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1 电 容

2 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

3 u 公司生产基地 一期建筑面积 60,000M 2 ( 厂房 3 幢, 面积 45,000M 2 ) 总人数 :1423 人 深圳工业园一 二期效果图 厂房面积 12,000M 2 总人数 :278 人

4 u 公司发展历程 2000 年 9 月公司成立 2006 年 7 月观澜顺络工业园落成 2007 年 6 月深圳证券交易所挂牌上市 ( 股票代码 ) 2008 年 1 月并购深圳南玻电子有限公司 2008 年 7 月并购南方汇通股份有限公司微电子分公司 2009 年 4 月通过 TS 年 8 月通过 EICC 认证

5 u 营业数据 2010 年销售额 :4.5 亿元人民币 ( 不含税 )

6 u 产能规划 NO 产品线 产能计划 (KK) 叠层电感 / 磁珠 15,000 30,000 40,000 50,000 50,000 50,000 50,000 2 压敏 / 热敏 4,200 5,000 10,000 12,000 15,000 15,000 15,000 3 绕线产品 500 1,500 2,500 3,000 4,000 4,000 5,000 4 LTCC 钽电容 ,000 1,200 1,500 6 其他 合计 (KK) 19,715 36,750 53,000 66,030 70,780 71,200 72,700

7 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

8 u 钽电容产能规划 月 钽电容项目中产结束 月 钽电容项目设备安装调试结束 月 钽电容项目设备合同签订 月 钽电容项目立项 月 钽电容项目调研

9 u 上游材料 全球有三大钽电容器应用的钽粉制造厂商,H.C.Starck, Cabot 和东方钽业. 这三家企业几乎占据了钽粉市场的 95% 以上 其中 H.C.STARCK 占据钽粉全球市场最多的份额 H.C.STARCK 和 Cabot 在技术上有较大的领先优势, 尤其在高比容 (10 万以上 ) 粉的制造技术上, 东方钽业短期内无法超越 20% 10% 顺络主要钽粉供应商是 H.C.Starck, 约占 70% 左右, 其次为东方钽业 钽粉的比容在 2000~15,0000 之间, 可用于生产全系列钽电容 70% H.C.Starck 东方钽业 其他

10 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

11 u 钽电容特征 固体钽电容器电性能优良, 工作温度范围宽, 而且形式多样, 体积效率优异, 具有其独特的特征 : 优 点 比容量高, 适于小型化 自愈能力强 能很方便地获得较大的电容量 温度稳定性良好 不足 耐压较低 具有正负极性, 不可接错 价格较贵

12 u 钽电容的结构

13 u 钽电容的电性参数 参数 测试仪器 测试频率 测试信号 C R ( 电容量 ) HP4263B 120Hz 1000mV tgδ ( 损耗 ) HP4263B 120Hz 1000mV I 0 ( 漏电流 ) TH2686 DC 1.1V R ESR ( 等效串联电阻 ) HP4263B 100KHz /

14 u 术语解释 C R ( 电容量 ) 标称的额定容量, 它是作为等效串联电路的容量测试的 单位 : 法拉 (F), 常用单位 : 微法 (uf) 换算如下 :1F=10 3 mf =10 6 uf =10 9 nf=10 12 pf 容量的实际值和额定值之间可允许的偏差,K=±10%,M=±20% 钽电容器的容量随温度而变 偏差本身一定程度上与额定电压和电容器大小有联系 有效容量随频率的增加而减少 超过 100KHz, 容量继续下降直至达到谐振点 ( 一般在 0.5-5MHz 之间, 决定于额定值 ) 超过谐振频率, 元件变成电感

15 u 术语解释 额定电压 (V) 电压代号 (V) V R ( 额定电压 ) 额定电压是可以连续工作在 85 的额定直流电压 2.5 e 4 G 6.3 J 10 A 类别电压 (Vc): 可以连续加到电容器上的最高电压, 它等于 +85 时的额定电压 施加的电压超过此温度必须线性降额,125 时应降到 2/3 V R 浪涌电压 (Vs): 可以在短时间内可以加到电容器上的最高电压, 在电路中最小要串联 330Ω 的电阻 (CECC 规定 1KΩ) 浪涌电压在一小时内最多可以加 10 次, 每次 30 秒 16 C 20 D 25 E 35 V 50 T

16 u 术语解释 tgδ ( 损耗 ) 损耗因子是损耗角正切 (tgδ) 的度量, 以百分比表示 定义为电容器的功率损耗除以规定频率下正弦信号电抗功率 损耗又称为功率因子 损耗因子和介质损耗 损耗因子随频率而增加

17 u 术语解释 I 0 ( 漏电流 ) 电容介质不可能绝对不导电, 当电容加上直流电压时, 电容器会有漏电流产生 若漏电流太大, 电容器就会发热损坏 漏电流随温度的增加而增加 工作在 85 和 125 之间, 最大工作电压必须降额, 可以从下面的公式中求得 : Vmax.= 这里 : T 是要求的工作温度 漏电流会随施加电压的增大而增大 当减少使用电压时, 漏电流快速下降, 低于对应额定电压值时的漏电流, 会明显增加可靠性

18 u 术语解释 ESR ( 等效串联电阻 ) 等效串联电阻是电容介质损耗和金属损耗的综合 ESR 的高低, 与电容器的容量 电压 频率及温度都有关系 一般来说, 当额定电压及壳号固定时, 容量愈大 ESR 愈低 ; 同样当 容量固定时, 选用高的额定电压的品种也能降低 ESR; 低频时 ESR 高, 高频时 ESR 低 ; 高温也会造成 ESR 的升高 等效串联电阻过大, 不仅会影响转换率还会影响输出纹波电压 ESR 是等效 串联 电阻, 将两个电容串联, 会使 ESR 值增大, 而并联则会使之减小 因此在需要更低 ESR 的场合, 而低 ESR 的大容量电容价格又相对昂贵的情况下, 用多个 ESR 相对高的电容并联, 形成一个低 ESR 的大容量电容也是一种常用的办法

19 u 钽电容的编号方式 TC 211 B 105 M 035 A 类型 TC 4 电容量 片式钽电容 Example Nominal Value uF uF 7 失效率 A 不适用于军品 2 材料代码 211 工业用 212 低串联电阻 213 低串联电阻, 高浪涌电压 5 电容量公差 K ±10% M ±20% 3 外形尺寸 ( 长 宽 ) (mm) P A B C D/E 额定电压 Vdc 004 4Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc Vdc

20 u 钽电容的型号对应 系列介绍 : 211 工业用 212 低串联电阻 213 低串联电阻, 高浪涌电压 KEMET AVX NEC Vishay ROHM Nichicon SUNLORD T491/T492/ T493 series TAZ/TAJ/TAC /TAZ/TBJ series E/SV series 293 series TC series F93 series TC211 series T494 series CWR/TBC series / / TCTAS series F91 series TC212 series T495 series TBW series / / / F75-D series TC213 series

21 u 顺络钽电容电性范围 尺寸 P 壳 (2012) 容值 0.1~22uF 耐压 2.5~20V A 壳 (3216) 0.1~100uF 2.5~50V B 壳 (3528) 0.15~220uF 2.5~50V C 壳 (6032) 0.47~220uF 4~50V D 壳 ( ) 2.2~330uF 4~50V E 壳 ( ) 10~680uF 4~50V

22 u 钽电容的市场 与其他电容相比, 钽电容性能优势明显, 主要应用领域包括手机, 电脑等领域, 其中手机行业是最大的片式钽电容市场, 手机, 电脑和 AV 影音产品 ( 如 : 各类播放器等 ) 共消耗片式钽电容总产出的 63% 贴片封装的钽电容主要面向无线网卡 手机 掌上游戏机 LCD/LED TV 等应用, 无线网卡 SD 卡 移动存储卡一类的设备在工作时会有电压的变动, 需要一个容量相对比较大的电容来稳定电压

23 u 钽电容使用误区 1. 钽电容可靠性高, 使用时不必降额 ; 2. 陶瓷电容可靠性高, 不容易失效 ; 3. 忽视纹波电流对电容器可靠性的影响 ; 4. 体积小的电容比体积大的电容好 ; 5. 容量选择不合适 ; 6. 黄色的电容比黑色的好

24 u 电源滤波 诺基亚 N97 电源部分 为了避免高频瞬间干扰, 线路中也常采用陶瓷电容与钽电容相并联的方式, 因陶瓷电容器高频性能好 ( 可达上百兆赫兹 ), 而钽电容一般只能达 100KHz, 二者组合后, 高频瞬间干扰可由陶瓷电容滤除, 中低频滤波由钽电容完成 推荐我司 TC211B157M006A 替代 150uF 的钽电容与 56pF 的陶瓷电容并联组合

25 u 电源滤波 MP3 电源电路 在 MP3 后备电源电路中, 经常有 KHz 的噪声, 需用较大容值的电容滤除 若选用铝电解电容, 会增大整个 PCB 板的体积 ; 钽粉拥有非常高的比容, 即使是 100uF 这样的高电容值, 也可以维持在 B 这种常规壳号 推荐型号 :TC211B107M006A

26 u 音频滤波 MTK6235 耳机电路 在 MP3 手机的音频里, 最常用的是从 10uF 到 220uF 的钽电容 电容主要作用是与电阻构成 RC 滤波器, 滤除进入耳机的直流偏压 如上图 100uF 的电容与 75R 的电阻组合, 能将频率下拉到 100Hz 附近, 使耳机有个很好的低音效果 推荐型号 :TC211B107M006A

27 u 储能 LED 电筒 L6928 为 DC-DC 降压型转换芯片, 用来驱动 LED 电筒 钽电容的主要作用是滤波, 储能 推荐我司料号 : TC211B106M006A TC211C226M025A

28 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

29 u 钽电容的工艺流程图 粉末调和成型 烧结化成 热分解 编带 外观检查 组装 塑封 老炼 电性能检查 阴极付

30 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

31 u 同行业数据对比 (Vishay) Sunlord:TC211A106M010A Vishay:293D106(1)010A(2) 11.0 容量 :(μf) 800 ESR:(mΩ) Vishay Sunlord 600 Vishay Sunlord 耐焊接热前 耐焊接热后 400 耐焊接热前 耐焊接热后 3 损耗 :(%) 1.0 漏电流 :(μa) 2 1 Vishay Sunlord Vishay Sunlord 0 耐焊接热前 耐焊接热后 0.0 耐焊接热前 耐焊接热后

32 u 同行业数据对比 (AV*) Sunlord:TC211A106M016A AV*:TAJA106*016#NJ 容量 :(μf) AVX Sunlord ESR:(Ω) AVX Sunlord 8.0 耐焊接热前 耐焊接热后 0.5 耐焊接热前 耐焊接热后 7 损耗 :(%) 0.5 漏电流 :(μa) AVX Sunlord AVX Sunlord 耐焊接热前 耐焊接热后 0.0 耐焊接热前 耐焊接热后

33 u 同行业数据对比 (NE*) Sunlord:TC211A106M016A NE*:ESVA1C106M 11.0 容量 :(μf) 1.0 ESR:(Ω) NEC Sunlord NEC Sunlord 8.0 耐焊接热前 耐焊接热后 0.4 耐焊接热前 耐焊接热后 4 损耗 :(%) 0.5 漏电流 :(μa) 3 2 NEC Sunlord NEC Sunlord 1 耐焊接热前 耐焊接热后 0.0 耐焊接热前 耐焊接热后

34 u 同行业数据对比 (Nichico*) Sunlord:TC212B107M006A Nichico*:F930J107MBA 100 容量 :(μf) 300 ESR:(mΩ) Nichicon Sunlord Nichicon Sunlord 95 耐焊接热前 耐焊接热后 100 耐焊接热前 耐焊接热后 6 损耗 :(%) 4 漏电流 :(μa) Nichicon Sunlord 2 1 Nichicon Sunlord 2 耐焊接热前 耐焊接热后 0 耐焊接热前 耐焊接热后

35 u 未来发展方向 整机应用 电 容 薄型化 小型化 EMC/ESD 符合性 高可靠性 低成本 多种类 高效率 高频化 低价格

36 目录 公司概述 钽电容项目及发展历史 钽电容性能及应用 生产流程及可靠性检测 同行对比及发展方向 市场营销

37 u 主要客户 通讯 消费类电子 计算机汽车电子新能源 EMS

38 u 营销网络 北美 欧洲 贵州 亚洲 深圳 上海 香港马来西亚 韩国 台湾 日本 新加坡 顺络总部及分支机构 顺络全球分销网络

39 u 核心竞争力 在保证质量的前提下供应最具成本竞争力的产品 ; 灵活 快捷的反应和客户服务 ; 强大的新产品开发能力 ; 在被动元件行业有着丰富经验的团队

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TV 2005 92 1. 2. 3. 4. 5. 3 1 6 1 10 10 30 94 11 23 12 2 736 97 4 2.3 3 28.7 1-2 18.4 2-3 17.2 3 28.7 12.7 5 2.3 10 2 17 5 3 1-2 22.6 2 2-3 3-4 4-5 17.6 15.4 10.1 5 18 2.8 17 3 4 54.8 26.9 26.1 17.6 13.3

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