概述 是集成了 40V 耐压 18mΩ 内阻 MOSFET 的同步整流二极管, 用于替换反激式转换器的整流二极管, 能够显著减少发热, 提升系 兼容 DCM 或 QR 反激转换器内部集成 18mΩ40V MOSFET 最大 100kHz 开关频率采用 SOP8 封装形式 统的转换效率 IC 通过检测集成 MOSFET 的源漏电压来决定其开关状态 能够兼容非连续或准谐振工作模式的反激转换器 应用 移动设备充电器 适配器 USB 插座 反激转换器 特点 引脚定义 PIN SYMBOL FUNCTION 1 NC 2 NC 3 SR Synchronous Input 4 VCC Supply Voltage 5,6 VD MOSFET Drain 7,8 GND Ground Page1-6
原理框图 SR PS ON det. 6V VD VCC -0.2V -12mV ON comp OFF comp Logic & Linear Driver UVLO 极限电气参数 SYMBOL NAME VALUE UNIT V CC VCC to GND Voltage -0.3~+7 V V SR SR to GND Voltage -0.7~+40 V V D VD to GND Voltage -0.7~+40 V F MAX Maximum Operating Frequency 100 KHz P TR1 Thermal Resistance(SOP8) Θ JA 150 /W T stg Storage Temperature -55 to 150 T solder Package Lead Soldering Temperature 260, 10s ESD Susceptibility HBM(Human Body Mode) 4 kv 注 : 超过额定参数所规定的范围将对芯片造成损害, 不能保证芯片在额定参数范围以外的工作状态 暴露在额定参数范围以外会影响芯片的可靠性 Page2-6
电性参数 ( 除特殊说明外, 以下参数均在 TA=25 C,VCC=6.0V 条件下测试 ) ITEMS SYMBOL CONDITIONS Min. Typ. Max. UNIT Input Supply VCCUVLO Rising V UVLO1 VCCraising 2.95 3.1 3.3 V VCC UVLO Hysteresis V UVLO2 VCCfalling 2.6 2.8 2.95 V Quiescent Current I Q VCC=SR=6V 200 400 600 µa Control Circuity Section Turn-on Threshold(V D -V S ) V ON_TH -300-200 -100 mv Turn-on Delay 80 ns Turn-off Threshold(V D -V S ) V OFF_TH -20-13 -4 mv Turn-off Delay 50 ns Driver Regulation Voltage V REG(DRV) -40-30 -22 mv Minimum ON Time T ON_MIN 500 640 900 ns Minimum OFF Time T OFF_MIN 1.3 1.8 2.5 us Primary-side On Detection Voltage V PS_ON_DET 5.5 6 6.5 V Primary-side On Detection Blank Time T PS_ON_DET 200 300 500 ns Power MOS Drain-to-Source Breakdown BV DSS 40 V On-resistor R DSON 17 20 mω 应用电路图 Page3-6
Synchronous Rectifier for Flyback and Quasi-Resonant 功能描述 能够支持 DCM 和 Quasi-Resonant 反激转换器, 能够提高系统统的效率 次级边导通时, 电流首先通过功率 MOSFET 的体体二极管, 电路检测到功率 MOSFET 的漏端电电压比其源端电压低约 0.2V 时, 立即打开功率 MOSFET, 降低系统的导通损耗 当 Ton 超过约 640ns 时, 功率 MOSFET 驱动的逻辑上拉会关闭, 而后线性驱动器介介入工作 当通过功率 MOSFET 的电流下降降使得漏端电压比源端电压低约 30mV 时, 线性驱动器便会会通过降低 MOSFET 的驱动电压 V DRIVER 使 MOSFET 的阻抗增大, 从而将 VD 端电压维持在 -30mV 左右 当电流接近 0 时, 线性驱动器的调节无法将 VD 电压继续维持在 -30mV, VD 电压会继续上升 当其电压达达到 -12mV 左右时, 芯片会立即通过逻辑将功功率 MOSFET 完全关断 功率 MOSFET 关闭后, 需要检测到 SR 端电压达到约 6V 以上, 且持续时间大于 0.3us 后, 才认为是一次有效的原边导通 ; 而后 SR 下降到 -0.2 后立刻打开 MOS 管 ; 如未未检测到有效的原边导通, 但 SR 仍低于 -0.2V, 则需要等待待大约 1.7us 后才打开 MOS 管 这样可以在一一定程度上避免因谐振干扰造成误动作 消隐功能 在功率 MOSFET 开启和关闭后都有消隐功能, 确保无论开关都都会持续一定时间 其中开 启消隐时间为 0.64us, 关闭消隐隐时间设定为 1.8us Page4-6 深圳市美达微电子科技有限公公司 0755-83221606 0755-84278007 13691753441
欠压保护功能 (UVLO) 当 VCC 降低到 V UVLO2 以下时, 电路处于睡眠模式,MOSFET 不会被打开 在系统上电后的一段时间, 由于 VCC 电压未达到 V UVLO1, 功率 MOSFET 不会被打开, 完全由功率 MOSFET 的体二极管进行续流, 直到 VCC 电压超过 V UVLO1, 芯片开始正常开关 Ordering Information Part Number Package Marking SOP8-EP XXXXX Package Outlines SOP8-EP E H θ L DETAIL A b 7 (4X) D C A2 A e y A1 DETAIL A SYMBOL MILLIMETER INCHES MIN NOM MAX MIN NOM MAX A - - 1.75 - - 0.069 A1 0.1-0.25 0.04-0.1 A2 1.25 - - 0.049 - - C 0.1 0.2 0.25 0.0075 0.008 0.01 D 4.7 4.9 5.1 0.185 0.193 0.2 E 3.7 3.9 4.1 0.146 0.154 0.161 H 5.8 6 6.2 0.228 0.236 0.244 L 0.4-1.27 0.015-0.05 b 0.31 0.41 0.51 0.012 0.016 0.02 Page5-6
e 1.27 BSC 0.050 BSC y - - 0.1 - - 0.004 θ 0 O - 8 O 0 O - 8 O Packing Information P W Package Type Carrier Width (W) Pitch (P) Reel Size(D) Packing Minimum SOP8-EP 12.0±0.1 mm 8.0±0.1 mm 330±1 mm 2500pcs Note: Carrier Tape Dimension, Reel Size and Packing Minimum Page6-6