buck IRS2982 P7 600/700 V Buck/ 线性解决方案 次级 Buck( 单通道 ) 次级 Buck( 多通道 ) ILD6150 / ILD8150 集成式 60/80 V XMC1300 / XMC1400 1) OptiMOS 100/150/200/250/300 V 次级线性 BCR601 OptiMOS 75/100 V 同步整流 同步整流控制器 IR1161 / IR11688 OptiMOS 100/150/200 V 调光 0-10 V 调光接口 IC CDM10V - - CDM10VD - - 基于硬件的安全性 OPTIGA OPTIGA Trust - - MCU XMC 微控制器 XMC 传感器 XENSIV 雷达传感器 IC BGT24LTR ) 700 V 800 V 和 950 V P7 针对 PFC 和反激式拓扑结构进行了优化 600 V P7 适用于硬开关拓扑结构以及软开关拓扑结构 ( 反激式 PFC 和 LLC) 2) PFC 和共振组合控制器 3) PFC 和反激式组合控制器 线性 / 开关模式 LED 驱动器 IC 功能块 拓扑结构 IC 产品系列 MOSFET 技术 电压等级 线性 LED 驱动器 IC 线性 BCR400 系列 集成式 (BCR450 的附加晶体管 ) - BCR602 外部 N 通道 MOSFET 75 /100 V 开关模式 LED 驱动器 IC Buck ILD6000 系列 集成式 - XMC1300/XMC1400* OptiMOS 100/150/200/250/300 V * 包括通信 21

22 消费性电子 音频电源和 D 类放大器 对于音频类 SMPS 解决方案, 英飞凌的 600 V 700 V 和 800 V P7 SJ MOSFET 就是理想的开关类型, 它们可以降低开关 噪声和电压纹波, 并且具有适当的开关频率, 不会产生额外的音频噪声 更高的效率和更少的散热允许更小的外形尺寸设计, 因此 7 更低的成本且更易于集成到扬声器和音响系统中 理论上,D 类音频功放具有零失真和 100% 的效率 实际此比值的减少取决于 PWM 与理想波形形状的接近程度以及器件中功耗的 大小 体二极管的零反向恢复电荷和英飞凌 CoolGaN 400 V 技术的极小线性输入和输出电容使开关波形接近理想的开关器件, 因 此非常适合专业级的音频解决方案 600 V/700 V/800 V P7 可以在保持性能的同时减少总元器件的数量 提高了效率 允许采用更小的外形尺寸 降低了噪音 CoolGaN 400 V 在 D 类功放中的优势效率 :400 V 功率器件的最佳 FOM 噪音极低 : 零反向恢复电荷可实现安静的硬开关小型线性 C oss 可以缩短空载窗口, 以获得更好的 THD 简单易用 : 与 D 类音频控制 IC 兼容 音频电源产品组合 功能块产品种类产品系列优点 主电源高压 MOSFET 600 V/700 V/800 V P7 实现了更高的系统级效率和紧凑性 辅助电源带集成式 MOSFET 的控制 IC PWM FF CoolSET 第 5 代 : ICE5xRxxxxAG ICE5xRxxxxBZS 可调线路输入 OVP( 仅限 SMD) 可调 OLP 可调突发模式进 / 出电平能够禁用突发模式操作 CCM/DCM 100 khz 和 125 khz 控制 IC ICE5ASAG ICE5GSAG 同步整流低压 MOSFET OptiMOS 5 80 V BSC0xxN08NS5 BSZxxxN08NS5 IPP020N08N5 IPB017N08N5 OptiMOS 5 60 V BSC070xLS BSZ070xLS OptiMOS 80 V BSZ0602LS OptiMOS V IPA050N10NM5S 针对同步整流应用进行了微调, 在整个负载范围内, 其效率均高于市场上同类竞争产品 适用于 D 类功放的 CoolGaN 400 V 增强模式 HEMT 产品 封装 P max max. 产品型号 CoolGaN 400 V e-mode HEMTs HSOF-8-3 (TO-leadless) Up to 200 W 70 mω IGT40R070D1 E8220 产品推荐分立音频放大器驱动器 IC IRS209575PBF 22

23 消费性电子 PC 电源 除辅助电源模块实现桌面 SMPS, 从而节省了配置反激式电路的成本 在 PC 电源应用中, 对效率的要求不断提高, 从而导致需要高效设备 英飞凌 7 是为满足轻载效率要求而量身定制的, 该要求在 PC 行业一直是趋势 凭借更高的效率, 可以确保更好的散热性能 通过使用更小的封装, 7 具有改善的外形尺寸, 能够实现更纤薄的设计 特别是我们的 P7 使客户能够实现最 佳的性价比 PFC-PWM with AUX and ICs AC V in PFC V bus Main stage Rectification V out DC 功能块产品种类拓扑结构技术优点 PFC/ 主级高压 MOSFET CrCM/DCM PFC 600 V P7 600 V P6 500 V CE 升压二极管 DCM PFC 650 V Rapid 1 CCM PFC 650 V Rapid 2 CoolSiC 二极管 650 V G6 最好的散热性能 坚固的体二极管 生产线的 ESD 增强 广泛的 产品组合, 包括 THD 和 SMD 封装 快速开关速度, 提高了效率和散热性能 低栅极电荷, 提高了轻载效率并降低了空载条件下的功耗 优化了 V GS 阈值, 降低了关断损耗优化了性价比 与标准 MOSFET 相比, 转换损耗更低 导通损耗低 反向恢复损耗和 PFC 开关导通损耗低 反向恢复损耗极低 控制 IC CCM PFC IC ICE3PCS0xG 高 PFC 和低 THD 主级 控制 IC HB LLC IC 650 V ICE1HS01G-1/ 高效且 EMI 低 ICE2HS01G 同步整流 中压二极管 HB LLC + 中间抽头 OptiMOS 40 V 优化了性价比和低热量 OptiMOS 60 V 布局公差和低热量 23

24 消费性电子 智能电表 在当今技术发达的世界里, 由于传统基于机械能的系统现今依赖于电力, 所以对电能的需求正在增加 主动监控和电力动态定价的增长趋势日趋明显 典型的电表以千瓦时 (kwh) 为单位测量消耗的电能, 主要可分为单相和三相智能电表 现有电表和未来电表应限制自身消耗, 单相电表限制为 4 VA( 约 1.2 W) 或三相电表限制为 8 VA( 约 2.4W) 趋势是从传统的电表供电技术转变为支持现代智能电网功能的智能电表的基于开关模式电源的供电 智能电表 SMPS 的关键特性包括较大的输入电压范围 (60 VAC 至 580 VAC) 和相当低的输出电压 (12 V 5 V 3.3 V) 以及相对较低的 输出功率 (3-15 W) 智能电表 SMPS 的要求包括成本低和元器件数量少 英飞凌最新的 P7 系列, 特别是 700 V/800 V/950 V P7, 可以满足这些要求并确保相对较高的输入电 压 P7 技术的优点是效率高 开关损耗低 质量和可靠性高并具有一流的散热性能, 非常适合该应用 Flyback 反激式 栅地阴地级联反激式 Cascode flyback + + V out V in Flyback controller Flyback controller 功能块产品种类产品系列优点 反激式 HV MOSFET 800/950 V P7 栅地阴地级联反激式 HV MOSFET 700/800/950 V P7 一流的性能 最高效率 出色的散热性能 一流的性能 最高效率 出色的散热性能 用于反激式和栅地阴地级联反激式拓扑的控制器 IC AC-DC PWM 控制器 IC PWM-FF( 固定频率 ) PWM-QR( 准谐振 ) 高可靠性 高效率 24

25 消费性电子 主要家用电器 凭借行业领先的技术和制造专业知识, 英飞凌的家用电器创新元器件系列产品可以满足甚至超过最严苛的可靠性和质量要求 以下空调系统的框图示例以及产品选择表可以为工程师提供有效的建议, 帮助工程师为主要家用电器中的每个电源管理阶段选择正确的元器件 最新的 600 V PFD7 系列树立了 600 V 超结 (SJ) 技术的新基准, 该技术专门用于超高功率密度设计以及低功率电机驱动器 它具有一流的性能和最先进的易用性, 这源于英飞凌 20 多年来在超结技术方面的开拓性创新和经验 Power management Plug Rectification AUX IGBT/MOSFET Driver stage Gate driver ICs M User interface and communication Central control unit MCU AF discretes Sense and monitor Rotor position detection 功能块拓扑结构电压等级技术 / 产品系列选择 / 优点 PFC AC-DC IGBT PFC CCM( 高频 SC) 600 V HighSpeed 3 推荐 IGBT PFC CCM( 低频 SC) 600 V TRENCHSTOP 性能推荐 IGBT PFC CCM( 具有成本竞争力的 无 SC) 650 V TRENCHSTOP 5 H5 推荐 IGBT PFC CCM( 低损耗 - SC) 650 V TRENCHSTOP IGBT6 推荐 IGBT PFC 600 V TRENCHSTOP 高级隔离推荐 IGBT PFC( 高成本竞争力 - 无 SC) 650 V TRENCHSTOP 5 WR5 推荐 MOSFET PFC CCM 600 V P7 编号 二极管 PFC CCM 650 V 快速 1 二极管和快速 2 二极管推荐 控制器 PFC CCM ICE2PCS0xG ICE3PCS0xG 推荐 IPM PFC CCM 650 V CIPOS 迷你 PFC 交叉 IPM 系列, CIPOS PFC 集成式 IPM 系列 低端栅极驱动器 IC-PFC 25 V 单电平低端驱动器 1ED44176N01F 新! DSO-8 中的 OCP 故障和启用功能 双电平低端驱动器 IRS4427S 单电平低端驱动器 IRS44273L DC-AC IGBT B6-VSI 650 V TRENCHSTOP IGBT6 效率 IGBT B6-VSI 600 V RC 快速驱动推荐 MOSFET - B6-VSI 600 V PFD7 性价比 IPM B6-VSI 600 V CIPOS Mini 推荐 推荐 DSO-8 坚固可靠 SOT23-5 坚固可靠 半桥栅极驱动器 IC 650 V 2ED2304S06F 带集成式内置自举二极管的 SOI 半桥栅极驱动器 IC 600 V 2EDL05I06PF 2EDL23I06PJ 2ED28073J 集成式内置自举二极管 /FET 三相栅极驱动器 IC 600 V 6EDL04I06PT IR2136S 6ED003L06-F2 OCP 故障和启用功能 AUX 反激式固定频率 700 V CoolSET F5 推荐 微控制器 / 电机控制 IC 32 位 ARM Cortex -M4 - XMC4100/XMC4200 推荐 imotion IRMCxx 电机控制 IC ( 包括运动控制算法 ) 微控制器电源线性电压调节器最高 20 V IFX1763 IFX54441 IFX54211 IFX3008 效率 通信 CAN 收发器 - IFX1050 IFX1051 IFX1040 坚固耐用 位置检测角度传感器 - TLE5009 TLI5012B 推荐 霍尔开关 - TLI496x 推荐 推荐 25

26 工业应用封装 SJ MOSFET 工业应用封装创新 小体积高性能封装 面向高功率应用的创新型顶部冷却 SMD 解决方案 顶部冷却双 DPAK (DDPAK) 这是第一款面向 PC 电源 太阳能 服务器和电信等高功率 SMPS 应用的顶部冷却表贴式器件 (SMD) 封装 基于 SMD 的 SMPS 设计支持快速开关, 并有助于减少与通用的 TO-220 封装等长引线封装相关的寄生电感 在当今基于 SMD 的设计中, 输出功率受 PCB 材料的热限制所局限, 因为热量必须通过电路板散发 得益于 DDPAK 的顶部冷却理念, 电路板和半导体的热解耦成为可能, 可实现更高的功率密度或改善系统使用寿命 在高功率 SMPS 市场中实现最高效 率和可控性 不对称引线的 TO 引脚 不对称引线的 TO 引脚封装是标准 TO 引脚的优化版本, 可在高功率 SMPS 市场实现最高效率和可控性 第四个引脚用作开尔文源 开关的主电流放置在栅极环路的外部, 并且消除了反馈 这可减少开关损耗, 尤其是在高电流情况下 其次, 由于波形更清晰,EMI 会降低 此外, 不对称引线进一步提高了设计导入流程中的易用性 与标准的 TO 引脚相比, 关键引脚之间的距离已经增加, 从而可以简化波峰焊接并降低电路板产量损失 节省大量空间 ThinPAK 8x8 凭借 64 平方毫米的极小占地面积 ( 而 D²PAK 的占地面积达 150 平方毫米 ) 和仅有 1 毫米的超薄高度 ( 而 D²PAK 高度为 4.4 毫米 ), 用于高压 MOSFET 的 ThinPAK8x8 无铅 SMD 封装是降低功率密度驱动设计中系统尺寸的首选 低寄生电感和独立的 4 引脚开尔文源连接提供最佳效率和易用性 该封装符合 RoHS 标准的无卤塑封材料 针对大功率应用进行了优化 TO- 无引线 结合最新的 C7 Gold (G7) 技术,TO-Leadless (TOLL) 封装是英飞凌 面向高功率 / 大电流 SMD 解决方案的旗舰 SMD 封装 相较于 D 2 PAK 7 引脚,TO-Leadless 的占位面积减少了 30%, 却可提供更好的散热性能 在任何需要最高功率密度的时候, 这个特点以及支持 50% 高度降低的特点都能产生显着的优势 配备 4 引脚开尔文源连接和低寄生电感的封装可提供最佳效率和易用性 该封装符合 MSL1 并可回流焊接 26

27 消费性电子应用封装 SJ MOSFET 消费性电子应用封装创新 满足当今消费者的需求 经济高效的 DPAK 的简易替换器件 SOT-223 无中间引脚的 SOT-223 封装是 DPAK 的经济型替代产品, 可满足价格敏感型应用对于成本降低的需求 此封装的占位面积更小, 同时仍能与 DPAK 的引脚兼容, 因此可以直接替代 DPAK 和第二货源 此外,SOT-223 具有与 DPAK 相当的散热性能, 能, 使客户能够在设计中实现外形尺寸优化或节省空间, 还能保持低功耗 适用于小型纤薄的适配器和充电器 的解决方案 ThinPAK 5x6 与广泛用于充电器和适配器的 DPAK 封装相比,ThinPAK 5x6 可使 PCB 面积减少 52%, 高度减少 54% ThinPAK 5x6 是替代 DPAK 并满足市场需求 ( 体积更小更纤薄设计 ) 的理想设备 ThinPAK 5x6 还可以通过增加 MOSFET 与充电器和适配器盒之间的空间来降低充电器和适配器盒的热点温度 适配器和充电器中降低高度的解决方案 TO-220 FullPAK 窄引线 英飞凌的 TO-220 FullPAK 窄引线可满足客户在适配器和充电器应用中对高度降低的要求 凭借优化的支座宽度和高度以及改进的爬电距离, 该封装可以完全插入 PCB 中, 而没有任何生产问题, 因此特别适用于纤薄和半纤薄的适配器解决方案 增大了开放电源的爬电距离 TO-220 FullPAK 宽爬电距离 此封装解决方案引脚之间的爬电距离从 TO-220 FullPAK 封装的 2.54 毫米增加到 4.25 毫米 其针对的是电视和 PC 电源等开放式框架电源, 灰尘会通过通风孔进入机箱 随着时间的推移, 灰尘颗粒会缩短引脚之间的有效爬电距离, 这可能导致高电压放电 该封装符合开放式框架电源的要求, 且无需任何额外措施 因此, 通过提供常用方法的替代方案来增加爬电距离, 可降低系统成本 27

28 产品组合 产品组合 950 V P7 有源和首选 Charger TO-220 TO-220 FullPAK SOT-223 TO-251 长引线 TO-252 (DPAK) TO-220 Wide creepage ThinPAK 8x8 D 2 PAK 450 IPA95R450P7 IPU95R450P7 IPD95R450P7 750 IPA95R750P7 IPU95R750P7 IPD95R750P IPA95R1K2P7 IPN95R1K2P7 IPU95R1K2P7 IPD95R1K2P IPN95R2K0P7 IPU95R2K0P7 IPD95R2K0P IPN95R3K7P7 IPU95R3K7P7 900 V C3 有源 TO-220 TO-262 (I 2 PAK) TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 120 IPW90R120C3 340 IPP90R340C3 IPI90R340C3 IPB90R340C3 IPA90R340C3 IPW90R340C3 500 IPI90R500C3 IPA90R500C3 IPW90R500C3 800 IPP90R800C3 IPA90R800C IPP90R1K0C3 IPA90R1K0C IPP90R1K2C3 IPI90R1K2C3 IPA90R1K2C3 IPD90R1K2C3 800 V P7 有源和首选 TO -220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) SOT-223 TO-220 FullPAK narrow lead ThinPAK 5x6* 280 IPP80R280P7 IPA80R280P7 IPW80R280P7 IPD80R280P7 IPAN80R280P7 360 IPP80R360P7 IPA80R360P7 IPW80R360P7 IPD80R360P7 IPAN80R360P7 450 IPP80R450P7 IPA80R450P7 IPD80R450P7 IPAN80R450P7 600 IPP80R600P7 IPA80R600P7 IPD80R600P7 IPU80R600P7 IPS80R600P7 IPN80R600P7 IPLK80R600P7* 750 IPP80R750P7 IPA80R750P7 IPD80R750P7 IPU80R750P7 IPS80R750P7 IPN80R750P7 IPLK80R750P7* 900 IPP80R900P7 IPA80R900P7 IPD80R900P7 IPU80R900P7 IPS80R900P7 IPN80R900P7 IPLK80R900P7* 1200 IPP80R1K2P7 IPA80R1K2P7 IPD80R1K2P7 IPU80R1K2P7 IPS80R1K2P7 IPN80R1K2P7 IPLK80R1K2P7* 1400 IPP80R1K4P7 IPA80R1K4P7 IPD80R1K4P7 IPU80R1K4P7 IPS80R1K4P7 IPN80R1K4P7 IPLK80R1K4P7* 2000 IPD80R2K0P7 IPU80R2K0P7 IPS80R2K0P7 IPN80R2K0P7 IPLK80R2K0P7* 2400 IPD80R2K4P7 IPU80R2K4P7 IPS80R2K4P7 IPN80R2K4P IPD80R3K3P7 IPU80R3K3P7 IPN80R3K3P IPD80R4K5P7 IPU80R4K5P7 IPN80R4K5P7 * 即将发布

29 产品组合 800 V CE 有源 TO-220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 310 IPA80R310CE 460 IPA80R460CE 650 IPA80R650CE 1000 IPA80R1K0CE IPD80R1K0CE IPU80R1K0CE 1400 IPA80R1K4CE IPD80R1K4CE 2800 IPD80R2K8CE TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) 800 V C3 有源 TO-220 TO-262 (I 2 PAK) TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 85 SPW55N80C3 290 SPP17N80C3 SPB17N80C3 SPA17N80C3 SPW17N80C3 450 SPP11N80C3 SPA11N80C3 SPW11N80C3 650 SPP08N80C3 SPA08N80C3 900 SPP06N80C3 SPA06N80C3 SPD06N80C SPP04N80C3 SPA04N80C3 SPD04N80C SPA02N80C3 SPD02N80C3 700 V P7 有源和首选 Charger TO -220 TO 262 (I 2 PAK) TO-251 (IPAK Short Lead) TO-220 FullPAK ThinPAK 5x6 TO-252 (DPAK) TO-220 FullPAK narrow lead TO-251 (IPAK Short Lead, 带 ISO 支架 ) 360 IPS70R360P7S IPA70R360P7S IPD70R360P7S IPAN70R360P7S IPSA70R360P7S IPN70R360P7S 450 IPA70R450P7S IPAN70R450P7S IPSA70R450P7S IPN70R450P7S 600 IPS70R600P7S IPA70R600P7S IPLK70R600P7 IPD70R600P7S IPAN70R600P7S IPSA70R600P7S IPN70R600P7S 750 IPA70R750P7S IPLK70R750P7 IPAN70R750P7S IPSA70R750P7S IPN70R750P7S 900 IPS70R900P7S IPA70R900P7S IPLK70R900P7 IPD70R900P7S IPAN70R900P7S IPSA70R900P7S IPN70R900P7S 1200 IPLK70R1K2P7 IPSA70R1K2P7S IPN70R1K2P7S 1400 IPS70R1K4P7S IPLK70R1K4P7 IPD70R1K4P7S IPSA70R1K4P7S IPN70R1K4P7S 2000 IPLK70R2K0P7 IPSA70R2K0P7S IPN70R2K0P7S SOT V CE 有源 Charger TO-220 TO-220 FullPAK Wide Creepage TO-262 (I 2 PAK) TO-251 (IPAK Short Lead, 带 ISO 支架 ) TO-252 (DPAK) 600 IPAW70R600CE IPSA70R600CE IPD70R600CE TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) 950 IPAW70R950CE IPI70R950CE IPSA70R950CE IPD70R950CE IPS70R950CE 1000 IPN70R1K0CE 1400 IPSA70R1K4CE IPD70R1K4CE IPS70R1K4CE 1500 IPN70R1K5CE 2000 IPSA70R2K0CE IPD70R2K0CE IPS70R2K0CE 2100 IPN70R2K1CE SOT

30 产品组合 650 V C7 Gold(G 系列 ) 有源和首选 TO -220 TO- 无引线 (TOLL) TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO-247 TO -252 (DPAK) 33 IPT65R033G7 105 IPT65R105G7 195 IPT65R195G7 650 V C7 有源和首选 TO-220 TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO 引脚 TO-247 TO-252 (DPAK) 19 IPW65R019C7 IPZ65R019C7 45 IPP65R045C7 IPB65R045C7 IPA65R045C7 IPW65R045C7 IPZ65R045C7 65 IPP65R065C7 IPB65R065C7 IPA65R065C7 IPW65R065C7 IPZ65R065C7 70 IPL65R070C7 95 IPP65R095C7 IPB65R095C7 IPA65R095C7 IPW65R095C7 IPZ65R095C7 99 IPL65R099C7 125 IPP65R125C7 IPB65R125C7 IPA65R125C7 IPW65R125C7 130 IPL65R130C7 190 IPP65R190C7 IPB65R190C7 IPA65R190C7 IPW65R190C7 IPD65R190C7 195 IPL65R195C7 225 IPP65R225C7 IPB65R225C7 IPA65R225C7 IPD65R225C7 230 IPL65R230C7 ThinPAK 8x8 Charger 650 V CE 有源 TO-220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) 400 IPA65R400CE IPD65R400CE IPS65R400CE SOT-223 TO-220 FullPAK Narrow Lead 650 IPA65R650CE IPD65R650CE IPS65R650CE IPAN65R650CE 1000 IPA65R1K0CE IPD65R1K0CE IPS65R1K0CE 1500 IPA65R1K5CE IPD65R1K5CE IPN65R1K5CE 650 V CFD2 有源 TO-220 TO-262 (I 2 PAK) TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 41 IPW65R041CFD 80 IPW65R080CFD 110 IPP65R110CFD IPB65R110CFD IPA65R110CFD IPW65R110CFD 150 IPP65R150CFD IPB65R150CFD IPA65R150CFD IPW65R150CFD ThinPAK 8x8 165 IPL65R165CFD 190 IPP65R190CFD IPI65R190CFD IPB65R190CFD IPA65R190CFD IPW65R190CFD 210 IPL65R210CFD 310 IPP65R310CFD IPB65R310CFD IPA65R310CFD 340 IPL65R340CFD 420 IPP65R420CFD IPA65R420CFD IPW65R420CFD IPD65R420CFD 660 IPA65R660CFD IPD65R660CFD 950 IPD65R950CFD 1400 IPD65R1K4CFD

31 产品组合 600 V S7 有源和首选 TO -220 TO-Leadless (TOLL) 22 IPP60R022S7 IPT60R022S7 40 IPT60R040S7 65 IPT60R065S7 600 V P7 有源和首选工业等级 Charger TO -220 TO-220 FullPAK TO 引脚 TO-247 不对称引线 24 IPW60R024P7 IPZA60R024P7 37 IPW60R037P7 IPZA60R037P7 TO-252 (DPAK) TO-220 FullPAK Wide Creepage ThinPAK 8x8 45 IPW60R045P7 IPZA60R045P7 IPB60R045P7 60 IPP60R060P7 IPA60R060P7 IPW60R060P7 IPZA60R060P7 IPB60R060P7 65 IPL60R065P7 80 IPP60R080P7 IPA60R080P7 IPW60R080P7 IPZA60R080P7 IPL60R085P7 IPB60R080P7 99 IPP60R099P7 IPA60R099P7 IPW60R099P7 IPZA60R099P7 IPB60R099P7 105 IPL60R105P7 120 IPP60R120P7 IPA60R120P7 IPW60R120P7 IPZA60R120P7 IPB60R120P7 125 IPL60R125P7 160 IPP60R160P7 IPA60R160P7 180 IPP60R180P7 IPA60R180P7 IPW60R180P7 IPZA60R180P7 IPD60R180P7 IPB60R180P7 185 IPL60R185P7 280 IPP60R280P7 IPA60R280P7 IPD60R280P7 IPB60R280P7 285 IPL60R285P7 360 IPP60R360P7 IPA60R360P7 IPD60R360P7 IPB60R360P7 365 IPL60R365P7 600 IPP60R600P7 IPA60R600P7 IPD60R600P7 D 2 PAK 600 V P7 有源和首选标准等级 Charger TO -220 TO-220 FullPAK TO-220 FullPAK Narrow lead 4 引脚 TO-247 TO-252 (DPAK) TO-220 FullPAK Wide Creepage 180 IPA60R180P7S IPAN60R180P7S IPD60R180P7S IPAW60R180P7S 280 IPA60R280P7S IPAN60R280P7S IPD60R280P7S IPAW60R280P7S ThinPAK 8x8 360 IPA60R360P7S IPAN60R360P7S IPD60R360P7S IPAW60R360P7S IPN60R360P7S 600 IPA60R600P7S IPAN60R600P7S IPD60R600P7S IPAW60R600P7S IPN60R600P7S SOT V CFD7 有源和首选 TO-220 TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 18 IPW60R018CFD7 24 IPW60R024CFD7 ThinPAK 8x8 DDPAK TO-Leadless (TOLL) 31/35 IPW60R31CFD7 IPT60R035CFD7* 40/45 IPB60R040CFD7 IPW60R40CFD7 IPDD60R045CFD7* IPT60R045CFD7* 55 IPB60R055CFD7 IPW60R55CFD7 IPDD60R055CFD7* IPT60R055CFD7* 60 IPL60R060CFD7 70 IPP60R70CFD7 IPB60R070CFD7 IPW60R70CFD7 75 IPL60R75CFD7 IPDD60R075CFD7* IPT60R075CFD7* 90/95 IPP60R90CFD7 IPB60R090CFD7 IPW60R90CFD7 IPL60R095CFD7 IPDD60R090CFD7* IPT60R090CFD7* 105/115 IPP60R105CFD7 IPB60R105CFD7 IPW60R105CFD7 IPL60R115CFD7 IPDD60R105CFD7* IPT60R105CFD7* 125/140 IPP60R125CFD7 IPB60R125CFD7 IPA60R125CFD7 IPW60R125CFD7 IPL60R140CFD7 IPDD60R125CFD7* IPT60R125CFD7* 145/160 IPP60R145CFD7 IPB60R145CFD7 IPA60R145CFD7 IPW60R145CFD7 IPD60R145CFD7 IPL60R160CFD7 IPDD60R145CFD7* IPT60R145CFD7* 170 IPP60R170CFD7 IPB60R170CFD7 IPA60R170CFD7 IPW60R170CFD7 IPD60R170CFD7 IPDD60R170CFD7* 185 IPL60R185CFD7 210/225 IPP60R210CFD7 IPB60R210CFD7 IPA60R210CFD7 IPD60R210CFD7 IPL60R225CFD7 280 IPP60R280CFD7 IPB60R280CFD7 IPA60R280CFD7 IPD60R280CFD7 360 IPP60R360CFD7 IPB60R360CFD7 IPA60R360CFD7 IPD60R360CFD7 * 即将发布 31

32 产品组合 600 V C7 Gold(G 系列 ) 有源和首选 TO -220 TO- 无引线 (TOLL) 28 IPT60R028G7 TO-220 FullPAK TO 引脚 TO-247 双 DPAK ThinPAK 8x8 50 IPT60R050G7 IPDD60R050G7 80 IPT60R080G7 IPDD60R080G7 102 IPT60R102G7 IPDD60R102G7 125 IPT60R125G7 IPDD60R125G7 150 IPT60R150G7 IPDD60R150G7 190 IPDD60R190G7 600 V C7 有源和首选 TO-220 TO-263 (D 2 PAK) TO-220 FullPAK TO 引脚 TO-247 TO-252 (DPAK) 17 IPW60R017C7 IPZ60R017C7 ThinPAK 8x8 40 IPP60R040C7 IPB60R040C7 IPW60R040C7 IPZ60R040C7 60 IPP60R060C7 IPB60R060C7 IPA60R060C7 IPW60R060C7 IPZ60R060C7 65 IPL60R065C7 99 IPP60R099C7 IPB60R099C7 IPA60R099C7 IPW60R099C7 IPZ60R099C7 104 IPL60R104C7 120 IPP60R120C7 IPB60R120C7 IPA60R120C7 IPW60R120C7 125 IPL60R125C7 180 IPP60R180C7 IPB60R180C7 IPA60R180C7 IPW60R180C7 IPD60R180C7 185 IPL60R185C7 600 V P6 有源 TO-220 TO-220 FullPAK TO 引脚 TO-247 TO-252 (DPAK) ThinPAK 5x6 ThinPAK 8x8 41 IPW60R041P6 70 IPW60R070P6 IPZ60R070P6 99 IPP60R099P6 IPA60R099P6 IPW60R099P6 IPZ60R099P6 125 IPP60R125P6 IPA60R125P6 IPW60R125P6 160 IPP60R160P6 IPA60R160P6 IPW60R160P6 180 IPL60R180P6 190 IPP60R190P6 IPA60R190P6 IPW60R190P6 210 IPL60R210P6 230 IPA60R230P IPP60R280P6 IPA60R280P6 IPW60R280P6 330/360 IPL60R360P6S 380 IPA60R380P6 IPD60R380P6 600 IPA60R600P6 IPD60R600P6 650 IPL60R650P6S

33 产品组合 Charger 600 V PFD7 有源和首选 TO-220 FullPAK Narrow Lead 125 IPAN60R125PFD7S TO-251 (IPAK Short Lead) 210 IPAN60R210PFD7S IPS60R210PFD7S IPD60R210PFD7S 280 IPAN60R280PFD7S IPS60R280PFD7S IPD60R280PFD7S 360 IPAN60R360PFD7S IPS60R360PFD7S IPD60R360PFD7S IPN60R360PFD7S IPLK60R360PFD7 600 IPS60R600PFD7S IPD60R600PFD7S IPN60R600PFD7S IPLK60R600PFD IPS60R1K0PFD7S IPD60R1K0PFD7S IPN60R1K0PFD7S IPLK60R1K0PFD IPD60R1K5PFD7S IPN60R1K5PFD7S IPLK60R1K5PFD7 TO-252 (DPAK) 2000 IPD60R2K0PFD7S IPN60R2K0PFD7S SOT-223 ThinPAK 5x6 600 V CE 有源 Charger TO-220 FullPAK TO-220 FullPAK Wide Creepage 190 IPAW60R190CE 280 IPAW60R280CE 380 IPAW60R380CE TO-247 TO-252 (DPAK) TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) 400 IPA60R400CE IPD60R400CE IPS60R400CE 460 IPA60R460CE IPD60R460CE IPS60R460CE 600 IPAW60R600CE SOT-223 TO-220 FullPAK Narrow Lead 650 IPA60R650CE IPD60R650CE IPS60R650CE IPAN60R650CE 800 IPD60R800CE IPS60R800CE IPAN60R800CE 1000 IPA60R1K0CE IPD60R1K0CE IPU60R1K0CE IPS60R1K0CE IPN60R1K0CE 1500 IPA60R1K5CE IPD60R1K5CE IPU60R1K5CE IPS60R1K5CE IPN60R1K5CE 2100 IPD60R2K1CE IPU60R2K1CE IPS60R2K1CE IPN60R2K1CE 3400 IPD60R3K4CE IPS60R3K4CE IPN60R3K4CE 500 V CE 有源和首选 TO-220 TO-220 FullPAK TO-247 TO-252 (DPAK) 190 IPP50R190CE IPA50R190CE 280 IPP50R280CE IPA50R280CE IPD50R280CE 380 IPP50R380CE IPA50R380CE IPD50R380CE TO-251 (IPAK) TO-251 (IPAK Short Lead) SOT-223 TO-220 FullPAK Narrow Lead 500 IPA50R500CE IPD50R500CE IPAN50R500CE 650 IPD50R650CE IPN50R650CE 800 IPA50R800CE IPD50R800CE IPN50R800CE 950 IPA50R950CE IPD50R950CE IPN50R950CE 1400 IPD50R1K4CE IPN50R1K4CE 2000 IPD50R2K0CE IPN50R2K0CE 3000 IPD50R3K0CE IPN50R3K0CE

34 产品组合 SJ MOSFET 汽车产品组合 800 V C3A T J = 25 C V GS = 10 V TO-247 TO-252 TO IPW80R290C3A IPB80R290C3A 2700 IPD80R2K7C3A 650 V CFDA T J = 25 C V GS = 10 V TO-220 TO-247 TO-252 TO IPW65R048CFDA 80 IPW65R080CFDA 110 IPP65R110CFDA IPW65R110CFDA IPB65R110CFDA 150 IPP65R150CFDA IPW65R150CFDA IPB65R150CFDA 190 IPP65R190CFDA IPW65R190CFDA IPB65R190CFDA 310 IPP65R310CFDA IPB65R310CFDA 420 IPD65R420CFDA 660 IPD65R660CFDA IPB65R660CFDA

35 产品组合 650 V CFD7A T J = 25 C V GS = 10 V TO-220 TO-247 TO-247 Short lead TO D²PAK 3-pin TO D²PAK 7-pin 22 IPW65R022CFD7A* IPWS65R022CFD7A* 35 IPW65R035CFD7A IPWS65R035CFD7A* 50 IPP65R050CFD7A IPW65R050CFD7A IPWS65R050CFD7A* IPB65R050CFD7A IPBE65R050CFD7A 75 IPW65R075CFD7A IPWS65R075CFD7A* IPBE65R075CFD7A 99 IPP65R099CFD7A IPW65R099CFD7A IPB65R099CFD7A IPBE65R099CFD7A 115 IPP65R115CFD7A IPW65R115CFD7A IPB65R115CFD7A IPBE65R115CFD7A 145 IPW65R145CFD7A* IPBE65R145CFD7A* 190 IPP65R190CFD7A* IPW65R190CFD7A* IPB65R190CFD7A* IPBE65R190CFD7A* 230 IPB65R230CFD7A IPBE65R230CFD7A * 即将发布 600 V CPA T J = 25 C V GS = 10 V TO-220 TO-247 TO-262 TO IPW60R045CPA 75 IPW60R075CPA 99 IPP60R099CPA IPW60R099CPA IPI60R099CPA IPB60R099CPA 199 IPB60R199CPA 299 IPB60R299CPA

36 产品组合 CoolSiC 产品组合 CoolSiC MOSFET Gen1 有源和首选 max. 最大值 typ. 典型值 TO pin IMZA65R027M1H IMW65R027M1H IMZA65R048M1H IMW65R048M1H IMZA65R072M1H IMW65R072M1H IMZA65R107M1H IMW65R107M1H TO-247 CoolSiC 肖特基二极管 650 V G6 有源和首选 I F [A] TO-220 R2L TO-247 双晶片 TO-247 Double DPAK D 2 PAK R2L ThinPAK 8x8 4 IDH04G65C6 IDDD04G65C6 6 IDH06G65C6 IDDD06G65C6 8 IDH08G65C6 IDDD08G65C6 10 IDH10G65C6 IDDD10G65C6 12 IDH12G65C6 IDDD12G65C6 16 IDH16G65C6 IDDD16G65C6 20 IDH20G65C6 IDDD20G65C6 CoolSiC 肖特基二极管 650 V G5 有源 I F [A] TO-220 R2L TO-247 双晶片 TO-247 D 2 PAK R2L ThinPAK 8x8 2 IDH02G65C5 IDK02G65C5 IDL02G65C5 3 IDH03G65C5 IDK03G65C5 4 IDH04G65C5 IDK04G65C5 IDL04G65C5 5 IDH05G65C5 IDK05G65C5 6 IDH06G65C5 IDK06G65C5 IDL06G65C5 8 IDH08G65C5 IDK08G65C5 IDL08G65C5 9 IDH09G65C5 IDK09G65C5 10 IDH10G65C5 IDW10G65C5 IDK10G65C5 IDL10G65C5 12 IDH12G65C5 IDW12G65C5 IDK12G65C5 IDL12G65C5 16 IDH16G65C5 IDW16G65C5 20 IDH20G65C5 IDW20G65C5B IDW20G65C5 24 IDW24G65C5B 30/32 IDW32G65C5B IDW30G65C5 40 IDW40G65C5B IDW40G65C5 CoolSiC 肖特基二极管 650 V G3 有源 I F [A] TO-220 R2L TO-247 双晶片 TO-247 DPAK R2L D 2 PAK ThinPAK 8x8 3 IDH03SG60C IDD03SG60C 4 IDH04SG60C IDD04SG60C 5 IDH05SG60C IDD05SG60C 6 IDH06SG60C IDD06SG60C 8 IDH08SG60C IDD08SG60C 9 IDH09SG60C IDD09SG60C 10 IDH10SG60C IDD10SG60C 12 IDH12SG60C IDD12SG60C 36

37 产品组合 CoolGaN 产品组合 CoolGaN 400 V 增强模式 HEMT P max 高达 200 W HSOF-8-3 (TO- 无引线 ) max. 典型的零件编号 70 Ω IGT40R070D1 E8220 CoolGaN 600 V 增强模式 HEMT ** Charger max. DSO 底部冷却 DSO 顶部冷却 42 IGO60R042D1** IGOT60R042D1** IGT60R042D1** HSOF-8-3 (TO- 无引线 ) LSON-8-1 DFN 8 x 8 70 IGO60R070D1 IGOT60R070D1 IGT60R070D1 IGLD60R070D1 190 IGT60R190D1S* IGLD60R190D1 * 标准等级 ** 即将发布 37

38 产品组合 EiceDRIVER 产品组合 1EDN EiceDRIVER 产品组合 封装 UVLO 可订购部件号引脚分配 4 V 1EDN7511BXUSA1 VDD 1 6 IN+ SOT-23 6 引脚 8 V 1EDN8511BXUSA1 OUT_SRC OUT_SNK 2 3 1EDN 5 4 IN- GND VDD 1 5 OUT SOT-23 5 引脚 4 V 1EDN7512BXTSA1 GND IN EDN 4 IN- IN- 1 6 IN+ WSON 6 引脚 4 V 1EDN7512GXTMA1 GND 2 1EDN 5 OUT GND 3 4 VDD 2EDN EiceDRIVER 产品组合 封装 UVLO 输入可订购部件号行业标准引脚配置 Direct 2EDN7524FXTMA1 4 V 逆变 2EDN7523FXTMA1 DSO 8 引脚 Direct 2EDN7424FXTMA1 8 V Direct 逆变 2EDN8524FXTMA1 2EDN8523FXTMA1 ENA 1 8 ENB TSSOP 8 引脚 4 V 8 V Direct 逆变 Direct Direct 逆变 2EDN7524RXUMA1 2EDN7523RXUMA1 2EDN7424RXUMA1 2EDN8524RXUMA1 2EDN8523RXUMA1 INA GND INB EDN OUTA VDD OUTB Direct 2EDN7524GXTMA1 WSON 8 引脚 4 V 逆变 2EDN7523GXTMA1 带真差分输入的 1EDN7550 和 1EDN8550 EiceDRIVER (TDI) 产品组合 封装 UVLO 在地面上移动时坚固耐用产品名称行业标准引脚配置 动态 静态 4 V ± 150 V ± 70 V 1EDN7550B IN- 1 6 OUT_SNK SOT-23 6 引脚 8 V ± 150 V ± 70 V 1EDN8550B GND IN+ 1EDN7511B 2 1EDN8511B OUT_SRC VDD 2EDS8xx5H 和 2EDF72x5x EiceDRIVER (2EDi) 产品组合 封装 UVLO 隔离 ( 输入到输出 ) 输出电流 ( 输出输入 ) 可订购部件号 16 引脚 DSO 150-mil 4 V 1.5 kv peak 4 A / 8 A 2EDF7275FXUMA1 V IOTM = 6 kv peak (VDE ) 2EDS8255HXUMA1 4 A / 8 A V IOTM = 6 kv peak (VDE ) 2EDS8265HXUMA1 16 引脚 DSO 300-mil 8 V V IOTM = 6 kv peak (VDE ) 2EDS8155HXUMA1 1 A / 2 A VI OTM = 6 kv peak (VDE ) 2EDS8165HXUMA1 13 引脚 LGA (5x5 mm) 4 V 1.5 kv peak 4 A / 8 A 2EDF7275KXUMA1 4 A / 8 A 2EDF7235KXUMA

39 产品组合 GaN EiceDRIVER 系列产品组合 产品型号 封装 输入到输出隔离 传播时延精度 标准高电平 ( 输出 ) 输出电阻 标准低电平 ( 输入 ) 输出电阻 可订购部件号 隔离类型等级浪涌测试认证 1EDF5673K LGA, 13 引脚 5x5 mm 功能 V IO = 1.5 kv DC 不适用不适用 -6 ns/+7 ns 0.85 Ω 0.35 Ω 1EDF5673KXUMA1 1EDF5673F DSO, 16 引脚 150 mil 功能 V IO = 1.5 kv DC 不适用不适用 -6 ns/+7 ns 0.85 Ω 0.35 Ω 1EDF5673FXUMA1 1EDS5663H DSO, 16 引脚 300 mil 增强型 V IOTM = 8 kv pk V ISO = 5.7 kv rms V ISOM > 10 kv pk VDE UL ns/+7 ns 0.85 Ω 0.35 Ω 1EDS5663HXUMA1 650 V SiC MOSFET EiceDRIVER 系列产品组合 产品型号 封装 输入到输出隔离 输出电流 ( 输出输入 ) V ISO UVLO 可订购部件号 1EDB7275F* DSO, 8 引脚 150 mil 3000 V RMS (UL1577) 4 A/8 A 3 kv rms 4 V 1EDB7275FXUMA1 1EDB8275F* DSO, 8 引脚 150 mil 3000 V RMS (UL1577) 4 A/8 A 3 kv rms 8 V 1EDB8275FXUMA1 1EDB9275F* DSO, 8 引脚 150 mil 3000 V RMS (UL1577) 4 A/8 A 3 kv rms 14 V 1EDB9275FXUMA1 * 即将发布 39

40 Where to buy Infineon distribution partners and sales offices: Service hotline Infineon offers its toll-free 0800/4001 service hotline as one central number, available 24/7 in English, Mandarin and German. Germany (German/English) China, mainland (Mandarin/English) India (English) USA (English/German) Other countries... 00* (English/German) Direct access (interconnection fee, German/English) * Please note: Some countries may require you to dial a code other than 00 to access this international number. Please visit for your country! Mobile product catalog Mobile app for ios and Android. Published by Infineon Technologies Austria AG 9500 Villach, Austria 2020 Infineon Technologies AG. All Rights Reserved. Document number: B152-I0955-V1-5D00-AP-EC-P Date: 05 / 2020 Please note! THIS DOCUMENT IS FOR INFORMATION PURPOSES ONLY AND ANY INFORMATION GIVEN HEREIN SHALL IN NO EVENT BE REGARDED AS A WARRANTY, GUARANTEE OR DESCRIPTION OF ANY FUNCTIONALITY, CONDITIONS AND/OR QUALITY OF OUR PRODUCTS OR ANY SUITABILITY FOR A PARTICULAR PURPOSE. WITH REGARD TO THE TECHNICAL SPECIFICATIONS OF OUR PRODUCTS, WE KINDLY ASK YOU TO REFER TO THE RELEVANT PRODUCT DATA SHEETS PROVIDED BY US. OUR CUSTOMERS AND THEIR TECHNICAL DEPAR ENTS ARE REQUIRED TO EVALUATE THE SUITABILITY OF OUR PRODUCTS FOR THE INTENDED APPLICATION. WE RESERVE THE RIGHT TO CHANGE THIS DOCUMENT AND/OR THE INFORMATION GIVEN HEREIN AT ANY TIME. Additional information For further information on technologies, our products, the application of our products, delivery terms and conditions and/or prices, please contact your nearest Infineon Technologies office ( Warnings Due to technical requirements, our products may contain dangerous substances. For information on the types in question, please contact your nearest Infineon Technologies office. Except as otherwise explicitly approved by us in a written document signed by authorized representatives of Infineon Technologies, our products may not be used in any lifeendangering applications, including but not limited to medical, nuclear, military, life-critical or any other applications where a failure of the product or any consequences of the use thereof can result in personal injury.