具有关断和参考旁路功能的 5 ma 1 ma 和 15 ma CMOS LDO 特性 : 极低的供电电流 ( 典型值 5 µa) 低压差 有 5 ma (TC114) 1 ma (TC115) 和 15 ma (TC116) 输出可供选择 高输出电压精度 标准或定制输出电压 节能关断工作模式 可进行超低噪声运行的参考旁路输入方式 过电流和过热保护 节省空间的 5 引脚 SOT-23A 封装 双极型稳压器引脚兼容的升级产品 标准输出电压选项 : - 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 和 5.V 应用 : 电池供电系统 便携式计算机 医疗设备 仪器仪表 蜂窝式 /GSM/PHS 电话 SMPS 后置线性稳压器 寻呼机 典型应用 V 1 IN V IN V 5 OUT 2 TC114 TC115 TC1185 GND + 1µF 概述 TC114/TC115/TC1185 是采用 CMOS 工艺制造的 具有高精度输出电压 ( 典型值 ±.5%) 的低压差稳压器, 是早期双极型 LDO 如 LP298 的升级产品 这些器件是专门为电池供电系统设计的, 其 CMOS 结构消除了被浪费掉的地电流, 从而显著延长了电池寿命 满载时总供电电流典型值为 5 µa, 较之双极型稳压器降低了 2 到 6 倍 该系列器件的主要特性包括超低噪声运行 ( 和可选的旁路输入方式 ) 快速响应负载阶跃变化以及满载时超低压差 其典型值为 85 mv (TC114),18 mv (TC115) 以及 27 mv(tc1185) 当关断控制引脚输入低电平时, 供电电流降至.5 µa( 最大值 ), 降至零伏 该系列器件还具有过热和过电流保护功能 TC114/TC115/TC1185 只需一个 1 µf 的输出电容即可稳定工作 其最大输出电流分别为 5 ma 1 ma 和 15 ma 如需输出电流能力更大的稳压器, 请参见 TC117 (DS21356) TC118 (DS21357) 和 TC1173 (DS21362)( 最大输出电流 I OUT = 3 ma) 数据手册 封装形式 5 引脚 SOT-23A 5 TC114 TC115 TC1185 Bypass 1 2 3 V IN GND 4 SHDN 注 :5 引脚 SOT-23A 等同于 EIAJ 的 SC-74A 3 SHDN Bypass 4 47 pf 参考旁路电容 ( 可选 ) 关断控制 ( 来自功耗控制逻辑 ) 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 1 页
1. 电气特性 绝对最大值 输出电压...6.5V 输出电压...(-.3V) 至 (V IN +.3V) 功耗... 内部限制 ( 注 7) 任一引脚的最大输入电压... V IN +.3V 至 -.3V 工作温度范围... -4 C < T J < 125 C 储存温度... -65 C 至 +15 C 注意 : 如果器件工作条件超过上述 绝对最大值, 可能会对器件造成永久性损坏 上述值仅为运行条件极大值, 我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行 器件长时间工作在最大值条件下, 其稳定性会受到影响 TC114/TC115/TC1185 电气规范 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数符号最小值典型值最大值单位器件测试条件输入工作电压 V IN 2.7 6. V 注 1 最大输出电流 I OUTMAX 5 1 15 ma TC114 TC115 TC1185 输出电压 V R 2.5% V R ±.5% V R + 2.5% V 注 2 温度系数 TC 2 4 ppm/ C 注 3 线性稳定度 / V IN.5.35 % (V R + 1V) V IN 6V 负载稳定度 / 压差 V IN -.5.5 2 65 85 18 27 2 3 12 25 4 % TC114, TC115 TC1185 mv TC115, TC1185 TC1185 I L =.1 ma 至 I OUTMAX I L =.1 ma 至 I OUTMAX ( 注 4) I L = 1 ma I L = 2 ma I L = 5 ma I L = 1 ma I L = 15 ma ( 注 5) 供电电流 ( 注 8) I IN 5 8 µa SHDN = V IH, I L = 关断状态下的供电电流 I INSD.5.5 µa SHDN = V 电源抑制比 PSRR 64 db F RE 1kHz 输出短路电流 I OUTSC 3 45 ma = V 热稳定度 / P D.4 V/W 注 6 和 7 管芯热关断温度 T SD 16 C 热关断迟滞 T SD 1 C 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 或 5.V 3: TC = (MAX MIN )x 1 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1. ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 1 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 5. 节 散热考虑 8: 适用结温为 -4 C 到 +85 C DS21335D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.
TC114/TC115/TC1185 电气规范 ( 续 ) 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数符号最小值典型值最大值单位器件测试条件 输出噪声 en 6 nv/ Hz I L = I OUTMAX, F = 1 khz 旁路引脚和接地端 GND 之间接有 47 pf 的电容 SHDN 输入 SHDN 输入高电压门限值 V IH 45 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V SHDN 输入低电压门限值 V IL 15 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.V 3.3V 3.6V 4.V 或 5.V 3: TC = (MAX MIN )x 1 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1. ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 1 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 5. 节 散热考虑 8: 适用结温为 -4 C 到 +85 C 温度特性 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 1 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 -4 C 到 +125 C 的情况 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 器件 温度范围扩展温度范围 T A -4 +125 C 工作温度范围 T A -4 +125 C 储存温度范围 T A -65 +15 C 封装热阻 5 引脚 SOT-23 热阻 θ JA 256 C/W 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 3 页
2. 典型性能曲线 注 : 以下图表来自有限数量样本的统计结果, 仅供参考 所列出的性能特性未经测试, 不做任何保证 一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 例如, 超出了规定的电源电压范围 ), 因此不在担保范围内 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 DROPOUT VOLTAGE (V).2.18.16.14.12.1.8.6.4.2. Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA -4-2 2 5 7 125 TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V).1.9.8.7.6.5.4.3.2.1. Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 5mA -4-2 2 5 7 125 TEMPERATURE ( C) 图 2-1: 压差 温度曲线 图 2-4: 压差 温度曲线 DROPOUT VOLTAGE (V).2.18.16.14.12.1.8.6.4.2. Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA -4-2 2 5 7 125 TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V).3.25.2.15.1.5. Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 15mA -4-2 2 5 7 125 TEMPERATURE ( C) 图 2-2: 压差 温度曲线 图 2-5: 压差 温度曲线 GND CURRENT (µa) 9 8 7 6 5 4 3 2 1 Ground Current vs. V IN.5.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) = 3.3V I LOAD = 1mA GND CURRENT (µa) 9 8 7 6 5 4 3 2 1 Ground Current vs. V IN.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) = 3.3V I LOAD = 1mA 图 2-3: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-6: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 DS21335D_CN 第 4 页 26 Microchip Technology Inc.
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 8 7 = 3.3V I LOAD = 15mA Ground Current vs. V IN 3.5 3 = 3.3V I LOAD = vs. V IN GND CURRENT (µa) 6 5 4 3 2 1.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) (V) 2.5 2 1.5 1.5.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 V IN (V) 图 2-7: 地电流 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-1: 输出电压 ( ) 输入电压 (V IN ) 曲线 (V) 3.5 3. 2.5 2. 1.5 1..5. IV LOAD OUT = 3.3V 1mA I LOAD = 1mA vs. V IN.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 V IN (V) (V) 3.32 3.315 3.31 3.35 3.3 3.295 3.29 3.285 3.28 3.275 Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 1mA V IN = 4.3V -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) 图 2-8: 输出电压 ( ) 输入电压 (V IN ) 曲线 图 2-11: 输出电压 ( ) 温度曲线 3.29 3.288 3.286 Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 15mA (V) 3.284 3.282 3.28 3.278 3.276 3.274 图 2-9: V IN = 4.3V -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) 输出电压 ( ) 温度曲线 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 5 页
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 (V) 5.25 5.2 5.15 5.1 5.5 5. 4.995 4.99 4.985 Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 1mA V IN = 6V -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) (V) 4.994 4.992 4.99 4.988 4.986 4.984 4.982 4.98 4.978 4.976 4.974 Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 15mA V IN = 6V -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) 图 2-12: 输出电压 ( ) 温度曲线 图 2-14: 输出电压 ( ) 温度曲线 GND CURRENT (µa) 7 6 5 4 3 2 1 = 5V I LOAD = 1mA V IN = 6V I GND vs. Temperature -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) GND CURRENT (µa) 8 7 6 5 4 3 2 1 = 5V I LOAD = 15mA V IN = 6V I GND vs. Temperature -4-2 -1 2 4 85 125 TEMPERATURE ( C) 图 2-13: I GND 温度曲线 图 2-15: I GND 温度曲线 NOISE (µv/ Hz) 1. 1..1 Output Noise vs. Frequency R LOAD = 5Ω C BYP =..1K.1K 1K 1K 1K 1K FREQUENCY (Hz) C OUT ESR (Ω) Stability Region vs. Load Current 1 to 1µF 1 1 1.1 Stable Region.1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 1 LOAD CURRENT (ma) PSRR (db) Power Supply Rejection Ratio -3 I OUT = 1mA -35 V INDC = 4V -4 V INAC = 1mVp-p V -45 OUT = 3V C IN = -5-55 -6-65 -7-75 -8.1K.1K 1K 1K 1K 1K FREQUENCY (Hz) 图 2-16: 交流特性曲线 DS21335D_CN 第 6 页 26 Microchip Technology Inc.
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Measure Rise Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 448µS Measure Rise Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 184µS V SHDN V SHDN 图 2-17: 带旁路电容的 3.3V 平均上升时间 图 2-19: 不带旁路电容的 3.3V 平均上升时间 Measure Fall Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 5mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 1µS Measure Fall Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 52µS V SHDN V SHDN 图 2-18: 带旁路电容的 3.3V 平均下降时间 图 2-2: 不带旁路电容的 3.3V 平均下降时间 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 7 页
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Measure Rise Time of 5.V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 39µS Measure Rise Time of 5.V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 192µS V SHDN V SHDN 图 2-21: 带旁路电容的 5.V 平均上升时间 图 2-23: 不带旁路电容的 5.V 平均上升时间 Measure Fall Time of 5.V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 47pF, I LOAD = 5mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 167µS Measure Fall Time of 5.V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = pf, I LOAD = 1mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 88µS V SHDN V SHDN 图 2-22: 带旁路电容的 5.V 平均下降时间 图 2-24: 不带旁路电容的 5.V 平均下降时间 DS21335D_CN 第 8 页 26 Microchip Technology Inc.
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C I LOAD = 5mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD = 1mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD I LOAD 图 2-25: 3.3V LDO 的负载稳定度 图 2-27: 3.3V LDO 的负载稳定度 Load Regulation of 3.3V LDO Line Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 47pF, V IN = +.25V, Temp = 25 C Conditions: V IN = 4V, + 1V Squarewave @2.5kHz I LOAD = 15mA switched in at 1kHz, is AC coupled I LOAD V IN C IN = µf,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA, V IN & are AC coupled 图 2-26: 3.3V LDO 的负载稳定度 图 2-28: 3.3V LDO 的负载稳定度 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 9 页
典型性能曲线 ( 续 ) 注 : 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下得到的 Line Regulation of 5.V LDO Conditions: V IN = 6V, + 1V Squarewave @2.5kHz Thermal Shutdown Response of 5.V LDO Conditions: V IN = 6V, C IN = µf, V IN C IN = µf,, C BYP = 47pF, I LOAD = 1mA, V IN & are AC coupled I LOAD was increased until temperature of die reached about 16 C, at which time integrated thermal protection circuitry shuts the regulator off when die temperature exceeds approximately 16 C. The regulator remains off until die temperature drops to approximately 15 C. 图 2-29: 5.V LDO 的线路稳定度图 2-3: 5.V LDO 的热关断响应 DS21335D_CN 第 1 页 26 Microchip Technology Inc.
3. 引脚说明 表 3-1 列出了引脚说明 表 3-1: 引脚功能表 引脚编号 (5 引脚 SOT-23A) 符号 说明 1 V IN 非稳压输入电压 2 GND 接地端 3 SHDN 关断控制输入 向该输入引脚施加逻辑高电平可充分使能稳压器 向该输入引脚施加逻辑低电平则关断稳压器 在关断期间, 输出电压跌落到零, 供电电流减小到.5 µa ( 最大值 ) 4 Bypass 参考旁路输入端 在该输入端上外接一个 47 pf 的电容可进一步降低输出噪声 5 稳压后的输出电压 3.1 输入电压 (V IN ) 将 V IN 引脚连接到非稳压源电压 如同所有低压差线性稳压器一样, 要使 LDO 稳定工作, 源阻抗必须很低 保证低源阻抗的电容容量取决于与输入源阻抗的距离或电池类型 对于大多数应用, 1. µf 电容可保证 LDO 电路的稳定工作 所使用的电容可以是陶瓷电容 钽电容或铝电解电容 由于陶瓷电容的等效串联电阻 (Effective Series Resistance, ESR) 很低, 因此其在高频时产生的噪声较小, 电源纹波抑制 (Power Supply Ripple Rejection, PSRR) 性能也较好 3.2 接地端 (GND) 将接地引脚连接到输入电压返回端 为了获得最佳的噪声和 PSRR 性能, 应将 LDO 的 GND 引脚连接到较安静的电路接地端 若应用中有输入开关或噪声, 应将 GND 引脚连接到输出电容的返回端 由于地平面有助于降低因快速的瞬态负载电流引起的电感和电压尖峰, 因此建议在会受到快速负载瞬态现象影响的应用中使用地平面 3.4 旁路 将一个低容量陶瓷电容连接到旁路引脚可进一步减小 LDO 的输出电压噪声并改善其 PSRR 性能 电容容量可大可小, 但当 LDO 的输入通电时, 它将影响 LDO 输出电压的上升速度 旁路电容越大, 输出电压上升越缓慢 3.5 输出电压 ( ) 将输出负载连接到 LDO 的 同时将 LDO 输出电容的一端连接在尽量靠近 引脚的地方 3.3 关断 (SHDN) 关断输入用于将 LDO 打开和关闭 当 SHDN 引脚为逻辑高电平时, LDO 输出被使能 当 SHDN 引脚被拉至逻辑低电平时,LDO 输出被禁止 输出被禁止时,LDO 消耗的静态电流低于.5 µa ( 最大值 ) 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 11 页
4. 详细说明 TC114 TC115 和 TC1185 是输出电压固定的高精度稳压器 ( 如需输出电压可调的产品, 见 TC17 TC171 和 TC1187 数据手册 (DS21353)) 与双极型稳压器不同,TC114 TC115 和 TC1185 的供电电流并不随负载电流的上升而升高 此外, 使用 1 µf 的电容即可使 LDO 的输出电压在整个规定输入电压和输出电流范围内保持稳定 图 4-1 给出了一个典型应用电路 每当关断控制输入引脚 (SHDN) 上的电平等于或高于 V IH 时, 稳压器就被使能 ; 当 SHDN 上的电平等于或低于 V IL 时, 稳压器被关断 ( 禁止 ) 用户可采用 CMOS 逻辑门电路或单片机的 I/O 端口来控制 SHDN 引脚的电平 如果不需要关断功能, 应将 SHDN 引脚直接连接到电源输入端 处于关断模式时, 供电电流降至.5 µa( 典型值 ) 而 降至零伏 V IN V + OUT 1µF TC114 + + TC115 1µF 电池 TC1185 GND 4.1 旁路输入 在旁路输入端和地之间接入一个 47 pf 的电容可降低内部参考电平上的噪声, 同时又反过来大大降低了输出噪声 如果输出噪声无关紧要, 可将旁路输入端悬空 可以使用更大的电容, 但是在最初接通电源之后需要更长的时间才能达到额定输出电压 4.2 输出电容 需要在 和地之间接入一个 1 µf ( 最小值 ) 的电容 输出电容的等效串联电阻的阻值应介于.1Ω 和 5Ω 之间 4.3 输入电容 如果稳压器和交流滤波电容之间的连接导线超过 1 英寸或者使用电池作为电源, 则应该在 V IN 和 GND 之间接入一个 1 µf 的电容 可以选用铝电解电容或钽电容 ( 由于许多铝电解电容的电解液在 -3 C 左右时会冻结, 所以在工作温度低于 -25 C 的应用中建议使用固态钽电容 ) 当不使用电池作为电源时, 提高输入和输出电容值并使用无源滤波技术可以改善电源噪声抑制和瞬态响应 SHDN Bypass 关断控制 ( 至 CMOS 逻辑或不使用时连接到 V IN ) 47 pf 参考旁路电容 ( 可选 ) 图 4-1: 典型应用电路 DS21335D_CN 第 12 页 26 Microchip Technology Inc.
5. 散热考虑 5.1 热关断 当管芯温度超过 16 C 时, 集成的热保护电路将关断稳压器 稳压器保持关断状态直到管芯温度跌落到 15 C 左右 5.2 功耗 稳压器的功率耗散主要是输入电压 输出电压以及输出电流的函数 下面的公式用于计算最坏情况下的实际功耗 : 公式 5-1: P D ( V INMAX MIN )I LOADMAX 其中 : P D = 最坏情况下的实际功耗 V INMAX = V IN 引脚上的最大电压 MIN = 稳压器输出的最小电压 I LOADMAX = 最大输出 ( 负载 ) 电流 最大允许功耗 ( 公式 5-2) 是最大环境温度 (T AMAX ) 最大允许管芯温度 (T JMAX ) 和结点与空气间热阻 (θ JA ) 的函数 5 引脚 SOT-23A 封装的 θ JA 约为 22 C/ 瓦特 公式 5-2: ( T JMAX T AMAX ) P DMAX = ------------------------------------------- θ JA 其中所有参数的定义如前 公式 5-1 和公式 5-2 可联用, 以确保稳压器在允许的温度范围内工作 例如 : 给定 : V INMAX = 3.V +1% MIN = 2.7V 2.5% I LOADMAX = 4 ma T JMAX = 125 C T AMAX = 55 C 可求得 :1. 实际功耗 2. 最大允许功耗实际功耗 : P D (V INMAX MIN )I LOADMAX = [(3. x 1.1) (2.7 x.975)]4 x 1 3 = 26.7 mw 最大允许功耗 : 在该例中, TC114 最大功耗为 26.7 mw, 远小于最大允许功耗 318 mw 可用类似的方式, 使用公式 5-1 和公式 5-2 来计算最大电流和 / 或输入电压极限值 5.3 布局注意事项 ( T JMAX T AMAX ) P DMAX = ------------------------------------------- θ JA = ( ------------------------- 125 55) 22 = 318 mw 将芯片的热量向外传导的主要途径是通过封装的引脚 因此, 具有接地层 焊垫走线较宽以及电源线较宽的布局都有助于降低 θ JA, 从而提高最大允许功耗 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 13 页
6. 封装信息 6.1 封装标识信息 1 2 3 4 和 表示器件编号以及温度范围和电压 表示年份和双月时段代码 表示批次 ID 编号 表 6-1: (V) TC114 编号 器件编号代码和电压 TC115 编号 TC1185 编号 1.8 AY BY NY 2.5 A1 B1 N1 2.6 NB BT NT 2.7 A2 B2 N2 2.8 AZ BZ NZ 2.85 A8 B8 N8 3. A3 B3 N3 3.3 A5 B5 N5 3.6 A9 B9 N9 4. A B N 5. A7 B7 N7 6.2 卷带形式 5 引脚 SOT-23A(EIAJ SC-74A) 器件的元件进带方向 用户进给方向 器件标识 W PIN 1 P 后缀为 713 的器件标准卷带式元件进带方向 ( 标识右侧向上 ) 载带 每卷元件数量和卷带尺寸 : 封装 载带宽度 (W) 间距 (P) 每卷元件数量 卷带尺寸 5 引脚 SOT-23A 8 mm 4 mm 3 7 英寸 DS21335D_CN 第 14 页 26 Microchip Technology Inc.
5 引脚塑料小外形晶体管 (SOT-23) E E1 B p p1 D n 1 α c A A2 β φ L A1 引脚数 引脚间距 外侧引脚间距 ( 基本 ) 总高度 塑模封装厚度 悬空间隙 总宽度 塑模封装宽度 总长度 底足长度 底足倾斜角 引脚厚度 引脚宽度 塑模顶部锥度 塑模底部锥度 单位 尺寸范围 n p p1 A A2 A1 E E1 D L f c B a b 最小.35.35..12.59.11.14.4.14 英寸 * * 控制参数注 : 尺寸 D 和 E1 不包括塑模的毛边或突起 塑模每侧的毛边或突起不得超过.5 英寸 (.127 毫米 ) 等同于 EIAJ:SC-74A 图号 C4-91 正常.38.75.46.43.3.11.64.116.18.6.17 5 5 5 5 最大.57.51.6.118.69.122.22 1.8.2 1 1 最小.9.9. 2.6 1.5 2.8.35.9.35 毫米 正常.95 1.9 1.18 1.1.8 2.8 1.63 2.95.45.15.43 5 5 5 5 修订于 9-12-5 最大 1.45 1.3.15 3. 1.75 3.1.55 1.2.5 1 1 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 15 页
注 : DS21335D_CN 第 16 页 26 Microchip Technology Inc.
附录 A: 版本历史 版本 D (26 年 4 月 ) 从引脚功能表中删除了关于 SHDN 引脚说明的 ERROR 开路 字样 在引脚功能表中增加了引脚排列说明 更换了第 4. 节详细说明中的措辞 增加了第 4.3 节输入电容 版本 C (26 年 1 月 ) 将封装标识章节中卷带形式图中的后缀 TR 更改为 713 版本 B (22 年 5 月 ) 将 Telcom 数据手册转化为 Microchip 标准模拟产品手册 版本 A (21 年 2 月 ) Telcom 发布的本文档初始版本 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 17 页
注 : DS21335D_CN 第 18 页 26 Microchip Technology Inc.
产品标识体系 欲订货或获取价格 交货等信息, 请与我公司生产厂或销售办事处联系 器件编号 -XX X 器件 器件 : 输出电压 温度范围 输出电压 : XX = 1.8V XX = 2.5V XX = 2.6V XX = 2.7V XX = 2.8V XX = 2.85V XX = 3.V XX = 3.3V XX = 3.6V XX = 4.V XX = 5.V XXXX 封装 TC114: 带关断功能和 V REF 旁路的 5 ma LDO TC115: 带关断功能和 V REF 旁路的 1 ma LDO TC1185: 带关断功能和 V REF 旁路的 15 ma LDO 示例 : a) TC114-1.8VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC114-2.85VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.85V, 卷带式 c) TC114-3.3VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 3.3V, 卷带式 a) TC115-1.8VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC115-2.85VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.85V, 卷带式 c) TC115-3.VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 3.V, 卷带式 a) TC1185-1.8VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 1.8V, 卷带式 b) TC1185-2.8VCT713: 5 引脚 SOT-23-A, 2.8V, 卷带式 温度范围 : V = -4 C 至 +125 C 封装 : CT713 = 塑料小外形晶体管 (SOT-23), 5 引脚, 卷带式 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 19 页
注 : DS21335D_CN 第 2 页 26 Microchip Technology Inc.
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab In-Circuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor Mindi MiWi MPASM MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 26, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 位于俄勒冈州 Gresham 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部 设计中心和晶圆生产厂均通过了 ISO/TS-16949:22 认证 公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS-16949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 91:2 认证 26 Microchip Technology Inc. DS21335D_CN 第 21 页
全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 Tel: 1-48-792-72 Fax: 1-48-792-7277 技术支持 : http://support.microchip.com 网址 :www.microchip.com 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: 1-77-64-34 Fax: 1-77-64-37 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: 1-774-76-87 Fax: 1-774-76-88 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: 1-63-285-71 Fax: 1-63-285-75 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: 1-972-818-7423 Fax: 1-972-818-2924 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: 1-248-538-225 Fax: 1-248-538-226 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: 1-765-864-836 Fax: 1-765-864-8387 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: 1-949-462-9523 Fax: 1-949-462-968 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: 1-65-215-1444 Fax: 1-65-961-286 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: 1-95-673-699 Fax: 1-95-673-659 中国 - 北京 Tel: 86-1-8528-21 Fax: 86-1-8528-214 中国 - 成都 Tel: 86-28-8676-62 Fax: 86-28-8676-6599 中国 - 福州 Tel: 86-591-875-356 Fax: 86-591-875-3521 中国 - 香港特别行政区 Tel: 852-241-12 Fax: 852-241-3431 中国 - 青岛 Tel: 86-532-852-7355 Fax: 86-532-852-725 中国 - 上海 Tel: 86-21-547-5533 Fax: 86-21-547-566 中国 - 沈阳 Tel: 86-24-2334-2829 Fax: 86-24-2334-2393 中国 - 深圳 Tel: 86-755-823-266 Fax: 86-755-823-176 中国 - 顺德 Tel: 86-757-2839-557 Fax: 86-757-2839-5571 中国 - 武汉 Tel: 86-27-598-53 Fax: 86-27-598-5118 中国 - 西安 Tel: 86-29-8833-725 Fax: 86-29-8833-7256 台湾地区 - 高雄 Tel: 886-7-536-4818 Fax: 886-7-536-483 台湾地区 - 台北 Tel: 886-2-25-661 Fax: 886-2-258-12 台湾地区 - 新竹 Tel: 886-3-572-9526 Fax: 886-3-572-6459 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: 61-2-9868-6733 Fax: 61-2-9868-6755 印度 India - Bangalore Tel: 91-8-4182-84 Fax: 91-8-4182-8422 印度 India - New Delhi Tel: 91-11-516-8631 Fax: 91-11-516-8632 印度 India - Pune Tel: 91-2-2566-1512 Fax: 91-2-2566-1513 日本 Japan - Yokohama Tel: 81-45-471-6166 Fax: 81-45-471-6122 韩国 Korea - Gumi Tel: 82-54-473-431 Fax: 82-54-473-432 韩国 Korea - Seoul Tel: 82-2-554-72 Fax: 82-2-558-5932 或 82-2-558-5934 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: 6-4-646-887 Fax: 6-4-646-586 菲律宾 Philippines - Manila Tel: 63-2-634-965 Fax: 63-2-634-969 新加坡 Singapore Tel: 65-6334-887 Fax: 65-6334-885 泰国 Thailand - Bangkok Tel: 66-2-694-1351 Fax: 66-2-694-135 奥地利 Austria - Wels Tel: 43-7242-2244-399 Fax: 43-7242-2244-393 丹麦 Denmark - Copenhagen Tel: 45-445-2828 Fax: 45-4485-2829 法国 France - Paris Tel: 33-1-69-53-63-2 Fax: 33-1-69-3-9-79 德国 Germany - Munich Tel: 49-89-627-144- Fax: 49-89-627-144-44 意大利 Italy - Milan Tel: 39-331-742611 Fax: 39-331-466781 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: 31-416-69399 Fax: 31-416-6934 西班牙 Spain - Madrid Tel: 34-91-78-8-9 Fax: 34-91-78-8-91 英国 UK - Wokingham Tel: 44-118-921-5869 Fax: 44-118-921-582 2/16/6 DS21335D_CN 第 22 页 26 Microchip Technology Inc.