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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

一 调研说明中商情报网全新发布的 Global and China Memory Industry Report, 2011 主要依据国家统计局 国家发改委 商务部 中国海关 国务院发展研究中心 行业协会 工商 税务 海关 国内外相关刊物的基础信息以及行业研究单位等公布和提供的大量资料, 结合深入的

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Microsoft Word - E121_coal.doc

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Microsoft PowerPoint [兼容模式]

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Microsoft Word - E108_computer.doc

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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行動電話面板產業

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Microsoft Word - C594_memory.doc

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

(Microsoft Word - 92\246~\263\370)

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Microsoft PowerPoint - =2011 [兼容模式]

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Microsoft PowerPoint - BXM023 [兼容模式]

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

Management2.0: Competitive Advantage through Business Model Design and Innovation

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Transcription:

2011 年全球内存行业研究报告 2011 年, 由于标准型 DRAM 成长乏力, 晶圆价格和出货量均下降 而平板电脑和 智能手机的兴起, 使得 Mobile DRAM 出货量的年复合增长速度达到 175%, 今年第一 季度 Mobile DRAM 已占到全球 DRAM 总产出的 15.6% 手机 Flash 的年复合增长率超过 70%, 内嵌式 Flash 市场占 Flash 市场的比重将由 2010 年的四成增长到六成以上 emmc 在移动设备领域大有前途 根据各大 DRAM 厂内存产品在 2011 年上半年的营收排名, 韩系厂商三星和海力士 稳居前两位 三星 DRAM 技术制程将由 3x 纳米进入到 2x 纳米,NAND Flash 技术制程由 27 纳米 进入 21 纳米 2011 年第一季度,DRAM NAND Flash 及 MCP 的销售收入分别占三星 内存总收入的 54.4% 4% 42.3% 及 33% 3.3% 受惠于 35 纳米产出占比大幅上升, 第二季度 三星内存市场份额超过 40% 在 Mobile DRAM 领域, 三星已经量产 30 纳米制程的低 功耗 LPDDR2 产品

海力士公司 DRAM 技术制程将由 44 纳米进入到 38 纳米,NAND Flash 技术制程由 26 纳米进入 20 纳米 2011 年第一季 度,DRAM NAND Flash 及 MCP 的销售收入分别占海力士内存总收入的 71.2% 19.7% 及 9.1% 海力士目前以 50nm 制程 生产 Mobile DRAM,2011 第二季开始将新增 3 万片的月产能, 年底计划将非 PC 的 DRAM 的比重提高到 60% 日系厂商东芝与 Sandisk 公司共同投资 NAND 晶圆厂, 当前采用 19nm 制程技术 尔必达 2011 年量产 30 纳米制程的 DRAM 产品 尔必达已将重心从标准型 DRAM 转向 Mobile DRAM, 并导入 30 纳米制程生产后者 Mobile DRAM 营收已占 尔必达 DRAM 营收 50% 以上 美光科技现行制程技术为 42 纳米,37 纳米处于样品测试阶段 2011 年第一季度,DRAM NAND Flash 及 NOR 的销 售收入分别占美光科技总收入的 47% 31% 及 19% Spansion 公司于 2010 年重组后, 专注于嵌入式内存领域,2011 年 Spansion 和三星同意交叉授权彼此的专利产品 台系厂商旺宏为全球最大的 Mask ROM 厂商及第四大 NOR Flash 制造商 2011 年第一季度, 其 ROM 技术制程以 65 纳米为主, 二季度 45 纳米将出样品 旺宏 NOR Flash 技术制程以 110 纳米为主, 二季度 75 纳米产品将大批量生产 旺宏 1Q11 ROM 营收比重占 41% NOR Flash 占 51% Foundry Business Group 占 8% 南亚科技 2011 年内存产量扩产到 6 万片, 其中 3 万片为 50/42nm 标准型内存, 另外 3 万片为特殊内存, 包含 Mobile DRAM 等产品

代工厂商华亚科技提供 DRAM 内存晶圆代工服务, 其客户为南亚科技与美光科技 2010 年 50 纳米制程产品产能 满载,2011 年导入 42 纳米 DRAM 产品 华邦科技 2011 年主要成长动力为 Nor Flash, 其中 Serial Nor Flash 占其 Flash 出货约 9 成 2011 年第一季度, Nor Flash 利基型 DRAM 及 Mobile DRAM 分别占华邦科技总收入的 31% 36% 及 28% 其 Mobile DRAM 客户主要为 Micron 与 Spansion

报告目录 第一章 全球及中国手机市场 1.1 全球手机市场规模 12 1.2 手机厂家市场占率 1.3 智能手机市场与产业 1.4 中国手机产业第二章 全球及中国平板电脑市场与产业 2.1 全球平板电脑市场规模 2.2 中国平板电脑市场 2.2.1 中国平板电脑价格分布 2.2.2 中国平板电脑操作系统与硬件 2.3 平板电脑组装与 ODM 3.1.2 内存市场规模 313DRAM 3.1.3 封测 3.1.4 Flash 封测 3.1.5 emmc 32DRAM 3.2 市场 3.2.1 DRAM 供给市场 3.2.2 DRAM 需求市场 323DRAM 3.2.3 市场竞争格局 3.3 Flash 市场现状第四章移动设备用内存行业 4.1 Mobile DRAM 产品及应用 4.2 Mobile DRAM 市场 4.2.1Mobile DRAM 市场规模 4.2.2 Mobile DRAM 应用市场 第三章内存产业及市场 3.1 内存行业概况 3.1.1 内存产品和技术 4.2.3 Mobile DRAM 厂商投产情况 4.3 移动设备用 Flash

第五章内存厂商 5.1 三星 5.2 海力士 5.3 东芝 5.4 尔必达 5.5 美光科技 5.6 飞索半导体 5.7 旺宏电子 5.8 华亚科技 5.9 华邦 5.10 力晶 5.11 茂德 5.12 南亚科技

2007-2014 年全球手机出货量 图表目录 2008 年 1 季度 -2011 年 1 季度每季度全球手机出货量与年度增幅 2007-2011 2011 年每季度 CDMA WCDMA 手机出货量 2010 年 1 季度 -2011 年 1 季度全球主要手机品牌出货量 2009 年 1 季度 -2010 年 3 季度全球主要手机品牌收入市场占有率 2009-2010 2010 年全球主要手机品牌出货量 2009 年 1 季度 -2010 年 4 季度全球五大手机厂家运营利润率 2010 年 3 季度全球智能手机操作系统出货量 2011 年 1 季度全球主要智能手机厂家市场占有率 2009-2012 年智能手机操作系统市场占有率 2010-2011 年全球主要手机厂家智能手机出货量 2000-20102010 年中国手机出口量与增幅 2002-2010 年中国手机出口额与增幅 2002-2010 年中国手机出口量与 ASP 2010 年中国手机产量地域分布 2008-2012 年 NETBOOK ipad 平板电脑出货量

2011-2012 年全球主要品牌平板电脑出货量 2010-2011 年主要内存厂商 DRAM 和 NAND 技术制程的发展 2003-2010 年 DRAM 产品演进 2005-2015 年内存市场规模及增长率 2005-2015 年内存市场规模 emmc 与普通 NAND chip 比较 2002-2011 年 DRAM 产业资本投资 2011 年全球 DRAM 晶圆投入 2007-2012 年 DRAM 晶圆厂数量 2000-2011 年 DRAM 晶圆厂建设及关闭数量 主要 DRAM 厂商的季度运营利润率 2000-2012 年 DRAM 出货量增速 DRAM fab model DRAM bit shipment model DRAM revenue model DRMA 应用容量 ( 分应用领域 ) 2005-2015F 2015F PC 出货量 ( 分产品 )) 2010 年 DRAM 报价及供需状况

2011 年 6 月 DRAM 合约价格 2010 年 6 月 -2011 年 6 月 DDR3 2Gb 现货报价 2006-2012 年标准型内存平均搭载容量及增长率 2005-2012 年 DRAM 市场规模及增长率 2005-2015 年 DRAM 市场规模 ( 分应用领域 ) DRAM 厂商 10Q3 及 11Q2 营收及市场份额 2005-2012 年 NOR 市场规模及增长率 全球 NOR Flash 厂商市场份额及排名 1Q11-2Q11NAND Flash 报价 2005-2012 年 NAND 市场规模及增长率 2008-2015 年 NAND 应用单位出货量 2008-2015 年 NAND 平均负载 ( 分应用领域 ) 2008-2015 年 NAND 市场需求 ( 分应用领域 ) 2008-2012 2012 年 NAND 需求市场 ( 分应用行业 ) 2004-2015 NAND Flash 投资支出 2000-2011 年 NAND 晶圆厂建设及关闭数量 NAND fab model NAND bit shipment model

NAND 应用市场需求 NAND ASP model 各内存厂商 NAND 收入 2008-2011F 全球 Flash 厂商市场份额 NAND 控制 IC 厂商一览 标准型 DRAM Mobile DRAM 的比较 DDR DDR2 与 DDR3 的比较 Mobile DRAM 大多以 MCP 为主再与 Chipset 做堆叠 Mobile DRAM 在 DRAM 市场中所占比重 2010 年典型高端智能手机规格 2006-2012 年智能手机存储器平均搭载容量及增长率 2006-2012 年平板电脑存储器平均搭载容量及增长率 主要 DRAM 厂商推出的 Mobile DRAM 产品 主要 DRAM 厂 Mobile DRAM 规格 DRAM 厂商 Mobile DRAM 市场份额 1Q09-4Q11 全球 Flash 供需市场 2005-2012F 2012F 内嵌式 Flash 出货比例 2009-2014F 手机用 Flash 出货量

e MMC Share of Total Flash Market e MMC Density Trend Mobile Handset Booting Architecture 各 NAND 大厂 emmc 品牌 2008-2010 SAMSUNG Sales and Profits 2008-2010 SAMSUNG Sales by Division 2008-2010 SAMSUNG Operating Profit by Division 2010Q1-2011Q4 SAMSUNG Memory Segment Sales by product 2010Q1-2011Q4 SAMSUNG DRAM shipments and asp per quarterly 2010Q1-2011Q4 SAMSUNG NAND shipments and asp per quarterly 2011 年 SAMSUNG 电子 DRAM 和 NAND 收入中苹果公司贡献情况 SAMSUNG MCP 技术路线 SAMSUNG Mobile DRAM and MCP Product SAMSUNG emmc Product 2007-2011 年海力士营收及毛利率 2010Q1-2011Q4 HYNIX Memory Segment Sales by product 2010Q1-2011Q4 2011Q4 HYNIX DRAM shipments and asp per quarterly 2010Q1-2011Q4 HYNIX NAND shipments and asp per quarterly

Q1/2010-Q1/2011 Hynix sales by application 2010Q1-2011Q4 HYNIX DRAM Sales by node 2010Q1-2011Q4 HYNIX NAND Sales by node HYNIX 手机用 MCP 内存型号解码 FY2004-FY2010 年 Toshiba 销售收入及净利润 FY2010 和 FY2012 东芝投资和研发支出 FY2007-FY2010 年 Toshiba 存储产品销售收入 NAND Flash Memory Product Toshiba emmc Product FY2006-FY2010 年尔必达营收及毛利率 FY2004-FY2010 年尔必达 DRAM 产品营收 尔必达 2011 财年资本支出 FY2003-FY2010 尔必达营收和净利润 2009-2010 2010 年尔必达营业收入 ( 分地区 ) 尔必达业务架构 尔必达 Mobile DDR/DDR2 DRAM Product FY2004-FY2011 FY2011 MICRON Sale and gross margin FY2006-FY2010Micron 收入结构 ( 分产品 )

FY2006-FY2010Micron 收入结构 ( 分应用领域 ) Micron 业务架构 FY2011Q1-Q3 Micron 营业收入 ( 分业务 ) Q3/FY09-Q3/FY11 MICRON R&D and SG&A Expenses Q1/FY10-Q3/FY11 MICRON Cash Flow From Operations 2004-2010 年 Spansion 收入与毛利率 2Q09-1Q11 Spansion 收入与毛利率 2Q10-1Q11Spansion 收入 ( 分应用行业 ) 2Q10-1Q11Spansion 收入 ( 分地区 ) 2003-2011 Macronix sales and gross margin 06/2009-06/2011 / Macronix sales per month Q1/2009-Q1/2011 Macronix gross margin Q1/2010 Q4/2010 Q1/2010 Macronix Quarterly Sales Breakdown by Products Q1/2010 Q4/2010 Q1/2010 Macronix Quarterly Quantity Breakdown by Products Q1/2010 Q4/2010 Q1/2010 Macronix Quarterly Sales Breakdown by Technology Q1/2006-Q1/2011 Macronix 8 Equivalent Wafer Out & Utilization Rate Q1/2006-Q1/2011 Q1/2011 Macronix ROM quantity index Q1/2009-Q1/2011 Macronix ROM Shipments by technology

Q1/2006-Q1/2011 Macronix NOR Flash quantity index Q1/2009-Q1/2011 Macronix NOR Flash Shipments by technology 2011Q1 Macronix NOR Flash breakdown 2004-2011 年华亚科技收入及毛利率 Q1/2010-Q1/2011 Inotera revenue and gross margin Q1/2010-Q1/2011 Inotera wafer shipments Q1/2010-Q1/2011 Inotera Quarterly Bit Shipments 2006-2010 年 Winbond 收入及毛利率 2Q09-1Q11 年 Winbond 收入和毛利率 1Q09-1Q11 年 Winbond 晶圆制程技术 2Q09-1Q11 Q 年 Winbond 营业收入结构 ( 分产品 ) 1Q09-2Q11 年华邦 12 吋晶圆产量 ( 分产品 ) 1Q2011-1Q2012Winbond 产品技术转移进程 2004-2010 2010 年 Powerchip 营业收入及毛利率 1Q2009-1Q2011 年 Powerchip 营业收入及毛利率 1Q2011-4Q2011 力晶 DRAM 和 Flash 研发进程 力晶 DRAM 产品参数 2004-2010 年 Promos 收入及毛利率

1Q2009-1Q2011 年 Promos 收入及毛利率 Promos MCP Product 2004-2010 年 Nanya 营业收入及毛利率 1Q2009-1Q2011 年 Nanya 营业收入及毛利率 2008-2012F 南亚科技 DRAM 销量及收入 2003-2011 年南亚科技资本支出 2010 年美光科技 尔必达 DRAM 制程成本比较 制程技术提升至 50nm 时节省的成本

购买报告 价格 电子版 : 8500 元电话 :010-8260.1561/62/63 1561/62/63 纸质版 : 9000 元传真 :010-8260.1570 页数 :135 页邮箱 :hanyue@waterwood.com.cn cn 发布日期 : 2011-08 网址 :www.pday.com.cn 链接 : http://www.pday.com.cn/htmls/report/201108/24511348.html 地址 : 北京市海淀区苏州街 18 号长远天地大厦 A2 座 1008 室

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