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阜安
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1 具有关断功能的 1 ma 微型 CMOS LDO TC117 特性小型引脚 SC-7 和引脚 SOT-23 封装极低工作电流 :3 µa ( 典型值 ), 以利于延长电池寿命压差非常低 1 ma 额定输出电流仅需 1µF 陶瓷输出电容输出电压精度高 :±.% ( 典型值 ) 从 SHDN 的唤醒时间为 1 µs ( 典型值 ) 节能的关断模式 :. µa ( 典型值 ) 过流和过温保护引脚与双极型稳压器兼容的升级产品应用移动 /GSM/PHS 电话电池供电系统便携式电脑医疗仪器电动游戏传呼机概述 TC117 是高精度的 CMOS ( 典型值 :±.%) 低压差稳压器 (LDO), 是双极型 LDO 的升级产品有两种封装形式 SC-7 和 SOT-23 与常见的 SOT-23 封装相比, SC-7 封装减少了 % 的引脚空间, 并有两种引脚布局使得电路板的设计更容易 TC117 是特别为电池供电系统开发的, 它的 CMOS 结构在整个 1 ma 负载范围内, 典型消耗电流为 3 µa 其值可比双极性 LDO 所消耗的静态工作电流小 6 倍采用一个小容量 (1µF) 的陶瓷或钽电容可以使 TC117 在整个输入电压和输出电流范围内均稳定地工作, 并有助于缩小占板空间并节约成本其他集成性能如关断过流和过温保护, 可以进一步减小占板空间并节约整个电压调节应用的成本 TC117 的主要性能参数包括低压差 ( 输出电流为 1 ma 情况下为典型值 28 mv), 关断模式下的低电流 ( 典型值 :. µa), 以及能对输入电压和负载的瞬时变化产生快速稳定的响应封装类型引脚 SC-7 引脚 SOT-23 NC NC TC117 TC117R TC SHDN NC GND GND SHDN GND SHDN 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 1 页

2 1. 电气特性引脚功能表绝对最大额定值输入电压...6.V 功耗... 内部限制 ( 注 7) 任意引脚上的最大电压 V 至 -.3V 注 : 如果器件运行参数超过上述各项最大额定值, 即可能对器件造成永久性损坏上述数值为运行条件最大值, 我们不建议器件在该规范范围外运行如果器件长时间在绝对最大额定条件下工作, 其稳定性会受到影响名称 SHDN NC GND 关断控制输入无连接接地端稳压输出输入电压功能说明电气特性电气规范 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C 粗体数值适用于结温 4 C 至 +12 C 的情况参数符号最小值典型值最大值单位测试条件输入工作电压 V 注 1 最大输出电流 I OUTMAX 1 ma 输出电压 V R 2.% V R ±.% V R + 2.% V 注 2 温度系数 TC 4 ppm/ C 注 3 线性稳定度 ( / ) / V R.4.2 %/V (V R + 1V) < < 6V 负载稳定度 ( 注 4) / V R % I L =.1 ma 至 I OUTMAX 电压差 ( 注 ) mv I L = 1 µa I L = ma I L = 1 ma I L = 1 ma 工作电流 I IN 3 9 µa SHDN = V IH, I L = 关断模式下工作电流 I INSD. 2 µa SHDN = V 电源纹波抑制比 PSRR 8 db f =1 khz, I L = ma ( 从关断模式的 ) 唤醒时间 t WK 1 µs = V, I L = 6 ma, C IN = C OUT =1 µf, f = 1 Hz 注 1: 的最小值必须满足两个条件 : 2.7V 和 (V R + 2.%) + V DROPOUT 2: V R 是设置的稳压器电压例如 :V R = 1.8V, 2.7V, 2.8V, 3.V 3: ( V V ) TCMAX OUTMIN 1 6 OUT = V T OUT 4: 稳定度是在持续结温时, 使用低占空比脉冲测试测量的负载稳定度是在负载范围内.1 ma 至最大指定输出电流的测得的热稳定度规范已考虑输出电压因热效应而发生的变化 : 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% 时的输入 - 输出的电压 6: 热稳定度定义为在发生功耗变化后的一个时间周期内输出电压的变化规范针对电流脉冲在 = 6V 时有 t = 1 ms 为 I LMAX 的情况 7: 最大允许功耗是环境温度最大允许结温和结点到空气的热阻 ( 即 :T A T J 和 θ JA ) 的函数超过最大允许功耗会引起器件触发热关断请参见第.1 节热关断获得详细信息 8: 当由于负载故障或电路短路而低于.V 时, 输出电流限制在 12 ma ( 典型值 ) DS21813D_CN 第 2 页 2 Microchip Technology Inc.

3 电气特性 ( 续 ) 电气规范 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C 粗体数值适用于结温 4 C 至 +12 C 的情况参数符号最小值典型值最大值单位测试条件 ( 从关断模式的 ) 建立时间 t S 32 µs = V,I L = 6 ma, C IN = 1 µf, C OUT = 1 µf, f = 1 Hz 输出短路电流 I OUTSC 12 ma = V, 均值电流 ( 注 8) 热稳定度 /P D.4 V/W 注 6, 7 管芯热关断温度 T SD 16 C 热关断迟滞 T SD 1 C 输出噪声 en 8 nv/ Hz f = 1 khz SHDN 输入高电平阀值 V IH 4 % = 2.7V 至 6.V SHDN 输入低电平阀值 V IL 1 % = 2.7V 至 6.V 注 1: 的最小值必须满足两个条件 : 2.7V 和 (V R + 2.%) + V DROPOUT 2: V R 是设置的稳压器电压例如 :V R = 1.8V, 2.7V, 2.8V, 3.V 3: ( V V ) 1 6 OUTMAX OUTMIN TC = V T OUT 4: 稳定度是在持续结温时, 使用低占空比脉冲测试测量的负载稳定度是在负载范围内.1 ma 至最大指定输出电流的测得的热稳定度规范已考虑输出电压因热效应而发生的变化 : 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% 时的输入 - 输出的电压 6: 热稳定度定义为在发生功耗变化后的一个时间周期内输出电压的变化规范针对电流脉冲在 = 6V 时有 t = 1 ms 为 I LMAX 的情况 7: 最大允许功耗是环境温度最大允许结温和结点到空气的热阻 ( 即 :T A T J 和 θ JA ) 的函数超过最大允许功耗会引起器件触发热关断请参见第.1 节热关断获得详细信息 8: 当由于负载故障或电路短路而低于.V 时, 输出电流限制在 12 ma ( 典型值 ) 温度特性电气规范 : 除另有说明外, V DD = +2.7V 至 +6.V 且 V SS = GND 参数符号最小值典型值最大值单位条件温度范围指定温度范围 T A C 扩展级温度部件工作温度范围 T A C 存储温度范围 T A C 热封装阻抗 3 热阻, 引脚 SOT23 θ JA 2 C/W 热阻, 引脚 SC-7 θ JA 4 C/W 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 3 页

4 2. 典型性能曲线注 : 以下图表来自有限数量样本的统计结果, 仅供参考所列出的性能特性未经测试, 我们不能保证一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 如 : 超出了规定电源电压范围 ), 因此不在担保范围注 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C Dropout Voltage (V).4 = 2.8V.3.3 T A = +12 C.2 TA = +2 C.2 T A = -4 C Load Current (ma) Dropout Voltage (V).4 = 2.8V.3.3 IOUT = 1 ma.2.2 I OUT = 1 ma.1.1 I OUT = ma Temperature ( C) 图 2-1: 压差输出电流曲线图 2-4: 压差温度曲线 Load Regulation (%) = 6.V = 3.8V = 3.3V = 2.8V I OUT = -1 ma Short Circuit Current (ma) 16 = 2.8V Temperature ( C) Input Voltage (V) 图 2-2: 负载稳定度温度曲线图 2-: 短路电流输入电压曲线 Supply Current (µa) = 2.8V TA = +12 C T A = +2 C TA = -4 C Supply Current (µa) = 6.V = 3.8V = 3.3V = 2.8V Input Voltage (V) Temperature ( C) 图 2-3: 电源电流输入电压曲线图 2-6: 电源电流温度曲线 DS21813D_CN 第 4 页 2 Microchip Technology Inc.

5 注 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C Dropout Voltage (V).4.3 = 3.3V.3 T A = +12 C.2 T A = +2 C.2 T A = -4 C Load Current (ma) Dropout Voltage (V).4 VOUT = 3.3V.3.3 IOUT = 1 ma.2.2 I OUT = 1 ma.1.1 I. OUT = ma Temperature ( C) 图 2-7: 压差输出电流曲线图 2-1: 压差温度曲线 Load Regulation (%) -.3 = 3.3V -.3 I OUT = -1 ma -.4 = 6.V = 4.3V -.6 = 4.V Temperature ( C) Supply Current (µa) 6 9 = 3.3V T A = +2 C T A = +12 C 4 3 T A = -4 C Input Voltage (V) 图 2-8: 负载稳定度温度曲线图 2-11: 电源电流输入电压曲线 Supply Current (µa) = 6.V VIN = 4.3V = 4.V = 3.3V Output Voltage (V) = 2.8V TA = -4 C T A = +2 C T A = +12 C Temperature ( C) Input Voltage (V) 图 2-9: 电源电流温度曲线图 2-12: 输出电压电源电压曲线 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第页

6 注 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C Output Voltage (V) = 6.V VIN = 3.8V = 2.8V Output Voltage (V) VIN = 6.V = 3.3V VIN= 3.8V = 2.8V Load Current (ma) Temperature ( C) 图 2-13: 输出电压输出电流曲线图 2-16: 输出电压温度曲线 Shutdown Current (µa) VOUT = 2.8V TA = +12 C T A = +2 C Input Voltage (V) Noise (µv/ Hz) Frequency (Hz) = 3.8V = 2.8V C IN = 1 µf C OUT = 1 µf I OUT = 4 ma 图 2-14: 关断电流输入电压曲线图 2-17: 输出噪声频率曲线 PSRR (db) DC = 3.8V AC = 1 mvp-p DC = 2.8V IOUT = 1 µa C OUT =1 µf X7R Ceramic PSRR (db) DC =3.8V AC =1mVp-p DC =2.8V I OUT =1mA C OUT =1µF X7RCeramic Frequency (KHz) Frequency (KHz) 图 2-1: 电源纹波抑制比频率曲线图 2-18: 电源纹波抑制比频率曲线 DS21813D_CN 第 6 页 2 Microchip Technology Inc.

7 注 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C PSRR (db) DC = 3.8V AC = 1 mvp-p DC =2.8V I OUT =ma C OUT =1µF X7RCeramic = 2.8V I OUT =.1 ma to 12 ma = 3.8V C IN = 1 µf C OUT = 1 µf Ceramic Frequency (KHz) 图 2-19: 电源纹波抑制比频率曲线图 2-22: 负载瞬时响应曲线 = 2.8V = 3.8V C IN = 1 µf C OUT = 4.7 µf Ceramic = 3.8V C IN = 1 µf C OUT = 1 µf Ceramic = 2.8V Shutdow n Input I OUT =.1 ma to 12 ma 图 2-2: 唤醒响应曲线图 2-23: 负载瞬时响应曲线 = 2.8V C IN = µf C OUT = 1. µf Ceramic I LOAD = 12 ma = 3.8V C IN = 1 µf C OUT = 4.7 µf Ceramic = 2.8V = 3.8V to 4.8V Shutdow n Input 图 2-21: 唤醒响应曲线图 2-24: 线性瞬时响应曲线 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 7 页

8 注 : 除另有说明外, = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 1. µf, SHDN > V IH, T A = +2 C C IN = µf C OUT = 4.7 µf Ceramic I LOAD = 12 ma = 4.3V to.3v C IN = µf C OUT = 1 µf Ceramic I LOAD = 1 µa = 2.8V = 3.8V to 4.8V = 3.33V 图 2-2: 线性瞬时响应曲线图 2-27: 线性瞬时响应曲线 = 4.3V to.3v C IN = µf C OUT = 1 µf Ceramic I LOAD = 1 µa = 3.33V 图 2-26: 线性瞬时响应曲线 DS21813D_CN 第 8 页 2 Microchip Technology Inc.

9 3. 引脚描述表 3-1 中列出了器件引脚功能表 3-1: 引脚功能表引脚号引脚 SC-7 引脚号引脚 SOT-23 引脚 SC-7R 符号说明 1 3 SHDN 关断控制输入 2 4 NC 无连接 3 2 GND 接地端 4 稳压输出 1 输入电压 3.1 关断控制输入 (SHDN) 当逻辑高电平加到 SHDN 引脚时, 稳压器被充分使能当逻辑低电平加到 SHDN 引脚时, 稳压器进入关断状态在关断状态下, 输出电压降为, 电源电流也降为. µa ( 典型值 ) 3.2 接地端为获得最佳性能, 建议将接地引脚连到地平面 3.3 稳压输出 ( ) 在稳定电压输出到 GND 之间连一个最小值为 1µF 的旁路电容建议采用陶瓷旁路电容以获得最佳性能 3.4 输入电压 ( ) 的最小值必须满足以下两个条件以保证输出保持稳定 : 2.7V 和 [(V R + 2.%) + V DROPOUT ] 的最大值应小于等于 6V 功耗可能将限制为更低电压值以保持结温低于 12 C 参见第. 节热保护考虑事项, 获取更多关于决定结温的信息建议在和 GND 之间连一个陶瓷旁路电容 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 9 页

10 4. 详细说明 TC117 是精确固定输出的线性稳压器内部线性导通元件是一个 P 沟道 MOSFET 同所有的 P 沟道 CMOS LDO 一样, 它有一个续流保护二极管, 其阴极连到引脚, 阳极连到引脚 ( 参见图 4-1) 如图 4-1 所示, LDO 的输出电压经内部检测及分压以减少外部器件数目内部误差放大器在反相输入端有固定带隙参考电压, 正相输入端有被检测的输出电压误差放大器输出将会拉低门电压值, 直到误差放大器的输入相等, 这样来调节输出电压输出过载保护是通过检测 P 沟道 MOSFET 的电流来实现的在短路或负载故障情况下, 输出电压降至.V 以下, 输出电流限制在典型值 12 ma 限流保护用于防止过大电流对印刷电路板的损坏 (Printed Circuit Board, PCB) 内部热检测器件用于监测 LDO 的结温当检测温度高于设定阀值 16 C ( 典型值 ), P 沟道 MOSFET 截止此时, 器件的内部功耗几乎为器件开始降温直到结温大约为 1 C 并且 P 沟道导通如果内部功耗足够大以致于结温上升至 16 C, P 沟道 MOSFET 截止并会再次降温器件的最大工作结温约为 12 C 持续工作在过温点 16 C 附近可能导致器件永久性的损坏在整个输入工作电压范围 (2.7V 至 6.V) 和整个负载范围 ( ma 至 1 ma) 内, 输出电压能保持稳定输出电压通过一个内部分压电阻进行检测, 并与内部参考电压相比较可通过改变内部分压电阻值来设定几个固定输出电压值图 4-2 是一个典型应用电路任何时候当关断输入引脚电压大于等于 V IH 时, 稳压器便使能任何时候当关断输入引脚电压低于 V IL 时, 稳压器关断在某些不需要 SHDN 功能的应用中, 直接将 SHDN 引脚连到输入电压源在关断状态下, 电源电流降至.6 µa( 典型值 ) 并且 P 沟道 MOSFET 截止如图 4-2 所示, 电池内部有源阻抗使用一个输入电容来减小 LDO 的输入阻抗在某些应用中, 高输入阻抗可能导致 LDO 工作不稳定这种情况可通过加大输入电容的值来补偿 1 SHDN 2 NC 3 GND SHDN 控制电流控制过温 V REF ĒA + 误差放大器 R 1 R 2 反馈电阻保护二极管 4 图 4-1: TC117 框图 ( 引脚 SC-7 引脚图 ) 电池 1 SHDN R SOURCE TC117 C IN 1µF 陶瓷电容 2 NC 3 GND 4 负载 C OUT 1µF 陶瓷电容图 4-2: 典型应用电路图 ( 引脚 SC-7 引脚图 ) DS21813D_CN 第 1 页 2 Microchip Technology Inc.

11 4.1 输入电容为使 LDO 正常工作, 要求低输入源阻抗当使用电池供电, 或输入源与 LDO 之间的走线距离很长 (> 1 英寸 ) 的应用中, 需要有输入电容在大多数应用中推荐使用最小值为.1 µf 的电容, 并且在实际应用中, 输入电容应尽可能靠近 LDO 的输入端较大的输入电容将有助于减小输入阻抗并进一步减小在 LDO 的输入和输出端的高频噪声 4.2 输出电容为使 TC117 工作稳定, 要求最小为 1µF 的输出电容输出电容上的等效串联电阻 (The Equivalent Series Resistance,ESR) 要求在到 2Ω 之间在实际应用中, 输出电容应尽可能靠近 LDO 的输出端陶瓷材料 X7R 和 XR 的温度系数较低, 而且其阻值在可接受的 ESR 要求范围内典型的 1 µf XR 8 电容的 ESR 值为 mω TC117 可使用更大的输出电容来提高动态性能和电源纹波抑制比可使用陶瓷电容铝电解电容或钽电容作为输出电容由于许多铝电解电容的电解液在大约 3 C 时凝结, 所以在工作温度低于 2 C 的应用中推荐使用陶瓷电容或钽电容当不使用电池作为电压源时, 通过提高输入和输出电容值并使用无源滤波技术可以改善电源纹波抑制比和瞬时响应 4.3 导通响应导通响应定义为两个独立的响应类型 : 唤醒时间 (t WK ) 和建立时间 (t S ) TC117 可以从关断状态快速唤醒, 唤醒时间为 1 µs ( 典型值 ) 参见图 4-3, 唤醒时间标注为 t WK 唤醒时间定义为从退出关断状态到输出电压上升至的 2% 所需的时间总的导通响应定义为建立时间 (t S )( 见图 4-3) 建立时间 ( 包含 t WK ) 定义为从退出关断状态到输出电压为 98% 充分使能值所需时间 ( 典型值为 32 µs) 输出电压的建立时间由上的负载条件和输出电容 (RC 响应 ) 决定下表显示了对于不同的输入电压上电频率, 典型的导通响应时间 : = 2.8V, =.V,I OUT = 6 ma, C OUT = 1 µf 频率典型值 (t WK ) 典型值 (t S ) 1 Hz.3 µsec 14 µsec Hz.9 µsec 16 µsec 1 Hz 9.8 µsec 32 µsec Hz 14. µsec 2 µsec 1 Hz 17.2 µsec 77 µsec V IH SHDN V IL t S 98% 2% t WK 图 4-3: 从关断状态唤醒的时序图 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 11 页

12 . 热保护考虑事项.1 热关断当晶片温度大约超过 16 C 时, 内部集成的热保护电路关闭稳压器稳压器保持关闭状态直到结温降至约 1 C.2 功耗 :SC-7 TC117 有 SC-7 封装形式当 PCB 设计上使用的铜面积与 JEDEC J1-7 高热导率标准或 semi-g42-88 标准相似时, SC-7 封装的热阻大约为 4 C/W 如果应用中铜的面积很大或很厚, 热阻可能较小参见 AN792, A Method to Determine How Much Power a SOT-23 Can Dissipate in an Application (DS792) 作为一种在特殊应用中确定热阻的方法 TC117 功耗由以下几个变量决定 : 输入电压输出电压负载电流环境温度和最大结温绝对最大稳态结温值设定在 +12 C 器件的功耗等于: 公式 -1: 与 ( )x I LOAD 值相比, x I GND 值通常是很小的, 因此 LDO 内的功耗可简化为 : 公式 -2: 使用下面公式计算最大功耗 : 公式 -3: P D = ( ) I LOAD + I GND P D = ( ) I LOAD ( T P J_MAX T A_MAX ) DMAX = Rθ JA 其中 : T J_MAX = 最大允许结温 T A_MAX = 最大环境温度 Rθ JA = 从结点到空气的热阻已知以下条件 : 计算可得 : 1. 内部功耗 : = 3.V 至 4.1V = 2.8V ±2.% I LOAD = 12 ma ( 输出电流 ) T A = C ( 期望的最大环境温度 ) P DMAX = ( _MAX _MIN ) I LOAD = ( 4.1V 2.8 (.97) ) 12mA = 18.mW 2. 最大允许环境温度 : T A_MAX = T J_MAX P Rθ DMAX JA = ( 12 C 18.mW 4 C/W) = ( 12 C 71 C) = 4 C 3. 在期望的环境温度下, 最大允许功耗 : T P J_MAX T A D = Rθ JA = C C 4 C/W = 1mW 在此例中, TC117 功耗大约为 18. mw, 结温比环境温度高 71 C 当给定最大环境温度为 C 时, 绝对最大功耗为 1 mw 通过在计算功耗的公式中代入给定值可确定输入电压输出电压或负载电流限制值图 -1 和图 -2 分别描述了典型最大功耗与环境温度的关系曲线以及当输入与输出电压相差 1V 时典型最大电流与环境温度的关系曲线 Power Dissipation (mw) Ambient Temperature ( C) 图 -1: 7 封装 ) 功耗环境温度曲线 (SC- DS21813D_CN 第 12 页 2 Microchip Technology Inc.

13 Maximum Current (ma) 图 -2: (SC-7 封装 ).3 功耗 :SOT-23 最大电流环境温度曲线 TC117 还有 SOT-23 封装形式, 用以提高热性能当 PCB 设计上使用的铜面积与 JEDEC J1-7 低热导率标准或 semi-g42-88 标准相似时,SOT-23 封装的热阻约为 2 C/W 如果应用中铜的面积很大或很厚, 热阻可能较小参见 AN792, A Method to Determine How Much Power a SOT-23 Can Dissipate in an Application (DS792) 作为一种在特殊应用中确定热阻的方法 TC117 功耗由以下几个变量决定 : 输入电压输出电压负载电流环境温度和最大结温绝对最大稳态结温值设定在 +12 C 器件的功耗等于: 公式 -4: 与 ( )x I LOAD 值相比, x I GND 值通常是很小的, 因此 LDO 内的功耗可简化为 : 公式 -: Ambient Temperature ( C) 使用下面公式计算功耗 : - = 1V P D = ( ) I LOAD + I GND P D = ( ) I LOAD 公式 -6: 已知以下条件 : 计算可得 : 1. 内部功耗 : ( T P J_MAX T A_MAX ) DMAX = = 3.V 至 4.1V = 2.8V ±2.% I LOAD = 12 ma ( 输出电流 ) T A = +8 C ( 期望的最大环境温度 ) 2. 最大允许环境温度 : Rθ JA 其中 : T J_MAX = 最大允许结温 T A_MAX = 最大环境温度 Rθ JA = 从结点到空气的热阻 P DMAX = ( _MAX _MIN ) I LOAD = ( 4.1V 2.8 (.97) ) 12mA = 18.mW T A_MAX = T J_MAX P DMAX Rθ JA = ( 12 C 18.mW 2 C/W) = ( 12 C 4. C) = 84. C 3. 在期望的环境温度下, 最大允许功耗 : T P J_MAX T A D = Rθ JA = C 8 C 2 C/W = 17mW 在此例中, TC117 功耗大约为 18. mw, 结温比环境温度高 4. C 当给定最大环境温度为 +8 C 时, 绝对最大功耗为 17 mw 通过在计算功耗的公式中代入给定值可确定输入电压输出电压或负载电流限制图 -3 和图 -4 分别描述了典型最大功耗与环境温度的关系曲线以及当输入与输出电压相差 1V 时典型最大电流与环境温度的关系曲线 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 13 页

14 Power Dissipation (mw) Ambient Temperature ( C) 图 -3: 功耗环境温度曲线 (SOT- 23 封装 ) Maximum Current (ma) = 1V 设计考虑事项 SC-7/SOT-23 封装热传导的主要途径是通过封装各引脚在器件的焊盘上使用厚且宽的走线将有助于封装内部的散热, 从而降低热阻 Rθ JA 通过降低热阻, 提高封装的最大内部功耗图 -: SHDN U1 C 1 C 2 GND SC-7 封装推荐设计 Ambient Temperature ( C) 图 -4: (SOT-23 封装 ) 最大电流环境温度曲线 DS21813D_CN 第 14 页 2 Microchip Technology Inc.

15 6. 封装信息 6.1 封装标识信息引脚 SC-7/SC-7R X X N Y W W 正面反面或引脚 SC-7/SC-7R X X N N 部件号 TC117 引脚编号 TC117R 引脚编号 TC VLT CE CU TC VLT CQ DF TC VLT CB TC117 2.VLT CR CV TC VLT CF CW TC VLT CG CX TC VLT CH CY TC VLT CJ CZ TC VLT CK DA TC117 3.VLT CL DB TC VLT CC DC TC VLT CM DD TC117 4.VLT CP DE 图示 : XX...X 用户指定信息 * Y 年份代码 ( 日历年的最后一位数字 ) YY 年份代码 ( 日历年的最后两位数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码是 1 ) NNN e3 以字母排序的追踪代码雾锡 (Sn) 的 JEDEC 无铅标志 * 本封装是无铅的 JEDEC 无铅标志 ( e3 ) 标示于此种封装的外包装上注 : Microchip 元器件编号如果无法在同一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制客户指定信息的字符数 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 1 页

16 6.1 封装标识信息 ( 续 ) 引脚 SOT-23 部件号编号示例 : XXNN TC VCT TC VCT TC VCT TC VCT TC VCT TC VCT TC VCT TC117 3.VCT TC VCT TC117 4.VCT DA DK DB DC DD DE DF DG DH DJ DANN DS21813D_CN 第 16 页 2 Microchip Technology Inc.

17 引脚小型塑料晶体管封装 (LT)(SC-7) E E1 D p B n 1 Q1 c A2 A A1 L n p.26 (BSC).6 (BSC) A A A E E D L Q c B Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 17 页

18 引脚小型塑料晶体管封装 (OT)(SOT-23) E E1 p B p1 D n 1 α c A A2 β L φ A1 引脚数引脚间距外侧引脚间距 ( 基本 ) 总高度塑模封装厚度悬空间隙总宽度塑模封装宽度总长度底脚长度底脚倾斜角引脚厚度引脚宽度塑模顶部锥度塑模底部锥度 * 控制参数重要特性单位尺寸范围 n p p1 A A2 A1 E E1 D L φ c B α β 最小英寸 * 正常最大最小注 : 尺寸 D 和 E1 不包括塑模毛边或突起, 塑模每侧的毛边或突起不得超过.1 英寸 (.24mm) 同等 JEDEC 号 : MO-178 图号 C4-91 毫米正常最大 DS21813D_CN 第 18 页 2 Microchip Technology Inc.

19 产品标识体系欲订货, 或获取价格交货等信息, 请与我公司生产厂或各销售办事处联系 PART NO. X.XX X 器件器件 : 电压选择温度范围 TC117: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO TC117R: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO ( 仅 SC-7 封装 ) 标准电压选择 :* 1.8V 1.8V 2.V 仅 SC-7 封装 2.6V 2.7V 2.8V 2.8V 2.9V 3.V 3.2V 仅 SC-7 封装 3.3V 4.V * 根据要求可以定制输出电压请联系当地的 Microchip 销售办事处, 了解更多信息温度范围 : V = -4 C 至 +12 C XXXX 封装封装 : LTTR = 引脚 SC-7 ( 卷带式 ) CTTR = 引脚 SOT-23 ( 卷带式 ) 示例 : a) TC VLTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7 封装 b) TC117R-1.8VLTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7R 封装 c) TC VCTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 d) TC VLTTR:1 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7 封装 e) TC VCTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 f) TC VLTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7 封装 g) TC VCTTR:1 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 h) TC117-3.VLTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7R 封装 i) TC VCTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 j) TC117-4.VLTTR: 具有关断功能的 1 ma 小型 CMOS LDO, SC-7 封装销售与技术支持数据手册初始数据手册中所述的产品可能会有一份勘误表, 描述了实际运行与数据手册中记载内容之间存在的细微差异以及建议的变通方法欲了解某一器件是否存在勘误表, 请通过以下方式之一查询 : 1. Microchip 网站 2. 当地 Microchip 销售办事处 ( 见最后一页 ) 在联络销售办事处时, 请说明您所使用的器件型号硅片版本和数据手册版本 ( 包括文献编号 ) 客户通知系统欲及时获知 Microchip 产品的最新信息, 请到我公司网站上注册 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 19 页

20 注 : DS21813D_CN 第 2 页 2 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip

21 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性代码保护并不意味着我们保证产品是牢不可破的代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为提供本文档的中文版本仅为了便于理解 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示书面或口头法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况质量性能适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任未经 Microchip 书面批准, 不得将 Microchip 的产品用作生命维持系统中的关键组件在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB PICMASTER SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor MPASM MPLIB MPLINK MPSIM PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance 和 WiperLock 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部设计中心和晶圆生产厂均于 23 年 1 月通过了 ISO/TS-16949:22 质量体系认证公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件串行 EEPROM 单片机外设非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-16949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 91:2 认证 2 Microchip Technology Inc. DS21813D_CN 第 21 页

22 全球销售及服务网点美洲亚太地区亚太地区欧洲公司总部 Corporate Office 23 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 福州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 顺德 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Weis Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: /1/ DS21813D_CN 第 22 页 2 Microchip Technology Inc.

00872a.book

00872a.book 从 MCP2510 升级至 MCP2515 作者 : 介绍 Pat Richards Microchip Technology Inc. 开发 MCP2510 独立 CAN 控制器的初衷是赋予 CAN 系统和模块设计人员更多的灵活性, 允许他们为自己的应用选择最好的处理器使用 MCP2510 不会使设