项目名称 GaAs GaN 基半导体材料及其器件关键技术与应用 推荐专家 周济 / 清华大学 杨德仁 / 浙江大学 提名奖种 教育部科学技术进步一等奖 项目简介 化合物半导体材料及器件科学与技术对国民经济 国防安全 社会民生等领域均具有重要战略意义, 是当前世界各国科技竞争的焦点之一 虽然我国 Ga

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1 项目名称 GaAs GaN 基半导体材料及其器件关键技术与应用 推荐专家 周济 / 清华大学 杨德仁 / 浙江大学 提名奖种 教育部科学技术进步一等奖 项目简介 化合物半导体材料及器件科学与技术对国民经济 国防安全 社会民生等领域均具有重要战略意义, 是当前世界各国科技竞争的焦点之一 虽然我国 GaAs 基半导体激光器 (LD) 和 GaN 基发光二极管 (LED) 产业取得了较大进展, 但外延材料 芯片及其器件等关键技术因其涉及国防安全, 长期被美 日 欧等发达国家封锁垄断 本项目旨在建立具有自主的高功率 GaAs 基 LD 和高光效 GaN 基 LED 外延材料 芯片及器件核心技术, 填补国家空白, 打破国际封锁, 实现我国在该领域核心技术的自主可控 一 GaAs 基半导体激光器外延材料 芯片及其器件的创新 1) 设计并发明了 In 组分梯度分布的应变平衡有源区和大光腔非对称结构的 LD 外延材料及其制备技术, 提高了内量子效率和输出功率 ;2) 发明了循环退火 Si 钝化芯片腔面新技术, 增强了芯片 / 钝化层界面结合强度, 改善了腔面钝化膜晶体质量, 有效防止了芯片光学灾变损伤, 提高了激光器的输出功率和寿命 ;3) 发明了提高 LD 光束质量和输出功率的技术 规模化生产了单管连续输出功率 20 W, 阈值电流 1.6 A, 工作电压 1.7 V, 斜率效率 1.05 W/A, 电光转化效率 62%, 波长 980 nm 的高功率 InGaAs 基红外单管激光器件, 并研制出 4 kw 高功率半导体激光器和 5 kw 光纤耦合半导体激光器, 达国际先进水平 二 GaN 基 LED 外延材料 芯片及其器件的创新 1) 设计并发明了多量子阱中的阱 / 垒界面组分渐变 电子阻挡层组分渐变和 p 型异质结构的外延材料及其制备技术 降低了外延材料的极化效应, 防止了电子泄漏, 提高了空穴注入, 有效增加了载流子辐射复合几率, 提高了内量子效率 ; 2) 发明了形核层 SiNx 层和量子阱中 GaN 盖层的生长技术, 降低了外延材料的位错密度, 提高了外延材料的晶体质量 规模化生产的白光 LED 光效达 180 lm/w, 达国际先进水平 本项目已授权中国 57 项, 实用新型专利 7 项, 审查中专利 24 项 ; 发表 SCI 论文 85 篇

2 主要完成单位及创新推广贡献 完成单位陕西科技大学北京工业大学华南理工大学深圳市玲涛光电科技有限公司深圳恒之源技术股份有限公司 创新推广贡献高功率 GaAs 基半导体激光器 (LD) 高光效 GaN 基发光二极管 (LED) 外延材料 芯片设计与制备关键技术研发与推广应用高功率 GaAs 基 LD 外延材料生长关键技术高功率 GaAs 基 LD 芯片 封装关键技术与推广应用高光效 GaN 基 LED 外延材料制备关键技术研发与推广应用高光效白光 LED 显示与照明器件封装及其推广应用交通领域 LED 显示与照明器件及其推广应用 推广应用情况 本项目研究成果已在多家企业实施生产, 近三年累计产值达 亿元人民币 另外, 高功率激光器在国防企业获得了规模化生产, 并应用于国防某重大项目 曾获科技奖励情况 曾获得 2009 年国家技术发明二等奖 1 项 ;2014 年国家科技进步二等奖 1 项 ; 省部级技术发明一等奖 1 项 ; 省部级科技二等奖 12 项

3 主要证明目录 类别 具体名称一种提高 GaN 基 LED 内量子效率的外延方法 一种 LED 外延结构及其制备方法 一种高发光效率氮化镓基 LED 外延片的制备方法应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 半导体激光阵列光学特性检测装置 一种 InGaN/AlGaN -GaN 基多量子阱结构及其制备方法 一种 InGaN 基多量 子阱结构及其制备方法 国家 ( 地区 ) 授权号授权日期权利人发明人 中国 ZL 中国 ZL 中国 ZL 中国 ZL 中国 ZL 北京工业大学 中国 ZL X 中国 ZL 许并社, 朱亚丹, 卢太平, 周小润 贾伟, 樊腾, 仝广运, 李天保, 翟光美, 许并社 卢太平, 朱亚丹, 许并社 许并社, 董海亮, 马淑芳, 梁建, 贾虎生, 刘旭光曹银花, 郭志婕, 王智勇, 刘友强, 李景贾伟, 曹锐, 李天保, 翟光美, 党随虎, 许并社贾伟, 党随虎, 许并社, 李天保, 梁建, 董海亮 有效状态有效有效有效有效有效有效有效

4 类别 实用新型专利 具体名称 用于半导体激光器阵列光束整形的光学元件和光学系统 一种提高光取出率的氮化镓基发光二极管结构及制备方法 国家 ( 地区 ) 授权号授权日期权利人发明人 中国 ZL 山西飞虹激光科技有限公司 北京工业大学 中国 ZL 砷化镓激光巴条中国 ZL 山西飞虹微纳米光电科技有限公司, 王智勇, 曹银花刘友强, 许并社, 史元魁, 陈玉士, 王有顺许并社, 尚林, 翟光美, 贾伟, 马淑芳, 梁建, 李天保, 梅伏洪, 贾志刚董海亮, 米洪龙, 梁建, 许并社, 关永莉, 贾志刚, 王琳 有效状态有效有效有效

5 主要完成人情况表 排技术工作姓名名职称单位 许并社 1 教授 吴玉程 2 教授 李国强 3 教授 王智勇 4 教授 张爱琴 5 副教授 马淑芳 6 教授 梁建 7 李明奎 8 副教授 工程师 华南理工大学 北京工业大学陕西科技大学深圳恒之源技术股份有限公司 完成单位 华南理工大学 北京工业大学陕西科技大学深圳恒之源技术股份有限公司 对本项目技术创造性贡献 项目总负责人 负责总实验方案设计 进度和结果检查 成果转化等 项目整体规划 阶段性成果检查与指导 高光效 LED 外延材料设计与制备 高功率 GaAs 基 LD 芯片 ( 巴条 ) 的制备工艺 高光效白光 LED 荧光粉制备高功率 GaAs 基 LD 外延材料和芯片的制备技术负责 LD LED 科研成果转化与产业化 终端产品制造 应用 曾获科技奖励情况 以第一完成人曾获 2009 年国家技术发明二等奖 1 项 ;2014 年国家科技进步二等奖 1 项 ; 省部级技术发明一等奖 1 项 ; 省部级科技二等奖 12 项 曾获 2016 年安徽省科学技术一等奖 1 项 ;2009 年安徽省科学技术二等奖 1 项 ;2008 年安徽省科学技术三等奖 1 项 ; 2006 年机械工业科学技术进步三等奖 1 项 ;2006 年安徽省科学技术奖三等奖 1 项 曾获 2017 年广东省科技进步二等奖 1 项 ;2015 年广东省技术发明二等奖 1 项 ;2013 年国家技术发明二等奖 1 项 ;2006 年全国百篇博士论文获奖 2016 山西省科技进步二等奖 1 项 2014 年国家科技进步二等奖 1 项 2014 年国家科技进步二等奖 1 项

6 王非 9 无 曹银花 10 贾伟 11 董海亮 12 研究员 高级实验师高级实验师 贾志刚 13 讲师 李天保 14 教授 尚林 15 讲师 深圳市玲涛光电科技有限公司 北京工业大学 陕西科技大学 深圳市玲涛光电科技有限公司 北京工业大学 陕西科技大学 LED 照明显示产品制造及应用 大功率半导体激光光束整形 光纤耦合输出 激光主动防反射设计与制备 GaN 基 LED 外延材料设计与制备 GaAs 基 LD 外延材料表征 GaAs 基 LD 外延材料质量与性能表征 GaN 基 LED 外延材料质量与性能高质量 GaN 基 LED 外延材料生长工艺 2014 年国家科技进步二等奖 1 项 2014 年国家科技进步二等奖 1 项 ;2016 年山西省科技进步二等奖 1 项

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