第 8 章复位 目录 本章包括下列主题 : 8.1 简介...8-2 8.2 复位时的时钟源选择... 8-5 8.3 POR: 上电复位... 8-5 8.4 外部复位 (EXTR)... 8-7 8.5 软件复位指令 (SWR)... 8-7 8.6 看门狗超时复位 (WDTR)... 8-7 8.7 欠压复位 (BOR)... 8-8 8.8 使用 RCON 状态位... 8-10 8.9 器件复位时间... 8-11 8.10 器件起振时间曲线... 8-13 8.11 特殊功能寄存器复位状态... 8-16 8.12 设计技巧... 8-17 8.13 相关应用笔记... 8-18 8.14 版本历史... 8-19 8 复位 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-1 页
dspic30f 系列参考手册 8.1 简介 复位模块结合了所有复位源并控制器件的主复位信号 SYSRST 以下列出了器件的复位源: POR: 上电复位 EXTR: 引脚复位 (MCLR) SWR:RESET 指令 WDTR: 看门狗定时器复位 BOR: 欠压复位 TRAPR: 陷阱冲突复位 IOPR: 非法操作码复位 UWR: 未初始化的 W 寄存器复位图 8-1 所示为复位模块的简化框图 任何激活的复位源都会产生 SYSRST 信号 许多与 CPU 和外设相关的寄存器均会被强制变为一个已知的 复位状态 多数寄存器都不受复位影响; 它们的状态在 POR 时未知, 而在其他复位时不变 注 : 如需了解寄存器复位状态的信息, 请参阅本数据手册中特定外设或 CPU 章节 任何类型的器件复位都会将 RCON 寄存器中相应的状态位置 1 以表明复位类型 ( 参见寄存器 8-1) POR 会清零除 POR 和 BOR 位 (RCON<2:1>) 以外的所有位, 而 POR 和 BOR 位被置 1 用户可以在代码执行过程中的任何时间置位或清零任何位 RCON 位仅用作状态位 在软件中将特定的状态位置 1 不会导致器件复位发生 RCON 寄存器也具有其他与低压检测模块 看门狗定时器和器件低功耗状态相关的位 本手册的其他章节中将讨论这些位的功能 图 8-1: 复位系统框图 RESET 指令 毛刺滤波器 MCLR 休眠或空闲 WDT 模块 上升检测 POR SYSRST 欠压复位 BOREN BOR 陷阱冲突 非法操作码 未初始化的 W 寄存器 DS70055C_CN 第 8-2 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 寄存器 8-1: RCON: 复位控制寄存器 高字节 : R/W-0 R/W-0 R-0 R/W-0 R/W-0 R/W-1 R/W-0 R/W-1 TRAPR IOPUWR BGST LVDEN LVDL<3:0> bit 15 bit 8 低字节 : R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-1 R/W-1 EXTR SWR SWDTEN WDTO SLEEP IDLE BOR POR bit 7 bit 0 bit 15 TRAPR: 陷阱复位标志位 1 = 发生了陷阱冲突复位 0 = 未发生陷阱冲突复位 bit 14 IOPUWR: 非法操作码或未初始化的 W 寄存器访问复位标志位 1 = 检测到非法操作码 非法地址模式或未初始化的 W 寄存器用作地址指针而导致复位 0 = 非法操作码或未初始化的 W 寄存器复位都没有发生 bit 13 BGST: 带隙稳态位 1 = 带隙已稳定 0 = 带隙不稳定且 LVD 中断应该被禁止 bit 12 LVDEN: 低压检测电源使能位 1 = 使能 LVD, LVD 电路上电 0 = 禁止 LVD, LVD 电路掉电 bit 11-8 LVDL<3:0>: 低压检测限制位有关更详细信息, 请参阅第 9 章 低压检测 (LVD) bit 7 EXTR: 外部复位 (MCLR) 引脚位 1 = 发生主清零 ( 引脚 ) 复位 0 = 未发生主清零 ( 引脚 ) 复位 bit 6 SWR: 软件 RESET ( 指令 ) 标志位 1 = 执行了 RESET 指令 0 = 未执行 RESET 指令 bit 5 SWDTEN:WDT 位的软件使能 / 禁止 1 = WDT 启用 0 = WDT 关闭 8 复位 bit 4 bit 3 bit 2 注 : 如果 FWDTEN 熔丝位为 1 ( 未编程 ), 则 WDT 总是使能, 而不管 SWDTEN 位是否置 1 WDTO: 看门狗定时器超时标志位 1 = WDT 发生超时 0 = WDT 未发生超时 休眠 : 从休眠状态唤醒标志位 1 = 器件处于休眠模式 0 = 器件未处于休眠模式空闲 : 从空闲状态唤醒标志位 1 = 器件处于空闲模式 0 = 器件不处于空闲模式 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-3 页
dspic30f 系列参考手册 寄存器 8-1: RCON: 复位控制寄存器 ( 续 ) bit 1 bit 0 BOR: 欠压复位标志位 1 = 发生欠压复位 注意 BOR 在上电复位后将置 1 0 = 未发生欠压复位 POR: 上电复位标志位 1 = 发生上电延时复位 0 = 未发生上电延时复位 注 : 所有复位状态位都可以用软件置 1 或清零 用软件将这些位中的一位置 1 不会导致器件复位 图注 : R = 可读位 W = 可写位 U = 未用位, 读作 0 -n = 上电复位时的值 1= 置位 0 = 清零 x = 未知 DS70055C_CN 第 8-4 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.2 复位时的时钟源选择 如果使能了时钟切换功能, 器件复位时的系统时钟源选择如表 8-1 所示 如果禁止了时钟切换功能, 则总是根据振荡器配置熔丝位选择系统时钟源 更多详细信息, 请参阅第 7 章 振荡器 表 8-1: 不同复位类型与振荡器选择关系 ( 使能时钟切换功能 ) 复位类型 POR BOR EXTR WDTR SWR 时钟选择的依据振荡器配置熔丝位振荡器配置熔丝位 COSC 控制位 (OSCCON<13:12>) COSC 控制位 (OSCCON<13:12>) COSC 控制位 (OSCCON<13:12>) 8.3 POR: 上电复位 有两个阈值电压与上电复位 (POR) 相关 第一个电压是器件阈值电压 VPOR 器件的阈值电压是器件逻辑电路可正常工作的电压 第二个与 POR 事件相关的电压是 POR 电路阈值电压, 它的标称值为 1.85V 上电事件在检测到 电压上升时会产生内部上电复位脉冲 复位脉冲在 VPOR 上产生 器件供电电压的特性必须符合特定的起始电压和上升速率要求以产生 POR 脉冲 尤其重要的是, 在新的 POR 开始之前, 必须降到 VPOR 以下 如需了解 VPOR 和 上升速率规范的更多信息, 请参阅器件数据手册的 电气规范 一章 POR 脉冲将复位 POR 定时器并将器件置于复位状态 POR 也会选择振荡器配置位指定的器件时钟源 在产生上电复位脉冲之后, POR 电路会产生一段短时间的延时 TPOR, 其标称值为 10 μs, 以确保内部器件偏置电路稳定 此外, 还可使用用户选择的上电延时超时时间 (TPWRT) TPWRT 参数的值基于器件配置位的设置, 它可以为 0 ms ( 无延时 ) 4 ms 16 ms 或 64 ms 器件上电延时的总延时为 TPOR + TPWRT 当这些延时结束后, 将在指令周期时钟的下一个前沿产生 SYSRST 信号, 同时 PC 跳转到复位向量 图 8-2 所示为 SYSRST 信号的时序 当 电压降到阈值电压 (VT) 以下时, 初始化上电复位 当 超过 POR 电路阈值电压的瞬时, 插入一个 POR 延时 最后, 在 SYSRST 信号产生前, 还将发生一段 PWRT 延时时间 (TPWRT) 8 复位 上电事件会置位 POR 和 BOR 状态位 (RCON<1:0>) 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-5 页
dspic30f 系列参考手册 图 8-2: 上升过程中的 POR 模块时序图 POR 电路阈值电压 VPOR 时间 电压为 VPOR 时产生内部上电复位脉冲并开始 POR 延时 TPOR TPOR POR 电路 在电压降为 VPOR 时初始化 POR 电路 SYSRST 时间 TPWRT (0 ms 4 ms 16 ms 或 64 ms) 在上电延时定时器超时后发生系统复位 时间 注 : 当器件退出复位状态 ( 开始正常操作 ) 时, 其工作参数 ( 电压 频率和温度等 ) 都应在相应的工作范围之内, 否则器件将不能正常工作 用户必须确保从第一次上电到 SYSRST 变为无效之间的时间足够长, 以使所有工作参数都符合规范 DS70055C_CN 第 8-6 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.3.1 使用 POR 电路 要利用 POR 电路, 只要直接将 MCLR 引脚连接到 这将消除通常创建上电复位延时所需要的外部 RC 组件 必须有一个 最小上升时间 更详细信息, 请参阅特定器件数据手册的 电气规范 一章 根据不同的应用, 可能需要在 MCLR 引脚和 之间连接一个电阻 此电阻可以用来减弱 MCLR 引脚上来自于供电线路的噪声 当将器件安装到应用电路时, 需要将器件编程电压 VPP 加到 MCLR 引脚, 此时也需要使用该电阻 大多数器件的 VPP 电压都是 13V 图 8-3 所示是用于供电电压上升速率缓慢的一种 POR 电路 如果器件在 处于有效工作范围之前退出复位状态, 才需要使用外部上电复位电路 二极管 D 在 掉电时可以帮助电容快速放电 图 8-3: 外部上电复位电路 ( 用于 上升时间缓慢的情况 ) D R R1 MCLR C dspic30f 注 1: R 的值应该足够低, 这样它两端的压降就不会超出 MCLR 引脚的 VIH 规范 2: 由于静电放电 (Electrostatic Discharge, ESD) 或过电压 (Electrical Overstress, EOS) 而导致 MCLR/VPP 引脚击穿时, R1 将限制任何电流从外部电容 C 流入 MCLR 8 8.3.2 上电延时定时器 (PWRT) 在器件 POR 或 BOR ( 欠压复位 ) 产生 SYSRST 之前, PWRT 提供可选的延时 (TPWRT) PWRT 延时是除 POR 延时 (TPOR) 之外额外提供的延时 PWRT 时间延时标称值可以为 0ms 4 ms 16 ms 或 64 ms ( 参见图 8-2) 可使用 FBORPOR 器件配置寄存器中的 FPWRT<1:0> 配置熔丝位选择 PWRT 延时 更多详细信息, 请参阅第 24 章 器件配置 复位 8.4 外部复位 (EXTR) 8.5 软件复位指令 (SWR) 8.6 看门狗超时复位 (WDTR) 只要 MCLR 引脚拉为低电平, 如果在 MCLR 上的输入脉冲比规定的最小宽度更长 ( 更详细的信息, 请参阅特定器件数据手册的 电器规范 ), 器件都会异步产生 SYSRST 信号 当 MCLR 引脚被释放后, 在下一个指令时钟周期将产生 SYSRST 信号并开始复位向量取指 处理器将保持 EXTR 发生之前已经在使用的时钟源 EXTR 状态位 (RCON<7>) 将被置 1 以表明 MCLR 复位 任何时候只要执行了 RESET 指令, 器件都会产生 SYSRST 信号, 从而将器件置于特殊复位状态 复位状态不会重新初始化时钟 在 RESET 指令之前生效的时钟源仍将继续使用 SYSRST 会在下一个指令周期产生, 并开始复位向量取指 任何时候只要发生看门狗超时, 器件都将异步产生 SYSRST 信号 时钟源仍然保持不变 注意在休眠或空闲模式发生 WDT 超时将唤醒处理器, 但不会复位处理器 如需了解更多信息, 请参阅第 10 章 看门狗定时器和低功耗模式 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-7 页
dspic30f 系列参考手册 8.7 欠压复位 (BOR) BOR ( 欠压复位 ) 模块是基于内部参考电压电路的 BOR 模块的主要用途是在发生欠压条件时产生器件复位 欠压条件通常由 AC 电源上的干扰信号 ( 即由于不良的电源传输线路造成的 AC 周期波形丢失 ) 或接入大负载时过电流造成电压下降产生的 BOR 模块允许选择以下电压跳变点之一 : VBOR = 2.0V VBOR = 2.7V VBOR = 4.2V VBOR = 4.5V 注 : 这里所述的 BOR 电压跳变点都是标称值, 仅供设计参考 BOR 电压限制规范的详细信息, 请参阅特定器件数据手册的 电气规范 一章 在欠压复位时, 器件会根据器件配置位值 (FPR<3:0>, FOS<1:0>) 选择系统时钟源 如果使能了 PWRT 延时, 那么就会在 SYSRST 信号产生之前加上一段 PWRT 延时时间 (TPWRT) 如果选择了晶体振荡器时钟源, 欠压复位将调用振荡器起振定时器 (Oscillator Start-up Timer, OST) 系统时钟将保持到 OST 超时 如果系统时钟源来自 PLL, 则时钟将被保持到 LOCK 位 (OSCCON<5>) 置 1 BOR 状态位 (RCON<1>) 将被置 1 以表明发生了 BOR 使能时,BOR 电路将继续在休眠或空闲模式下工作, 并当 下降到 BOR 阈值电压以下时, 复位器件 有关 BOR 的电气规范, 请参考相应的器件数据手册的 电气规范 一章 图 8-4 所示为典型的欠压情况 如图, 每当 电压上升到高于 VBOR 跳变点时, 将开始 PWRT 延时 ( 如果被使能 ) 图 8-4: 欠压状态 SYSRST TPWRT VBOR SYSRST TPWRT VBOR 在 PWRT 超时之前下降 SYSRST TPWRT VBOR DS70055C_CN 第 8-8 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.7.1 BOR 配置 8.7.2 BOR 工作时的电流消耗 8.7.3 非法操作码复位 8.7.4 未初始化的 W 寄存器复位 BOR 模块通过器件配置熔丝位被使能 / 禁止 默认情况下 BOR 模块使能, 可以将 BOREN 器件配置熔丝位编程为 0(FBORPOR<7>) 来禁止该模块 ( 降低功耗 ) BOREN 配置熔丝位在 FBORPOR 器件配置寄存器中 使用 BORV<1:0> 配置熔丝位 (FBOR<5:4>) 选择 BOR 电压跳变点 (VBOR) 更多详细信息, 请参阅第 24 章 器件配置 BOR 电路依赖于内部参考电压电路, 该参考电路和其他外设器件 ( 如低压检测模块 ) 共享 只要使能其中一个与它相关的外设, 内部参考电压就会被激活 由于这个原因,BOR 被禁止时, 用户也许观察不到预期的电流消耗变化 如果器件试图执行从程序存储器中取出非法操作码值, 将会产生器件复位 非法操作码复位功能可以阻止器件执行用于存储常数的程序存储器部分 要利用非法操作码复位, 只能使用每个程序存储器部分的低 16 位存储数据值 高 8 位应该被编程为非法操作码值 0x3F 如果非法操作码值导致器件复位产生, IOPUWR 状态位 (RCON<14>) 被置 1 8.7.5 陷阱冲突复位 所有复位中都将清零 W 寄存器阵列 ( 除 W15 之外 ), 并在写入前将 W 寄存器视为未被初始化 试图将未初始化的寄存器用作地址指针会使器件复位 此外, IOPUWR 状态位 (RCON<14>) 会被置 1 8 只要同时有多个硬陷阱中断源待处理, 就会产生器件复位 TRAPR 状态位 (RCON<15>) 会被置 1 更多有关陷阱冲突复位的信息, 请参阅第 6 章 复位中断 复位 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-9 页
dspic30f 系列参考手册 8.8 使用 RCON 状态位 用户可以在任何器件复位后读取 RCON 寄存器, 确定复位的原因 注 : 表 8-2 提供了复位标志位操作的汇总 表 8-2: RCON 寄存器中的状态位应该在被读取后清零, 这样器件下一次复位后的 RCON 值才有意义 复位标志位的操作 标志位 置位原因 : 清零原因 : TRAPR (RCON<15>) 陷阱冲突事件 POR IOPWR (RCON<14>) 非法操作码或访问未初始化的 W 寄存器 POR EXTR (RCON<7>) MCLR 复位 POR SWR (RCON<6>) RESET 指令 POR WDTO (RCON<4>) WDT 超时 PWRSAV 指令, POR SLEEP (RCON<3>) PWRSAV #SLEEP 指令 POR IDLE (RCON<2>) PWRSAV #IDLE 指令 POR BOR (RCON<1>) POR, BOR POR (RCON<0>) POR 注 : 所有复位标志位由用户软件置位或清零 DS70055C_CN 第 8-10 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.9 器件复位时间 表 8-3 总结了各种器件复位的复位时间 注意在 POR 延时和 PWRT 延时结束后会产生系统复位信号 SYSRST 器件实际开始执行代码的时间还取决于系统振荡器延时, 它包括振荡器起振定时器 (OST) 的延时和 PLL 锁定时间 OST 和 PLL 锁定时间与相应的 SYSRST 延时同时发生 FSCM 延时决定在 SYSRST 信号发出后 FSCM 开始监视系统时钟源的时间 表 8-3: 各种器件复位的复位延时 复位类型时钟源 SYSRST 延时 系统时钟延时 FSCM 延时 注 POR EC EXTRC TPOR+ TPWRT - - 1, 2 FRC LPRC EC + PLL TPOR + TPWRT TLOCK TFSCM 1, 2, 4, 5 XT HS XTL TPOR + TPWRT TOST TFSCM 1, 2, 3, 5 LP XT + PLL TPOR + TPWRT TOST + TLOCK TFSCM 1, 2, 3, 4, 5 BOR EC EXTRC TPWRT - - 2 FRC LPRC EC + PLL TPWRT TLOCK TFSCM 1, 2, 4, 5 XT HS XTL TPWRT TOST TFSCM 1, 2, 3, 5 TFSCMLP XT + PLL TPWRT TOST + TLOCK TFSCM 1, 2, 3, 4, 5 8 MCLR 任何时钟 - - - WDT 任何时钟 - - - 软件 任何时钟 - - - 非法操作码 任何时钟 - - - 未初始化的 W 任何时钟 - - - 寄存器 陷阱冲突 任何时钟 - - - 注 1:TPOR = 上电复位延时 ( 标称值为 10 μs) 复位 2:TPWRT = 由 FPWRT<1:0> 配置位决定的其他上电延时 此延时标称值为 0ms 4ms 16 ms 或 64 ms 3:TOST = 振荡器起振定时器延时 在将振荡器时钟输出给系统前, 10 位计数器会先计数 1024 个振荡周期 4:TLOCK = PLL 锁定时间 ( 标称值为 20 μs) 5:TFSCM = 故障保护时钟监视器延时 ( 标称值为 100 μs) 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-11 页
dspic30f 系列参考手册 8.9.1 POR 和长振荡器起振时间 振荡器起振电路及其相关延时定时器与上电时发生的器件复位延时没有关系 某些晶振电路 ( 尤其是低频晶振 ) 的起振时间会相对较长 因此, 在 SYSRST 信号产生后, 可能会发生以下一种或多种情况 振荡电路未起振 振荡器起振定时器尚未超时 ( 如果使用了晶体振荡器 ) PLL 未用锁定 ( 如果使用了 PLL) 在有效时钟源输出供系统使用前, 器件不会开始执行代码 因此, 如果必须确定复位延时, 必须考虑到振荡器和 PLL 启振延时 8.9.2 故障保护时钟监视器 (FSCM) 和器件复位 如果使能了 FSCM, 它将在 SYSRST 产生时开始监视系统时钟源 如果此时没有可用的有效时钟源, 器件将自动切换到 FRC 振荡器, 并且用户可以在陷阱服务程序中切换到所需的晶体振荡器 8.9.2.1 晶振和 PLL 时钟源的 FSCM 延时 当系统时钟源由晶体振荡器和 / 或 PLL 提供时, 在 POR 和 PWRT 延时后会自动插入一小段延时 (TFSCM) 在此延时结束前,FSCM 不会开始监视系统时钟源 FSCM 延时标称值为 100 μs, 为振荡器和 / 或 PLL 稳定下来提供了额外的时间 在多数情况下, 当禁止了 PWRT 时, FSCM 延时会在器件复位时防止振荡器故障陷阱 DS70055C_CN 第 8-12 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.10 器件起振时间曲线 图 8-5 到图 8-8 所示为几种工作情况下与器件复位有关的延时的图形化时间曲线 图 8-5 所示为使用了晶体振荡器和 PLL 作为系统时钟并且禁止 PWRT 时的延时曲线 在 VPOR 阈值电压处产生内部上电复位脉冲 内部上电复位脉冲后会产生一小段 POR 延时 ( 在器件开始工作前总是会插入 POR 延时 ) 如果使能了 FSCM, 则它在 FSCM 延时结束后开始监视系统时钟的活动 如图 8-5 所示, 振荡器和 PLL 延时在故障保护时钟监视器 (FSCM) 使能前结束 但是, 这些延时也有可能直到 FSCM 使能前还未结束 在这种情况下,FSCM 会检测时钟故障并产生一个时钟故障陷阱 如果 FSCM 延时提供的时间不足以让振荡器和 PLL 稳定下来, 可以使能 PWRT, 以便在器件开始工作和 FSCM 开始监视系统时钟前提供更长的延时 图 8-5: 器件复位延时 ( 使用晶振和 PLL 时钟源, 禁止 PWRT) POR 电路阈值电压 内部上电复位脉冲 POR 产生系统复位 SYSRST TPOR 8 振荡器 TOST TLOCK 振荡器产生系统时钟, 器件开始工作 复位 OSC 延时 系统 OSC TFSCM 使能了 FSCM FSCM 注 1: 所示延时未按比例绘制 2: 如果使能了 FSCM, 它会在 TPOR 和 TFSCM 结束后监视系统时钟 3: 在禁止了 PLL 时不会插入 TLOCK 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-13 页
dspic30f 系列参考手册 图 8-6 与图 8-5 显示的复位时间线相似, 不同之处在于图 8-6 中使能了 PWRT, 以便在 SYSRST 产生之前延长延时 如果使能了 FSCM, 它会在 TFSCM 结束后开始监视系统时钟 注意, 在多数情况下, 在 TFSCM 的基础上增加额外的 PWRT 延时将提供充足的时间使系统时钟源稳定下来 图 8-6: 器件复位延时 ( 使用晶振和 PLL 时钟源, 使能 PWRT) POR 电路阈值电压 POR 内部上电复位脉冲 器件开始工作 SYSRST TPOR TPWRT OSC 延时 TOST TLOCK 振荡器产生系统时钟 FSCM TFSCM TFSCM 比 TPWRT 短 注 1: 所示延时未按比例绘制 2: 如果使能了 FSCM, 它会在 TPOR TPWRT 和 TFSCM 三个延时时间都结束后监视系统时钟 3: 当 PLL 禁用时, 不会插入 TLOCK DS70055C_CN 第 8-14 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 图 8-7 所示的复位时间曲线是使用 EC 和 PLL 时钟源作为系统时钟并使能了 PWRT 时的示例 此例与图 8-6 中所示的时间曲线类似, 不同之处为未发生振荡器起振定时器延时 TOST 图 8-7: 器件复位延时 ( 使用 EC 和 PLL 时钟, 使能 PWRT) POR 电路阈值电压 POR 内部上电复位脉冲 器件开始工作 SYSRST TPOR TPWRT OSC 延时 TLOCK 振荡器产生系统时钟 FSCM TFSCM TFSCM 比 TPWRT 短 8 注 1: 所示延时未按比例绘制 2: 如果使能了 FSCM, 它会在 TPOR TPWRT 和 TFSCM 延时时间都结束后监视系统时钟 3: 当禁用 PLL 时, 不会插入 TLOCK 复位 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-15 页
dspic30f 系列参考手册 图 8-8 所示的复位时间线是在选择了不带 PLL 的 EC 或 RC 系统时钟源并禁止 PWRT 时的示例 注意此配置提供的复位延时最少 POR 延时是系统开始工作前惟一的延时 即使使能了 FSCM, 也不会发生 FSCM 延时, 因为系统时钟源不是晶体振荡器或 PLL 产生的 图 8-8: 器件复位延时 ( 使用 EC 或 RC 时钟, 禁止 PWRT) POR 电路阈值电压 内部上电复位脉冲 POR TPOR 产生系统复位 SYSRST 振荡器产生系统时钟 OSC 延时 FSCM 注 1: 所示延时未按比例绘制 2: 如果使能了 FSCM, 它会在 TPOR 结束时开始监视系统时钟 8.11 特殊功能寄存器复位状态 多数与 dspic30f CPU 和外设有关的特殊功能寄存器 (SFR) 会在器件复位时复位为某个特定值 SFR 是按其外设或 CPU 功能分组的, 其复位值在本手册的各相应部分说明 除了两个寄存器外, 所有其他 SFR 的复位值都不受复位类型的影响 复位控制寄存器 RCON 的复位值取决于器件复位的类型 振荡器控制寄存器 OSCCON 的复位值取决于复位类型和在 FOSC 器件配置寄存器中的振荡器配置位的编程值 ( 参见表 8-1) DS70055C_CN 第 8-16 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.12 设计技巧 问 1: 如何使用 RCON 寄存器? 答 : 复位后的初始化代码应该检查 RCON 并确定复位源 在某些应用中, 可利用此信息采取适当措施纠正造成复位的错误 在读取了 RCON 寄存器中的所有状态位后, 应将其清零, 这样才能确保 RCON 值在器件下一次复位后能提供有意义的结果 问 2: 在使用电池供电的应用中应如何使用 BOR? 答 :BOR 功能不是为检测低电池电压而设计的, 在使用电池供电的系统中应禁用此功能 ( 以节省电流消耗 ) 可以使用低压检测外设来检测电池何时没电 问 3: BOR 模块不具备我的应用所需的可编程跳变点 我应如何解决此问题? 答 : 在某些应用中, 器件即使有可编程 BOR 跳变点电平也可能不处于该应用所需的电平 图 8-9 所示为一个使用 MCP100 系统监视的外部欠压保护电路 图 8-9: 使用 MCP100 的外部欠压保护电路 MCP100 VSS RST MCLR dspic30f 8 问 4: 我使用一个 16 位地址初始化了一个 W 寄存器, 但当我尝试将该寄存器作为地址使用时, 器件会复位 答 : 因为所有的数据地址都是 16 位值, 如果 W 寄存器是用于存放字的, 未初始化的 W 寄存器逻辑电路仅能识别出已经正确初始化了的寄存器 试图将两个字节移入某个 W 寄存器时, 即使这两个字节是先后移入的也不能完成, 如果该 W 寄存器在操作中作为地址指针使用, 就会导致器件复位 复位 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-17 页
dspic30f 系列参考手册 8.13 相关应用笔记 本节列出了与手册的本章内容相关的应用笔记 这些应用笔记可能并不是专门为 dspic30f 产品系列编写的, 但是概念是相关的, 通过适当修改即可使用, 但在使用中可能会受到一定限制 当前与复位模式相关的应用笔记有 : 标题 Power-up Trouble Shooting Power-up Considerations 应用笔记编号 AN607 AN522 注 : 如需获取更多 dspic30f 系列器件的应用笔记和代码示例, 请访问 Microchip 网站 (www.microchip.com) DS70055C_CN 第 8-18 页 2005 Microchip Technology Inc.
第 8 章复位 8.14 版本历史 版本 A 这是本文档的初始发行版 版本 B 本章未包含任何技术内容或编辑排版上的修订, 然而我们谨更新此节以反映本手册已更新到版本 B 版本 C 本章未包含任何技术内容上的修订, 然而我们谨更新此节以反映本手册已更新到版本 C 8 复位 2005 Microchip Technology Inc. DS70055C_CN 第 8-19 页
dspic30f 系列参考手册 注 : DS70055C_CN 第 8-20 页 2005 Microchip Technology Inc.