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- 王鞍 郦
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1 具有关断和参考旁路功能的 5 ma 1 ma 和 15 ma CMOS LDO 特性 : 极低的供电电流 ( 典型值 5 µa) 低压差 有 5 ma (TC114) 1 ma (TC115) 和 15 ma (TC116) 输出可供选择 高输出电压精度 标准或定制输出电压 节能关断工作模式 可进行超低噪声运行的参考旁路输入方式 过电流和过热保护 节省空间的 5 引脚 SOT-23A 封装 双极型稳压器引脚兼容的升级产品 标准输出电压选项 : - 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 和 5.V 应用 : 电池供电系统 便携式计算机 医疗设备 仪器仪表 蜂窝式 /GSM/PHS 电话 SMPS 后置线性稳压器 寻呼机 典型应用 V 1 IN V IN V 5 OUT 2 TC114 TC115 TC1185 GND + 1µF 概述 TC114/TC115/TC1185 是采用 CMOS 工艺制造的 具有高精度输出电压 ( 典型值 ±.5%) 的低压差稳压器, 是早期双极型 LDO 如 LP298 的升级产品 这些器件是专门为电池供电系统设计的, 其 CMOS 结构消除了被浪费掉的地电流, 从而显著延长了电池寿命 满载时总供电电流典型值为 5 µa, 较之双极型稳压器降低了 2 到 6 倍 该系列器件的主要特性包括超低噪声运行 ( 和可选的旁路输入方式 ) 快速响应负载阶跃变化以及满载时超低压差 其典型值为 85 mv (TC114),18 mv (TC115) 以及 27 mv(tc1185) 当关断控制引脚输入低电平时, 供电电流降至.5 µa( 最大值 ), 降至零伏 该系列器件还具有过热和过电流保护功能 TC114/TC115/TC1185 只需一个 1 µf 的输出电容即可稳定工作 其最大输出电流分别为 5 ma 1 ma 和 15 ma 如需输出电流能力更大的稳压器, 请参见 TC117 (DS21356) TC118 (DS21357) 和 TC1173 (DS21362)( 最大输出电流 I OUT = 3 ma) 数据手册 封装形式 5 引脚 SOT-23A 5 TC114 TC115 TC1185 Bypass V IN GND 4 SHDN 注 :5 引脚 SOT-23A 等同于 EIAJ 的 SC-74A 3 SHDN Bypass 4 47 pf 参考旁路电容 ( 可选 ) 关断控制 ( 来自功耗控制逻辑 ) 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 1 页
2 1. 电气特性 绝对最大值 输出电压...6.5V 输出电压...(-.3V) 至 (V IN +.3V) 功耗... 内部限制 ( 注 7) 任一引脚的最大输入电压... V IN +.3V 至 -.3V 工作温度范围 C < T J < 125 C 储存温度 C 至 +15 C 注意 : 如果器件工作条件超过上述 绝对最大值, 可能会对器件造成永久性损坏 上述值仅为运行条件极大值, 我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行 器件长时间工作在最大值条件下, 其稳定性会受到影响 TC114/TC115/TC1185 电气规范 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数符号最小值典型值最大值单位器件测试条件输入工作电压 V IN V 注 1 最大输出电流 I OUTMAX ma TC114 TC115 TC1185 输出电压 V R 2.5% V R ±.5% V R + 2.5% V 注 2 温度系数 TC 2 4 ppm/ C 注 3 线性稳定度 / V IN.5.35 % (V R + 1V) V IN 6V 负载稳定度 / 压差 V IN % TC114, TC115 TC1185 mv TC115, TC1185 TC1185 I L =.1 ma 至 I OUTMAX I L =.1 ma 至 I OUTMAX ( 注 4) I L = 1 ma I L = 2 ma I L = 5 ma I L = 1 ma I L = 15 ma ( 注 5) 供电电流 ( 注 8) I IN 5 8 µa SHDN = V IH, I L = 关断状态下的供电电流 I INSD.5.5 µa SHDN = V 电源抑制比 PSRR 64 db F RE 1kHz 输出短路电流 I OUTSC 3 45 ma = V 热稳定度 / P D.4 V/W 注 6 和 7 管芯热关断温度 T SD 16 C 热关断迟滞 T SD 1 C 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 或 5.V 3: TC = (MAX MIN )x 1 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1. ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 1 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 5. 节 散热考虑 8: 适用结温为 -4 C 到 +85 C DS21335D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.
3 TC114/TC115/TC1185 电气规范 ( 续 ) 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数符号最小值典型值最大值单位器件测试条件 输出噪声 en 6 nv/ Hz I L = I OUTMAX, F = 1 khz 旁路引脚和接地端 GND 之间接有 47 pf 的电容 SHDN 输入 SHDN 输入高电压门限值 V IH 45 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V SHDN 输入低电压门限值 V IL 15 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 或 5.V 3: TC = (MAX MIN )x 1 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1. ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 1 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 5. 节 散热考虑 8: 适用结温为 -4 C 到 +85 C 温度特性 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 器件 温度范围扩展温度范围 T A C 工作温度范围 T A C 储存温度范围 T A C 封装热阻 5 引脚 SOT-23 热阻 θ JA 256 C/W 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 3 页
4 2. 典型性能曲线 注 : 以下图表来自有限数量样本的统计结果, 仅供参考 所列出的性能特性未经测试, 不做任何保证 一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 例如, 超出了规定的电源电压范围 ), 因此不在担保范围内 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 DROPOUT VOLTAGE (V) Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V) Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 5mA TEMPERATURE ( C) 图 2-1: 压差 温度曲线 图 2-4: 压差 温度曲线 DROPOUT VOLTAGE (V) Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V) Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 15mA TEMPERATURE ( C) 图 2-2: 压差 温度曲线 图 2-5: 压差 温度曲线 GND CURRENT (µa) Ground Current vs. V IN V IN (V) = 3.3V I LOAD = 1mA GND CURRENT (µa) Ground Current vs. V IN V IN (V) = 3.3V I LOAD = 1mA 图 2-3: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-6: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 DS21335D_CN 第 4 页 26 Microchip Technology Inc.
5 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 8 7 = 3.3V I LOAD = 15mA Ground Current vs. V IN = 3.3V I LOAD = vs. V IN GND CURRENT (µa) V IN (V) (V) V IN (V) 图 2-7: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-1: 输出电压 ( ) 输入电压 (V IN ) 曲线 (V) IV LOAD OUT = 3.3V 1mA I LOAD = 1mA vs. V IN V IN (V) (V) Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA V IN = 4.3V TEMPERATURE ( C) 图 2-8: 输出电压 ( ) 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-11: 输出电压 ( ) 温度曲线 Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 15mA (V) 图 2-9: V IN = 4.3V TEMPERATURE ( C) 输出电压 ( ) 温度曲线 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 5 页
6 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 (V) Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 1mA V IN = 6V TEMPERATURE ( C) (V) Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 15mA V IN = 6V TEMPERATURE ( C) 图 2-12: 输出电压 ( ) 温度曲线 图 2-14: 输出电压 ( ) 温度曲线 GND CURRENT (µa) = 5V I LOAD = 1mA V IN = 6V I GND vs. Temperature TEMPERATURE ( C) GND CURRENT (µa) = 5V I LOAD = 15mA V IN = 6V I GND vs. Temperature TEMPERATURE ( C) 图 2-13: I GND 温度曲线 图 2-15: I GND 温度曲线 NOISE (µv/ Hz) Output Noise vs. Frequency R LOAD = 5Ω C BYP =..1K.1K 1K 1K 1K 1K FREQUENCY (Hz) C OUT ESR (Ω) Stability Region vs. Load Current 1 to 1µF Stable Region LOAD CURRENT (ma) PSRR (db) Power Supply Rejection Ratio -3 I OUT = 1mA -35 V INDC = 4V -4 V INAC = 1mVp-p V -45 OUT = 3V C IN = K.1K 1K 1K 1K 1K FREQUENCY (Hz) 图 2-16: 交流特性曲线 DS21335D_CN 第 6 页 26 Microchip Technology Inc.
7 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Measure Rise Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 448µS Measure Rise Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 184µS V SHDN V SHDN 图 2-17: 带旁路电容的 3.3V 平均上升时间 图 2-19: 不带旁路电容的 3.3V 平均上升时间 Measure Fall Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 5mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 1µS Measure Fall Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 52µS V SHDN V SHDN 图 2-18: 带旁路电容的 3.3V 平均下降时间 图 2-2: 不带旁路电容的 3.3V 平均下降时间 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 7 页
8 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Measure Rise Time of 5.V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 39µS Measure Rise Time of 5.V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 192µS V SHDN V SHDN 图 2-21: 带旁路电容的 5.V 平均上升时间 图 2-23: 不带旁路电容的 5.V 平均上升时间 Measure Fall Time of 5.V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 5mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 167µS Measure Fall Time of 5.V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 88µS V SHDN V SHDN 图 2-22: 带旁路电容的 5.V 平均下降时间 图 2-24: 不带旁路电容的 5.V 平均下降时间 DS21335D_CN 第 8 页 26 Microchip Technology Inc.
9 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C I LOAD = 5mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD = 1mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD I LOAD 图 2-25: 3.3V LDO 的负载稳定度 图 2-27: 3.3V LDO 的负载稳定度 Load Regulation of 3.3V LDO Line Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C Conditions: V IN = 4V, + 1V I LOAD = 15mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD V IN C IN = µf,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA, V IN & are AC coupled 图 2-26: 3.3V LDO 的负载稳定度 图 2-28: 3.3V LDO 的负载稳定度 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 9 页
10 典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Line Regulation of 5.V LDO Conditions: V IN = 6V, + 1V Thermal Shutdown Response of 5.V LDO Conditions: V IN = 6V, C IN = µf, V IN C IN = µf,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA, V IN & are AC coupled I LOAD was increased until temperature of die reached about 16 C, at which time integrated thermal protection circuitry shuts the regulator off when die temperature exceeds approximately 16 C. The regulator remains off until die temperature drops to approximately 15 C. 图 2-29: 5.V LDO 的线路稳定度图 2-3: 5.V LDO 的热关断响应 DS21335D_CN 第 1 页 26 Microchip Technology Inc.
11 3. 引脚说明 表 3-1 列出了引脚说明 表 3-1: 引脚功能表 引脚编号 (5 引脚 SOT-23A) 符号 说明 1 V IN 非稳压输入电压 2 GND 接地端 3 SHDN 关断控制输入 向该输入引脚施加逻辑高电平可充分使能稳压器 向该输入引脚施加逻辑低电平则关断稳压器 在关断期间, 输出电压跌落到零, 供电电流减小到.5 µa ( 最大值 ) 4 Bypass 参考旁路输入端 在该输入端上外接一个 47 pf 的电容可进一步降低输出噪声 5 稳压后的输出电压 3.1 输入电压 (V IN ) 将 V IN 引脚连接到非稳压源电压 如同所有低压差线性稳压器一样, 要使 LDO 稳定工作, 源阻抗必须很低 保证低源阻抗的电容容量取决于与输入源阻抗的距离或电池类型 对于大多数应用, 1. µf 电容可保证 LDO 电路的稳定工作 所使用的电容可以是陶瓷电容 钽电容或铝电解电容 由于陶瓷电容的等效串联电阻 (Effective Series Resistance, ESR) 很低, 因此其在高频时产生的噪声较小, 电源纹波抑制 (Power Supply Ripple Rejection, PSRR) 性能也较好 3.2 接地端 (GND) 将接地引脚连接到输入电压返回端 为了获得最佳的噪声和 PSRR 性能, 应将 LDO 的 GND 引脚连接到较安静的电路接地端 若应用中有输入开关或噪声, 应将 GND 引脚连接到输出电容的返回端 由于地平面有助于降低因快速的瞬态负载电流引起的电感和电压尖峰, 因此建议在会受到快速负载瞬态现象影响的应用中使用地平面 3.4 旁路 将一个低容量陶瓷电容连接到旁路引脚可进一步减小 LDO 的输出电压噪声并改善其 PSRR 性能 电容容量可大可小, 但当 LDO 的输入通电时, 它将影响 LDO 输出电压的上升速度 旁路电容越大, 输出电压上升越缓慢 3.5 输出电压 ( ) 将输出负载连接到 LDO 的 同时将 LDO 输出电容的一端连接在尽量靠近 引脚的地方 3.3 关断 (SHDN) 关断输入用于将 LDO 打开和关闭 当 SHDN 引脚为逻辑高电平时, LDO 输出被使能 当 SHDN 引脚被拉至逻辑低电平时,LDO 输出被禁止 输出被禁止时,LDO 消耗的静态电流低于.5 µa ( 最大值 ) 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 11 页
12 4. 详细说明 TC114 TC115 和 TC1185 是输出电压固定的高精度稳压器 ( 如需输出电压可调的产品, 见 TC17 TC171 和 TC1187 数据手册 (DS21353)) 与双极型稳压器不同,TC114 TC115 和 TC1185 的供电电流并不随负载电流的上升而升高 此外, 使用 1 µf 的电容即可使 LDO 的输出电压在整个规定输入电压和输出电流范围内保持稳定 图 4-1 给出了一个典型应用电路 每当关断控制输入引脚 (SHDN) 上的电平等于或高于 V IH 时, 稳压器就被使能 ; 当 SHDN 上的电平等于或低于 V IL 时, 稳压器被关断 ( 禁止 ) 用户可采用 CMOS 逻辑门电路或单片机的 I/O 端口来控制 SHDN 引脚的电平 如果不需要关断功能, 应将 SHDN 引脚直接连接到电源输入端 处于关断模式时, 供电电流降至.5 µa( 典型值 ) 而 降至零伏 V IN V + OUT 1µF TC TC115 1µF 电池 TC1185 GND 4.1 旁路输入 在旁路输入端和地之间接入一个 47 pf 的电容可降低内部参考电平上的噪声, 同时又反过来大大降低了输出噪声 如果输出噪声无关紧要, 可将旁路输入端悬空 可以使用更大的电容, 但是在最初接通电源之后需要更长的时间才能达到额定输出电压 4.2 输出电容 需要在 和地之间接入一个 1 µf ( 最小值 ) 的电容 输出电容的等效串联电阻的阻值应介于.1Ω 和 5Ω 之间 4.3 输入电容 如果稳压器和交流滤波电容之间的连接导线超过 1 英寸或者使用电池作为电源, 则应该在 V IN 和 GND 之间接入一个 1 µf 的电容 可以选用铝电解电容或钽电容 ( 由于许多铝电解电容的电解液在 -3 C 左右时会冻结, 所以在工作温度低于 -25 C 的应用中建议使用固态钽电容 ) 当不使用电池作为电源时, 提高输入和输出电容值并使用无源滤波技术可以改善电源噪声抑制和瞬态响应 SHDN Bypass 关断控制 ( 至 CMOS 逻辑或不使用时连接到 V IN ) 47 pf 参考旁路电容 ( 可选 ) 图 4-1: 典型应用电路 DS21335D_CN 第 12 页 26 Microchip Technology Inc.
13 5. 散热考虑 5.1 热关断 当管芯温度超过 16 C 时, 集成的热保护电路将关断稳压器 稳压器保持关断状态直到管芯温度跌落到 15 C 左右 5.2 功耗 稳压器的功率耗散主要是输入电压 输出电压以及输出电流的函数 下面的公式用于计算最坏情况下的实际功耗 : 公式 5-1: P D ( V INMAX MIN )I LOADMAX 其中 : P D = 最坏情况下的实际功耗 V INMAX = V IN 引脚上的最大电压 MIN = 稳压器输出的最小电压 I LOADMAX = 最大输出 ( 负载 ) 电流 最大允许功耗 ( 公式 5-2) 是最大环境温度 (T AMAX ) 最大允许管芯温度 (T JMAX ) 和结点与空气间热阻 (θ JA ) 的函数 5 引脚 SOT-23A 封装的 θ JA 约为 22 C/ 瓦特 公式 5-2: ( T JMAX T AMAX ) P DMAX = θ JA 其中所有参数的定义如前 公式 5-1 和公式 5-2 可联用, 以确保稳压器在允许的温度范围内工作 例如 : 给定 : V INMAX = 3.V +1% MIN = 2.7V 2.5% I LOADMAX = 4 ma T JMAX = 125 C T AMAX = 55 C 可求得 :1. 实际功耗 2. 最大允许功耗实际功耗 : P D (V INMAX MIN )I LOADMAX = [(3. x 1.1) (2.7 x.975)]4 x 1 3 = 26.7 mw 最大允许功耗 : 在该例中, TC114 最大功耗为 26.7 mw, 远小于最大允许功耗 318 mw 可用类似的方式, 使用公式 5-1 和公式 5-2 来计算最大电流和 / 或输入电压极限值 5.3 布局注意事项 ( T JMAX T AMAX ) P DMAX = θ JA = ( ) 22 = 318 mw 将芯片的热量向外传导的主要途径是通过封装的引脚 因此, 具有接地层 焊垫走线较宽以及电源线较宽的布局都有助于降低 θ JA, 从而提高最大允许功耗 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 13 页
14 6. 封装信息 6.1 封装标识信息 和 表示器件编号以及温度范围和电压 表示年份和双月时段代码 表示批次 ID 编号 表 6-1: (V) TC114 编号 器件编号代码和电压 TC115 编号 TC1185 编号 1.8 AY BY NY 2.5 A1 B1 N1 2.6 NB BT NT 2.7 A2 B2 N2 2.8 AZ BZ NZ 2.85 A8 B8 N8 3. A3 B3 N3 3.3 A5 B5 N5 3.6 A9 B9 N9 4. A B N 5. A7 B7 N7 6.2 卷带形式 5 引脚 SOT-23A(EIAJ SC-74A) 器件的元件进带方向 用户进给方向 器件标识 W PIN 1 P 后缀为 713 的器件标准卷带式元件进带方向 ( 标识右侧向上 ) 载带 每卷元件数量和卷带尺寸 : 封装 载带宽度 (W) 间距 (P) 每卷元件数量 卷带尺寸 5 引脚 SOT-23A 8 mm 4 mm 3 7 英寸 DS21335D_CN 第 14 页 26 Microchip Technology Inc.
15 5 引脚塑料小外形晶体管 (SOT-23) E E1 B p p1 D n 1 α c A A2 β φ L A1 引脚数 引脚间距 外侧引脚间距 ( 基本 ) 总高度 塑模封装厚度 悬空间隙 总宽度 塑模封装宽度 总长度 底足长度 底足倾斜角 引脚厚度 引脚宽度 塑模顶部锥度 塑模底部锥度 单位 尺寸范围 n p p1 A A2 A1 E E1 D L f c B a b 最小 英寸 * * 控制参数注 : 尺寸 D 和 E1 不包括塑模的毛边或突起 塑模每侧的毛边或突起不得超过.5 英寸 (.127 毫米 ) 等同于 EIAJ:SC-74A 图号 C4-91 正常 最大 最小 毫米 正常 修订于 最大 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 15 页
16 注 : DS21335D_CN 第 16 页 26 Microchip Technology Inc.
17 附录 A: 版本历史 版本 D (26 年 4 月 ) 从引脚功能表中删除了关于 SHDN 引脚说明的 ERROR 开路 字样 在引脚功能表中增加了引脚排列说明 更换了第 4. 节详细说明中的措辞 增加了第 4.3 节输入电容 版本 C (26 年 1 月 ) 将封装标识章节中卷带形式图中的后缀 TR 更改为 713 版本 B (22 年 5 月 ) 将 Telcom 数据手册转化为 Microchip 标准模拟产品手册 版本 A (21 年 2 月 ) Telcom 发布的本文档初始版本 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 17 页
18 注 : DS21335D_CN 第 18 页 26 Microchip Technology Inc.
19 产品标识体系 欲订货或获取价格 交货等信息, 请与我公司生产厂或销售办事处联系 器件编号 -XX X 器件 器件 : 输出电压 温度范围 输出电压 : XX = 1.8V XX = 2.5V XX = 2.6V XX = 2.7V XX = 2.8V XX = 2.85V XX = 3.V XX = 3.3V XX = 3.6V XX = 4.V XX = 5.V XXXX 封装 TC114: 带关断功能和 V REF 旁路的 5 ma LDO TC115: 带关断功能和 V REF 旁路的 1 ma LDO TC1185: 带关断功能和 V REF 旁路的 15 ma LDO 示例 : a) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.85V, 卷带式 c) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 3.3V, 卷带式 a) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.85V, 卷带式 c) TC115-3.VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 3.V, 卷带式 a) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.8V, 卷带式 温度范围 : V = -4 C 至 +125 C 封装 : CT713 = 塑料小外形晶体管 (SOT-23), 5 引脚, 卷带式 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 19 页
20 注 : DS21335D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.
21 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor Mindi MiWi MPASM MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 26, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 位于俄勒冈州 Gresham 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部 设计中心和晶圆生产厂均通过了 ISO/TS-16949:22 认证 公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-16949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 91:2 认证 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 21 页
22 全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 福州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 顺德 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Gumi Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark - Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: /16/6 DS21335D_CN 第 22 页 26 Microchip Technology Inc.
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从 MCP2510 升 级 至 MCP2515 作 者 : 介 绍 Pat Richards Microchip Technology Inc. 开 发 MCP2510 独 立 CAN 控 制 器 的 初 衷 是 赋 予 CAN 系 统 和 模 块 设 计 人 员 更 多 的 灵 活 性, 允 许 他 们 为 自 己 的 应 用 选 择 最 好 的 处 理 器 使 用 MCP2510 不 会 使 设
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C 8051 MCU SPI EEPROM Alexandru Valeanu Microchip Technology Inc. Microchip Technology 25XXX EEPROM SPI 25XXX EEPROM SO 25XXX EEPROM 3MHz 20 MHz SPI HOLD 25XXX EEPROM EEPROM MCU HOLD 25XXX EEPROM SPI EEPROM
DS21335.book
具有关断和参考旁路功能的 50 ma 100 ma 和 150 ma CMOS LDO 特性 : 极低的供电电流 ( 典型值 50 µa) 超低压差 有 50 ma (TC1014) 100 ma (TC1015) 和 150 ma (TC1016) 输出可供选择 高输出电压精度 标准或定制输出电压 节能关断工作模式 可进行超低噪声运行的参考旁路输入方式 过电流和过热保护 节省空间的 5 引脚 SOT23A
21999a_cn.book
1.5A 低 电 压 低 静 态 电 流 LDO 稳 压 器 MCP1727 特 性 输 出 电 流 能 力 为 1.5A 输 入 工 作 电 压 范 围 :2.3V 至 6.0V 可 调 输 出 电 压 范 围 :0.8V 至 5.0V 标 准 固 定 输 入 电 压 : - 0.8V 1.2V 1.8V 2.5V 3.0V 3.3V 和 5.0V 可 根 据 需 要 提 供 其 他 固 定 输
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N1113 8051MU I 2 EEPROM lexandru Valeanu Microchip Technology Inc. Microchip Technology 24XXX EEPROM 2 SL 24XXX EEPROM 24XXX EEPROM I 2 100 khz 1MHz 24XXX EEPROM 2 I 2 EEPROM 128 512 b 100 khz 1MHz 1.7V
21498c_cn.book
精密温度 - 电压转换器 特性 工作电压范围 : - TC147:2.7V 至 4.4V - TC147A:2.5V 至 5.5V 宽温度测量范围 : - -4 C 至 +125 C 温度转换精度高 : - 在 25 C 时为 ±2 C ( 最大值 ) 线性温度斜率 :1 mv/ C ( 典型值 ) 提供 3 引脚 SOT-23B 封装 低工作电流 : - 35 µa 典型值 应用 移动电话 电源过热关断控制
21666b.book
具 有 关 断 功 能 的 80 ma 小 型 CMOS LDO TC1016 特 性 节 省 空 间 的 5 引 脚 SC-70 和 SOT-23 封 装 极 低 的 工 作 电 流, 利 于 延 长 电 池 寿 命 : 典 型 值 53 µa 很 低 的 电 压 差 (Dropout Voltage) 额 定 输 出 电 流 :80 ma 仅 需 一 个 1µF 的 陶 瓷 输 出 电 容 高
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使用 C30 编译器实现单片机与片外串行 SRAM 的通信 作者 : 引言 Martin Bowman Microchip Technology Inc. 适用于 Microchip 的 dspic DSC 和 PIC24 系列单片机的 C30 编译器为寻址外部存储器提供了一个解决方案 该编译器支持这样的功能, 即允许用户按照访问 MCU 的片内存储器的方式来访问外部存储器 本应用笔记主要介绍如何使用
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PS080, PowerTool 800 开发软件用户指南 2005 Microchip Technology Inc. DS21928A_CN 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一
HM53XXA/B 35V,1.6μA 超低静态电流,200mA, 低压差线性稳压器 概述 HM53XX 系列是丏为功耗敏感应用研发设计的一款高输入电压 超低功耗的低压差线性稳压器 最大允许的输入电压可达 35V, 丐输出 100mA 电流时输入输出电压差仅 300mV 典型情况下, 静态电流 1.
概述 HM53XX 系列是丏为功耗敏感应用研发设计的一款高输入电压 超低功耗的低压差线性稳压器 最大允许的输入电压可达 35V, 丐输出 100mA 电流时输入输出电压差仅 300mV 典型情况下, 静态电流 1.6μA, 具有几个固定的输出电压 1.8V,2.5V,3.0V,3.3V,3.6V,4.0V, 4.2V,5.0V IC 内部集成了短路保护和热关断功能 尽管主要为固定电压调节器而设计,
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1 第 1 章 简 介 简 介 目 录 本 章 包 括 下 列 主 题 : 1.1 简 介... 1-2 1.2 本 手 册 的 目 标... 1-2 1.3 器 件 结 构... 1-2 1.4 开 发 支 持... 1-4 1.5 样 式 和 符 号 约 定... 1-4 1.6 相 关 文 档... 1-6 1.7 版 本 历 史... 1-7 2010 Microchip Technology
,Microchip Technology PIC LCD, PIC16F913/914/ 916/917/946 PIC18F6390/6490/8390/8490 PIC16F65J90/85J90 Microchip LCD LCD, Microchip 的优势 LCD PIC, LCD LC
LCD PIC 单片机解决方案 集成 LCD 驱动器模块的 PIC 单片机 www.microchip.com/lcd ,Microchip Technology PIC LCD, PIC16F913/914/ 916/917/946 PIC18F6390/6490/8390/8490 PIC16F65J90/85J90 Microchip LCD LCD, Microchip 的优势 LCD PIC,
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互 补 波 形 发 生 器 (CWG) 可 配 置 逻 辑 单 元 (CLC) 和 数 控 振 荡 器 (NCO) 外 设 技 巧 与 诀 窍 简 介 Microchip 致 力 于 不 断 向 客 户 提 供 体 积 更 小 速 度 更 快 使 用 更 简 便 与 运 行 更 可 靠 的 创 新 产 品 我 们 的 闪 存 PIC MCU 已 广 泛 应 用 于 日 常 生 活 中 从 烟 雾 探
CTMU Temperature Measurement AN.book
利用 PIC MCU 中的 CTMU 测量温度 TB3016 作者 : 最新一代 PIC24F 和 PIC18F 器件包含的充电时间测量单元 (Charge Time Measurement Unit,CTMU) 使用恒流源来计算电容值的变化以及事件的间隔时间 运用半导体物理学的基本原理, 同样的电流源也可用来测量温度 这允许使用普通而廉价的二极管来取代相对昂贵的热敏电阻和温度传感器 本技术简介描述了使用
PIC18F65J90/85J90 Product Brief
采用纳瓦技术内置 LCD 驱动器的 64/80 引脚高性能单片机 单片机的特殊性能 : 闪存程序存储器可承受 1000 次擦写 ( 典型值 ) 闪存数据保存时间为 20 年 ( 典型值 ) 软件控制下可自编程 中断具有优先级 8 x 8 单周期硬件乘法器 扩展的看门狗定时器 (Watchdog Timer, WDT): - 周期从 4 ms 到 131s, 可编程设定 通过两个引脚可进行在线串行编程
Using Microchip’s Micropower LDOs
使用 Microchip 的微功率 LDO AN765 作者 : 简介 Paul Paglia, 公式 1: Microchip Technology Inc. = V REF [( ) 1] V REF = 1.20V Microchip Technology, Inc 的微功率 LDO 系列采用低电压 CMOS 工艺技术 这些 LDO 提供与双极型稳压器类似的纹波抑制和压差特性, 但效率却显著提高了
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PIC32 2008 Microchip Technology Inc. DS61146A_CN Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Digital Millennium Copyright Act Microchip
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MCP47X6 PICtail Plus 子 板 用 户 指 南 DS51932B_CN 请 注 意 以 下 有 关 Microchip 器 件 代 码 保 护 功 能 的 要 点 : Microchip 的 产 品 均 达 到 Microchip 数 据 手 册 中 所 述 的 技 术 指 标 Microchip 确 信 : 在 正 常 使 用 的 情 况 下, Microchip 系 列 产 品
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具有关断功能的 1 ma 微型 CMOS LDO TC117 特性 小型 引脚 SC-7 和 引脚 SOT-23 封装 极低工作电流 :3 µa ( 典型值 ), 以利于延长电池寿命 压差非常低 1 ma 额定输出电流 仅需 1µF 陶瓷输出电容 输出电压精度高 :±.% ( 典型值 ) 从 SHDN 的唤醒时间为 1 µs ( 典型值 ) 节能的关断模式 :. µa ( 典型值 ) 过流和过温保护
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IC 测试培训 第二章 IC 测试实例 By 孙鹏程 29-9-8 1 2.1 LDO 基础知识 本章要点 2.2 LDO 主要参数及意义 2.3 LDO 测试方案 2.4 LDO 测试程序 2 2.1 LDO 基础知识 什么是 LDO? LDO:(low dropout regulator) 低压差线性稳压器, 其基本电路可由串联调整管 VT 取样电阻 R1 和 R2 比较放大器 A 组成 取样电压加在比较器
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SPI 串行 EEPROM 与 PICmicro 单片机的接口设计 作者 : 引言 Martin Kvasnicka Microchip Technology Inc. 目前市场上有许多种单片机用在嵌入式控制系统设计中, 这些嵌入式控制系统中的很大一部分都要用到非易失性存储器 由于串行 EEPROM 具有封装尺寸小, 存储容量灵活, 对 I/O 引脚要求低, 和低功耗低成本等特点, 已成为非易失性存储器的首选
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MCP3421 DS51683A_CN Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Microchip Digital Millennium Copyright Act Microchip Microchip Technology Inc. Microchip
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理解和使用监控电路 AN686 概要 本应用笔记讨论了什么是单片机监控器件, 为什么需要这些器件以及在选择这些器件时需要考虑的一些因素 监控器件属于一个很广的范畴, 它涵盖了上电复位 (Power on Reset,POR) 器件 欠压检测 (Brown-Out Detect,BOD) 器件和看门狗定时器器件 本应用笔记将仅讨论具有 POR 和 BOD 功能的监控器件 监控电路的工作 监控电路可用于几种不同的应用,
Application Note Transient Voltage Suppressors (TVS) for 表 1 VISHAY 的 SM6T 系列的电特性 25 C 型号 击穿电压 器件标识码 V BR AT I T I T 测试电流 (ma) 关态电压 V RM 漏电流 I RM AT V
VISHAY GE NERAL SEMICONDUCTOR 瞬态电压抑制器 应用笔记 用于汽车电子保护的瞬态电压抑制器 (TVS) Soo Man (Sweetman) Kim, Vishay I) TVS 的重要参数 TVS 功率等级 TVS Vishay TVS 10 μs/1000 μs (Bellcore 1089) 1 TVS ESD 8 μs/20 μs 2 1 10 µs 10 µs/1000
TB3109 PIC32MX 器件中与 USB 模块相关的更改 USB 模块中断位 ( 即 USBIF USBIE USBIP 和 USBIS 位 ) 的位置变化会影响 PIC32MX 器件上的 USB 协议栈操作 表 1 给出了所列 PIC32MX 器件系列中 USBIF USBIE USBIP
在 v2013-06-15 MLA USB 设备和主机协议栈中更新 PIC32MX 支持 TB3109 简介 我们提供适合 PIC32MX MCU 的 Microchip 应用程序库 (Microchip Libraries for Applications,MLA), 但未计划向 MLA 添加新功能 v2013-06-15 MLA USB 协议栈本质上支持所有适用的 PIC32MX MCU 器件
<4D F736F F D20C9EEDBDACAD0B6ABB3CFD0C5B5E7D7D3BFC6BCBCD3D0CFDEB9ABCBBEBDE9C9DCBCB0BFE2B4E6>
台湾合泰 HOLTEK 型号品牌封装说明 HT7022A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7022A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.2V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1#-SOT89 HOLTEK SOT89 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7024A-1-TO92 HOLTEK TO92 2.4V N 沟开漏电压监测器 HT7027A-1#-SOT89
XT1861
同步升压 DC-DC 变换器 产品概述 XT1861 系列产品是一款低功耗高效率 低纹波 工作频率高的 PFM 控制升压 DC-DC 变换器 XT1861 系列产品仅需要 3 个外部元器, 即可完成低输入的电池电压输入 用途 1~3 个干电池的电子设备 数码相机 电子词典 ED 手电筒 ED 灯 血压计 MP3 遥控玩具 无线耳机 无线鼠标键盘 医疗器械 防丢器 汽车防盗器 充电器 VCR PD 等手持电子设备
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使用 C18 编译器进行 SPI 串行 EEPROM 与 PIC18 单片机的接口设计 作者 : 引言 Chris Parris Microchip Technology Inc. Microchip Technology 生产的 25XXX 系列串行 EEPROM 兼容 SPI 通信标准, 最大时钟频率范围从 3MHz 到 20 MHz 许多时候, 在设计利用串行 EEPROM 器件的应用时, 使用非专用
2.0 MHz, 500 mA Synchronous Buck Regulator
2.0 MHz 500 ma 同 步 降 压 稳 压 器 MCP1603 特 性 典 型 效 率 大 于 90% 输 出 电 流 最 高 为 500 ma 低 静 态 电 流 = 45 µa ( 典 型 值 ) 低 关 断 电 流 = 0.1 µa ( 典 型 值 ) 可 调 输 出 电 压 : - 0.8V 至 4.5V 固 定 输 出 电 压 : - 1.2V 1.5V 1.8V 2.5V 和
MCP1630
可 用 单 片 机 控 制 的 高 速 脉 宽 调 制 器 特 性 高 速 PWM 操 作 ( 电 流 检 测 至 输 出 有 12 ns 延 时 ) 工 作 温 度 范 围 : - -4 C 至 125 C 精 确 峰 值 电 流 限 制 (±5%)(MCP163) 电 压 模 式 和 平 均 电 流 模 式 控 制 (MCP163V) CMOS 输 出 驱 动 器 ( 直 接 驱 动 MOSFET
00513D_CN.FM
使用 PIC16C54 实现模数转换 AN513 作者 : 简介 本应用笔记介绍了一种使用 PIC16C5X 系列单片机实现模数转换 (Analog to Digital,A/D) 的方法 仅需 5 个外部元件即可实现该转换器, 且可通过软硬件配置使转换分辩率达到 6 到 10 位且转换时间不短于 250 µs 这一方法可用于电压和电流转换且使用软件校准技术来补偿由于时间和温度漂移以及元件误差造成的精度误差
产品名称 封 装 打印名称 材料 包装 SA1117H ADJTR SA1117H ADJ 无铅 编带 SA1117H 1.2TR SA1117H 1.2 无铅 编带 SA1117H 1.5TR SA1117H 1.5 无铅 编带 SA1117H 1.8TR SOT 223 3L SA1117H 1
1A LDO 稳压器电路 概述 SA1117 是一款正电压输出的低压降三端线性稳压电路, 在 1A 输出电流下的压降为 1.2V SA1117 分为两个版本, 固定电压输出版本和可调电压输出版本 固定输出电压 1.5V 1.8V 2.5V 3.3V 5.0V 和可调版本的电压精度为 1%; 固定电压为 1.2V 的产品输出电压精度为 2% SA1117 内部集成过热保护和限流电路, 适用于各类电子产品
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0755-82134672 Macroblock MBI6655 1 LED Small Outline Transistor 1A 3 LED 350mA 12V97% 6~36 Hysteretic PFM 0.3Ω GSB: SOT-89-5L (Start-Up) (OCP) (TP) LED Small Outline Package 5 MBI6655 LED / 5 LED MBI6655
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD LOW NOISE ma LDO REGULATOR DESCRIPTION The UTC is a typical LDO (linear regulator) with the features of High output voltage accuracy, low supply current, low ON-resistance,
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用 dspic DSC MCPWM 模块驱动交流感应电机 作者 : Jorge Zambada Microchip Technology Inc. 如图 1 所示, 电机绕组的电感对 PWM 电压源的电流进行滤波 正如下文即将介绍的, 基于该原理我们可利用 PWM 信号产生正弦波来对三相 ACIM 进行通电 引言 本文档概括介绍了采用 dspic3f 电机控制数字信号控制器系列芯片实现的电机控制 PWM
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微处理器监控器 TC1232 特性 高精度电压监控电路 - 可调节 +4.5V 或 +4.75V 最小复位脉冲宽度 250 毫秒 无需外部元件 可调看门狗 (Watchdog) 定时 - 150 毫秒, 600 毫秒或 1.2 秒 工作电压范围 4.0V 至 5.5V 防止误动作外部手动强制复位输入 框图 V CC TOL 容限选择 (5% 或 10%) + + + V REF 概述 TC1232
工作原理 脉冲血氧仪基于氧合血红蛋白 (HbO 2 ) 和脱氧血红蛋白 (Hb) 的红光 ( 波长为 nm) 和红外光 ( 波长为 nm) 吸收特性来监测人体血液的氧饱和度 (SpO 2 ) 脉冲血氧仪会交替地闪烁红光和红外光, 光线穿过手指到达光电二极管 HbO
使用 Microchip 的 dspic 数字信号控制器 (DSC) 和模拟器件实现脉冲血氧仪设计 作者 : Zhang Feng Microchip Technology Inc. 简介 脉冲血氧仪是一种用于监测患者血氧饱和度和心率的非侵入式医疗设备 本应用笔记演示了如何使用 Microchip 的 dspic 数字信号控制器 (Digital Signal Controller, DSC) 和模拟器件来实现高精度脉冲血氧仪
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AN1299 调整指南 1.1 配置双电流检测电阻模式 本文档介绍了 AN1299 PMSM 无传感器 FOC 的单电流检测电阻三相电流重构算法 (DS01299A_CN) 中所述算法调整所需的步骤和设置 1. 第一步, 用户需完成 AN1078 中的调整过程, 其中介绍了在具体电机和硬件上运行滑模控制器 (Slide Mode Controller, SMC) 所需的全部步骤 2. 应用运行后,
电子技术基础 ( 第 版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图 整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B
直流稳压电源 第 4 章 4.1 整流电路及其应用 学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路
GH1220 Hall Switch
Unipolar Hall Switch - Medium Sensitivity Product Description The DH220 is a unipolar h all switch designed in CMOS technology. The IC internally includes a voltage regulator, Hall sensor with dynamic
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用途 / Purpose: 用于锂离子 / 锂聚合物可充电电池组 For lithium ion / lithium polymer rechargeable battery pack 特点 / Features: (1) 高电压检测电路 / Precision voltage detection circuit 过充检测电压 Overcharge detection voltage 4.3 过充恢复电压
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750 khz 升 压 控 制 器 特 征 输 出 功 率 高 于 5W 输 出 电 压 从 3.3V 至 100V 以 上 750 khz 门 控 振 荡 器 开 关 频 率 对 电 池 供 电 或 宽 输 入 电 压 范 围 设 备, 占 空 比 可 调 输 入 电 压 范 围 :2.0V 至 5.5V 应 用 单 端 初 级 电 感 转 换 器 (SEPIC) 和 反 激 式 拓 扑 结 构
光 探 测 应 用 光 探 测 应 用 可 以 使 用 许 多 探 测 器, 例 如 光 电 二 极 管 光 电 晶 体 管 光 敏 电 阻 光 电 管 光 电 倍 增 管 电 荷 耦 合 器 件 等 本 应 用 笔 记 将 重 点 介 绍 光 电 二 极 管, 因 为 它 是 最 常 用 的 光
用 于 光 探 测 应 用 的 MCP649 运 放 AN494 作 者 : 简 介 Yang Zhen Microchip Technology Inc. 许 多 光 探 测 应 用 中 经 常 使 用 低 输 入 偏 置 运 算 放 大 器 ( 运 放 ), 以 降 低 电 流 误 差 和 提 高 输 出 信 号 的 精 度 以 下 为 典 型 的 光 探 测 应 用 : 烟 雾 探 测 器 火
0507A_Auto Tech_Microchip
汽 车 无 线 安 全 接 入 技 术 解 决 方 案 Youbok Lee 主 任 工 程 师 Willie Fitzgerald 产 品 营 销 总 监 Microchip Technology Inc. 引 言 全 球 汽 车 半 导 体 面 临 极 大 的 市 场 机 会, 而 汽 车 设 计 工 程 师 正 在 应 对 高 性 价 比 的 性 能 增 强 功 耗 小 尺 寸 和 安 全 性
MD71XX 系列高耐压低压差型
高速低压差 (LDO) CMOS 电压稳压电路 ( 带控制端 ) MD73RXX 系列 300mA 特性 : 输出电压精度高 精度 ±2% 输出电流 300mA MD73RXX 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差, 高精度输出电压, 超低功耗电流的正电压型电压稳压 电路 由于内置有低通态电阻晶体管, 因而输入输出 压差低 同时具有高输入电压承受能力, 最高工作电 压可达 1V, 适合需要较高耐压的应用电路
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Macroblock 6~36 1A - (PWM) - (PWM) 1,024 3 LED 350mA12V 97% Hysteretic PFM 0.3Ω (UVLO)(Start-Up)(OCP) (TP) LED 6 PCB Mini Small Outline Package GMS : MSOP-8L-118mil Small Outline Package GD: SOP8L-150-1.27
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矽诺威一级代理龙创威电子小柯 13652437521 描述 特性 是一颗单通道 AB 类音频功率放大器 在 5V 电源供电,THD+N=10%,4 欧姆负载上可以输出 2.5W 的功率 优异的噪声和 THD 指标可以提供高品质的音频信号放大 极少的外围元件就能提供芯片稳定工作, 大大减少了 PCB 面积并降低成本 具有关断功能, 极大的延长系统的待机时间 过热保护功能增强系统的可靠性 POP 声抑制功能改善了系统的听觉感受,
93002A.book
使用 QEI 模块测量速度和位置 GS002 作者 : 引言 本文档给出了电机控制系列 dspic30f 数字信号控制器中正交编码器 (Quadrature Encoder Interface, QEI) 模块的概述 还提供了一个需要测量转子速度和位置的典型电机控制应用的代码示例 QEI 模块 Jorge Zambada Microchip Technology Inc. 正交编码器 ( 又称增量式编码器或光电式编码器
HXJ9005技术资料
概 述 一 款 双 通 道 桥 接 的 音 频 功 率 放 大 器, 在 5V 电 源 电 压 4Ω 负 载 时, 可 提 供 3.5W 的 功 率 具 有 低 功 耗 关 断 模 式 和 过 温 保 护 功 能 在 电 路 启 动 时, 具 有 缓 冲 及 防 抖 动 功 能 此 外, 当 接 立 体 耳 机 时, 芯 片 可 以 单 终 端 工 作 模 式 驱 动 立 体 耳 机 具 有 外 部
39697b.book
第 9 章看门狗定时器 (WDT) 目录 本章包括下列主题 : 9.1 简介...9-2 9.2 WDT 工作原理... 9-3 9.3 寄存器映射... 9-7 9.4 设计技巧... 9-8 9.5 相关应用笔记... 9-9 9.6 版本历史... 9-10 9 看门狗定时器 (WDT) 2010 Microchip Technology Inc. DS39697B_CN 第 9-1 页 PIC24F
800 mA Fixed-Output CMOS LDO with Shutdown
I 2 C 7/8-7 128 129-8 256 257 4 R AB - 5 kω - 1 kω - 5 kω - 1 kω 75Ω - 5 ppm -7 C - 15 ppm I 2 C - 1 khz - 4 khz - 3.4 MHz / TCON 1.5V 2.5 ua 12.5V SCL SDA - 2.7V 5.5V - 1.8V 5.5V -3 db 2 MHz 5. kω -4
01277A_cn.book
使用 C32 编译器进行串行 SRAM 器件与 PIC32 MCU 的接口设计 作者 : 引言 Pinakin K Makwana Microchip Technology Inc. Microchip 的串行 SRAM 产品线提供了向应用添加附加 RAM 的一种新方法 这些器件采用 8 引脚小型封装以及 SPI 接口, 使设计人员提升系统的灵活性 Microchip Technology 的 23XXXX
控制器 EtherCAT EtherCAT EtherCAT 接下一个电机驱动模块 (X4) 接下一个电机驱动模块 (X5) X11 IN X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 X4 IN X3 OUT X5 IN X6 OUT X2 X1 SYS STA DC BUS D
控制器 thert thert thert 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 电机驱动模块 电机驱动模块 电源模块 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () 接下一个电机驱动模块 () X 0 X 0 4 /RK /RK 注 注 制动电阻阻值 Ω Φ 80: 适用电机驱动模块型号 8-M-XXXX--XX Φ : 适用电机驱动模块型号
额定规格 / 性能 单相 标准认证 UL CSA. NO. EN-- 额定规格输入 环境温度 项目电压电平额定电压使用电压范围输入电流型号动作电压复位电压 - B ma 以下 DC~V DC.~V DC.V 以下 DC.V 以上 - BL ma 以下 输出 项目 * 根据环境温度的不同而不同 详情请
加热器用固态继电器 单相 CSM_-Single-phase_DS_C 带纤细型散热器的一体式小型 SSR 备有无过零触发型号, 用途广泛 符合 RoHS 标准 包含无过零触发型号, 产品线齐全 输出回路的抗浪涌电压性能进一步提高 根据本公司的试验条件 小型 纤细形状 除了 DIN 导轨安装, 还可进行螺钉安装 获取 UL CSA EN 标准 TÜV 认证 请参见 共通注意事项 种类 关于标准认证机型的最新信息,
01476A.book
结合 CLC 和 NCO 实现高分辨率 PWM AN1476 作者 : 简介 Cobus Van Eeden Microchip Technology Inc. 虽然许多应用可以使用分辨率低于 8 位的 PWM, 但是有一些应用 ( 例如灯具调光 ) 由于人眼灵敏度的原因需要较高分辨率 背景 传统的 PWM 使用定时器来生成规则的开关频率 (T PWM ), 然后使用纹波计数器来确定在脉冲结束之前,
ESD.xls
Transient Suppressor Reverse Reverse ESD Capacitance Stand-off Beakdown Package Contact/Air Channel Circuit Diagram Pin Configuration Remark CMTLCP020CR35BFE CMTLDF02CR35AFE CMTLDF02CR50BLE CSP020 (pf)
5991-1117CHCN.indd
开 关 电 源 测 量 应 用 指 南 使 用 Agilent InfiniiVision 3000/4000 X 系 列 示 波 器 并 结 合 开 关 电 源 测 量 选 件 简 介 配 有 开 关 电 源 测 量 选 件 的 Agilent 3000 和 4000 X 系 列 示 波 器 能 够 提 供 一 个 快 速 且 方 便 的 方 法, 帮 助 您 分 析 开 关 电 源 的 可 靠
MD71XX 系列高耐压低压差型
高速低压差 (LDO) CMOS 电压稳压电路 MD7UXX 系列 120mA MD7UXX 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差, 高精度输出电压, 超低功耗电流的正电压型电压稳压电路 由于内置有低通态电阻晶体管, 因而输入输出压差低 同时具有高输入电压承受能力, 最高工作电压可达 1V, 适合需要较高耐压的应用电路 特性 : 输出电压精度高 精度 ±3% 输入输出压差低 mv 超低功耗电流 1uA
Microsoft Word - LD5515_5V1.5A-DB-01 Demo Board Manual
Subject LD5515 Demo Board Model Name (5V/1.5A) Key Features Built-In Pump Express TM Operation Flyback topology with PSR Control Constant Voltage Constant Current High Efficiency with QR Operation (Meet
深圳明和科技
500mA 同步降压 DC/DC 转化器 ME3101 系列 描述 : ME3101 是一款同步整流降压型 DC/DC 内置 0.6ΩPMOS 驱动管和 0.7ΩNMOS 开关管 兼容陶瓷电容, 外部只需一只电感和两只电容, 可高效率的输出 500mA 内置振荡器电路, 振荡频率可达 1.2MHZ ME3101 为 PFM/PWM 型自动开关控制模式, 在满载时也能快速响应, 达到纹波小, 效率高的效果
untitled
1....... 1 2... 3 2-1. 2-2. 2-3. 2-4. 2-5. 2-6. 2-7.5V.. 2-8. 3 4 4 4 5 5 6 6 3... 7 4..... 9 4-1. 4-2. 5.... 15 5-1.... 5-2.(Current Limit).. 5-3./(Constant Voltage/ Constant Current).. 5-4.... 15 16
Rotork E120E IQ brochure
Rotork IQ IQ IQ 3 7 IP68(3-8 )NEMA 9 6 11 IQ 12 1 16 18 Rotork Controls Ltd, Bath, UK 2 Rotork Controls Inc, Rochester, USA IQ IQ IQ PCIQ-Insight IQ IQ IQ IP67 IQ - EEx ia IIC T ( ) Insight IrDA TM 9 (RS232-IrDA
Pin Configurations Figure2. Pin Configuration of FS2012 (Top View) Table 1 Pin Description Pin Number Pin Name Description 1 GND 2 FB 3 SW Ground Pin.
Features Wide 3.6V to 32V Input Voltage Range Output Adjustable from 0.8V to 30V Maximum Duty Cycle 100% Minimum Drop Out 0.6V Fixed 300KHz Switching Frequency 12A Constant Output Current Capability Internal
MICROCHIP EVM Board : APP APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pi
MICROCHIP EVM Board : APP001 1-1. APP001 PICmicro Microchip APP001 40pin PDIP PICmicro Design Tips Character LCM Temperature Sensor Application I/O Pin 16 I/O Extension Interface 1-2. APP001 Block_A Block_B
01019A.book
EEPROM 耐擦写能力教程 作者 : 基本术语 David Wilkie Microchip Technology Inc. 耐擦写能力 (Endurance) ( 指 EEPROM) 的定义中包含一些需要明确定义和理解的词语和短语 从以下段落可以看出, 不同厂商使用不同的标准 耐擦写循环 (Endurance Cycling) 是所有厂商 ( 和一些客户 ) 采用的测试方法, 用以确定产品经过多少次
MD71XX 系列高耐压低压差型
耐压低压差微功耗型 CMOS 电压稳压电路 MD7XX 系列 120mA MD7XX 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差, 高精度输出电压, 超低功耗电流的正电压型电压稳压电路 由于内置有低通态电阻晶体管, 因而输入输出压差低 同时具有高输入电压承受能力, 最高工作电压可达 1V, 适合需要较高耐压的应用电路 特性 : 输出电压精度高 精度 ±3% 输入输出压差低 mv 超低功耗电流 ⒈2uA
MCP Phase Energy Meter Reference Design Using PIC18F2520 Users Guide
跟踪接口工具包规范 跟踪接口工具包 简介 MPLAB REAL ICE 在线仿真器跟踪接口工具包 (AC2446) 可与具有跟踪连接器的 PIC32 接插模块 (PIM)( 表 1-1) 配合使用 具有跟踪连接器的 PIC32 PIM 支持 PIC32 指令跟踪 请参见仿真器文档了解关于 PIC32 指令跟踪的更多信息 表 1-1: PIC32 PIM 列表 * PIM 编号 PIM 名称 跟踪连接器
01096B.book
使用 C30 编译器进行 SPI 串行 EEPROM 与 dspic33f 和 PIC24F 的接口设计 AN1096 作者 : 引言 Martin Kvasnicka Microchip Technology Inc. Microchip 的 25XXX 系列串行 EEPROM 均与 SPI 兼容, 其最大时钟频率在 3 MHz 到 20 MHz 的范围内 许多时候, 当设计利用串行 EEPROM
Microsoft Word - JC53XX doc
低压差微功耗型 LDO CMOS 电压稳压电路 JC53XX 系列 500mA JC53XX 系列是使用 CMOS 技术开发的低压差, 高精度输出电压, 超低功耗电流, 正电压型电压稳压电路 由于内置有低通态电阻晶体管, 因而输入输出压差低 最高工作电压可达 10V, 适合需要较高耐压的应用电路 特性 : 输出电压精度高 精度 ±2% 输入输出压差低 15mV Iout=1mA 超低功耗电流 ⒈2uA
00992A.book
用 dspic30f2010 控制无传感器 BLDC 电机 AN992 作者 : 概述 Stan D Souza Microchip Technology 本应用笔记介绍了如何使用 dspic30f2010 数字信号控制器控制无传感器的 BLDC 电机 应用中采用的技术是基于另一 Microchip 应用笔记 : dspic30f 在无传感器 BLDC 控制中的应用 (AN901) 本文介绍了如何将
Intersil精密模拟器件
Intersil 1nV/vHz & 0.00017% 1nV/ Hz Hz IC +125 DCPs VOUT I 2 C Intersil 450nA ( ) 2nA na / IntersilIC 2.8mm 1.6mm / V I SS µa (Max.) V OS (mv) (Max.) I B (pa) @1kHz (nv/ Hz ) khz (Tye.)(dB) (Tye.)(dB)
21685b.book
MCP6//3/4 轨到轨输入 / 输出的 MHz 运算放大器 特性 轨到轨输入 / 输出 宽带宽 : MHz ( 典型值 ) 低噪声 : khz 时,.7 nv/ Hz ( 典型值 ) 低失调电压 - 工业级温度 :±5 µv ( 最大值 ) - 扩展级温度 :±5 µv ( 最大值 ) 电源电压中值 V REF : 用于 MCP6 和 MCP63 低供电电流 : ma( 典型值 ) 总谐波失真
33023A.book(31001A_cn.fm)
1 第 1 章 简 介 简 介 目 录 本 章 包 括 下 面 一 些 主 要 内 容 : 1.1 简 介...1-2 1.2 本 手 册 的 宗 旨... 1-3 1.3 器 件 结 构... 1-4 1.4 开 发 支 持... 1-6 1.5 器 件 种 类... 1-7 1.6 格 式 和 符 号 的 约 定... 1-12 1.7 相 关 文 档... 1-14 1.8 相 关 应 用 笔
AN901.book
dspic30f 在 无 传 感 器 BLDC 控 制 中 的 应 用 AN901 著 者 : 合 著 者 : 引 言 本 应 用 笔 记 描 述 了 一 种 完 全 可 行 且 高 度 灵 活 的 软 件 应 用, 使 用 dspic30f 来 控 制 无 传 感 器 无 刷 直 流 (brushless DC,BLDC) 电 机 此 软 件 将 dspic30f 外 设 广 泛 应 用 于 电
MPLAB ICE PROMATE II MPLAB MPLAB ICE 2 3 Microchip MPLAB ICE ICSP PROMATE II AC44 MPLAB ICE MICROCHIP 2 Socket Module 3 4 4 (Transition Socket) SOIC SSOP PQFP TQFP PRO MATEII PRO MATEII DV73 PC ICD ICD2
Unidrive M400 PLC 0.25 kw kw (0.33 hp hp) 100 V 200 V 400 V 575 V 690 V
Unidrive M400 PLC 0.25 kw - 110 kw (0.33 hp - 150 hp) 100 V 200 V 400 V 575 V 690 V Unidrive M Unidrive M Unidrive M400 I/O Commander SK Unidrive M www.unidrivem.com Unidrive M Discover Unidrive M App
Microsoft Word - P SDV series.DOC
片式压敏电阻器 SDV 系列 Chip SDV Series Operating Temp. : -55 ~ +125 特征 SMD 结构适合高密度安装 优异的限压比, 响应时间短 (
MRF24WG0MAMB Software Migration
MRF24WG0MA/MB 软件移植 作者 : 概述 本应用笔记介绍为了从旧版 MRF24WB0MA/MB 软件协议栈移植以包含 MRF24WG0MA/MB 模块, 而必须对现有 MLA 软件协议栈进行的更改 使用入门 Amy Ong Microchip Technology Inc. MRF24WG0MA/MB 驱动程序代码已深度嵌入在 MLA 版本中 宏定义用于区分 MRF24WB0MA/MB
第 卷 第 期 年 月 半 导 体 学 报! " # $%&'%' $!&' #% #$1 /#1 $'! / ?/ ?/ / 3 0,?/ ) * +!!! '!,!! -. & ' $! '! 4% %&1)/1(7%&)03 (% )
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21696d.book
推挽输出微功耗比较器 特性 低静态电流 : 每路比较器 6 na ( 典型值 ) 轨到轨输入 :V SS.3V 至 +.3V CMOS/TTL 兼容输出 传输时延仅 4 µs ( 典型值, mv 过驱动 ) 宽电源电压范围 :.6V 至.V 提供单 双和四比较器 单比较器提供 SOT-23- 和 SC-7- 封装 MCP643 具有片选 (CS) 功能 低开关电流 内部迟滞 :3.3 mv ( 典型值
2 A-5VL ( ) 15 Onkyo A-5VL A-5VL Ct
2 A-5VL 3 4 5 10 ( ) 15 Onkyo A-5VL A-5VL 17 18 Ct 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. 9. 10. 11. 12. 13. S3125A 14. 15. A. B. C. D. E. F. 16. 17. 18. 2 0c m 8" 10cm 4" 10cm 4" Ct-2 1. 2. Onkyo 3. 4. AC120V60Hz AC220-240V50/60Hz
a) Rating and Characteristics Disk Type 05D *Rated Rated Peak Varistor Clamping Typ. cap. Series Part No. Rated Voltage Energy Rated Power Current(8 2
ZR NR Series (Radial type) Disk type general use ZR type (Low voltage) and NR type (Medium/High Voltage) are for protection of electronics and control eqiupments from surge and noise. 1. Features Superior
01236B.book
使用 C3 和定时器连接 dspic33 DSC 和 PIC24 MCU 与兼容 UNI/O 总线的串行 EEPROM 作者 : 简介 Martin Kvasnicka Microchip Technology Inc. 随着嵌入式系统小型化的趋势, 市场对于减少器件间通信所用 I/O 引脚数的需求也与日俱增 Microchip 开发的 UNI/O 总线正满足了这一需求, 这一个低成本且易于实现的解决方案,
SB 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 塑料外壳 ( UL94 V-0), 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 C 范围 : 1.0 至 150μF 额定电压 : 700 至 1100 VC 偏差 :
SA 系列 / C-Link 产品特点 引用标准 : IEC 61071 结构 : 金属化聚丙烯膜结构 封装 : 聚酯胶带, 树脂填充 电气特性 工作温度 : - 40 至 + 85 C 范围 : 15 至 500μF 额定电压 : 500 至 1100 VC 偏差 : ± 5%, ± 10% 损耗因素 : 2 10-3 @100z 20±5 C 预期寿命 : 100,000 小时 @Un, 70
罗姆的电源模块
可简单构成24V/15V/12V/5V电源 罗姆的电源模块 无需电路设计 罗姆半导体集团 省电 无需热设计 节省空间 IoT() AC/DC 1 / 1 1 18kWh/ 8kWh/ 1,440/ 5.5W 5.0W 12.5W 5.0W LDO DC/DC 0 20 40 60 80 10 (%) LOAD REGULATION(DC/DC Only) LDO 10 LDO 50 DC/DC BP5293-50
MASTERs 06 Slide Template
2009 Microchip Technology Incorporated. 版权所有 C10L08 BAT 第 1 页 C10L08 BAT 便携式产品中的电池管理策略 课程目标 完成课程后, 你将了解到 : 不同化学电池的基本原理和如何在便携式设计中进行应用 针对应用选择合理的电池管理 便携式电源的新趋势以及选择拓扑结构的关键因素 2009 Microchip Technology Incorporated.
LED N700 OVP UVL UVL OVP N700 GPIB Ethernet/LAN USB 2.0 I/O 1 N700 2 Ethernet USB 2.0 GPIB 2
Agilent N700 N71A-9A, N70A-2A, N761A-69A, N770A-72A 2 70 W 100 W 600 V 180 A 1 U 8-26 Vac AC LAN,USB GPIB Agilent N700 1U 70W 100W 2 6V 600V 1.A 180A N700 1U 19 100W LED N700 OVP UVL UVL OVP N700 GPIB
供充放一体电源及充电电源手册_0_.doc
2010. 05 供充放一体电源及充电电源 适用于铅酸电池 锂电池 镍氢电池 实现不间断供电 采用自动均 / 浮充 恒流 / 恒压 零电流 -ΔV 检测 / 涓充 / 滴充技术 提供各种保护 显示各种工作状态 目录 SCD 供充放一体电源 ( 锂电池系列 )-----------1 SCD 供充放一体电源 ( 铅酸电池系列 )----------3 C 充电电源 ( 镍氢电池系列 )-------------------------5
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FT838D 5V2A 设计报告 Description Symbol Min Type Max Unit Comment Input Voltage Vin 90 / 264 Vac Input Frequency Fline 47 50/60 63 Hz No-load Input Power (@230Vac) Active Mode Efficiency Pst / / 150 mw η /
Microsoft Word - HTL7G06S009P_V2.3_CH.doc
Document Number: HTL7G6S9P Product Data Sheet Rev. 2.3, 1/17 LDMOS 射频功率晶体管 HTL7G6S9P 1. 产品描述 HTL7G6S9P 是一款为 VHF/UHF 频段射频功率放大器而设计的 LDMOS 射频功率晶体管 器件内部集成静电保护电路 1-6MHz, 8W, 7.2V WIDE BAND RF POWER LDMOS TRANSISTOR
使用说明书 DT4221 DT4222 数字万用表 DIGITAL MULTIMETER 2013 年 11 月第一版 DT4221A982-00(A981-00) 13-11H CN ...1...1...2...3...7 1 11 1.1... 11 1.2...12 1.3...16 1.4...17 2 19 2.1...19 2.2 /...20 2.3...22 2.4...25...
21927a.book
PS00 开关模式充电器评估板 特性 完整的 PS00 电池充电器应用电路 直接与 Microchip PowerInfo (PS0) 接口板和 PowerCal (PS0) 校准板连接 使用 PS00 PowerTool 00 PC 软件配置 PS00 使用在线串行编程 (In-Circuit Serial Programming, ICSP ) 更改或升级固件 充电器电路评估条件 : - 最大电压
00884a_cn.book
.E-0.E+00.E+0.E+0.E+03.E+04.E+05.E+06.E+07 使用运放驱动容性负载 AN884 作者 : 简介 运算放大器在驱动大的容性负载时, 若不采取正确地补偿, 则会产生尖峰和振荡问题 其他问题还包括 : 带宽减小, 输出压摆率降低和功耗增加 本应用笔记将解释为什么会发生这些问题, 如何改变运放电路来达到更佳性能, 以及如何快速计算电路的参数值 简化的运放模型 Kumen
Microsoft Word - PT4207_DSB_CH0.1.doc
概述 是一款高压降压式 LED 驱动控制芯片, 能适应从 18V 到 450V 的输入电压范围 采用革新的架构, 可实现在 85VAC~265VAC 通用交流输入范围可稳定可靠工作, 并保证系统的高效能 内置输入电压补偿功能极大改善了不同输入电压下 LED 电流稳定性 内置一个 350mA 开关, 并配备外部 MOS 开关驱动端口 对于 350mA 以下的应用无需外部 MOS 开关, 对于高于 350mA
93001A.book
使用 dspic30f 器件实现 BLDC 电机控制入门 作者 : 引言 Stan D Souza Microchip Technology Inc. 由于直流无刷 (BLDC) 电机可降低能耗及维护成本, 因此在对效率和可靠性要求较高的应用场合 BLDC 电机正重新受到关注 在大量应用中, dspic30f 电机控制芯片是多种类型 BLDC 电机的理想驱动和控制器件 Microchip 已经开发了许多基于
文件名
MICROCHIP PIC10F200/202/204/206 6 8 FLASH PIC10F200 PIC10F202 PIC10F204 PIC10F206 RISC CPU 33 12 8 8 4MHz 1 s 4MHz 1% TM ICSP TM ICD POR DRT WDT RC MCLR I/O /CMOS < 350 A @ 2V 4 MHz 100 na @ 2V FLASH 10000
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2013/08/23 Page1 26 Ver.1.2 2013/08/23 Page2 26 Ver.1.2 2013/08/23 Page3 26 Ver.1.2 -JO8 DIM EN 5 GND GND -FA6 SOT23-6 6 SEN SW VIN 4 DIM 3 2 1 -GG5 VIN SEN GND DIM 5 SW 1 SOT89-5 4 3 2 TO-252 -HE5 VIN
种类 标准型 (UL 规格 CSA 规格认证型 ) 极数机能接点构成 型号 线圈额定电压 型号 线圈额定电压 最小包装单位 单稳型 a 接点 a 接点 ( 高容量型 ) -4P-US -74P-US DC DC P-FD-US -74P-FD-US DC DC5
a5a 8Aab 2a 2b5A 98mW -4P-US -74P-US AC3,000VkV UL508 CSA SEV FD AgSnln + 2 RoHS - - - - - - a( ) ab(2 ) 2 2a(2 ) 0 2b(2 ) U ( -4 K 2 ( -4 2 2 7 4 7 P AgCd FD AgSnIn DC ND 77 US UL CSA U P -98 种类 标准型 (UL
1996 1997 GJB-151 1998 1999 2001 2002 220AC TEMPEST TEMPEST / / 1.dV/dt di/dt 2. NEMP ESD V -- - +++ - +++ - - - + V V V G PCB PCB / / IEC CISPR CISPR Pub. IEC TC77 IEC CENELEC EN FCC DOD FCC Part,
方框图 OTP VIN OUT OCP 3Ω Vref CE En En Soft Start GND 引脚图 TO92-3 SOT89-3 SOT xx-7 OUT 5 NC 4 75xx-7 5xx GND VIN OUT GND VIN OUT 1 2 3
3V, 1mA 带保护功能的 TinyPower TM LDO 特性 低功耗 低压降 较低的温度系数 高输入电压 ( 高达 3V) 输出电压精度 :±2% 过流保护 过温保护 芯片使能 / 除能功能 封装类型 :TO92-3/SOT89-3/SOT23-5 概述 HT75xx-7 系列是一组 CMOS 技术实现的低功耗高电压稳压器 CMOS 技术可确保其具有低压降和低静态电流的特性 输入电压可高达