Infineon & JCET L&M Power Marketing Jingchuan Electronic 2010 Jingchuan Electronic
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1 Infineon & JCET L&M Power Marketing 2010
2 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010
3 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010
4 充电桩市场概况 市场 2010
5 充电桩市场概况 政策 2014 年 p 国家发改委正式下发 关于电动汽车用电价格政策有关问题的通知 2015 年 p 国务院办公厅关于加快电动汽车充电基础设施建设的指导意见 p 电动汽车充电基础设施发展指南 ( ) p 电动汽车充电接口及通信协议等 5 项国家标准发布 2016 年 p 新能源汽车废旧动力蓄电池综合利用行业规范条件 p 新能源汽车废旧动力蓄电池综合利用行业规范公告管理暂行办法 2017 年 p 加快单位内部电动汽车充电基础设施建设 p 2017 年能源工作指导意见 各级政府充电设施的补贴政策颁布 地方政策的区域划分以及目标 p 加快发展 :7400 座充电站,250 万个充电桩 p 示范推广 :4300 个充电站,220 万个充电桩 p 积极促进 :400 个充电站,10 万个充电桩 直流充电桩市场已经开始高速发展 2010
6 直流充电桩市场概况 技术 直流充电桩趋势 : p 价格压力巨大 0.28 元 /w 元 /w 元 /w, 甚至可能到 0.15 元 /w p 功率密度更大, 更小, 更轻 p 转换效率更高 95%---97%---98% 两种方式 : p 直流快速充电桩市场主流应用有单相 6KW 和三相 15KW 两种规格的充电桩模块, 通过多机并联实现需要范围内的功率输出 p 单个充电桩做到 60KW 220KW 左右 现方案的几个新特点 : p 提高输出功率 ( 缩短充电时间 ) --6KW 10KW,15KW 20KW p 提高功率密度 ( 充电站尺寸是固定的 ): ---- 提高开关频率, 以缩小无源组件 输入电感和隔离变压器尺寸 p 提高效率 ( 运营商的需求 ) 15kW 满载效率 92% -> 95% 以上, LLC 软开关技术 降低功耗, SIC 二极管产品 延长电解电容器寿命, 三电平拓扑, 系统多重化, 软件载波相移技术 减少散热器, 提高功率密度, 高效材料, 高结温 IGBT 模块 提高可靠性 2010
7 直流充电桩技术发展趋势 充电站逐渐转向超大功率充电堆方式, p 直流充电模块由目前的 15KW 升级到 30KW, 后续会不会升级到 60KW? p 充电堆根据充电车辆数量自动分配功率 充电桩模块的功率密度提高 p 维护方便, 单人操作 p 高压大电流器件得到重用 p SIC MOSFET 会是下一步需求 光充储 充放电一体化 p 光伏 充电 储能三者组合, 正如 PowerWall p 电能在光伏电池板 电动汽车 电网 储能电池四者之间自由地流动 p 充电站的电能应用更加灵活多变 共享充电 免费充电 p 充电桩也将采用互联网的共享模式 无线充电技术大力发展 p 方便, 便捷 2010
8 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010
9 三相充电模块系统架构 三相 PFC 功率因数校正 400~8 00 Vdc DC/DC 逆变单元 小车 : 200~450V dc 大巴 : 400~750V dc 2010
10 Infineon 整体方案 单相拓扑 单相半控整流 (10KHZ-40KHZ) H 桥 LLC DC/DC (~100KHZ-150KHZ) 功能推荐产品推荐产品介绍 PFC IGBT 单管 SIC 二极管 IKW40N65H5,IKW50N65EH5,IKW75N65EH5 IDWxxG65C5B (10A~40A/650V) DC-DC MOSFET/IGBT 采用 IKW75N65NH5 或者 MOSFET 的 CFD 产品 (IPW65R041CFD) 驱动 IC PFC 驱动 1EDI20I12AF/AH DC/DC 驱动 2EDLxx 系列 ( 双通道 ),1EDI20I12MF/MH,1ED020I12-F2 MCU PFC 控制 Cotex-M0 核的 ARM 产品,XMC1100/XMC1400 DC/DC 控制 Cotex-M4 核的 ARM 产品,XMC4300,XMC4800(ETHERCAT, 工业 4.0) SMPS COOLSET 第五代集成输出 MOSFET 准谐振开关电源控制芯片 ICE5QR1680Z 2010
11 Infineon 整体方案 三相三电平 AC Input 三相 Vienna PFC (20KHZ-70KHZ) LLC DC/DC (~100KHZ-150KHZ) B A T T E R y 功能推荐产品推荐产品介绍 PFC IGBT 单管 SIC 二极管 IKW50N65EH5,IKW75N65EH5 IDWxxG120C5B (10A~40A/1200V) DC-DC MOSFET/IGBT 采用 IKW75N65NH5 或者 MOSFET 的 CFD 产品 (IPW65R041CFD) 驱动 IC MCU PFC 1EDI20I12AF/AH DC/DC 1EDI20I12MF/MH,1ED020I12-F2 PFC 控制 Cotex-M0 核的 ARM 产品,XMC1100/XMC1400 DC/DC 控制 Cotex-M4 核的 ARM 产品,XMC4300,XMC4800(ETHERCAT, 工业 4.0) SMPS COOLSET 第五代准谐振开关电源控制芯片 ICE5QSAG 2010
12 Infineon 整体方案 三相 H 桥 AC Input 三相 Vienna PFC (20KHZ-70KHZ) LLC DC/DC (~100KHZ-150KHZ) B A T T E R y 功能推荐产品推荐产品介绍 PFC IGBT 单管 SIC 二极管 IKW40N65H5,IKW50N65EH5,IKW75N65EH5 IDWxxG120C5B (10A~40A/1200V) DC-DC MOSFET/IGBT 采用 IKW75N65NH5 或者 MOSFET 的 CFD 产品 (IPW65R041CFD) 驱动 IC PFC 驱动 DC/DC 驱动 1EDI20I12AF/AH 2EDLxx 系列 ( 双通道 ),1EDI20I12MF/MH,1ED020I12-F2 MCU PFC 控制 Cotex-M0 核的 ARM 产品,XMC1100/XMC1400 DC/DC 控制 Cotex-M4 核的 ARM 产品,XMC4300,XMC4800(ETHERCAT, 工业 4.0) SMPS COOLSET 第五代准谐振开关电源控制芯片 ICE5QSAG 2010
13 Infineon 整体方案 三相全桥 AC Input 三相 Vienna PFC (20KHZ-70KHZ) LLC DC/DC (~100KHZ-150KHZ) B A T T E R y 功能推荐产品推荐产品介绍 PFC IGBT 单管 SIC 二极管 IKW40N65H5,IKW50N65EH5,IKW75N65EH5 IDWxxG120C5B (10A~40A/1200V) DC-DC MOSFET/IGBT 采用 IKW75N65NH5 或者 MOSFET 的 CFD 产品 (IPW65R041CFD) 驱动 IC PFC 驱动 DC/DC 驱动 1EDI20I12AF/AH 1EDI20I12MF/MH,1ED020I12-F2 MCU PFC 控制 Cotex-M0 核的 ARM 产品,XMC1100/XMC1400 DC/DC 控制 Cotex-M4 核的 ARM 产品,XMC4300,XMC4800(ETHERCAT, 工业 4.0) SMPS COOLSET 第五代准谐振开关电源控制芯片 ICE5QSAG 2010
14 Infineon 整体方案 三相拓扑 AC Input 三相全桥整流 PFC (20KHZ-70KHZ) H 桥双向 LLC DC/DC (~100KHZ-500KHZ) B A T T E R y 功能推荐产品推荐产品介绍 PFC IGBT 单管 MOSFET V IGBT H3 系列,IKQ40N120H3,IKQ50N120CH3,IKQ75N120CH3 1200V SIC MOSFET,IMZ120R045M1 DC-DC MOSFET 1200V SIC MOSFET,IMZ120R045M1 / 1200V SIC Diobe,IDWxxG120C5B 驱动 IC PFC 驱动 DC-DC 驱动 1EDI20I12AF/AH 1ED020I12-F2,1EDI20H12MH,1EDI60H12AH(SIC MOS 专用驱动 IC) PFC 控制 Cotex-M0 核的 ARM 产品,XMC1100/XMC1400 MCU DC/DC 控制 Cotex-M4 核的 ARM 产品,XMC4300,XMC4800(ETHERCAT, 工业 4.0) SMPS COOLSET 第五代准谐振开关电源控制芯片 ICE5QSAG
15 三相 PFC 电路拓扑 Vienna 整流 *** Vienna 拓扑 ( 主流拓扑 ) 输入电压 : 380VAC 三相 输出电压 : +-400VDC Fsw 60KHz Eff. Max > 98% 英飞凌解决方案 : p IKWxxN65H5/F5, IKZxxN65EH5/NH5 p 1200V SiC diode:idwxxg120c5b p 1ED020I12-F2, 1EDI20I12AF/MH p PFC 控制 :XMC
16 三相 PFC 电路拓扑 Vienna 整流 Vienna 拓扑 ( 早期拓扑方案 ) 输入电压 : 380VAC 三相 输出电压 : +-400VDC Fsw 20~40KHz 英飞凌解决方案 : p IKWxxN65H5/F5,IKZxxN65EH5/NH5 p 1200V SiC diode:idwxxg120c5b( 成本有压力 ) p p 1ED020I12-F2, 1EDI20I12AF/AH/MH PFC 控制 :XMC
17 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010
18 英飞凌驱动介绍 1700 V Breakdown Voltage 1200 V Coreless Transformer (CT) Driver boards Driver + booster solutions 600 V 200 V Silicon On Insulator (SOI) Junction Isolation (JI) 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A Gate Drive Current 2010
19 英飞凌驱动 : 主要性能参数 2010
20 英飞凌驱动 : 磁隔离 1EDI 紧凑型驱动系列 2010
21 英飞凌驱动 IC: 命名规则 2010
![英飞凌分离 IGBT 技术演变 Switching Losses [E tot ]](/docs-images/98/138758637/images/22-1.jpg "TRENCHSTOP 60T / 120T2 TRENCHSTOP 5 L5")
22 英飞凌分离 IGBT 技术演变 Switching Losses [E tot ] TRENCHSTOP 60T / 120T2 TRENCHSTOP 5 L5 TRENCHSTOP 5 S5 RC TRENCHSTOP 5 WR5 TRENCHSTOP 5 H5 HighSpeed3 60/120HS3 IGBT3 TRENCHSTOP 5 TRENCHSTOP 5 F Conduction Losses [V ce(sat) ] <= Low switching 20kHz Fast switching up to kHz =>
23 IFX 最新分离 IGBT :650V TRENCHSTOP 5 L5 H5 / F5 S5 (hard switching) WR5(Zero-voltage switching) khz 50Hz L5 Best in class IGBT low Vce(sat) IGBT Vce(sat) IGBT 1.05V Solar, Welding, UPS, PFC Ultra low frequency converters 3 level inverter type I NPC 1 & NPC 2 Modified HERIC inverter AC Output (Aluminum/Magnesium welding) Released S5 New Best in class ease of use IGBT Elimination of: C-E snubber capacitor & gate capacitor in low inductance designs (<100nH) Softer switching than H5 Solar, Welding, UPS, Battery Charger Medium frequency converters Multilevel inverter stages Output stages PFC Released H5/F5 Best in class high frequency IGBT Bridge to SJ-MOSFET performance Highest efficiency, especially under light load conditions Solar, Welding, UPS High frequency converters Multilevel inverter stages Output stages PFC Released WR5 Price optimized application specific IGBT Welding WR5 Medium frequency converters Zero-voltage switching PFC Released 2010
24 英飞凌分离 IGBT:650V TRENCHSTOP 5 TO-220 TO-220FP TO TO H5 F5 H5 F5 EL5* NL5** ES5* WR5 H5 EH5* F5 EL5* ES5 EH5* NH5** 8 x x x x 15 x x x x 20 x x x 30 x x x x x x x 40 x x x x x x 50 x x x x x x1 x x 75 x x x x x1 x x New WR5 L5 H5/F5 S5 L5 H5 / F5 S5 (hard switching) WR5 (resonant switching) 50Hz 0kHz khz *Full rated Rapid 1 diode ** Full rated Rapid 2 diode. All other devices have ½ rated Rapid 1 diode samples: available on isar now Mass production release: Apr17
25 1200V Trenchstop T2 & HighSpeed H3 1200V Technology -> T2 T2 H3 H3 H3 TRENCHSTOP TRENCHSTOP Highspeed3 Highspeed3 Highspeed3 TO TO-247PLUS 3pin TO TO-247PLUS 3pin * TO-247PLUS 4pin ** Package -> IGBT + diode 15A IKW15N120T2 IKW15N120H3 New 20A IKW25N120T2 IKW25N120H3 40A IKW40N120T2 IKQ40N120CT2 IKW40N120H3 IKQ40N120CH3 IKY40N120CH3 50A IKQ50N120CT2 IKQ50N120CH3 IKY50N120CH3 75A IKQ75N120CT2 IKQ75N120CH3 IKY75N120CH3 * TO-247PLUS 3pin SOP in 2017Q2; ** TO-247PLUS 4pin SOP in 2017Q2; T2 Hard switching H3 Hard Switching khz T2 Best in class 1200V IGBT Outstanding efficiency Lowest conduction and switching losses Market proven and recognized quality leader Motor Control, Drives, Solar, UPS Low frequency converters H3 High speed / High power IGBT First tail-less / low loss IGBT on market Market proven and recognized quality leader Power supply, Charger, Solar, UPS Medium frequency converters 2010
26 英飞凌分离 IGBT 命名规则 2010
![英飞凌分离 IGBT 主要推荐型号 Vce[max] [V] 型号 Ic(100 ) [A] Vce(typ) [V] 开关频率 Diode [A] 封装 Eoff(typ) 25 [mj] Eon(typ) 25 [mj] Qrr(typ) 25 [uc] IKW40N65H5 46 1.65 30KHz~100KHz 21 TO-247 0.12 0.39 0.](/docs-images/98/138758637/images/27-1.jpg "45 IKW50N65H5 56 1.65 30KHz~100KHz 27 TO-247 0.18 0.52 0.57 650V IKW50N65EH5 50 1.65 30KHz~100KHz 50 TO-247 0.5 1.5 1.1 IKZ50N65EH5 50 1.65 30KHz~100KHz 50 TO-247 4Pin 0.12 0.42 0.84 IKW75N65EH5 75 1.")
27 英飞凌分离 IGBT 主要推荐型号 Vce[max] [V] 型号 Ic(100 ) [A] Vce(typ) [V] 开关频率 Diode [A] 封装 Eoff(typ) 25 [mj] Eon(typ) 25 [mj] Qrr(typ) 25 [uc] IKW40N65H KHz~100KHz 21 TO IKW50N65H KHz~100KHz 27 TO V IKW50N65EH KHz~100KHz 50 TO IKZ50N65EH KHz~100KHz 50 TO-247 4Pin IKW75N65EH KHz~100KHz 75 TO IKZ75N65EH KHz~100KHz 75 TO-247 4Pin V IKW40N120H KHz~60KHz 20 TO IKQ40N120CH3 40(134 ) 2 20KHz~60KHz 40 TO-247Plus IKY40N120CH3 40(134 ) 2 20KHz~60KHz 40 TO-247Plus 4Pin V IKQ50N120CH3 50(135 ) 2 20KHz~60KHz 50 TO-24 Plus IKY50N120CH3 50(135 ) 2 20KHz~60KHz 50 TO-247Plus 4Pin IKQ75N120CH3 75(134 ) 2 20KHz~60KHz 75 TO-247Plus IKY75N120CH3 75(134 ) 2 20KHz~60KHz 75 TO-247Plus 4Pin
28 SIC 二极管和 SI 二极管的比较 Ultrafast Si: large Q rr SiC: low Q c Features Technical benefits System benefits No reverse recovery charge No forward recovery Purely capacitive switching Low-loss turn-off & low IGBT turn-on loss No voltage overshoots Switching losses independent from load current, switching speed and temperature High system efficiency, output power & power density High system reliability Reduced cooling requirements Reduced EMI Reduced parts count, no need for snubber circuitry 2010
29 SIC 二极管和 SI 二极管的比较 Example: Boost stage topology at f sw =20 khz, same 1200V Highspeed3 TM IGBT in both tests Þ SiC diode - compared to Si diode has higher system efficiency,... lower device thermals, for... increased power density and reliability! 2010
30 英飞凌 SIC 二极管产品信息 G5 1200V CoolSiC Diodes: Low VF with low temperature dependency give low static losses over entire load range Extended surge current capability for improved reliability 2010
31 英飞凌 SIC 1200V 产品列表 I F G5 G5 G2 G5 G2 2A IDM02G120C5 IDH02G120C5 IDH02SG120 5A IDM05G120C5 IDH05G120C5 IDH05S120 8A IDM08G120C5 IDH08G120C5 IDH08S120 10A IDM10G120C5 IDH10G120C5 IDH10S120 IDW10G120C5B IDW10S A IDH16G120C5B IDH15S120 IDW15G120C5B IDW15S120 20A IDH20G120C5B IDW20G120C5B IDW20S120 30A IDW30G120C5B IDW30S120 40A IDW40G120C5B 2010
![Generation 2 Grp 6: Nominal Voltage [V] /10 Grp 7: Diode](/docs-images/98/138758637/images/32-4.jpg "Generation 5 Grp 8: Specification Common-cathode configuration")
32 英飞凌 SIC 二极管 1200V 产品命名规则 Sales Name C5 I D W 20 G 120 B Grp 1: I : Infineon Grp 2: Device Type G : Diode Grp 3: Package H : TO220-2leg M : TO252-2leg W: TO247-3leg Grp 4: Nominal Current [A] at specified T case Grp 5: Tech Class G : Generation 5 S : Generation 2 Grp 6: Nominal Voltage [V] /10 Grp 7: Diode Generation 5 Grp 8: Specification Common-cathode configuration 2010
33 分离 SIC 器件产品介绍 SIC MOSFET 产品系列 样品阶段 : 可以申请样品 SIC MOS 模块已经批量 SIC MOS 单管预计 2018 年初正式量产 2010 Page 33
34 IGBT 单管安装说明 新的 IGBT 单管安装方式 ( 适用于所有插件器件 ) 美国艾美达 (AVID) 2010 Page 34
35 第五代开关电源控制芯片 集成了真正 700V 与 800V 耐压的, 具有雪崩能力的超级结技术的功率 MOSFET, 封装包括 DIP-7 和 DSO-12 多种保护措施, 提高系统可靠性 可选择的进出 burst 模式门限, 优化了在不同轻负载情况下的待机功耗 新颖的准谐振工作模式, 使得 EMI 滤波器及系统的设计更加简便 保护采用自恢复模式, 使得系统重新下电的可能性最小 采用 cascode 结构, 使得系统可以快速启动 对于集成有功率 MOSFET 的产品, 最大输出功率为 45W(1), 对于单独的反激控制芯片, 最大输出功率可以达到 60W 2010
36 第五代准谐振及定频 CoolSET 及单独控制器产品目录 2010
37 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010 Page 37
38 晶川直流充电桩方案介绍 -IGBT 分离器件 功率等级 : 目标做到 60KW 方案一 : p IGBT 器件 :IKQ75N120CH3(75A/1200V)+IKW75N65EH5(75A/650V) p PFC 部分电压 850V, 开关频率 40~60KHz p DC/DC 部分原边开关频率 40KHz~60KHz, 大大减少变压器体积, p 驱动 IC:1ED020I12-F2 + 1EDI20I12AF 方案二 : p IGBT 器件 :IKQ75N120CH3(75A/1200V) p PFC 部分电压大概 850V, 开关频率 40~60KHz p DC/DC 部分原边开关频率 40KHz~60KHz, 大大减少变压器体积 p 驱动 IC:1ED020I12-F2 + 1EDI20I12AF/1EDI20I12MH 2010
39 晶川直流充电桩方案介绍 -IGBT 分离器件 四象限运行 输入电压 : 380VAC 三相 输出电压 : 0~750VDC Pmax=60KW 过载能力 :1.1 倍长期过载 Eff. Max > 95% 宽 * 深 * 高 :600x550x150mm 控制解决方案 : p 高精度 AD 采样, 误差 1 p FPC 控制芯片 :XMC4300 p DC-DC 控制芯片 :XMC
40 晶川基于 SIC MOS 的 DC/DC 参考设计 功率等级 :30KW SIC MOS:IMZ120R045M1(45mohm/1200V,TO-247-4) PFC 部分电压提升到 800~900V, 开关频率 60~100KHz DC/DC 部分原边开关频率 400KHz, 大大减少变压器体积, 2010
41 晶川基于 SIC MOS 的 DC/DC 参考设计 结构以及拓扑 ü ZVS SIC MOS H 桥 + SIC 二极管整流 ü 开关频率 200KHz~400KHz ü 芯片 IC:IMZ120R045M1+1EDI20I12AF 项目研发状态 ü 输出电压 >700V, 输出功率 >7KW ü 200Khz 移相全桥,400KHz 整流 ü 效率 >97% 2010
42 内容 充电桩的市场概况及技术发展趋势 直流快充桩常用的几种拓扑及 INFINEON 器件解决方案 英飞凌产品大概介绍 晶川基于 IGBT 单管及 SIC MOSFET 参考设计介绍 总结 2010
43 总结 从当前汽车企业以及多个国家政策的规划来看, 电动汽车的发展将会超出很多人的预期, 而与之配套的充电桩市场同样会得到快速发展, 充电桩会慢慢从政策引导走向市场化 随着市场的逐渐成熟, 后续充电桩模块的竞争将变得激烈 充电桩模块的功率逐渐做大, 需要新的方案平台, 英飞凌分离 IGBT 单管将为新的方案平台提供更多的选择机会 随着功率做大, 产品的功率密度要求也会越来越高 SIC MOSFET 将为高功率密度带来新的应用机会 英飞凌磁隔离驱动 IC 的特性将为直流充电桩模块稳定性, 可靠性以及寿命提供保证 英飞凌全系列的产品将为您的新方案提供更多选择 充电桩模块会不会走向工业 4.0? 针对后续充电堆的技术发展会不会要求模块具有 ETHERCAT 总线? 2010
44 感谢您对英飞凌和晶川电子的支持 Infineon Tel: 晶川电子曲先生 Tel: 晶川电子陈先生 Tel:
Infineon Total Solution in LCD-TV Power Supply.ppt
/ tim.hu@infineon.com / / demoboard Page 2 / / demoboard Page 3 Page 4 24V 12V/18V/30V 5V 400V 5V/12V/18V/30V 5V
GH1220 Hall Switch
Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic
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TM Technology, Inc. 文件名稱 :T8602 Demo board Test Report Customer: Model No: CF0049 FAE: Bill DATE: 2011-11-18 文件等級 一般級 機密級 極機密 Electronic Specification Item Requiring Min Typ Max Input 90Vac --- 265Vac
质量体系认证证书 ＩＳ Ｏ９００ ０认证证书 国军标体系认证证书 企业文化 企业愿景 创新型 节能 绿色 高可靠性电子产品 品牌服务商 宗 旨 创新改变人生 发展造就个人 企业 社会的共赢 使 命 以开拓思维谋求创新 以创新求发展 以发展提升员工 股东价值 提高顾客 竞争力 履行社会责任 企业精神 以开拓创新谋发展 以持续改进促完善 以价值增值为己任 以共赢互进为目标 创新 改进 发展 思维创新 技术创新
Pin Configurations Figure2. Pin Configuration of FS2012 (Top View) Table 1 Pin Description Pin Number Pin Name Description 1 GND 2 FB 3 SW Ground Pin.
Features Wide 3.6V to 32V Input Voltage Range Output Adjustable from 0.8V to 30V Maximum Duty Cycle 100% Minimum Drop Out 0.6V Fixed 300KHz Switching Frequency 12A Constant Output Current Capability Internal
技术参数 Technical Data 额定电压 / 频率 Voltage/Frequency AC220V/50Hz AC110V/60Hz 功率 Power 70W 70W 空载流量 Free flowing 7.0L/M 7.0L/M 最大压力 Max. pressure 2.4Bar 2.4
膜片式气泵 Diaphragm Pumps for Gas DA70AC 系列 (Series DA70AC) 特点 Features 无油润滑 Oil-Free 耐腐蚀性 Corrosionresistant 免维护 Maintenance Free 低噪音低振动 Low noise level&vibration 可以任何方向安装 Can be mounted in any plane 应用 Typical
iml v C / 0W EVM - pplication Notes. IC Description The iml8683 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the current flowin
iml8683-220v C / 0W EVM - pplication Notes iml8683 220V C 0W EVM pplication Notes Table of Content. IC Description... 2 2. Features... 2 3. Package and Pin Diagrams... 2 4. pplication Circuit... 3 5. PCB
iml v C / 4W Down-Light EVM - pplication Notes. IC Description The iml8683 is a Three Terminal Current Controller (TTCC) for regulating the cur
iml8683-220v C / 4W Down-Light EVM - pplication Notes iml8683 220V C 4W Down Light EVM pplication Notes Table of Content. IC Description... 2 2. Features... 2 3. Package and Pin Diagrams... 2 4. pplication
< B9E2BBFAD7DBBACFCDBCB2E1B6A8B8E52DC7E5CEFAB0E6312E706466>
XYR XYR XYR Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn 99 Tel: 00 567068 www.zolix.com.cn XYR500 XYR500 XYR000 XYR0000-CH XYmm.5 0 5 z 5 mm 5050 0000 0000 mm 00 00 0000 mm 6.5 76 98 8 Kg 6 8 5 XY/μm 0/5 0XYμm 0.5
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BC04 Module_antenna__ doc
http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 1 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999 Fax: +86-23-68889515 Page 2 of 10 http://www.infobluetooth.com TEL:+86-23-68798999
<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>
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Microsoft Word - 100年年報 _1-4_.doc
股 票 代 號 :2342 一 百 年 度 年 報 中 華 民 國 一 一 年 四 月 三 十 日 刊 印 年 報 查 詢 網 址 :http://newmops.tse.com.tw http://www.mosel.com.tw 一 發 言 人 姓 名 職 稱 聯 絡 電 話 及 電 子 郵 件 信 箱 : 本 公 司 發 言 人 姓 名 : 周 崇 勳 職 稱 : 副 總 經 理 電 話 :(03)
www. chromaate. com Chroma H I-V (MPPT) / 6630/ /61500/ / Chroma
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Microsoft Word - AP1515V02
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5991-1117CHCN.indd
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全 球 领 先 的 移 动 电 力 方 案 供 应 商 逆 变 器 Inverters 逆 变 充 电 一 体 机 Combined Inverter/chargers 电 池 充 电 器 Battery Chargers 直 流 变 换 器 DC DC Converters 交 流 切 换 开 关 Transfer Switches 深 循 环 蓄 电 池 Deep Cycle Gel and AGM
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