具有关断和参考旁路功能的 50 ma 100 ma 和 150 ma CMOS LDO 特性 : 极低的供电电流 ( 典型值 50 µa) 超低压差 有 50 ma (TC1014) 100 ma (TC1015) 和 150 ma (TC1016) 输出可供选择 高输出电压精度 标准或定制输出电压 节能关断工作模式 可进行超低噪声运行的参考旁路输入方式 过电流和过热保护 节省空间的 5 引脚 SOT23A 封装 双极型稳压器引脚兼容的升级产品 应用领域 : 电池供电系统 便携式计算机 医疗设备 仪器仪表 蜂窝式 /GSM/PHS 电话 SMPS 后置线性稳压器 寻呼机 器件选择表 器件编号封装结温范围 TC1014xxVCT 5 引脚 SOT23A 40 C 至 +125 C TC1015xxVCT 5 引脚 SOT23A 40 C 至 +125 C TC1185xxVCT 5 引脚 SOT23A 40 C 至 +125 C 注 : xx 表示输出电压 可选用的输出电压有 :1.8 2.5 2.6 2.7 2.8 2.85 3.0 3.3 3.6 4.0 和 5.0V 封装形式 还可获得其他输出电压 欲知详情请联系 Technology Inc. 5 SOT23A 5 TC1014 TC1015 TC1185 Bypass 4 1 2 3 Microchip V IN GND SHDN 注 : 5 引脚 SOT23A 封装形式等同于 EIAJ 的 SC74A 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 1 页
概述 TC1014/TC1015/TC1185 是采用 CMOS 工艺制造的 具有高精度输出电压 ( 典型值 ±0.5%) 的低压差稳压器, 是早期双极型 LDO 如 LP2980 的升级产品 这些器件是专门为电池供电系统设计的, 其 CMOS 结构消除了被浪费掉的地电流, 从而显著延长了电池寿命 满载时总供电电流典型值为 50 µa, 较之双极型稳压器降低了 20 到 60 倍 该系列器件的主要特性包括超低噪声运行 ( 和可选的旁路输入方式 ) 快速响应负载阶跃变化以及满载时超低压差 其典型值为 85 mv (TC1014),180 mv (TC1015) 以及 270 mv(tc1185) 当关断控制引脚输入低电平时, 供电电流降至 0.5 µa( 最大值 ), 降至零伏 该系列器件还具有过热和过电流保护功能 TC1014/TC1015/TC1185 只需一个 1 µf 的输出电容即可稳定工作 最大输出电流分别为 50 ma 100 ma 和 150 ma 如需输出电流能力更大的稳压器, 请参见 TC1107/TC1108/TC1173( 最大输出电流 I OUT = 300 ma) 数据手册 典型应用 V 1 IN V IN V 5 OUT 2 3 TC1014 TC1015 TC1185 GND SHDN Bypass 4 + 1 µf 470 pf DS21335C_CN 第 2 页 2006 Microchip Technology Inc.
1.0 电气特性 绝对最大值 * 输入电压... 6.5V 输出电压... 0.3V 至 (V IN + 0.3V) 功耗... 内部限制 ( 注 7) 任一引脚的最大输入电压... V IN + 0.3V 至 0.3V 工作温度范围...40 C < T J < 125 C 储存温度... 65 C 至 +150 C * 如果器件工作条件超过上述 绝对最大值, 可能会对器件造成永久性损坏 上述值仅为运行条件极大值, 我们不建议器件在该规范规定的范围以外运行 器件长时间工作在最大值条件下, 其稳定性会受到影响 表 11: TC1014/TC1015/TC1185 电气规范 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 100 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 40 C 到 +125 C 的情况 符号参数最小值典型值最大值单位器件测试条件 V IN 输入工作电压 2.7 6.0 V 注 1 I OUTMAX 最大输出电流 50 100 150 ma TC1014 TC1015 TC1185 输出电压 V R 2.5% V R ±0.5% V R + 2.5% V 注 2 TC 温度系数 20 40 ppm/ C 注 3 / V IN 线性稳定度 0.05 0.35 % (V R + 1V) V IN 6V / 负载稳定度 V IN 压差 0.5 0.5 2 65 85 180 270 2 3 120 250 400 % TC1014, TC1015 TC1185 mv TC1015, TC1185 TC1185 I L = 0.1mA 至 I OUTMAX I L = 0.1mA 至 I OUTMAX ( 注 4) I L = 100 µa I L = 20 ma I L = 50 ma I L = 100 ma I L = 150 ma ( 注 5) I IN 供电电流 ( 注 8) 50 80 µa SHDN = V IH, I L = 0 I INSD 关断状态下的供电电流 0.05 0.5 µa SHDN = 0V PSRR 电源抑制比 64 db F RE 1kHz I OUTSC 输出短路电流 300 450 ma = 0V / P D 热稳定度 0.04 V/W 注 6 和注 7 T SD 管芯热关断温度 160 C T SD 热关断迟滞 10 C 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.0V 3.3V 3.6V 4.0V 或 5.0V 3: TC = (MAX MIN )x 10 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1.0 ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 10 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 4.0 节 散热考虑 8: 适用结温为 40 C 到 +85 C 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 3 页
表 11: TC1014/TC1015/TC1185 电气规范 ( 续 ) 电气特性 : 除非另外声明, 否则 V IN = V R + 1V, I L = 100 µa, C L = 3.3 µf, SHDN > V IH, T A = 25 C 粗体参数值适用于结温为 40 C 到 +125 C 的情况 符号参数最小值典型值最大值单位器件测试条件 en 输出噪声 600 nv/ Hz I L = I OUTMAX 且 F = 10 khz 旁路引脚和接地端 GND 之间接有 470 pf 的电容 SHDN 输入 V IH SHDN 输入高电压门限值 45 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V V IL SHDN 输入低电压门限值 15 %V IN V IN = 2.5V 至 6.5V 注 1: 最小 V IN 必须满足两个条件 :V IN 2.7V 和 V IN V R + V DROPOUT 2: V R 是稳压器输出电压设定值 例如 :V R = 1.8V 2.5V 2.6V 2.7V 2.8V 2.85V 3.0V 3.3V 3.6V 4.0V 或 5.0V 3: TC = (MAX MIN )x 10 6 x T 4: 电压稳定度是在器件结温恒定时通过低占空比脉冲测试进行测量的 负载稳定度是在 1.0 ma 至规定的最大输出电流的范围内测得的 由热效应引起的输出电压变化在热稳定度规范中述及 5: 电压差定义为输出电压比其标称值低 2% ( 压差 1V) 时输入 输出电压的差值 6: 热稳定度定义为在功耗发生变化后的一段时间 T 内输出电压的变化 ( 排除负载或线性稳定度的影响 ) 该特性参数是在 V IN = 6V 时, 电流脉冲幅值为 I LMAX 以及持续时间 T = 10 ms 条件下测得的 7: 最大允许功耗是环境温度 最大允许结温和结点与空气间热阻 ( 即 T A T J 和 θ JA ) 的函数 超过最大允许功耗会导致器件触发热关断操做 更多详细信息请参见第 4.0 节 散热考虑 8: 适用结温为 40 C 到 +85 C DS21335C_CN 第 4 页 2006 Microchip Technology Inc.
2.0 引脚说明 表 21 列出了引脚说明 表 21: 引脚功能表 引脚编号 (5 引脚 SOT23A) 符号 说明 1 V IN 稳压前的输入电压 2 GND 接地端 3 SHDN 关断控制输入 向该输入引脚施加逻辑高电平可充分使能稳压器 向该输入引脚施加逻辑低电平则关断稳压器 在关断期间, 输出电压跌落到零,ERROR 引脚开路, 供电电流减小到 0.5 µa ( 最大值 ) 4 Bypass 参考旁路输入端 在该输入端上外接一个 470 pf 的电容可进一步降低输出噪声 5 稳压后的输出电压 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 5 页
3.0 详细说明 TC1014/TC1015/TC1185 是高精度输出电压固定的稳压器 ( 如需输出电压可调的产品, 见 TC1070/TC1071/ TC1187 数据手册 ) 与双极型稳压器不同, TC1014/ TC1015/TC1185 的供电电流并不随负载电流的增加而增加 此外, 在整个 0 ma 到 I OUTMAX 的工作负载电流范围内保持稳定 ( 这是 RTC 和 CMOS RAM 备用电池应用中的一个重要考虑事项 ) 图 31 给出了一个典型应用电路 每当关断控制输入引脚 (SHDN) 上的电平等于或高于 V IH 时, 稳压器被使能 ; 当 SHDN 上的电平等于或低于 V IL 时, 稳压器被关断 ( 禁止 ) 用户可采用 CMOS 逻辑门电路或单片机的 I/O 端口来控制 SHDN 引脚的电平 如果不需要关断功能, 应将 SHDN 引脚直接连接到电源输入端 处于关断模式时, 供电电流降至 0.05 µa( 典型值 ) 而 降至零伏 3.1 旁路输入 在旁路输入端和地之间接入一个 470 pf 的电容可降低内部参考电平上的噪声, 同时又反过来大大降低了输出噪声 如果输出噪声无关紧要, 可将旁路输入端悬空 可以使用更大的电容, 但是在最初接通电源之后需要更长的时间才能达到额定输出电压 3.2 输出电容 需要在 和地之间接入一个 1 µf ( 最小值 ) 的电容 输出电容的等效串联电阻的阻值应介于 0.1Ω 和 5Ω 之间 如果稳压器和交流滤波电容之间的连接导线超过 10 英寸或者使用电池作为电源, 则应该在 V IN 和 GND 之间接入一个 1 µf 的电容 可以选用铝电解电容或钽电容 ( 由于许多铝电解电容的电解液在 30 C 左右时会冻结, 所以在工作温度低于 25 C 的应用中推荐使用固态钽电容 ) 当不使用电池作为电源时, 提高输入和输出电容值并使用无源滤波技术可以改善电源噪声抑制和瞬态响应 + + 1 µf V IN TC1014 TC1015 TC1185 GND + 1 µf SHDN CMOS V IN Bypass 470 pf 图 31: 典型应用电路 DS21335C_CN 第 6 页 2006 Microchip Technology Inc.
4.0 散热考虑 4.1 热关断 当管芯温度超过 160 C 时, 集成的热保护电路将关断稳压器 稳压器保持关断状态直到管芯温度跌落到 150 C 左右 4.2 功耗 稳压器的功率耗散主要是输入电压 输出电压以及输出电流的函数 下面的公式用于计算最恶劣情况下的实际功耗 : 公式 41: P D (V INMAX MIN )I LOADMAX 其中 : P D = 最恶劣情况下的实际功耗 V INMAX = V IN 引脚上的最大电压 MIN = 稳压器输出的最小电压 I LOADMAX = 最大输出 ( 负载 ) 电流 最大允许功耗 ( 公式 42) 是最大环境温度 (T AMAX ) 最大允许管芯温度 (T JMAX ) 和结点与空气间热阻 (θ JA ) 的函数 5 引脚 SOT23A 封装的 θ JA 约为 220 C/Watt 公式 42: P DMAX = (T JMAX T AMAX ) θ JA 其中所有参数的定义如前 公式 41 和公式 42 可联用, 以确保稳压器在允许的温度范围内工作 例如 : 给定 : V INMAX = 3.0V + 10% MIN = 2.7V 2.5% I LOADMAX = 40 ma T JMAX = 125 C T AMAX = 55 C 可求得 :1. 实际功耗 2. 最大允许功耗实际功耗 : P D (V INMAX MIN )I LOADMAX = [(3.0 x 1.1) (2.7 x.975)]40 x 10 3 = 26.7 mw 最大允许功耗 : P DMAX = (T JMAX T AMAX ) θ JA = (125 55) 220 = 318 mw 在该例中, TC1014 最大功耗为 26.7 mw, 远小于最大允许功耗 318 mw 可用类似的方式, 使用公式 41 和公式 42 来计算最大电流和 / 或输入电压极限值 4.3 布局注意事项 将芯片的热量向外传导的主要途径是通过封装的引脚 因此, 具有接地层 焊垫走线较宽以及电源线较宽的布局都有助于降低 θ JA, 从而提高最大允许功耗 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 7 页
5.0 典型特性曲线 ( 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下测得的 ) 注 : 以下图表来自有限数量样本的统计结果, 仅供参考 所列出的性能特性未经测试, 不做任何保证 一些图表中列出的数据可能超出规定的工作范围 ( 例如, 超出了规定的电源电压范围 ), 因此不在担保范围内 DROPOUT VOLTAGE (V) 0.020 0.018 0.016 0.014 0.012 0.010 0.008 0.006 0.004 0.002 0.000 Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 10mA 40 20 0 20 50 70 125 TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V) 0.100 0.090 0.080 0.070 0.060 0.050 0.040 0.030 0.020 0.010 0.000 Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 50mA 40 20 0 20 50 70 125 TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V) 0.200 0.180 0.160 0.140 0.120 0.100 0.080 0.060 0.040 0.020 0.000 Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 100mA 40 20 0 20 50 70 125 TEMPERATURE ( C) DROPOUT VOLTAGE (V) 0.300 0.250 0.200 0.150 0.100 0.050 0.000 Dropout Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 150mA 40 20 0 20 50 70 125 TEMPERATURE ( C) GND CURRENT (µa) 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 Ground Current vs. V IN 0 0.5 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) = 3.3V I LOAD = 10mA GND CURRENT (µa) 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 Ground Current vs. V IN 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) = 3.3V I LOAD = 100mA DS21335C_CN 第 8 页 2006 Microchip Technology Inc.
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) ( 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下测得的 ) 80 70 = 3.3V I LOAD = 150mA Ground Current vs. V IN 3.5 3 = 3.3V I LOAD = 0 vs. V IN GND CURRENT (µa) 60 50 40 30 20 10 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 7.5 V IN (V) (V) 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 V IN (V) (V) 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0.0 IV LOAD OUT = 3.3V 100mA I LOAD = 100mA vs. V IN 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5 5.5 6 6.5 7 V IN (V) (V) 3.320 3.315 3.310 3.305 3.300 3.295 3.290 3.285 3.280 3.275 Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 10mA V IN = 4.3V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) (V) 3.290 3.288 3.286 3.284 3.282 3.280 3.278 3.276 3.274 Output Voltage vs. Temperature = 3.3V I LOAD = 150mA V IN = 4.3V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 9 页
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) ( 除非另外说明, 否则所有曲线都是在 25 C 的条件下测得的 ) (V) 5.025 5.020 5.015 5.010 5.005 5.000 4.995 4.990 4.985 Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 10mA V IN = 6V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) (V) 4.994 4.992 4.990 4.988 4.986 4.984 4.982 4.980 4.978 4.976 4.974 Output Voltage vs. Temperature = 5V I LOAD = 150mA V IN = 6V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) GND CURRENT (µa) 70 60 50 40 30 20 10 0 Temperature vs. Quiescent Current = 5V I LOAD = 10mA V IN = 6V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) GND CURRENT (µa) 80 70 60 50 40 30 20 10 0 Temperature vs. Quiescent Current = 5V I LOAD = 150mA V IN = 6V 40 20 10 0 20 40 85 125 TEMPERATURE ( C) NOISE (µv/ Hz) 10.0 1.0 0.1 Output Noise vs. Frequency R LOAD = 50Ω C BYP = 0 0.0 0.01K 0.1K 1K 10K 100K 1000K FREQUENCY (Hz) C OUT ESR (Ω) Stability Region vs. Load Current 1000 to 10µF 100 10 1 0.1 Stable Region 0.01 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 LOAD CURRENT (ma) PSRR (db) Power Supply Rejection Ratio 30 I OUT = 10mA 35 V INDC = 4V 40 V INAC = 100mV pp V 45 OUT = 3V C IN = 0 50 55 60 65 70 75 80 0.01K 0.1K 1K 10K 100K 1000K FREQUENCY (Hz) DS21335C_CN 第 10 页 2006 Microchip Technology Inc.
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) Measure Rise Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 470pF, I LOAD = 100mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 448µS Measure Rise Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 0pF, I LOAD = 100mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Rise Time = 184µS V SHDN V SHDN Measure Fall Time of 3.3V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 470pF, I LOAD = 50mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 100µS Measure Fall Time of 3.3V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 0pF, I LOAD = 100mA V IN = 4.3V, Temp = 25 C, Fall Time = 52µS V SHDN V SHDN 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 11 页
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) Measure Rise Time of 5.0V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 470pF, I LOAD = 100mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 390µS Measure Rise Time of 5.0V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 0pF, I LOAD = 100mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Rise Time = 192µS V SHDN V SHDN Measure Fall Time of 5.0V LDO With Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 470pF, I LOAD = 50mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 167µS Measure Fall Time of 5.0V LDO Without Bypass Capacitor Conditions:,, C BYP = 0pF, I LOAD = 100mA V IN = 6V, Temp = 25 C, Fall Time = 88µS V SHDN V SHDN DS21335C_CN 第 12 页 2006 Microchip Technology Inc.
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 470pF, V IN = + 0.25V, Temp = 25 C Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 470pF, V IN = + 0.25V, Temp = 25 C I LOAD = 50mA switched in at 10kHz, is AC coupled I LOAD = 100mA switched in at 10kHz, is AC coupled I LOAD I LOAD Load Regulation of 3.3V LDO Conditions:, C OUT = 2.2µF, C BYP = 470pF, V IN = + 0.25V, Temp = 25 C Line Regulation of 3.3V LDO Conditions: V IN = 4V, + 1V Squarewave @2.5kHz I LOAD = 150mA switched in at 10kHz, is AC coupled I LOAD V IN C IN = 0µF,, C BYP = 470pF, I LOAD = 100mA, V IN & are AC coupled 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 13 页
5.0 典型特性曲线 ( 续 ) Line Regulation of 5.0V LDO Conditions: V IN = 6V, + 1V Squarewave @2.5kHz Thermal Shutdown Response of 5.0V LDO Conditions: V IN = 6V, C IN = 0µF, V IN C IN = 0µF,, C BYP = 470pF, I LOAD = 100mA, V IN & are AC coupled I LOAD was increased until temperature of die reached about 160 C, at which time integrated thermal protection circuitry shuts the regulator off when die temperature exceeds approximately 160 C. The regulator remains off until die temperature drops to approximately 150 C. DS21335C_CN 第 14 页 2006 Microchip Technology Inc.
6.0 封装信息 6.1 封装标识信息 1 和 2 表示器件编号以及温度范围和电压 (V) TC1014 编号 TC1015 编号 TC1185 编号 1.8 AY BY NY 2.5 A1 B1 N1 2.6 NB BT NT 2.7 A2 B2 N2 2.8 AZ BZ NZ 2.85 A8 B8 N8 3.0 A3 B3 N3 3.3 A5 B5 N5 3.6 A9 B9 N9 4.0 A0 B0 N0 5.0 A7 B7 N7 3 为日期代码 4 为批次识别号 6.2 封装形式 5 SOT23A EIAJ SC74A W 1 P 713 W P 5 SOT23A 8 mm 4 mm 3000 7 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 15 页
6.3 封装尺寸 SOT23A5.075 (1.90) Ref..122 (3.10).098 (2.50).071 (1.80).059 (1.50).020 (0.50).012 (0.30) 1.037 (0.95) Ref..122 (3.10).106 (2.70).057 (1.45).035 (0.90).006 (0.15).000 (0.00) 10 Max..010 (0.25).004 (0.09).024 (0.60).004 (0.10) DS21335C_CN 第 16 页 2006 Microchip Technology Inc.
销售和支持 数据手册数据手册初稿中述及的产品可能带有一份勘误表, 描述了实际运行与数据手册中记载内容之间存在的细微差异以及建议的变通方法 欲了解某一器件是否存在勘误表, 请通过以下方式之一查询 : 1. 当地 Microchip 销售办事处 2. Microchip 网站 (www.microchip.com) 请说明你您所使用的器件的名称以及其硅片及数据手册 ( 包括文献编号 ) 的版本 客户通知系统欲知 Microchip 产品的最新信息, 请到我公司网站 (www.microchip.com) 注册 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 17 页
注 : DS21335C_CN 第 18 页 2006 Microchip Technology Inc.
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 Accuron dspic KEELOQ microid MPLAB PIC PICmicro PICSTART PRO MATE PowerSmart rfpic 和 SmartShunt 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 AmpLab FilterLab Migratable Memory MXDEV MXLAB SEEVAL SmartSensor 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 AnalogfortheDigital Age Application Maestro dspicdem dspicdem.net dspicworks ECAN ECONOMONITOR FanSense FlexROM fuzzylab InCircuit Serial Programming ICSP ICEPIC Linear Active Thermistor Mindi MiWi MPASM MPLIB MPLINK PICkit PICDEM PICDEM.net PICLAB PICtail PowerCal PowerInfo PowerMate PowerTool REAL ICE rflab rfpicdem Select Mode Smart Serial SmartTel Total Endurance UNI/O WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2006, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 位于俄勒冈州 Gresham 及位于加利福尼亚州 Mountain View 的全球总部 设计中心和晶圆生产厂均通过了 ISO/TS16949:2002 认证 公司在 PICmicro 8 位单片机 KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS16949:2002 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 2006 Microchip Technology Inc. DS21335C_CN 第 19 页
全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 852246199 Tel: 14807927200 Fax: 14807927277 技术支持 : http://support.microchip.com 网址 :www.microchip.com 亚特兰大 Atlanta Alpharetta, GA Tel: 17706400034 Fax: 17706400307 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: 17747600087 Fax: 17747600088 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: 16302850071 Fax: 16302850075 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: 19728187423 Fax: 19728182924 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: 12485382250 Fax: 12485382260 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: 17658648360 Fax: 17658648387 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: 19494629523 Fax: 19494629608 圣何塞 San Jose Mountain View, CA Tel: 16502151444 Fax: 16509610286 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: 19056730699 Fax: 19056736509 中国 北京 Tel: 861085282100 Fax: 861085282104 中国 成都 Tel: 862886766200 Fax: 862886766599 中国 福州 Tel: 8659187503506 Fax: 8659187503521 中国 香港特别行政区 Tel: 85224011200 Fax: 85224013431 中国 青岛 Tel: 8653285027355 Fax: 8653285027205 中国 上海 Tel: 862154075533 Fax: 862154075066 中国 沈阳 Tel: 862423342829 Fax: 862423342393 中国 深圳 Tel: 8675582032660 Fax: 8675582031760 中国 顺德 Tel: 8675728395507 Fax: 8675728395571 中国 武汉 Tel: 862759805300 Fax: 862759805118 中国 西安 Tel: 862988337250 Fax: 862988337256 台湾地区 高雄 Tel: 88675364818 Fax: 88675364803 台湾地区 台北 Tel: 886225006610 Fax: 886225080102 台湾地区 新竹 Tel: 88635729526 Fax: 88635726459 澳大利亚 Australia Sydney Tel: 61298686733 Fax: 61298686755 印度 India Bangalore Tel: 918041828400 Fax: 918041828422 印度 India New Delhi Tel: 911151608631 Fax: 911151608632 印度 India Pune Tel: 912025661512 Fax: 912025661513 日本 Japan Yokohama Tel: 8145471 6166 Fax: 81454716122 韩国 Korea Gumi Tel: 82544734301 Fax: 82544734302 韩国 Korea Seoul Tel: 8225547200 Fax: 8225585932 或 8225585934 马来西亚 Malaysia Penang Tel: 6046468870 Fax: 6046465086 菲律宾 Philippines Manila Tel: 6326349065 Fax: 6326349069 新加坡 Singapore Tel: 6563348870 Fax: 6563348850 泰国 Thailand Bangkok Tel: 6626941351 Fax: 6626941350 奥地利 Austria Wels Tel: 4372422244399 Fax: 4372422244393 丹麦 DenmarkCopenhagen Tel: 4544502828 Fax: 4544852829 法国 France Paris Tel: 33169536320 Fax: 33169309079 德国 Germany Munich Tel: 49896271440 Fax: 498962714444 意大利 Italy Milan Tel: 390331742611 Fax: 390331466781 荷兰 Netherlands Drunen Tel: 31416690399 Fax: 31416690340 西班牙 Spain Madrid Tel: 34917080890 Fax: 34917080891 英国 UK Wokingham Tel: 441189215869 Fax: 441189215820 02/16/06 DS21335C_CN 第 20 页 2006 Microchip Technology Inc.