带有易失性存储器采用 SC7 封装的 7 位单路 I 2 C TM 数字电位器 特性 电位器或变阻器配置选项 7 位 : 电阻网络分辨率 - 127 个电阻 (128 阶 ) 零量程到满量程抽头操作 R AB 电阻 :5 kω 1 kω 5 kω 或 1 kω 低抽头电阻 :1Ω ( 典型值 ) 低温度系数 : - 绝对型 ( 变阻器 ):5 ppm ( 典型值 ) ( C 至 7 C) - 比例型 ( 电位器 ): 1 ppm ( 典型值 ) 简单 I 2 C 协议, 用于读命令和写命令 欠压复位保护 ( 典型值为 1.5V) 上电缺省抽头设置 ( 量程的中间位置 ) 低功耗操作 : - 2.5 µa 静态电流 ( 典型值 ) 宽工作电压范围 : - 2.7V 至 5.5V - 规定的器件特性 - 1.8V 至 5.5V - 器件工作 封装类型 V DD V SS SCL 1 2 3 电位器 MCP418 SC7-6 B A W 6 A 5 W 4 SDA V DD V SS SCL V DD V SS SCL 变阻器 MCP419 SC7-5 宽带宽工作 (-3dB) 操作 : - 5. kω 器件带宽达 2MHz( 典型值 ) 扩展级温度范围 (-4 C 至 +125 C) 非常小封装 (SC7) 无铅 (Pb-free) 封装 1 2 3 1 2 3 MCP417 SC7-6 B A W 6 W W 5 B B 4 SDA 5 W A 4 SDA 器件特性 控制接口 调节级数 抽头 V DD 工作 配置 抽头 范围 (1) 器件 选项 (kω) (Ω) 封装 MCP417 I 2 C 128 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 75 1.8V 至 5.5V SC7-6 MCP418 I 2 C 128 电位器 RAM 5., 1., 5., 1. 75 1.8V 至 5.5V SC7-6 MCP419 I 2 C 128 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 75 1.8V 至 5.5V SC7-5 注 1: 模拟特性仅在 2.7V 到 5.5V 下测试 存储器类型 电阻值 ( 典型值 ) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 1 页
器件框图 V DD V SS 上电 / 欠压控制 A (2) W SCL SDA I 2 C 串行接口模块 控制逻辑和存储器 电阻网络 ( 电位器 ) 注 1 B (1, 2) 注 1: 有些配置中, 这些信号在内部连接到地 2: 有些配置中, 这些信号可能无外部连接 ( 内部悬空或接地 ) Microchip 同类器件比较 (1) 控制接口 调节级数 抽头配置 存储器类型 电阻值 ( 典型值 ) V DD 工作 器件 选项 (kω) 范围 (2) 封装 MCP417 I 2 C 128 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 否 否 SC7-6 HV 接口 MCP412 U/D 64 变阻器 RAM 2.1, 5., 1., 5. 1.8V 至 5.5V 是否 SOT-23-6 MCP422 U/D 64 变阻器 EE 2.1, 5., 1., 5. 2.7V 至 5.5V 是是 SOT-23-6 MCP4132 SPI 129 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 是否 PDIP-8, MCP4142 SPI 129 变阻器 EE 5., 1., 5., 1. 2.7V 至 5.5V 是是 SOIC-8, MSOP-8, MCP4152 SPI 257 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 是否 DFN-8 MCP4162 SPI 257 变阻器 EE 5., 1., 5., 1. 2.7V 至 5.5V 是是 MCP4532 I 2 C 129 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 是 否 MSOP-8, MCP4542 I 2 C 129 变阻器 EE 5., 1., 5., 1. 2.7V 至 5.5V 是 是 DFN-8 MCP4552 I 2 C 257 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 是否 MCP4562 I 2 C 257 变阻器 EE 5., 1., 5., 1. 2.7V 至 5.5V 是 是 MCP418 I 2 C 128 电位器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 否 否 SC7-6 MCP413 U/D 64 电位器 RAM 2.1, 5., 1., 5. 1.8V 至 5.5V 是否 SOT-23-6 MCP423 U/D 64 电位器 EE 2.1, 5., 1., 5. 2.7V 至 5.5V 是 是 SOT-23-6 MCP419 I 2 C 128 变阻器 RAM 5., 1., 5., 1. 1.8V 至 5.5V 否 否 SC7-5 MCP414 U/D 64 变阻器 RAM 2.1, 5., 1., 5. 1.8V 至 5.5V 是否 SOT-23-5 MCP424 U/D 64 变阻器 EE 2.1, 5., 1., 5. 2.7V 至 5.5V 是是 SOT-23-5 注 1: 本表通过使用粗线条 ( 和颜色 ) 分成三组 本表中无阴影的器件是本数据手册中介绍的器件, 而有阴影的器件具有类似的电阻网络配置 2: 模拟特性仅在 2.7V 到 5.5V 下测试 WiperLock 技术 DS22147A_CN 第 2 页 29 Microchip Technology Inc.
1. 电气特性 绝对最大值 V DD 相对于 V SS 的电压... -.6V 至 +7.V SCL 和 SDA 相对于 V SS 的电压... -.6V 至 12.5V 所有其他引脚 (A W 和 B) 相对于 V SS 的电压... -.3V 至 V DD +.3V 输入箝位电流 I IK (V I <, V I > V DD, V I > HV 引脚上的 V PP )... ± 2 ma 输出箝位电流 I OK (V O < 或 V O > V DD )... ± 2 ma 任意输出引脚的最大灌电流... 25 ma 任意输出引脚的最大拉电流... 25 ma 流出 V SS 引脚的最大电流... 1 ma 流入 V DD 引脚的最大电流... 1 ma 流入 A W 和 B 引脚的最大电流... ± 2.5 ma 封装功耗 (T A = +5 C, T J = +15 C) SC7-5... 32 mw SC7-6... TBD 存储温度... -65 C 至 +15 C 供电时的环境温度... -4 C 至 +125 C 所有引脚上的 ESD 保护... 4kV(HBM)... 4V (MM) 最大结温 (T J )... +15 C 注 : 如果器件运行参数超过上述最大额定值, 可能对器件造成永久性损坏 上述数值为运行条件最大值, 我们不建议在该范围外运行 如果器件长时间工作在绝对最大额定条件下, 其可靠性会受到影响 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 3 页
交流 / 直流特性 直流特性 标准工作条件 ( 除非另外说明 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 除非另外说明, 否则所有参数适用于指定的工作范围 V DD = +2.7V 至 5.5V (5 kω 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件 ) 典型特性表示 V DD = 5.5V,T A = +25 C 条件下的值 参数 符号 最小值 典型值 最大值 单位 条件 工作电压 V DD 2.7 5.5 V 模拟特性规范 1.8 5.5 V 数字特性规范 确保抽头复位的 V BOR 1.65 V RAM 保持电压 (V RAM ) < V BOR VDD 启动电压 确保上电复位的 V DDRR ( 注 7) V/ms VDD 上升速率 器件退出复位状态后的延迟时间 (V DD > V BOR ) T BORD 1 2 µs 供电电流 ( 注 8) I DD 45 8 µa 串口工作, 写入全 到易失性抽头 V DD = 5.5V, F SCL = 4 khz 2.5 5 µa 串口不工作, ( 停止条件, SCL = SDA = V IH ), 抽头 =,V DD = 5.5V 注 1: 电阻值为接线端 A 与接线端 B 之间的阻值 2: INL 和 DNL 是在 V A = V DD 和 V B = V SS 的条件下在 V W 上测量的 3: 仅限 MCP418 器件, 包括 V WZSE 和 V WFSE 4: 电阻接线端 A W 和 B 相互之间的相关极性没有被限定 5: 此参数由设计决定 6: 非线性会受抽头电阻 (R W ) 影响, 其随电压和温度的变化明显 7: POR/BOR 与速率无关 8: 供电电流与流过电阻网络的电流无关 DS22147A_CN 第 4 页 29 Microchip Technology Inc.
交流 / 直流特性 ( 续 ) 直流特性 电阻值 R AB 4. 5 6. kω -52 器件 ( 注 1) (± 2%) 8. 1 12. kω -13 器件 ( 注 1) 4. 5 6. kω -53 器件 ( 注 1) 8. 1 12. kω -14 器件 ( 注 1) 分辨率 N 128 抽头数 无丢失码 电阻值步长 R S R AB / Ω 注 5 (127) 抽头电阻 R W 1 17 Ω V DD = 5.5 V, I W = 2. ma, 代码 = h 155 325 Ω V DD = 2.7 V, I W = 2. ma, 代码 = h 标称电阻 R AB / T 5 ppm/ C T A = -2 C 至 +7 C 温度 1 ppm/ C T A = -4 C 至 +85 C 系数 15 ppm/ C T A = -4 C 至 +125 C 比率温度 V WB / T 15 ppm/ C 代码 = 半量程 (3Fh) 系数 电阻接线端输入电压范围 ( 接线端 A B 和 W) V A, V W, V B Vss V DD V 注 4 和注 5 流过接线端 (A W 或 B) 的最大电流注 5 注 标准工作条件 ( 除非另外说明 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 除非另外说明, 否则所有参数适用于指定的工作范围 V DD = +2.7V 至 5.5V (5 kω 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件 ) 典型特性表示 V DD = 5.5V,T A = +25 C 条件下的值 参数符号最小值典型值最大值单位条件 I T 2.5 ma 接线端 A I AW, W = 满量程 (FS) 2.5 ma 接线端 B I BW, W = 零量程 (ZS) 2.5 ma 接线端 W I AW 或 I BW, W = FS 或 ZS 1.38 ma I AB, V B = V, V A =5.5V, R AB( 最小 ) = 4.688 ma I 接线端 A AB, V B = V, V A = 5.5V, R AB( 最小 ) = 8 和.138 ma I 接线端 B AB, V B = V,V A = 5.5V, R AB( 最小 ) = 4.69 ma I AB, V B = V, V A = 5.5V, R AB( 最小 ) = 8 1: 电阻值为接线端 A 与接线端 B 之间的阻值 2: INL 和 DNL 是在 V A = V DD 和 V B = V SS 的条件下在 V W 上测量的 3: 仅限 MCP418 器件, 包括 V WZSE 和 V WFSE 4: 电阻接线端 A W 和 B 相互之间的相关极性没有被限定 5: 此参数由设计决定 6: 非线性会受抽头电阻 (R W ) 影响, 其随电压和温度的变化明显 7: POR/BOR 与速率无关 8: 供电电流与流过电阻网络的电流无关 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 5 页
交流 / 直流特性 ( 续 ) 直流特性 标准工作条件 ( 除非另外说明 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 除非另外说明, 否则所有参数适用于指定的工作范围 V DD = +2.7V 至 5.5V (5 kω 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件 ) 典型特性表示 V DD = 5.5V,T A = +25 C 条件下的值 参数符号最小值典型值最大值单位条件 满量程误差 ( 仅 MCP418 ) ( 代码 = 7Fh) 零量程误差 ( 仅 MCP418 ) ( 代码 = h) V WFSE -3. -.1 LSb 5 kω 2.7V V DD 5.5V -2. -.1 LSb 1 kω 2.7V V DD 5.5V -.5 -.1 LSb 5 kω 2.7V V DD 5.5V -.5 -.1 LSb 1 kω 2.7V V DD 5.5V V WZSE +.1 +3. LSb 5 kω 2.7V V DD 5.5V +.1 +2. LSb 1 kω 2.7V V DD 5.5V +.1 +.5 LSb 5 kω 2.7V V DD 5.5V +.1 +.5 LSb 1 kω 2.7V V DD 5.5V 电位器积分非线性 INL -.5 ±.25 +.5 LSb 2.7V V DD 5.5V 仅 MCP418 器件 ( 注 2) 电位器微分非线性 DNL -.25 ±.125 +.25 LSb 2.7V V DD 5.5V 仅 MCP418 器件 ( 注 2) 带宽 -3 db BW 2 MHz 5 kω 代码 = 3Fh ( 见图 2-83, 1 MHz 1 kω 代码 = 3Fh 负载 = 3 pf) 26 khz 5 kω 代码 = 3Fh 1 khz 1 kω 代码 = 3Fh 注 1: 电阻值为接线端 A 与接线端 B 之间的阻值 2: INL 和 DNL 是在 V A = V DD 和 V B = V SS 的条件下在 V W 上测量的 3: 仅限 MCP418 器件, 包括 V WZSE 和 V WFSE 4: 电阻接线端 A W 和 B 相互之间的相关极性没有被限定 5: 此参数由设计决定 6: 非线性会受抽头电阻 (R W ) 影响, 其随电压和温度的变化明显 7: POR/BOR 与速率无关 8: 供电电流与流过电阻网络的电流无关 DS22147A_CN 第 6 页 29 Microchip Technology Inc.
交流 / 直流特性 ( 续 ) 直流特性 标准工作条件 ( 除非另外说明 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 除非另外说明, 否则所有参数适用于指定的工作范围 V DD = +2.7V 至 5.5V (5 kω 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件 ) 典型特性表示 V DD = 5.5V,T A = +25 C 条件下的值 参数符号最小值典型值最大值单位条件 变阻器积分非线性 MCP418 ( 注 3) 仅 MCP417 和 MCP419 器件 ( 注 3) 变阻器微分非线性 MCP418 ( 注 3) 仅 MCP417 和 MCP419 器件 ( 注 3) R-INL -2. ±.5 +2. LSb 5 kω 5.5V, I W = 9 µa -5. +3.5 +5. LSb 2.7V, I W = 43 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -2. ±.5 +2. LSb 1 kω 5.5V, I W = 45 µa -4. +2.5 +4. LSb 2.7V, I W = 215 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -1.125 ±.5 +1.125 LSb 5 kω 5.5V, I W = 9 µa -1.5 +1 +1.5 LSb 2.7V, I W = 43 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -.8 ±.5 +.8 LSb 1 kω 5.5V, I W = 45 µa -1.125 +.25 +1.125 LSb 2.7V, I W = 21.5 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) R-DNL -.5 ±.25 +.5 LSb 5 kω 5.5V, I W = 9 ma -.75 +.5 +.75 LSb 2.7V, I W = 43 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -.5 ±.25 +.5 LSb 1 kω 5.5V, I W = 45 µa -.75 +.5 +.75 LSb 2.7V, I W = 215 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -.375 ±.25 +.375 LSb 5 kω 5.5V, I W = 9 µa -.375 ±.25 +.375 LSb 2.7V, I W = 43 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) -.375 ±.25 +.375 LSb 1 kω 5.5V, I W = 45 µa -.375 ±.25 +.375 LSb 2.7V, I W = 21.5 µa ( 注 6) 见第 2. 节 LSb 1.8V ( 注 6) 电容 (P A ) C AW 75 pf f =1 MHz, 代码 = 满量程 电容 (P w ) C W 12 pf f =1 MHz, 代码 = 满量程 电容 (P B ) C BW 75 pf f =1 MHz, 代码 = 满量程 注 1: 电阻值为接线端 A 与接线端 B 之间的阻值 2: INL 和 DNL 是在 V A = V DD 和 V B = V SS 的条件下在 V W 上测量的 3: 仅限 MCP418 器件, 包括 V WZSE 和 V WFSE 4: 电阻接线端 A W 和 B 相互之间的相关极性没有被限定 5: 此参数由设计决定 6: 非线性会受抽头电阻 (R W ) 影响, 其随电压和温度的变化明显 7: POR/BOR 与速率无关 8: 供电电流与流过电阻网络的电流无关 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 7 页
交流 / 直流特性 ( 续 ) 直流特性 数字输入 / 输出 (SDA 和 SCK) 施密特触发器高电 V IH.7 V DD V 1.8V V DD 5.5V 平输入门限 施密特触发器低电 V IL -.5.3V DD V 平输入门限 施密特触发器输入 V HYS.1V DD V 所有输入引脚, 除 SDA 和 SCL 迟滞 ( 注 5) 未提供 V SDA 1 khz V DD < 2.V 未提供 V V DD 2.V 和.1 V DD V SCL 4 khz V DD < 2.V.5 V DD V V DD 2.V 输出低电平电压 V OL V SS.2V DD V V DD < 2.V, I OL = 1 ma (SDA) V SS.4 V V DD 2.V, I OL = 3 ma 输入泄漏电流 I IL -1 1 µa V IN = V DD 和 V IN = V SS 引脚电容 C IN, C OUT 1 pf f C = 4 khz RAM ( 抽头 ) 值数值范围 N h 7Fh 16 进制 POR/BOR 时 N POR/BOR 3Fh 16 进制 抽头值 电源需求 电源灵敏度 ( 仅限 MCP418 ) 注 标准工作条件 ( 除非另外说明 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 除非另外说明, 否则所有参数适用于指定的工作范围 V DD = +2.7V 至 5.5V (5 kω 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件 ) 典型特性表示 V DD = 5.5V,T A = +25 C 条件下的值 参数符号最小值典型值最大值单位条件 PSS.5.35 %/% V DD = 2.7V 至 5.5V, V A = 2.7V, 代码 = 3Fh 1: 电阻值为接线端 A 与接线端 B 之间的阻值 2: INL 和 DNL 是在 V A = V DD 和 V B = V SS 的条件下在 V W 上测量的 3: 仅限 MCP418 器件, 包括 V WZSE 和 V WFSE 4: 电阻接线端 A W 和 B 相互之间的相关极性没有被限定 5: 此参数由设计决定 6: 非线性会受抽头电阻 (R W ) 影响, 其随电压和温度的变化明显 7: POR/BOR 与速率无关 8: 供电电流与流过电阻网络的电流无关 DS22147A_CN 第 8 页 29 Microchip Technology Inc.
1.1 I 2 C 模式时序波形及要求 SCL 91 93 9 92 SDA 启动条件 停止条件 图 1-1: I 2 C 总线启动 / 停止位时序波形 表 1-1: I 2 C 总线启动 / 停止位需求 I 2 C 交流特性标准工作条件 ( 除非另外指定 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 工作电压 VDD 范围由第 2. 节 典型工作特性曲线 定义 参数编号 符号 特性 最小值 最大值 单位 条件 F SCL 标准模式 1 khz C b = 4 pf, 1.8V - 5.5V 快速模式 4 khz C b = 4 pf, 2.7V - 5.5V D12 Cb 总线负载电容 1 khz 模式 4 pf 4 khz 模式 4 pf 9 TSU:STA 启动条件 1 khz 模式 47 ns 仅与重复启动条件相关 建立时间 4 khz 模式 6 ns 91 THD:STA 启动条件 1 khz 模式 4 ns 这个周期后产生第一个时钟 保持时间 4 khz 模式 6 ns 脉冲 92 TSU:STO 停止条件 1 khz 模式 4 ns 建立时间 4 khz 模式 6 ns 93 THD:STO 停止条件 1 khz 模式 4 ns 保持时间 4 khz 模式 6 ns SCL SDA 输入 SDA 输出 13 1 12 11 9 16 91 17 92 19 19 11 图 1-2: 注 1: 关于负载条件, 请参见参数 D12 (Cb) I 2 C 总线数据时序 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 9 页
表 1-2: I 2 C 总线数据需求 ( 从模式 ) I 2 C 交流特性标准工作条件 ( 除非另外指定 ) 工作温度 4 C T A +125 C ( 扩展级 ) 工作电压 VDD 范围由交流 / 直流特性规范定义 参数编号符号特性最小值最大值单位条件 1 T HIGH 时钟高电平时间 1 khz 模式 4 ns 1.8V-5.5V 4 khz 模式 6 ns 2.7V-5.5V 11 T LOW 时钟低电平时间 1 khz 模式 47 ns 1.8V-5.5V 4 khz 模式 13 ns 2.7V-5.5V 12A (5) T RSCL SCL 上升时间 1 khz 模式 1 ns 要求 Cb 从 1 到 4 pf 4 khz 模式 2 +.1Cb 3 ns 12B (5) T RSDA SDA 上升时间 1 khz 模式 1 ns 要求 Cb 从 1 到 4 pf 4 khz 模式 2 +.1Cb 3 ns 13A (5) T FSCL SCL 下降时间 1 khz 模式 3 ns 要求 Cb 从 1 到 4 pf 4 khz 模式 2 +.1Cb 4 ns 13B (5) T FSDA SDA 下降时间 1 khz 模式 3 ns 要求 Cb 从 1 到 4 pf 4 khz 模式 2 +.1Cb (4) 3 ns 16 THD:DAT 数据输入保持时 1 khz 模式 ns 1.8V-5.5V, 注 6 间 4 khz 模式 ns 2.7V-5.5V, 注 6 17 TSU:DAT 数据输入建立时 1 khz 模式 25 ns (2) 间 4 khz 模式 1 ns 19 T AA 时钟输出有效时 1 khz 模式 345 ns (1) 间 4 khz 模式 9 ns 11 T BUF 总线空闲时间 1 khz 模式 47 ns 在新的传输开始以前总线 4 khz 模式 13 ns 必须空闲的时间 T SP 输入滤波器尖峰 1 khz 模式 5 ns Philips 规范标示为 N.A. 抑制 (SDA 和 SCL) 4 khz 模式 5 ns 注 1: 作为发送器, 器件必须提供内部最小延迟时间来跨过 SCL 的下降沿的未定义区域 ( 最小 3 ns), 用以避 免产生不期望的启动或者停止条件 2: 一个快速模式 (4 khz) I 2 C 总线器件能被用在标准模式 (1 khz) I 2 C 总线系统中, 但 t SU;DAT 25 ns 的要求必须达到 如果器件不延长 SCL 信号的低电平时间, 该条件自然满足 如果器件延 长 SCL 信号的低电平时间, 在 SCL 线被释放以前, 它必须输出下一个数据位到 SDA 线上 T R 最大值 +t SU;DAT = 1 + 25 = 125 ns ( 根据标准模式 I 2 C 总线规范 ) 3:MCP418/MCP419 器件必须提供一个数据保持时间来跨过 SCL 信号的 V IH 和 V IL 下降沿之间的未定义部 分 这个要求不是 I 2 C 规范的一部分, 但是必须被测试来确保输出数据能满足接收器件所要求的建立和保持 规范 4: 使用 Cb ( 单位为 pf) 来进行计算 5: 未经测试 6: 一个主器件必须提供一个延迟来确保在 SDA 和 SCL 下降时间的差异不会意外产生一个启动或者停止条件 DS22147A_CN 第 1 页 29 Microchip Technology Inc.
温度特性 电气规范 : 除非另外说明, 否则 V DD = +1.8V 至 +5.5V, V SS =GND 参数符号最小值典型值最大值单位条件 温度范围规定温度范围 T A -4 +125 C 工作温度范围 T A -4 +125 C 存储温度范围 T A -65 +15 C 封装热阻热阻, 5 引脚 SC7 ( 注 1) θ JA 331 C/W 热阻, 6 引脚 SC7 θ JA TBD C/W 注 1: 封装功耗 (PDIS) 按如下公式计算 : P DIS = (T J - T A ) / θ JA, 其中 : T J = 结温, T A = 环境温度 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 11 页
注 : DS22147A_CN 第 12 页 29 Microchip Technology Inc.
2. 典型工作特性曲线 注 : 以下图表为基于有限数量样本所作的统计, 仅供参考 所列特性未经测试, 我公司不作任何担保 在一些图表中, 所列数据可能超出规定的工作范围 ( 如 : 超出规定的电源电压范围 ), 因而不在担保范围内 注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V I DD (µa) 6 5 4 3 2 1 4 khz, 5.5V 4 khz, 2.7V 1 khz, 5.5V 1 khz, 2.7V -4 4 8 12 Temperature ( C) I DD Interface Inactive (µa) 2 1.8 1.6 1.4 1.2 1.8.6.4.2 5.5V 2.7V -4 4 8 12 Temperature ( C) 图 2-1: 接口有效电流 (I DD ) SCL 频率 (f SCL ) 和温度曲线 (V DD = 1.8V, 2.7V 和 5.5V) 图 2-2: 接口无效电流 (I SHDN ) 温度和 V DD 曲线 (V DD = 1.8V, 2.7V 和 5.5V) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 13 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4 INL -4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C 25 C 85 C 125 C DNL R W.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C RW 85 C 125 C 25 C INL DNL.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 图 2-3: 5. kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (A = V DD, B = V SS ) 图 2-6: 5. kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (I W = 1.4mA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 125 C 85C DNL 125C DNL 85 INL -4 C 25 C DNL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW.3.2.1 -.1 Error (LSb) -.2 -.3 Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 85 C 125 C 25 C -4 C DNL R W 32 64 96 Wiper Setting (decimal) INL 3 2 1-1 Error (LSb) 图 2-4: 5. kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (A = V DD, B = V SS ) 图 2-7: 5. kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (I W = 45uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 25 2 15 1 5-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL RW INL DNL 32 64 96 Wiper Setting (decimal).35.25.15.5 -.5 -.15 Error (LSb) -.25 -.35 Wiper Resistance (R W ) (ohms) 25 2 15 1 5-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL RW INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 44 39 34 29 24 19 14 9 4-1 Error (LSb) 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 图 2-5: 5. kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) ( A = V DD, B = V SS ) 图 2-8: 5. kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) (I W = TBD, B = V SS ) DS22147A_CN 第 14 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Full-Scale Error (FSE) (LSb). -.2 -.4 -.6 -.8-1. -1.2-1.4-1.6-1.8 1.8V 2.7 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) R BW Tempco (PPM) 2 18 16 14 12 1 8 6 4 2 2.7V 5.5V 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 图 2-9: 5. kω : 满量程误差 (FSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-12: 5. kω : R BW 温度系数 R WB / T 代码曲线 Zero-Scale Error (ZSE) (LSb) 1.8 1.6 1.4 1.2 1..8.6.4.2. 1.8V 5.5V 2.7-4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) 图 2-1: 5. kω : 零量程误差 (ZSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-13: 间曲线 5. kω : 上电时抽头响应时 Nominal Resistance (R AB ) (Ohms) 52 518 516 514 512 51 58 56 54 52 5 1.8V 2.7V 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) Wiper V DD 图 2-11: 5. kω : 标称电阻 (Ω) 温度和 V DD 曲线 图 2-14: 5. kω : 数据吞吐率 (SCL 信号耦合到抽头引脚 ) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 15 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V 图 2-15: 5. kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-18: 5. kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-16: 5. kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-19: 5. kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-17: 5. kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 图 2-2: 5. kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 1.8V) DS22147A_CN 第 16 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C DNL 85 C 125 C 25 C INL RW.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4 C -4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 85 C 125 C 25 C INL DNL R W.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 图 2-21: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (A = V DD, B = V SS ) 图 2-24: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (I W =45uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C INL 25 C DNL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.1 -.2 -.3 图 2-22: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (A = V DD, B = V SS ) 85 125 C R W.3.2.1 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 25 C -4 C 85 C 125 C DNL 图 2-25: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (I W = 21uA, B = V SS ) INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW 3 2 1-1 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 2 1-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL RW DNL INL.35.25.15.5 -.5 -.15 -.25 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 2 1-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL RW DNL INL 39 34 29 24 19 14 9 4 Error (LSb) 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.35 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -1 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 图 2-23: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) ( A = V DD, B = V SS ) 图 2-26: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) (I W = TBD, B = V SS ) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 17 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Full-Scale Error (FSE) (LSb). -.1 -.2 -.3 -.4 -.5 -.6 -.7 -.8 -.9-1. 2.7 1.8V 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) R BW Tempco (PPM) 1 8 6 4 2 2.7V 5.5V 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 图 2-27: 1 kω: 满量程误差 (FSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-3: 1 kω: R BW 温度系数 R WB / T 代码曲线 Zero-Scale Error (ZSE) (LSb).9.8.7.6.5.4.3.2.1. 1.8V 5.5V 2.7-4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) 图 2-28: 1 kω: 零量程误差 (ZSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-31: 间曲线 1 kω: 上电时抽头响应时 12 Nominal Resistance (R AB ) (Ohms) 115 11 15 1 995 99 1.8V 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) 图 2-29: 1 kω: 标称电阻 (Ω) 温度和 V DD 曲线 2.7 Wiper V DD 图 2-32: 1 kω : 数据吞吐率 (SCL 信号耦合到抽头引脚 ) DS22147A_CN 第 18 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V 图 2-33: 1 kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-36: 1 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-34: 1 kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-37: 1 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-35: 1 kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 图 2-38: 1 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 19 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C INL 85 C 125 C DNL 25 C R W.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL -4 C 85 C 125 C 25 C DNL INL RW.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 图 2-39: 5 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) 图 2-42: 5 kω 变阻器模式 :R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (I W = 9uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 85 C 125 C -4 C 25 C DNL INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW.3.2.1 -.1 Error (LSb) -.2 -.3 Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 25 C 85 C -4 C 125 C DNL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW INL.3.2.1 -.1 -.2 -.3 Error (LSb) 图 2-4: 5 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) 图 2-43: 5 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (I W = 45uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 1 8 6 4 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL INL RW 32 64 96 Wiper Setting (decimal).35.25.15.5 -.5 -.15 -.25 -.35 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 1 8 6 4 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL RW INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 23 21 19 17 15 13 11 9 7 5 3 1-1 Error (LSb) 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 图 2-41: 5 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 图 2-44: 5 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD =1.8V) ( I W = TBD, B = V SS ) DS22147A_CN 第 2 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Full-Scale Error (FSE) (LSb). -.4 -.8 -.12 -.16 2.7 5.5V 1.8V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) R BW Tempco (PPM) 1 8 6 4 2 2.7V 5.5V 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 图 2-45: 5 kω : 满量程误差 (FSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-48: 5 kω : R BW 温度系数 R WB / T 代码曲线 Zero-Scale Error (ZSE) (LSb).2.16.12.8.4. 5.5V 1.8V 2.7-4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) 图 2-46: 5 kω : 零量程误差 (ZSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-49: 间曲线 5 kω : 上电时抽头响应时 498 Nominal Resistance (R AB ) (Ohms) 496 494 492 49 488 1.8V 2.7V 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) Wiper V DD 图 2-47: 5 kω : 标称电阻 (Ω) 温度和 V DD 曲线 图 2-5: 5 kω : 数据吞吐率 (SCL 信号耦合到抽头引脚 ) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 21 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V 图 2-51: 5 kω : 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-54: 5 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-52: 5 kω : 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-55: 5 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-53: 5 kω : 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 图 2-56: 5 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 1.8V) DS22147A_CN 第 22 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4 C -4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 85 C 125 C 25 C INL DNL R W.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 12 1 8 6 4-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 85 C 125 C DNL -4 C 25 C INL RW.3.2.1 -.1 -.2 Error (LSb) 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 2 32 64 96 Wiper Setting (decimal) -.3 图 2-57: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) 图 2-6: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 5.5V) (I W = 45uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL -4 C 25 C 85 125 C INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW.3.2.1 -.1 Error (LSb) -.2 -.3 Wiper Resistance (R W ) (ohms) 3 26 22 18 14 1 6 2-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL 125 C 85 C INL -4 C 25 C DNL 32 64 96 Wiper Setting (decimal) RW.3.2.1 -.1 -.2 -.3 Error (LSb) 图 2-58: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) 图 2-61: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 2.7V) (I W = 21uA, B = V SS ) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 15 125 1 75 5 25-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL RW INL 32 64 96 Wiper Setting (decimal).35.25.15.5 -.5 -.15 -.25 -.35 Error (LSb) Wiper Resistance (R W ) (ohms) 15 125 1 75 5 25-4C Rw 25C Rw 85C Rw 125C Rw -4C INL 25C INL 85C INL 125C INL -4C DNL 25C DNL 85C DNL 125C DNL DNL RW 32 64 96 Wiper Setting (decimal) INL 19 17 15 13 11 9 7 5 3 1-1 Error (LSb) 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 注 : 参见 AN18 获取抽头电阻 (R W ) 特性随器件电压和抽头设置值变化的更多信息 图 2-59: 1 kω 电位器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) 图 2-62: 1 kω 变阻器模式 : R W (Ω), INL (LSb), DNL (LSb) 抽头设置和温度曲线 (V DD = 1.8V) (I W = TBD, B = V SS ) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 23 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V Full-Scale Error (FSE) (LSb). -.2 -.4 -.6 -.8 1.8V 5.5V 2.7-4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) R BW Tempco (PPM) 1 8 6 4 2 2.7V 5.5V 32 64 96 Wiper Setting (decimal) 图 2-63: 1 kω: 满量程误差 (FSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-66: 1 kω : R BW 温度系数 R WB / T 代码曲线 Zero-Scale Error (ZSE) (LSb).12.8.4. 5.5V 1.8V 2.7-4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) 图 2-64: 1 kω : 零量程误差 (ZSE) 温度曲线 (V DD = 5.5V, 2.7V, 1.8V) 图 2-67: 间曲线 1 kω : 上电时抽头响应时 Nominal Resistance (R AB ) (Ohms) 998 996 994 992 99 988 986 984 982 98 978 2.7V 1.8V 5.5V -4 4 8 12 Ambient Temperature ( C) Wiper V DD 图 2-65: 1 kω : 标称电阻 (Ω) 温度和 V DD 曲线 图 2-68: 1 kω : 数据吞吐率 (SCL 信号耦合到抽头引脚 ) DS22147A_CN 第 24 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V 图 2-69: 1 kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-72: 1 kω : 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 5.5V) 图 2-7: 1 kω: 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-73: 1 kω : 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 2.7V) 图 2-71: 1 kω : 写抽头 (4h 3Fh) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 图 2-74: 1 kω: 写抽头 (FFh h) 稳定时间 (V DD = 1.8V) 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 25 页
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V VIH (V) 4 3.5 5.5V 3 2.5 2.7V 2 1.5 1.5 1.8V -4 4 8 12 Temperature ( C) V OL (mv).3.25 2.7V (@ 3mA).2.15 5.5V (@ 3mA).1 1.8V (@ 1mA).5-4 4 8 12 Temperature ( C) 图 2-75: 和温度曲线 V IH (SDA, SCL) V DD 图 2-77: 曲线 V OL (SDA) V DD 和温度 2 1.2 V IL (V) 1.5 1.5 5.5V 2.7V 1.8V V DD (V) 1.8.6.4.2 2.7V 5.5V -4 4 8 12 Temperature ( C) -4 4 8 12 Temperature ( C) 图 2-76: 和温度曲线 V IL (SDA, SCL) V DD 图 2-78: 温度曲线 POR/BOR 跳变点 V DD 和 DS22147A_CN 第 26 页 29 Microchip Technology Inc.
注 : 除非另外说明, 否则 T A = +25 C, V DD = 5V, V SS = V db 1 Code = 7Fh Code = 3Fh -1-2 Code = Fh Code = 1Fh -3 Code = 1h -4-5 1 1, 1, Frequency (khz) db 1 Code = 7Fh -1 Code = 3Fh -2 Code = 1Fh Code = Fh -3 Code = 1h -4-5 -6 1 1, 1, Frequency (khz) 图 2-79: 5kΩ 增益 频率曲线 (-3dB) 图 2-82: (-3dB) 1 kω 增益 频率曲线 db 1-1 -2-3 -4-5 Code = Fh Code = 1h Code = 1Fh Code = 7Fh Code = 3Fh 2.1 测试电路 V IN A B +5V W + - +5V V OUT -6 1 1, 1, Frequency (khz) 图 2-8: (-3dB) 1 kω 增益 频率曲线 图 2-83: (-3dB) 增益 频率测试 db 1 Code = 7Fh -1 Code = 3Fh -2 Code = 1Fh Code = Fh -3 Code = 1h -4-5 -6 1 1, 1, Frequency (khz) 图 2-81: (-3dB) 5 kω 增益 频率曲线 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 27 页
注 : DS22147A_CN 第 28 页 29 Microchip Technology Inc.
3. 引脚说明 表 3-1 列出了器件的引脚功能 关于器件引脚的更多说明随表之后 : 表 3-1: 引脚说明 引脚名称 MCP417 (SC7-6) 引脚编号 MCP418 (SC7-6) MCP419 (SC7-5) 引脚类型 缓冲器类型 功能 V DD 1 1 1 P 正电源输入 V SS 2 2 2 P 地 SCL 3 3 3 I/O ST (OD) I 2 C 串行时钟引脚 SDA 4 4 4 I/O ST (OD) I 2 C 串行数据引脚 B 5 I/O A 电位器接线端 B W 6 5 5 I/O A 电位器抽头端 A 6 I/O A 电位器接线端 A 图注 : A = 模拟输入 ST (OD) = 施密特触发器 ( 漏极开路 ) I = 输入 O = 输出 I/O = 输入 / 输出 P = 电源 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 29 页
3.1 正电源输入 (V DD ) V DD 引脚是器件的正电源输入 输入电源相对于 V SS, 其范围为 1.8V 至 5.5V 推荐在 V DD 至 V SS 间连接一个去耦电容, 以获取最佳性能 当器件电压处于 1.8V V DD < 2.7V 时, 器件电阻网络的电气性能可能无法满足数据手册中的规范 3.2 地 (V SS ) V SS 引脚是器件参考地 3.3 I 2 C 串行时钟 (SCL) 3.7 电位器接线端 A 接线端 A 引脚 ( 某些器件提供 ) 连接到内部电位器的接线端 A 电位器的接线端 A 固定连接到数字电位器的满量程抽头值 (x7f) MCP418 器件提供接线端 A 引脚 接线端 A 引脚的极性与接线端 W 引脚无关 接线端 A 引脚可以支持正电流和负电流 接线端 A 上的电压必须介于 V SS 和 V DD 之间 MCP417 和 MCP419 器件不提供接线端 A 引脚 对于这些器件, 电位器的接线端 A 在内部浮空 SCL 引脚是 I 2 C 接口的串行时钟引脚 MCP41X 只能用作从器件, 因此 SCL 引脚仅接收外部时钟信号 SCL 引脚为开漏输出 请参见第 5. 节 串行接口 I 2 C 模块 了解关于 I 2 C 串行接口通信的更详细信息 3.4 I 2 C 串行数据 (SDA) SDA 引脚是 I 2 C 接口的串行数据引脚 SDA 引脚带施密特触发输入和开漏输出 请参见第 5. 节 串行接口 I 2 C 模块 了解关于 I 2 C 串行接口通信的更详细信息 3.5 电位器接线端 B 接线端 B 引脚 ( 某些器件提供 ) 连接到内部电位器的接线端 B 电位器的接线端 B 固定连接到数字电位器的零量程抽头值 (x) MCP417 器件提供接线端 B 引脚 接线端 B 引脚的极性与接线端 W 引脚无关 接线端 B 引脚可以支持正电流和负电流 接线端 B 上的电压必须介于 V SS 和 V DD 之间 MCP418 和 MCP419 器件不提供接线端 B 引脚 对于这些器件, 电位器的接线端 B 在内部连接到 V SS 3.6 电位器抽头 (W) 端 接线端 W 引脚连接到内部电位器的接线端 W ( 抽头 ) 抽头端是数字电位器的可调接线端 接线端 W 引脚的极性与接线端 A 或 B 引脚无关 接线端 W 引脚可以支持正电流和负电流 接线端 W 上的电压必须介于 V SS 和 V DD 之间 DS22147A_CN 第 3 页 29 Microchip Technology Inc.
4. 概述 器件是通用的数字电位器, 专用于要求电阻可编程且带宽适中的应用 本数据手册介绍包含 3 种数字电位器和变阻器的器件系列 MCP418 器件为电位器配置, 而 MCP417 和 MCP419 器件为变阻器配置 MCP41X 器件适用的应用通常包括 : 设定点或失调调整 传感器校准 增益和失调可选的放大器设计 机械式调节电位器颇具成本效益的替代品如器件框图所示, 有 4 个主要功能模块 这些功能模块是 : POR/BOR 操作 串行接口 - I 2 C 模块 电阻网络本节讨论 POR/BOR 操作和存储器映射, 电阻网络和 I 2 C 操作将在它们各自的小节中描述 第 5.4 节中讨论了串行命令 4.1 POR/BOR 操作 在器件的 V DD 和 V SS 间施加电源时, 发生上电复位 当对器件供电时, 如果电源 ( 电压 ) 降到低于规定范围, 则会发生欠压复位 器件 RAM 保持电压 (V RAM ) 低于 POR/BOR 电压跳变点 (V POR /V BOR ) 最大 V POR /V BOR 电压低于 1.8V 当 V POR /V BOR < V DD < 2.7V 时, 电阻网络的电气性能可能无法满足数据手册中的规范 在该区域中, 如果执行了正确的串行命令, 器件可以读写易失性存储器 表 4-1 显示了整个 V DD 范围内数字电位器的功能, 而图 4-1 显示了上电和掉电功能 4.1.2 欠压复位 器件关闭电源时, 器件 V DD 将下降到低于 V POR /V BOR 电压 当 V DD 电压降到低于 V POR /V BOR 电压后, 会发生以下情况 : 串行接口被禁止 如果 V DD 电压降到低于 V RAM 电压, 会发生以下情况 : 易失性抽头寄存器的内容可能被破坏 对于电压恢复到高于 V POR /V BOR 电压时的情况, 请参见第 4.1.1 节 上电复位 串行命令由于欠压条件而未能完成时, 可能导致存储器单元的内容被破坏 4.1.3 抽头寄存器 (RAM) 抽头寄存器为易失性寄存器, 在 RAM 保持电压 (V RAM ) 下开始工作 当 V DD 上升超过 V POR /V BOR 电压时, 抽头寄存器将加载其缺省抽头值 4.1.4 器件电流 器件电流按其两种工作模式分类, 这两种模式为 : 串行接口无效 ( 静态工作 ) 串行接口有效 当接收到停止条件时, 器件进入静态工作模式 接收到启动条件时则退出静态工作模式 4.1.1 上电复位 当器件上电时, 器件 V DD 将上升到高于 V POR /V BOR 电压 当 V DD 电压高于 V POR /V BOR 电压后, 会发生下列情况 : 易失性抽头寄存器中装入缺省抽头值 ( 3Fh) 器件能够进行数字操作 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 31 页
表 4-1: 不同 V DD 范围时器件功能 ( 注 1) V DD 电平 串行接口 电位器接线端 抽头设置 备注 V DD < V BOR < 1.8V 忽略 未知 未知 V BOR V DD < 1.8V 未知 在降低电气规范下工作 抽头寄存器加载其 POR/BOR 缺省值 1.8V V DD < 2.7V 接受 在降低电气规范下工 作 抽头寄存器决定抽头设置 2.7V V DD 5.5V 接受 工作 抽头寄存器决定抽头 设置 注 电气性能可能不满足数据手册的规范满足数据手册的规范 1: 若系统电压低于最小工作电压, 推荐使用电压监测器件, 使系统处于复位状态, 这将确保 不会在超出其工作范围时执行任何命令 V DD 正常工作范围 超出指定 AC/DC 电气范围 正常工作范围 2.7V 1.8V V POR/BOR V RAM V SS 未规定其模拟特性 器件的串行接口未工作 未规定其模拟特性 V BOR 延迟强制抽头为其 POR/BOR 时缺省设置 图 4-1: 上电和掉电事件 DS22147A_CN 第 32 页 29 Microchip Technology Inc.
5. 串行接口 I 2 C 模块 使用 2 线 I 2 C 串行协议来读 / 写数字电位器的抽头寄存器 I 2 C 协议使用 SCL 输入引脚和 SDA 输入和输出引脚 I 2 C 串行接口支持下列特性 : 从工作模式 7 位寻址 支持下列时钟速率模式 : - 标准模式, 比特率最高达 1 kb/s - 快速模式, 比特率最高达 4 kb/s 支持多主机应用串行时钟由主器件产生 I 2 C 模块符合 Phillips I 2 C 规范 Phillips 的 I 2 C 规范仅定义了一帧中域类型 域长度 时序等 帧的内容定义了器件的行为 MCP417 MCP418 和 MCP419 器件帧的内容定义在数据手册本节中 图 5-1 给出了典型的 I 2 C 总线配置 单 I 2 C 总线配置 主控制器 器件 1 器件 3 器件 n 5.1 I 2 C I/O 注意事项 I 2 C 规范要求连接到总线的器件具有低电平有效 ( 即高电平无效 ) 功能 由于器件依靠独立电源工作, 因此不允许使用钳位 ESD 二极管 规范推荐使用带上拉电阻的开漏晶体管, 并将其连接到 V SS 该规范仅推荐了上拉电阻在一般情况下的值, 而没有推荐具体的电阻值, 因为总线速率和总线电容影响着用于优化系统性能的上拉电阻值 通常上拉电阻范围为 1kΩ 至 ~1 kω( 最大值 ) 功率要求严格的应用中可能倾向于选择高阻值的电阻, 以减小通信时的电流消耗, 但是这些应用通常使用较低的 V DD 供电 当器件断电时,SDA 和 SCL 线浮空 ( 未被驱动 ) SCL 和 SDA 引脚作为输入引脚时, 引脚上具有毛刺滤波器 当这些引脚作为输出时, 这些引脚上具有压摆率控制, 其功能独立于器件频率 5.1.1 斜率控制 器件可实现 SDA 输出的斜率控制 斜率控制由快速模式规范定义 对快速 (FS) 模式, 在 SDA 和 SCL 引脚上器件有尖峰抑制和施密特触发器输入 器件 2 器件 4 图 5-1: 典型应用中 I 2 C 总线配置 请参见第 2. 节 典型工作特性曲线 中交流 / 直流电气特性表获取关于输入门限和时序参数的详细信息 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 33 页
5.2 I 2 C 位定义 I 2 C 位定义包括 : 启动位 数据位 应答 (A) 位 重复启动位 停止位 时钟延长图 5-8 显示了这些状态的波形 5.2.1 启动位 启动位 ( 见图 5-2) 表示数据传送序列的开始 当 SCL 信号为 高电平 时, SDA 信号从高电平下降为低电平被定义为启动位 SDA SCL 图 5-2: 5.2.2 数据位 启动位 当 SCL 信号为低电平时,SDA 信号可改变状态 当 SCL 信号为高电平时, SDA 信号必须是稳定不变的 ( 见图 5-3) SDA SCL 图 5-3: S S 数据位 第 1 位 第 1 位 第 2 位 第 2 位 若从地址无效, 则从器件将发出不应答位 (A) A ( 不应答位 ) 使 SDA 信号变为高电平 如果一个错误状态出现 ( 例如 : 不应答位 A 替代应答位 A), 那么必须发出启动位来复位命令状态机 表 5-1: 事件 广播呼叫 A 5.2.4 重复启动位 A / A 响应 应答位响应 备注 从地址有效 A 从地址无效 A 总线冲突 N.A. 如果冲突发生在主器件 启动位 时, 则 I 2 C 模块复位或 忽略不计 重复启动位 ( 见图 5-5) 表明当前主器件希望与当前从器件在不释放 I 2 C 总线的情况下连续通信 除重复启动位跟随一个启动位 ( 及数据位 + A 位 ), 而不是一个停止位外, 重复启动条件与启动条件相同 启动位表示数据传送序列的开始 当 SCL 信号为 高电平 时,SDA 信号从高电平下降为低电平定义为启动位 注 1: 若满足下列条件, 则在重复启动条件形成期间, 会发生总线冲突 : 当 SCL 从低电平变为高电平时,SDA 被采样为低电平 ; 在 SDA 被声明为低电平以前,SCL 变为低电平 这表示另外的主器件正尝试发送一个数据 1 5.2.3 应答 (A) 位 应答 (A) 位 ( 见图 5-4) 通常是从器件发送给主器件的响应 根据传送序列的前后关系, 应答位表示不同的事情 通常在接收到启动位和 8 个 数据 位后, 从器件会提供一个应答位 应答位使 SDA 信号变为低电平 SDA SCL 第 1 位 SDA D A Sr = 重复启动位 SCL 8 9 图 5-5: 重复启动条件波形图 图 5-4: 应答波形图 DS22147A_CN 第 34 页 29 Microchip Technology Inc.
5.2.5 停止位 停止位 ( 见图 5-6) 表明 I 2 C 数据传送序列的结束 当 SCL 信号为高电平时,SDA 信号从低电平上升为高电平被定义为停止位 一个停止位会复位所有器件的 I 2 C 接口 SDA SCL 图 5-6: A / A 5.2.6 时钟延长 接收或发送模式下停止条件 时钟延长 是接收器件能做的事情, 它允许更多的时间来 响应 被接收的数据 由于存储器读取访问非常快, 器件不会延长时钟信号 (SCL) P 5.2.7 中止传送 如果 I 2 C 传送中的任何部分不能满足命令格式, 将被中止 这能通过发出启动或者停止条件有意地完成 这样做以便在噪声传送 ( 通常是一个额外的启动或者停止条件 ) 破坏器件前中止传送 5.2.8 忽略 I 2 C 传输并 释放 总线 期望接收到完整 有效的 I 2 C 命令, 并假设为任何被确定为无效的命令都是由于总线冲突造成的, 并且 SDA 信号进入无效的高电平状态 器件将忽略所有信号直到接收到下一个有效的启动条件和控制字节 SDA SCL S 第第第第第第第第 A/A 第第第第第第第第 A/A P 1 位 2 位 3 位 4 位 5 位 6 位 7 位 8 位 1 位 2 位 3 位 4 位 5 位 6 位 7 位 8 位 图 5-7: 16 位 I 2 C 典型波形格式图 SDA SCL 启动条件 允许数据改变 数据或 A 有效 停止条件 图 5-8: I 2 C 数据状态和位序列图 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 35 页
5.2.9 I 2 C 命令协议 为 I 2 C 从器件, 它支持 7 位从地址寻址 从地址包含 7 个固定位 图 5-9 显示了控制字节格式 5.2.9.1 控制字节 ( 地址 ) 控制字节通常总是紧随启动条件之后 控制字节的从地址包含 7 个固定位和 R/W 位 图 5-9 显示了控制字节格式, 表 5-2 显示了器件的 I 2 C 地址 S A6 A5 A4 A3 A2 A1 A R/W A/A 1 1 1 1 1 启动位 从地址 A 位 ( 由从器件控制 ) A = = 从器件应答字节 A = 1 = 从器件不应答字节 R/W 位 R/W = = 写 R/W = 1 = 读 图 5-9: I 2 C 控制字节中的从地址位 表 5-2: 器件 I 2 C 地址 器件 I 2 C 地址 备注 MCP417 11111 MCP418 11111 MCP419 11111 5.2.9.2 硬件地址引脚 MCP417/MCP418/MCP419 不支持硬件地址引脚 5.2.1 广播呼叫 广播呼叫是主器件能与所有其他从器件进行通信的一种方法 器件不响应广播呼叫地址和命令, 因此不对这些通信进行应答 第二个字节 S A x x x x x x x A P 广播呼叫地址 7 位命令 保留的 7 位命令 ( 依据 I 2 C 规范 Philips # 9398 393 411 2.1 版,2 年 1 月 ) 11 b - 由硬件复位并写从地址的可编程部分 1 b - 由硬件写从地址的可编程部分 b - 不允许 下面是 硬件广播呼叫 的格式 第二个字节 S A x x x x X x x 1 A 出现 n 次 ( 数据 + A / A) x x x x X x x X A P 广播呼叫地址 7 位命令 这表明是一个 硬件广播呼叫, MCP416/7/8/9 会忽略这个字节和所有后续的字节 ( 以及 A), 直到遇到一个停止位 (P) 图 5-1: 广播呼叫格式 DS22147A_CN 第 36 页 29 Microchip Technology Inc.
5.3 软件复位序列 注 : 任何 I 2 C 兼容器件均支持本技术 24xxxx I 2 C 串行 EEPROM 器件支持本技术, 在 AN128 中有详细介绍 任何时候若需要确保 器件处于正确和已知的 I 2 C 接口状态时, 可发送软件复位序列 此序列仅复位 I 2 C 状态机 若 器件上电时处于不正确的状态 ( 由于过多的总线噪声等 ), 或主器件在通信时被复位时, 本功能尤为重要 图 5-11 显示了通过软件复位器件的通信序列 停止位终止当前 I 2 C 总线活动 等待检测到下一个启动条件 本序列并不影响连接到总线上的其他 I 2 C 器件, 因为它们会将此命令作为非法命令而丢弃 5.4 串行命令 器件支持两种串行命令 这些命令为 : 写操作 读操作 S 1 1 1 1 1 1 1 1 S P 启动位 9 个 1 启动位停止位 图 5-11: 软件复位序列格式 第 1 个启动位将导致器件从其预期从主器件接收数据的状态复位 在此模式下, 器件使用接收模式监视数据总线, 并检测启动位产生内部复位 9 位 1 用于强制使那些没有被前述启动位复位的器件复位 这仅发生在 向 I 2 C 总线驱动 A( 应答 ), 或处于输出模式 ( 从读命令 ) 并向 I 2 C 总线产生数据位 时 在这两种条件下, 前述的启动位由于 保持总线为低电平而无法产生 通过发送 9 个 1 位, 以确保器件将接收到 A ( 主器件未将 I 2 C 总线驱动成低电平, 以应答 发送的数据 ), 因此也强制 进行复位 发送第 2 个启动位以解决可能的错误写操作 这仅发生在主器件向 发送写命令时被复位, 和 正产生 A 时主器件返回到正常工作状态同时产生一个开始条件 此时, 若为发送第 2 个启动位 ( 和发送停止位 ), 则 启动一个写周期 注 : 此写错误仅可能发生在主器件发送写命令给 时被复位 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 37 页
5.4.1 写操作 写操作要求启动条件 控制字节 应答 数据字节 应答和停止 ( 或重复启动 ) 条件 控制 ( 从地址 ) 字节要求 R/W 位等于逻辑零 (R/W = ) 来产生写序列 负责产生应答 (A) 位 传输完每个字节后 ( 在 A 位期间 ), 数据写入 若在数据传输期间 ( A 位之前 ), 产生了停止或重复启动条件, 则数据将不会写入 在每个应答后, 写入数据字节 一旦发生停止 (P) 条件, 则终止命令 请参见图 5-12 了解写序列 对于单字节写, 主器件在第 1 个数据字节发送后发送停止或重复启动条件 无需关心每个数据字节的最高位 ( MSb), 因为抽头寄存器仅为 7 位宽 图 5-14 显示了 I 2 C 通信时主器件和 器件的行为以及 I 2 C 总线上的数值结果 5.4.2 读操作 读操作要求启动条件 控制字节 应答 数据字节, 主器件产生 A 和停止条件 控制字节要求 R/W 位等于逻辑 1 (R/W = 1), 以产生读序列 在从地址字节时产生 A 和在数据字节时产生 A I 2 C 主器件在从地址字节和最后数据字节时产生 A 若有多个数据字节, 则 I 2 C 主器件对所有数据字节 ( 除最后一个数据字节 ) 产生 A, 对最后一个数据字节产生 A 保持对 SDA 信号的控制, 直到发送出所有的数据位 一旦发生停止 (P) 条件, 则终止命令 请参见图 5-13 关于读命令序列 对于单次读, 在从器件发送完第 1 个数据字节 ( 和 A 位 ) 后主器件发送停止或重复启动条件 图 5-14 显示了 I 2 C 通信时主器件和 器件的行为以及 I 2 C 总线上的数值结果 固定地址 读 / 写位 ( = 写 ) S 1 1 1 1 1 A x D6 D5D4 D3 D2 D1D A x D6D5D4D3 D2D1D A 从地址字节数据字节数据字节 停止位 x D6 D5D4 D3 D2 D1 D 数据字节 图注 S = 启动条件 P = 停止条件 A = 应答 X = 无关位 R/W = 读 / 写位 D6, D5, D4, D3, D2, D1, D = 数据位 A x D6D5D4D3 D2D1D A P 数据字节 图 5-12: I 2 C 写命令格式 DS22147A_CN 第 38 页 29 Microchip Technology Inc.
固定地址 读 / 写位 ( 1 = 读 ) S 1 1 1 1 1 1 A D6 D5D4 D3 D2 D1D A(1) D6D5D4D3 D2D1DA(1) 从地址字节数据字节数据字节 停止位 D6 D5D4 D3 D2 D1 D 数据字节 A(1) D6D5D4D3 D2D1DA (2) P 数据字节 图注 S = 启动条件 P = 停止条件 A = 应答 X = 无关位 R/W = 读 / 写位注 1 = 数据位 注 1: 主器件负责产生 A / A 信号 若发生 A 信号, 则 将放弃当前的传输并释放总线 2: 主器件将应答 A, 则 将释放总线, 则主器件能够产生停止或重复启动条件 图 5-13: I 2 C 读命令格式 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 39 页
写 1 字节 主器件 S 从地址 R / WA 数据字节 (1) A P S 1 1 1 1 1 1 x d d d d d d d 1 P I 2 C 总线 S 1 1 1 1 1 x d d d d d d d P 写 2 字节 主器件 S 从地址 R / WA 数据字节 (1) A 数据字节 (1) A P S 1 1 1 1 1 1 x d d d d d d d 1 x d d d d d d d 1 P I 2 C 总线 S 1 1 1 1 1 x d d d d d d d x d d d d d d d 1 P 读取 1 字节 S 从地址 R / WA 数据字节 A P 主器件 S 1 1 1 1 1 1 1 1 P d d d d d d d 1 I 2 C 总线 S 1 1 1 1 1 1 d d d d d d d 1 P 读取 2 字节 S 从地址 R / WA 数据字节 A 数据字节 A P 主器件 S 1 1 1 1 1 1 1 1 P d d d d d d d 1 d d d d d d d 1 I 2 C 总线 S 1 1 1 1 1 1 d d d d d d d d d d d d d d 1 P 注 1: 对于写命令, 无需关心数据字节的最高位 MSb, 因为抽头寄存器仅为 7 位宽 图 5-14: I 2 C 通信 DS22147A_CN 第 4 页 29 Microchip Technology Inc.
6. 电阻网络 电阻网络由两部分组成 这些部分包括 : 梯形电阻网络 抽头图 6-1 给出了电阻网络的框图 数字电位器应用可分成两种电阻网络类型 : 变阻器配置 电位器 ( 或分压器 ) 配置 MCP417 是一个真正的变阻器, 变阻器的 B 端和抽头端 (W) 可由引脚提供 MCP418 器件是一个 B 端内部连接到地的分压器 ( 电位器 ) MCP419 器件是一个变阻器, 其电阻的 A 端悬空 B 端内部接地且抽头端 (W) 可由引脚提供 6.1 梯形电阻网络模块 梯形电阻网络包含一组串联的等值电阻 (R S ), 两个电阻之间有一个连接点 ( 抽头 ) 串联电阻 ( 梯形网络 ) 中的电阻总数决定 R AB 电阻 ( 见图 6-1) 梯形电阻网络的端点连接到模拟开关, 模拟开关连接到器件的接线端 A 和接线端 B 引脚 R AB ( 和 R S ) 电阻会随电压和温度发生微小变化 在接线端 A 和接线端 B 之间, 有 127 个电阻串联 能提供 7 位分辨率 抽头可以设置为分接到 127 个电阻中的任意一个, 从而提供 128 种可能的设置 ( 包括接线端 A 和接线端 B) 这允许从零量程到满量程的连接 抽头设置 h 连接 W ( 抽头 ) 端到 B ( 零量程 ) 端 抽头设置 3Fh 为中间量程设置 抽头设置 7Fh 连接 W ( 抽头 ) 端到 A ( 满量程 ) 端 表 6-1 显示了抽头设置的全面映射 A 端 B 端和抽头端 W 均无极性 这些端点都可以支持正向和反向电流 注 R S R S R S R S 图 6-1: 表 6-1: A N = 127 N = 126 N = 125 N = 1 N = B RW (1) 7Fh RW (1) 7Eh RW (1) 7Dh RW (1) RW (1) 1h h 电阻网络框图 抽头设置映射 模拟多路开关 1: 抽头电阻与选择的抽头有关, 因为每个抽头的电阻都有微小的变化 这种变化对器件电阻 R AB 较小 (5. kω) 的情况影响较大 抽头设置 特性 7Fh 满量程 (W = A) 7Eh - 4h W = N 3Fh W = N ( 中间量程 ) 3Eh - 1h W = N h 零量程 (W = B) W 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 41 页
电阻步长 (R S ) 是从一个抽头到下一个抽头之间的阻值 该阻值取决于选定的 R AB 值 公式 6-1 给出了电阻步长的计算, 而表 6-2 给出了每个器件的典型电阻步长值 公式 6-1: R S 计算 公式 6-2 显示了用于计算抽头与 B 端间电阻的公式 公式 6-2: R S = R --------- AB 127 R WB 计算 R AB N R WB = ------------- + R 127 W N = 至 127 ( 十进制 ) POR/BOR 事件将向易失性抽头寄存器加载其默认值 表 6-3 显示了其默认值 表 6-3: 默认工厂设置选项 电阻代码 典型默认 POR 抽头位置 R AB 值设置代码 (1) -52 5. kω 中间量程 3Fh -13 1. kω 中间量程 3Fh -53 5. kω 中间量程 3Fh -14 1. kω 中间量程 3Fh 注 1: 可提供客户订制的 POR/BOR 抽头设置选 项, 联系当地 Microchip 销售办事处获取 更多信息 客户订制的选项具有最小订货 数量要求 数字电位器提供四种标称电阻 (R AB ), 其标称电阻定义为 A 端和 B 端之间的电阻 这四种标称电阻为 5kΩ 1 kω 5 kω 和 1 kω 器件的总阻值会随工作电压产生微小变化 ( 见图 2-11 图 2-29 图 2-47 或图 2-65) 表 6-2: 器件型号 -52E -13E -53E -14E 电阻步长 条件 电阻 (Ω) 总电阻 (R AB ) 步长 (R S ) 最小值 4 31.496 典型值 5 39.37 最大值 6 47.244 最小值 8 62.992 典型值 1 78.74 最大值 12 94.488 最小值 4 314.961 典型值 5 393.71 最大值 6 472.441 最小值 8 629.921 典型值 1 787.42 最大值 12 944.882 DS22147A_CN 第 42 页 29 Microchip Technology Inc.
6.2 电阻配置 6.2.1 变阻器配置 作为变阻器使用时, 数字电位器三个端点中的两个被用作电路的阻性元件 可变电阻由 W 端 ( 抽头端 ) 和 A 端或 B 端确定 阻值将取决于抽头端的抽头设置和抽头端的电阻 通过改变抽头端设置可控制阻值 未用的端点 (B 或 A) 应悬空 图 6-2 所示为可被使用的两个电阻 翻转 A 端和 B 端的极性对操作没有影响 6.2.2 电位器配置 作为电位器使用时, 所有的三个端点与电路中的不同节点相连 这允许电位器输出与输入电压成比例的电压 这种配置有时被称为分压器模式 通过调节抽头端在两个端点间的位置, 可使用电位器提供可变电压 如图 6-3 所示 翻转 A 端和 B 端的极性对操作没有影响 V 1 A A W R AW 或 R BW B V 2 W V 3 B 图 6-2: 变阻器配置 这允许控制两个节点间的总阻值 总阻值取决于 起始 端到抽头端这一段 当代码为 h 时,R BW 阻值最小 (R W ), 但 R AW 阻值最大 (R AB + R W ) 相反, 当代码为 3Fh 时,R AW 阻值最小 (R W ), 但 R BW 阻值最大 (R AB + R W ) 阻值步长 (R S ) 等于电阻的一个 LSb 注 : 电阻 在这种配置下, 必须格外小心以保证流经变阻器的电流不会超过 2.5 ma, 以免损坏内部抽头端电路 变阻器器件的脚位使得当抽头寄存器增加时, 电阻的阻值也随着增加 ( 测量 B 端到 W 端的电阻 ) 图 6-3: 电位器配置 将 R AB 电阻的温度系数设计为最小 在该配置中, 所有电阻统一变化, 因此变化很小 抽头电阻的温度系数与 R AB 的温度系数不同 节点 V3 ( 图 6-3) 上的电压与抽头电阻值无关, 它的值与 R AB 电阻成比例, 因此在大多数情况下可忽略抽头电阻的温度系数 注 : 在这种配置下, 必须格外小心以保证流经变阻器的电流不会超过 2.5 ma, 以免损坏内部抽头端电路 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 43 页
6.3 抽头电阻 抽头电阻指的是将选定梯形电阻网络节点连接到抽头端公共信号的模拟开关的串联电阻 ( 见图 6-1) 易失性抽头寄存器中的值用于选择关闭哪个模拟开关, 从而将 W 接线端连接到梯形电阻网络的选定节点 电阻值取决于模拟开关源极 栅极和漏极节点的电压, 以及器件的抽头代码 温度和流过开关的电流 随着器件电压的减小, 抽头电阻值增加 ( 见图 6-4 和表 6-4) 抽头可以直接连接到接线端 B 或接线端 A 对于零量程连接, 接线端 W ( 抽头 ) 将连接到接线端 B ( 抽头设置为 h) 对于满量程连接, 接线端 W ( 抽头 ) 将连接到接线端 A ( 抽头设置为 7Fh) 在这些配置中, 接线端 W 和另一个接线端 (A 或 B) 之间的惟一电阻是模拟开关的电阻 抽头电阻通常在抽头处于零量程 (h) 或满量程 (3Fh) 时测得 抽头电阻不是导致电位器产生分压的应用出现误差的主要原因 变阻器应用中的抽头电阻会在抽头端向零量程 (h) 移动时产生明显的非线性误差 电阻标称值越低, 可能导致的误差就越大 在变阻器配置中, 需要考虑电压的变化, 尤其是对于阻值较低的器件 对于 5. kω 器件, 在 5.5V 时的最大抽头端阻值约为总阻值的 3.2%, 而在 2.7V 时约为总阻值的 6.5% 在电位器配置中, 抽头端阻值的变化不会影响 W 端引脚上的输出电压 阻值曲线有一个线性区 ( 当电压较高时 ) 和一个非线性区 ( 当电压较低时 ) 电压较低的区域中阻值的增加比电压的下降快 R W 图 6-4: 关系曲线 V DD 注 : 阻值曲线有一个线性区 ( 当电压较高时 ) 和一个非线性区 ( 当电压较低时 ) 抽头电阻 (R W ) 与电压的 由于在温度恒定时, 器件总阻值随电压的变化最小 ( 见图 2-11 图 2-29 图 2-47 或图 2-65), 抽头端阻值随电压的变化会对 INL 和 DNL 误差造成重大影响 表 6-4: 典型电阻步长及其与抽头电阻之间的关系电阻 (Ω) R W / R S (%) (1) R W / R AB (%) (2) 总阻值 (R AB ) 典型抽头电阻 (R W ) 步长 (R S ) 典型值 最大值 @ 5.5V 最大值 @ 2.7V R W = 典型值 R W = 最大值 @ 5.5V R W = 最大值 @ 2.7V R W = 典型值 R W = 最大值 @ 5.5V R W = 最大值 @ 2.7V 5 39.37 1 17 325 254.% 431.8% 825.5% 2.% 3.4% 6.5% 1 78.74 1 17 325 127.% 215.9% 412.75% 1.% 1.7% 3.25% 5 393.7 1 17 325 25.4% 43.18% 82.55%.2%.34%.65% 1 787.4 1 17 325 12.7% 21.59% 41.28%.1%.17%.325% 注 1: R S 为典型值 该阻值随电压的变化最小 2: R AB 为典型值 该阻值随电压的变化最小 DS22147A_CN 第 44 页 29 Microchip Technology Inc.
6.4 工作特性 了解器件中电阻元件的工作特性对系统设计很重要 6.4.1 精度 6.4.1.1 积分非线性误差 (INL) 这些器件的 INL 误差是指去除失调和增益误差后, 实际代码转换点和相应理想转换点之间的最大偏离值 发生转换的端点从 x 至 x7f 请参见图 6-5 INL 为正表示电阻比理想阻值高 INL 为负表示电阻比理想阻值低 数字输入代码 图 6-5: 111 11 11 1 11 1 1 实际传递函数 INL 精度 INL < INL < 数字电位器输出 理想传递函数 6.4.1.2 微分非线性误差 (DNL) DNL 误差衡量的是实际代码宽度与理想代码宽度之间的差别 DNL 误差为零表示每个代码正好为 1 个 LSb 宽 数字输入代码 图 6-6: 111 11 11 1 11 1 1 实际传递函数 DNL 精度 6.4.1.3 比例温度系数 比例温度系数量化由于温度漂移而产生的 R AW 与 R WB 之比误差 当将电位器器件 (MCP418) 配置为分压器时, 这通常是主要误差 6.4.1.4 绝对温度系数 理想传递函数 窄代码 < 1 LSb 数字电位器输出 宽代码 > 1 LSb 绝对温度系数量化由于温度漂移而产生的两个端点间的阻值 ( 标称电阻 R AB ) 误差 当将变阻器器件 (MCP417 和 MCP419) 配置为可变电阻时, 这通常是关键误差 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 45 页
6.4.2 单调工作 单调工作意味着器件的阻值以单步变化值递增 ( 从 A 端到 B 端或从 B 端到 A 端 ) 抽头端阻值在每个抽头位置都不同 当抽头端从一个抽头位置移至下一个抽头位置 ( 递增或递减 ) 时, R W 小于 R S 当变化发生时, 两个抽头位置的器件电压和温度 相同 x3f x3e R S62 R S63 x3d 数字输入代码 x3 x2 R S1 R S3 x1 R S x R W n =? ( 抽头处 ) R BW = R Sn + R W( 处于抽头 n 处 ) n = 电阻 (R BW ) 图 6-7: R BW DS22147A_CN 第 46 页 29 Microchip Technology Inc.
7. 设计注意事项 采用 器件的系统设计中, 需要仔细考虑以下因数 : 工作电源注意事项 布线注意事项 7.1 工作电源注意事项 典型应用往往需要一个旁路电容来滤除电源走线带来的高频躁声 旁路电容有助于最大限度地减小这些噪声源对信号完整性的影响 图 7-1 举例说明了合理的旁路方法 本范例中, 建议的旁路电容值为.1 µf 这个电容应该尽可能近 (4 mm 内 ) 地靠近器件的电源引脚 (V DD ) 给这些器件供电的电源需要尽可能地干净 如果应用电路有单独的数字电源和模拟电源, V DD 和 V SS 应该处在模拟层 7.2 布线注意事项 感性耦合 AC 瞬态和数字开关噪声会降低输入和输出信号的完整性, 从而潜在地削弱 器件的性能 小心布线可以最大限度地减小这些影响, 增加信噪比 (SNR) 基准测试表明使用地层自感系数较低的多层板 隔离输入 隔离输出和合理去耦对于实现芯片高性能至关重要 特别恶劣的环境中可能需要对关键信号进行保护 如果希望噪声小的话, 不建议使用实验板和绕线板 7.2.1 电阻温度系数 图 2-11 图 2-29 图 2-47 和图 2-65 给出了电阻温度系数的特性曲线图 这些曲线显示了当温度上升时, 用电阻网络来修正电阻值的变化 这种方法减小了端对端电阻值 ( 等于 R AB ) 的变化 V DD.1 µf V DD.1 µf A W B SCL SDA PIC 单片机 V SS V SS 图 7-1: 典型单片机连接 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 47 页
注 : DS22147A_CN 第 48 页 29 Microchip Technology Inc.
8. 应用示例 数字电位器在现代电子电路中有多种实际应用 许多典型应用包括设定点门限的精确校准 传感器调整 LCD 偏置调整, 声频衰减器 可调电源 电机控制过流跳闸设置 可调增益放大器以及失调调整 在工作电压和接线端电压处于 CMOS 工艺范围 (V DD = 2.7V 至 5.5V) 的应用中, 器件能被用来替代普通的机械调整电位器 8.1 设定点门限微调 需要准确检测输入门限事件的应用通常需要消除几个误差源 使用低失调和增益误差的比较器和运算放大器 ( 运放 ) 有助于达到规定的精度, 但在很多应用中, 输入源的变化并不在设计人员的控制之中 如果能在受控环境中对已装配完成的整机系统进行校准 ( 如厂内测试 ), 这些误差源即便不能被完全消除也会被最大限度地减小 图 8-1 给出了一种常见的数字电位器配置 该配置通常被称为 窗型分压器 注意, R 1 不是分压器的必要元件, 但有了它有助于限制所需门限值的范围 由于 R 1 能将 V TRIP 的可调范围缩小在一个比 V DD V SS 小的多的值内, 因此称该分压器为 窗型 分压器 如果输出范围缩小, 每个输出级的电压幅值都将减小 这有效的提高了固定数字电位器分辨率的调节精度 该技术可使低成本的数字电位器得到应用 ( 以 64 级替代 256 级 ) MCP418 的低 DNL 性能使得其能够在生产中满足校准精度的要求, 而无需使用更精密的数字电位器 公式 8-1: R WB V TRIP = V DD ------------------ R 1 + R 2 R AB = R Nominal 利用所需的 V TRIP 计算抽头设置 图 8-1: 压输出 MCP418 SDA SCL 8.1.1 微调光电传感器门限 使用数字电位器设置精密电 若应用中需要校正二极管 晶体管或电阻的门限值, 通常的变化范围为.1V 通常, 为准确地检测精密信号, 则需要 2mV 或更小的分辨率, 使用 MCP418 构成的 窗口 分压器是一个可选方案 图 8-2 显示了此应用的电路示例 R 1 MCP418 SDA SCL V DD A B V DD W.1 µf V DD A B R 1 R sense V TRIP W 比较器 V OUT V CC+ V CC- MCP621 R WB = R AB D 127 V D = TRIP (R 1 + R AB ) 127 V DD D = 数字电位器抽头设置 (-127) 图 8-2: 设定点或门限校准 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 49 页
8.2 运放应用 图 8-3 和图 8-4 显示的典型运放电路, 使用 MCP417/ 18/19 替换固定电阻, 以实现数字可调节的模拟方案 V IN + MCP6291 R 1 V DD 运放 - V OUT A B W MCP418 MCP417 R 3 图 8-3: 进行微调 同相放大器中对失调和增益 MCP418 B A W R 4 V DD - R 1 A B W V IN MCP418 运放 + MCP621 f 1 c = ----------------------------- 2π R Eq C V OUT 戴维宁公式 图 8-4: R Eq = ( R 1 + R AB R WB ) ( R 2 + R WB ) + R w 可编程滤波器 DS22147A_CN 第 5 页 29 Microchip Technology Inc.
8.3 温度传感器应用 热敏电阻是电阻变化随温度具有预知变化特性的电阻 对于低成本温度测试方案, 热敏电阻是最普遍的传感器 然而, 不幸的是, 热敏电阻具有非线性特性, 通常在应用中需要校准以获取更高的精度 由很多普通的方案可用于对热敏电阻进行校准和线性化 图 8-5 和图 8-6 为线性化 3 端 NTC 热敏电阻的简单方法 两个方案均为简单的分压器, 正温度系数 (Positive Temperature Coefficient,PTC) 电阻 (R 1 ) 的传递函数能够补偿负温度系数 (Negative Temperature Coefficient, NTC) 热敏电阻的线性误差 图 8-5 所示的电路使用数字变阻器来校正由热敏电阻不同器件差异而导致的失调误差 此方案将数字电位器的 R W 引入分压器计算 的 R AB 温度系数很低 ( -2 C 至 +7 C 范围内为 5 ppm) R W 的误差远大于 R AB 的误差, 因为 R W 的偏移受 V DD 抽头设置和温度而变化 对于 5 kω 器件, 在绝大多数情况下, 由 R W 引起的误差在抽头设置 > 6 时可以忽略不计 对于 2kΩ 器件, 由 R W 引起的误差则不可忽略, 因为此时误差电阻占 R WB 很高的比例 由于这些原因, 图 8-5 所示的电路并不是用于 激励 和线性化热敏电阻的最优化方法 图 8-6 所示的电路使用数字电位器来微调失调误差 这个方案从微调公式中移除 R W 以及与 R W 相关的误差 并不需要 R 2, 但是使用该电阻也可以减小微调 窗口 和减小数字电位器 R AB 随不同器件变化而导致的偏移 R 1 V DD NTC 热敏电阻 V OUT MCP418 图 8-6: 使用电位器配置的数字电位器进行热敏电阻校准 V DD R 1 NTC 热敏电阻 V OUT R 2 MCP417 图 8-5: 使用变阻器配置的数字电位器进行热敏电阻校准 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 51 页
8.4 惠斯通电桥调节 另一个 激励 传感器 ( 如应变计 压力传感器或热敏电阻 ) 的常见配置是惠斯通电桥配置 惠斯通电桥提供的是差分输出, 而不是单端输出 图 8-7 给出了使用一至三个数字电位器的惠斯通电桥 本例中的数字电位器用于调节惠斯通电桥的失调和增益 V DD 5kΩ MCP417 V OUT MCP417 MCP417 5 kω 5 kω 图 8-7: 惠斯通电桥调节 DS22147A_CN 第 52 页 29 Microchip Technology Inc.
9. 开发支持 9.1 开发工具 有几个开发工具可用来辅助您设计以及评估 MCP417/ 18/19 器件 使用 MCP417 器件的演示板正在开发中 请登录 Microchip 网站以了解这些演示板是否发布 演示板的部件编号初定为 MCP4XXXDM-PGA, 预期于 29 年夏提供 9.2 技术文献 有一些其他技术文献可用来辅助您设计和开发, 这些技术文献包括应用笔记 技术摘要以及设计指南 表 9-1 列出了一部分文献 表 9-1: 技术文献 应用笔记标题编号 文档编号 # AN18 Understanding Digital Potentiometers Resistor Variations DS18 AN737 Using Digital Potentiometers to Design Low-Pass Adjustable Filters DS737 AN692 Using a Digital Potentiometer to Optimize a Precision Single Supply Photo Detect DS692 AN691 Optimizing the Digital Potentiometer in Precision Circuits DS691 AN219 Comparing Digital Potentiometers to Mechanical Potentiometers DS219 Digital Potentiometer Design Guide DS2217 Signal Chain Design Guide DS21825 应用笔记编号 标题 文档编号 # 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 53 页
注 : DS22147A_CN 第 54 页 29 Microchip Technology Inc.
1. 封装信息 1.1 封装标识信息 5 引脚 SC7 示例 : 器件编号 代码 XXNN MCP419T-52E/LT MCP419T-13E/LT MCP419T-53E/LT MCP419T-14E/LT BENN BFNN BGNN BHNN BENN 6 引脚 SC7 示例 : XXNN 器件编号 代码 器件编号 代码 MCP417T-52E/LT AENN MCP418T-52E/LT AANN MCP417T-13E/LT AFNN MCP418T-13E/LT ABNN MCP417T-53E/LT AGNN MCP418T-53E/LT ACNN MCP417T-14E/LT AHNN MCP418T-14E/LT ADNN AANN 图注 : XX...X 客户指定信息 Y 年份代码 ( 公历年份的最后一个数字 ) YY 年份代码 ( 公历年份的最后两个数字 ) WW 星期代码 ( 一月一日的星期代码为 1 ) NNN 以字母数字排序的追踪代码 e3 雾铅的 (Sn) JEDEC 无铅标识 * 表示无铅封装, JEDEC 无铅标志 ( e3) 标示在此封装的外包装上 注 : Microchip 元器件编号如果无法在同一行内完整标注, 将换行标出, 因此会限制客户指定信息的可用字符数 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 55 页
5 引脚塑封小外形晶体管 (LT)[SC7] 注 : 最新的封装图请至 http://www.microchip.com/packaging 查看 Microchip 封装规范 D b 3 2 1 E1 E 4 5 e e A A2 c A1 L DS22147A_CN 第 56 页 29 Microchip Technology Inc.
6 引脚塑封小外形晶体管 (LT)[SC7] 注 : 最新的封装图请至 http://www.microchip.com/packaging 查看 Microchip 封装规范 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 57 页
6 引脚塑封小外形晶体管 (LT)[SC7] 注 : 最新的封装图请至 http://www.microchip.com/packaging 查看 Microchip 封装规范 DS22147A_CN 第 58 页 29 Microchip Technology Inc.
6 引脚塑封小外形晶体管 (LT)[SC7] 注 : 最新的封装图请至 http://www.microchip.com/packaging 查看 Microchip 封装规范 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 59 页
注 : DS22147A_CN 第 6 页 29 Microchip Technology Inc.
附录 A: 版本历史 版本 A (29 年 3 月 ) 本文档的初始版本 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 61 页
注 : DS22147A_CN 第 62 页 29 Microchip Technology Inc.
产品标识体系 欲订货或获取价格 交货等信息, 请与我公司生产厂或各销售办事处联系 部件编号 XXX X /XX 器件 器件 : 电阻种类 : 电阻种类 温度范围 MCP417: 带 I 2 C 接口的单路变阻器 MCP417T: 带 I 2 C 接口的单路变阻器 ( 卷带式 ) MCP418: 带 I 2 C 接口的单路电位器 ( 连接到地 ) MCP418T: 带 I 2 C 接口的单路电位器 ( 连接到地 )( 卷带式 ) MCP419: 带 I 2 C 接口的单路变阻器 ( 连接到地 ) MCP419T: 带 I 2 C 接口的单路变阻器 ( 连接到地 )( 卷带式 ) 52 = 5 kω 13 = 1 kω 53 = 5 kω 14 = 1 kω 封装 温度范围 : E = -4 C 至 +125 C 封装 : LT = 塑封小外形晶体管 (SC7), 5 引脚, 6 引脚 示例 : a) MCP417T-52E/LT:5 kω, 6 引脚 SC-7 b) MCP417T-13E/LT:1 kω,6 引脚 SC-7 c) MCP417T-53E/LT:5 kω, 6 引脚 SC-7 d) MCP417T-14E/LT:1 kω, 6 引脚 SC-7 a) MCP418T-52E/LT:5 kω, 6 引脚 SC-7 b) MCP418T-13E/LT:1 kω, 6 引脚 SC-7 c) MCP418T-53E/LT:5 kω, 6 引脚 SC-7 d) MCP418T-14E/LT:1 kω, 6 引脚 SC-7 a) MCP419T-52E/LT:5 kω, 5 引脚 SC-7 b) MCP419T-13E/LT:1 kω, 5 引脚 SC-7 c) MCP419T-53E/LT:5 kω, 5 引脚 SC-7 d) MCP419T-14E/LT:1 kω, 5 引脚 SC-7 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 63 页
注 : DS22147A_CN 第 64 页 29 Microchip Technology Inc.
请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一 目前, 仍存在着恶意 甚至是非法破坏代码保护功能的行为 就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的 这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性 代码保护并不意味着我们保证产品是 牢不可破 的 代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能 任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了 数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为 提供本文档的中文版本仅为了便于理解 请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司 各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任 建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档 本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代 确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示 书面或口头 法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况 质量 性能 适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任 如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负 买方同意在由此引发任何一切伤害 索赔 诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿 在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证 商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 dspic KEELOQ KEELOQ 徽标 MPLAB PIC PICmicro PICSTART rfpic 和 UNI/O 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MXDEV MXLAB SEEVAL 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPLAB Certified 徽标 MPLIB MPLINK mtouch Octopus Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail PIC 32 徽标 REAL ICE rflab Select Mode Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记 在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 29, Microchip Technology Inc. 版权所有 Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部 设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:22 认证 公司在 PIC MCU 与 dspic DSC KEELOQ 跳码器件 串行 EEPROM 单片机外设 非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS- 16949:22 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 91:2 认证 29 Microchip Technology Inc. DS22147A_CN 第 65 页
全球销售及服务网点 美洲 亚太地区 亚太地区 欧洲 公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ 85224-6199 Tel: 1-48-792-72 Fax: 1-48-792-7277 技术支持 : http://support.microchip.com 网址 :www.microchip.com 亚特兰大 Atlanta Duluth, GA Tel: 678-957-9614 Fax: 678-957-1455 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: 1-774-76-87 Fax: 1-774-76-88 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: 1-63-285-71 Fax: 1-63-285-75 克里夫兰 Cleveland Independence, OH Tel: 216-447-464 Fax: 216-447-643 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: 1-972-818-7423 Fax: 1-972-818-2924 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: 1-248-538-225 Fax: 1-248-538-226 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: 1-765-864-836 Fax: 1-765-864-8387 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: 1-949-462-9523 Fax: 1-949-462-968 圣克拉拉 Santa Clara Santa Clara, CA Tel: 48-961-6444 Fax: 48-961-6445 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: 1-95-673-699 Fax: 1-95-673-659 亚太总部 Asia Pacific Office Suites 377-14, 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: 852-241-12 Fax: 852-241-3431 中国 - 北京 Tel: 86-1-8528-21 Fax: 86-1-8528-214 中国 - 成都 Tel: 86-28-8665-5511 Fax: 86-28-8665-7889 中国 - 香港特别行政区 Tel: 852-241-12 Fax: 852-241-3431 中国 - 南京 Tel: 86-25-8473-246 Fax: 86-25-8473-247 中国 - 青岛 Tel: 86-532-852-7355 Fax: 86-532-852-725 中国 - 上海 Tel: 86-21-547-5533 Fax: 86-21-547-566 中国 - 沈阳 Tel: 86-24-2334-2829 Fax: 86-24-2334-2393 中国 - 深圳 Tel: 86-755-823-266 Fax: 86-755-823-176 中国 - 武汉 Tel: 86-27-598-53 Fax: 86-27-598-5118 中国 - 厦门 Tel: 86-592-238-8138 Fax: 86-592-238-813 中国 - 西安 Tel: 86-29-8833-7252 Fax: 86-29-8833-7256 中国 - 珠海 Tel: 86-756-321-4 Fax: 86-756-321-49 台湾地区 - 高雄 Tel: 886-7-536-4818 Fax: 886-7-536-483 台湾地区 - 台北 Tel: 886-2-25-661 Fax: 886-2-258-12 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: 61-2-9868-6733 Fax: 61-2-9868-6755 印度 India - Bangalore Tel: 91-8-39-4444 Fax: 91-8-39-48 印度 India - New Delhi Tel: 91-11-416-8631 Fax: 91-11-416-8632 印度 India - Pune Tel: 91-2-2566-1512 Fax: 91-2-2566-1513 日本 Japan - Yokohama Tel: 81-45-471-6166 Fax: 81-45-471-6122 韩国 Korea - Daegu Tel: 82-53-744-431 Fax: 82-53-744-432 韩国 Korea - Seoul Tel: 82-2-554-72 Fax: 82-2-558-5932 或 82-2-558-5934 马来西亚 Malaysia - Kuala Lumpur Tel: 6-3-621-9857 Fax: 6-3-621-9859 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: 6-4-227-887 Fax: 6-4-227-468 菲律宾 Philippines - Manila Tel: 63-2-634-965 Fax: 63-2-634-969 新加坡 Singapore Tel: 65-6334-887 Fax: 65-6334-885 泰国 Thailand - Bangkok Tel: 66-2-694-1351 Fax: 66-2-694-135 奥地利 Austria - Wels Tel: 43-7242-2244-39 Fax: 43-7242-2244-393 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: 45-445-2828 Fax: 45-4485-2829 法国 France - Paris Tel: 33-1-69-53-63-2 Fax: 33-1-69-3-9-79 德国 Germany - Munich Tel: 49-89-627-144- Fax: 49-89-627-144-44 意大利 Italy - Milan Tel: 39-331-742611 Fax: 39-331-466781 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: 31-416-69399 Fax: 31-416-6934 西班牙 Spain - Madrid Tel: 34-91-78-8-9 Fax: 34-91-78-8-91 英国 UK - Wokingham Tel: 44-118-921-5869 Fax: 44-118-921-582 台湾地区 - 新竹 Tel: 886-3-6578-3 Fax: 886-3-6578-37 3/26/9 DS22147A_CN 第 66 页 29 Microchip Technology Inc.