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碑王
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1 电磁干扰 (EMI) 和射频干扰 (RFI) 及其抑制措施研究李贵山杨建平黄晓峰 ( 兰州工业高等专科学校兰州 ) 摘要在电子系统中, 强电与弱电交叉耦合的应用环境, 干扰错综复杂, 严重影响系统的稳定性和可靠性本文介绍 EMI/RFI 产生的原因和导入途径, 分析并提出了一些行之有效的 EMI/RFI 抑制方法关键词 EMI RFI 干扰途径干扰抑制 1 引言随着电子系统的日益精密复杂及多功能化, 电子干扰问题日趋严重, 它可使系统的性能发生变化减弱, 甚至导致系统完全失灵特别是 EMI/RFI( 电磁干扰 / 射频干扰 ) 问题, 已成为近几年电子产业的热点为此, 不少国家的专业委员会相继制定了法规, 对电子产品的电磁波不泄露抗干扰能力提出了严格规定, 并强制执行美国联邦通信委员会 (FCC) 于 1983 年颁布了文件, 对计算机类器件的 EMI 进行限制 ; 德国有关部门颁布了限制 EMI 的 VDE 规范, 在放射和辐射方面的约束比 FCC 规范更严格 ; 欧洲共同体又在 VDE 规范中增加了 RF 抗扰性静电泄放和电源线抗扰性等指标 FCC VDE 规范将电子设备分为 A( 工业类设备 ) 和 B( 消费类设备 ) 两类, 具体限制如表 1 所示此外, 还有一系列适用于电子 EMI/RFI 防护的标准文件 :MIL-STD-461 MIL -STD-462 MIL-STD-463 MIL-STD-826 MIL-E-6051 MIL-I

2 MIL-I MIL-I MSFC-SPEC279 等, 所有这些法规性文件对电子系统的干扰防护起到了重大的作用本文详细讨论了电子线路及系统中 EMI/ RFI 的特征及其抑制措施 2 EMI/RFI 特性分析电子系统的干扰主要有电磁干扰 (EMI) 射频干扰(RFI) 和电磁脉冲 (EMP) 三种, 根据其来源可分为外界和内部两种, 每个电子电气设备均可看作干扰源, 这种干扰源不胜枚举 EMI 是在电子设备中产生的不需要的响应 ;RFI 则从属于 EMI;EMP 是一种瞬态现象, 它可由系统内部原因 ( 电压冲击电源中断电感负载转换等 ) 或外部原因 ( 闪电核爆炸等 ) 引起, 能耦合到任何导线上, 如电源线和电话线等, 而与这些导线相连的电子系统将受到瞬时严重干扰或使系统内的电子电路受到永久性损坏图 1 给出了常见 EMI/RFI 的干扰源及其频率范围 2.1 干扰途径任何干扰问题可分解为干扰源干扰接收器和干扰的耦合途径三个方面, 即所谓的干扰三要素如表 2 所示干扰信号是通过传导 ( 电路或系统的内部连接, 干扰源和接收器由导体连接 ) 辐射( 寄生电感和寄生电容, 干扰源和接收器相距大于数个波长 ) 和感应 ( 电容效应与电感效应, 干扰源和接收器相距小于数个波长 ) 到达接收器如果干扰信号的频率小于 30 MHz, 主要通过内部连接耦合 ; 如果大于 30 MHz, 其耦合途径是电缆辐射和连接器泄露 ; 如果大于 300 MHz, 其耦合途径是插槽和母板辐射许多情况下, 干扰信号是一宽带信号, 其耦合方式包括上述所有情形 2

3 2.3 EMI 特性分析在电子系统设计中, 应从三个方面来考虑电磁干扰问题 : 首先是电子系统产生和发射干扰的程度 ; 其次是电子系统在强度为 1~10 V/m 距离为 3 米的电磁场中的抗扰特性 ; 第三是电子系统内部的干扰问题利用干扰三要素分析与 EMI 相关的问题需要用 FAT ID 概念 FAT ID 是描述任何 EMI 问题固有特性的五个关键因素的缩写, 这五个关键参数是频率幅度时间阻抗和距离实际上, 信号的时间响应包含了干扰频谱响应的所有信息在数字系统中, 信号上升时间和脉冲重复率产生的频谱分量可根据下式计算 : 将 FAT ID 应用于电子系统时,EMI 辐射便成为信号上升时间和脉冲重复率的二次函数在 EMI 分析中的另一个重要参数是电缆的尺寸导线及护套, 这是因为, 当 EMI 成为关键因素时, 电缆相当于天线或干扰的传输器, 必须考虑其物理长度与屏蔽问题内部干扰是指系统内部高速数字线路对敏感模拟线路和其它数字线路的影响, 或电源噪声对模拟 / 数字线路的污染内部干扰通常产生于数字和模拟电路之间, 或驱动器与数字线路之间 2.3 RFI 特性分析现实生活中的无线电发射源是极其丰富的, 如无线电台电视台移动通信计算机电动机电锤等等, 数不胜数所有这些电子活动都会影响电子系统的 3

4 性能无论 RFI 的强度和位置如何, 电子系统对 RFI 必须有一个最低的抗扰度在通信无线电工程中, 抗扰度定义为设备承受每单位 RFI 功率强度的敏感度在大多数 RFI 分析中, 用电场强度来描述 RFI 激励, 即式中 E 为电场强度 (V/m);PT 为发送功率 (mw/cm 2 ) 从干扰源耦合途径接收器的观点出发, 电场强度 E 是发射功率天线增益和距离的函数, 即式中 G A 为天线增益 ;d 为电路或系统距干扰源的距离 (m) 由于模拟电路一般在高增益下运行, 对 RF 场比数字电路更为敏感, 因此, 必须解决 μv 级和 mv 级信号的问题 ; 对于数字电路, 由于它具有较大的信号摆动和噪声容限, 所以对 RF 场的抑制力更强 RF 场可通过电感 / 电容耦合产生噪声电压或噪声电流 3 无源元件在 EMI/RFI 环境中的特性无源元件的合理使用可减小 EMI/RFI 对电路或系统的影响, 对于设计者, 应对抗干扰的主要工具无源元件有足够的了解, 特别是它们的非理想作用图 2 给出了无源器件在电路中的非理想特性 4

5 可以看出, 在很高频率时, 导线变成了反射线, 电容变成了电感, 电感变成了电容, 电阻变成了共振电路在低频时, 导线具有很低的电阻 (<0.0656Ω /m), 但它的寄生电感约为 nh/m, 当频率大于 13 khz 时, 就变成了电感, 由于电感的不可控性, 最终使其变成一根发射线根据天线理论可知, 无端接的传输线将变成一个具有增益的天线 4 低通滤波器在抑制 EMI/RFI 中的应用低通滤波器是一种很早就被人们采用的干扰净化技术, 对共模和差模噪声有较强的抑制作用图 3 所示电路可用于防止模拟电路受 EM 场和 RF 场干扰可以看出, 干扰的耦合途径有信号输入信号输出和电源供应三个点, 所以采用 0.1μF 的高频陶瓷电容对所有的电源供应端进行退耦 ; 采用截止频率高于信号带宽 10~100 倍的低通滤波器对所有的信号线进行滤波对于低通滤波器, 必须保证在预期的最高频率段也是有效的, 因为, 实际的低通滤波器在高频时会出现泄露现象, 如图 4 所示这是由于寄生电容引起电感效率的损失, 寄生电感引起电容效率的损失所造成的对于低通滤波器 ( 电感电容组成 ), 当输入信号频率比滤波器截止频率高 100~1000 倍时, 就发生泄露现象为此, 一般不采用一级低通滤波器, 而是分为低频带中频带和高频带且每个频带单独设置滤波器, 如图 5 所示 5

6 图 5 中, 低频带宽为 10 khz~1 MHz; 中频带宽为 1 MHz~100 MHz; 高频带宽为 100 MHz~1GHz 在低通滤波器中, 如果存在任何对地阻抗, 该阻抗便成为高频噪声的旁路路径, 因此, 滤波器的地应是宽频带且连接到低阻抗点或地线层上, 以优化滤波性能另外, 高频电容的引脚应尽可能短, 最好采用低电感表面贴片式瓷片电容 5 电源线的 EMI/RFI 抑制对策电源线的 EMI/RFI 是由瞬变电压引起的, 因此, 这类干扰的抑制对策主要是提高电路或系统对瞬变电压的适应能力分析和实践证明下述措施对提高电源抗干扰能力是有效的 (1) 在电源引入端加混合电源瞬变保护网络如图 6 所示, 气体放电管和大功率齐纳二极管提供差模与共模保护, 在要求不高时, 可用金属氧化物压敏电阻代替齐纳二极管扼流圈用来吸收浪涌电流 (2) 利用变压器进行隔离变压器对大于 300ns 的瞬变有很好的保护作用但在具体应用中应注意, 变压器的连接方式不同, 所构成的保护模式也不同一般由四种方式 :1) 采用无屏蔽的标准变压器, 且次级与安全地相连以消除中性点与地之间的压差 ;2) 采用单层法拉第屏蔽的变压器, 屏蔽与安全地连接以实现共模保护 ;3) 采用单层法拉第屏蔽的变压器, 初级与中性线相连以实现差模保护 ;4) 采用三层法拉第屏蔽的变压器, 可实现差模共模保护, 并能消除中性点与安全地之间的压差 (3) 在电源的整流和稳压输出端除加有大电容低频滤波外, 应并接低容量无感高频滤波电容器其容量 : C=ΔIΔl/Δu 式中 ΔI 电源电流波动的峰值 ;Δl 电流脉动宽度 ;Δu 电源电压波动允许值 (4) 在每个电路模块上电源线走线在接法上使其终端形成闭环, 否则, 在 6

7 电源线终端相当于开路时, 高频干扰就会形成全反射, 而使干扰信号成倍增加 (5) 尽量使电源线和地线平行走线, 使电源线对地呈低阻抗以减小电源噪声干扰最好使用双绞线馈电 6 PCB 设计中的 EMI/RFI 保护印刷电路板上信号线的布设如何, 将直接关系到系统对电磁干扰和电磁能辐射的灵敏度, 一个不好的 PCB 设计很可能导致系统的 EMC 失败高频噪声在 PCB 上可能耦合辐射的途径有 : 电源线辐射电源阻抗耦合公共地阻抗耦合 I /O 线的串扰与辐射因此, 在设计中, 应从以下几个方面来考虑抑制 EMI/RFI (1) 如果条件允许, 应尽可能采用低于实际要求速度的器件因为, 器件速度越高,EMI 问题就越严重对于纳秒级的器件, 由于它们具有宽带宽, 采样时钟和输入对任何形式的高频噪声都会响应对于此类高速器件, 可在其 I/O 端采用具有铁氧体芯电感的小型滤波器以降低对 EMI/RFI 环境的敏感度如果是双极性供电, 应在正负供电线上均加铁氧体芯电感 (2) 电源层地线层和信号层的合理设计一个好的 PCB 布局应将关键的模拟信号路径与高频源隔离数字 / 模拟的高频部分与低频部分相互隔离采用多层板可减小 EMI 发射, 且对 RF 场的抗扰度要比双面板增加 10 倍或更多比较好的多层板排列是将信号线嵌入在电源层和地线层之间, 这种设计的优点是低阻抗低辐射低串扰, 可减小 50MHz 以上的辐射和串扰, 但板内容量小, 退耦困难, 嵌入信号线的测试与检修困难 (3)PCB 中走线的特性阻抗为了防止反射, 要求 PCB 上走线的特性阻抗应满足单向传输延迟时间等于或大于信号上升 / 下降时间的一半为此, 一般应采用 2 英寸 /ns 准则表 3 给出了常用数字逻辑基于 2 英寸 /ns 准则的走线长度 2 英寸 /ns 准则也适用于模拟电路的走线设计对于利用绝缘材料将信号层与电源 / 电线层隔离的 PCB 板的特性阻抗可用下式计算 : 式中 ε r 为 PCB 板材料介电常数 ;d 为各层的厚度 (mils);w 为线宽 (mils);t 为线厚 (mils) 7

8 信号层走线的单向传输时间由下式确定 : 例如 : 一个标准 4 层 PCB 板, 一般利用 FR-4(ε r =4.7) 型绝缘材料隔离, 采用 8mil 宽 1.4 mil 厚的铜层走线, 其特性阻抗为 88Ω, 单向传输时间为 1.7 ns/ft 总之, 在 PCB 设计时, 必须按实际情况和可能大些, 将信号线间隙用地线填充电源和地线采用平行走线, 有利于减小电感 7 屏蔽技术屏蔽技术可防止外部 EMI/RFI 对电路或系统的影响, 但要正确应用屏蔽技术, 就必须清楚干扰源环境干扰源与被干扰对象之间的距离等问题如果电路或系统靠近干扰源, 电磁场特性取决于干扰源 ; 如果电路远离干扰源, 电磁场特性取决于传输介质当电路与干扰源的距离小于 λ/2π(λ 为干扰信号波长 ) 时, 就认为电路靠近干扰源, 否则, 认为远离干扰源 EMI/RFI 对电路的影响与其特性阻抗有关, 电磁场的特性阻抗 ( 波阻抗 ) 取决于电场和磁场之比对于远电磁场, 其电磁比率就是空气的波阻抗 (Z=377Ω); 对于近电磁场, 波阻抗取决于干扰的固有特性及距干扰源的距离, 如果干扰是高电流低电压, 则磁场占主要地位, 波阻抗小于 377Ω, 如果干扰是低电流高电压, 则电场起主要作用, 波阻抗大于 377Ω 通常采用封闭导体对电路进行屏蔽, 封闭导体对电路屏蔽的有效性取决于屏蔽材料表面对入射波的反射损耗和屏蔽体 8

对内部发射波的吸收损耗对于电场, 反射损耗取决于干扰频率和屏蔽材料, 即适当的封闭屏蔽体对防止外部干扰和限制内部干扰是很有效的, 然而, 在实际工程中, 由于内部电路中的调节旋纽开关连接器及通风大呢感原因, 经常需要在屏蔽体上开设槽孔, 这将削弱屏蔽性能, 导致干扰进入系统内部这种情况下的屏蔽效率为 : 屏蔽效率式中 λ 为干扰信号的波长 ;L 为槽孔的最大长度

9 对内部发射波的吸收损耗对于电场, 反射损耗取决于干扰频率和屏蔽材料, 即适当的封闭屏蔽体对防止外部干扰和限制内部干扰是很有效的, 然而, 在实际工程中, 由于内部电路中的调节旋纽开关连接器及通风大呢感原因, 经常需要在屏蔽体上开设槽孔, 这将削弱屏蔽性能, 导致干扰进入系统内部这种情况下的屏蔽效率为 : 屏蔽效率式中 λ 为干扰信号的波长 ;L 为槽孔的最大长度当屏蔽体哂纳感所开槽孔的最大长度等于干扰频率波长的一半时, 辐射最大, 相当于没有屏蔽效果为此, 在屏蔽体上开设槽孔时, 其最大长度要小于干扰信号波长的 1/20, 同时应在多个面开设而不是在一个面开设槽孔 8 结论在日益复杂的电磁环境下, 如何减小相互间的电磁干扰, 使各种设备和系统能正常运转, 是一个亟待解决的问题在采用不同的方法对 EMI/RFI 精心抑制时, 应分析其综合效应, 并对所采用的干扰抑制手段的作用进行恰当的预估, 才能获得较理想的效果 9 参考文献 1 H W Ott.Noise Reduction Techniques in Electronic Sys-tems.Second Editiong.New York,John Wiley&Sons,Inc., A Rich.Understanding Interference-Type Noise.Ana-log Dialogue, 1982,16(3):16~19 3 A Rich.Shielding and Guarding.Analog Dialogue,1983,17(1):8~ 13 9

电子技术基础 ( 第版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B

电子技术基础 ( 第版 ) 3. 图解单相桥式整流电路 ( 图 4-1-3) 电路名称电路原理图波形图整流电路的工作原理 1. 单相半波整流电路 u 1 u u sin t a t 1 u 0 A B VD I A VD R B 直流稳压电源第 4 章 4.1 整流电路及其应用学习目标 1. 熟悉单相整流电路的组成, 了解整流电路的工作原理. 掌握单相整流电路的输出电压和电流的计算方法, 并能通过示波器观察整流电路输出电压的波形 3. 能从实际电路中识读整流电路, 通过估算, 能合理选用整流元器件 4.1.1 认识整流电路 1. 图解单相半波整流电路 ( 图 4-1-1) 电路名称电路原理图波形图 4-1-1. 图解单相全波整流电路