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破酆
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1 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO TC1016 特性节省空间的 5 引脚 SC-70 和 SOT-23 封装极低的工作电流, 利于延长电池寿命 : 典型值 53 µa 很低的电压差 (Dropout Voltage) 额定输出电流 :80 ma 仅需一个 1µF 的陶瓷输出电容高输出电压精度 : 典型值 ±0.5% 从 SHDN 状态唤醒的时间 : 典型值 10 µs 节能的关断模式 : 典型值 0.05 µa 过流和过温保护引脚与双极型稳压器兼容的升级产品应用领域蜂窝式 /GSM/PHS 电话电池供电系统便携式计算机医疗仪器电子游戏机寻呼机概述 TC1016 是高精度 ( 典型值为 ±0.5%) 的 CMOS 低压差稳压器, 是双极型稳压器 (LDO) 的升级产品器件采用 SC-70 和 SOT-23 封装形式与常见的 SOT-23 封装相比, SC-70 封装减少了 50% 的引脚空间该器件是专为电池供电系统设计的, 其 CMOS 结构在整个 80 ma 工作负载范围内仅消耗 53 µa ( 典型值 ) 的电流该值仅为双极型 LDO 静态工作电流的 1/60 采用小容量 (1µF) 的陶瓷电容和低等效串联电阻 (Equivalent Series Resistance, ESR) 的输出电容, 可使 TC1016 在整个输入电压和输出电流范围内均稳定工作, 从而满足小占板空间要求并降低成本其他集成的特性 ( 如关断以及过流和过温保护 ) 可以进一步减小整个稳压应用的占板空间并降低成本 TC1016 的主要性能是低压差 ( 输出电流为 80 ma 时典型值为 150 mv), 关断模式下电流低 ( 典型值为 0.05 µa) 以及能对输入电压和负载的突变作出快速稳定的响应引脚配置 SC-70 V IN V OUT V OUT SOT-23 NC TC1016 TC SHDN NC GND V IN GND SHDN 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 1 页

05 µa 过流和过温保护引脚与双极型稳压器兼容的升级产品应用领域蜂窝式 /GSM/PHS 电话电池供电系统便携式计算机医疗仪器电子游戏机寻呼机概述 TC1016 是高精度 ( 典型值为 ±0.

2 1.0 电气特性绝对最大值 * 输入电压...6.5V 功耗... 内部限制 ( 注 7) 工作温度 C < T J < 125 C 储存温度 C 至 +150 C 任一引脚的最大输入电压... V IN + 0.3V 到 -0.3V * 注意 : 这是静电敏感器件未用器件必须保存在导电材料内使器件远离静电菏和静电场如果器件工作条件超过上述绝对最大值, 可能会对器件造成永久性损坏上述值仅为运行条件极大值, 我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行器件长时间工作在最大值条件下, 其稳定性会受到影响电气特性除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 100 µa, C L = 1.0µF, SHDN > V IH 且 T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -40 C 到 +125 C 的情况参数符号最小值典型值最大值单位测试条件输入工作电压 V IN V 注 1 最大输出电流 I OUTMAX ma 输出电压 V OUT V R 2.5% V R ± 0.5% V R + 2.5% V 注 2 V OUT 温度系数 TCV OUT ppm/ C 注 3 线性稳定度 ( V OUT / V IN )/V R %/V (V R + 1V) < V IN < 6V 负载稳定度 ( 注 4) V OUT /V R % I L = 0.1 ma 到 I OUTMAX 电压差 ( 注 5) V IN V OUT mv I L = 100 µa I L = 50 ma I L = 80 ma 供电电流 I IN µa SHDN = V IH 和 I L = 0 关断电流 I INSD µa SHDN = 0V 电源抑制比 PSRR db f =1 khz 和 I L = 50 ma 唤醒时间 ( 从关断模式 ) 稳定时间 ( 从关断模式 ) t WK µs V IN = 5V I L = 60 ma C IN = 1 µf C OUT = 1 µf 和 f = 100 Hz t S µs V IN = 5V I L = 60 ma C IN = 1 µf C OUT = 1 µf 和 f = 100 Hz 输出短路电流 I OUTSC ma V OUT = 0V 温度稳定度 V OUT /P D V/W 注 6 和注 7 管芯热关断温度 T SD C 热关断迟滞 T SD C 输出噪声 en nv/ Hz f = 10 khz SHDN 输入高电压门限值 V IH %V IN V IN = 2.7V 到 6.0V SHDN 输入低电压门限值 V IL %V IN V IN = 2.7V 到 6.0V 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN (V R + 2.5%) +V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值例如 :V R = 1.8V 2.7V 2.8V 或 3.0V 3: ( V OUTMAX V OUTMIN ) 10 6 TCV = OUT V OUT T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的负载稳定度是在 0.1 ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义输出电压比标称值低 2% ( 压差为 1V) 时输入输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 10 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做更多详细信息请参见第 5.0 节散热考虑 DS21666B_CN 第 2 页 2006 Microchip Technology Inc.

外运行器件长时间工作在最大值条件下, 其稳定性会受到影响电气特性除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 100 µa, C L = 1.

3 2.0 典型性能曲线注 : 以下图表来自有限数量样本的统计结果, 仅供参考所列出的性能特性未经测试, 不做任何保证一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 例如, 超出了规定的电源电压范围 ), 因此不在担保范围内 V OUT = 2.7V V OUT = 2.7V Dropout Voltage (V) C +25 C +125 C Dropout Voltage (V) I LOAD = 80 ma I LOAD = 50mA Load Current (ma) Temperature( C) 图 2-1: 压差输出电流图 2-4: 压差温度 Load Regulation (%) V OUT = 2.7V Full Load = 0-80 ma V IN = 3.3V V IN = 3.7V V IN = 6.0V Short Circuit Current (A) V OUT = 2.7V Temperature ( C) Input Voltage 图 2-2: 负载稳定度温度图 2-5: 短路电流输入电压 Supply Current (µa) 57.0 V OUT = 2.7V C C C Input Voltage (V) Supply Current (µa) V IN = 6V V OUT = 2.7V V IN = 3.3V Temperature( C) 图 2-3: 供电电流输入电压图 2-6: 供电电流温度 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 3 页

05-45 -20 5 30 55 80 105 130 Temperature( C) 图 2-1: 压差输出电流图 2-4: 压差温度 Load Regulation (%) 0.35 0.30 0.25 0.20 0.15 0.10 V OUT = 2.7V Full Load = 0-80 ma V IN = 3.3V V IN = 3.7V V IN = 6.

4 V OUT = 3.0V V OUT = 3.0V I LOAD = 80 ma Dropout Voltage (V) C +25 C -40 C Dropout Voltage (V) I LOAD = 50 ma Load Current (ma) Temperature ( C) 图 2-7: 压差输出电流图 2-10: 压差温度 Load Regulation (%) V OUT = 3.0V Full Load = 0 80 ma V IN = 3.3V V IN = 4.0V V IN = 6.0V Supply Current (µa) V OUT = 3.0V +125 C +25 C -40 C Temperature ( C) Input Voltage (V) 图 2-8: 负载稳定度温度图 2-11: 供电电流输入电压 Supply Current (µa) V OUT = 3.0V V IN = 6.0V V IN = 3.3V Output Voltage (V) C +125 C -40 C V OUT = 2.8V Temperature ( C) Input Voltage (V) 图 2-9: 供电电流温度图 2-12: 输出电压供电电压 DS21666B_CN 第 4 页 2006 Microchip Technology Inc.

05 V OUT = 3.0V Full Load = 0 80 ma V IN = 3.3V V IN = 4.0V V IN = 6.0V Supply Current (µa) 54.0 53.0 52.0 51.0 50.0 49.0 48.0 V OUT = 3.0V +125 C +25 C -40 C 0.

5 1.E+03 1.E TC1016 Output Voltage (V) V IN = 3.3V V OUT = 2.8V V IN = 6.0V Output Current (ma) Output Voltage (V) V OUT = 2.8V V IN = 3.3V V IN = 6.0V V IN = 4.0V Temperature ( C) 图 2-13: 输出电压输出电流图 2-16: 输出电压温度 Shutdown Current (µa) C C Input Voltage (V) Noise (µv/ Hz) 100 VIN = 4.0V VOUT = 3.0V CIN = 1 µf 10 COUT = 1 µf Frequency (Hz) 图 2-14: 关断电流输入电压图 2-17: 输出噪声频率 0 1.E V INDC = 2.8V V INAC = 100 mvp-p V OUTDC = 1.8V I OUT = 100 µa C OUT = 1 µf X7R Ceramic V INDC = 2.8V V INAC = 100 mvp-p V OUTDC = 1.8V I OUT = 1 ma C OUT = 1 µf X7R Ceramic PSRR(dB) PSRR(dB) K 10K 100K 1M K 10K 100K 1M Frequency (Hz) Frequency (Hz) 图 2-15: 电源抑制比频率图 2-18: 电源抑制比频率 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 5 页

789-45 -20 5 30 55 80 105 130 Temperature ( C) 图 2-13: 输出电压输出电流图 2-16: 输出电压温度 Shutdown Current (µa) 0.250 0.200 +125 C 0.150 0.100 0.050 +25 C 0.000 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.2 4.5 4.8 5.1 5.

6 TC V INDC = 2.8V V INAC = 100 mvp-p V OUTDC = 1.8V I OUT = 50 ma C OUT = 1 µf X7R Ceramic V IN = 2.8V C IN = 10 µf C OUT = 1 µf Ceramic PSRR(dB) V OUT = 1.8V I OUT = 0.1 ma to 60 ma K 10K 100K 1M Frequency (Hz) 图 2-19: 电源抑制比频率图 2-22: 负载瞬态响应 V IN = 2.8V C IN = 10 µf C OUT = 1 µf Ceramic V OUT = 1.8V V IN = 2.8V C IN = 10 µf C OUT = 1 µf Ceramic V OUT = 1.8V I OUT = 0.1 ma to 60 ma Shutdown Input 图 2-20: 唤醒响应图 2-23: 负载瞬态响应 V IN = 2.8V C IN = 10 µf C OUT = 4.7 µf Ceramic V OUT = 1.8V I LOAD = 60 ma C IN = 0 µf C OUT = 1 µf Ceramic V OUT = 1.8V I OUT = 2.8V to 3.8V Shutdown Input 图 2-21: 唤醒响应图 2-24: 线性瞬态响应 DS21666B_CN 第 6 页 2006 Microchip Technology Inc.

1 ma to 60 ma -60-70 -80 10 100 1K 10K 100K 1M Frequency (Hz) 图 2-19: 电源抑制比频率图 2-22: 负载瞬态响应 V IN = 2.8V C IN = 10 µf C OUT = 1 µf Ceramic V OUT = 1.8V V IN = 2.

7 I LOAD = 60 ma C IN = 0 µf C OUT = 4.7 µf Ceramic V OUT = 1.8V V OUT = 2.8V to 3.8V 图 2-25: 线性瞬态响应 I LOAD = 100 µa C IN = 0 µf C OUT = 1 µf Ceramic V IN = 4V to 5V V OUT = 2.8V 图 2-26: 线性瞬态响应 I LOAD = 100 µa C IN = 0 µf C OUT = 10 µf Ceramic V IN = 4V to 5V V OUT = 2.8V 图 2-27: 线性瞬态响应 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 7 页

8 3.0 引脚说明表 3-1 列出了引脚说明表 3-1: 引脚功能表 5 引脚 SC-70 引脚号 5 引脚 SOT-23 引脚号名称功能 1 3 SHDN 关断控制输入 2 4 NC 无连接 3 2 GND 接地端 4 5 V OUT 稳压输出 5 1 V IN 稳压前的电源输入 3.1 关断控制输入 (SHDN) 向 SHDN 引脚施加逻辑高电平可充分使能稳压器向该输入引脚施加逻辑低电平则关断稳压器在关断期间, 输出电压跌落到零, 供电电流也降为 0.05 µa ( 典型值 ) 3.2 接地端 (GND) 3.4 稳压前的电源输入 (V IN ) V IN 的最小值必须满足以下两个条件以保证输出稳定 : V IN 2.7V 和 V IN [(V R + 2.5%) + V DROPOUT ] V IN 的最大值应小于或等于 6V 功耗可能将 V IN 限制为更低的电压值, 以保持结温低于 125 C 有关如何确定结温的信息, 请参见第 5.0 节散热考虑建议在 V IN 和 GND 引脚间连接一个陶瓷旁路电容为获得最佳性能, 建议将接地引脚连到接地层 3.3 稳压输出 (V OUT ) 在稳电输出端与 GND 之间连一个最小值为 1µF 的旁路电容为了达到最佳性能, 建议采用陶瓷旁路电容 DS21666B_CN 第 8 页 2006 Microchip Technology Inc.

4 稳压前的电源输入 (V IN ) V IN 的最小值必须满足以下两个条件以保证输出稳定 : V IN 2.7V 和 V IN [(V R + 2.

9 4.0 详细说明 TC1016 是高精度固定输出的线性稳压器内部线性导通元件是一个 P 沟道 MOSFET 与所有 P 沟道 CMOS LDO 一样, 它也有一个续流保护二极管, 阴极连接 V IN 引脚, 阳极连接 V OUT 引脚 ( 见图 4-1) 如图 4-1 所示,LDO 的输出电压在内部检测和分压, 从而减少了外部元件的数目内部误差放大器在反相输入端有固定的带隙参考电压, 同相输入端为被检测的输出电压误差放大器输出将拉低门电压值, 直到误差放大器两个输入相等, 完成输出电压调节通过检测 P 沟道 MOSFET 的电流, 使输送到负载的最大电流被限制在典型值 120 ma 内, 从而防止在短路或负载故障条件下, 过电流损坏印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 使用一个内部热检测器件来监视 LDO 的结温当检测到的温度超过设定阈值 160 C ( 典型值 ) 时, P 沟道 MOSFET 截止此时, 器件内部功耗几乎为零器件开始降温直到结温大约为 150 C, 然后导通 P 沟道如果内部功耗还是很大, 结温继续上升至 160 C,MOSFET 就会再次截止并开始降温器件的最大工作结温约为 125 C 持续工作在过温点 160 C 附近可能导致器件永久损坏在整个输入工作电压范围 (2.7V 至 6.0V) 和整个负载范围 (0 ma 至 150 ma) 内, 输出电压 (V OUT ) 保持稳定输出电压通过一个内部分压电阻进行检测, 结果与精确的内部参考电压比较可通过改变内部分压电阻值来设定多个固定的输出电压值图 4-2 给出了一个典型的应用电路任何时候当关断输入引脚 (SHDN) 电压大于等于 V IH 时, 稳压器就被使能任何时候当关断输入引脚电压低于 V IL 时, 稳压器就关断对于不需要 SHDN 功能的应用, 可将 SHDN 引脚直接连接到输入电压源在关断状态下, 供电电流降至 0.05 µa ( 典型值 ), P 沟道 MOSFET 截止如图 4-2 所示, 电池有内部源阻抗使用一个输入电容来减小 LDO 的输入阻抗在某些应用中, 高输入阻抗可能导致 LDO 工作不稳定这种情况可通过增大输入电容来补偿 1 SHDN 电流限制 V IN 5 2 NC V IN SHDN 控制 V REF ĒA + 续流保护二极管 3 GND 过温 R 1 R 2 反馈电阻误差放大器 V OUT 4 图 4-1: TC1016 框图 1 SHDN V IN 5 R SOURCE TC1016 C IN 1µF 陶瓷电容 2 NC 3 GND 4 负载电池 V OUT C OUT 1µF 陶瓷电容图 4-2: 典型应用电路 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 9 页

测 P 沟道 MOSFET 的电流, 使输送到负载的最大电流被限制在典型值 120 ma 内, 从而防止在短路或负载故障条件下, 过电流损坏印刷电路板 (Printed Circuit Board, PCB) 使用一个内部热检测器件来监视 LDO 的结温当检测到的温度

10 4.1 输入电容 LDO 要正常工作, 源阻抗就必须小当使用电池供电, 或在输入源与 LDO 之间的走线距离很长 (> 10 英寸 ) 的应用中, 需要有输入电容在大多数应用中建议使用最小值为 0.1 µf 的电容, 并且输入电容应尽可能靠近 LDO 的输入端较大的输入电容能减小输入阻抗, 并进一步降低 LDO 输入和输出引脚上的高频噪声 4.2 输出电容为使 TC1016 工作稳定, 需要使用最小为 1µF 的输出电容输出电容 ESR 要求在 0 到 2Ω 之间输出电容应尽可能靠近 LDO 的输出端陶瓷材料 X7R 和 X5R 的温度系数较低, 而且其阻值在可接受的 ESR 要求范围内典型的 1 µf X5R 0805 电容的 ESR 值为 50 mω TC1016 可使用更大的输出电容来提高动态性能和电源纹波抑制性能可使用陶瓷电容铝电解电容或钽电容作为输出电容由于许多铝电解电容的电解液在大约 30 C 时冻结, 所以在工作温度低于 25 C 的应用中建议使用陶瓷电容或钽电容当不使用电池作为电源时, 提高输入和输出电容值以及使用无源滤波技术可以改善电源噪声抑制比和瞬态响应 4.3 导通响应导通响应定义为两种独立的响应类型 : 唤醒时间 (t WK ) 和稳定时间 (t S ) TC1016 从关断状态唤醒时其 t WK 很短 ( 典型值为 10 µs) 请参见图 4-3 t WK 定义为退出关断状态到输出电压上升至 V OUT 的 2% 所需的时间总导通响应定义为 t S ( 见图 4-3) t S ( 包括 t WK ) 定义为退出关断状态到输出电压达到满幅值的 98% 时 ( 典型值为 42 µs) 所需的时间输出电压的稳定时间由 V OUT 上的负载条件和输出电容 (RC 响应 ) 决定表 4-1 说明了不同输入电压上电频率的情况下的典型导通响应时间 :V OUT = 2.8V V IN = 5.0V I OUT = 60 ma 和 C OUT = 1 µf 表 4-1: 典型导通响应时间频率典型值 (t WK ) 典型值 (t S ) 1000 Hz 5.3 µs 14 µs 500 Hz 5.9 µs 16 µs 100 Hz 9.8 µs 32 µs 50 Hz 14.5 µs 52 µs 10 Hz 17.2 µs 77 µs V IH SHDN V IL t S 98% V OUT 2% t WK 图 4-3: 从关断模式唤醒 DS21666B_CN 第 10 页 2006 Microchip Technology Inc.

2 输出电容为使 TC1016 工作稳定, 需要使用最小为 1µF 的输出电容输出电容 ESR 要求在 0 到 2Ω 之间输出电容应尽可能靠近 LDO 的输出端陶瓷材料 X7R 和 X5R 的温度系数较低, 而且其阻值在可接受的 ESR 要求范围内典型的 1 µf

11 5.0 散热考虑 5.1 热关断当管芯温度超过约 160 C 时, 内部集成的热保护电路就会关断稳压器稳压器保持关断状态直到结温降至约 150 C 5.2 功耗 TC1016 有 SC-70 封装形式当 PCB 布局中使用的铜面积与 JEDEC J51-7 高热导率标准或 Semi G42-88 标准相似时,SC-70 封装的热阻约为 450 C/W 如果应用中铜的面积较大或较厚, 热阻就可能降低关于在特定应用中确定热阻的方法, 请参见 AN792 A Method to Determine How Much Power a SOT-23 Can Dissipate in an Application (DS00792) TC1016 功耗由以下几个变量决定 : 输入电压输出电压负载电流环境温度和最大结温绝对最大稳态结温的额定值为 125 C 器件的功耗等于 : 公式 5-1: 与 (V IN -V OUT ) x I LOAD 值相比, V IN x I GND 值通常较小, LDO 内的功耗可以简化为 : 公式 5-2: 使用下面的公式计算最大允许功耗 : 公式 5-3: P D = ( V IN V OUT ) I LOAD + V IN I GND P D = ( V IN V OUT ) I LOAD ( T J_MAX T A_MAX ) P DMAX = Rθ JA 其中 : T J_MAX = 最大允许结温 T A_MAX = 最大允许环境温度 Rθ JA = 结点与空气间的热阻给定以下条件 : V IN = 3.0V 至 4.1V V OUT = 2.8V ±2.5% I LOAD = 60 ma ( 输出电流 ) T AMAX = 55 C ( 最大环境温度 ) 可求得 : 1. 内部功耗 : P DMAX = ( V IN_MAX V OUT_MIN ) I LOAD = ( 4.1V 2.8 ( 0.975) ) 60mA = 82.2mW 2. 结温 : T J_MAX = P DMAX Rθ JA = 82.2mWatts 450 C/W + T AMAX = 37 C + 55 C = 92 C 3. 最大允许功耗 : 在此例中,TC1016 功耗约为 82.2 mw, 结温从环境温度 (55 C) 升高 37 C, 达到 92 C 当给定最大环境温度为 55 C 时, 绝对最大功耗为 155 mw 通过在公式 5-2 和公式 5-3 中代入给定值, 同样可以确定输入电压输出电压或负载电流限制值 5.3 布局注意事项 T J_MAX T A_MAX P D = = 155mW Rθ JA SC-70 封装热传导的主要途径是通过封装各引脚在器件的焊盘上使用厚且宽的走线将有助于封装内部的散热, 从而降低热阻 Rθ JA 通过降低热阻, 可提高封装的内部最大允许功耗 V IN 125 C 55 C = C/W SHDN U1 V OUT C 1 C 2 GND 图 5-1: 建议的布局 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 11 页

方法, 请参见 AN792 A Method to Determine How Much Power a SOT-23 Can Dissipate in an Application (DS00792) TC1016 功耗由以下几个变量决定 : 输入电压输出电压负载电流环境温度和最大结温绝对最大稳态结温的额定

12 6.0 封装信息 6.1 封装标识信息 5 引脚 SC-70 示例 : XXN( 正面 ) YWW( 反面 ) 器件编号 TC VLT TC VLT TC VLT TC VLT TC VLT 编号 AE7( 正面 ) 432( 反面 ) 5 引脚 SC-70 TC VLT AJ 示例 : TC VLT AK TC VLT AL XXNN TC VLT AM AE74 TC VLT AP AE AW AF AG AH 图注 : XX...X 客户信息 Y 年份代码 ( 日历年的最后一位数字 ) YY 年份代码 ( 日历年的最后两位数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码为 01 ) NNN e3 以字母数字排序的追踪代码雾锡 (Matte Tin, Sn) 的 JEDEC 无铅标志 * 表示无铅封装 JEDEC 无铅标志 ( e3 ) 标示于此种封装的外包装上注 : Microchip 元器件编号如果无法在同一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制表示客户信息的字符数 DS21666B_CN 第 12 页 2006 Microchip Technology Inc.

..X 客户信息 Y 年份代码 ( 日历年的最后一位数字 ) YY 年份代码 ( 日历年的最后两位数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码为 01 ) NNN e3 以字母数字排序的追踪代码雾锡 (Matte Tin, Sn) 的

13 6.1 封装标识信息 ( 续 ) 器件编号编号 TC VCT HK 5 引脚 SOT-23 TC VCT TC VCT HW HL 示例 : TC VCT HM XXNN TC VCT TC VCT HP HQ HK73 TC VCT HR TC VCT HS TC VCT HT TC VCT HU 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 13 页

7VCT HM XXNN TC1016 2.8VCT TC1016 2.85VCT HP HQ HK73 TC1016 2.

14 5 引脚小型塑封晶体管封装 (LT)(SC-70) DS21666B_CN 第 14 页 2006 Microchip Technology Inc.

15 5 引脚小型塑封晶体管封装 (OT)(SOT-23) 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 15 页

16 注 : DS21666B_CN 第 16 页 2006 Microchip Technology Inc.

17 附录 A: 版本历史版本 B (2005 年 3 月 ) 更新了第 6.0 节封装信息, 在原有封装示例基础上增加了新的封装示例, 并用最新版本替换了 SC-70 封装图增加了其他电压选择增加了 SOT-23 封装和电压选择应用了新的模板, 并重新排列了章节使之与新文档保持一致. 版本 A (2001 年 10 月 ) 本文档的最初版本 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 17 页

18 注 : DS21666B_CN 第 18 页 2006 Microchip Technology Inc.

19 产品标识体系欲订货或获取价格交货等信息, 请与我公司生产厂或销售办事处联系部件编号 X.XX X 器件 : 器件电压选择温度范围 XXXX 封装 TC1016: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO 标准电压选择 *: 1.8V 1.85V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 2.9V 3.0V 3.3V 4.0V * 有其他电压可供选择如需更多信息, 请与当地 Microchip 销售办事处联系温度范围 : V = -40 C 至 +125 C 封装 : LTTR = 5 引脚 SC-70 ( 卷带式 ) CTTR = 5 引脚 SOT-23 ( 卷带式 ) 示例 : a) TC VCTTR : 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 b) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 c) TC VCTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 d) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 e) TC VCTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 f) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 g) TC VCTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 h) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 i) TC VCTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SOT-23 封装 j) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 k) TC VLTTR: 具有关断功能的 80 ma 小型 CMOS LDO, SC-70 封装 2006 Microchip Technology Inc. DS21666A_CN 第 19 页

0V * 有其他电压可供选择如需更多信息, 请与当地 Microchip 销售办事处联系温度范围 : V = -40 C 至 +125 C 封装 : LTTR = 5 引脚 SC-70 ( 卷带式 ) CTTR = 5 引脚 SOT-23 ( 卷带式 ) 示例 : a) TC1016-1.

20 注 : DS21666A_CN 第 20 页 2006 Microchip Technology Inc.

21 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性代码保护并不意味着我们保证产品是牢不可破的代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为提供本文档的中文版本仅为了便于理解请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示书面或口头法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况质量性能适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负买方同意在由此引发任何一切伤害索赔诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor MPASM MPLIB MPLINK MPSIM PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 Zena 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2006, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部设计中心和晶圆生产厂均于 2003 年 10 月通过了 ISO/TS-16949:2002 质量体系认证公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件串行 EEPROM 单片机外设非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-16949:2002 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 2006 Microchip Technology Inc. DS21666B_CN 第 21 页

22 全球销售及服务网点美洲亚太地区亚太地区欧洲公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 福州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 顺德 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Gumi Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: /16/06 DS21666B_CN 第 22 页 2006 Microchip Technology Inc.

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00872a.book 从 MCP2510 升级至 MCP2515 作者 : 介绍 Pat Richards Microchip Technology Inc. 开发 MCP2510 独立 CAN 控制器的初衷是赋予 CAN 系统和模块设计人员更多的灵活性, 允许他们为自己的应用选择最好的处理器使用 MCP2510 不会使设