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1 第 章电气规范 目录.1 简介 绝对最大值 器件选型表 器件电压规范 器件电流特性 输入门限电平 I/O 电流特性 输出驱动电压 I/O 引脚的容性负载 数据 EEPROM / 闪存 LCD 比较器和参考电压 时序参数符号 外部时钟时序波形图和时序要求示例 上电和复位时序波形图及要求示例 定时器 Timer0 和 Timer1 时序波形图及要求示例 CCP 的时序图及要求 并行从动端口 (PSP) 时序图及要求 SSP 和 MSSP SPITM 模式时序波形图及要求示例 SSP I 2 CTM 模式时序波形图及要求示例 MSSP I 2 CTM 模式时序波形图及要求示例 USART/SCI 时序波形图及要求示例 位 A/D 时序波形图及要求示例 位 A/D 时序波形图及要求示例 积分型 A/D 时序波形图及要求示例 LCD 时序波形图及要求示例 相关应用笔记 版本历史 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -1 页

2 PICmicro 中档单片机系列.1 简介 本章旨在介绍器件数据手册中所规定的电气规范及其含义, 其目的并非给出具体参数值 应将本章出现的所有值视为例子, 要查找器件的具体值, 必须参考具体器件的数据手册 在前面各章节中关于器件及功能模块的描述中出现有电气规范参数的引用 在本手册的电子版中, 这些引用以超级链接的形式出现, 以便用户使用 注 : 在开始设计之前, Microchip 公司强烈建议您先取得最新的器件数据手册, 并查看其电气规范的说明以确保其满足需求 本章中使用的术语如表 -1 所示 表 -1: 常用术语 术语 PIC16CXXX PIC16LCXXX PIC16FXXX PIC16LFXXX PIC16CRXXX PIC16LCRXXX PIC16XXXX-04 PIC16XXXX-08 PIC16XXXX-10 PIC16XXXX-20 LP osc XT osc HS osc RC osc 商业级工业级扩展级 说明 通过标准电压范围测试的器件通过扩展电压范围测试的器件通过标准电压范围测试的器件通过扩展电压范围测试的器件通过标准电压范围测试的器件通过扩展电压范围测试的器件通过 4MHz 工作频率测试的器件通过 8MHz 工作频率测试的器件通过 10MHz 工作频率测试的器件通过 20 MHz 工作频率测试的器件器件配置为 LP 振荡器模式器件配置为 XT 振荡器模式器件配置为 HS 振荡器模式器件配置为 RC 振荡器模式器件工作温度范围为商业级 (0 C TA +70 C) 器件工作温度范围为工业级 (-40 C TA +85 C) 器件温度范围为扩展级 (-40 C TA +125 C) DS310A_CN 第 -2 页 2004 Microchip Technology Inc.

3 第 章电气规范.2 绝对最大值 绝对最大参数值定义为器件的最恶劣工作条件 这些值并不代表器件的工作参数, 如果运行条件超过所列值, 可对器件造成损坏 这些参数并不总是独立存在的, 即, 参数值还需满足其它条件 例如 任一 I/O 引脚的最大拉 / 灌电流 在某一时刻可以拉 / 灌电流的 I/O 引脚数取决于端口的最大拉 / 灌电流 ( 或多个端口电流的总和 ), 以及流入 VDD 引脚或流出 VSS 引脚的最大电流 出现本例这种情况的原因是电源 / 地与 I/O 端口和内部逻辑电路的总线宽度 如果超出该参数, 在电源总线和接地总线上就可能发生电迁移 长时间的电迁移会导致这些总线开路 ( 即断开与引脚的连接 ), 从而使连接在这些总线上的逻辑电路停止工作 因此, 超过该绝对参数值会导致器件的可靠性问题 输入箝位电流定义为当引脚的电压超过规定值时, 从二极管流向 VSS/VDD 的电流 绝对最大参数值示例偏置电压下的环境温度 至 +125 C 储存温度 C 至 +150 C 任一引脚 ( 除 VDD MCLR 和 RA4 外 ) 相对于 VSS 的电压 V 至 (VDD + 0.3V) VDD 相对于 VSS 的电压 至 +7.5V MCLR 引脚相对于 VSS (2) 的电压... 0 至 +14V RA4 引脚相对于 VSS 的电压... 0 至 +14V 总功耗 (1) W VSS 引脚的最大输出电流... 0 ma VDD 引脚的最大输入电流 ma 输入箝位电流,IIK (VI < 0 or VI > VDD)... ± 20 ma 输出箝位电流,IOK (VO < 0 or VO > VDD)... ± 20 ma 任一 I/O 引脚的最大灌电流 ma 任一 I/O 引脚的最大驱动电流 ma PORTA PORTB 和 PORTE 的最大灌电流总和 ma PORTA PORTB 和 PORTE 的最大驱动电流总和 ma PORTC 和 PORTD 最大灌电流总和 ma PORTC 和 PORTD 最大驱动电流总和 ma PORTC 和 PORTD 最大灌电流总和 ma PORTF 和 PORTG 最大驱动电流总和 ma PORTF 和 PORTG 最大灌电流总和 ma 注 1: 功耗按如下公式计算 : Pdis = VDD x {IDD - IOH} + {(VDD - VOH) x IOH} + (VOl x IOL) 参见器件数据手册 注 2: 如果 MCLR 引脚的尖峰电压低于 VSS, 感应出的电流超过 80 ma, 可引起器件锁死 因此, 如果要在 MCLR 引脚施加 低电平, 应串联一个 Ω 的电阻, 而不是将该引脚直接拉至 VSS 注 : 如果器件运行条件超过了上述 绝对最大参数值, 即可能对器件造成永久性损坏 上述值为运行条件极大值, 我们不建议器件运行在该规范范围以外 器件长时间在绝对最大参数条件下工作, 其稳定性会受到影响 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -3 页

4 PICmicro 中档单片机系列.3 器件选型表 数据手册中的这张表旨在帮助用户确定某种器件的适用振荡器, 并提供了经过测试的参数值 用户在编程时可选择任何振荡器, 但只有所列出的振荡器经过 Microchip 公司测试 由于 RC 和 XT 振荡器的频率只达 4 MHz, 因此它们只在 -04 (4 MHz) 器件上通过了测试 频率在 10 MHz 或 20 MHz 的 PICmicro 单片机只通过了 HS 模式的测试 在表 -2 中, 由于在 HS 振荡模式的电压范围中没有 IPD 测试点, 因此该模式下的 IPD 是灰色的 表中给出的均为特性测试中的典型值 电池应用通常要求器件工作在扩展电压范围 标有 LC 的器件具备扩展电压范围, 其 RC XT 和 LP 振荡器通过了测试 窗口型器件是各种器件的超集, 其振荡器在 -04,-20 和 LC 器件的所有规定范围通过了测试 器件通过测试的温度范围应视为商业级温度范围, 尽管今后可对其工业级或扩展级温度范围进行测试 表 -2: 器件的振荡器配置规范与工作频率 ( 商业级器件 ) 对照示例 OSC PIC16CXXX-04 PIC16CXXX-10 PIC16CXXX-20 PIC16LCXXX-04 带窗口器件 RC XT HS VDD: 4.0V 至 6.0V IDD: 5.5V 时最大值 5 ma IPD: 4V 时最大值 6 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.0V 至 6.0V IDD: 5.5V 时最大值 5 ma IPD: 4V 时最大值 16 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V IDD: 5.5V 时典型值 2.7 ma IPD: 4V 时典型值 1.5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V IDD: 5.5V 时典型值 2.7 ma IPD: 4V 时典型值 1.5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V IDD: 5.5V 时典型值 2.7 ma IPD: 4V 时典型值 1.5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V IDD: 5.5V 时典型值 2.7mA IPD: 4V 时典型值 1.5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V VDD: 4.5V 至 5.5V VDD: 4.5V 至 5.5V VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 3.0V 时最大值 3.8 ma IPD: 3V 时最大值 5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 3.0V 时最大值 3.8 ma IPD: 3V 时最大值 5 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 5.5V 时最大值 3.8mA IPD: 4V 时最大值 16 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 5.5V 时最大值 3.8 ma IPD: 4V 时最大值 16 µa Freq: 最大值 4 MHz VDD: 4.5V 至 5.5V IDD: 5.5V 时典型值 13.5 IDD: 5.5V 时典型值 10 ma IDD: 5.5V 时最大值 20 ma IDD: 5.5V 时最大值 20 ma ma 在 HS 模式下建议不使用 IPD: 4.5V 时典型值 1.5 µa IPD: 1.5 µa typ. at 4.5V IPD: 4.5V 时典型值 1.5 µa IPD: 4.5V 时典型值 1.5 µa Freq: 最大值 4 MHz Freq: 最大值 10 MHz Freq: 最大值 20 MHz Freq: 最大值 20 MHz LP VDD: 4.0V 至 6.0V IDD: 32 khz, 4.0V 时典型值 52.5 µa IPD: 4.0V 时典型值 0.9 µa Freq: 最大值 200 khz 在 LP 模式下建议不使用 在 LP 模式下建议不使用 阴影部分表明所选振荡器只作了功能性测试, 而未作 MIN/MAX 规范测试 建议用户使用能满足器件规范要求的器件 VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 32 khz, 3.0V 时最大值 48 µa IPD: 3.0V 时最大值 5.0 µa Freq: 最大值 200 khz VDD: 2.5V 至 6.0V IDD: 32 khz, 3.0V 时最大值 48 µa IPD: 3.0V 时最大值 5.0 µa Freq: 最大值 200 khz 注 : 标有工程样片 (ENG SMP) 的器件是针对当前工程测试项目的测试, 不保证这些器件符合器件数据手册上的任一或全部技术要求 DS310A_CN 第 -4 页 2004 Microchip Technology Inc.

5 第 章电气规范.4 器件电压规范 这些参数与器件的 VDD 电压 器件上电和器件的功能有关 电源电压为器件正常运行所必须在器件上施加的电平 Ram 数据保存电压为器件不丢失数据的电平 VDD 启动电压是确保 POR 电路正常工作的 VDD 起始电平, 用于确保内部上电复位信号的产生 VDD 上升率是是使 POR 电路跳变所必需的最小 VDD 上升斜率, 用于确保内部上电复位信号的产生 欠压复位电压是欠压复位电路跳变的电压范围 当 BOR 电路跳变时, 器件或者进入欠压复位, 或刚刚从欠压复位中恢复 表 -3: 直流特性参数示例 直流特性 符号 特性 最小值 VDD 电源电压 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 D001 PIC16CXXX V XT, RC 和 LP 振荡模式 PIC16LCXXX V D001A PIC16CXXX V HS 振荡模式 D002 VDR (1) RAM 数据保存电压 1.5 V D003 VPOR 保证内部上电复位信号 VSS V 详见有关上电复位的章节 的 VDD 起始电压 D004 SVDD 保证内部上电复位信号 0.05 V/ms 详见有关上电复位的章节 的 VDD 上升率 VBOR 欠压复位电压 D V 配置字中 BODEN 位使能 D005A V 仅限于扩展温度范围的器件 除非另外声明, 否则, 典型值 一栏中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 这是在 SLEEP 模式下不丢失 RAM 数据的 VDD 电压下限 典型值 最大值 单位 条件 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -5 页

6 PICmicro 中档单片机系列.5 器件电流特性 IDD 是器件工作时消耗的电流 (I) 测量时所有 I/O 引脚均作为输入, 无论是高电平或低电平 即, 没有悬空的输入引脚, 也没有引脚驱动输出 ( 带负载 ) IPD 是器件在休眠模式下 ( 断电时 ) 消耗的电流 (I), 称为掉电电流 测量时所有 I/O 引脚均作为输入, 无论是高电平或低电平 即, 没有悬空的输入引脚, 也没有引脚驱动输出 ( 带负载 ), 弱上拉也被关闭 器件在休眠模式时, 一些模块也能正常工作 这些模块如下 : 看门狗定时器 (WDT) 欠压复位 (BOR) 电路 定时器 Timer1 模数转换器 LCD 模块 比较器 参考电压模块禁止所有这些功能时, 器件将消耗最小电流 ( 漏电流 ) 器件休眠时, 任何模块的运行将使器件消耗更高的电流 最低功耗模式 ( 所有模块被禁止 ) 与使能一个模块 ( 如 WDT) 的电流消耗之差称为模块差别电流 (Module Differential Current) 如果不止一个功能被使能, 按照下面的方法我们可轻易计算出预期的电流 : 基本电流 ( 休眠模式下禁止所有功能 ) 加上所有模块的差别电流 ( 电流差 ) 例 -1 给出了 5V 时使能 WDT 和定时器 Timer1 振荡器计算典型电流的例子 例 -1: IPD 的计算 (5V 时使能 WDT 和 Timer1 振荡器 ) 基本电流 14 na ; 器件的漏电流 WDT 电流差 14 µa ; 14 µa - 14 na = 14 µa Timer1 电流差 22 µa ; 22 µa - 14 na = 22 µa 休眠时的总电流 36 µa ; DS310A_CN 第 -6 页 2004 Microchip Technology Inc.

7 第 章电气规范 表 -4: 直流特性 D010 直流特性示例 符号 特性 最小值 IDD 电源电流 (2,4,5) 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 典型值 最大值 单位 ma ma 条件 XT, RC 振荡器配置 (PIC16CXXX-04) FOSC = 4 MHz, VDD = 5.5V FOSC = 4 MHz, VDD = 3.0V D010A µa LP 振荡器配置 FOSC = 32 khz, VDD = 3.0V, WDT 禁止 D010C ma INTRC 振荡器配置, Fosc = 4 MHz, VDD = 5.5V D013 D020 IPD (3,5) 掉电电流 ma µa µa µa HS 振荡器配置 (PIC16CXXX-20) Fosc = 20 MHz, VDD = 5.5V VDD = 4.0V, WDT 使能, -40 C 至 +85 C VDD = 3.0V, WDT 使能, -40 C 至 +85 C VDD = 4.0V, WDT 禁止, -0 C 至 +70 C D µa µa VDD = 3.0V, WDT 禁止 0 C 至 +70 C VDD = 4.0V, WDT 禁止, -40 C 至 +85 C D021A D021B µa µa VDD = 3.0V, WDT 禁止, -40 C 至 +85 C VDD = 4.0V, WDT 禁止, -40 C 至 +125 C * 这些参数仅为特征值, 未经测试 除非另外声明, 否则, 典型值 一栏中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 不适用 2: 电源电流主要受运行电压和频率的影响 其它因素, 如 I/O 引脚的负载和开关频率 振荡器类型 内部代码执行模式和温度等也会影响电流消耗 在有源运行模式下所有 IDD 测量值的测试的条件为 : OSC1 = 外部方波, 满幅 ; 所有 I/O 引脚均为三态, 拉至 VDD 电平 MCLR = VDD; WDT 按规定使能 / 禁止 3: 休眠模式下的掉电电流并不取决于振荡器类型 掉电电流是在器件休眠时, 所有 I/O 引脚处于高阻态并连接到 VDD 和 VSS 时测得的 4: 器件振荡器配置为 RC 模式时, 该电流不包括流经 Rext 的电流 流经该电阻的电流可根据以下公式估算 : Ir = VDD/2Rext (ma), 其中 Rext 的单位为 kohm 5: 定时器 Timer1 振荡器 ( 使能时 ) 在参数上增加了约 20 µa 电流 该电流值仅为特征值, 仅供设计参考, 未经测试 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -7 页

8 PICmicro 中档单片机系列 表 -5: 直流特性示例 直流特性 符号 特性 最大 值 模块差别电流 (5) D022 IWDT 看门狗定时器 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级, -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 典型值 6.0 最大值 单位 µa µa 条件 VDD = 4.0V -40 C 至 +125 C D022A IBOR 欠压复位 µa BODEN 位清零, VDD = 5.0V D023 ICOMP 比较器 ( 每个比较器 ) µa VDD = 4.0V D023A IVREF 参考电压 94 0 µa VDD = 4.0V D024 ILCDRC LCD 内部 RC 振荡器使能 µa VDD = 3.0V D024A ILCDVG LCD 电压发生 TBD TBD µa VDD = 3.0V D025 IT1OSC Timer1 振荡器 µa VDD = 3.0V D026 IAD A/D 转换器 1.0 µa A/D 开启, 没有进行转换 D027 ISAD 积分型 A/D ( 总电流 ) 165 * 250 * µa REFOFF = 0 D027A ISADVR 积分型 A/D 20 * * µa REFOFF = 0 带隙参考电压 D027B ISADCDAC 积分型 A/D 50 * 70 * µa ADCON1<7:4> = 1111b 可编程电流源 D027C ISADSREF 积分型 A/D 55 * 85 * µa ADOFF = 0 参考电压分压器 D027D ISADCMP 积分型 A/D 比较器 40 * 65 * µa ADOFF = 0 除非另外声明, 否则, 典型值 一栏中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 DS310A_CN 第 -8 页 2004 Microchip Technology Inc.

9 第 章电气规范.6 输入门限电平 输入低电压 (VIL) 是被读作逻辑 0 的电平 高于输入低电压的输入电平可能不会被读作 0 由于器件与器件 ( 或引脚间 ) 的不同会导致该电平的差异, 因此所有设计均应以具体规范为准 输入高电平 (VIH) 是被读作逻辑 1 的电平 低于输入高电压的输入电平可能会被读作 1 由于器件与器件 ( 或引脚间 ) 的不同会导致该电平的差异, 因此所有设计均应以具体规范为准 带 TTL 逻辑的 I/O 引脚电平有两种规范 一种是工业标准 TTL 规范, 其规定电压范围为 4.5V 到 5.5V 另一种是器件运行于整个电压范围内的规范 设计时可选用两者中要求较高的参数 表 -6: 直流特性示例 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 直流特性 -40 C TA +85 C f 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 参数 符号 特性 最大值 典型值 最大值 单位 条件 编号 VIL 输入低电压 I/O 端口 : D0 带 TTL 缓冲器 VSS 0.15VDD V 整个 VDD 范围 (4) D0A 0.8 V 4.5V VDD 5.5V (4) D031 带施密特触发缓冲器 VSS 0.2VDD V 整个 VDD 范围 D032 MCLR, OSC1 (RC 模式 ) VSS 0.2VDD V D033 OSC1 (XT, HS 和 LP 模式 ) (1) VSS 0.3VDD V VIH 输入高电压 I/O 端口 D040 带 TTL 缓冲器 0.25VDD VDD V (4) 整个 VDD 范围 + 0.8V D040A 2.0 VDD V 4.5V VDD 5.5V (4) D041 带施密特触发缓冲器 0.8VDD VDD V 整个 VDD 范围 D042 MCLR 0.8VDD VDD V D042A OSC1 0.7VDD VDD V (XT, HS 和 LP 模式 ) (1) D043 OSC1 (RC 模式 ) 0.9VDD VDD V D050 VHYS 施密特触发器输入的滞后 TBD V 除非另外声明, 否则, 典型值 一栏中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 在 RC 振荡器配置中, OSC1/CLKIN 引脚是一个施密特触发器输入 我们不建议在 RC 模式下采用外部时钟 驱动 PICmicro 单片机 2: 不适用 3: 不适用 4: 可选用两者中要求较高的参数 对于 VIL 应选用较高的电压, 而对于 VIH 应选用较低的电压 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -9 页

10 PICmicro 中档单片机系列.7 I/O 电流特性 PORT/GIO 的弱上拉电流是当弱上拉使能时器件的额外电流 漏电流是器件在实际制造过程中因无法达到理想特征而消耗的电流 理想状况下输入端应没有电流存在, 但在现实中总是存在寄生导电通路要消耗小到可忽略不计的电流 表 -7: 直流特性示例 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 直流特性 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 参数 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 编号 IIL (2,3) 输入漏电流 D060 I/O 端口 ±1 µa Vss VPIN VDD, 高阻状态的引脚 D060A CDAC ±1 µa Vss VPIN VDD, 高阻状态的引脚 D061 MCLR ±5 µa Vss VPIN VDD D063 ±5 µa Vss VPIN VDD, XT, HS 和 LP osc 模式 IPU 弱上拉电流 D070 IPURB PORTB 弱上拉电流 µa VDD = 5V, VPIN = VSS D070A IPUGIO GIO 弱上拉电流 µa VDD = 5V, VPIN = VSS 可编程电流源 ( 积分型 CDAC 引脚 = 0V A/D 器件 ) D160 输出电流 µa ADCON1<7:4> = 1111b ( 满量程 ) D160A µa ADCON1<7:4> = 0001b (1 LSB) D160B µa ADCON1<7:4> = 0000b ( 零刻度 ) 除非另外声明, 否则, 典型值 一栏中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 在 RC 振荡器配置中, OSC1/CLKIN 引脚是一个施密特触发器输入 我们不建议在 RC 模式下采用外部时 钟驱动 PICmicro 单片机 2: MCLR 引脚上的漏电流在很大程度上取决于施加在该引脚上的电平 规定电平为正常运行条件下的电平 在 不同的输入电压下可测得更大的漏电流 3: 负电流定义为引脚的拉电流 DS310A_CN 第 -10 页 2004 Microchip Technology Inc.

11 第 章电气规范.8 输出驱动电压 I/O 引脚的输出低电压 (VOL) 取决于该 I/O 引脚的外部连接 如果 I/O 引脚短接到 VDD, 无论 I/O 引脚的驱动能力如何, 都将不能输出低电平 ( 并且器件会消耗过量驱动电流 ) VOL 是 I/O 引脚驱动的输出电压, 前提是 I/O 的灌电流低于电器规范中条件部分规定的 IOL 电流 ( 在规定的器件电压下 ) I/O 引脚的输出高电压 (VOH) 取决于该 I/O 引脚的外部连接 如果 I/O 引脚短接到 VSS, 无论 I/O 引脚的驱动能力如何, 都将不能输出高电平 ( 并且器件会消耗过量驱动电流 ) VOH 是 I/O 引脚驱动的输出电压, 前提是 I/O 口的拉电流低于电器规范中条件部分规定的 IOH 电流 ( 在额定的器件电压下 ) 表 -8: 直流特性示例 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 直流特性 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级 运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 VOL 输出低电压 D080 I/O 端口 0.6 V IOL = 8.5 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +85 C D080A 0.6 V IOL = 7.0 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +125 C D083 OSC2/CLKOUT (RC 模式 ) 0.6 V IOL = 1.6 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +85 C D083A 0.6 V IOL = 1.2 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +125 C VOH (3) 输出高电压 D090 I/O 端口 VDD V IOH = -3.0 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +85 C D090A VDD V IOH = -2.5 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +125 C D092 OSC2/CLKOUT (RC 模式 ) VDD V IOH = -1.3 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +85 C D092A VDD V IOH = -1.0 ma, VDD = 4.5V, -40 C 至 +125 C D150 VOD 开漏高电压 12 V RA4 引脚 可编程电流源 D170 VPCS 输出电压范围 Vss VDD 1.4 V CDAC 引脚 D171 SNPCS 输出电压灵敏度 %/V Vss VCDAC VDD 1.4 带隙参考 D180 VBGR 输出电压范围 V 在 AN0 引脚上 AMUXOE =1 且 ADCS3:ADSC0 = 0100b 时 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 在 RC 振荡器配置中, OSC1/CLKIN 引脚是一个施密特触发器输入 我们不建议在 RC 模式下采用外部时 钟驱动 PICmicro 单片机 2: MCLR 引脚上的漏电流在很大程度上取决于施加在该引脚上的电平 规定电平为正常运行条件下的电平 在 不同的输入电压下可测得更大的漏电流 3: 负电流定义为引脚的拉电流 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -11 页

12 PICmicro 中档单片机系列.9 I/O 引脚的容性负载 这些特性说明了 I/O 引脚在器件测试平台上测试时需要满足的条件 这些负载影响了器件电气规范的时间特性 如果具体应用中的负载不同, 就要确定它们是如何影响器件特性的 低于特性说明中的值的电容将不会对系统产生影响 表 -9: 直流特性 直流特性 符号 特性 最小 值 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 典型值 最大值单位条件 输出引脚上的容性负载规范 D100 COSC2 OSC2 引脚 15 pf 当使用外部时钟驱动 OSC1 时的 XT, HS 和 LP 模式下 D101 CIO 所有 I/O 引脚和 OSC2 50 pf 满足器件的时序特性 (RC 模式 ) D102 CB SCL, SDA 400 pf 在 I 2 C 模式下 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 在 RC 振荡器配置中, OSC1/CLKIN 引脚是一个施密特触发器输入 我们不建议在 RC 模式下采用外部时 钟驱动 PICmicro 单片机 2: MCLR 引脚上的漏电流在很大程度上取决于施加在该引脚上的电平 规定电平为正常运行条件下的电平 在 不同的输入电压下可测得更大的漏电流 3: 负电流定义为引脚的拉电流 DS310A_CN 第 -12 页 2004 Microchip Technology Inc.

13 第 章电气规范.10 数据 EEPROM / 闪存 表 -10: 数据 EEPROM / 闪存特性示例 直流特性 标准运行条件 ( 除非另外说明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 数据 EEPROM 存储器 D120 ED 耐久度 1M 10M E/W 25 C at 5V D121 VDRW 用于读写的 VDD VMIN 6.0 V VMIN = 最小运行电压 D122 TDEW 擦 / 写周期时间 10 ms 闪存程序存储器 D1 EP 耐久度 E/W D131 VPR 用于读入的 VDD VMIN 6.0 V VMIN = 最小运行电压 D132 VPEW 用于擦 / 写的 VDD V D133 TPEW 擦 / 写周期时间 10 ms 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -13 页

14 PICmicro 中档单片机系列.11 LCD 直流特性 表 -11: LCD 模块电气特性示例 标准运行条件 ( 除非另外说明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 符号特性最小值典型值 最大值单位条件 D200 VLCD3 VLCD3 引脚上的 LCD 电 压 VDD Vss V D201 VLCD2 VLCD2 引脚上的 LCD 电压 VLCD3 V D202 VLCD1 VLCD1 引脚上的 LCD 电压 VDD V D210 RCOM Com 输出源阻抗 1k Ω COM 输出 D211 RSEG Seg 输出源阻抗 10k Ω SEG 输出 D220 VOH 输出高电压 Max (VLCDN) Max (VLCDN) D221 VOL 输出低电压 Min (VLCDN) Min (VLCDN) V COM 输出 IOH = 25 µa SEG 输出 s IOH = 3 µa V COM 输出 IOL = 25 µa SEG 输出 IOL = 3 µa 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: VLCD 引脚上的源阻抗为 0 ohm 表 -12: VLCD 电荷泵电气特性示例 直流特性 标准运行条件 ( 除非另外说明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中的表 -3 中的说明 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 D250 IVADJ VLCDADJ 稳定电流输出 10 µa D251 Ivr VLCDADJ 电流消耗 20 µa D252 D253 IVADJ VDD IVADJ T VLCDADJ 电流 VDD 抑制 0.1/1 µa/v VLCDADJ 温度变化的电流 0.1/70 µa/ C D260 (1) RVADJ VLCDADJ 外接电阻 kω D265 VVADJ VLCDADJ 电压极限 V D271 (1) CECPC 外部电荷泵电容 0.5 µf 注 1: 仅供设计参考 DS310A_CN 第 -14 页 2004 Microchip Technology Inc.

15 第 章电气规范.12 比较器和参考电压 表 -13: 比较器特性示例 直流特性 标准运行条件 ( 除非另外说明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 符号特性最小值 D0 VIOFF 输入偏置电压 ± 5.0 ± 10 mv D1 VICM 共模输入电压 0 VDD V D2 CMRR 共模抑制比 db 0 TRESP 响应时间 (1) PIC16CXXX ns 0A PIC16LCXXX ns 典型值 最大值单位备注 1 TMC2OV 比较器模式变化到输出有效模式 10 µs 注 1: 当一个比较器输入电压为 (VDD - 1.5)/2, 而另一个比较器输入从 VSS 跳变到 VDD 时所测得的响应时间 表 -14: 参考电压特性 直流特性 标准运行条件 ( 除非另外说明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中表 -3 中的说明 符号特性最小值典型值最大值单位备注 D310 VRES 分辨率 VDD/32 VDD/24 V D311 VRAA 绝对精度 D312 VRUR 单位电阻 (R) 2k Ω 310 TSET 稳定时间 (1) 10 µs 1/4 1/2 LSb LSb 低精度 (VRR = 1) 高精度 (VRR = 0) 注 1: 当 VRR = 1, VR3:VR0 从 0000 跳变到 1111 时所测得的稳定时间 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -15 页

16 PICmicro 中档单片机系列.13 时序参数符号 时序参数符号是根据以下格式之一创建的 : 1. TppS2ppS 3. TCC:ST ( 仅适用于 I 2 C 规范 ) 2. TppS 4. Ts ( 仅适用于 I 2 C 规范 ) T F 频率 T 时间 小写字母 (pp) 及其含义 : pp cc CCP1 osc OSC1 ck CLKOUT rd RD cs CS rw RD or WR di SDI sc SCK do SDO ss SS dt 数据输入 t0 T0CKI io I/O 端口 t1 T1CKI mc MCLR wr WR 大写字母及其含义 : S F 下降 P 周期 H 高 R 上升 I 无效 ( 高阻态 ) V 有效 L 低 Z 高阻态 仅 I 2 C AA 输出通道 High 高 BUF 总线空闲 Low 低 TCC:ST ( 仅适用于 I 2 C 规范 ) CC HD 保持 SU 启动 ST DAT DATA 输入保持 STO STOP 条件 STA START 条件 图 -1: 负载条件示例 负载条件 1 负载条件 2 VDD/2 RL 引脚 CL 引脚 CL RL = 464Ω VSS VSS CL = 50 pf 对于除 OSC2 之外的所有引脚 15 pf 对于 OSC2 输出 DS310A_CN 第 -16 页 2004 Microchip Technology Inc.

17 第 章电气规范.14 外部时钟时序波形图和时序要求示例图 -2: 外部时钟时序波形图示例 Q4 Q1 Q2 Q3 Q4 Q1 OSC1 CLKOUT 表 -15: 外部时钟时序要求示例 参数典型值符号特性最小值编号 最大值 单位 条件 1A Fosc (1) 外部时钟输入频率 DC 4 MHz XT 和 RC 振荡模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX-04 DC 10 MHz HS 振荡模式 PIC16CXXX-10 DC 20 MHz PIC16CXXX-20 DC 200 khz LP 振荡模式 PIC16LCXXX-04 振荡器频率 (1) DC 4 MHz RC 振荡模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX MHz XT 振荡模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX MHz HS 振荡模式 PIC16CXXX MHz PIC16CXXX-20 1 (1) Tosc 外部时钟输入周期 振荡器周期 (1) khz LP 振荡模式 PIC16LCXXX ns XT 和 RC osc 模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX ns HS 振荡模式 PIC16CXXX ns PIC16CXXX-20 5 µs LP 振荡模式 PIC16LCXXX ns RC 振荡模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX ,000 ns XT 振荡模式 PIC16CXXX-04 PIC16LCXXX ns HS 振荡模式 PIC16CXXX ns PIC16CXXX-20 5 µs LP 振荡模式 PIC16LCXXX-04 2 TCY 指令周期时间 (1) 200 DC ns TCY = 4/FOSC 3 TosL, 外部时钟输入 (OSC1) 的 50 ns XT 振荡模式 PIC16CXXX-04 TosH 高电平或低电平时间 60 ns XT 振荡模式 PIC16LCXXX µs LP 振荡模式 PIC16LCXXX ns HS 振荡模式 PIC16CXXX-20 4 TosR, TosF 外部时钟 (OSC1) 上升时间外部时钟 (OSC1) 下降时间 25 ns XT 振荡模式 PIC16CXXX ns LP 振荡模式 PIC16LCXXX ns HS 振荡模式 PIC16CXXX-20 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 指令周期 (TCY) 等于输入振荡器时基周期的 4 倍 所有值均基于标准运行条件下, 器件执行代码时对应特定振荡器类型的特征数据 超过规定值可导致振荡器运行不稳定, 并 / 或使电流消耗超过预期 所有器件在测试 最小 值时, 均在 OSC1/CLKIN 引脚接入了外部时钟 当使用外部时钟输入时, 所有器件的 最大 周期时间极限为 DC ( 无时钟 ) 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -17 页

18 PICmicro 中档单片机系列 图 -3: 时钟输出 (CLKOUT) 和 I/O 时序波形图示例 Q4 Q1 Q2 Q3 OSC CLKOUT I/O 引脚 ( 输入 ) I/O 引脚 ( 输出 ) 原有值 新建值 注 : 负载条件参见图 -1 20, 21 表 -16: 时钟输出 CLKOUT 和 I/O 时序要求示例 符号特性最小值典型值 最大值单位条件 10 TosH2ckL OSC1 到 CLKOUT ns (1) 11 TosH2ckH OSC1 到 CLKOUT ns (1) 12 TckR CLKOUT 上升时间 ns (1) 13 TckF CLKOUT 下降时间 ns (1) 14 TckL2ioV CLKOUT 到端口输出有效 0.5TCY + 20 ns (1) 15 TioV2ckH 在 CLKOUT 前端口输入有效 0.25TCY + 25 ns (1) 16 TckH2ioI 在 CLKOUT 后端口输入保持 0 ns (1) 17 TosH2ioV OSC1 (Q1 周期 ) 到端口输出有效 ns 18 TosH2ioI OSC1 (Q2 周期 ) 到 PIC16CXXX 100 ns 18A 端口输入无效 (I/O 输入保持时间 ) PIC16LCXXX 200 ns 19 TioV2osH 端口输入有效到 OSC1 (I/O 输入启动时间 ) 0 ns 20 TioR 端口输出上升时间 PIC16CXXX ns 20A PIC16LCXXX 60 ns 21 TioF 端口输出下降时间 PIC16CXXX ns 21A PIC16LCXXX 60 ns 22 Tinp INT 引脚高或低电平时间 TCY ns 23 Trbp RB7:RB4 改变 INT 高或低电平时间 TCY ns 24 Trcp RC7:RC4 改变 INT 高或低电平时间 20 ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 这些参数为异步事件, 与任何内部时钟边沿无关 注 1: 测量是在 RC 模式下进行的, 此时, CLKOUT 输出为 4 x TOSC DS310A_CN 第 -18 页 2004 Microchip Technology Inc.

19 第 章电气规范.15 上电和复位时序波形图及要求示例 图 -4: 复位 看门狗定时器 振荡器起振定时器和上电延时定时器时序波形图示例 VDD MCLR 内部 POR PWRT 超时溢出 OSC 超时溢出 内部 RESET 看门狗定时器复位 I/O 引脚 注 : 负载条件参见图 -1 图 -5: 欠压复位时序图 VDD BVDD 35 表 -17: 复位 看门狗定时器 振荡器起振定时器 上电延时定时器和欠压复位要求示例 符号特性最小值典型值 最大值单位条件 TmcL MCLR 脉冲宽度 ( 低 ) 2 µs VDD = 5V, -40 C 至 +125 C 31 Twdt 看门狗定时器超时溢出周期 ms VDD = 5V, -40 C 至 +125 C ( 无预分频器 ) 32 Tost 振荡器起振定时器周期 1024TOSC TOSC = OSC1 周期 33 Tpwrt 上电延时定时器周期 ms VDD = 5V, -40 C 至 +125 C 34 TIOZ 自 MCLR 或看门狗定时器复 位起 I/O 处于高阻态的时间 2.1 µs 35 TBOR 欠压复位脉冲宽度 100 µs VDD BVDD ( 见 D005) 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -19 页

20 PICmicro 中档单片机系列.16 定时器 Timer0 和 Timer1 时序波形图及要求示例 图 -6: 定时器 Timer0 和 Timer1 外部时钟时序波形图示例 T0CKI T1OSO/T1CKI TMR0 或 TMR1 注 : 负载条件参见图 表 -18: 定时器 Timer0 和 Timer1 外部时钟要求示例 符号特性最小值 典型值 最大值单位 40 Tt0H T0CKI 高电平脉冲宽度 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 有预分频器 10 ns 41 Tt0L T0CKI 低电平脉冲宽度 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 有预分频器 10 ns 42 Tt0P T0CKI 周期 取最大值 : 20 µs 或 TCY + 40 N 45 Tt1H T1CKI 高 电平时间 46 Tt1L T1CKI 低 电平时间 47 Tt1P T1CKI 输 入周期 Ft1 条件 ns N = 预分频值 (1, 2, 4,..., 256) 同步, 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 同步, 有预分 PIC16CXXX 15 ns 频器 PIC16LCXXX 25 ns 异步 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX 50 ns 同步, 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 同步, 有预分频器 PIC16CXXX 15 ns PIC16LCXXX 25 ns 异步 PIC16CXXX 2TCY ns PIC16LCXXX 同步取最大值 : 20 µs 或 TCY + 40 N 异步取最大值 : 20µS 或 4TCY 定时器 Timer1 振荡器输入频率范围 (T1OSCEN 位置 1 使能振荡器 ) ns N = 预分频值 (1, 2, 4, 8) ns DC 200 khz 48 Tcke2tmrI 从外部时钟边沿到定时器增 1 的延时 2Tosc 7Tosc 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 DS310A_CN 第 -20 页 2004 Microchip Technology Inc.

21 第 章电气规范.17 CCP 的时序图及要求 图 -7: 捕捉 / 比较 /PWM 时序波形图示例 CCPx ( 捕捉模式 ) CCPx ( 比较或 PWM 模式 ) 注 : 负载条件参见图 表 -19: 捕捉 / 比较 /PWM 要求示例 符号特性最小值典型值 50 TccL CCPx 输入低电 平时间 51 TccH CCPx 输入高电 平 最大值 单位 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 有预分频 PIC16CXXX 10 ns 器 PIC16LCXXX 20 ns 无预分频器 0.5TCY + 20 ns 有预分频器 52 TccP CCPx 输入周期 3TCY + 40 N PIC16CXXX 10 ns PIC16LCXXX 20 ns 条件 ns N = 预分频值 (1,4 或 16) 53 TccR CCPx 输出上升时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 54 TccF CCPx 输出下降时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -21 页

22 PICmicro 中档单片机系列.18 并行从动端口 (PSP) 时序图及要求 图 -8: 并行从动端口时序波形图示例 RE2/CS RE0/RD RE1/WR 65 RD7:RD 注 : 负载条件参见图 表 -20: 并行从动端口要求 符号 特性 62 TdtV2wrH 在 WR 或 CS 前数据输入有效时间 ( 建立时间 ) 63 TwrH2dtI WR 或 CS 到数据输入无效时 间 ( 保持时间 ) 最小值 典型值 最大值 单位 20 ns PIC16CXXX 20 ns PIC16LCXXX 35 ns 64 TrdL2dtV RD 和 CS 到数据输出有效 80 ns 65 TrdH2dtI RD 或 CS 到数据输出无效 10 ns 66 TibfINH 禁止 IBF 标志位被 WR 或 CS 清零 3Tcy 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 该参数须经设计验证 条件 DS310A_CN 第 -22 页 2004 Microchip Technology Inc.

23 第 章电气规范.19 SSP 和 MSSP SPI TM 模式时序波形图及要求示例 图 -9: SPI TM 主控模式时序图示例 (CKE = 0) SS SCK (CKP = 0) SCK (CKP = 1) SDO MSb BIT LSb 75, 76 SDI MSb IN BIT LSb IN 注 : 负载条件参见图 -1 表 -21: SPI TM 主控模式要求示例 (CKE = 0) 参数典型最大符号特性最小值编号值值 单位 条件 70 TssL2scH, TssL2scL SS 到 SCK 或 SCK 输入 TCY ns 71 TscH SCK 输入高电平时间 连续 1.25TCY + ns 71A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 72 TscL SCK 输入低电平时间 连续 1.25TCY + ns 72A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 73 TdiV2scH, TdiV2scL SDI 数据输入到 SCK 边沿的建立时间 100 ns 73A TB2B Byte1 的末个时钟边沿到 Byte2 的首个时钟 1.5TCY + 40 ns 注 1 边沿 74 TscH2diL, TscL2diL SDI 数据输入到 SCK 边沿的保持时间 100 ns 75 TdoR SDO 数据输出上升时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 76 TdoF SDO 数据输出下降时间 ns 78 TscR SCK 输出上升时间 ( 主控模式 ) PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 79 TscF SCK 输出下降时间 ( 主控模式 ) ns 80 TscH2doV, TscL2doV SCK 边沿后 SDO 数据输出有效 PIC16CXXX 50 ns PIC16LCXXX 100 ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 只有在使用参数 71A 和 72A 时, 才需要参数 73A 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -23 页

24 PICmicro 中档单片机系列 图 -10: SPI TM 主控模式时序图示例 (CKE = 1) SS SCK (CKP = 0) SCK (CKP = 1) SDO MSb BIT LSb 75, 76 SDI MSb IN BIT LSb IN 74 注 : 负载条件参见图 -1 表 -22: SPI TM 主控模式要求示例 (CKE = 1) 参数典型最大符号特性最小值单位条件编号值 值 71 TscH SCK 输入高电平时间连续 1.25TCY + ns 71A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 72 TscL SCK 输入低电平时间 Continuous 1.25TCY + ns 72A ( 从动模式 ) Single Byte 40 ns 注 1 73 TdiV2scH, TdiV2scL SDI 数据输入到 SCK 边沿的建立时间 100 ns 73A TB2B Byte1 的末个时钟边沿到 Byte2 的首个时钟 1.5TCY + 40 ns 注 1 边沿 74 TscH2diL, TscL2diL SDI 数据输入到 SCK 边沿的保持时间 100 ns 75 TdoR SDO 数据输出上升时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 76 TdoF SDO 数据输出下降时间 ns 78 TscR SCK 输出上升时间 ( 主控 模式 ) PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 79 TscF SCK 输出下降时间 ( 主控模式 ) ns 80 TscH2doV, TscL2doV 81 TdoV2scH, TdoV2scL SCK 边沿后 SDO 数据输出有效 PIC16CXXX 50 ns PIC16LCXXX 100 ns SDO 数据输出建立到 SCK 边沿 TCY ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 只有在使用参数 71A 和 72A 时, 才需要参数 73A DS310A_CN 第 -24 页 2004 Microchip Technology Inc.

25 第 章电气规范 图 -11: SPI TM 从动模式时序图示例 (CKE = 0) SS SCK (CKP = 0) SCK (CKP = 1) SDO MSb BIT LSb 75, SDI MSb IN BIT LSb IN 注 : 负载条件参见图 -1 表 -23: SPI TM 从动模式要求示例 (CKE = 0) 参数典型最大符号特性最小值编号值 值 单位 条件 70 TssL2scH, TssL2scL SS 到 SCK 或 SCK 输入 TCY ns 71 TscH SCK 输入高电平时间 连续 1.25TCY + ns 71A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 72 TscL SCK 输入低电平时间 连续 1.25TCY + ns 72A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 73 TdiV2scH, TdiV2scL SDI 数据输入到 SCK 边沿的建立时间 100 ns 73A TB2B Byte1 的末个时钟边沿到 Byte2 的首个时钟 1.5TCY + 40 ns 注 1 边沿间的时间 74 TscH2diL, TscL2diL SDI 数据输入到 SCK 边沿的保持时间 100 ns 75 TdoR SDO 数据输出上升时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 76 TdoF SDO 数据输出下降时间 ns 77 TssH2doZ SS 到 SDO 输出高阻态 ns 78 TscR SCK 输出上升时间 ( 主控模式 ) PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 79 TscF SCK 输出下降时间 ( 主控模式 ) ns 80 TscH2doV, TscL2doV 83 TscH2ssH, TscL2ssH SCK 边沿后 SDO 数据输出有效 PIC16CXXX 50 ns PIC16LCXXX 100 ns 在 SCK 边沿到后 SS 1.5TCY + 40 ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 只有在使用参数 71A 和 72A 时, 才需要参数 73A 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -25 页

26 PICmicro 中档单片机系列 图 -12: SPI TM 从动模式时序图示例 (CKE = 1) SS 82 SCK (CKP = 0) SCK (CKP = 1) 80 SDO MSb BIT LSb 75, SDI MSb IN BIT LSb IN 74 注 : 负载条件参见图 -1 表 -24: SPI TM 从动模式要求示例 (CKE = 1) 参数典型最大符号特性最小值编号值 值 单位 条件 70 TssL2scH, TssL2scL SS 到 SCK 或 SCK 输入 TCY ns 71 TscH SCK 输入高电平时间 连续 1.25TCY + ns 71A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 72 TscL SCK 输入低电平时间 连续 1.25TCY + ns 72A ( 从动模式 ) 单字节 40 ns 注 1 73A TB2B Byte1 的末个时钟边沿到 Byte2 的首个时 1.5TCY + 40 ns 注 1 钟边沿间的时间 74 TscH2diL, TscL2diL SDI 数据输入到 SCK 边沿的保持时间 100 ns 75 TdoR SDO 数据输出上升时间 PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 76 TdoF SDO 数据输出下降时间 ns 77 TssH2doZ SS 到 SDO 输出高阻态 ns 78 TscR SCK 输出上升时间 ( 主控模式 ) PIC16CXXX ns PIC16LCXXX ns 79 TscF SCK 输出下降时间 ( 主控模式 ) ns 80 TscH2doV, TscL2doV SCK 边沿到后 SDO 数据输出有效 PIC16CXXX 50 ns PIC16LCXXX 100 ns PIC16CXXX 50 ns PIC16LCXXX 100 ns 82 TssL2doV 在 SS 沿到后 SDO 数据输出有效 83 TscH2ssH, SCK 边沿后 SS 1.5TCY + 40 ns TscL2ssH 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: 只有在使用参数 71A 和 72A 时, 才需要参数 73A DS310A_CN 第 -26 页 2004 Microchip Technology Inc.

27 第 章电气规范.20 SSP I 2 C TM 模式时序波形图及要求示例 图 -13: SSP I 2 C TM 总线启动 / 停止位时序图示例 SCL SDA START 条件 STOP 条件 注 : 负载条件参见图 -1 表 -25: SSP I 2 C TM 总线启动 / 停止位要求 符号特性最小值 90 TSU:STA START 条件 100 khz 模式 4700 ns 仅与 START 条件重复有关 建立时间 400 khz 模式 THD:STA START 条件 100 khz 模式 4000 ns 该周期之后, 产生第一个时 保持时间 400 khz 模式 600 钟脉冲 92 TSU:STO STOP 条件 100 khz 模式 4700 ns 建立时间 400 khz 模式 THD:STO STOP 条件 100 khz 模式 4000 ns 保持时间 400 khz 模式 600 典型值 最大值 单位 条件 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -27 页

28 PICmicro 中档单片机系列 图 -14: SSP I 2 C TM 总线数据时序图示例 SCL SDA 输入 SDA 输出 注 : 负载条件参见图 -1 DS310A_CN 第 -28 页 2004 Microchip Technology Inc.

29 第 章电气规范 表 -26: SSP I 2 C TM 总线数据要求示例 符号特性最小值最大值单位条件 100 THIGH 时钟高电平时间 100 khz 模式 4.0 µs PIC16CXXX 的最小工作频率为 1.5 MHz 400 khz 模式 0.6 µs PIC16CXXX 的最小工作频率为 10 MHz SSP 模块 1.5TCY 101 TLOW 时钟低电平时间 100 khz 模式 4.7 µs PIC16CXXX 的最小工作频率为 1.5 MHz 400 khz 模式 1.3 µs PIC16CXXX 的最小工作频率为 10 MHz SSP Module 1.5TCY 102 TR SDA 和 SCL 上升 时间 103 TF SDA 和 SCL 下降 时间 90 TSU:STA START 条件建立时 间 91 THD:STA START 条件保持 时间 100 khz 模式 1000 ns 400 khz 模式 Cb 0 ns 指定 Cb 从 10 到 400 pf 100 khz 模式 0 ns 400 khz 模式 Cb 0 ns 指定 Cb 从 10 到 400 pf 100 khz 模式 4.7 µs 仅与 START 条件重复有关 400 khz 模式 0.6 µs 100 khz 模式 4.0 µs 该周期之后, 产生第一个时 400 khz 模式 0.6 µs 钟脉冲 106 THD:DAT 数据输入保持时间 100 khz 模式 0 ns 400 khz 模式 µs 107 TSU:DAT 数据输入建立时间 100 khz 模式 250 ns 注 khz 模式 100 ns 92 TSU:STO STOP 条件建立时 间 100 khz 模式 4.7 µs 400 khz 模式 0.6 µs 109 TAA 时钟输出有效 100 khz 模式 3500 ns 注 khz 模式 ns 110 TBUF 总线空闲时间 100 khz 模式 4.7 µs 在开始新的传送之前总线必 400 khz 模式 1.3 µs 须空闲的时间 D102 Cb 总线容性负载 400 pf 注 1: 作为发送器, 为了避免意外产生 START 或 STOP 条件, 器件必须提供该内部最小延迟时间, 以连通 SCL 下降沿的非定义区域 ( 最小值 0 ns) 2: 可将快速模式 I 2 C 总线器件用于标准模式 I 2 C 总线系统中, 但必须满足 tsu:dat 250 ns 的要求 如果器件 不延长 SCL 信号的 LOW 周期, 上述要求将自动满足 如果该器件延长了 SCL 信号的 LOW 周期, 其下一 个数据位必须输出到 SDA 线路 SCL 线路释放前 TR max. + tsu:dat = = 1250 ns ( 根据标准方式 I 2 C 总线规范 ) 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -29 页

30 PICmicro 中档单片机系列.21 MSSP I 2 C TM 模式时序波形图及要求示例 图 -15: MSSP I 2 C TM 总线启动 / 停止位时序波形图示例 SCL SDA START 条件 STOP 条件 注 : 负载条件参见图 -1 表 -27: MSSP I 2 C TM 总线启动 / 停止位要求 符号特性最小值 典型值 最大值 90 TSU:STA START 条件 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 建立时间 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) (1) 1 MHz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 91 THD:STA START 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 条件 保持时间 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) (1) 1 MHz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 92 TSU:STO STOP 条件 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 建立时间 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) 93 THD:STO STOP 条件 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 保持时间 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) 该参数须由设计验证 I 2 C 规范所需的值参见 附录 中的图 A-11 所有 I 2 C 引脚的最大引脚电容为 10 pf 单位 ns ns ns ns 条件 仅与重复的 START 条件有关 在这个周期之后, 产生第一个时钟脉冲 DS310A_CN 第 - 页 2004 Microchip Technology Inc.

31 第 章电气规范 图 -16: MSSP I 2 C TM 总线数据时序图示例 SCL SDA 输入 SDA 输出 注 : 负载条件参见图 表 -28: MSSP I 2 C TM 总线数据要求示例 参数最大符号特性最小值编号值 单位 条件 100 THIGH 时钟高电平时间 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) ms 101 TLOW 时钟低电平时间 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) ms 102 TR SDA 和 SCL 100 khz 模式 1000 ns 指定 Cb 为 10 到 400 pf 上升时间 400 khz 模式 Cb 0 ns 1 MHz 模式 (1) 0 ns 103 TF SDA 和 SCL 下降时间 90 TSU:STA START 条件 建立时间 91 THD:STA START 条件 保持时间 106 THD:DAT 数据输入 保持时间 107 TSU:DAT 数据输入 建立时间 92 TSU:STO STOP 条件 建立时间 100 khz 模式 0 ns 指定 Cb 为 10 到 400 pf 400 khz 模式 Cb 0 ns 1 MHz 模式 (1) 100 ns 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 仅与 START 条件重复有关 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) ms 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 该周期之后, 产生第一个 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 时钟脉冲 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) ms 100 khz 模式 0 ns 400 khz 模式 ms 1 MHz 模式 (1) TBD ns 100 khz 模式 250 ns 注 khz 模式 100 ns 1 MHz 模式 (1) TBD ns 100 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 400 khz 模式 2(TOSC)(BRG + 1) ms 1 MHz 模式 (1) 2(TOSC)(BRG + 1) ms 109 TAA 时钟输出有效 100 khz 模式 3500 ns 400 khz 模式 1000 ns 1 MHz 模式 (1) ns 110 TBUF 总线空闲时间 100 khz 模式 4.7 ms 开始新的传送之前总线必 400 khz 模式 1.3 ms 须空闲的时间 1 MHz 模式 (1) TBD ms D102 Cb 总线容性负载 400 pf 该参数须由设计验证 I 2 C 规范所需的值参见 附录 中的图 A-11 这些参数仅供设计参考, 未经测试, 也未经特性测试 注 1: 所有 I 2 C 引脚的最大引脚电容为 10 pf 2: 快速模式 I 2 C 总线器件可在标准模式 I 2 C 总线系统上应用, 但必须满足 tsu:dat 250 ns 的要求 如果器件不延长 SCL 信号的 LOW 周期, 上述要求将自动满足 如果该器件延长了 SCL 信号的 LOW 周期, 其下一个数据位必须输出到 SDA 线路 SCL 线路释放前, 参数 参数 107 = = 1250 ns (100 khz 模式 ) 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -31 页

32 PICmicro 中档单片机系列.22 USART/SCI 时序波形图及要求示例 图 -17: USART 同步发送 ( 主 / 从 ) 时序波形图示例 TX/CK 引脚 RX/DT 引脚 注 : 负载条件参见图 表 -29: USART 同步发送 ( 主 / 从 ) 要求示例 符号 特性 120 TckH2dtV SYNC XMIT (MASTER & SLAVE) 时钟高电平到数据输出有效 121 Tckrf 时钟输出上升和下降时间 ( 主控模式 ) 最小值 典型值 最大值单位条件 PIC16CXXX 80 ns PIC16LCXXX 100 ns PIC16CXXX 45 ns PIC16LCXXX 50 ns 122 Tdtrf 数据输出上升和下降时间 PIC16CXXX 45 ns PIC16LCXXX 50 ns 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 DS310A_CN 第 -32 页 2004 Microchip Technology Inc.

33 第 章电气规范 图 -18: USART 同步接收 ( 主控 / 从动 ) 时序波形图示例 TX/CK 引脚 RX/DT 引脚 注 : 负载条件参见图 -1 表 -: USART 同步接收 ( 主控 / 从动 ) 要求示例 符号 特性 最小值 典型值 125 TdtV2ckl SYNC RCV (MASTER & SLAVE) 在 CK 前数据设置 (DT 保持时间 ) 15 ns 126 TckL2dtl 在 CK 后数据保持 (DT 保持时间 ) 15 ns 最大值单位条件 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -33 页

34 PICmicro 中档单片机系列.23 8 位 A/D 时序波形图及要求示例 表 -31: 8 位 A/D 转换器特性示例 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 A01 NR 分辨率 8 位 位 VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A02 EABS 总绝对误差 < ± 1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A03 EIL 积分线性误差 < ± 1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A04 EDL 微分线性误差 < ± 1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A05 EFS 满量程误差 < ± 1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A06 EOFF 偏移误差 < ± 1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A10 单调性 保证 VSS VAIN VREF A20 VREF 参考电压 3.0V VDD V A25 VAIN 模拟输入电压 VSS VREF V A ZAIN 模拟电压源的推荐阻抗 10.0 kω A40 IAD A/D 转换电流 (VDD) A50 IREF VREF 输入电流 ( 注 2) 10 PIC16CXXX 180 µa 当 A/D 开启时的平均电 PIC16LCXXX 90 µa 流消耗 ( 注 1) 1000 µa 处于 VAIN 采集期间 基于 VHOLD 到 VAIN 的微分 对 CHOLD 的充电见 8 位 A/D 转换器 10 µa 在 A/D 转换周期期间 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: A/D 转换器关闭时, 除了消耗极小的漏电流外, 不消耗任何其它电流 掉电电流参数包括任何来自 A/D 模块的漏电流 VREF 电流来自选择作为参考输入的 RA3 引脚或 VDD 引脚 DS310A_CN 第 -34 页 2004 Microchip Technology Inc.

35 第 章电气规范 图 -19: 8 位 A/D 转换时序波形图示例 BSF ADCON0, GO Q4 (TOSC/2) (1) TCY A/D 时钟 132 A/D 数据 ADRES OLD_DATA NEW_DATA ADIF GO 采样 采样停止 DONE 注 1: 如果选择 RC 为 A/D 的时钟源, 在 A/D 时钟开始之前会增加一个 TCY 时间 这种模式允许 SLEEP 指令执行 表 -32: 8 位 A/D 转换要求 符号特性最小值 典型值 最大值单位条件 1 TAD A/D 时钟周期 PIC16CXXX 1.6 µs 基于 TOSC VREF 3.0V PIC16LCXXX 2.0 µs 基于 TOSC VREF 满量程 PIC16CXXX µs A/D RC 模式 PIC16LCXXX µs A/D RC 模式 131 TCNV 转换时间 ( 不包括 S/H 时间 ) ( 注 1) 132 TACQ 数据采集时间注 TAD 20 µs 134 TGO Q4 到 A/D 时钟开始 2TOSC 5 µs 最小时间值是放大器的稳定时间 如果 新的 输入电压相对于上次采样电压 ( 如 CHOLD 上的电压 ) 的变化不超过 1 LSb ( 即 5.12V 时 20 mv), 则可采用此时间 如果选择 RC 为 A/D 时钟源, 在 A/D 时钟开始之前会增加一个 TCY 时间 这样即可使 SLEEP 指令得以执行 136 TAMP 放大器稳定时间 ( 注 2) 1 µs 如果 新的 输入电压相对于上次采样电压 ( 如 CHOLD 上的电压 ) 的变化不超过 1 LSb ( 即 5.12V 时 20 mv), 则可采用此时间 135 TSWC 转换 采样的切换时间 1 1 TAD 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 这些参数须经设计验证 注 1: ADRES 寄存器可在紧随其后的 TCY 周期中读出 最小要求见 8 位 A/D 转换器 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -35 页

36 PICmicro 中档单片机系列 位 A/D 时序波形图及要求示例 表 -33: 10 位 A/D 转换器特性示例 符号 特性 最小值 典型值 最大值 单位 条件 A01 NR 分辨率 10 bit VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A02 EABS 绝对误差 <±1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A03 EIL 积分线性误差 <±1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A04 EDL 微分线性误差 <±1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A05 EFS 满量程误差 <±1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A06 EOFF 偏移误差 <±1 LSb VREF = VDD = 5.12V, VSS VAIN VREF A10 单调性 保证 VSS VAIN VREF A20 VREF 参考电压 0V V 对于无闭锁时 A20A (VREFH - VREFL) 3V V 对于 10 位分辨率时 A21 VREFH 参考高电压 AVSS AVDD + 0.3V V A22 VREFL 参考低电压 AVSS - 0.3V AVDD V A25 VAIN 模拟输入电压 AVSS - 0.3V VREF + 0.3V V A ZAIN 模拟电压源的建议阻抗 10.0 kω A40 IAD A/D 转换电流 (VDD) A50 IREF VREF 输入电流 ( 注 2) 10 PIC16CXXX 180 µa 当 A/D 开启时的平均电流 PIC16LCXXX 90 µa 消耗 ( 注 1) 10 µa 在 A/D 转换周期期间 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: A/D 转换器关闭时, 除了消耗极小的漏电流外, 不消耗任何其它电流 掉电电流参数包括任何来自 A/D 模块的漏电流 VREF 电流来自被选择作为参考输入的 RG0 和 RG1 引脚或 AVDD 和 AVSS 引脚 1000 µa 处于 VAIN 采集期间 基于 VHOLD 到 VAIN 的差 对 CHOLD 的充电见 10 位 A/D 转换器 DS310A_CN 第 -36 页 2004 Microchip Technology Inc.

37 第 章电气规范 图 -20: 10 位 A/D 转换时序波形图示例 BSF ADCON0, GO Q4 A/D 时钟 132 A/D 数据 注 ADRES 旧数据 新数据 ADIF TCY 执行 DONE 采样 采样停止 注 1: 如果选择 RC 为 A/D 的时钟源, 在 A/D 时钟开始前会增加一个 TCY 时间 这种模式允许 SLEEP 指令执行 2: 这是最小 RC 延迟 ( 典型值为 100 ns), 在这段时间里保持电容也从模拟输入端断开 表 -34: 10 位 A/D 转换要求 符号特性最小值典型值 最大值单位条件 1 TAD A/D 时钟周期 PIC16CXXX 1.6 µs 基于 TOSC VREF 3.0V 131 TCNV 转换时间 ( 不包括采集时间 ) ( 注 1) 132 TACQ 数据采集时间 ( 注 3) PIC16LCXXX 3.0 µs 基于 TOSC VREF 满量程 PIC16CXXX µs A/D RC 模式 PIC16LCXXX µs A/D RC 模式 TAD µs µs -40 C Temp 125 C 0 C Temp 125 C 136 TAMP 放大器稳定时间 ( 注 2) 1 µs 如果 新的 输入电压相对于上次采样电压 ( 如 CHOLD 上的电压 ) 的变化不超过 1 LSb ( 即 5.12V 时 5mV), 则可采用此时间 135 TSWC 转换 采集的变换时间 注 4 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 该参数须经设计验证 注 1: ADRES 寄存器可在随后的 TCY 周期中读出 2: 当输入电压的变化超过 1 LSb 时, 最小条件参见 10 位 A/D 转换器 3: 转换完成后当电压满量程变化时 (AVDD 至 AVSS, 或 AVSS 至 AVDD), 采样保持电容获取一个 " 新的 " 输入电压所需的时间 输入通道的源阻抗 (RS) 为 50 Ω 4: 在器件时钟的下一个 Q4 周期 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -37 页

38 PICmicro 中档单片机系列.25 积分型 A/D 时序波形图及要求示例 图 -21: 捕捉时钟 ADRST ADCON0<1> 积分型 A/D 转换周期示例 ADTMR 加计数 ADTMR COUNT XX XX+1 XX+2 XX+3 XX+8 XX+9 CDAC COMPARE ADCIF ( 必须用软件清零 ) 捕捉寄存器 XX XX+8 DS310A_CN 第 -38 页 2004 Microchip Technology Inc.

39 第 章电气规范 表 -35: 积分型 A/D 组件特性 直流特性 符号特性最小值 标准运行条件 ( 除非另外声明 ) 运行温度 0 C TA +70 C 商业级 -40 C TA +85 C 工业级 -40 C TA +125 C 扩展级运行电压 VDD 的范围见 DC 规范中的表 -3 中的说明 典型值 最大值单位条件 积分型 A/D 比较器 A100 VAIN 模拟输入电压范围 VSS VDD 1.4 V A101 输入偏移电压 mv 在通用模式范围以外量得 A102 GDV 微分电压增益 100 db ( 注 1) A103 CMRR 共模抑制比 ( 注 1) 80 db VDD = 5V, TA = 25 C, 超出通用模式范围 A104 RRadc 电源抑制比 ( 注 1) 70 db TA = 25 C, VDD 最小值 VDD VDD 最大值 TSET 接通稳定时间 140 带隙参考电压 ( 至 < 0.1% 注 1) 1 10 ms SLPCON 寄存器上的 REFOFF 位 可编程电流源 ( < 0.1%) 1 10 ms 偏压源 ( 参考电压源 ) 开启时间 (REFOFF 1 0) ( 参考电压源开启 )( 注 1) 141A 1 10 µs REFOFF = 0 ( 恒定值 ), ADCON1<7:4> 0000b 1111b ( 参考电压源打开并处于稳定状态下 )( 注 3) TC 温度系数 ( 注 1) A110 TCBGR 带隙参考 A110A A111 TCPCS 可编程电流源 ppm/ C 40 C TA +25 C 25 C TA +85 C ppm/ C 0 C TA +25 C 25 C TA +70 C %/ C 40 C TA +25 C 25 C TA +85 C A112 TCkref 斜率参考电压分压器 20 ppm/ C 40 C TA +85 C CA 校准精度 ( 注 3, 5) 所有的参数在 VDD = 5V 和 TA = +25 C 下校准 A120 CABGR 带隙参考电压 0.01 % A121 CASRV 斜率参考电压分压器 0.02 % SN 电源灵敏度 ( 注 1) A1 SNBGR 带隙参考电压 0.04 %/V 从 VDD 最小值到 VDD 最大值 A131 SNPCS 可编程电流源 0.2 %/V 从 VDD 最小值到 VDD 最大值 A132 SNkref 斜率参考电压分压器 %/V 从 VDD 最小值到 VDD 最大值 可编程电流源 A140 IRES 分辨率 µa 1 LSb A141 EIL 相对精度 ( 线性误差 ) 1/2 +1/2 LSb CDAC = 0V 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -39 页

40 PICmicro 中档单片机系列.26 LCD 时序波形图及要求示例 图 -22: LCD 电压波形图示例 VLCD3 VLCD2 VLCD1 VSS 表 -36: LCD 模块时序要求 符号特性最小值 典型值 最大值单位条件 200 FLCDRC LCDRC 振荡器频率 khz VDD = 5V, -40 C 至 +85 C 201 TrLCD 输出上升时间 200 µs COM 输出 Cload = 5,000 pf SEG 输出 Cload = 500 pf VDD = 5.0V, T = 25 C 202 TfLCD 输出下降时间 ( 注 1) TrLCD TrLCD TrLCD TrLCD µs COM 输出 Cload = 5,000 pf SEG 输出 Cload = 500 pf VDD = 5.0V, T = 25 C 除非另外声明, 否则, 典型值 一列中的数据为 5V, 25 C 条件下的值 这些参数仅供设计参考, 未经测试 注 1: VLCD 上的电源阻抗是 0Ω DS310A_CN 第 -40 页 2004 Microchip Technology Inc.

41 第 章电气规范.27 相关应用笔记 本部分列出了与本章内容相关的应用笔记 这些应用笔记并非都是专门针对中档单片机系列而写的 ( 即有些针对低档系列, 有些针对高档系列 ), 但其概念是相近的, 通过适当修改并受一定的限制即可使用 目前与 10 位 A/D 模块相关的应用笔记有 : 标题应用笔记 # 没有相关应用笔记 电气规范 2004 Microchip Technology Inc. DS310A_CN 第 -41 页

42 PICmicro 中档单片机系列.28 版本历史版本 A 这是描述电气规范的初始发行版 DS310A_CN 第 -42 页 2004 Microchip Technology Inc.