第 37 卷 2016 年 9 月 第 9 期 发 光 学 报 CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE Vol 37 No 9 Sept. ꎬ 2016 文 章 编 号 : 1000 7032(2016)09 1090 07 / 双 层 聚 合 物 电 双 稳 器 件 的 研 究 彭 博 ꎬ 曹 亚 鹏 ꎬ 胡 煜 峰 ꎬ 滕 枫 ( 北 京 交 通 大 学 光 电 子 技 术 研 究 所 发 光 与 光 信 息 技 术 教 育 部 重 点 实 验 室 ꎬ 北 京 100044) 摘 要 : 通 过 逐 层 旋 涂 的 方 法 ꎬ 制 备 了 (poly(3 hexylthiophene)) 与 (poly(methylmethacrylate)) 双 层 器 件 ꎬ 并 与 二 者 的 共 混 溶 液 制 备 的 器 件 进 行 了 性 能 对 比 ꎮ 利 用 扫 描 电 镜 ( SEM) 表 征 了 双 层 器 件 的 横 截 面 形 貌 ꎻ 利 用 电 流 电 压 (I V) 以 及 电 流 读 取 次 数 (I t) 测 试 ꎬ 测 量 了 两 种 器 件 的 开 关 比 以 及 持 续 时 间 特 性 ꎮ 其 中 ꎬ 双 层 器 件 具 有 更 好 的 开 关 比 ꎬ 可 达 1 10 3 ꎬ 同 时 反 复 读 写 测 试 表 明 器 件 性 能 非 常 稳 定 ꎮ 为 了 解 释 电 双 稳 现 象 产 生 的 机 理 ꎬ 对 双 层 结 构 器 件 的 电 流 电 压 曲 线 进 行 了 线 性 拟 合 ꎬ 利 用 器 件 的 能 级 图 进 行 分 析 ꎬ 得 出 了 电 荷 在 器 件 中 的 传 输 过 程 ꎮ 研 究 结 果 表 明 ꎬ 可 以 通 过 电 荷 俘 获 释 放 理 论 解 释 / 双 层 器 件 电 双 稳 特 性 产 生 的 机 理 ꎮ 关 键 词 : ꎻ ꎻ 有 机 电 双 稳 器 件 ꎻ 相 分 离 ꎻ 电 荷 俘 获 释 放 理 论 中 图 分 类 号 : O484. 3 文 献 标 识 码 : A DOI: 10. 3788 / fgxb20163709. 1090 Polymer Bistable Devices Based on Poly(3 hexylthiophene) / Poly( methylmethacrylate) Bilayer Films PENG Boꎬ CAO Ya pengꎬ HU Yu fengꎬ TENG Feng ( Key Laboratory of Luminescence and Optical Informationꎬ Ministry of Educationꎬ Institute of Optoelectronic Technologyꎬ Beijing Jiaotong Universityꎬ Beijing 100044ꎬ China) Corresponding Authorꎬ E mail: fteng@ bjtu. edu. cn Abstract: / bilayer device was fabricated through layer by layer spin coating method and the device performance was greatly enhanced comparing with and single layer de vice. SEM image was taken to study the cross section morphology of the bilayer film. The current voltage ( I V) and current repeatable times ( I t) measurements were taken to investigate the per formance of the devices. The bilayer one has a better / ratio about 1 10 3 and the device is quite stable. The fitting of I V curves was utilized to analyze the charge transport process with the help of the diagram of the energy bands. The results show that the charge trapping detrapping theory can be used to explain the operating mechanism of the bilayer device. Key words: ꎻ ꎻ organic bistable devicesꎻ phase separationꎻ charge trapping detrapping theory 1 引 言 近 年 来 ꎬ 有 机 电 双 稳 器 件 得 到 了 广 泛 的 研 [1 3] 究 并 有 潜 力 成 为 新 一 代 的 存 储 器 件 [4] ꎮ 相 比 于 无 机 存 储 器 件 ꎬ 有 机 电 双 稳 器 件 具 有 成 本 低 制 作 简 单 以 及 可 在 柔 性 衬 底 上 制 备 等 优 点 ꎮ 在 之 前 收 稿 日 期 : 2016 03 08ꎻ 修 订 日 期 : 2016 04 22 基 金 项 目 : 中 央 高 校 基 本 科 研 业 务 费 专 项 资 金 (2014JBZ009)ꎻ 国 家 自 然 科 学 基 金 (61274063ꎬ61377028ꎬ61475014ꎬ61475017) 资 助 项 目
第 9 期 彭 博 ꎬ 等 : / 双 层 聚 合 物 电 双 稳 器 件 的 研 究 1091 的 研 究 中 ꎬ 有 机 / 无 机 纳 米 杂 化 体 系 被 给 予 了 很 多 关 注 ꎬ 不 同 的 纳 米 颗 粒 如 银 ( Ag ) [5] 硫 化 银 (Ag 2 S) [6] 氧 化 锌 ( ZnO) [7] 等 ꎬ 配 以 聚 合 物 poly ( methylmethacrylate) ( ) poly ( N vinylcar bazole) (PVK) 等 均 可 制 备 成 性 能 良 好 的 有 机 电 双 稳 器 件 ꎮ 不 过 这 类 杂 化 体 系 制 作 过 程 繁 琐 ꎬ 且 纳 米 颗 粒 的 制 备 耗 费 了 更 多 材 料 ꎬ 使 器 件 的 制 备 工 艺 变 得 复 杂 ꎮ 为 了 进 一 步 简 化 器 件 的 制 备 过 程 并 节 约 成 本 ꎬ 全 聚 合 物 的 电 双 稳 器 件 日 渐 被 人 们 所 重 视 ꎮ 在 不 同 的 聚 合 物 材 料 中 ꎬ poly ( 3 hexylthio phene) () 由 于 有 着 很 好 的 电 荷 传 输 性 能 ꎬ [8 9] 被 人 们 广 泛 应 用 于 制 作 有 机 薄 膜 二 极 管 以 及 有 机 太 阳 能 电 池 [10 13] ꎮ 近 年 来 ꎬ 同 样 被 人 们 尝 试 应 用 于 有 机 电 双 稳 器 件 的 制 备 中 [14] ꎮ 及 的 混 合 溶 液 会 产 生 相 分 离 现 象 [15] ꎬ 使 器 件 自 发 地 变 为 双 层 ꎮ 研 究 人 员 利 用 这 一 特 性 制 备 了 具 有 很 好 的 开 关 比 以 及 稳 定 性 的 电 双 稳 器 件 [16] ꎮ 进 一 步 地 ꎬ 也 有 课 题 组 将 这 一 结 构 应 用 于 柔 性 衬 底 PET 上 ꎬ 制 备 出 了 更 具 有 实 用 价 值 的 柔 性 有 机 电 双 稳 器 件 [17] ꎬ 同 样 具 有 良 好 的 电 学 特 性 ꎮ 在 之 前 研 究 的 基 础 之 上 ꎬ 我 们 将 采 用 另 一 种 思 路 ꎬ 直 接 制 备 与 的 双 层 结 构 器 件 ꎬ 并 与 由 相 分 离 形 成 双 层 的 器 件 进 行 对 比 ꎮ 本 文 采 用 逐 层 旋 凃 和 溶 液 的 方 式 ꎬ 利 用 垂 直 溶 剂 法 [18] ꎬ 制 备 出 了 双 层 结 构 的 电 双 稳 器 件 ꎮ 同 时 ꎬ 也 制 备 了 与 混 合 溶 液 的 共 混 型 电 双 稳 器 件 ꎬ 并 对 二 者 的 性 能 进 行 对 比 ꎬ 从 理 论 上 分 析 了 二 者 不 同 的 原 因 ꎮ 2 实 验 图 1 为 实 验 中 制 备 的 双 层 有 机 电 双 稳 器 件 的 结 构 示 意 图 ꎬ 图 1(b) 为 该 器 件 横 截 面 的 SEM 图 ꎮ (b) Al ITO glass 100 nm Fig. 1 图 1 与 双 层 器 件 结 构 图 ꎻ( b ) 双 层 器 件 横 截 面 的 SEM 图 ꎮ ( a) Structure of the bilayer device. ( b) Cross sectional SEM image of the bilayer device. 2. 1 材 料 与 方 法 在 实 验 前 ꎬ 将 所 有 玻 璃 衬 底 的 ITO 基 片 清 洗 干 净 并 依 次 放 入 去 离 子 水 酒 精 中 各 超 声 处 理 30 minꎬ 随 后 用 氮 气 吹 干 ꎬ 并 进 行 15 min 的 紫 外 臭 氧 处 理 ꎮ 在 制 作 图 1 ( a) 所 示 的 双 层 器 件 前 ꎬ 先 将 溶 于 氯 苯 中 制 成 5 mg / ml 的 溶 液 ꎬ 并 将 溶 于 丙 酮 中 制 成 10 mg / ml 的 溶 液 ꎮ 之 后 ꎬ 将 它 们 置 于 磁 力 热 台 上 ꎬ 以 1 000 r / min 的 转 速 在 50 的 恒 温 下 搅 拌 12 hꎬ 保 证 药 品 充 分 溶 解 ꎮ 先 以 2 000 r / min 的 转 速 旋 涂 40 s 制 备 层 ꎬ 将 其 放 至 150 的 热 台 上 干 燥 30 minꎻ 然 后 将 溶 液 以 2 000 r / min 的 转 速 旋 涂 40 sꎬ 并 在 150 的 热 台 上 干 燥 30 minꎮ 为 了 进 行 对 比 ꎬ 我 们 也 制 备 了 共 混 器 件 及 单 层 的 与 器 件 ꎮ 制 备 共 混 器 件 时 ꎬ 将 活 性 层 材 料 与 以 2 mg 18 mg 1 ml 的 比 例 溶 于 氯 苯 溶 剂 中 配 成 溶 液 ꎬ 并 以 2 000 r / min 20 s 的 条 件 将 其 旋 涂 在 ITO 基 片 上 ꎬ 之 后 以 120 30 min 的 条 件 完 成 退 火 ꎮ 制 备 单 层 的 与 器 件 时 ꎬ 配 制 5 mg / ml 的 氯 苯 溶 液 ꎬ 以 2 000 r / min 40 s 的 条 件 旋 涂 后 ꎬ 在 150 的 热 台 上 干 燥 30 minꎻ 将 10 mg / ml 的 丙 酮 溶 液 以 2 000 r / min 40 s 的 条 件 旋 涂 后 ꎬ 在 150 的 热 台 上 干 燥 30 minꎮ 最 后 ꎬ 将 这 4 种 结 构 的 器 件 放 入 热 蒸 发 设 备 并 蒸 镀 100 nm 的 铝 作 为 阴 极 ꎬ 完 成 整 个 器 件 的 制 作 ꎮ 从 图 1(b) 中 可 以 看 出 ꎬ 逐 层 旋 凃 的 器 件 显 示 出 了 明 显 的 双 层 结 构 :Al / / / ITOꎮ 而 正 如 文 献 [14] 所 述 ꎬ 共 混 溶 液 形 成 的 薄 膜 中 同 样 可 以 因 相 分 离 而 形 成 一 定 的 分 层 现 象 ꎮ 2. 2 器 件 的 测 量 器 件 的 电 流 电 压 ( I V) 以 及 电 流 读 取 次 数 (I t) 特 性 曲 线 由 电 脑 控 制 一 个 电 压 源 :Keithley 2612 在 室 温 下 完 成 测 量 ꎮ 器 件 的 扫 描 电 镜 (SEM) 图 在 北 京 市 理 化 分 析 测 试 中 心 完 成 ꎮ
1092 发 光 学 报 第 37 卷 3 结 果 与 讨 论 图 2 为 这 4 种 结 构 器 件 的 I V 特 性 曲 线 ꎮ 显 然 ꎬ 图 2 (b) 中 纯 和 纯 单 层 器 件 都 没 有 电 双 稳 特 征 ꎬ 而 图 2(c) (d) 中 的 双 层 器 件 及 共 混 器 件 都 展 现 出 了 明 显 的 电 双 稳 特 性 ꎬ 可 见 与 的 结 合 是 产 生 电 双 稳 特 性 的 关 键 ꎮ 在 实 验 中 ꎬ 我 们 也 对 进 行 了 不 同 退 火 温 度 的 处 理 对 比 ꎬ 不 过 对 器 件 性 能 并 没 有 明 显 影 响 ꎮ 在 双 层 器 件 上 施 加 - 10 ~ 10 V 的 扫 描 电 压 ꎬ 如 图 2(c) 所 示 ꎬ 这 一 循 环 扫 描 使 器 件 产 生 了 典 型 的 电 双 稳 特 性 ꎬ 即 I V 曲 线 有 高 导 电 态 和 低 导 电 态 之 分 ꎬ 且 区 别 明 显 ꎬ 这 是 电 双 稳 器 件 的 一 个 重 要 特 征 [19] ꎬ 其 中 高 导 电 态 对 应 器 件 的 态 ꎬ 而 低 导 电 态 对 应 着 态 ꎮ 如 图 所 示 ꎬ 当 在 负 电 压 区 施 加 扫 描 电 压 时 ꎬ 器 件 在 - 6 V 处 产 生 突 变 ꎬ 由 态 变 为 态 ꎬ 我 们 将 - 6 V 定 义 为 写 入 电 压 ꎻ 同 理 ꎬ 当 扫 描 电 压 从 - 10 V 过 渡 到 10 V 后 ꎬ 器 件 在 正 电 压 区 再 次 还 原 为 态 ꎬ10 V 被 定 义 为 擦 除 电 压 ꎮ 电 双 稳 器 件 工 作 的 过 程 ꎬ 便 是 不 断 写 入 读 取 擦 除 读 取 的 过 程 ꎬ 因 此 稳 定 性 是 表 征 器 件 性 能 的 一 个 重 要 参 数 ꎮ 同 时 ꎬ 同 一 电 压 下 / 态 的 电 流 比 ꎬ 即 开 关 比 ꎬ 也 是 描 述 器 件 性 能 的 一 个 重 要 参 数 ꎮ 在 图 2(c) 中 ꎬ 器 件 在 3 V 处 的 开 关 比 可 达 到 1 10 3 ꎮ 10 0 10-1 10-2 -15-0 5 10 15 10-2 10-8 10-10 10-11 (b) -15-0 5 10 15 10-2 10-8 10-10 (c) (d) -10-8 -6-4 -2 0 2 4 6 8 10-5 -4-3 -2-1 0 1 2 3 4 5 10-8 图 2 Fig. 2 不 同 结 构 器 件 的 I V 特 性 曲 线 ꎮ 单 层 器 件 :Al / / ITOꎻ( b) 单 层 器 件 :Al / / ITOꎻ( c) 双 层 结 构 :Al / / / ITOꎻ(d) 共 混 结 构 :Al / / / ITOꎮ I V characteristics of the different structure devices. ( a) Pure device: Al / / ITO. ( b) Pure device: Al / / ITO. (c) Bilayer device: Al / / / ITO. (d) Hybrid layer device: Al / / / ITO. 作 为 对 比 ꎬ 图 2(d) 中 的 共 混 器 件 也 有 着 明 显 的 电 双 稳 特 性 ꎮ 施 加 的 扫 描 电 压 为 - 5 ~ 5 Vꎮ 当 电 压 扫 描 到 正 电 压 区 的 4. 4 V 时 ꎬ 器 件 由 态 转 换 为 态 ꎬ 并 且 在 负 电 压 区 的 - 5 V 再 次 回 到 态 ꎮ 在 2 V 时 ꎬ 器 件 的 开 关 比 为 10 左 右 ꎮ 对 比 二 者 的 I V 曲 线 可 以 看 出 ꎬ 双 层 结 构 的 器 件 展 示 出 了 更 好 的 开 关 比 ꎮ 研 究 表 明 ꎬ 与 结 合 的 界 面 处 是 产 生 电 双 稳 特 性 的 原 因 ꎬ 界 面 处 可 以 对 电 荷 进 行 俘 获 以 及 释 放 ꎬ 从 而 实 现 器 件 的 / 态 转 换 ꎮ 相 比 于 相 分 离 形 成 的 双 层 ꎬ 利 用 垂 直 溶 剂 法 制 备 的 双 层 ꎬ 其 成 膜 更 加 直 接 ꎬ 形 成 的 界 面 具 有 更 好 的 俘 获 释 放 电 荷 的 能 力 ꎬ 从 而 使 双 层 器 件 产 生 了 更 大 的 开 关 比 ꎮ 不 同 于 共 混 器 件 ꎬ 双 层 器 件 也 采 用 了 更 大 的 扫 描 电 压 范 围 ꎬ 这 是 由 于 是 介 电 层 [20] ꎮ
第 9 期 彭 博 ꎬ 等 : / 双 层 聚 合 物 电 双 稳 器 件 的 研 究 1093 单 独 旋 涂 的 层 比 相 分 离 产 生 的 层 具 有 更 好 的 介 电 效 果 ꎬ 因 此 需 要 更 高 的 电 压 激 励 ꎬ 电 荷 才 会 在 器 件 中 隧 穿 过 ꎬ 产 生 电 双 稳 效 应 ꎮ 为 了 表 征 双 层 器 件 的 稳 定 性 ꎬ 且 与 共 混 器 件 进 行 对 比 ꎬ 我 们 对 二 者 都 进 行 了 重 复 读 取 测 试 ꎬ 结 果 如 图 3 所 示 ꎮ 在 测 试 中 ꎬ 我 们 首 先 给 器 件 施 加 一 个 写 入 电 压 ꎬ 使 器 件 变 为 态 ꎬ 之 后 不 断 给 器 件 施 加 读 取 电 压 ꎬ 时 间 间 隔 为 0. 1 sꎬ 并 记 录 下 对 应 的 电 流 值 ꎬ 重 复 500 次 后 停 止 ꎮ 接 下 来 ꎬ 给 器 件 施 加 一 个 擦 除 电 压 ꎬ 让 器 件 还 原 为 态 ꎬ 同 样 再 给 器 件 施 加 读 取 电 压 ꎬ 记 录 对 应 的 电 流 值 ꎬ 再 重 复 500 次 ꎬ 结 束 后 将 电 流 和 重 复 读 取 次 数 绘 成 I t 图 ꎮ 从 图 中 可 以 看 出 ꎬ 两 种 结 构 的 器 件 都 有 着 很 好 的 稳 定 性 ꎬ 且 双 层 器 件 的 结 果 更 优 秀 ꎮ 这 两 种 器 件 在 测 试 中 ꎬ 不 论 是 经 过 写 入 还 是 擦 除 之 后 的 状 态 ꎬ 都 可 以 多 次 重 复 读 取 ꎬ 并 维 持 住 稳 定 的 电 流 值 以 及 开 关 比 ꎮ 双 层 器 件 在 ± 10 V 下 写 入 和 擦 除 ꎬ 在 3 V 下 分 别 读 取 ꎬ 开 关 比 保 持 在 1 10 3 ꎻ 共 混 器 件 在 ± 5 V 下 写 入 和 擦 除 ꎬ 在 2 V 下 分 别 读 取 ꎬ 开 关 比 保 持 在 10 左 右 ꎮ 可 见 ꎬ 我 们 利 用 垂 直 溶 剂 法 制 备 的 双 层 器 件 ꎬ 性 能 并 不 输 于 有 着 相 分 离 效 应 的 共 混 器 件 ꎮ 这 两 种 器 件 均 可 以 进 行 多 次 重 复 使 用 ꎬ 且 在 撤 销 电 压 后 ꎬ 依 旧 保 持 住 态 或 者 态 ꎬ 这 对 于 电 双 稳 器 件 的 实 际 应 用 有 着 很 重 要 的 意 义 ꎮ (b) 0 100 200 300 400 t 500 0 100 200 300 400 t 500 Fig. 3 图 3 双 层 器 件 和 共 混 器 件 (b) 的 重 复 读 取 测 试 图 I t measurement of bilayer device( a) and hybrid blend device( b) ꎬ respectively. 为 了 进 一 步 分 析 双 层 器 件 的 工 作 过 程 ꎬ 我 们 对 器 件 的 I V 曲 线 在 不 同 电 压 范 围 下 进 行 了 线 性 拟 合 ꎮ 这 里 我 们 使 用 了 3 种 理 论 模 型 ꎬ 依 次 是 方 程 (1) (2) (3) [6 7ꎬ21 22] : (1) 热 电 子 发 射 模 型 ( Thermionic emission model): J A T 2 exp[ - (qφ 0 ) / kt + q(q 3 V / 4πε) 1 / 2 ]ꎬ (1) (2) Fowler Nordheim 隧 穿 模 型 ( F N tunne ling model): J V 2 exp( - kd / V)ꎬ (2) (3) 空 间 电 荷 限 制 电 流 模 型 ( Space charge limited current ( SCLC) model): J V α ꎬ (3) 其 中 ꎬA T ε Φ 0 q d V 依 次 代 表 理 查 德 森 常 数 绝 对 温 度 介 电 常 数 势 垒 高 度 电 荷 量 ꎬ 势 垒 宽 度 以 及 电 场 大 小 ꎮ 图 4 展 示 了 3 种 不 同 的 拟 合 结 果 ꎮ 在 图 4 中 ꎬ 当 扫 描 电 压 从 2 V 增 加 到 4 V 时 ꎬ 拟 合 的 曲 线 很 好 地 符 合 了 热 电 子 发 射 模 型 ( lni V 1 / 2 ) [7] ꎬ 此 时 器 件 处 于 态 ꎬ 电 荷 主 要 依 靠 热 能 驱 动 ꎬ 注 入 较 缓 慢 ꎮ 当 扫 描 电 压 增 大 到 6 V 时 ꎬ 如 图 4(b) 所 示 ꎬ 电 荷 的 注 入 由 热 电 子 发 射 模 型 变 为 了 F N 隧 穿 模 型 (ln (I / V 2 ) 1 / V) [21 22] ꎬ 表 明 在 6 ~ 10 V 的 这 段 电 压 范 围 内 ꎬ 随 着 电 压 的 增 大 ꎬ 电 荷 克 服 势 垒 ꎬ 产 生 隧 穿 现 象 ꎬ 更 多 更 快 地 注 入 到 器 件 中 ꎬ 使 器 件 由 态 转 换 为 态 ꎮ 而 当 电 压 从 态 的 10 V 减 小 到 4 V 的 过 程 中 ꎬ 电 荷 在 器 件 内 的 传 输 模 型 是 空 间 电 荷 限 制 电 流 模 型 ( I V α ꎬ α 2) [6] ꎬ 如 图 4(c) 所 示 ꎮ 器 件 内 的 电 流 大 小 受 到 已 注 入 电 荷 的 限 制 ꎬ 器 件 维 持 在 态 ꎬ 可 以 稳 定 地 工 作 ꎮ 根 据 以 上 线 性 拟 合 的 结 果 ꎬ 双 层 器 件 的 工 作 原 理 可 以 用 电 荷 俘 获 释 放 理 论 辅 以 器 件 的 能 级 结 构 图 来 解 释 ꎮ 在 图 4( d) 中 ꎬ 虽 然 的 最 低 未 占 有 轨 道 能 级 ( LUMO) 与 最 高 已 占 有 轨 道 能 级 ( HOMO) 并 没 有 被 精 确 测 量 出 来 ꎬ 但 是 根 据 之 前 的 文 献 ꎬ 可 知 其 能 带 宽 度 [23 25] ꎮ 如 图 4(d)
1094 发 光 学 报 第 37 卷 所 示 ꎬ 当 对 器 件 施 加 正 向 电 压 时 ꎬ 空 穴 从 ITO 注 入 ꎬ 在 小 电 压 范 围 内 遵 循 热 电 子 发 射 模 型 ꎬ 而 当 电 压 达 到 6 V 时 ꎬ 发 生 隧 穿 现 象 ꎬ 导 致 大 量 空 穴 注 入 ꎬ 穿 过 层 ꎬ 并 被 俘 获 在 与 的 界 面 处 ꎮ 在 这 一 过 程 中 ꎬ 器 件 的 电 流 会 快 速 增 大 ꎬ 而 器 件 也 由 态 转 变 为 态 ꎮ 之 后 器 件 将 维 持 在 态 ꎬ 且 遵 循 空 间 电 荷 限 制 电 流 模 型 ꎮ 此 时 ꎬ 电 子 会 一 直 被 俘 获 在 与 的 界 面 处 ꎬ 即 使 撤 销 电 压 ꎬ 器 件 的 状 态 也 不 会 改 变 ꎬ 直 至 施 加 擦 除 电 压 ꎮ 而 当 施 加 擦 除 电 压 时 ꎬ 界 面 处 俘 获 的 电 子 将 会 在 电 压 的 作 用 下 被 释 放 出 来 ꎬ 导 致 器 件 从 态 变 回 态 ꎬ 并 且 电 流 也 会 显 著 地 减 小 ꎮ lni lni -15.8-16.0-16.2-16.4-16.6-16.8-17.0-17.2 1.40-6.8-7.0-7.2-7.4-7.6-7.8-8.0-8.2-8.4-8.6-8.8 state 2~4 V Linear fitting Slope:3.87 1.45 1.50 1.55 1.60 1.65 1.70 1.75 V 1 / 2 state 4~10 V Linear fitting Slope:1.98 10-11 - 0 5 10 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 lnv (c) 10 3 10 5 10 7 10 9 10 11-0 5 10 2.4 ln(i/v 2 ) -16.0 (b) state 6~10 V -16.2 Linear fitting -16.4 Slope:-22.9-16.6-16.8-17.0 10-17.2-3 -17.4-17.6 10-17.8-11 - 0 5 10 0.10 0.11 0.12 0.13 0.14 0.15 0.16 0.17 (d) Al 4.3 ev LUMO ITO 4.8 ev 2 ev 5.6 ev HOMO 1/V Al 4.3 ev LUMO ITO 4.8 ev 2 ev 5.6 ev HOMO 图 4 不 同 电 压 范 围 下 I V 曲 线 的 线 性 拟 合 图 ꎮ 热 电 子 发 射 模 型 ꎬ 态 的 2 ~ 4 Vꎻ(b)F N 隧 穿 模 型 ꎬ 态 的 6 ~ Fig. 4 10 Vꎻ(c) 空 间 电 荷 限 制 电 流 模 型 ꎬ 态 的 10 ~ 4 Vꎻ(d) 双 层 器 件 在 正 向 及 负 向 电 压 下 的 能 级 图 ꎮ Theoretical linear fitting ( solid line) of I V characteristics in positive voltage region. ( a) Thermionic emission model plot from 2 to 4 V in state. (b) Fowler Nordheim (F N) tunneling theory plot from 6 to 10 V in state. (c) Space charge limited current (SCLC) model plot from 10 to 4 V in state. (d) Schematic diagrams of the energy bands of the bilayer device under positive and negative sweeping voltages. 4 结 论 研 究 了 基 于 与 的 双 层 电 双 稳 器 件 ꎬ 并 与 有 相 分 离 效 应 的 共 混 器 件 进 行 了 对 比 ꎮ 实 验 表 明 双 层 器 件 有 着 良 好 的 电 双 稳 特 性 以 及 稳 定 性 ꎬ 重 复 读 取 次 数 均 可 达 到 500 次 ꎬ 并 且 双 层 器 件 的 开 关 比 会 比 共 混 器 件 高 出 10 2 左 右 ꎮ 同 时 ꎬ 我 们 对 双 层 器 件 的 I V 曲 线 进 行 了 线 性 拟 合 ꎬ 更 加 清 楚 地 表 明 了 器 件 的 工 作 过 程 ꎮ 根 据 以 上 结 果 ꎬ 我 们 利 用 电 荷 俘 获 释 放 理 论 并 辅 以 器 件 的 能 级 图 ꎬ 很 好 地 解 释 了 器 件 的 工 作 原 理 ꎮ 研 究 结 果 表 明 ꎬ 与 体 系 下 的 全 聚 合 物 电 双 稳 器 件 有 着 很 大 的 发 展 潜 力 ꎬ 不 论 是 双 层 结 构 还 是 共 混 结 构 ꎬ 都 有 着 更 进 一 步 研 究 的 价 值 ꎮ 参 考 文 献 : [ 1 ] MA L Pꎬ PYO Sꎬ OUYANG J Yꎬ et al.. Nonvolatile electrical bistability of organic / metal nanocluster / organic system [ J]. Appl. Phys. Lett. ꎬ 2003ꎬ 82(9):1419. [ 2 ] TDELIER Dꎬ LMIMOUNI Kꎬ VUILLAUME Dꎬ et al.. Metal / organic / metal bistable memory devices [ J]. Appl. Phys. Lett. ꎬ 2004ꎬ 85(23):5763 5765.
第 9 期 彭 博 ꎬ 等 : / 双 层 聚 合 物 电 双 稳 器 件 的 研 究 1095 [ 3 ] SCOTT J Cꎬ BOZANO L D. Nonvolatile memory elements based on organic materials [ J]. Adv. Mater. ꎬ 2007ꎬ 19(11): 1452 1463. [ 4 ] KO S Hꎬ YOO C Hꎬ KIM T W. Electrical bistabilities and memory stabilities of organic bistable devices utilizing C 60 mole cules embedded in a polymethyl methacylate matrix with an Al 2 O 3 blocking layer [J]. J. Electrochem. Soc. ꎬ 2012ꎬ 159 (8):G93 G96. [ 5 ] LIU Gꎬ JIN Z Wꎬ ZHANG Z Gꎬ et al.. Realization of nonvolatile organic memory device without using semiconductor [ J]. Appl. Phys. Lett. ꎬ 2014ꎬ 104(2):023303. [ 6 ] LI J Tꎬ TANG A Wꎬ LI Xꎬ et al.. Negative differential resistance and carrier transport of electrically bistable devices based on poly( N vinylcarbazole) silver sulfide composites [ J]. Nanoscale Res. Lett. ꎬ 2014ꎬ 9(1):128 1 5. [ 7 ] RAMANA C V Vꎬ MOODLEY M Kꎬ KUMAR A B V Kꎬ et al.. Charge carrier transport mechanism based on stable low voltage organic bistable memory device [ J]. J. Nanosci. Nanotechnol. ꎬ 2015ꎬ 15(5):3934 3938. [ 8 ] ICHIKAWA Mꎬ YAMAMURA Kꎬ JE H Gꎬ et al.. Effects of volatile additives in solutions used to prepare polythio phene based thin film transistors [ J]. J. Appl. Phys. ꎬ 2011ꎬ 109(5):054504 1 6. [ 9 ] MEENA J Sꎬ CHU M Cꎬ WU C Sꎬ et al.. Highly reliable Si 3 N 4 HfO 2 stacked heterostructure to fully flexible poly (3 hex ylthiophene) thin film transistor [ J]. Org. Electron. ꎬ 2011ꎬ 12(8):1414 1421. [10] BERNARDI Mꎬ GIULIANINI Mꎬ GROSSMAN J C. Self assembly and its impact on interfacial charge transfer in carbon nanotube / solar cells [ J]. ACS Nanoꎬ 2010ꎬ 4(11):6599 6606. [11] KW Sꎬ SHIM Mꎬ LEE J Iꎬ et al.. Ultrahigh density array of CdSe nanorods for CdSe / polymer hybrid solar cells: en hancement in short circuit current density [ J]. J. Mater. Chem. ꎬ 2011ꎬ 21(33):12449 12453. [12] 沙 春 芳. RR 和 PCBM 混 合 薄 膜 中 的 长 寿 命 光 激 发 态 研 究 [J]. 光 子 学 报 ꎬ 2014ꎬ 43(5):0531003 1 6. SHA C F. Long lived photoexcitation in RR and PCBM blended films [ J]. Acta Photon. Sinicaꎬ 2014ꎬ 43(5): 0531003 1 6. ( in Chinese) [13] 姜 璐 璐 ꎬ 刘 海 瑞 ꎬ 李 梦 菲 ꎬ 等. 胆 甾 液 晶 应 用 于 PCBM 聚 合 物 光 伏 器 件 研 究 [J]. 液 晶 与 显 示 ꎬ 2015ꎬ 30(4): 596 601. JIANG L Lꎬ LIU H Rꎬ LI M Fꎬ et al.. Application of cholesteric liquid crystal in PCBM photovoltaic device [J]. Chin. J. Liq. Cryst. Disp. ꎬ 2015ꎬ 30(4):596 601. ( in Chinese) [14] PARK K Kꎬ JUNG J Hꎬ KIM T W. Memory effects and carrier transport mechanisms of write once read many times mem ory devices fabricated using poly(3 hexylthiophene) molecules embedded in a polymethylmethacrylate layer on a flexible substrate [ J]. Appl. Phys. Lett. ꎬ 2011ꎬ 98(19):193301 1 3. [15] QIU L Zꎬ LIM J Aꎬ WANG X Hꎬ et al.. Versatile use of vertical phase separation induced bilayer structures in organic thin film transistors [ J]. Adv. Mater. ꎬ 2008ꎬ 20(6):1141 1145. [16] SG W Sꎬ YANG H Yꎬ YOO C Hꎬ et al.. Memory stabilities and mechanisms of organic bistable devices with a phase separated poly ( methylmethacrylate ) / poly ( 3 hexylthiophene ) hybrid layer [ J]. Org. Electron. ꎬ 2012ꎬ 13 ( 11 ): 2485 2488. [17] LAI Y Cꎬ WANG Y Xꎬ HUANG Y Cꎬ et al.. Rewritableꎬ moldableꎬ and flexible sticker type organic memory on arbitrary substrates [ J]. Adv. Funct. Mater. ꎬ 2014ꎬ 24(10):1430 1438. [18] ZHANG Lꎬ YANG Dꎬ YANG S Yꎬ et al.. Solution processed based photodetector with field effect transistor config uration [ J]. Appl. Phys. Aꎬ 2014ꎬ 116(3):1511 1516. [19] YANG Yꎬ OUYANG Jꎬ MA Lꎬ et al.. Electrical switching and bistability in organic / polymeric thin films and memory de vices [ J]. Adv. Funct. Mater. ꎬ 2006ꎬ 16(8):1001 1014. [20] WUNDERLICH W. Physical Constants of Poly( methyl methacrylate) [ M]. London: John Wiley & Sonsꎬ Inc. ꎬ 2003. [21] LAMPERT M Aꎬ MARK P. Current Injection in Solids [M]. New York: Academic Pressꎬ 1970. [22] KAO K Cꎬ HWANG W. Electrical Transport in Solids: with Particular Reference to Organic Semiconductors [ M]. Oxford: Pergamon Pressꎬ 1981. [23] LIU C Yꎬ HOLMAN Z Cꎬ KORTSHAGEN U R. Hybrid solar cells from and silicon nanocrystals [J]. Nano Lett. ꎬ 2009ꎬ 9(1):449 452. [24] S D Iꎬ YOU C Hꎬ KIM W Tꎬ et al.. Electrical bistabilities and memory mechanisms of organic bistable devices based
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