门极驱动选型指南

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1 英飞凌 EiceDRIVER 门极驱动芯片 选型指南 2019 每个功率器件都需要一个驱动芯片

2 尊敬的客户及合作伙伴 : 您好! 电力电子应用需要用到功率器件开关, 而功率器件开关需要最合适的门极驱 动解决方案 电池驱动的应用 小型和大型家电 计算和电信服务器 电动车充电桩 太阳能和机器人等应用都电路设计有特殊的需求 合适的门极驱动配置对于所有功率器件 无论是分立式还是功率模块 都至关重要 运用最新技术的分立式器件 包括 CoolMOS 和 OptiMOS MOSFET TRENCHSTOP IGBT CoolGaN 氮化镓 HEMT CoolSiC 碳化硅 MOSFET 以及开放框架模块 ( 如 Easy Econo 功率模块 ), 都需要细调门极驱动电路才能充分发挥出它们的能力 针对 CoolGaN 和 CoolSiC 等新式宽带隙功率器件, 我们最常被问及 的问题之一是 你们是如何驱动它们的呢? 英飞凌门极驱动提供从 0.1 A 到 10 A 的一系列典型的输出电流选项, 适用于任何功率器件型号 快速短路保护 可编程的死区时间 直通短路保护及有源关断等全面的门极驱动保护功能, 使得这些驱动适用于包括 CoolGaN 和 CoolSiC 在内的所有功率器件 英飞凌门极驱动还具备集成自举二极管 使能 故障报告 输入过滤器 OPAMP 和 DESAT 保护等更先进的功能 有源米勒箝位, 和独立的拉 / 灌电流输出引脚功能, 还有助于提高设计的灵活性 英飞凌 EiceDRIVER 系列门极驱动让客户更容易驱动所有功率器件和功率模块 针对电气隔离需求, 英飞凌既提供基础型隔离产品, 也提供增强型隔离产品 Roland Stele 英飞凌工业功率控制事业部副总裁门极驱动芯片业务总经理 我们始终坚守承诺, 让英飞凌成为品质的代名词 英飞凌拥有现代化的前瞻性质量管理体系, 可通过将客户需求转化为实实在在的行动来支持公司的卓越运营 我们致力于在成本 质量和上市时间上做到一流 英飞凌的质量方针相当于一个安全屏障, 能够避免以牺牲品质为代价来提高生产率 英飞凌是功率半导体解决方案全球领先的供应商之一, 可让您的生活更轻松 更安全 更环保 我们为电能的高效制造 传输及使用助力 简言之, 我们是在助力建设一个拥有无限能源的世界 EiceDRIVER 门极驱动选型指南 2019 通过提供创新 合适的门极驱动解决方案, 充分助力我们先进的功率器件技术, 使我们更加接近这个目标 2

3 目录 英飞凌 EiceDRIVER 门极驱动芯片 4 概述 4 英飞凌非隔离型 (N-ISO) 驱动技术 6 英飞凌 PN 结隔离 (JI) 驱动技术 7 英飞凌绝缘体上硅 (SOI) 驱动技术 8 英飞凌隔离型无铁芯变压器 (CT) 驱动技术 10 汽车级门极驱动芯片 55 汽车级三相驱动芯片 55 门极驱动裸芯片 57 门极驱动功能和封装 58 固态继电器 : 光耦固态继电器 60 固态继电器 : 光耦门极驱动 / 电压源 61 英飞凌功率器件和 imotion 技术 15 MOSFETs 15 IGBTs( 单管和模块 ) 18 碳化硅 (SiC)MOSFETs( 分立式和模块 ) 22 氮化镓 (GaN)HEMTs 25 固态继电器 (SSR) 26 imotion ( 控制器 ) 27 典型的门极驱动应用 28 电机驱动 29 纯电动汽车和混合动力汽车 31 电动车充电桩 33 照明 34 轻型电动车 (LEV) 35 大型家电 (MHA) 36 可再生能源 38 小型家电和电池驱动的应用 40 开关电源 (SMPS) 42 不间断电源 (UPS) 44 驱动产品选型表 47 三相门极驱动芯片 48 门极驱动芯片 49 单高边门极驱动芯片 50 双高边 / 门极驱动芯片 51 单低边门极驱动芯片 51 高低边门极驱动芯片 52 全桥门极驱动芯片 53 双低边门极驱动芯片 53 辅助型芯片 : 电流检测芯片 54 辅助型芯片 : 高压启动芯片 54 驱动板 54 新产品集锦 62 1EDC Compact - 采用 300 mil 封装和 UL 认证的 1200 V 单通道隔离型门极驱动产品家族 62 1EDS-SRC V 可控制 dv/dt 的 单通道增强型 隔离驱动产品家族 63 2ED2304S06F V 门极驱动, 带集成自举 二极管 (BSD) 64 6ED2230S12T V 三相门极驱动, 带集成自举 二极管 (BSD) 和过流保护 (OCP) 65 2ED2106/08/09/091S06F 650 V 门极驱动家族, DSO-8 封装, 带集成自举二极管 (BSD) 66 2ED21064/084/094S06J 650 V 门极驱动家族, DSO-14 封装, 带集成自举二极管 (BSD) 66 2ED218xS06F/2ED218x4S06J 大电流门极 驱动产品家族, 带集成自举二极管 (BSD) 66 1ED44176N01F - 25 V 低边门极驱动, 带集成的过流保护 故障报告及使能功能 67 1EDN7550 和 1EDN 真正的差分输入的 单通道低边门极驱动产品家族 68 1EDi 单通道隔离型门极驱动产品家族, 用于 GaN HEMT 69 2EDi 双通道功能隔离型和增强隔离型门极 驱动产品家族 70 1EDI2004AS - EiceDRIVER SIL 1200 V 隔离型 汽车用门极驱动芯片 71 AUIR2x14SS V 汽车用门极驱动芯片 72 门极驱动芯片的支持工具 74 EiceDRIVER 门极驱动评估板 74 仿真工具 (SPICE 仿真模型 & Infineon Designer) 78 门极驱动芯片产品手册 79 门极驱动在线选型工具 80 英飞凌门极驱动命名规则 82 3

4 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌 EiceDRIVER 门极驱动芯片 概述 门极驱动芯片相当于控制信号 ( 数字或模拟控制器 ) 与功率器件 (IGBT MOSFET SiC MOSFET 和 GaN HEMT) 之间的接口 集成 的门极驱动解决方案有助于您降低设计复杂度, 缩短开发时间, 节省用料 (BOM) 及电路板空间, 相较于分立的方式实现的门极驱动解决方案, 可提高方案的可靠度 每一个功率器件都需要一个门极驱动, 同时每一个门极驱动都需要一个功率器件 英飞凌提供一系列拥有各种结构类型 电压等级 隔离级别 保护功能和封装选项的驱动芯片产品 这些灵活的门极驱动芯片是英飞凌分立式器件和模块 包括硅 MOSFET(CoolMOS OptiMOS 和 StrongIRFET ) 和碳化硅 MOSFET(CoolSiC ) 氮化镓 HEMT(CoolGaN ), 或者作为集成功率模块的一部分 (CIPOS IPM 和 imotion smart IPM) 最完美的搭档 注释 1: 仅适用于 1EDC Compact 系列驱动注释 2: 电压等级的定义因驱动的结构类型而异 : 1. 对于单高边 高低边 及三相门极驱动, 电压等级为应用中的功率器件的 击穿电压 2. 对于低边驱动, 电压等级为最大运行范围内的电源电压 3. 对于 1EDNx550(1EDN-TDI) 这种特殊情况, 共模抑制 (CMR) 电压最高可达 80 V 门极驱动结构类型 5 V 25 V 100 V 200 V 500 V 600 V 650 V 1200 V 单通道 高边 低边 门极驱动 门极驱动辅助型芯片 双通道 四通道 六通道 高边低边高低边全桥三相电流检测高压启动 非隔离型 (N-ISO) PN 结隔离 (JI) 绝缘体上硅 (SOI) 无铁芯变压器 (CT) 4

5 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌门极驱动芯片的应用 通过充分结合英飞凌及国际整流器公司 (IR) 的应用专长及先进技术, 我们的门极驱动芯片非常适合工业电机驱动设备 大型家电 太阳能逆变器 汽车 电动车充电桩 UPS 开关电源(SMPS) 高压照明 电池驱动应用以及小型家电等众多应用 电平转换技术 (SOI&JI) 无铁芯变压器 (CT) 技术 非隔离型 (N-ISO) 技术 英飞凌门极驱动芯片技术 低边驱动电平转换驱动隔离型驱动 非隔离型 PN 结隔离绝缘体上硅无铁芯变压器 各种系列的单低边和双低边驱动 产品, 拥有不同的输出电流 逻辑 配置及 UVLO 持久耐用的高压门极驱动技术, 结合先进的 130-nm 工艺 20 年的成熟技术 采用坚固和专有的 HVIC 工艺, 打 造出最大的 200 V 600 V 700 V 和 1200 V 行业标准级门极驱动产 品组合 面向高压应用的英飞凌 SOI 技术, 拥有内置的集成自举二极管及更 低的电平转换损耗 抗 VS 引脚上的负瞬态电压尖峰的 能力为业界一流 通过磁耦合隔离技术实现隔离 ( 功能型 基础型和增强型 ) 超强的门极驱动输出电流 ( 高达 10 A), 使得无需外部放大电路 5

6 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌非隔离型 (N-ISO) 技术 非隔离型 (N-ISO) 技术是指采用低压电路 结合持久耐用的高压门极驱动技术及先进的 0.13-µm 工艺的门极驱动芯片 英飞凌采用世界一流的制造工艺, 基于行业标准级 DSO-8 封装, 以及小巧紧凑的 SOT23 和 WSON 封装, 打造出面向高功率密度应用的大电流门极驱动 英飞凌可提供广泛的单低边和双低边门极驱动芯片产品系列, 它们拥有灵活的输出电流 逻辑配置 封装和保护功能 比如欠压锁定 (UVLO) 集成过流保护(OCP) 及真正的差分输入 (TDI) 真正的差分输入 (TDI) 常规低边门极驱动芯片的输出信号电平是以门极驱动芯片的地电位作为参照 如果在应用中 门极驱动芯片的地电位波动过度, 门极驱动芯片就可能被误触发 1EDN7550/1EDN8550 门极驱动芯片拥有真正的差分输入 它们的控制信号输入在很大程度上 独立于地电位, 而只依赖于其输入触头之间的电压差 这可以避免功率 MOSFET 被误触发 6

7 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌 PN 结隔离 (JI) 技术 英飞凌 p-n 结隔离 (JI) 技术是一项成熟 可靠和行业标准级的 MOS/CMOS 制造工艺 英飞凌专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术可打造出坚固的单片式构造 先进的制造工艺可面向特定的电机控制和开关电源 应用, 打造出性价比最佳的单片式高压和低压电路结构 E B C n p n 英飞凌 JI 技术的主要益处 : 大电流 (4 A) 精密模拟电路 ( 严格的时序 / 传输延迟 ) 拥有行业内数量最多的标准级门极驱动产品 电压等级 :1200 V 600 V 500 V 200 V 和 100 V 驱动结构类型 : 三相 单通道等 驱动芯片实现最佳性价比 自从 1989 年国际整流器公司 (IR) 率先推出首款单片式产品以来, 高压集成电路 (HVIC) 技术就开始 利用获得专利的和专有单片式结构集成双极器件 CMOS 及横向 DMOS 器件, 在 600 V 和 1200 V 的运 行偏置电压下, 击穿电压分别高于 700 V 和 1400 V 该混合信号 HVIC 技术可用于构建高压电平转换电路, 以及低压模拟电路和数字电路 因为能将高压电路 ( 位于由多晶硅环形成的 井 中 ) 可 浮动 600 V 或 1200 V 置于能够避开其它低压电路, 高边功率 MOSFET 或 IGBT 的同一硅片上, 其广泛存在于各种常见的离线电路拓扑中, 包括降压电路 同步升压电路 电路 全桥电路和三相电路等等 这些拥有浮控开关的 HVIC 门极驱动非常适合需要高边 和三相驱动的拓扑 HVIC 高边电路 多晶硅环 低边电路 图 1:JI 门极驱动芯片的俯视图 图 2: 高压集成电路的器件截面图 7

8 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌绝缘体上硅 (SOI) 技术 英飞凌绝缘体上硅 (SOI) 技术是一种高压的电平转换技术, 具有许多独一无二和无与伦比的明显优势, 包括集成自举二极管 (BSD), 以及业界一流的抗负瞬态电压尖峰的能力 每个晶体管都被埋入的二氧化硅隔开, 从而可以有效避免易造成闩锁的寄生双极晶体管 该技术还可降低电平转换功率损耗, 从而最大限度降低器件开关的功耗 这一先进工艺可打造出具有技术强化优势的单片式高压及低压电路 结构 英飞凌 SOI 技术的主要益处 : 一流的抗负瞬态电压能力, 可避免运行不稳定及闩锁, 同时提高可 靠性 集成低电阻自举二极管 (BSD) 拥有最低的反向恢复和正向损耗, 可以 提高效率, 加快开关速度, 降低温度, 以及提升可靠性 电平转换损耗最低, 有助于提高驱动的效率, 并实现灵活的封装设计 集成输入过滤器可改进抗噪性能 每个电压设计等级具有 200 V 600 V 650 V 和 1200 V 的耐受电压, 可提 供运行裕量 面对 VS 引脚的负瞬态电压 (-VS) 的运行稳定性 如今的高功率开关逆变器及驱动都携带很大的负载电流 VS 引脚上的电压摆动不会只停留在负 直流母线的电平上 ; 相反, 因为功率器件中的寄生电感及 PCB 走线中的寄生电感, 它会摆动到负 直流母线的电平以下 采用英飞凌 SOI 技术的 EiceDRIVER 高压电平转换门极驱动芯片产品, 拥有业界一流的运行稳定 性 图 4 显示了 V BS = 15 V 和脉宽高达 1000 ns 时 6ED2230S12T 的安全运行线 在绿色区域内, 产品不 会出现功能异常, 亦不会对集成电路造成永久性损害 PW (ns) V s (V) 安全运行区 图 3: 拓扑的寄生元件 -120 图 4:V BS = 15 V 时,6ED2230S12T 面对 VS 负瞬态电压尖峰时的安全工作区 (SOA) 8

9 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌绝缘体上硅 (SOI) 技术 集成自举二极管 (BSD) 因为简单且成本低, 自举电源是高边驱动电路最常见的供电方式 如图 5 所示, 自举电源由自举二极管和电容器组成 电平转换门极驱动的浮动通道通常被用于实现自举运行 英飞凌 SOI 驱动采用集成的超快速自举二极管 二极管电阻超低 :R BS 40 Ω, 有利于拓展运行范围 拥有这一配置的英飞凌 SOI 驱动, 可以驱动较大的 IGBT 而无自热的风险, 同时还可减少所用的元器件数量, 以及降低系统成本 图 5: 集成自举二极管 (BSD) 的典型连接电路图 低电平转换损耗 随着工作频率的增加, 电平转换损耗所占的比例就越来越 不能忽视 电平转换电路适用于将开关信息从低边传送到 高边 电平转换损耗取决于传输所需的电荷 英飞凌 SOI HS+LS 驱动的最高温度为 采用英飞凌 SOI 技术的 EiceDRIVER 高压电平转换门极驱动芯片产品, 传送信息所需的电荷非常少 电平转换功耗降低, 可以增加高频率应用的设计灵活性, 延长使用寿命, 提高系统效率和应用可靠性 普通 HS+LS 驱动的最高温度为 图 6 为同一电路板的热线图, 结果可见, 采用英飞凌 SOI 技 术的产品 (2ED2106S06F) 功耗更低 55.6 C 的温差 图 6: 直流母线电压 = 300 V; 利用 D-Pak 封装中的 CoolMOS P7; 300 khz 开关频率 9

10 英飞凌门极驱动芯片技术 英飞凌隔离型无铁芯变压器 (CT) 技术 英飞凌无铁芯变压器 (CT) 技术为基于磁耦合的隔离技术, 它采用半导体制造工艺来集成由金属线圈结构和氧化硅绝缘组成的片上变压器 片上无铁芯变压器用于传送输入芯片与输出芯片之间的开关信息和其它信号 该技术因为传输延迟短 延时匹配度高, 以及抗干扰能力强, 非常适合用于驱动 SiC MOSFET 及先进的 IGBT 英飞凌 CT 技术的主要益处 : 电气隔离 ( 功能型 基础型 增强型 ) 能承受 ±1200 V 或更大的电压摆动 抗正向和负向电压瞬变 提高最终产品的可靠性 降低开关频率高达 MHz 级时的功率损耗 灵活的配置和选项, 包括 : - 输出电流 ( 高达 10 A) - DESAT 保护 - 有源米勒箝位 - 短路电流箝位 - 隔离等级和认证 mil 和 300 mil 封装 抗干扰 不受共模噪声干扰 极其稳定的信号传输 高达 100 V/ns 的共模传输抗扰度 (CMTI) 严格的传输延迟匹配 : 容差可提高应用的稳定性, 使其不易因为老化 电流和温度而发生变化 设计灵活性 门极电压范围较宽, 最高可达 40 V 包括负门极电压在内 CT 技术可用于驱动碳化硅 (SiC)MOSFET 闭环门极电流控制选项 精密时序控制 集成的斜率过滤器 集成的精密过滤器可使传输延迟在不同运行工况 下的变化减小 集成过滤器使得可以省去外部过滤器 严格的传输延迟使得死区时间缩短, 从而可以提 高系统效率, 减少谐波畸变 10

11 英飞凌门极驱动芯片技术 保护功能 通过准确的退饱和 (DESAT) 检测电路 ( 电流源和比较器 ) 进 行可靠的短路检测, 从而避免功率器件在短路工况下被 损坏 基于两电平关断 (TLTO) 的短路电流保护可降低集电极 - 发 射极电压过冲 有源米勒箝位选项可避免由高 dv/dt 引起的寄生导通 内置的短路电流箝位可限制短路工况下的门极电压 安全认证 已通过 VDE 0884 和 UL 1577 安全认证 对于 SiC MOSFET 开关 适合 1200 V 和 650 V 超快速开关碳化硅功率晶体管, 比如 CoolSiC MOSFET 具有适合驱动 SiC 器件的关键功能和参数 : DESAT 用于短路保护 有源米勒箝位 严格的传输延迟匹配 精密的输入过滤器 宽泛的输出侧电源电压范围 负门极电压能力 扩展的共模瞬变抗扰度 (CMTI) 隔离类型的定义 11

12 英飞凌门极驱动芯片技术 隔离型门极驱动芯片 隔离型门极驱动芯片 典型接线图 驱动结构类型 电压等级 [V] 隔离类型 隔离等级 I O+ /I O- 典型值 [ma] 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 1300/900 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 2200/2300 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 4000/3500 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 4000/3500 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 4000/3500 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 4400/4100 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 5900/6200 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 7500/6800 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 10000/9400 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 10000/9400 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 10000/9400 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 2000/2000 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 2000/2000 单高边 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V SRC/2000 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 1300/900 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 2200/2300 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 4000/3500 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 4000/3500 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 4400/4100 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 5900/6200 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 7500/6800 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 10000/9400 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 2500 V(rms) 持续 1 min 10000/9400 单高边 1200 功能隔离 V ISO = 5000 V(rms) 持续 1 min SRC/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2100/2100 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 单高边 1200 增强隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 8000 V;V ISO = 5000 V(rms) 持续 1 min SRC/2000 单高边 650 增强隔离 V IORM = 1000 V(rms);V IOTM = 8000 V;V ISO = 5700 V(rms) 持续 1 min 4000/8000 单高边 650 功能隔离 V IORM = 510 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 4000/8000 单高边 250 功能隔离 V IORM = 460 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 4000/ 高边功能隔离 V ISO = ± 1200 V 1500/ 高边功能隔离 V ISO = ± 650 V 1500/2500 双高边 / 1200 功能隔离 V ISO = ± 1200 V 2000/2000 双高边 / 1200 基本隔离 V IORM = 1420 V;V IOTM = 6000 V;V ISO = 3750 V(rms) 持续 1 min 2000/2000 双高边 / 650 增强隔离 V IOWM = 1000 V(rms);V IOTM = 8000 V;V ISO = 5700 V(rms) 持续 1 min 4000/8000 双高边 / 650 增强隔离 V IOWM = 1000 V(rms);V IOTM = 8000 V;V ISO = 5700 V(rms) 持续 1 min 1000/2000 双高边 / 650 功能隔离 V IOWM = 510 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 4000/8000 双高边 / 650 功能隔离 V IOWM = 510 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 1000/2000 双高边 / 250 功能隔离 V IOWM = 460 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 4000/8000 双高边 / 250 功能隔离 V IOWM = 460 V(rms);V ISO = 1500 V(rms) 持续 10 ms 4000/8000 SRC: 可控制 dv/dt( 功率器件开通电压的斜率控制 ) 12

13 英飞凌门极驱动芯片技术 有源米勒箝位 汽车应用认证 比较器 退饱和保护 使能 故障报告 故障复位 运算放大器 过流保护 用于逻辑接地的单独引脚 独立的拉 / 灌电流输出引脚 直通短路保护 停机 软关断 两电平关断 UL 1577 VDE DSO-8 DSO-8 300mil DSO-16 DSO-16 WB DSO-18 DSO-20 DSO-36 TFLGA-13 UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 技术 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 12/ /300 1EDI05I12A CT 12/ /300 1EDI10I12M CT 9.1/ /115 1EDI20N12A CT 12/ /120 1EDI20H12A CT 12/ /300 1EDI20I12A CT 12/ /300 1EDI20I12M CT 12/ /300 1EDI30I12M CT 12/ /300 1EDI40I12A CT 12/ /120 1EDI60H12A CT 12/ /300 1EDI60I12A CT 9.1/ /120 1EDI60N12A CT 12/11 165/170 1ED020I12-F2 CT 12/ /1750 1ED020I12-FT CT 11.9/11 460/460 1EDI20I12SV 新 CT 12/ /300 1EDC05I12A 新 CT 12/ /300 1EDC10I12M 新 CT 12/ /120 1EDC20H12A 新 CT 12/ /300 1EDC20I12A 新 CT 12/ /300 1EDC20I12M 新 CT 12/ /300 1EDC30I12M 新 CT 12/ /300 1EDC40I12A 新 CT 12/ /120 1EDC60H12A 新 CT 12/ /300 1EDC60I12A 新 CT 11.9/11 460/460 1EDU20I12SV 新 CT 12.5/ /215 1EDI2001AS CT 12.5/ /215 1EDI2002AS CT 12.5/ /215 1EDI2010AS CT 12/11 165/170 1ED020I12FA2 CT 12/ /1750 1ED020I12FTA CT 12/11 165/170 1ED020I12-B2 CT 12/ /1750 1ED020I12-BT CT 11.9/11 460/460 1EDS20I12SV 新 CT 5.8/5.2 37/37 1EDS5663H 新 CT 5.8/5.2 37/37 1EDF5673F 新 CT 5.8/5.2 37/37 1EDF5673K 新 CT 12.2/ /85 2ED020I12-FI CT 13.5/0 85/85 2ED020I06-FI CT 12/11 165/170 2ED020I12-F2 CT 12/11 165/170 2ED020I12FA CT 8/7 37/37 2EDS8265H 新 CT 8/7 37/37 2EDS8165H 新 CT 4.2/3.9 37/37 2EDF7275F 新 CT 4.2/3.9 37/37 2EDF7175F 新 CT 4.2/3.9 37/37 2EDF7275K 新 CT 4.2/3.9 37/37 2EDF7235K 新 CT 13

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15 英飞凌功率器件技术 英飞凌功率器件和 imotion 技术 OptiMOS 和 StrongIRFET 功率 MOSFET 最优的质量和性能 英飞凌半导体旨在创造更高的效率 功率密度及成本效益 全系列的 OptiMOS 和 StrongIRFET 功率 MOSFET, 可为开关 电源 (SMPS) 电机控制和驱动 逆变器及计算等应用带来创新及更好的性能 英飞凌高度创新的 OptiMOS 和 StrongIRFET 系列产品, 在电力系统设计的关键技术指标 ( 比如导通电阻和优值 ) 上始终 满足最高的质量和性能要求 OptiMOS 功率 MOSFET 具有无与伦比的性能, 以及 R DS(on) 超低及用于高开关频率应用时所需电荷量低的特点 StrongIRFET 功率 MOSFET 是专为要求苛刻的应用而设计的, 适合低开关频率, 及强载流能力的设计 OptiMOS 技术一流适合高性能应用适用于高开关频率业界最佳的优值高效率 高功率密度 StrongIRFET 耐用, 性价比高产品已通过 JEDEC 标准的认证适用于低开关频率强载流能力坚固的硅结构 15

16 英飞凌功率器件技术 CoolMOS SJ MOSFETs 可靠和全球领先的高压 MOSFET 供应商 革命性的 CoolMOS 功率 MOSFET 系列在能效领域树立了新的标准 英飞凌的 CoolMOS 产品能够大大降低导通损耗 开 关损耗及驱动损耗, 进而实现优质功率转换系统所要求的高功率密度和高效率 高压超结 MOSFET 可满足智能手机 / 平板电脑充电器 笔记本适配器 LED 照明 PC 电源 及音响和电视电源等消费类应用 的需求 更重要的是, 用超结 MOSFET 代替普通 MOSFET 的客户, 还可为最终用户带来更高的效率和更低的功耗 因为性能 卓越而价格有竞争力,CoolMOS P7 可谓树立了一个新标杆 同样, 对于服务器 电信 PC 电源 太阳能 UPS 电动车充电等工业应用, 英飞凌最新的 CoolMOS 7 超结 MOSFET 产品家 族 包含 C7 G7 CFD7 和 P7 可满足您的一切需求 从最高效率到最佳性价比等不一而足 而与此同时, 英飞凌还 在该产品组合中新增了业内首个 CoolGaN 增强型 HEMT 产品, 用于进一步优化效率及系统成本 英飞凌的 CoolMOS 超结 MOSFET 产品家族中还包含 600 V CPA 650 V CFDA 和 800 V C3A 等通过汽车应用认证的产品系列 这些通过汽车应用认证的产品系列, 性能优异, 满足可靠 杰出 远远超越 AEC Q101 的质量标准, 可让您在快速发展的车 载充电器及 DC-DC 转换器市场中如虎添翼 16

17 英飞凌功率器件技术 以下英飞凌门极驱动芯片最适合用于驱动英飞凌 MOSFET 应用功率器件家族驱动结构类型通常建议的门极驱动产品型号 PFC 电池供电的应用 逆变器 CoolMOS C7/P7 StrongIRFET OptiMOS 3/5 单低边 双低边 高低边 三相 1ED44176N01F 新 1EDN8550B 新 IRS44273L 1EDN8511B IRS4427S 2EDN8524F 2EDF7175F 新 2EDF7275F 新 2EDL23N06PJ IRS2005S/M IRS2011S IRS2301S IRS21867S IRS2008S/M 新 IRS2007S/M 新 2EDL05N06PF IRS2302S 2EDL8xxx* 6EDL04N02PR 6ED003L02-F2 6ED003L06-F2 6EDL04N06PT CoolMOS P7 2ED2183S06F 新 2EDL23N06PJ 大型家电 逆变器 CoolMOS CFD2/CE 2ED2304S06F 新 IRS2890DS 大型家电 SMPS 照明 驱动 逆变器 <3.5 kw 驱动 SMPS 电动车充电 DC-DC 电动车充电 PFC 太阳能逆变器 升压 /SMPS 微型太阳能逆变器 CoolMOS P7 CoolMOS P7 StrongIRFET OptiMOS 3/5 CoolMOS P7/C7 ColMOS CFD7/CSFD CoolMOS P7/C7/ CFD2/CFD7 CoolMOS C7 OptiMOS 5 CoolMOS C7/CFD2 组串式 / 集中式太阳能逆变器 OptiMOS 5 UPS 主逆变器 StrongIRFET 双低边 高低边 单高边 单高边 双低边 高低边 单高边 高低边 单高边 双高边 单低边 双低边 单低边 双低边 单高边 单高边 单高边 双高边 高低边 高低边 2EDN8524F IRS4427S IRS2186(4)S IRS2153(1)DS IRS10752L IRS20752L IRS2117S IRS25752L 2ED2304S06F 新 2EDL05N06PF IRS2153(1)DS 2ED2106S06F 新 IRS2127S 2EDN8524F IRS2186(4)S 2ED2106S06F 新 2ED2184S06F 新 1EDI20I12AF IR2214SS 1EDI40I12AF 1EDI60I12AF 1EDS20I12SV 新 IRS2113S IRS2186(4)S 2ED2184S06F 新 2EDS8265H 新 2EDS8165H 新 1EDI20N12AF 1EDF5673F 新 2EDF7275F 新 1ED44176N01F 新 IRS44273L 1EDN8511B 1EDN8550B 新 IRS4427S 2EDN8524F 1ED44176N01F 新 IRS44273L IRS4427S 2EDN8524F 1EDI20N12AF 1EDI60I12AF 1EDI20N12AF 2ED2304S06F 新 IR2114SS 2EDL05N06PJ 2EDF7175F 新 2EDF7275F 新 1EDI60N12AF 1ED020I12-F2 2ED020I12-F2 IR2213S IR2214SS 2EDL23N06PJ IRS2186(4)S 2ED2106S06F 新 2ED2184S06F 新 UPS 有源桥式整流器 CoolMOS P7/C7 单高边 1ED020I12-F2 1ED020I12-FT SMPS Vienna 整流器 CoolMOS C7/P7 双高边 2EDF7175F 新 2EDF7275F 新 SMPS 同步整流器 SMPS LLC/ZVS PSFB 电动汽车和混合动力汽车 车载充电器 & DC-DC 转换器 电动汽车和混合动力汽车 驾驶室内手机无线充电 * 即将发布 OptiMOS 5 单低边 双低边 双高边 1ED44176N01F 新 1EDN7550B 新 IR11688S ( 同步整流 ) 2EDN7524F 2EDF7275K 新 CoolGaN 单高边 1EDF5673K 新 CoolGaN 单高边 1EDS5663H 新 CoolMOS P7/CFD7 CoolMOS CFDA 双高边 双低边 高低边 高低边 2EDS8165H 新 2EDS8265H 新 2EDN7524F 2EDN8524F IRS2186(4)S AUIRS2113S AUIRS2181/4S AUIRS2191S 单低边 AUIRS1170S ( 同步整流 ) 双低边 双高边 AUIRB24427S AUIR2085S 2ED020I12FA OptiMOS 5 高低边 AUIRS2301S 17

18 英飞凌功率器件技术 分立式 IGBT 命名 :IGBT IKpccNvvvdH3 IGBT + 二极管 IGpccNvvvH3 单 IGBT p = 封装 c = 电流 v = 电压 d = 二极管 18

19 英飞凌功率器件技术 通过颠覆性的创新和应用导向引领市场无论是风机的电机驱动这种低功率应用, 还是兆瓦级的风电和牵引应用, 英飞凌拥有多种封装选择的 600 V 650 V 和 1200 V IGBT 产品系列都能满足需求 采用创新封装的英飞凌全新 IGBT 芯片技术, 采用沟槽 - 场截止结构, 且部分产品使用 SiC 续流二极管 这些技术在保证器件鲁棒性和可靠性的同时, 还尽可能地提高了功率器件的集成度, 降低了功率损耗 19

20 英飞凌功率器件技术 中低功率模块 EasyPIM /EasyPACK 和 EconoPIM /EconoPACK 家族 EasyPIM /EasyPACK 及 EconoPIM /EconoPACK 产品家族具有紧凑和经济高效的设计, 以及简化和可靠的封装 借助这 些模块, 我们可为中低功率工业驱动提供新一代的优化产品 带 EasyPIM EasyPACK 和 EasyDUAL 配置的 Easy 产品家族覆盖完整的功率范围 电压等级包括 600 V 650 V 和 1200 V, 电流 (I C ) 范围为 6 A 200 A 这些模块无需基板, 同时包含最新的 IGBT4 技术 螺丝钳提供了一种新的快速可靠和低成本的 安装方式 本产品系列已扩展到包含 Easy1B 和 Easy2B 型号, 它们能提供更多灵活性, 但高度已从 17 mm 降到 12 mm, 且带有用于安 装的注入型螺丝钳 Econo 产品家族在 15 A 300 A 标称电流及 600 V 650 V 1200 V 和 1700 V 的电压等级下 延伸了应用的功率范围 现有配置包 括众所周知的 EconoPIM 和 EconoPACK 系列 Econo 封装了铜基板以优化散热性能, 且内部包含热敏电阻 (NTC) Econo 模块有可焊接引脚或 PressFIT 引脚两种类型以供选择, 并且越来越多的 Econo 模块可预装 TIM 除了适用于低开关损耗 低饱和电压和高开关频率的标准平面 IGBT 芯片技术外,Econo 产品家族还包含电压等级为 650 V 1200 V 和 1700 V 的优化型 IGBT4 为方便设计, 具有 10 µs 抗短路能力的 IGBT 如今可利用同样的机械设计提供 650 V 1200 V 和 1700 V 的电压等级 部分 Econo 模块还集成了分流器, 可用于精确和低成本的电流感测 1700 V EconoPACK 1200 V EconoPACK EasyPACK EasyDUAL Econo 六单元 Econo 六单元 Econo 四单元 Econo 十二单元 Econo 六单元 EasyDUAL 600 V / 650 V EconoPACK EasyPACK Econo 六单元 Easy 三电平 Econo 六单元 Econo 四单元 Econo 四单元 EasyDUAL Easy 三电平 1700 V EconoPIM 1200 V EconoPIM EasyPIM EconoPIM EconoPIM EasyPIM 200 I c [A] V / 650 V EconoPIM EasyPIM EconoPIM EasyPIM I c [A] 20

21 英飞凌功率器件技术 以下英飞凌门极驱动芯片最适合用于驱动英飞凌 IGBT 分立式器件和模块 应用功率器件家族驱动结构类型通常建议的门极驱动产品型号 PFC 家电 逆变器 / 压缩机 / 驱动 电机驱动 逆变器 TRENCHSTOP 5 单低边 1ED44176N01F 新 IRS44273L 1EDN8511B HighSpeed 3 双低边 IRS4427S 2EDN8524F RC drives fast 2ED2304S06F 新 IRS2890DS TRENCHSTOP IGBT6 TRENCHSTOP IGBT6;TRENCHSTOP 5 TRENCHSTOP Performance;RC Drives TRENCHSTOP TRENCHSTOP 2 EasyPIM 1B/2B EasyPACK 1B/2B EconoPIM 2 高低边 三相 三相单高边三相单高边三相 2EDL23I06PJ 2EDL05I06PF 2ED2183S06F 新 IRS2113S 6EDL04I06PT IRS2334S 6ED003L06-F2 2EDL23I06PJ 6EDL04I06PT 1EDC20I12AH 新 1EDC30I12MH 新 1EDI30I12MF 2ED020I12-FI IR2214SS 6ED2230S12T 新 IRS2127S 2EDL23I06PJ IR2214SS 6ED2230S12T 新 6EDL04I06PT 电机驱动 SMPS TRENCHSTOP 5 电机驱动 制动斩波器 TRENCHSTOP 2 EasyPIM 1B/2B;EasyPACK 1B EconoPIM 2/3;EconoPACK 2/3/4 EconoDUAL 3;EconoPACK + 34 / 62 mm module CoolSiC SiC MOSFET module 单高边双高边双低边高低边单低边单高边 1EDC20I12AH 新 1EDC30I12MH 新 1EDI30I12MF 1ED020I12-BT 1EDI60I12AF 1EDS20I12SV 新 1ED020I12-B2 2ED020I12-F2 2ED020I12-FI 2EDL23I06PJ IR2214SS 2EDN8524F IRS2186(4)S 2ED2106S06F 新 2ED2184S06F 新 IRS44273L 1EDI05I12AF 1EDI10I12MF 电动车充电桩 DC-DC 太阳能逆变器 升压 太阳能 组串式 / 集中式逆变器 / 热泵 逆变器 >2 kw 热泵 逆变器 <2 kw EasyPACK 1B/2B;EconoPIM 2 EconoPACK 2/3/4;EconoDUAL 3 EconoPACK + ;34 / 62 mm module 单高边 1EDI40I12AF 1EDI20I12AF 1EDS20I12SV 新 CoolSiC SiC MOSFET module HighSpeed 3;TRENCHSTOP IGBT6 IR2214SS TRENCHSTOP 5 高低边 IRS2113S IRS2186(4)S TRENCHSTOP 单低边 1ED44176N01F 新 IRS44273L EasyPACK 1B/2B 双低边 IRS4427S 2EDN8524F CoolSiC SiC MOSFET module 单高边 1EDI20N12AF 1EDI60I12AF EasyPACK 1B/2B;EconoPACK 2/3 单高边 1EDI60I12AF 1ED020I12-F2 1EDI20I12AF EconoDUAL 3;EconoPACK + 34 / 62 mm module 双高边 2ED020I12-F2 CoolSiC SiC MOSFET module 高低边 IR2213S HighSpeed 3;TRENCHSTOP IGBT6 IR2214SS EasyPACK 1B/2B TRENCHSTOP IGBT6;HighSpeed 3 三相 IR2235S TRENCHSTOP 5 2ED2304S06F 新 2EDL05I06PF TRENCHSTOP 三相 6EDL04I06PT TRENCHSTOP 5 TRENCHSTOP 2EDL05I06PJ 2EDL23I06PJ IR2114SS HighSpeed 3 TRENCHSTOP IGBT6 单高边 1EDI20I12AF 1EDI60I12AF 1EDS20I12SV 新 1ED020I12-FT UPS EasyPACK 1B/2B EconoPIM 2/3 EconoPACK 2/3/4 EconoDUAL 3 EconoPACK + 34 / 62 mm module CoolSiC SiC MOSFET module 单高边双高边高低边 1EDI20I12MF 1EDI60I12AF 1ED020I12-F2 1EDS20I12SV 新 1ED020I12-FT 2ED020I12-F2 IRS2186(4)S 2ED2106S06F 新 2ED2184S06F 新 2EDL05I06PJ 2EDL23I06PJ IR2114SS 电动汽车和混合动力汽车 主逆变器 IGBT3 / TRENCHSTOP Trench Gen 6.2 HybridPACK Family 单高边 1EBN1001AE 1EDI2001AS 1EDI2002AS 1EDI2004AS 1EDI2010AS 高低边 AUIRS2113S AUIRS2181/4S AUIRS2191S 电动汽车和混合动力汽车 车载充电器 & DC-DC 转换器 电动汽车和混合动力汽车 辅助设施 TRENCHSTOP 5 AUTO Planar Gen 5 CooliR Gen 1 EasyPACK 1B/2B IGBT3 / TRENCHSTOP Trench Gen6.2 CooliR Gen 2 EasyPACK 1B/2B 单低边双低边双高边高低边单高边三相 AUIRS1170S 同步整流 AUIRB24427S AUIR2085S 2ED020I12FA AUIRS2113S AUIRS2181/4S AUIRS2123 AUIRS2127S AUIRS2336S 21

22 英飞凌功率器件技术 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 可信赖的革命性产品 英飞凌的 CoolSiC 技术可助力实现全新的产品设计 英飞凌的 CoolSiC 碳化硅 (SiC)MOSFET 为设计师提高效率和系统灵活度开创更多新的可能 CoolSiC MOSFET 具有的优势包括 : 在 1200 V 开关中的门极电荷量和器件电容都很低, 内部体二极管的反向恢复损耗可 忽略不计, 不受温度影响的低开关损耗 英飞凌独一无二的 1200 V SiC MOSFET 除了先进的沟槽设计 一流的开关损耗和 导通损耗 最高的跨导 ( 增益 ) 及在门极电压为 15 V 时的抗短路能力, 还具有门极氧化层高可靠度的额外优势 因此, 高度可靠的 SiC MOSFET 非常适合硬开关和谐振开关拓扑 它可以像 IGBT 一样利用标准驱动芯片来驱动, 同时能实 现最高的电平效率及达到硅基开关无法企及的开关频率, 这有助于缩小系统尺寸, 提高功率密度, 并延长寿命周期 CoolSiC MOSFET 的特征 革命性的半导体材料 - 碳化硅 超低的开关损耗 无门限的通态特性 宽栅源电压范围 业内最高的门极阈电压 V GS(th) = 4.5 V 完全受控的 dv/dt 抗换向的体二极管, 能用于同步整流 不受温度影响的关断损耗 益处 一流的系统性能 效率提高, 冷却需求降低 结温大大降低, 可延长使用寿命及提高可靠性 助力提高运行频率, 从而降低系统成本 助力提高功率密度 二电平拓扑可以取代三电平拓扑, 并保持效率不变, 而复杂度和成本降低 适合 LLC 和 ZVS 等硬开关和谐振开关拓扑 销售的产品 R DS(on) V DS 封装 IMW120R045M1 新 45 mω 1200 V TO-247 三脚 IMZ120R045M1 新 45 mω 1200 V TO-247 四脚 TO-247 四脚封装新增了额外的源极引脚 (Kelvin 接法 ), 作为门极驱动信号的基准, 消除了源极电感所产生的感应压降的影 响 这使得 TO-247 四脚封装相比 TO-247 三脚封装开关损耗更低, 尤其是在电流较大和开关频率较高时 22

23 英飞凌功率器件技术 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 模块 基于跟兼容性有关的经验和专业知识, 英飞凌推出了革命性的 CoolSiC MOSFET 技术, 它能助力实现全新的产品设 Easy 1B ( 六单元 放大器 ) Easy 2B ( ) 62 mm ( ) 计 譬如,Easy1B 模块具备良好的散热接口 超低的杂散电感和可靠的设计, 还能提供 PressFIT 引脚 FF11MR12W1M1_B11 DF11MR12W1M1_B11 FF23MR12W1M1_B11 DF23MR12W1M1_B11 FS45MR12W1M1_B11 FF8MR12W2M1_B11 FF6MR12KM1 62mm Easy 2B Easy 1B Discrete & Easy 1B 6 mω coming soon 8 mω coming soon 11 mω NEW Sixpack 45 mω coming soon 2 kw 逆变器功率 200 kw 23

24 英飞凌功率器件技术 碳化硅 (SiC) MOSFET 门极驱动芯片 碳化硅 MOSFET 具有极佳的快速开关性能, 英飞凌提供 1200 伏的 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 以供客户选择 英飞凌的隔离 型门极驱动, 基于无铁芯变压器技术, 以其强大的驱动能力和保护功能而著称, 可以轻松地驱动 1200 V 的碳化硅 (SiC) MOSFET, 并提供可靠的电气隔离 关于隔离型门极驱动的更多选择, 请参阅本选型指南的第 14 页 这些驱动融合了 SiC MOSFET 驱动最重要的关键特征与参 数, 包括极短的传输延迟, 精准的通道间匹配和输入滤波, 超宽的输出范围和负电压驱动能力, 以及极佳的共模瞬变抗扰 度 (CMTI), 有源米勒箝位以及 DESAT 短路保护 产品 产品型号 典型峰值驱动电流 VCC2- VEE2 典型 UVLO 阈值 典型传输延迟 有源米勒箝位 其它关键功能 封装 DSO-8 1EDI20I12MF 3.5 A 20 V 11.9 V / 11 V 300 ns 有功能隔离 1ED Compact 隔离型高边驱动家族 1EDC20H12AH 新 3.5 A 35 V 12 V / 11.1 V 125 ns 无 DSO-8 1EDC60H12AH 新 9.4 A 35 V 12 V / 11.1 V 125 ns 无 8 mm 爬电距离 ;UL 通过认证 :V ISO = 2500 V(rms), 持续 1 min 1EDC20I12MH 新 3.5 A 20 V 11.9 V / 11 V 300 ns 有 DSO-16 1ED-F2 隔离型高边驱动, 带强大的保护功能 1ED020I12-F2 2.0 A 28 V 12 V / 11 V 170 ns 有 短路电流箝位 ;DESAT 保护 ; 有源关断 DSO-36 2ED-F2 隔离型双高边驱动, 带强大的保护功能 2ED020I12-F2 2.0 A 28 V 12 V / 11 V 170 ns 有 DSO-36 1EDU 隔离型高边驱动提供 SRC 功能 1EDU20I12SV 新 2.0 A 28 V 11.9 V / 11 V 485 ns 有 实时可调整的门极电流控制 ; 过流保护 ; 软关断 ; 两电平关断 ;UL 通过认证 :V ISO = 5000 V(rms), 持续 1 min 24

25 英飞凌功率器件技术 CoolGaN e-mode HEMT 专为开关电源实现最高效率和功率密度而设计 CoolGaN - 相比于最好的硅基开关器件 - 能够通过更高的开关频率实现更高的功率密度和最高的效率, 尤其是采用 CCM 图腾柱 PFC 在部分负载范围内的效果尤为显著 相比硅基 FET 解决方案,GaN 增强型 (e-mode)hemt 在反向导通模式下, 具有较少的反向恢复电荷和卓越的动态性能 这使得它能提高现有频率下的运行效率, 并通过更高工作频率以缩小电力电子产品中无源器件的尺寸进而增加功率密度 在给定的储能槽尺寸下,CoolGaN 的输出功率可以加倍, 在节省空间的同时提高了效率 英飞凌的 CoolGaN 是市面上最可靠的 符合全球认证标准的 GaN 解决方案之一 在质量管理程序中, 不仅测试了器件本身, 还测试了它在应用中的行为 CoolGaN 的性能远超市面上的其它 GaN 产品 它的预期使用寿命超过 15 年, 故障率小于 1 FIT 应用功率器件家族驱动结构类型 通常推荐的门极驱动产品型号 益处 SMPS PFC Vienna 整流器多电平开关 1EDF5673K 1EDF5673F 新新 高压 CoolGaN IGO60R070D1 IGOT60R070D1 IGT60R070D1 IGT60R190D1S IGLD60R070D1 新新单高边新新新 SMPS LLC/ZVS PSFB 1EDS5663H 新 功率 : 拉电流 :0.85 Ω, 灌电流 :0.35 Ω 速度 :18 ns 最小输出脉宽精度 :13 ns 传输延迟窗口保护 : 功能绝缘和加强绝缘, V IOTM = 8 kv pk VDE CMTI > 200 V/ns 二电平负门极驱动电压, 即使是第一个脉冲 减少 GaN HEMT 误导通 SMPS 更稳定运行 死区损耗最多降低 50% GaN 导通瞬态与占空比或开关速度无关 恒定的 GaN HEMT 开关转换速率 优良的运行稳定性 研发投入最少 集成电气绝缘 强共模瞬态抗扰度 (CMTI) 更适合硬开关 25

26 英飞凌功率器件技术 英飞凌固态继电器 (SSR) 技术 采用英飞凌功率器件技术的英飞凌固态继电器 (SSR), 可作为远程控制开关 ( 开 / 关 ) 提供输入到输出端的完全电气隔离 且输出端无需供电电源 两个主要子类 : 光电隔离器 (PVI) 能直接驱动 MOSFET 或 IGBT 门极的隔离型 低功率 DC 电压源 光电继电器 (PVR) PVI 加内部集成功率 MOSFET 英飞凌 SSR 技术的主要益处 : 光耦隔离技术可为安全应用提供电气隔离 应用范围广 从工业自动化到检测设备都适用 拥有 20 多年历史 成熟可靠的产品 相比机电式继电器的主要优势 : 运行时不产生噪音 无接触抖动 紧凑的解决方案 快速的响应 输入灵敏度高 可靠性高, 使用寿命长 不易受杂散电磁场 冲击和振动的影响 接触电阻在寿命周期内保持稳定 英飞凌 SSR 可用于一系列应用 : 取代机电式继电器 (EMR) 电池管理系统 UPS 自动检测设备 仪表系统 工业自动化 恒温控制器 可编程逻辑控制器 700 V 600 V 500 V 负载电压 [V] ( 直流或交流电压峰值 ) 400 V 300 V 200 V PVR( 拥有内置 开关 ) PVI + 外部开关 100 V 0 V 0 A 1 A 2 A 3 A 4 A 5 A 6 A 7 A 负荷电流 [A] PVI: 光电隔离器 PVR: 光电继电器 26

27 Infineon imotion technologies 英飞凌 imotion 技术 面向电机控制解决方案的灵活 可扩展平台 imotion 产品为用于控制调速驱动的高集成度器件 通过集成永磁同步电机 (PMSM) 控制所需的硬件和算法, 它们能缩短电机变频系统的上市时间, 提供最高的效率, 同时使得系统成本和开发成本都最低 imotion 产品 市场需求 能效法规驱使变频化速率不断提升 产品生命周期缩短驱使设计周期缩短 专注于关键的差异化元素推动了外包趋势 价格压力上升需要降低系统成本 关键益处 易用 无需特殊的电机控制知识 高性能 低能耗的解决方案 因为不再需要霍尔传感器来控制, 可简化系统解决方案 以最快速度上市 应用功率控制器家族驱动结构类型通常建议的门极驱动产品型号 电池供电的应用 电机逆变器 / BLDC <2 kw 家电 PFC 家电 逆变器 / 压缩机 / 驱动 imotion (IMC101T IMC301A*) imotion (IMC102T IMC302A*) imotion (IMC101T IMC301A*) 高低边三相单低边双低边高低边三相 IRS2005S/M IRS2011S IRS2008S/M 新 IRS2007S/M 新 6EDL04N02PR 6ED003L02-F2 1ED44176N01F 新 IRS44273L 1EDN8511B IRS4427S 2EDN8524F IRS2113S 2ED2304S06F 新 IRS2890DS 2EDL23I06PJ 2EDL05(I,N)06PF 2ED2183S06F 6EDL04(I,N)06xT IRS2334S 6ED003L06-F2 * 即将发布 27

28 典型的门极驱动应用 典型的门极驱动应用 系统由一组相互影响或相互独立的 可形成一个整体的部件组成 从纯粹的产品思维到全面的系统知识, 英飞凌可打造出让电力发送 传输和转换都更高效 更可靠的系统解决方案 本章将讲述英飞凌门极驱动 功率器件和模块所适用的典型应用 电平转换技术 (SOI&JI) 无铁芯变压器 (CT) 技术 非隔离型 (N-ISO) 技术 28

29 典型的门极驱动应用 电机驱动 用于提升能效和性能的电子速度控制系统英飞凌的门极驱动芯片是您最专业的选择 凭借产品组合的广度和深度, 客户可为电机驱动应用快速设计和构建高效 稳健的系统 电机驱动应用 商用缝纫机 电梯 / 自动扶梯 风机和泵 (PFC 逆变器) 通用电机 重负荷电机 (<200 kw) 伺服电机和步进电机 自动门和开门系统 ( 逆变器 <1 kw) 商用车 工程车和农用车 (CAV, 比如电动巴士 ) 叉车 ( 液压泵逆变器 电机逆变器 ) 商用空调 (CAC 压缩机 风机 <17 kw) 机器人 推荐的门极驱动 ( 电机驱动 ) 应用 逆变器 (<3.5 kw) 逆变器 (<7.5 kw) 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 200 IRS2007S/M 新 0.29/ 封装描述适用的功率器件和模块 DSO-8 VQFN-14 单高边 IRS2127S 0.29/0.6 DSO-8 2EDL23I06PJ 2.3/2.8 DSO-14 高低边 IRS2186(4)S 4/4 三相 6EDL04I06PT 0.165/0.375 IR2136S/J 0.2/0.23 DSO-14 DSO-8 DSO mil DSO mil LCC-32 IR2214SS 2/3 SSOP-24 三相 6ED2230S12T 新 0.35/0.65 DSO-24 单高边 1EDC20I12AH 新 4/3.5 1EDC30I12MH 新 5.9/ V, 带 V CC & V BS UVLO 600 V 单高边驱动, 带故障报告 过流保护 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告驱动电流强的 600 V 高低边驱动英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 过流保护 使能 故障报告 1200 V 驱动, 带 DESAT 同步 软关断 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 DSO mil 功能隔离 100 kv/µs CMTI 短路电流箝位 DSO mil 1EDI30I12MF 5.9/6.2 DSO-8 三相 6ED2230S12T 新 0.35/0.65 DSO-24 2ED020I12-FI 1.5/2.5 DSO-18 V ISO = 2500 V(rms), 持续 1 min( 仅适用于 1EDC) 有源米勒箝位 ( 仅适用于 MH/MF) 独立的拉 / 灌电流输出引脚 ( 仅适用于 AH) 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 高边功能隔离 比较器 OPAMP 停机 StrongIRFET (IRF135B203 IRF135SA204) OptiMOS TM 3 (IPB072N15N3 IPB042N10N3 G IPB107N20N3) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKD10N60RF IKA15N65ET6 IKW30N60DTP IKB40N65ES5) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP10R06W1E3_B11 FP15R06W1E3_B11 FB20R06W1E3 FP20R06W1E3_B11 FB30R06W1E3) EasyPACK 1B 模块 (FS20R06W1E3_B11) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW25N120T2 IKW40N120T2 IKQ75N120CT2) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11) Easy 1B/2B 三电平模块 (F3L15R12W2H3_B27) EconoPIM 2 模块 (FP25R12KT4_B15) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW08T120 IKW15N120T2) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4 FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4) CoolSiC SiC MOSFET (IMZ120R045M1 - 四脚 ) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120T2 IKQ50N120CT2 IKQ75N120CT2) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP25R12W2T4_B11 FP35R12W2T4_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS25R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11) Easy 1B/2B 三电平模块 (F3L15R12W2H3_B27) EconoPIM 2 模块 (FP25R12KT4_B15 FP50R12KT4G) EconoPACK 2/3 模块 (FS50R12KT4_B15) TRENCHSTOP IGBT+Diode ( IKW40N120T2) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4 FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120T2 IKQ50N120CT2 IKQ75N120CT2) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4 FP25R12W2T4_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS25R12W1T4_B11) Easy 1B/2B 三电平模块 (F3L15R12W2H3_B27) 29

30 典型的门极驱动应用 电机驱动 用于提升能效和性能的电子速度控制系统 推荐的门极驱动 ( 电机驱动 )( 续表 ) 应用 逆变器 (<30 kw) 逆变器 (<200 kw) PFC SMPS (<3 kw) 制动斩波器 (<3.5 kw) 驱动电压等级 [V] 单高边 25 单低边 20 驱动结构类型 产品型号 单高边 1ED020I12-F2 2/2 拉 / 灌电流典型值 [A] 封装描述适用的功率器件和模块 DSO mil 双高边 2ED020I12-F2 2/2 DSO-36 单高边 1ED020I12-BT 2/2 1EDI60H12AH 10/9.4 DSO mil DSO-8 300mil 1EDS20I12SV 新 SRC/2 DSO-36 1ED020I12-B2 2/2 DSO mil 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 IRS44273L 1.5/1.5 SOT23-5 功能隔离 100 kv/µs CMTI 有源米勒箝位 DESAT 短路电流箝位 故障复位 基本隔离 VDE 认证, V IORM = 1420 V,V IOTM = 6000 V; UL 1577 认证,V ISO =3750 V(rms), 持续 1 min, 100 kv/µs CMTI 有源米勒箝位 DESAT 短路电流箝位 两电平关断 故障复位 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 增强隔离 VDE , V IORM = 1420 V,V IOTM = 8000 V; UL 1577,V ISO = 5000 V(rms); 软关断 DESAT 故障报告 过流保护 可控制 dv/dt(src) 两电平关断 基本隔离 VDE 认证, V IORM = 1420 V,V IOTM = 6000 V; UL 1577 认证,V ISO = 3750 V(rms), 持续 1 min 100 kv/µs CMTI 有源米勒箝位 DESAT 短路电流箝位 故障复位 两电平关断 clamping FAULT-RST TLTO 低边门极驱动, 带集成的过流保护 (±5%) 故障报告 及使能 采用小型 易用封装的低边门极驱动 单低边 1EDN8511B 4/8 SOT23-6 传输延迟短和驱动电流强的低边 双低边 2EDN8524F 5/5 DSO-8 门极驱动 25 双低边 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 畅销业界多年的双低边门极驱动 20 双低边 2EDN8524F 5/5 DSO 高低边 IRS2186(4)S 4/4 DSO-14 DSO-8 25 单低边 IRS44273L 1.5/1.5 SOT 单高边 CMOS 电平输入的 20 V 正逻辑双低边驱动 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 CMOS 电平输入和采用小型五脚 SOT-23 封装的正逻辑低边驱动 1EDI05I12AF 1.3/0.9 DSO-8 功能隔离 100 kv/µs CMTI 短路电流箝位 独立的拉 / 灌电流输出引脚 ( 仅适用于 AF) 有源米勒箝位( 仅 1EDI10I12MF 2.2/2.3 DSO-8 适用于 MF) CoolSiC SiC MOSFET (IMZ120R045M1 四脚 ) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4_B11 FP25R12W2T4_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS25R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11) EconoPIM 2 模块 (FP25R12KT4_B15 FP50R12KT4G) EconoPACK TM 2/3 模块 (FS50R12KT4_B15) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11) EconoPIM 2/3 模块 (FP150R12KT4(P)_B11) EconoPACK 2/3/4 模块 (FS150R12KT4(P)_B11) EconoDUAL 3 模块 (FF300R12ME4_B11) EconoPack + 模块 (FS300R12OE4 FS450R12OE4) 34 mm 模块 (FF150R12RT4) 62 mm 模块 (FF300R12KE4) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS50R12W2T4_B11 FS75R12W2T4_B11) Easy 1B/2B 三电平模块 (FS3L50R07W2H3F_B11 F3L75R12W1H3_B11 F3L100R12W2H3_B11) EconoPIM 2/3 模块 (FP75R12KT4_B15 FP100R12KT4(P)_B11) EconoPACK 2/3/4 模块 (FS75R12KT4_B15 FS100R12KT4G(P)_B11) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF100R12RT4) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW30N65H5 IKW40N65WR5 IKFW40N60DH3E IKFW50N60DH3E) Rapid Diode (IDW30E65D1 IDW60C65D1) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) CIPOS Mini (IFCM15S60GD IFCM15P60GD IFCM10P60GD IFCM10S60GD) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKP30N65F5 IKB40N65EF5) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7 IPW65R019C7 IPW65R045C7 IPW65R065C7 IPW65R095C7 IPW65R125C7 IPW65R190C7) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120T2 IKQ50N120CT2 IKQ75N120CT2) 30

31 典型的门极驱动应用 纯电动汽车和混合动力汽车 对于 ( 混合动力 ) 电动汽车而言, 能效是决定续航里程的关键因素之一, 对于辅助应用也是如此 英飞凌 通过汽车应用认证的门极驱动芯片, 有助于简化设计及优化所有 MOSFET 和 IGBT 的性能 ( 混合动力 ) 电动汽车应用 车载充电器 高压 低压 DC-DC 转换器 辅助负荷 驾驶室内手机无线充电 推荐的门极驱动 ( 电动汽车 & 混合动力汽车 ) 应用 车载充电器 & DC-DC 转换器 * 即将发布 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 20 双低边 AUIRB24427S 6/6 DSO AUIR2085S 1/1 DSO 单低边 AUIRS1170S 3/6 DSO 辅助驱动 ( 风 600 机 泵 HVAC 热泵 PTC 加热器 ) 驾驶室内手机无线充电 封装描述适用的功率器件和模块 用于 10 kw 以上汽车电机驱动的芯片, 峰电流高达 ±15 A, 支持反应时间非常快的有源箝位, 有源箝位禁用,ASC 输入信号 驱动面向 48 V 分布式系统的直流总线转换器, 可减少部件数量和节省电路板空间, 可编程的开关频率 < 500 khz 可调整的死区时间 二次侧高速同步整流控制器 带 SYNC 功能的 ccm 操作 > 500 khz 逐个周期的 MOT 检查 高低边 AUIRS2113S 2.5/2.5 DSO-16 耐受负瞬态电压 UVLO 高低边 AUIRS2191S 3.5/3.5 DSO-16 高低边 AUIRS21814S 1.9/2.3 DSO-14 三相 AUIRS2336S 0.2/0.35 DSO 单高边 AUIR2114SS* 3/3 SSOP 高低边 AUIRS2301S 0.2/0.35 DSO-8 耐受负瞬态电压 UVLO 匹配的传输延迟 耐受负瞬态电压 UVLO 匹配的传输延迟 最多驱动 6 个 IGBT/MOSFET 功率器件 过流保护 过温关断输入 高级输入过滤器 集成的死区保护 直通短路保护 UVLO 两条供电线路的 UVLO( 带滞后 ) 两侧的退饱和检测 带内置的偏压电阻器 软关断功能和引脚 耐受负瞬态电压 UVLO 匹配的传输延迟 AIGW40N65H5 AIGW40N65F5 AIKW40N65DH5 AIKW40N65DF5 AIGW50N65H5 AIGW50N65F5 AIKW50N65DH5 AIKW50N65DF5 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP50B60PD1 AUIRGP65G40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGP66524D0 AUIRGF66524D0; CoolMOS CPA (IPB60R099CPA IPP60R099CPA IPW60R045CPA IPI60R099CPA) CoolMOS CFDA (IPD65R420CFDA IPB65R110CFDA IPP65R110CFDA IPW65R048CFDA) EasyPACK 1B/2B (FS75R07W2E3) AUIRG4BC30U-S AUIRG4PC40S-E AUIRGB4062D1 AUIRGSL4062D1 AUIRGS4062D1 AUIRGP4062D AUIRGP4062D-E AUIRGP4063D AUIRGP4063D-E AUIRGR4045D AUIRGU4045D AUIRGP4066D1 AUIRGS30B60K AUIRGSL30B60K AIKB20N60CT AIKP20N60CT AIKW20N60CT AIKW30N60CT AIKW50N60CT EasyPACK 1B/2B (FS75R07W2E3) AUIRG4PH50S AUIRGDC0250 IPG20N04S4L-11A IPZ40N04S5L-4R8 IPZ40N04S5L-7R4 31

32 典型的门极驱动应用 电动汽车和混合动力汽车 主逆变器 典型的应用接线图 - 主逆变器 在拥有电动传动系统的车辆中, 逆变器控制着电动机, 是汽车中的重要组件之一 因为它决定着驾驶行为 无论是同步电机 异步电机还是无刷直流电机, 逆变器都由集成的电路板控制, 该电路板应能最大限度降低开关损耗和提高热效率 原因是, 汽车的续航里程与主逆变器的效率直接相关 英飞凌 EiceDRIVER 门极驱动产品家族包含可实现隔离和双向信号传输的汽车用单通道和双通道 IGBT 驱动芯片 这些产品非常适合最重视能效 空间节省和监控功能的汽车应用中的主逆变器系统 英飞凌通过汽车应用认证的门极驱动芯片, 可帮助简化设计及优化所有 MOSFET 和 IGBT 的性能 推荐的门极驱动 ( 电动汽车 & 混合动力汽车 - 主逆变器 ) 应用 主逆变器 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 400 单高边 1EBN1001AE 15 DSO 单高边 1EDI2001AS 2 DSO-36 单高边 1EDI2002AS 2 DSO-36 单高边 1EDI2010AS 2 DSO-36 封装描述适用的功率器件和模块 用于 10 kw 以上汽车电机驱动的 IGBT/MOSFET 门极驱动芯片, 峰电流高达 ±15 A, 支持反应时间非常快的有源箝位, 有源箝位禁用,ASC 输入信号 片上电流隔离 ( 高达 6 kv) 支持 5 V 逻辑电平 支持菊花链的 16 位标准 SPI 接口 ( 最大速度 :2 MBaud), 使能输入引脚, 用于关键信号的准差分输入 上电复位引脚 调试模式 脉冲抑制器 两电平关断 片上电流隔离 ( 高达 6 kv) 支持 5 V 逻辑电平 支持菊花链的 16 位标准 SPI 接口 ( 最大速度 :2 MBaud), 使能输入引脚, 用于关键信号的准差分输入 上电复位引脚 调试模式 脉冲抑制器 两电平关断 集成的 ADC IGBT3 / TRENCHSTOP (AIKW75N60CT AIKQ100N60CT AIKQ120N60CT AUIRGPS4070D0) Trench Gen 6.2 HybridPACK 家族 (FS200R07A02E3_S6 FS820R08A6P2B FS820R08A6P2LB FS400R07A1E3_S7 FS200R07A1E3) 32

33 典型的门极驱动应用 电动车充电桩 随着电动车越来越多地出现在我们的日常生活中, 市场对更高效的充电解决方案的需求越来越大 如今, 一个 150 kw 的直流充电桩只需 15 分钟左右, 就能为一辆电动汽车充电至续航 200 公里 随着快速充电和电池技术的不断发展和完善, 专家预计充电时间还可进一步缩短 英飞凌在电动汽车和充电领域的独特专长, 使其成为推进电动汽车直流充电的效率 性能 成本优化和创新的首选合作伙伴 推荐的门极驱动 ( 电动车充电桩 ) 应用 DC-DC (<3 kw) DC-DC (<30 kw) DC-DC (<60 kw) 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 600 高低边 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] IRS2113S/M 2.5/2.5 IRS2186(4)S 4/4 封装描述适用的功率器件和模块 DSO mil VQFN-14 DSO-14 DSO 单高边 1EDI05I12AF 1.3/0.9 DSO 单高边 1EDC20H12AH 新 4/3.5 DSO mil 1EDI40I12AF 7.5/6.8 DSO 双高边 2EDS8265H 新 4/ 单高边 DSO mil 1EDC60H12AH 新 10/9.4 DSO-8 1EDS20I12SV 新 SRC/2 DSO V 高低边门极驱动, 停机 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 增强隔离 150 kv/µs CMTI 使能 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 增强隔离 VDE V IORM = 1420 V V IOTM = 8000 V; UL 1577 V ISO = 5000 V(rms); 可控制 dv/dt(src) 软关断 DESAT 故障报告 过流保护 两电平关断 TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKB40N65EH5 IKW75N65EH5 IKZ75N65EH5) CoolMOS MOSFET (IPP65R110CFD IPP65R310CFD IPP65R420CFD IPP65R660CFD IPW60R105CFD7 IPW60R145CFD7 IPP60R170CFD7 IPP60R280CFD7) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120H3) CoolMOS MOSFET (IPP65R110CFD IPP65R310CFD IPP65R420CFD IPP65R660CFD IPW60R105CFD7 IPP60R170CFD7 IPP60R280CFD7) CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1 - 三脚 IMZ120R045M1 - 四脚 ) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKQ50N120CH3 IKQ75N120CS6) CoolMOS MOSFET (IPW65R041CFD IPW65R080CFD IPW60R018CFD7 IPW60R040CFD7 IPW60R070CFD7 IPW60R090CFD7 IPL60R060CFD7 IPW60R037CSFD) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11; DF11MR12W1M1_B11;DF23MR12W1M1_B11) EasyPack 1B/2B 模块 (F4-3L50R07W2H3F_B11) EconoPIM 2 模块 (FP50R07N2E4_B11) EconoPACK 2/3/4 模块 (FS75R12KT4_B15 FS100R12KT4G(P)_B11 FS200R12KT4R(P)_B11 FS225R12OE4) EconoDUAL 3 模块 (FF225R12ME4_B11) 34mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) 62mm 模块 (FF200R12KE4) PFC 650 双高边 注释 1 : 共模抑制 (CMR) 电压最高达到 80 V 2EDF7275F 新 4/8 2EDF7175F 新 1/ 单高边 1EDI40I12AH 7.5/6.8 DSO mil DSO mil 20 1 单低边 1EDN8550B 新 4/8 SOT 单低边 1EDN8511B 4/8 SOT 双低边 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 双通道隔离型门极驱动芯片 功能隔离 100 kv/µs 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 20 V 正逻辑信号低边驱动, 真正的差分输入, 特别适合 PFC 升压电路中带 kelvin source 的四脚器件 20 V 正逻辑单低边驱动,CMOS 电平输入, 采用小巧的六脚 SOT-23 封装 25 V 正逻辑双低边驱动,CMOS 电平输入 TRENCHSTOP 5 H5 (IKW50N65EH5 IKZ50N65EH5 IKW75N65EH5 IKZ75N65EH5) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R360P7 IPW65R019C7 IPW65R065C7 IPW65R125C7 IPW65R190C7) 33

34 典型的门极驱动应用 照明 照明应用 商业照明 工业照明 农业照明 推荐的门极驱动 ( 照明 ) 应用 PFC 驱动电压等级 [V] 25 驱动结构类型 单低边 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 IRS44273L 1.5/1.5 SOT EDN8511B 4/8 SOT 双低边 IRS4427S 2.3/3.3 DSO EDN8524F 5/5 DSO-8 封装描述适用的功率器件和模块 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 25 V 正逻辑单低边驱动,CMOS 电平输入, 采用小巧的五脚 SOT-23 封装 20 V 正逻辑单低边驱动,CMOS 电平输入, 采用小巧的六脚 SOT-23 封装 25 V 正逻辑双低边驱动,CMOS 电平输入 20 V 正逻辑双低边驱动,CMOS 电平输入 CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) HS 降压 (<100 W) HB(LLC) (<200 W) 同步降压 100 单高边 IRS10752L 0.16/0.24 SOT IRS20752L 0.16/0.24 SOT 高低边 100 V 单高边驱动, 采用小巧的六脚 SOT-23 封装 200 V 单高边驱动, 采用小巧的六脚 SOT-23 封装 IRS2117S 0.29/0.6 DSO V 单高边门极驱动 IRS25752L 0.16/0.24 SOT23-6 2ED2106S06F 新 0.29/0.7 DSO V 单高边驱动, 采用小巧的六脚 SOT-23 封装 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 600 IRS2101S 0.29/0.6 DSO V 高低边门极驱动 650 2ED2304S06F 新 0.36/0.7 DSO IRS2153(1)DS 0.18/0.26 DSO-8 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 自振 集成自举 FET 停机和可编程关断 200 高低边 IR2010S 3/3 DSO V 高低边驱动, 停机 600 2EDL05N06PF 0.36/0.7 DSO-8 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 CoolMOS MOSFET (IPP80R280P7 IPP80R360P7 IPP80R450P7 IPP80R600P7 IPP80R750P7 IPP80R900P7 IPP80R1K2P7 IPP80R1K4P7 IPD80R2K0P7 IPD80R2K4P7 IPD80R3K3P7 IPD80R4K5P7) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) CoolMOS MOSFET (IPP80R280P7 IPP80R360P7 IPP80R450P7 IPP80R600P7 IPP80R750P7 IPP80R900P7 IPP80R1K2P7 IPP80R1K4P7 IPD80R2K0P7 IPD80R2K4P7 IPD80R2K4P7 IPD80R4K5P7) 34

35 典型的门极驱动应用 轻型电动车 (LEV) 轻型电动车应用 电动自行车 / 电动滑板车 (<2 kw) 低速电动汽车 ( 叉车 高尔夫球车 ; <15 kw <70 km/h) 小型电动汽车 (<30 kw <200 km/h) 推荐的门极驱动 ( 轻型电动车 ) 应用 电机逆变器 / BLDC (<2 kw) 电机逆变器 (<15 kw) 电机逆变器 (<30 kw) 驱动电压等级 [V] 200 驱动结构类型 高低边 三相 650 双高边 高低边 三相 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] IRS2005S/M 0.29/0.6 封装描述适用的功率器件和模块 DSO-8 VQFN-14 IRS2011S 1/1 DSO-8 IRS2008S/M 新 0.29/0.6 IRS2007S/M 新 0.29/0.6 DSO-8 VQFN-14 DSO-8 VQFN-14 6EDL04N02PR 0.165/0.375 TSSOP-28 6ED003L02-F /0.375 TSSOP-28 2EDF7275F 新 4/8 DSO-16 2EDF7175F 新 1/2 150 mil IRS21867S 4/4 DSO-8 IRS2301S 0.2/0.35 DSO-8 2EDL05N06PF 0.36/0.7 DSO-8 IRS2302S 0.2/0.35 DSO-8 6ED003L06-F / EDL04N06PT 0.165/0.375 DSO mil DSO mil 2ED2183S06F 新 2.5/2.5 DSO-8 2EDL23N06PJ 2.3/2.8 DSO-14 单高边 1EDI60(I,N)12AF 10/9.4 DSO-8 三相 6ED2230S12T 新 0.35/0.65 DSO-24 IR2235S/J 0.25/0.5 DSO mil LCC V 高低边驱动, 带 V CC & V BS UVLO 200 V 1-A 高低边驱动, 带 V CC & V BS UVLO 200 V, 停机 V CC & V BS UVLO 200 V, 带 V CC & V BS UVLO 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带过流保护 使能 故障报告 功能隔离 停机 600 V 高低边门极驱动, 低 UVLO(6/5.5 V) 600 V 高低边门极驱动, 低 UVLO(4.1/3.8 V) 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 600 V 门极驱动, 停机, 低 UVLO(4.1/3.8 V) 英飞凌 SOI 技术, 带过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 StrongIRFET (IRFB7530PBF IRFS7530PBF IRF100B201 IRF100S201 IRF135B203 IRF135S203 IRFB4115 IRFS4115) OptiMOS 3/5 (IPB017N06N3 IPT012N06N IPB017N08N5 IPB017N10N5 IPB042N10N3 IPB048N15N5 IPB073N15N5 IPB107N20N3 IPT015N10N5 IPT059N15N3) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKD10N60RF IKA15N65ET6 IKW30N60DTP IKB40N65ES5 IKW50N60DTP IKW75N60T) StrongIRFET (IRFB7530PBF IRFS7530PBF IRF100B201 IRF100S201 IRF135B203 IRF135S203 IRFB4115 IRFS4115) OptiMOS 3/5 (IPB017N06N3 IPT012N06N IPB017N08N5 IPB017N10N5 IPB042N10N3 IPB048N15N5 IPB072N15N5 IPB107N20N3 IPT015N10N5 IPT059N15N3) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP20R06W1E3_B11 FP50R06W2E3_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS30R06W1E3_B11 FS50R06W1E3_B11) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP25R12W2T4_B11) EasyPACK 1B 模块 (FS35R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11) EconoPIM 2 模块 (FP35R12KT4_B15 FP50R12KT4G) EconoPACK 2/3 模块 (FS50R12KT4_B15) 英飞凌 1200 V SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 EasyPIM 1B/2B 模块 1200 V 三相驱动, 带过流保护 停机 OPAMP 故障报告 (FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4) 35

36 典型的门极驱动应用 大型家电 (MHA) 大型家电应用 冰箱 ( 压缩机 ) 空调 (PFC 压缩机 风机 SMPS) 洗衣机 (Drum 电机 排水泵 ) 烘干机 (Drum 驱动 压缩机 风 机驱动 ) 洗碗机 ( 排水泵 喷淋 / 主循环 泵 ) 推荐的门极驱动 ( 大型家电 ) 应用 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 封装描述适用的功率器件和模块 PFC 逆变器 / 压缩机 / 电机 / 风机 SMPS (100 W) * 即将发布 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 25 单低边 IRS44273L 1.5/1.5 SOT23-5 正逻辑单低边驱动,CMOS 电 平输入, 采用小巧的 SOT EDN8511B 4/8 SOT23-6 封装 25 双低边 IRS4427S 2.3/3.3 DSO EDN8524F 5/5 DSO EDL23(I,N)06PJ 2.3/2.8 DSO 三相 2ED2304S06F 新 0.36/0.7 DSO-8 IRS2890DS 新 0.22/0.48 DSO-14 2EDL23(I,N)06PJ 2.3/2.8 DSO-14 2EDL05(I,N)06PF 0.36/0.7 DSO-8 6EDL04(I,N)06xT 0.165/0.375 IRS2334S/M 0.2/0.35 6ED003L06-F /0.375 DSO mil DSO mil VQFN-28 DSO mil 正逻辑双低边驱动,CMOS 电平输入 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 集成自举 FET 故障报告 过流保护 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 600 V 三相门极驱动芯片 英飞凌 SOI 技术, 带过流保护 使能 故障报告 20 2EDN8524F 5/5 DSO-8 正逻辑双低边驱动,CMOS 电双低边 25 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 平输入 650 高低边 2ED2106S06F 新 0.29/0.7 DSO 高低边 IRS2186(4)S 4/4 DSO-14 DSO-8 IRS2153(1)DS 0.18/0.26 DSO-8 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 自振 集成自举 FET 停机和可编程关断 TRENCHSTOP (IKW30N65H5 IKW40N65WR5 IKFW40N60DH3E IKFW50N60DH3E) Rapid diode (IDW30E65D1 IDW60C65D1 IDFW40E65D1E IDFW60C65D1) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) CIPOS Mini (IFCM15S60GD IFCM15P60GD IFCM10P60GD IFCM10S60GD) imotion (IMC102T IMC302A*) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKD03N60RF IKD04N60RF IKD06N60RF) TRENCHSTOP IGBT6 (IKA08N65ET6 IKA10N65ET6 IKA15N65ET6 IKD06N65ET6* IKD08N65ET6*) CoolMOS MOSFET (IPD65R1K4CFD IPD65R950CFD IPN60R1K0CE IPN60R1K5CE IPD60R1K5CE IPD60R1K0CE) imotion (IMC101T IMC301A*) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7) 36

37 37

38 典型的门极驱动应用 可再生能源 可再生能源应用 太阳能 ( 组串式逆变器和集中式逆变器 ) 太阳能 ( 微型逆变器 ) 热泵 ( 泵逆变器 ) 38

39 典型的门极驱动应用 推荐的门极驱动 ( 可再生能源 ) 应用 太阳能升压逆变器 /SMPS 太阳能微型逆变器 DC-AC (<200 W) 太阳能组串式 / 集中式逆变器 DC-AC (>200 W) 驱动电压等级 [V] 25 驱动结构类型 单低边 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 IRS44273L 1.5/1.5 SOT23-5 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 双低边 20 2EDN8524F 5/5 DSO 单高边 EDI20N12AF 4/3.5 DSO-8 1EDC60H12AH 新 10/ 双高边 2EDF7275F 新 4/8 封装描述适用的功率器件和模块 DSO-8 300mil 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 正逻辑低边驱动,CMOS 电平输入 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 2ED2304S06F 新 0.36/0.7 DSO-8 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 IR2114SS 2/3 SSOP-24 DESAT 同步 软关断 故障报告 2EDL05N06PJ 0.36/0.7 DSO-14 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 DSO mil 1200 单高边 1EDI20N12AF 4/3.5 DSO 单高边 1EDI60(I,N)12AF 10/9.4 DSO-8 1ED020I12-F2 2/2 DSO mil 双高边 2ED020I12-F2 2/2 DSO-36 高低边 IR2213S 2/2.5 DSO mil 功能隔离 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 120-ns 传输延迟 功能隔离 100 kv/µs CMTI 有源米勒箝位 DESAT 短路电流箝位 故障复位 1200 V 高低边门极驱动, 带停机 独立供电引脚 IR2214SS 2/3 SSOP V 驱动, 带 DESAT 同步 软关断 故障报告 三相 6ED2230S12T 新 0.35/0.65 DSO-24 英飞凌 1200 V SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 CoolMOS MOSFET (IPW65R019C7 IPW65R065C7 IPW65R095C7 IPW65R190C7) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (DF11MR12W1M1_B11 DF23MR12W1M1_B11) EasyPACK 1B/2B 模块 (DF100R07W1H5FP_B54 DF160R12W2H3F_B11) CoolMOS MOSFET (IPW65R019C7 IPW65R065C7 IPW65R095C7 IPW65R190C7) OptiMOS 5 (BSC035N10NS5 BSC093N15NS5) CoolMOS MOSFET (IPP65R110CFD IPP65R190CFD IPP65R420CFD IPP65R660CFD IPW65R019C7 IPW65R065C7 IPW65R095C7 IPW65R190C7) CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1 - 三脚 IMZ120R045M1 - 四脚 ) CoolSiC SiC MOSFET module (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11; DF11MR12W1M1_B11;DF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP TM IGBT+Diode (IKW40N120CS6 IK(Q/Y)75N120CS6 IK(W/Z)75N65ES5 IK(W/Z)75N65EH5) EasyPACK 1B/2B 模块 (F3L75R12W1H3_B11 F3L200R12W2H3_B11 F4-3L50R07W2H3F_B11 F4-75R07W2H3_B51) EconoPACK 2 模块 (F3L200R12N2H3) EconoDUAL 3 模块 (FF225R12ME4_B11 FF300R12ME4_B11) EconoPack + 模块 (FS225R12OE4 FS300R12OE4) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) 62 mm 模块 (FF200R12KE4 FF300R12KE4) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120H3 IKW40N120CS6 IKQ50N120CH3) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11) 热泵逆变器 (<2 kw) ED2304S06F 新 0.36/0.7 DSO-8 2EDL05I06PF 0.36/0.7 DSO-8 三相 6EDL04I06xT 0.165/0.375 DSO mil 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 TRENCHSTOP (IKW30N65H5 IKW75N65ES5 IKFW75N60ET) EasyPACK 1B/2B 模块 (F3L225R07W2H3P_B63) 热泵逆变器 (>2 kw) 1200 单高边 1EDI20I12AF 4/3.5 DSO-8 高低边 IR2213S 2/2.5 DSO mil 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 1200 V 高低边门极驱动, 带停机 独立供电引脚 IR2214SS 2/3 SSOP V 驱动, 带 DESAT 同步 软关断 故障报告 三相 6ED2230S12T 新 0.35/0.65 DSO-24 英飞凌 1200-V SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11 FF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP IGBT+diode (IKW40N120H3 IKQ50N120CH3 IKQ75N120CS6) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11 F4-3L50R07W2H3F_B11 F4-75R06W1E3) EconoPIM 2 模块 (FP25R12KT4_B15 FP50R12KT4G) EconoPACK TM 2/3 模块 (FS50R12KT4_B15) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) TRENCHSTOP IGBT+diode (IKW40N120H3 IKW40N120CS6 IKQ50N120CH3) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11 FS50R12W2T4_B11) 39

40 典型的门极驱动应用 小型家电和电池驱动的应用 典型的小型家电应用接线图 小型家电应用 吸尘器 (SR 电机 无刷直流电机 -BLDC PFC) 吹风机 感应加热 ( 拓扑 ) 微波炉 风扇 ( 罩式风扇 吊扇 制冷风扇 ) 电池充电器 (PFC) 典型的电池驱动三相系统 : 电池驱动电机的一站式服务 电池驱动的应用 无人机 / 遥控飞机 / 多旋翼机 (<1 kw) 割草机 (<1 kw) 无线电动工具 (<1 kw) 服务机器人 (<1 kw) 无线吸尘器 (<1 kw) 玩具 ( 遥控车 )(<1 kw) 快速电池充电器 40

41 典型的门极驱动应用 推荐的门极驱动 ( 小型家电和电池驱动的应用 ) 应用 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 封装描述适用的功率器件和模块 PFC 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 25 单低边 IRS44273L 1.5/1.5 SOT EDN8511B 4/8 SOT IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 双低边 20 2EDN8524F 5/5 DSO-8 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 正逻辑低边驱动,CMOS 电平输入 TRENCHSTOP (IKW30N65H5 IKW40N65WR5 IKFW40N60DH3E IKFW50N60DH3E) Rapid Diode (IDW30E65D1 IDW60C65D1) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R099P7 IPP60R180P7 IPP60R360P7) imotion (IMC102T IMC302A*) 电池驱动的电机逆变器 / 无刷直流电机 -BLDC (<1 kw) 20 1 单低边 1EDN7550B 新 4/8 SOT 高低边 三相 IRS2005S/M 0.29/0.6 DSO-8 VQFN-14 IRS2011S 1/1 DSO-8 IRS2008S/M IRS2007S/M 新 新 0.29/0.6 DSO-8 VQFN-14 单通道门极驱动芯片, 真正的差分输入 200 V 驱动, 带 V CC & V BS UVLO 停机 ( 仅适用于 IRS2008) 6EDL04N02PR 0.165/0.375 TSSOP-28 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二 极管 ( 仅适用于 6EDL) 过流保 6ED003L02-F /0.375 TSSOP-28 护 使能 故障报告 StrongIRFET (IRL40SC209 IRL40SC228 IRL40T209) OptiMOS 5 (BSC0925ND BSZ0909ND IPT004N03L IRL40T209 BSC054N04NS) imotion (IMC101T IMC301A*) 逆变器 / 压缩机 / 电机驱动 高低边 2ED2304S06F 新 0.36/0.7 DSO-8 2ED2183S06F 新 2.5/2.5 DSO-8 IRS2890DS 新 0.22/0.48 DSO-14 2EDL23I06PJ 2.3/2.8 DSO-14 2EDL05(I,N)06PF 0.36/0.7 DSO-8 IRS2113S/M 2.5/2.5 IRS2186(4)S 4/4 DSO mil VQFN-14 DSO-8 DSO-14 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 集成自举 FET 故障报告 过流保护 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 600-V 高低边门极驱动, 停机 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKD03N60RF IKD04N60RF IKD06N60RF) TRENCHSTOP IGBT6 (IKA08N65ET6 IKA10N65ET6 IKA15N65ET6) TRENCHSTOP RC-H5 (IHW20N120R5 IHW40N120R5 IHW20N135R5 IHW40N135R5) imotion (IMC101T IMC301A*) 三相 6EDL04(I,N)06xT 0.165/0.375 IRS2334S/M 0.2/0.35 DSO mil DSO mil VQFN-28 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 600-V 三相门极驱动芯片 注释 1 : 共模抑制 (CMR) 电压最高达到 80 V * 即将发布 41

42 典型的门极驱动应用 开关电源 (SMPS) 典型的应用接线图 42

43 典型的门极驱动应用 推荐的门极驱动 ( 开关电源 ) 应用 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 20 1 单低边 1EDN8550B 新 4/8 SOT23-6 封装描述适用的功率器件 正逻辑信号低边驱动, 真正的差分输入, 特别适合 PFC 升压电路中带 kelvin source 的四脚器件 CoolMOS 7 系列 : IPP60RyyyC7 x: T = HSOF-8; yyy: R DS(on) 范围 (017 mw - 99 mw); IPP65RyyyC7 x: Z = TO-247-4pin; yyy: R DS(on) 范围 (019 mw - 95 mw); IPP60RyyyG7 x: DD = DDPAK T= HSOF-8; yyy: R DS(on) 范围 (028 mw mw); IPP65RyyyG7 x: T= HSOF-8; yyy: R DS(on) 范围 (033 mw mw); IPP60RyyyP7 x: Z = TO-247-4pin; yyy: R DS(on) 范围 (037 mw mw); PFC ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 单低边 1EDN8511B 4/8 SOT23-6 双低边 2EDN8524F 5/5 DSO-8 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 20 V 正逻辑信号低边驱动,CMOS 电平输入 20 V 正逻辑双低边驱动,CMOS 电平输入 CoolMOS 7 系列 : IPP60RyyyC7 x: P = TO-220 W=TO-247 T = HSOF-8;yyy: R DS(on) 范围 (017 mw mw); IPP65RyyyC7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (019 mw mw); IPP60RyyyG7 x: DD = DDPAK T= HSOF-8; yyy: R DS(on) 范围 (028 mw mw); IPP65RyyyG7 x: T= HSOF-8; yyy: R DS(on) 范围 (033 mw mw); IPP60RyyyP7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (037 mw mw); IPP60RyyyCFD7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (018 mw mw); 650 单高边 1EDF5673F 新 4/8 DSO mil 功能隔离 CoolGaN IGxx60RyyyD1 Ron 70 mw 和 190 mw;dso DSO HDSOF-8-3 和 DFN 8x8. (CCM) 图腾柱 PFC Vienna 整流器 同步整流器 LLC/ZVS PSFB 注释 1 : 共模抑制 (CMR) 电压最高达到 80 V 双高边 2EDF7275F 新 4/8 DSO mil 600 2EDL23I06PJ 2.3/2.8 DSO 双高边 2EDF8275F 新 4/8 DSO mil 1200 单高边 1EDI20N12AF 4/3.5 DSO-8 25 单低边 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO EDN7550B 新 4/8 SOT23-6 功能隔离 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 功能隔离 150 kv/µs CMTI 使能 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 正逻辑低边驱动, 真正的差分输入 20 2EDN7523F 5/5 DSO-8 正逻辑双低边驱动,CMOS 双低边 25 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 电平输入 200 双低边 IR11688S 1/4 DSO-8 双通道同步整流控制芯片 双高边 2EDF7275K 新 4/8 LGA-13 单高边 1EDF5673K 新 4/8 LGA-13 功能隔离 单高边 1EDS5663H 新 4/8 双高边 2EDS8265H 新 4/8 DSO mil DSO mil 2ED2183S06F 新 2.5/2.5 DSO 高低边 IRS2186(4)S 4/4 DSO-14 DSO-8 功能隔离 150 kv/µs CMTI 停机 增强隔离 200 kv/µs CMTI 使能 增强隔离 150 kv/µs CMTI 使能 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 IPP60RyyyCFD7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (018 mw mw). (TCM) IPP60RyyyG7/C7 x: P = TO-220 W=TO-247 T = HSOF-8;yyy: R DS(on) 范围 (017 mw mw); IPP65RyyyC7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (019 mw mw) IPP60RyyyP7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (037 mw mw); OptiMOS 5 (BSC035N10NS5) OptiMOS 3 (BSC030N04NS) CoolGaN R on 70 mw 和 190 mw;dso DSO HDSOF-8-3 和 DFN 8x8. (CCM) IPP60RyyyCFD7 x: P = TO-220 W=TO-247; yyy: R DS(on) 范围 (018 mw mw); 43

44 典型的门极驱动应用 不间断电源 (UPS) 典型的应用接线图 推荐的门极驱动 ( 不间断电源 ) 应用 电池 DC-DC 转换器 (<3.5 kw) 电池 DC-DC 转换器 (<100 kw) 驱动电压等级 [V] 驱动结构类型 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 2EDL05I06PJ 0.36/0.7 DSO-14 2EDL23I06PJ 2.3/2.8 DSO-14 单高边 1EDI20I12AF 4/3.5 DSO-8 高低边 IR2213S 2/ 单高边 1EDI60H12AH 10/9.4 封装描述适用的功率器件 DSO mil DSO-8 300mil 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 TRENCHSTOP TM 和 TRENCHSTOP TM 5 (IK(W/Z)50N65EH5 IK(W/Z)50N65ES5 IKFW50N60ET) 英飞凌 SOI 技术, 带集成 EasyPACK 1B/2B 模块自举二极管 过流保护 (FS20R06W1E3_B11 FS50R06W1E3_B11 使能 故障报告 F4-75R06W1E3) 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 停机 独立供电引脚 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120CS6) EasyPIM 1B/2B 模块 (FP15R12W1T4_B11 FP15R12W2T4) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11) CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1- 三脚 IMZ120R045M1- 四脚 ) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11 FF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP TM IGBT (IKW40N120CS6 IK(Q/Y)75N120CS6 IK(W/Z)75N65ES5 IK(W/Z)75N65EH5) EasyPACK 1B/2B 模块 (F3L100R07W2E3_B11 F3L150R07W2E3_B11 FS50R12W2T4_B11 F4-3L50R07W2H3F_B11) EconoPIM 2/3 模块 (FP75R12KT4_B15 FP150R12KT4(P)_B11) EconoPACK 2/3/4 模块 (FS75R12KT4_B15 FS100R12KT4G(P)_B11 FS100R12PT4 FS150R12KT4(P)_B11 FS150R12PT4) EconoDUAL 3 模块 (FF225R12ME4_B11 FF300R12ME4_B11) EconoPack + 模块 (FS225R12OE4 FS300R12OE4) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) 62 mm 模块 (FF200R12KE4 FF300R12KE4) 44

45 典型的门极驱动应用 推荐的门极驱动 ( 不间断电源 )( 续表 ) 应用 电源逆变器 (<5 kva) 驱动电压等级 [V] 600 驱动结构类型 1200 单高边 产品型号 拉 / 灌电流典型值 [A] 2EDL23I06PJ 2.3/2.8 DSO-14 封装描述适用的功率器件 英飞凌 SOI 技术, 带集成自举二极管 过流保护 使能 故障报告 IR2114SS 2/3 SSOP-24 DESAT 同步 软关断 故障报告 高低边 IRS2186(4)S 4/4 1EDI60H12AH 10/9.4 DSO-14 DSO-8 DSO-8 300mil 1EDI20I12MF 4/3.5 DSO-8 驱动电流强的 600 V 高低边驱动 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 125-ns 传输延迟 功能隔离 100 kv/µs CMTI 有源米勒箝位 短路电流箝位 TRENCHSTOP (IKW50N65H5 IKW75N65ES5 IKZ75N65ES5 IKFW75N60ET) StrongIRFET (IRF200P222 IRF250P224 IRF300P226) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS20R06W1E3_B11 FS50R06W1E3_B11 FB20R06W1E3 FB30R06W1E3) CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1 - 三脚 IMZ120R045M1 - 四脚 ) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120CS6) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS25R12W1T4_B11) EconoPIM 2 模块 (FP25R12KT4_B15) 电源逆变器 (<100 kva) PFC/SMPS 单高边 1EDS20I12SV 新 SRC/2 DSO-36 1ED020I12-FT 2/2 1ED020I12-F2 2/2 DSO mil DSO mil 双高边 2ED020I12-F2 2/2 DSO-36 单高边 1EDI60I12AF 10/9.4 DSO-8 单低边 1ED44176N01F 新 0.8/1.75 DSO-8 IRS44273L 1.5/1.5 SOT23-5 1EDN8511B 4/8 SOT EDN8524F 5/5 DSO-8 双低边 25 IRS4427S 2.3/3.3 DSO-8 增强隔离 VDE V IORM = 1420 V V IOTM = 8000 V; UL 1577 V ISO = 5000 V(rms); 可控制 dv/dt (SRC) DESAT 故障报告 过流保护 软关断 两电平关断 功能隔离 100 kv/µs CMTI DESAT 有源米勒箝位 短路电流箝位 故障复位 两电平关断 ( 仅适用于 FT) 功能隔离 100 kv/µs CMTI 独立的拉 / 灌电流输出引脚 短路电流箝位 过流保护 (±5%) 使能 故障报告 可编程的故障清除时间 正逻辑低边驱动,CMOS 电平输入 CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1 - 三脚 IMZ120R045M1 - 四脚 ) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW40N120H3 IKW40N120CS6 IKQ50N120CH3 IKQ75N120CS6) EasyPACK 1B 模块 (FS50R12W2T4_B11 FS75R12W2T4_B11) Easy 1B/2B 三电平模块 (FS3L50R07W2H3F_B11 F3L100R12W2H3_B11) Easy 1B/2B 放大器模块 (DF75R12W1H4F_B11 DF120R12W2H3_B27) EconoPIM 2/3 模块 (FP75R12KT4_B15 FP150R12KT4(P)_B11) EconoPACK 2/3/4 模块 (FS75R12KT4_B15 FS150R12KT4(P)_B11 FS150R12PT4) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) TRENCHSTOP IGBT+Diode (IKW30N65H5 IKW40N65WR5 IKFW40N60D- H3E IKFW50N60DH3E IKW50N65F5) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R080P7 IPP60R099P7 IPP60R120P7 IPP60R180P7 IPP60R280P7 IPP60R360P7 IP(W/Z)65R019C7 IP(W/Z)65R045C7 IP(W/Z)65R065C7 IP(W/Z)65R095C7 IPW65R125C7 IPW65R190C7) 有源桥式 整流器 (<100 kva) 1200 单高边 1ED020I12-F2 2/2 单高边 1ED020I12-FT 2/2 DSO mil DSO mil 双高边 2ED020I12-F2 2/2 DSO-36 功能隔离 100 kv/µs CMTI DESAT 有源米勒箝位 短路电流箝位 故障复位 两电平关断 ( 仅适用于 FT) CoolSiC SiC MOSFET (IMW120R045M1 - 三脚 IMZ120R045M1 - 四脚 ) CoolSiC SiC MOSFET 模块 (FF11MR12W1M1_B11;FF23MR12W1M1_B11) TRENCHSTOP TM 5 IGBT (IK(W/Z)75N65ES5 IK(W/Z)75N65EH5) EasyPACK 1B/2B 模块 (FS50R12W2T4_B11 FS75R12W2T4_B11 F3L75R07W2E3_B11 F3L100R07W2E3_B11) 34 mm 模块 (FF50R12RT4 FF150R12RT4) CoolMOS MOSFET (IPP60R060P7 IPP60R099P7 IPP60R180P7 IPP60R360P7 IP(W/Z)65R019C7 IP(W/Z)65R045C7 IP(W/Z)65R095C7 IPW65R190C7) 45

46 46

47 驱动产品选型表 门极驱动结构类型概述 单通道低边驱动芯片 单通道高边驱动芯片 一个通道的低压驱动 单个通道, 可承受高压 双通道低边驱动芯片 双通道高边驱动芯片 两个通道的低压驱动, 无互锁 两个通道均可承受高压, 无互锁 高低边驱动芯片 驱动芯片 两个通道的驱动, 其中仅高 边可承受高压, 无互锁 两个通道的驱动, 其中仅高边 可承受高压, 有互锁 全桥驱动芯片 三相驱动芯片 四个通道在一个封装内, 拥 有两个独立的 六个通道在一个封 装内, 拥有三个独立 的 电流检测芯片 同步降压型驱动芯片 针对芯片输入端和数据输 出端之间的高压偏移的电 流检测 用于同步整流降 压拓扑中的高速 MOSFET 驱动 47

48 驱动产品选型表 驱动产品选型表 英飞凌的门极驱动芯片解决方案是您最专业的选择 凭借 500 多种可靠 高效的门极驱动解决方案, 我们可为几乎任何 应用提供全面的产品组合 为简化选型过程, 本选型表将按照门极驱动芯片的结构类型而非终端应用拓扑进行分组 三相门极驱动芯片 典型接线图 DC+ bus VCC 产品型号 DC- bus HIN LIN EN FAULT RCIN ITRIP VSS VB (x3) HO (x3) VS (x3) LO (x3) COM 连接负载 制动斩波器 运算放大器 退饱和保护 使能 故障报告 集成自举二极管 过流保护 可编程死区时间 用于逻辑接地的单独引脚 直通短路保护 停机 DSO-20 WB DSO-24 DSO-28 WB DIP-28 LCC-32 MQFP-64 TSSOP-28 VQFN-28 VQFN-34 CHIP 1 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 关 / 开典型值 [V] 传输延迟开 / 关典型值 [ns] 技术 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 350/ / /600 6ED2230S12 新 SOI / /8.2 IR2233 JI 700/ /9.4 IR2235 JI 350/ / /550 IR2238 JI 11.7/9.8 6ED003L06-F2 SOI 490/ / /9.8 6EDL04I06(N,P) SOI 9/ /530 6EDL04N06P SOI 8.9/8.2 IR2136 JI 11.1/10.9 IR21363 JI 400/ /10.9 IR21365 JI 8.9/8.2 IR21368 JI 10.4/ /500 IR21364 JI 200/ /10.9 IRS2334 JI 8.9/8.2 IRS2336 JI 8.9/ /530 IRS2336D JI 8.9/8.2 IRS23364D JI 8.9/8.2 IRS23365D JI 9/ /675 IR213(0,2) JI 8.7/ /1300 IR2131 JI 250/ /8.2 IR2133 JI 700/ /9.4 IR2135 JI / / /530 6ED003L02-F2 SOI 9/ /530 6EDL04N02P SOI 注释 1 : 请联系英飞凌销售团队, 了解进一步的信息 48

49 驱动产品选型表 门极驱动芯片 典型接线图 V CC IN SD VCC IN SD COM VB HO VS LO 最高 1200 V 连接负载 比较器 运算放大器 退饱和保护 使能 故障报告 集成自举二极管 过流保护 可编程死区时间 可编程关断 自振 ( 振荡器 ) 用于逻辑接地的单独引脚 直通短路保护 停机 软关断 DSO-8 DSO-14 DSO-16 DSO-16 WB DSO-18 DIP-8 DIP-14 SSOP-24 VDSON-8 VQFN-14 CHIP 1 电压等级 [V] IO+ /IO- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 技术 1500/ / /85 2ED020I12-FI CT 2000/ / /440 IR2214 JI 2ED2182S06 新 SOI 2ED21824S06 新 SOI 2ED2183S06 新 SOI 2500/2500 2ED21834S06 新 SOI 2ED2184S06 新 SOI 9.1/ /200 2ED21844S06 新 SOI 2ED2108S06 新 SOI 2ED21084S06 新 SOI 290/700 2ED2109S06 新 SOI 2ED21094S06 新 SOI 2ED21091S06 新 SOI 360 / / /310 2ED2304S06F 新 SOI 1500/ / /85 2ED020I06-FI CT 78/ /8.2 IR2304 JI 220/ /8.2 IR25601 JI 9/8 IR21531 JI 180/260 9/8 IR21531D JI N.A. 9/8 IR25603 JI 11/9 IRS2153(1)D JI IR2108 JI 200/220 IR21084 JI IR2308 JI 200/ /8.2 IR25606 JI IR2109 JI 200/750 IR21091 JI IR21094 JI 4.1/3.8 IR2302 JI 8.9/8.2 IR2103 JI 210/ / /680 IR2104 JI 8.9/8.2 IR25602 JI 220/ / /500 IRS2890D 新 JI 250/ / /750 IR2111 JI 8.9/ /150 IRS2304 JI /8.2 IRS2103 JI 150/ /8.2 IRS2104 JI 8.6/ /750 IRS2111 JI 290/ /8.2 IRS2(1,3)08 JI 200/ /8.2 IRS21084 JI 8.9/8.2 IRS2109 JI 8.9/ /750 IRS21091 JI 8.9/8.2 IRS21094 JI 360/ / /310 2EDL05N06P SOI 12.5/ /420 2EDL05I06P SOI 8.9/8.2 IRS2183 JI 8.9/ /180 IR2183 JI 8.9/8.2 IR(S)21834 JI 1900/ /8.2 IRS2184 JI 8.9/8.2 IR2184 JI 270/ /8.2 IR21844 JI 8.9/8.2 IRS21844 JI 2000/ / /440 IR2114 JI 2300/ / /310 2EDL23N06P SOI 12.5/ /420 2EDL23I06P SOI / / /160 IRS2007 新 JI 150/680 IRS2008 新 JI 2000/6000 2EDL8112* JI /6000 7/6.5 47/47 2EDL8113* JI 4000/6000 2EDL8114* JI * 即将发布注释 1 : 请联系英飞凌销售团队, 了解进一步的信息 49

50 驱动产品选型表 单高边门极驱动芯片 典型接线图 V CC 最高 200 V 典型接线图 IN VCC COM IN VB HO VS 连接负载 有源米勒箝位 JFET 专用驱动器 退饱和保护 使能 故障报告 故障复位 过流保护 用于逻辑接地的单独引脚 独立的拉 / 灌电流输出引脚 软关断 两电平关断 UL 1577 VDE DSO-8 DSO-8 300mil DSO-16 DSO-16 WB DSO-19 DSO-36 DIP-8 SOT23-6 TFLGA-13 CHIP 1 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 技术 1300/900 12/ /300 1EDI05I12A CT 1EDC05I12AH 新 CT 2000/ /11 165/170 1ED020I12-F2 CT 1ED020I12-B2 CT 1750/1750 1ED020I12-FT CT 1ED020I12-BT CT 2200/ / /300 1EDI10I12M CT 1EDC10I12M 新 CT 9.1/ /115 1EDI20N12A CT 1EDI20H12A CT 125/ /3500 1EDC20H12A 新 CT 1EDI20I12A CT 12/11.1 1EDC20I12A 新 CT 300/300 1EDI20I12M CT 4400/4100 1EDC20I12M 新 CT 4000/ / /80 1EDI30J12C CT 1EDI30I12M CT 5900/6200 1EDC30I12M 新 CT 12/ /300 1EDI40I12A CT 7500/6800 1EDC40I12A 新 CT SRC/ /11 460/460 1EDI20I12SV 新 CT SRC/ /11 460/460 1EDU20I12SV 新 CT SRC/ /11 460/460 1EDS20I12SV 新 CT 9.1/ /120 1EDI60N12A CT 1EDI60H12A CT 125/ /9400 1EDC60H12A 新 CT 12/11.1 1EDI60I12A CT 300/300 1EDC60I12A 新 CT 4000/ /5.0 41/37 1EDS5663H 新 CT 4000/ /5.0 41/37 1EDF5673F 新 CT 160/240 9/8 215/140 IRS25752 JI 250/500 IR2117 JI 8.6/ /125 IR2118 JI 10.3/9 IR212(7,8) JI 150/ /6.8 IR21271 JI 8.6/ /125 IRS211(7,8) JI 290/ /9 IRS2127 JI 150/ /6.8 IRS21271 JI / / /170 IR2125 JI / /5.0 41/37 1EDF5673K 新 CT 200 IRS20752 JI 160/240 9/8 215/ IRS10752 JI SRC: 可控制 dv/dt( 功率器件开通电压的斜率控制 ) 注释 1 : 请联系英飞凌销售团队, 了解进一步的信息 50

51 驱动产品选型表 双高边 / 门极驱动芯片 典型接线图 最高 1200 V 5 V VDD VB 2 IN 1 IN 2 HIN 1 HIN 2 HO 2 VS 2 连接负载 VSS NC 15 V NC NC VCC COM NC VB 1 HO 1 VS 1 最高 1200 V 连接负载 有源米勒箝位死区时间控制退饱和保护停机故障报告故障复位用于逻辑接地的单独引脚 UL 1577 VDE DSO-16 DSO-16 WB DSO-36 ( 移除四个引脚 ) TFLGA-13 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关 典型值 [V] 传输延迟关 / 开 典型值 [ns] 产品型号 技术 功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) / /11 165/170 2ED020I12-F2 CT 4000/8000 2EDF7275F 新 CT 4.2/ /2000 2EDF7175F 新 CT /8000 2EDS8265H 新 CT 8/7 37 / /2000 2EDS8165H 新 CT 2EDF7235K 新 CT / /3.9 2EDF7275K 新 CT 单低边门极驱动芯片 典型接线图 IN IN COM VCC OUT 连接负载 自动最短导通时间保护 使能 故障报告 过流保护 可编程的故障清除时间 可编程最短导通时间 独立的拉 / 灌电流输出引脚 同步整流 真正的差分输入 DSO-8 DIP-8 SOT23-5 SOT23-6 WSON-6 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关 典型值 [V] 传输延迟关 / 开 典型值 [ns] 产品型号 技术 功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 1000/ /9 50/60 IR11662 N-ISO / /9 50/60 IR11672A N-ISO 1000/ /4.4 50/50 IR1161 N-ISO / / / 45 1EDN7550 新 N-ISO 8/7 45 / 45 1EDN8550 新 N-ISO / / /50 1ED44176N01 新 N-ISO 1500/ /9.2 50/50 IRS44273 N-ISO 300/550 5/ /50 IR44252 N-ISO 5/4.15 IR44272 N-ISO 1700/ /50 5/4.15 IR44273 N-ISO /3.9 1EDN7511 N-ISO 4000/8000 8/7 19/19 1EDN8511 N-ISO 4.2/3.9 1EDN7512 N-ISO / /8 200/150 IR2121 N-ISO 注释 1 : 共模抑制 (CMR) 电压最高达到 80 V 51

52 驱动产品选型表 高低边门极驱动芯片 典型接线图 V CC 最高 1200 V VCC VB HIN HIN HO LIN LIN COM VS LO 连接负载 集成自举二极管 用于逻辑接地的单独引脚 停机 DSO-8 DSO-14 DSO-16 WB DIP-8 DIP-14 VQFN-14 VDSON-8 CHIP 1 电压等级 [V] I O+ / IO- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开 典型值 [ns] 产品型号 技术 功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) / / /280 IR2213 JI / / / / / /8.2 2ED2106S06 新 SOI 2ED21064S06 新 SOI 2ED2181S06 新 SOI 2ED21814S06 新 SOI IR2106 JI 8.9/8.2 IR21064 JI 4.1/ /220 IR2301 JI 8.9/8.2 IR25604 JI 4.1/3.8 IRS2301 JI 210/ / /160 IR2101 JI IR2102 JI 250/ / /125 IR2112 JI 290/ / /135 IRS2112 JI 8.9/ /160 IRS2101 JI 8.9/8.2 IRS2106 JI 200/ /8.2 IRS21064 JI 360/ / /420 2EDL05I06BF SOI 1900/ / / / /8.2 IRS2181 JI 8.9/8.2 IR2181 JI 220/ /8.2 IR21814 JI 8.9/8.2 IRS21814 JI 8.6/8.2 IR2113 JI 94/ /8.2 IR25607 JI 8.5/ /130 IRS2113 JI 8.9/8.2 IRS2186 JI 8.9/ /170 IRS21864 JI 6/5.5 IRS21867 JI 8.6/8.2 94/120 IR2110 JI 8.5/ /130 IRS2110 JI 290/ / /160 IRS2005 新 JI 1000/1000 9/8.2 60/60 IRS2011 JI 9/8.2 75/80 IR2011 JI 3000/ /8.2 65/95 IR2010 JI 2000/6000 2EDL8012* JI 3000/6000 7/6.5 47/47 2EDL8013* JI 4000/6000 2EDL8014* JI * 即将发布注释 1 : 请联系英飞凌销售团队, 了解进一步的信息 52

53 驱动产品选型表 全桥门极驱动芯片 典型接线图 VBUSS (100 VDC MAX) VCC (9 ~15V) CT RT CD** RSENSE * COM2 COM1 **CD IR2086S VB1 CS HO1 DELAY VS1 CT COM2* COM1 LO2 LO1 VS2 VCC HO2 VB2 集成自举二极管 直通短路保护 停机 过流保护 可编程死区时间 自振 ( 振荡器 ) DSO-14 DSO-16 DIP-14 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关 典型值 [V] 传输延迟关 / 开 典型值 [ns] 产品型号 技术 功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) / /6.8 40/60 IR2086S JI IRS24531D JI /260 11/9 N.A. IRS2453D JI 双低边门极驱动芯片 典型接线图 NC NC 连接负载 INA INB INA COM INB OUTA VCC OUTB 连接负载 自动最短导通时间保护 使能 可编程最短导通时间 同步整流 DSO-8 DIP-8 WSON-8 TSSOP-8 电压等级 [V] I O+ / IO- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关 典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 产品型号 技术 功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 1000/ /7.6 70/60 IR1168 N-ISO / /7.6 80/100 IR11682 N-ISO 1000/ / /250 IR11688 N-ISO 10.2/9.2 IRS44262 N-ISO 50/50 IRS4426 N-ISO /3300 IRS4427 N-ISO N.A. IR25600 N-ISO 65/85 IR442(6,7) N-ISO / /3.9 2EDN752(3,4) N-ISO 19/19 8/7 2EDN852(3,4) N-ISO 4000/ /3.9 19/19 2EDN7424 N-ISO 53

54 驱动产品选型表 辅助型芯片 : 电流检测芯片 典型接线图 V CC PWM 输出 过电流 COM VCC V+ PO VB OC VS COM 连接电机相 电压等级 [V] 600 产品型号 技术 电流检测 过流保护 功能 ( 参见第 58 页 ) DSO-8 DSO-16 WB 封装 ( 参见第 59 页 ) IR2175 JI IR25750 JI DIP-8 SOT23-5 辅助型芯片 : 高压启动芯片 典型接线图 直流总线 (+) 从 AUX 电源出 VCC (+) CVCC VCC (-) R2 R1 VOUT 1 COM 2 VTH 3 VIN 5 ENN 4 电压等级 [V] 直流总线 (-) 产品型号 技术 使能 高压启动 功能 ( 参见第 58 页 ) 过温关断 SOT23-5 封装 ( 参见第 59 页 ) 480 IRS25751 JI 驱动板 典型接线图 15v INA, INB VDDS GNDS VDDP GNDP EiceDRIVER 2ED300C17-S 2ED300C17-ST VA+ COMA VA- VCEsatA GateA COMA VB+ COMB VB- VCEsatB GateB COMB 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) / / /580 2ED300C17-S / / /580 2ED300C17-ST 退饱和保护 故障复位 过流保护 软关断 AG-EICE-45 54

55 驱动产品选型表 汽车级门极驱动芯片 驱动结构类型 工作电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] UVLO 开 / 关典型值 [V] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 技术 缓冲器 运算放大器 退饱和保护 使能 故障报告 过流保护 可编程频率 可编程死区时间 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 封装 ( 参见第 59 页 ) 单高边 / / /215 1EDI2001AS CT 单高边 / / /215 1EDI2002AS CT 单高边 / / /215 1EDI2010AS CT 单高边 / /11 165/170 1ED020I12FA2 CT 单高边 / / /1750 1ED020I12FTA CT 单高边 / /8 140/140 AUIRS2123 JI 单高边 / / /140 AUIRS2117S JI 单高边 / / /150 AUIRS21271S JI 单高边 / /9 150/150 AUIRS2127S JI 单高边 / / /140 AUIRS2118S JI 单高边 / /8 140/140 AUIRS2124 JI 高低边 / / /135 AUIRS21811S JI 高低边 / / /160 AUIRS21814S JI 高低边 / / /160 AUIRS2181S JI 高低边 / /8.2 90/90 AUIRS2191S JI 高低边 / / /220 AUIRS2301S JI 高低边 / / /140 AUIRS2113S JI / /11 165/170 2ED020I12FA CT / /6.8 N.A. AUIR2085S JI 三相 / / /530 AUIRS2336S JI 单低边 / /9.3 60/90 AUIRS1170S N-ISO 单低边 / / /150 AUIR08152S N-ISO 双低边 / /10 55/40 AUIRB24427S N-ISO 自振 ( 振荡器 ) 用于逻辑接地的单独引脚 直通短路保护 停机 同步整流 两电平关断 UL 1577 VDE DSO-8 DSO-14 DSO-16 NB DSO-16 WB DSO-20 DSO-28 DSO-36 汽车级三相驱动芯片 产品名称 工作电压 范围 [V] 驱动电流 20 khz 时 D.C. 范围 [%] 用于负荷电流测量的集成运算放大器数目 可调整死区时间 SIL3 配置功能封装 TLE7183F /1.50 A OT UV OV OC OCD VQFN-48 TLE7183QU /1.50 A OT UV OV OC SCD TQFP-48 EP TLE7184F TLE7184F-3V 1 TLE7186F /9.00 Ω Ω UV OV OC SCD OT VDD 监控 VQFN-48 TLE7185E /9.00 Ω UV OV SCD OT DSO-36 EP TLE7189F /1.50 A TLE7189QK /1.50 A AUIRS 输出偏 200 V 0.20/0.35 A (SC 保护 ) 1 : 用于风机和泵的 带集成的 LDO 接口和 PWM 接口的系统芯片 UV OV SCD OT VDD 监控 UV OV SCD OT VDD 监控 One error flag for OTW UV CS VQFN-48 LQFP-64 DSO-28 (28 脚 SOIC) 55

56 56

57 驱动产品选型表 门极驱动裸芯片 英飞凌提供的门极驱动裸芯片, 旨在满足将驱动 功率级 控制器和其它元件都整合到一个更小 更高效的封装中的 趋势 运算放大器 电流检测 使能 故障报告 集成自举二极管 过流保护 可编程死区时间 可编程关断 自振 ( 振荡器 ) 用于逻辑接地的单独引脚 直通短路保护 停机 欠压闭锁 CHIP 1 驱动结构类型 电压等级 [V] I O+ /I O- 典型值 [ma] 传输延迟关 / 开典型值 [ns] 产品型号功能 ( 参见第 58 页 ) 105/250 IR2117 JI 250/500 IR2127 JI 150/200 单高边驱动 600 IR2128 JI 290/ /125 IRS211(7,8) JI 150/150 IRS2127 JI / /280 IR2213 JI 650 2ED2106S06 新 SOI 290/700 2ED21064S06 新 SOI 200/200 2ED2181S06 新 SOI 2500/2500 2ED21814S06 新 SOI 210/ /160 IR2101 JI 130/135 IRS2112 JI 高低边 290/ /160 IRS2101 JI /220 IRS2106 JI 1900/ /180 IRS2181 JI 2500/ /120 IR2113 JI 120/130 IRS2113 JI 4000/ /170 IRS2186 JI / /130 IRS2110 JI / /60 IRS2011 JI 3000/ /95 IR2010 JI 2ED2182S06 新 SOI 2ED21824S06 新 SOI 2500/2500 2ED2183S06 新 SOI 2ED21834S06 新 SOI 2ED2184S06 新 SOI /200 2ED21844S06 新 SOI 2ED2108S06 新 SOI 2ED21084S06 新 SOI 290/700 2ED2109S06 新 SOI 2ED21094S06 新 SOI 2ED21091S06 新 SOI 360 / / 310 2ED2304S06F 新 SOI 180/260 na IR21531 JI IRS2153(1)D JI 150/150 IRS2304 JI 150/680 IRS2103 JI IRS2104 JI / /750 IRS2111 JI 200/220 IRS2108 JI IRS2308 JI 200/750 IRS2109 JI 1900/ /180 IRS2183 JI 270/680 IRS2184 JI / /750 IR2233 JI 6ED003L06-F2 SOI 490/ /375 6EDL04I06(N,P) SOI 530/530 6EDL04N06P SOI IR2136 JI 400/425 IR21363 JI 三相 600 IR21368 JI 200/ /500 IR21364 JI 530/530 IRS2336D JI IRS23364D JI 250/ /675 IR213(0,2) JI 700/750 IR2135 JI 技术 57

58 驱动产品选型表 门极驱动功能 针对不同的应用需求, 英飞凌可提供拥有各种不同功能的解决方案, 它们能帮助优化性能, 缩小尺寸, 以及降低成本 以下是现有产品组合中拥有的门极驱动芯片的附加功能列表 功能缩写益处 有源米勒箝位 M-CLAMP 避免因为寄生米勒效应意外发生动态导通 有源关断 SD-ACT 当输出芯片未与电源相连或者欠压闭锁功能处于激活状态时, 确保 IGBT 处于安全的关断状态 制动斩波器 BRAKE 带保护功能的集成制动 IGBT 驱动 比较器 CMP 包含通用比较器 电流检测 CS 通过外部分流电阻检测电机相电流, 将模拟信号转化为数字信号, 并将信号传送给低边 专用 JFET 驱动器 JFETDRIVE 适用于驱动 SiC JFET 退饱和保护 DESAT 为 IGBT 提供短路保护 使能 EN 专用引脚终止所有输出 故障报告 FAULT-RPT 指示已发生过流或过电压关断 故障复位 FAULT-RST 专用引脚重置芯片的 DESAT-FAULT 状态 高压启动 HVSTART 实现方便快捷的电路启动, 同时帮助降低电路待机损耗 集成自举二极管 BSD 集成自举帮助减少用料 (BOM) 运算放大器 OPAMP 独立的运算放大器用于电流测量或过流检测 自振 ( 振荡器 ) OSC 集成前端振荡器 过流保护 (ITRIP) OCP 确保应用在过流状态下安全运行 过温关断 SD-OT 内部过温保护电路可避免芯片功率损耗过多及温度过高 可编程死区时间 DT-PROG 死区时间可借助外部电阻进行编程, 从而提高设计灵活性 可编程的故障清除时间 FLTC 故障清除时长 (t FLTC ) 可通过连接在 FLTC 和 VSS(C FLTC ) 之间的外部电容器进行编程 可编程关断 SD-PROG 关断功能设计在引脚中 用于逻辑接地的单独引脚 SEP-GND 专用引脚或逻辑接地可改进抗噪性能 独立的拉 / 灌电流输出引脚 SEP-OUT 简化门极电阻选型, 减少用料 (BOM), 以及改进 dv/dt 控制 直通短路保护 STP 附加的直通短路保护逻辑, 比如互锁 短路电流箝位 SC-CLAMP 停机 SD 专用引脚可禁用芯片输出 软关断 SD-SOFT 专用引脚可关断退饱和晶体管, 从而避免过电压 发生短路时,IGBT 的门极电压会因为源自米勒电容的反馈作用而上升 与 OUT+ 相连的附加保护电路可将该电压限制在稍高于电源电压的值上 真正的差分输入 TDI 低边门极驱动芯片抗 ±70 V DC 和 ±150 V AC 接地位移电压的能力 两电平关断 TLTO 发生短路或过流时, 可减轻关断时的 VCE 过冲 UL 1577 UL 隔离认证 欠压闭锁 UVLO 通过避免驱动在低电压状态下发生意外行为, 确保应用安全运行 VDE 或 VDE VDE 非光学耦合器的隔离认证 58

59 驱动产品选型表 英飞凌门极驱动封装选项 DSO-8 (SOIC-8N) DSO mil (SOIC-8WB) DSO-14 (SOIC-14N) DSO-16 (SOIC-16N) DSO mil (SOIC-16WB) DSO-18 DSO-19 DSO-20 (SOIC-20WB) DSO-24(DSO-28, 无四 个引脚 ) DSO-28 (SOIC-28WB) DSO-36 DIP-8 (PDIP-8) DIP-14 (PDIP-14) DIP-28 (PDIP-28) LLC-32 (PLCC-44) LQFP-64 MQFP-64 SOT23-5 SOT23-6 SSOP-24 TFLGA-13 TQFN-48 TSSOP-8 TSSOP-28 VQFN-14 (MLPQ 4X4 14L) VQFN-28 (MLPQ 5X5 28L) VQFN-34 (MLPQ 7X7 48L) VQFN-48 WSON-6 WSON-8 驱动板 CHIP 59

60 驱动产品选型表 固态继电器 : 光耦固态继电器 典型接线图 AC 或 DC 负载 微电子继电器 (MER) 属于功率 MOSFET 或 IGBT 输出光耦继电器, 其中, 输出开关通过来自 GaAlAs 发光二极管 (LED) 与输出端保持隔离 的光传输进行控制 MER 是取代机械继电器的最佳选项 DIP-14( 仅四个引脚 ) DIP-6 SMT-6 DIP-8 SMT-8 DIP - 4 SMT-8( 仅四个引脚 ) DIP-16( 仅十个引脚 ) 1 10 na 漏电流 负载电压 [V] 负载电流 [ma] R DS(on) [Ω] 隔离电压 [V RMS ] 1000 AC-DC PVX6012 产品型号封装 ( 参见第 61 页 ) 140 AC-DC 27/ PVU AC-DC 35/ PVT412L 240 AC-DC 6/ PVT412A 140 AC-DC 27/ PVT AC-DC PVT AC-DC AC-DC PVA3354N PVA3324N PVA3055N PVA3054N 170 AC-DC 15/ PVT312L 190 AC-DC 10/ PVT AC-DC PVT322A 170 AC-DC PVT AC-DC PVA2352N AC-DC 0.7/ PVT AC PVR130(0,1) 550 DC AC-DC PVD1354N PVD1352N PVA1354N PVA1352N 1500 DC PVDZ172N 1000 AC PVAZ172N 1000 AC/2000 DC 0.5/ PVG AC/4000 DC 0.1/ PVG612A 1000 AC/2000 DC 0.5/ PVG AC/4500 DC 0.1/ PVN AC/6000 DC 0.05/ PVN012A 2500 AC/4500 DC 0.1/ PVN

61 驱动产品选型表 英飞凌固态继电器封装选项 DIP-6 DIP-8( 有四个引脚 ) DIP-8 DIP-14( 有四个引脚 ) DIP-16( 有 10 个引脚 ) SMT-6 SMT-8( 有四个引脚 ) SMT-8 固态继电器 : 光耦门极驱动 / 电压源 典型接线图 阳极 (+) 2 (-) 3 阴极 (-) 8 DC (+) 5 光耦隔离器在接收到 DC 输入信号时, 产生电气隔离的 DC 电压, 能够直接驱动 MOSFET 或 IGBT 的门极 其中, 输出通过来自 GaAlAs 发光二极管 (LED) 与输出端保持光隔离 的光传输进行控制 DIP-8 SMT-8 DIP-8( 仅四个引脚 ) SMT-8( 仅四个引脚 ) 直流输出电压 [V] 短路电流 [µa] 标称控制电流 (DC) [ma] 隔离电压 [V RMS ] 产品型号 5/10 10/ PVI5033R 3/6 2/ PVI5013R 5/10 10/ PVI1050N 封装 ( 参见第 61 页 ) PVI5080N PVI5050N 61

62 新产品集锦 新产品集锦 1EDC Compact 采用 300 mil 封装和通过 UL 认证的 1200 V 单通道隔离型门极驱动产品家族 ( 新 ) 英飞凌新的 EiceDRIVER 1EDC Compact 隔离型驱动芯片家族已通过 UL 1577 认证, 绝缘测试电压 V ISO = 2500 V(rms), 且能持续 1 min 英飞凌也提供无 UL 认证的隔离型 1EDI Compact 150 mil 和 300 mil 系列产品 1EDC Compact 典型输出 电流 [A] 1EDC60I12AH 10 / -9.4 功能 1EDC20I12AH 4 / -3.5 独立的拉 / 灌电 300 1EDC05I12AH 1.3 / -0.9 流输出引脚 300 传输延迟 [ns] 300 1EDC40I12AH 7.5 / EDC60H12AH 10 / EDC20H12AH 4 / EDC30I12MH 5.9 / EDC20I12MH 4.4 / -4.1 有源米勒箝位 300 1EDC10I12MH 2.2 / 产品特征 1200 V 输入 - 输出隔离电压 功能隔离 DSO mil 宽体封装, 拥有 8 mm 的爬电距离 适合 600 V/1200 V IGBT MOSFET 和 SiC MOSFET 分立器件及模块 典型轨 - 轨输出电流峰值高达 10 A CMTI 超过 100 kv/µs 适合在高温环境下使用 独立的拉 / 灌电流输出引脚, 或有源米勒箝位 优化的引脚输出适用于低电感电源 无需调整单片机与驱动之间的信号电压电平 短路电流箝位 有源关断 潜在应用 光伏组串式逆变器 电动车充电桩 工业电机驱动 交流电机和无刷直流电机 高压 DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器 UPS 系统 典型的应用接线图 评估板 :EVAL-1EDC20H12AH-SIC 62

63 新产品集锦 1EDS-SRC 1200 V 可控制 dv/dt 的 单通道增强型隔离驱动产品家族 ( 新 ) 英飞凌全新 EiceDRIVER 1EDS-SRC 产品家族, 应用于最新一代高效率, 低 EMI 的电机驱动系统 它是市面上首款拥有功率器件开通电压斜率控制 (SRC) 功能的高压隔离型门极驱动, 可通过精密的门极电流控制对电机驱动的 dv/dt 进行实时控制, 从而能在不同的工况下将功耗和 EMI 都控制在最低水平 产品特征 实时可调整的门极电流控制 DESAT 短路保护 过流保护 软关断 两电平关断 驱动高达 900 A 的功率模块 独特性 : 面向三电平逆变器的 NPC1 短路保护 在低负荷工况下 EMI 小, 在高负荷工况下效率高 减少或省掉 dv/dt 过滤器 产品型号 1EDS20I12SV 1EDU20I12SV 1EDI20I12SV 隔离等级 增强隔离, 符合 VDE 认证 : V IORM = 1420 V,UL 1577 认证 :V ISO = 5 kv(rms), 持续 1 min UL 1577 认证 :V ISO = 5 kv(rms), 持续 1 min 功能隔离 特点 实时门极电流控制 : 空载工况下的门极电流 潜在应用 交流电机和无刷直流电机驱动 高压 DC-DC 转换器 UPS 系统 焊接 伺服电机 简化的应用接线图 5V 5V VCC2 VCC1 VCC2 /FLT DESAT R DESAT RDY2 CS RD C DESAT D DESAT 评估板 :EVAL-1EDS20I12SV Control unit C1 RDY1 PADP INP INN OCOFF RSENSE ON GATE CD RS T2 T1 RF CF EN PADN SPEED SIGI CZ VZ OFF SOFF ROFF RSOFF GND SIGO GND1 PRB VEE2 GND2 C3 R PRB2 R PRB1 VCC2 C2 63

64 新产品集锦 2ED2304S06F V 门极驱动, 带集成自举二极管 (BSD)( 新 ) 2ED2304S06F 是一颗 650 V 门极驱动 它采用了英飞凌的薄膜 SOI 技术, 具备良好的耐用性和抗噪性 输出驱动具有能最大限度减少交叉导通的大脉冲电流缓冲级 浮动通道可用于驱动工作电压高达 650 V 的高边配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT 此外, 当 IC 未上电时, 有源关断功能可通过输出极浮动门提供内在的寄生导通保护 典型的应用接线图 产品特征 英飞凌薄膜 SOI 技术 工作电压高达 +650 V 浮动通道适用于自举 输出拉 / 灌电流能力 :+0.36 A/-0.7 A 集成超快速和 RDS(ON) 超低的自举二极管 因为 SOI 技术, 可耐受高达 100 V( 脉宽高达 300 ns) 的负瞬态电压 典型传输延迟匹配为 10 ns, 最大传输延迟匹配为 60 ns dv/dt 抗扰度 :±50 V/ns 门极驱动电源电压范围 :10-20 V 两个通道都具备欠压闭锁功能 兼容 3.3 V 5 V 和 15 V 输入逻辑电压 通过 RoHS 认证 潜在应用 电机驱动 通用逆变器 制冷压缩机 离线 AC-DC 电源中 用于通信和照明的式和全桥式 转换器 英飞凌 SOI 的功耗 英飞凌 SOI HS+LS 驱动最高温度 66.6 普通 HS+LS 驱动最高温度 DC = 300 V;CoolMOS P7, 采用 D-Pak 封装 ;300 khz 开关频率 64

65 新产品集锦 6ED2230S12T V 三相门极驱动, 带集成自举二极管 (BSD) 和过流保护 (OCP) ( 新 ) 6ED2230S12T 属于 1200 V 三相 SOI 门极驱动, 带集成自举二极管和过流保护, 典型输出电流 A/-0.65 A, 采用 DSO-24 封装 ( 移除四个引脚的 DSO-28 封装 ), 适用于驱动 IGBT 英飞凌专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术使得可以打造出耐用的单片式设计 分流电阻还能提供可终止所有 6 个输出的过流检测功能 它可发出 open-drain 故障信号, 指示已发生过流或过电压关断 故障可在通过 RC 网络从外部编程的延时之后自动清除 输出驱动具有能最大限度减少交叉导通的大脉冲电流缓冲级 传输延迟的匹配可简化驱动在高频率应用中的使用 产品特征 英飞凌薄膜 SOI 技术 工作电压高达 V 浮动通道适用于自举 输出电流能力 :+0.35 A/-0.65 A 集成超快速和 R DS(ON) 超低的自举二极管 因为 SOI 技术, 可耐受高达 -100 V( 脉宽高达 700 ns) 的负瞬态电压 两个通道都具备欠压闭锁功能 兼容 3.3 V 5 V 和 15 V 输入逻辑电压 过流保护 (ITRIP ±5% 基准值 ) 在同一引脚 (RFE) 上提供故障报告 自动故障清除和使能功能 所有通道的传输延迟互相匹配 集成 460 ns 死区时间保护 直通短路保护 2.5 kv HBM ESD 保护 典型的应用接线图典型应用 工业电机驱动 电机控制 通用逆变器 商用空调 (CAC) 英飞凌 SOI 技术耐受负瞬态电压的能力 PW (ns) V s (V) SOA 评估板 :EVAL-M1-6ED2230-B V BS =15 V 时,6ED2230S12T 的耐受负瞬态电压能力的安全范围 65

66 新产品集锦 2ED2106/08/09/091S06 门极驱动产品家族 ( 新 ) 2ED2181/82/83/84S06 大电流门极驱动产品家族 ( 新 ) 拥有集成自举二极管 BSD 的 650 V 和高低边门极驱动家族 2ED2106/08/09/091S06 门极驱动产品家族和 2ED2181/83/84S06 大电流门极驱动产品家族, 属于拥有和高低边配置的 高压功率 MOSFET 和 IGBT 驱动产品家族 凭借 SOI 技术, 该器件拥有良好的抗干扰和抗噪性能, 能在 VS 引脚 (V CC =15 V) 上的 负瞬态电压高达 -11 V DC 时继续维持运算逻辑 因为没有寄生结构, 该器件可在所有温度和电压条件下免于寄生闩锁 逻 辑输入兼容低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑输出 输出驱动具有能最大限度减少交叉导通的大脉冲电流缓冲级 浮动 通道可用于驱动工作电压高达 650 V 的高边配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT 产品特征 英飞凌 650 V 薄膜 SOI 技术 集成超快速自举二极管 耐受的负瞬态电压最低为 -80 V( 脉宽 500 ns) dv/dt 抗扰度 :±50 V/ns 逻辑输入可承受高达 -5 V 的摆幅 逻辑和电源接地电压偏移 :±5 V 门极驱动电源电压 :10-20 V 两个通道都具备欠压闭锁功能 兼容 3.3 V 5 V 和 15 V 输入逻辑电压 施密特触发输入, 带迟滞和上拉或下拉 潜在应用 电机驱动 通用逆变器驱动 离线 AC-DC 电源中 用于通信和照明 的式和全桥式转换器 太阳能逆变器和 UPS 驱动 产品型号输出拉 / 灌电流输入逻辑驱动结构类型死区时间封装 2ED2106S06F DSO-8 HIN LIN 高低边无 2ED21064S06J DSO-14 2ED2108S06F 540 ns DSO-8 HIN /LIN 2ED21084S06J A/-0.7 A 可编程 DSO-14 2ED2109S06F IN /SD 540 ns DSO-8 2ED21094S06J DSO-14 IN DT/SD 可编程 2ED21091S06F DSO-8 2ED2181S06F DSO-8 高低边无 2ED21814S06J DSO-14 HIN LIN 2ED2182S06F 400 ns DSO-8 2ED21824S06J 可编程 DSO A/-2.5 A 2ED2183S06F 400 ns DSO-8 HIN /LIN 2ED21834S06J 可编程 DSO-14 2ED2184S06F 400 ns DSO-8 IN /SD 2ED21844S06J 可编程 DSO-14 简化的应用接线图 IN 1 2ED2184S06J IN V VCC HIN 1 2 2ED2106S06F VCC VB HIN HO V SD VSS R DT SD VSS DT VB HO VS LIN 3 LIN VS 6 5 COM 10 4 COM LO 5 6 LO 9 VCC 7 VCC 8 66

67 新产品集锦 1ED44176N01F - 25 V 低边门极驱动, 带集成的过流保护 故障报告及使能功能 ( 新 ) 1ED44176N01F 应用于参考到地电压的应用 比如, 需要过流保护 (OCP) 的数控功率因数校正 (PFC) 电路 的低压 正逻辑门极驱动 它通常借助带比较器 ( 如 LM293) 的电流测量电路 及由电阻器和电容器构成的网络来实现过流保护 (OCP) 因为集成了电流传感阈值公差为 ±5% 的 OCP 比较器,1ED44176N01F 可实现高达 20% 的成本节省, 以及 50% 的空间节省 1ED44176N01F 还在同一引脚上集成了向控制器报告故障输出的功能及驱动使能功能 该驱动芯片还拥有独立的逻辑和电源接地引脚, 可确保运行期间的抗扰能力 产品特征 带正电压输入的过流检测 +0.8 A/-1.75 A 输出拉 / 灌电流能力 ±5% 的 +0.5 V 过流阈值 在同一引脚上集成故障报告和使能功能 可编程的故障清除时间 CMOS 施密特触发输入 兼容 3.3 V 5 V 和 15 V 输入逻辑 输出与输入同步 独立的逻辑和电源接地引脚 2 kv ESD HBM 保护潜在应用 面向单端拓扑 ( 比如数控 PFC 或数字电源 ) 的通用 低边门极驱动 家用和商用空调 家电 工业应用 简化的应用接线图 应用手册 PSPICE 和 SiMetrix 仿真 工具 及评估板 EVAL-1ED44176N01F 请点击 关键功能关键参数系统益处 集成拥有准确的 OCP 阈值的过流保护比较器 在同一引脚上集成故障报告和使能功能 可编程的故障清除时间 低静态电源电流 独立的逻辑接地和门极驱动回路 欠压闭锁 (UVLO) 保护 过流阈值 0.5 V, 公差 ±5% 针对使能功能的内部施密特触发比较器 外部电容器 (C FLTC ) 设定故障清除 时长 最大 I QCC 电流 :750 µa VSS 和 COM 引脚 IGBT 的特定 UVLO 电平 ( 典型开 / 关电压值 = 11.9 V / 11.4 V) 相比分立式器件解决方案, 潜在的空间节省可达 50%, 成本节省可达 20% 灵活设置对应不同单片机处理速度的故障清除时间 最大限度降低功耗 避免从输出端到输入端的噪声耦合, 从而改进抗噪性能 消除低 V CC 电源电压状态下的开关损耗 67

68 新产品集锦 1EDN7550 和 1EDN8550 真正的差分输入的单通道低边门极驱动产品家族可避免功率 MOSFET 误触发 ( 新 ) 常规低边门极驱动芯片的输入信号电平是以门极驱动芯片的地电位作为参照 如果在应用中门极驱动芯片的地电位 波动过度, 门极驱动芯片就可能被误触发 1EDN7550/1EDN8550 门极驱动芯片拥有真正的差分输入 它们的控制信号输入在很大程度上独立于地电位, 而只依 赖于其输入触头之间的电压差 这可以避免功率 MOSFET 被误触发 产品特征 真正的差分输入 4 A 拉电流 8 A 灌电流 独立的拉 / 灌电流输出引脚 低电阻输出级 29 ns 输入最小脉宽 7 ns 传输延迟准确度 输出端的反向电流抗扰度 :5 A 4 V 和 8 V UVLO 型号 SOT-23 六脚封装 潜在应用 服务器 电信 DC-DC 转换器 电信砖 电动工具 工业用 SMPS 无线充电 太阳能微型逆变器 1EDN7550 驱动单层电路板上的 CoolMOS SJ MOSFET 1EDN8550 驱动升压 PFC 中的 Kelvin 源极 CoolMOS 超结 (SJ)MOSFET 68

69 新产品集锦 GaN EiceDRIVER 产品家族 ( 新 ) 用于高压 GaN 开关的单通道隔离型门极驱动芯片 CoolGaN 增强型 HEMT 最适合由英飞凌的 EiceDRIVER 芯片 1EDF5673K 1EDF5673F 和 1EDS5663H 来驱动 它们可确保高 压 GaN 开关运行的稳健性和高效性, 同时还能最大限度减少研发投入, 以及缩短上市时间 产品特征 低电阻输出 : 拉电流 :0.85 Ω 灌电流 :0.35 Ω 单通道电流隔离 : 功能型 : V IO = 1500 V DC V IOWM = 510 V rms (16 脚 DSO) 增强型 : V IOWM = 460 V rms (LGA 5x5) V IOTM = 8000 V pk (VDE 待定 ) 潜在应用 图腾柱 PFC Vienna 整流器 多电平拓扑 谐振 LLC V IOWM = 1420 V DC CMTI 最小值 : 200 V/ns 时间 : 最小输出脉宽 :18 ns 传输延迟准确度 :13 ns 评估板 :EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 大功率 SMPS 应用示例 69

70 新产品集锦 面向 MOSFET 的 定时准确而稳定的 2EDi 双通道功能隔离型和增强隔离型门极驱动产品家族 ( 新 ) EiceDRIVER 2EDi 产品家族适用于高性能的功率转换应用 超强大的 4 A/8 A 拉 / 灌电流双通道门极驱动可提高 CoolMOS 和 OptiMOS MOSFET 的效率 因为传输延迟短 (37 ns), 加上在不同温度和生产条件下的高度精确和稳定的时长, 它可进一步提高所有隔离型功率级或多相位 / 电平拓扑的效率 因为拥有不同封装的功能隔离型和增强隔离型驱动, 它们可作为一次侧及 ( 安全 ) 二次侧控制应用最完美的搭档 对于高 dv/dt 功率回路, 门极驱动输出端具有 5 A 的超强反向电流能力, 以及 150 V/ns 的 CMTI 抗扰度 如果是驱动慢速开关或较小的 MOSFET, 英飞凌也可提供峰电流为 1 A/2 A 的产品变体 功能隔离型 增强隔离型 功能隔离型 产品特征 在一个封装中集成简单易用且外形小巧的驱动加隔离 在所有功率级中具备稳定和高分辨率的 PWM 定时准确 度, 可以优化满载及轻载效率 隔离具有 150 V/ns 的 CMTI 抗扰度, 适合嘈杂的高压 MOSFET 功率器件环境 整体系统组件成本有竞争力, 保护性能更强 更快的上市速度及计划中的 UL 1577 VDE x IEC 60950/62386 增强安全认证 产品组合 器件概述潜在应用 电信用 DC-DC 转换器 服务器 工业用 SMPS UPS 电池 电动车充电 DC-DC 智能电网 产品型号 可订购的产品型号 (OPN) 封装 PWM 输入类型 驱动拉 / 灌电流 门极驱动 UVLO 输入输出隔离 隔离等级电压等级浪涌测试安全认证 * 死区时间控制 2EDF7175F 2EDF7175FXUMA1 1 A/2 A NB-DSO16 10 x 6 mm 2EDF7275F 2EDF7275FXUMA1 4 A/8 A 2EDS8165H 2EDS8265H 2EDS8165HXUMA1 2EDS8265HXUMA1 WB-DSO x 10.3 mm 双模式 (IN_A IN_B) 1 A/2 A 4 V 功能型 V IO = 1.5 kv DC n.a. n.a. 8 V 增强型 * V IOTM = 8 kv peak (VDE ) V ISO = 5.7 kv rms (UL1577) V IOSM = 10 kv peak (IEC60065) VDE UL1577 IEC60950 IEC62368 CQC 无 2EDF7235K 2EDF7235KXUMA1 4 A/8 A 有 LGA13 4 V 功能型 V 5.0 x 5.0 mm IO = 1.5 kv DC n.a. n.a. 2EDF7275K 2EDF7275KXUMA1 无 * 即将通过认证 70

71 新产品集锦 1EDI2004AS* - EiceDRIVER SIL 1200 V 隔离型汽车级门极驱动芯片 1EDI2004AS 是适用于 5 kw 以上汽车电机驱动的高压 IGBT 门极驱动 它采用了英飞凌的无铁芯变压器 (CT) 技术, 可实现低压和高压之间的隔离 该器件适合支持 400 V 600 V 和 1200 V IGBT 1EDI2004AS 可在低压侧 ( 一次侧 ) 连接至 5 V 逻辑 标准 SPI 接口使得该逻辑能够配置和控制在驱动中实现的先进功能 在高压侧 ( 二次侧 ), 它可用于驱动外部升压级, 或者直接驱动小型 IGBT 超短的传输延迟和可控的内部公差可以使 PWM 信号畸变最小 1EDI2004AS 最好与 1EBN100XAE EiceDRIVER Boost 放大器产品家族配合使用 产品特征 传输延迟短,PWM 畸变最小 支持 5 V 逻辑电平 ( 一次侧 ) 支持菊花链的 16 位标准 SPI 接口 ( 最大速率 :2 MBaud) ( 一次侧 ) 完全可编程的有源箝位禁止信号 ( 二次侧 ) 可以用单极二次电源供电 汽车应用认证 ( 符合 AEC Q100 标准 ) 简化的应用接线图 安全配置 退饱和监测 过流保护 完全可编程的两电平关断 支持主动短路 (ASC) 保护策略 符合 ISO 标准 - ASIL A( 适合达到 ASIL D 要求的系统 ) 潜在应用 面向 ( 混合动力 ) 电动汽车的主逆变器 高压 DC-DC 转换器 工业驱动 * 即将发布 71

72 新产品集锦 AUIR2x14SS* 1200 V 汽车级门极驱动芯片 AUIR2x14SS 门极驱动产品家族适用于驱动汽车功率器件应用中的拓扑 这些驱动的门极驱动电流强 ( 拉电流 2 A, 灌电流 3 A), 需要的静态电流小, 因而方便在中等功率系统中使用自举电源技术 这些驱动可通过功率晶体管退饱和检测实现全面的短路保护, 并能通过专用的软关断引脚平稳地关断退饱和晶体管, 从而成功处理所有故障, 最终避免过电压和减少电磁辐射 产品特征 首款 1200 V 的 通过 Q100 认证的 只含一颗晶圆的器件 浮动通道最高达到 700 V(AUIR2114SS) 或 1200 V(AUIR2214SS) 软关断 同步信号使关断与其它相位保持同步 集成退饱和检测电路 用于 di/dt 控制的两级导通输出 独立的上拉 / 下拉输出驱动引脚 匹配的延时输出 欠压闭锁, 有滞后带潜在应用 汽车辅助设施 风机 ( 热 ) 泵 空调压缩机 汽车无刷电机应用 简化的应用接线图 VCC SY_FLT FAULT/SD LIN HIN VSS AUIR2114SS VB DSH HOP HON SSDH VS DSL LOP LON SSDL COM * 即将发布 72

73 73

74 门极驱动芯片的支持工具 英飞凌门极驱动评估板 评估板应用产品型号产品描述主要元器件目标应用拓扑 电池驱动的应用 EVAL-6EDL04N02PR 支持采用英飞凌 SOI 技术和适用于控制 MOSFET 的三相门极驱动芯片的评估板 6EDL04N02PR 电池驱动的应用 ; 步进电机 ; 电动自行车 电动滑板车 电动玩具 ; 遥控飞机 ; 扫地机器人 B6 桥 步进电机 EVAL-PS-IRS200X 用于步进电机, 采用 200 V 驱动芯片 IRS2005S/IRS2007S/IRS2008S IRS2005S IPP180N10N3 G 步进电机 ; 电动工具 ; 电动自行车 滑板车 ; 电动玩具 ; 四相遥控飞机 ; 扫地机器人 电动汽车 1EDI2002AS EVALKIT (1EDI2002ASEVALKITTOBO1) 1EDI2004AS EVALKIT (1EDI2004ASEVALKITTOBO1) EiceDRIVER SIL 评估套件 1EDI2002AS 1EBN1001AE 1EDI2004AS 1EBN1001AE 电动汽车的逆变器 ; 电动汽车高压 DC-DC 转换器 ; 工业驱动 电动汽车 1EDI2010AS EVALKIT (1EDI2010ASEVALKITTOBO1) 面向牵引逆变器应用的 EiceDRIVER Sense IGBT 门极驱动评估套件 1EDI2010AS 1EBN1001AE 电动汽车的逆变器 ; 电动汽车高压 DC-DC 转换器 ; 工业驱动 电动汽车 AUIRS1170S EVALKIT (AUIRS1170SEVALKITTOBO1) 二次侧高速同步整流评估套件 AUIRS1170S 电动汽车高压 DC-DC 转换器 ; 车载充电器 ; 工业驱动 全桥 电动汽车 2ED020I12FAEVALKITTOBO1 面向 600V/1200V IGBT 的双通道隔离型驱动 2ED020I12FA 电动汽车逆变器 ; 电动汽车高压 DC-DC 转换器 ; 工业驱动 ; 车载充电器 全桥 电动汽车 EVAL-6ED100HPDRIVE-AS (EVAL6ED100HPDRIVEASTOBO1) 采用 EiceDriver Sense/Lite/Boost 和 FSxxxR08A6P2xx 的门极驱动评估板 1EDI2010AS 电动汽车的逆变器 ; 电动汽车高压 DC-DC 转换器 ; 工业驱动 电动车充电桩 EVAL-1EDC20H12AH-SIC 展示 1EDC20H12AH 和 CoolSiC MOSFET 的功能和关键特性 1EDC20H12AH IZM120R045M1 电机驱动 电动车充电桩 电信 太阳能 家电 EVAL-1ED44176N01F 展示集成过流保护的英飞凌低边门极驱动 (1ED44176N01F) 的功能和关键特性 1ED44176N01F IRLML2803TRPBF 家电 -PFC; 数字电源 ; 家用和商用空调 ; 工业 SMPS 单低边 家电 EVAL-M3-TS6-665PN 三相变频器, 采用 600 V 驱动芯片, 单低边驱动芯片和 IGBT H5 IRS2890DS IKB20N65EH5 IRS44273L 家电 ;PFC; 冰箱 ; 变频器 ; 风机 ; 空调 三相变频器 +PFC 家电 EVAL_100W_DRIVE_CFD2 电机驱动板可提供无传感器同步整流 BLDC/PMSM 控制算法, 从而减轻反向电流硬换向压力 IPD65R1K4CFD 2EDL05N06PF 空调扇 ; 水泵 ; 冰箱压缩机 洗碗机 ; 加热系统 ; 排水和三相电机再循环泵 家电 EVAL-2EDL05I06PF 采用英飞凌 SOI 技术的 600 V IGBT 门极驱动芯片的评估板 2EDL05I06PF 消费品 ; 感应加热 工业 ; 电机控制和驱动 CAV; 电动自行车 电动滑板车 电动叉车以及小型电动汽车 家电 EVAL-2EDL23I06PJ 采用英飞凌 SOI 技术的 600 V 门极驱动芯片和 Highspeed3 IGBT 的评估板 2EDL23I06PJ IKP20N60H3 空调 ; 电机驱动 ; 风机 ; 功率管理 ; 水泵 家电 EVAL-2EDL23N06PJ 采用英飞凌 SOI 技术的 600 V MOSFET 门极驱动芯片的评估板 2EDL23N06PJ 消费品 LEV 功率管理 ; 服务器 ; 太阳能逆变器 家电 EVAL-6EDL04I06PT 采用英飞凌 SOI 技术的 600 V 三相 IGBT 门极驱动芯片的评估板 6EDL04I06PT 风机 ; 冰箱 ; 洗衣机 B6 桥 家电 WM_MOTOR_CONTROL_01 洗衣机 PMSM 电机控制的无传感器 FOC 控制 IKD10N60R 6EDL04I06NT 电机控制和驱动 三相 工业 2ED100E12-F2 采用无铁芯变压器技术的单通道隔离型驱动和 EconoDUAL 3 模块的评估板 1ED020I12-F2 工业 ;CAV; 感应电机控制和驱动 ; 太阳能 / 风能 74 如欲购买评估板, 请联系您所在地的英飞凌销售代表或经销商

75 门极驱动芯片的支持工具 英飞凌门极驱动评估板 评估板应用产品型号产品描述主要元器件目标应用拓扑 工业 2ED250E12-F 采用无铁芯变压器技术的单通道隔离型驱动和 1200 V 的 Prime-PACK 模块的评估驱动板 1ED020I12-F2 工业 ;CAV; 电机控制和驱动 ; 太阳能 / 风能系统 工业 2ED300E17-SFO IGBT 门极驱动板, 可用于支持最高 1700 V 的所有中高功率 IGBT 模块 2ED300C17-S / -ST CAV; 驱动 ; 电源 可再生能源 ; 太阳能 ; 风力牵引 工业 6ED100E12-F2 采用无铁芯变压器技术的单通道隔离型驱动和 EconoPACK + IGBT 模块的评估驱动板 1ED020I12-F2 工业 ;CAV; 电机控制和驱动 ; 太阳能 / 风能系统 B6 桥 工业 7ED020E12-FI-U V 的 SmartPIM 1 模块的评估驱动板 采用无铁芯变压器技术的驱动器用于门极控制和保护 2ED020I12-FI 工业 ; 电机控制和驱动 B6 桥 工业 7ED020E12-FI-W V 的 EasyPIM 2B PressFIT 模块的评估驱动板 无铁芯变压器驱动用于门极控制和保护 2ED020I12-FI 工业 ; 电机控制和驱动 B6 桥 工业 EVAL-M1-6ED2230-B1 完整的功率评估板, 包含面向电机驱动应用的 1200 V EasyPIM Easy1B 三相模块 6ED2230S12T 工业驱动 ; 电机控制 通用逆变器 ; 商用空调 (CAC) 三相 工业 EVAL-1ED020I12-B2 采用无铁芯变压器技术, 适用于驱动 1200V IGBT 的隔离型单通道驱动芯片的评估板 1ED020I12-B2 工业 ;UPS 电机控制和驱动 电源 ; 智能电网 太阳能系统 工业 EVAL-1ED020I12-BT 采用无铁芯变压器技术, 适用于驱动 1200V IGBT 的隔离型单通道驱动芯片的评估板 1ED020I12-BT 数据处理 电动车 ;UPS 工业 ; 电机控制和驱动 电源 ; 智能电网 太阳能 工业 EVAL-1EDS20I12SV EconoDUAL 3 模块和单通道隔离型驱动 1EDS20I12SV(SRC) 的评估板 1EDS20I12SV 电机驱动 双通道高边 工业 EVAL-2ED020I12-F2 采用无铁芯变压器技术, 适用于 1200V IGBT 的隔离型双通道驱动芯片的评估板 2ED020I12-F2 IKP20N60H3 CAV; 电机控制和驱动 ; 开关电源 ; 太阳能 工业 EVAL-1EDI60I12AF 采用无铁芯变压器技术, 适用于 1200V IGBT 的隔离型单通道驱动芯片的评估板 1EDI60I12AF IKW50N65F5 工业 ;UPS 电机控制和驱动 开关电源 ; 智能电网 太阳能 工业 F3L020E07-F-P NPC1 拓扑中的 650 V EconoPACK 4 三电平模块的评估驱动板 无铁芯变压器隔离型驱动用于门极控制和保护 1ED020I12-F2 工业电机 ;CAV 电机控制和驱动太阳能 / 风能 工业 F3L030E07-F-W2 NPC1 拓扑中的 650 V Easy2B 三电平模块的评估驱动板 无铁芯变压器隔离型驱动用于门极控制和保护 1ED020I12-F2 电机驱动 ; 可再生能源 太阳能 ;UPS 工业 F3L2020E07-F-P NPC2 拓扑中的 650 V EconoPACK 4 三电平模块的评估驱动板 无铁芯变压器隔离型驱动用于门极控制和保护 1ED020I12-F2 工业电机 ; 电机控制和驱动 太阳能 / 风能系统 工业 F3L2020E12-F-P_EVAL NPC2 拓扑中的 1200 V 三电平 EconoPACK 4 模块的评估驱动板 无铁芯变压器隔离型驱动用于门极控制和保护 1ED020I12-F2 工业电机 ;CAV 电机控制和驱动 太阳能 / 风能系统 如欲购买评估板, 请联系您所在地的英飞凌销售代表或经销商 75

76 门极驱动芯片的支持工具 英飞凌门极驱动评估板 评估板应用产品型号产品描述主要元器件目标应用拓扑 工业 IRUCS1 IR25750L D2PAK/DPAK 电路评估板 IR25750L 电流检测应用 工业 KIT_XMC_DP_EXP_01 XMC digital power explorer 套件包含带机载阻性负载组的同步降压转换器 BSC0924NDI IRS2011S 工业 服务器和电信 DC/DC 功率转换器 降压 无人机 KIT_XMCI45_LARIX_PINU_1 带 9 轴运动追踪 压力传感器和认证表征的四轴飞行器演示套件 BSC0925ND IR2301S 多旋翼飞行器, 无人机 B6 桥 SMPS EVAL_1K6W_PSU_G7_DD 1600 W Titanium 标准服务器电源, 拥有采用 DDPAK 封装的 600 V CoolMOS G7 SJ MOSFET IPDD60R150G7 IPDD60R050G7 IDDD08G65C6 BSC007N04LS6 1EDI20N12AF 2EDN7524F 服务器 PFC LLC SMPS EVAL_2K5W_CCM_4P_V W CCM PFC 110/230 AC to 400 DC 1EDI60N12AF IPZ60R040C7 服务器 UPS PC 电源 电信 降压 PFC 连续导通模式 (CCM) SMPS EVAL_3KW_2LLC_C7_20 3.0kW 双 LLC 评估板 IPP60R040C7 BSC093N15NS5 2EDN7524R 1EDI60N12AF 2N7002 BSS316N 电信 / 工业用 SMPS LLC SMPS EVAL_3KW_2LLC_CFD7 3kW 电信 / 工业用 SMPS 的高压 DC-DC 级的完整英飞凌解决方案 IPW60R031CFD7 1EDI60N12AF BSC093N15NS5 2EDN7524R 电信 / 工业用 SMPS LLC SMPS EVAL_3KW_2LLC_P7_47 3kW 电信 / 工业用 SMPS 的高压 DC-DC 级的完整英飞凌解决方案 IPW60R037P7 1EDI60N12AF BSC093N15NS5 2EDN7524 电信 / 工业用电源 LLC SMPS EVAL_3KW_DB_PFC_C7 3kW 服务器 / 电信 / 工业用 SMPS 的无桥式双升压 PFC 的完整英飞凌解决方案 IPZ65R045C7 IPW65R045C7 2EDN7524F 1EDI60N12AF 服务器 / 电信 / 工业用电源 PFC SMPS EVAL_600W_12V_LLC_C7 600 W DCDC/LLC 级, 400 V/12 V DC, 峰效率 97.8% IPP60R180C7 BSC010N04LS 2EDL05N06PF 2EDN7524F 服务器 PC 电源 LLC SMPS EVAL_600W_12V_LLC_CFD7 600 W 服务器和工业用 SMPS 的高压 DC-DC 级的完整英飞凌解决方案 IPP60R170CFD7 2EDL05N06PF BSC010N04LS 2EDN7524 服务器电信 LLC SMPS EVAL_600W_12V_LLC_P7 满足 80+ Titanium 标准的效率要求的服务器用 SMPS 的 LLC 拓扑 IPP60R180P7 2EDL05N06PF BSC010N04LS 2EDN7524 服务器 / 工业用电源 LLC SMPS EVAL_800W_PSU_3P_P7 800 W 评估板, 面向服务器应用, 属于成本最优的形状 匹配性和功能测试平台 IPW60R099P7 IPP60R280P7 BSC014N04LS 1EDI20N12AF 2EDN7524F 服务器电源 PFC LLC SMPS EVAL_800W_PSU_4P_C7 800 W 评估板可用作服务器应用的形状 匹配性和功能测试平台 IPZ60R099C7 IPP60R180C7 BSC014N04LS 1EDI20N12AF 2EDN7524F 服务器电源 PFC LLC 如欲购买评估板, 请联系您所在地的英飞凌销售代表或经销商 76

77 门极驱动芯片的支持工具 评估板应用产品型号产品描述主要元器件目标应用拓扑 SMPS EVAL-600W-12V-LLC-A 600 W DC-DC/LLC 级 400/12 V DC, 峰效率 97.4%( 数字型和模拟型都有 ) 2EDL05N06PF 2EDN7524F BSC010N04LS IPP60R190P6 电源 (DC-DC 谐振转换器 ) LLC SMPS SMPS EVAL-IGBT-1200V-247 EVAL-IGBT-650V-TO247-4 TO-247 四脚封装中的 IGBT 的自适应双脉冲测试仪 TO-247 四脚封装中的 IGBT 的自适应双脉冲测试仪 IKY75N120CH3 1EDI60I12AH IKZ50N65EH5 IKZ50N65NH5 IKW50N65H5 1EDI60I12AF 服务器 / 电信用电源, 太阳能系统 服务器 / 电信用电源, 太阳能系统 SMPS KIT_DRIVER_2EDN7524F 2EDN7524F 双低边 SMPS KIT_DRIVER_2EDN7524G 可为 DSO-8 WSON-8 及 TSSOP-8 封装的英飞凌双通道非隔离型门极驱动芯片 2EDN7524G 工业电源 / 服务器 / 电信 双低边 EiceDRIVER 2EDN7524 提供测试平台 SMPS KIT_DRIVER_2EDN7524R 2EDN7524R 双低边 SMPS KIT_DRIVER_2EDF7275F 可为 DSO mil 封装的英飞凌双通道功能隔离型门极驱动芯片 EiceDRIVER 2EDF7275F 提供测试平台 2EDF7275F 工业电源 / 服务器 / 电信双低边 SMPS KIT_DRIVER_1EDN7550B 可为采用 SOT-23 6 脚封装的英飞凌单通道非隔离型门极驱动芯片 EiceDRIVER 1EDN7550B 提供测试平台 1EDN7550B 工业电源 / 服务器 / 电信双低边 SMPS EVAL_HB_BC_1EDN8550B 评估基于创新的真正的差分输入 (TDI) 概念的 EiceDRIVER 1EDN-TDI (1EDN8550B) 门极驱动的稳健性 它可供调整单片机接地端与驱动接地端之间的直流和交流偏移 1EDN8550B BSC026N08NS5 工业电源 / 服务器 / 电信 降压转换器 SMPS EVAL_3K3W_BIDI_PSFB* 由移相式全桥和全桥配置中的同步整流器 (SR) 组成 2EDS8265H 工业 power supply/ Server/Telecom 全桥 SMPS EVAL_1EDF_G1_HB_GAN 600V 氮化镓 (GaN) 评估板可用于简单 快速地设定并测试 CoolGaN 晶体管 通用拓扑经过配置可用于升压或降压运算 脉冲测试或连续全功率运行 IGOT60R070D1 1EDF5673K 开关电源 升压降压 LLC 如欲购买评估板, 请联系您所在地的英飞凌销售代表或经销商 门极驱动芯片论坛 直接与英飞凌门极驱动专家探讨您的技术问题 77

78 门极驱动芯片的支持工具 门极驱动芯片仿真模型和工具 SPICE 仿真模型 suksao / Freepik Infineon Designer 登录 查看门极驱动的在线仿真工具 Infineon Designer 是结合了互联网应用中的模拟仿 真和数字仿真功能的在线仿真引擎 因为只需要网页浏览器, 它非常适合支持客户为特定应用选择合适的产品 78

79 门极驱动芯片的支持工具 门极驱动芯片产品手册 Gate driver IC brochures Power and Sensing Selection guide 2019 Selection Guide 2018 Automotive application guide We make cars clean, safe and smart. Every switch needs a driver EN 门极驱动选型指南 (本文档) 功率器件和传感器选型指南 powerandsensing-selectionguide Gate driver IC brochures 汽车应用指南 Power and Sensing Selec8on Guide hdp:// powerandsensing- selec8onguide Guide dbrochure x 8on Gate driver IC brochures Infineon EiceDRIVER gate driver ICs Automo8ve applica8on guide hdps:// Automo8ve- Applica8on- Guide ABR- v02_00- EN.pdf? Power and Sensing Selec8on Guide Automo8ve applica8on guide fileId=5546d462584d1d4a e Gate Driver Selec8on Guide hdp:// powerandsensing- selec8onguide hdps:// Automo8ve- Applica8on- Guide ABR- v02_00- EN.pdf? fileId=5546d462584d1d4a e Industrial galvanic isolated gate driver ICs 每一个功率器件都需要一个驱动芯片 Every switch needs a driver 门极驱动应用选型指南 Gate driver application matrix 工业级隔离型门极驱动芯片 选型指南2018 Selection guide 2018 Power and Sensing Selec8on Guide hdp:// powerandsensing- selec8onguide Automo8ve applica8on guide hdps:// Automo8ve- Applica8on- Guide ABR- v02_00- EN.pdf? fileId=5546d462584d1d4a e 门极驱动应用选型指南-中文版 工业级隔离型门极驱动芯片 Gate Driver Selec8on Guide 门极驱动应用选型指南 工业级隔离型门极驱动芯片-中文版 Industrial Galvanically Isolated Gate Driver 工业级隔离型门极驱动芯片 门极驱动应用选型指南 cn cn EiceDRIVER 1ED Compact gate driver IC family Industrial Galvanically Isolated Gate Driver 工业级隔离型门极驱动芯片 Gate Driver Applica8on Matrix 门极驱动应用选型指南 Home Appliances Mobility & Battery Driven cn cn EiceDRIVER 1ED Compact EiceDRIVER Enhanced EiceDRIVER Enhanced gate driver IC family 1200 V galvanically isolated compact gate driver ICs Discover the next level of power and efficiency Infineon s gate driver ICs utilize level-shift silicon-on-insulator technology (SOI), and level-shift junction isolation technology (JI) to meet the high performance requirements in home appliance applications. Charger PFC General Air Conditioner (Residential) IRS4427S IRS44273L 2EDN8524F 2EDN8524F ICE5QR4770AZ IRS4427S (CoolSET ) IRS2153(1)D Commercial Lighting Electric Tools (Battery) Hood Fan/ Ceiling Fan/ Freezer Fan Power Tools (AC) IRS44273L 2EDN8524F 1EDN8511B Gate Driver Applica8on Matrix Industrial SMPS DC-DC Inverter (<1 kw) Inverter (<3 kw) 1EDI20N12AF 6EDL04I06PT IR2136S IRS2890DS 2ED2304S06F Half-bridge Topology 6EDL04I06PT 6EDL04I06PT 2ED2304S06F 2EDL05I06PF 2ED2304S06F 2EDL05N06PF IRS2153(1)D HS-Buck IRS2117 Industrial IRS25752L IRS20752L Sync-Buck Compressor/ 2EDL05N06PF Fan/CAC 2ED2304S06F Inverter (<5 kw) Inverter (<30 kw) Air Conditioner (Commercial) Automatic Door Opening Systems Building Fans & Pumps 1ED020I12-F2 1EDI10I12MF 2ED020I12-F2 Mobility & Battery Driven 6EDL04(I,N)06PT 2EDL23I06PJ IR2214SS 1EDI30I12MF 1EDI60I12AF 1EDU20I12SV Inverter (<200 kw) PFC 2EDL05I06PF IRS2181(4) IRS2890DS DC-DC Automatic opening system Commercial Sewing Machine PFC Drives 6EDL04I06PT IR2136S IRS2334 Forklift Truck/ CAV 6EDL04I06PT IR2133 2EDL23I06PJ 1EDI40I12AF 1ED020I12-BT 2ED020I12-FI 1EDI60N12AF 2EDL23I06PJ IRS2127(1) 1EDI60I12AF 1ED020I12-B2 1EDU20I12SV 1EDU20I12SV 1ED020I12-B2 1EDI60I12AF IRS4427S IRS44273L 2EDN8524F DC-DC (1 kw kw) SMPS 2EDN8524F IR7106S IRS2186(4) Brake Chopper 1EDI05I12AF 1EDI10I12MF IRS44273L Active Bridge Rectifier Inverter UPS HB (LLC) Sync-Buck BLDC 6EDL04I06PT IR2136S IRS2103 1EDI40I12AF 1EDI20I12AF 1EDI05I12AF 1EDI60N12AF 1EDI20N12AF 1EDI30I12MF 1EDI20I12MF 1EDI10I12MF 1EDI60I12AH 1EDI40I12AH 1EDI20I12AH 1EDI05I12AH 1EDI60H12AH 1EDI20H12AH 1EDI30I12MH 1EDI20I12MH 1EDI10I12MH 1EDC Compact 300 mil (UL 1577) 1EDC60I12AH 1EDC40I12AH 1EDC20I12AH 1EDC05I12AH 1EDC60H12AH 1EDC20H12AH 1EDC30I12MH 1EDC20I12MH 1EDC10I12MH 1EDI60I12AF 2EDL23I06PJ IR7106S Drones/ E-Bike/ E-Scooter 6EDL04N02PR IRS2334 IRS2007S EV Charger/ General Traction Battery Charger Powering an energy-smart world IRS2186S 1EDI60I12AF IR2214SS IRS4427S IRS44273L 2EDN8524F 2EDL05N06PJ 2EDL23N06PJ 1EDI20N12AF 1EDI60N12AF IRS4427S IRS44273L 2EDN7524F 6EDL04N02PR 1EDI40I12AF IR2214SS IRS4427Sprovides a comprehensive portfolio of high-performance gate driver ICs for photovoltaic inverters. By combining Infineon IRS44273L EiceDRIVER with super-junction MOSFETs such as CoolMOS, IGBTs, Silicon Carbide (SiC) MOSFET such as CoolSiC, 2EDN7524F 1EDI60I12AF as well as IGBT and SiC modules, Infineon enables solutions that maximizing uptime and energy production. 1EDU20I12SV IR2010S 6EDL04N02PR IR2136S Recommended Gate Drivers IRS2007S Renewable Energy Inverter (>2 kw) µinverter Boost µinverter DC-AC String Boost String Inverter Central Boost/SMPS 2ED020I12-F2 1ED020I12-F2 1ED020I12-FT Typical Output Current [A] Lawn Mower/ Vacuum/ Service Robotics 2EDL05N06PF Improving efficiency is the number one objective in the field of photovoltaics. Efficiency gains of as little as one percent IR2213 IRS2183 can1edi20i12af still yield enormous returns in renewable energy segment. Inverter (<2 kw) 1EDI60I12AF 1ED020I12-F2 1EDU20I12SV Light Electric Vehicle (LEV) 6EDL04N02PR IR2136S Central Inverter Heat Pump 2ED020I12-F2 Available in wide body package with 8 mm creepage distance Suitable for operation at high ambient temperature Active Miller clamp Short circuit clamping and active shutdown 100 kv/µs CMTI Precision DESAT protection 1ED020I12-FT 1ED020I12-B2 1ED020I12-BT 2ED020I12-FI Configuration Single Dual Single Single Single Package (all 300 mil) DSO-16 DSO-36 DSO-16 DSO-16 DSO-16 Functional Functional Functional Basic (VDE ) Basic (VDE ) Functional on High Side UVLO, OPAMP, Comparator Output Configuration Typical Propagation Delay [ns] Input [V] UVLO Output [V] 10 / / / / / / / / / / / / / / UVLO 5.9 / / / -2.3 Active Miller Clamp Active Miller Clamp Active Miller Clamp / / / / / / 11 Separate Sink/ Separate Sink/ Separate Sink/ Separate Sink/ Separate Sink/ Separate Sink/ Source Outputs Source Outputs Source Outputs Source Outputs Source Outputs Source Outputs 2.85 / / / 11.1 (H) 12 / 11.1 (H) 9.1 / 8.5 (N) 9.1 / 8.5 (N) Galvanic Isolation Half Bridge DSO-18 DESAT, UVLO DESAT, UVLO DESAT, UVLO, Two-Level Turn Off DESAT, UVLO DESAT, UVLO, TwoLevel Turn Off Input [V] 4.1 / / / / / / 11 Output [V] 12 / / / / / / Protection Function Package Charger Recommended Gate Drivers 6EDL04I06PT IRS2301S 2ED2304S06F Recommended Gate Drivers 1EDI60I12AF 1EDI Compact 300 mil Industrial Galvanically Isolated Gate Driver 工业级隔离型门极驱动芯片 门极驱动应用选型指南 Renewable Energy cn cn 6EDL04N02PR IR2235 Infineon s gate driver ICs are the expert s choice. With the breadth and depth of the portfolio, customers can quickly 2EDL23I06PJ IR2214SS design and build efficient and robust systems for every industrial application. SR Motor Inverter 1EDI Compact 150 mil 1ED020I12-F2 Product Features Package IRS4427S IRS44273L 2EDN8524F IR2136S for the IR2136S IRS2890DS Reliable, highirs2007s quality solutions most rugged situations 1200 V galvanically isolated enhanced gate driver ICs The EiceDRIVER 1ED Enhanced gate driver ICs are galvanic isolated single channel IGBT and SiC MOSFET drivers in DSO-16 package that provide output current capabilities of typically 2 A. The precision DESAT function is an excellent solution for SiC MOSFET short-circuit protection. All logic pins are 5 V CMOS compatible. 2ED020I12-F2 is the dual-channel version of 1ED020I12-F2 in DSO-36 package. 2ED020I12-FI is a high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with interlocking high and low side referenced outputs. EiceDRIVER Enhanced For battery-driven applications, saving battery power is the key. Infineon offers an excellent selection of gate driver ICs providing the highest-possible energy efficiency and top precision. Vacuum Cleaner Refrigerator/ Washer/ Dryer Product Features Available in DSO mil wide body package with 8 mm creepage distance and DSO mil Up to 10 A typical peak rail-to-rail output Suitable for operation at high ambient temperature Separate source and sink outputs or active Miller clamp Short circuit clamping and active shutdown 100 kv/µs CMTI From EV charger and light electric vehicle (LEV) to service robotics and drones, Infineon s family of configurable half-bridge and three-phase gate driver ICs can be combined with powerful Infineon MOSFETs to provide the required power and efficiency. Automotive-specific gate drivers qualified according to AEC-Q100 are also available. Recommended Gate Drivers Home Appliances Infineon s new EiceDRIVER 1EDC Compact 300 mil family is recognized under UL 1577 with an insulation test voltage of VISO = 2500 V(rms) for 1 min. The functional isolated EiceDRIVER 1EDI Compact 150 mil and 300 mil families are also available. The EiceDRIVER 1ED Compact family is the perfect driver for super-junction MOSFETs such as CoolMOS, IGBTs, Silicon Carbide (SiC) MOSFET such as CoolSiC, and IGBT modules. Full range of best-in-class components DESAT Charge Current [µa] Bipolar Output Supply Active Miller Clamp Inverting and Non-inverting Inputs Combinable Enable/Shutdown and Fault Feedback Signals TLSET Typical Propagation Delay [ns] TLTOff TLTOff 85 Isolation Definitions Functional Isolation Isolation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Isolation (VDE ) Isolation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Solar Inverter 6EDL04I06PT IR2136S 2ED2304S06F IR2214SS IR2213 IR2235 1EDI20I12AF Coreless Transformer (CT) Technology IRS4427S 2EDN7524F IRS44273L 2ED2304S06F IR2114SS 2EDL05N06PJ 2EDN8524F IRS4427S 1EDI20N12AF 1ED020I12-F2 IR7106S 1EDI60N12AF 2EDN8524F 1EDI60I12AF 1EDI60I12AF 1ED020I12-F2 IR2214SS 1EDN/2EDN Sample Kit Galvanically isolated EiceDRIVER ICs based on our coreless transformer (CT) technology which uses semiconductor manufacturing processes to integrate an on-chip transformer consisting of metal spirals and silicon oxide insulation. The on-chip transformers are used for transmitting switching information between input chip and output chip which are galvanically isolated. Gate Driver Support Tools Infineon Gate Drivers Home Page Simulation Tools Gate Driver X-Reference Gate Driver Selection Guide Brochure Gate Driver Finder Tool Driving SiC MOSFETs or Every isolated EiceDRIVER IC is well-suited to drive SiC MOSFETs such as the ultra-fast switching 1200-V CoolSiC power MOSFETs. The drivers incorporate most important key features and parameters for SiC driving such as tight propagation delay matching, precise input filters, wide output-side supply range, negative gate voltage capability or Miller clamping, and extended CMTI capability ISAR ordering code: KIT_1EDN_2EDN_SA_V1 1EDN/2EDN Sample Kit ISAR ordering code: KIT_1EDN_2EDN_SA_V1 1EDN-2EDN EiceDRIVER MOSFET 门极驱动芯片 -- 应用选型指南 Sample Kit 1EDN/2EDN样品套件 1EDN/2EDN ISAR ordering code: KIT_1EDN_2EDN_SA_V1 ISAR订购代码 KIT_1EDN_2EDN_SA_V

80 Gate driver ICs support 门极驱动在线选型工具 为简化门极驱动产品的选型过程, 英飞凌提供了在线版简单易用的门极驱动选型工具 只需选择一些关键参数, 该工具 就能快速帮您找到与应用相匹配的驱动产品 如欲访问门极驱动选型工具, 请登陆 交叉参考搜索 注意在英飞凌交叉参考搜索工具中提供的信息是基于英飞凌收集信息时其他制造商所公布的信息, 在此基础上英飞凌提供的最佳估计值 该信息仅用于参考目的, 并不能保证使用条件或产品特性 如果客户对相关交叉参考感兴趣, 请与英飞凌当地销售代表沟通具体要求 英飞凌不对任何信息的正确性和完整性负责任 输入部分或全部制造商的名称和产品型号 80

81 Gate driver ICs support MyInfineon 分享平台 网站工具 英飞凌门极驱动主页 / 中文版 门极驱动在线查找工具 ( 网页 ) 门极驱动交叉参考工具 ( 网页 ) 仿真工具 ( 网页 ) 评估板 ( 网页 ) 门极驱动简介 ( 视频 ) 1EDN EiceDRIVER 门极驱动芯片 ( 视频 ) 2EDL EiceDRIVER 门极驱动芯片 ( 视频 ) / 产品促销页面 200 V 电平转换门极驱动芯片 V 电平转换门极驱动芯片 1200 V 电平转换门极驱动芯片 SiC MOSFET 门极驱动芯片 / 中文版 1EDI/1EDC EiceDRIVER Compact/ 中文版 EiceDRIVER 1ED-SRC 门极驱动 / 中文版 EiceDRIVER 1EDN 门极驱动芯片主页 EiceDRIVER 2EDN 门极驱动芯片主页 µhvic 产品家族 / / /