Section 5. Flash Programming

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第 5 章闪存编程目录本章包括下列主题 : 5.1 简介...5-2 5.2 表指令操作... 5-2 5.3 控制寄存器... 5-5 5.4 运行时自编程 (RTSP)... 5-8 5.

1 第 5 章闪存编程目录本章包括下列主题 : 5.1 简介表指令操作控制寄存器运行时自编程 (RTSP) 寄存器映射相关应用笔记版本历史闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-1 页

2 dspic33e/pic24e 系列参考手册注 : 本系列参考手册章节旨在用作对器件数据手册的补充根据不同的器件型号, 本手册章节可能并不适用于所有 dspic33e/pic24e 器件请参见当前器件数据手册中闪存程序存储器章节开头部分的注, 以检查本文档是否支持您所使用的器件器件数据手册和系列参考手册章节可从 Microchip 网站下载 5.1 简介本章介绍闪存程序存储器的编程技术 dspic33e/pic24e 系列器件包含用于执行用户代码的内部可编程闪存程序存储器可使用两种方法对该存储器进行编程 : 运行时自编程 (Run-Time Self-Programming, RTSP) 在线串行编程 (In-Circuit Serial Programming, ICSP ) 本章将介绍 RTSP 编程, 这是由用户软件执行的 ICSP 是通过使用器件的串行数据连接执行的, 编程比 RTSP 快得多 dspic33e/pic24e 闪存编程规范 (DS70619A_CN) 中定义了 ICSP 协议, 该文档可从 Microchip 网站下载 5.2 表指令操作表指令提供了一种在 dspic33e/pic24e 器件的闪存程序存储空间和数据存储空间之间传送数据的方法本节提供了闪存程序存储器编程期间使用的表指令的汇总有 4 条基本的表指令 : TBLRDL: 表读低位字 TBLRDH: 表读高位字 TBLWTL: 表写低位字 TBLWTH: 表写高位字 TBLRDL 指令用于读取程序存储空间的 bit <15:0> TBLWTL 指令用于写入闪存程序存储空间的 bit <15:0> TBLRDL 和 TBLWTL 能以字模式或字节模式访问闪存程序存储器 TBLRDH 和 TBLWTH 指令用于读或写程序存储空间的 bit <23:16> TBLRDH 和 TBLWTH 同样能以字或字节模式访问闪存程序存储器由于闪存程序存储器只有 24 位宽, 因此 TBLRDH 和 TBLWTH 指令能寻址闪存程序存储器中并不存在的最高字节该字节被称为虚拟字节对虚拟字节的任何读操作将返回 0x00 对虚拟字节进行写操作则不起作用 24 位闪存程序存储器可被视为并排放置的两个 16 位空间, 每个空间都有相同的地址范围因此, TBLRDL 和 TBLWTL 指令可访问低程序存储空间 (PM<15:0>) TBLRDH 和 TBLWTH 指令可访问高程序存储空间 (PM<31:16>) 对 PM<31:24> 的任何读或写操作将访问虚拟 ( 未实现 ) 字节当在字节模式下使用任何表指令时, 表地址的最低有效位 (Least Significant bit, LSb) 将被用作字节选择位 LSb 决定将访问高或低程序存储空间的哪个字节图 5-1 显示了如何使用表指令寻址闪存程序存储器 24 位程序存储器地址由 TBLPAG 寄存器的 bit <7:0> 和表指令指定的 W 寄存器中的有效地址 (Effective Address, EA) 组成图 5-1 给出了 24 位程序计数器 (Program Counter,PC) 以供参考 EA 的高 23 位用于选择闪存程序存储单元 DS70609C_CN 第 5-2 页 2011 Microchip Technology Inc.

3 第 5 章闪存编程对于字节模式的表指令, W 寄存器 EA 的 LSb 用于选择 16 位闪存程序储存字中要寻址的字节 1 选择 bit <15:8>, 0 选择 bit <7:0> W 寄存器 EA 的 LSb 在字模式下的表指令中会被忽略除了指定闪存程序存储器地址外, 表指令还指定作为要写入闪存程序存储器的数据来源或从闪存程序存储器读取数据的目标的 W 寄存器 ( 或指向存储单元的 W 寄存器指针 ) 对于字节模式下的表写操作, 源工作寄存器的 bit <15:8> 会被忽略图 5-1: 表指令的寻址 24 位使用程序计数器 0 程序计数器 1 工作寄存器 EA 使用表指令 1/0 TBLPAG 寄存器 8 位 16 位用户 / 配置空间选择 24 位 EA 字节选择使用表读指令表读需要两个步骤 : 1. 使用 TBLPAG 寄存器和一个 W 寄存器建立地址指针 2. 读取地址单元的闪存程序存储器内容字模式读取例 5-1 中所示代码显示了如何在字模式下使用表指令读取闪存程序存储器的一个字例 5-1: 字模式读取 ; Set up the address pointer to program space MOV #tblpage(prog_addr),w0 ; get table page value MOV W0,TBLPAG ; load TBLPAG register MOV #tbloffset(prog_addr),w0 ; load address LS word ; Read the program memory location TBLRDH [W0],W3 ; Read high byte to W3 TBLRDL [W0],W4 ; Read low word to W4 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-3 页

4 dspic33e/pic24e 系列参考手册字节模式读取在例 5-2 所示代码中, 读低字节时的后递增操作符会导致工作寄存器中的地址递增 1 这会将 EA<0> 设置为 1, 以访问第三条写指令中的中间字节最后的后递增操作将 W0 设置回一个偶数地址, 指向下一个闪存程序存储单元例 5-2: 字节模式读取 ; Set up the address pointer to program space MOV #tblpage(prog_addr),w0 ; get table page value MOV W0,TBLPAG ; load TBLPAG register MOV #tbloffset(prog_addr),w0 ; load address LS word ; Read the program memory location TBLRDH.B [W0],W3 ; Read high byte to W3 TBLRDL.B [W0++],W4 ; Read low byte to W4 TBLRDL.B [W0++],W5 ; Read middle byte to W 表写保持锁存器表写指令不会直接写入非易失性程序存储器, 而会装入用来存储写入数据的保持锁存器 NVM 地址寄存器中必须装入锁存数据需要写入的页地址当所有保持锁存器都被装入后, 通过执行一个特殊的指令序列即可启动实际的存储器编程操作 dspic33e/pic24e 闪存程序存储器被分段为页 (1024 个指令字 ) 和行 (128 个指令字 ) dspic33e/pic24e 系列器件支持 128 个保持寄存器以一次对存储器的一行进行编程存储器逻辑会根据 NVM 地址寄存器的地址值, 自动判断装入哪组写锁存器更多信息, 请参见具体器件的数据手册 DS70609C_CN 第 5-4 页 2011 Microchip Technology Inc.

5 第 5 章闪存编程 5.3 控制寄存器有几个特殊功能寄存器 (Special Function Register, SFR) 用于设定闪存程序存储器的擦除和写操作, 它们是 :NVMCON NVMKEY 以及 NVM 地址寄存器 NVMADR 和 NVMADRU NVMCON 寄存器 NVMCON 寄存器是闪存和编程 / 擦除操作的主控制寄存器该寄存器选择将执行擦除还是编程操作, 并能启动编程或擦除周期寄存器 5-1 所示为 NVMCON 寄存器 NVMCON 的低字节用于配置将执行的 NVM 操作的类型 NVMKEY 寄存器 NVMKEY 寄存器 ( 见寄存器 5-4) 是一个只写寄存器, 用于防止闪存的误写 / 误擦除操作要启动编程或擦除序列, 必须考虑以下步骤 : 1. 将 0x55 写入 NVMKEY 2. 将 0xAA 写入 NVMKEY 3. 执行两条 NOP 指令在此序列后, 允许在一个指令周期中写入 NVMCON 寄存器在多数情况下, 用户应用程序需要将 WR 位 (NVMCOM<15>) 置 1, 以启动编程或擦除周期在解锁序列期间应禁止中断例 5-3 显示了解锁序列是如何执行的例 5-3: NVMKEY 解锁序列 ; PUSH SR ; Disable interrupts, if enabled MOV #0x00E0,W0 IOR SR MOV #0x55,W0 MOV W0, NVMKEY MOV #0xAA,W0 MOV W0, NVMKEY ; NOP not required BSET NVMCON,#15 ; Start the program/erase cycle NOP NOP POP SR ; Re-enable interrupts 更多编程示例, 请参见第页闪存编程操作 NVM 地址寄存器当两个 NVM 地址寄存器 NVMADRU 和 NVMADR 连接在一起时, 它们将构成要进行编程操作的选定行或字的 24 位 EA NVMADRU 寄存器用于保存 EA 的高 8 位, 而 NVMADR 寄存器用于保存 EA 的低 16 位 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-5 页

6 dspic33e/pic24e 系列参考手册寄存器 5-1: NVMCON: 闪存控制寄存器 R/SO-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 U-0 U-0 U-0 U-0 WR (1) WREN (1) WRERR (1) NVMSIDL (2) bit 15 bit 8 U-0 U-0 U-0 U-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 R/W-0 NVMOP<3:0> (3,5) bit 7 bit 0 图注 : SO = 只可置 1 位 R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位, 读为 0 -n = POR 时的值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知 bit 15 WR: 写控制位 (1) 1 = 启动闪存程序存储器的编程或擦除操作操作是自定时的, 一旦操作完成, 该位即由硬件清零 0 = 编程或擦除操作完成, 并处于停止状态 bit 14 WREN: 写使能位 (1) 1 = 使能闪存程序存储器的编程 / 擦除操作 0 = 禁止闪存程序存储器的编程 / 擦除操作 bit 13 WRERR: 写序列错误标志位 (1) 1 = 试图执行不合法的编程或擦除序列, 或者发生终止 ( 试图将 WR 位置 1 时自动置 1 该位 ) 0 = 编程或擦除操作正常完成 bit 12 NVMSIDL: 空闲模式停止位 (2) 1 = 当器件进入空闲模式时, 主闪存和附属闪存停止工作 0 = 当器件进入空闲模式时, 主闪存和附属闪存继续工作 bit 11-4 未实现 : 读为 0 bit 3-0 (1,3,5) NVMOP<3:0>:NVM 操作选择位 1111 = 保留 1110 = 保留 1101 = 批量擦除主闪存程序存储器 1100 = 保留 (4) (4) 1011 = 保留 1010 = 批量擦除附属闪存程序存储器 0011 = 存储器页擦除操作 0010 = 存储器行编程操作 (6) 0001 = 存储器字编程操作 0000 = 编程单个配置寄存器字节注 1: 这些位只能在 POR 时复位 2: 退出空闲模式时, 在闪存程序存储器开始工作之前会存在一个上电延时 (TNPD) 更多信息, 请参见具体器件的数据手册 3: NVMOP<3:0> 的所有其他组合均未实现 4: 除 IVT 外, 整个段都会被擦除 5: 在任意 NVM 操作正在进行时, 执行 PWRSAV 指令会被忽略 6: 字编程 RTSP 操作会导致对两个相邻的字 ( 偶编号 / 奇编号指令对 ) 进行再编程 DS70609C_CN 第 5-6 页 2011 Microchip Technology Inc.

7 第 5 章闪存编程寄存器 5-2: NVMADRU: 非易失性存储器最高字节地址寄存器 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 bit 15 bit 8 R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x NVMADRU<7:0> bit 7 bit 0 图注 : R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位, 读为 0 -n = POR 时的值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知 bit 15-8 未实现 : 读为 0 bit 7-0 NVMADRU<7:0>: 非易失性存储器最高字节写地址位选择闪存程序存储器中要进行编程或擦除的地址的最高 8 位用户应用程序可以读写该寄存器寄存器 5-3: NVMADR: 非易失性存储器地址寄存器 R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x NVMADR<15:8> bit 15 bit 8 R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x R/W-x NVMADR<7:0> bit 7 bit 0 图注 : R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位, 读为 0 -n = POR 时的值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知 bit 15-0 NVMADR<15:0>: 非易失性存储器写地址位选择闪存程序存储器中要进行编程或擦除的地址的低 16 位用户应用程序可以读写该寄存器寄存器 5-4: NVMKEY: 非易失性存储器密钥寄存器 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 U-0 bit 15 bit 8 W-0 W-0 W-0 W-0 W-0 W-0 W-0 W-0 NVMKEY<7:0> bit 7 bit 0 图注 : SO = 只可置 1 位 R = 可读位 W = 可写位 U = 未实现位, 读为 0 -n = POR 时的值 1 = 置 1 0 = 清零 x = 未知 5 bit 15-8 未实现 : 读为 0 bit 7-0 NVMKEY<7:0>: 密钥寄存器 ( 只写 ) 位闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-7 页

8 dspic33e/pic24e 系列参考手册 5.4 运行时自编程 (RTSP) RTSP 允许用户应用程序修改闪存程序存储器的内容 RTSP 是通过使用 TBLRD( 表读 ) TBLWT ( 表写 ) 指令和 NVM 控制寄存器实现的通过 RTSP, 用户应用程序能一次擦除闪存程序存储器的 8 行 (128 * 8 = 1024 条指令 ), 也能一次写入闪存程序存储器的 1 行 (128 条指令 ) RTSP 工作原理 dspic33e/pic24e 闪存程序存储器阵列是由 128 条指令或 384 字节的行组成的 RTSP 允许用户应用程序一次擦除 8 行 (1024 条指令 ) 的块, 一次编程 128 条指令 8 行擦除块和单行写入块都是边沿对齐的, 从闪存程序存储器起始地址开始, 分别以 3072 字节和 384 字节为边界闪存程序存储器实现了保持缓冲区, 它能缓冲 128 条指令的编程数据在实际编程操作前, 必须将待写数据按顺序装入缓冲区要装入的指令字必须始终来自一组 128 个指令字的边界 RTSP 编程的基本步骤是先建立一个表指针, 然后执行一系列 TBLWT 指令来装载缓冲区通过设置 NVMCON 寄存器中的控制位来执行编程指令的装入总共需要 128 条 TBLWTL 和 TBLWTH 指令由于只写缓冲区, 所以所有的表写操作都是单字写操作 (2 个指令周期 ) 编程每一行需要一个编程周期在为 dspic33e/pic24e 器件创建应用程序时, 用户应总是在代码中为配置数据特别分配闪存配置字地址, 这可以确保当编译代码时程序代码不会存储到该地址程序存储器中的所有闪存配置字的最高字节应该总为 , 这使得当在极少情况下意外执行这些存储单元时将其作为 NOP 指令来执行由于没有在相应的存储单元中实现这些配置位, 因此向这些存储单元写入 1 不会影响器件工作注 : 在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作会清零闪存配置字, 从而使能代码保护因此, 用户应避免在程序存储器的最后一页上执行页擦除操作闪存编程操作编程或擦除操作对于在 RTSP 模式下编程或擦除内部闪存程序存储器是必需的编程或擦除操作由器件自动确定时序 ( 请参见具体器件的数据手册了解时序信息 ) 将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 会启动操作当操作完成时 WR 位会自动清零此外, dspic33e/pic24e 器件还提供了一个 NVM 中断, 该中断用于指示编程操作已完成 CPU 暂停直到编程操作完成这段时间内, CPU 不会执行任何指令, 也不会响应任何中断如果编程周期内发生了任何中断, 中断将保持在等待处理状态, 直到编程周期完成 DS70609C_CN 第 5-8 页 2011 Microchip Technology Inc.

9 第 5 章闪存编程一些 dspic33e/pic24e 器件可能提供附属闪存程序存储器 ( 详情请参见具体器件的数据手册 ), 在对用户闪存程序存储器进行擦除和 / 或编程时, 可以执行其中的指令, 无需产生 CPU 停顿反之, 只要是在用户闪存程序存储器中执行代码, 就可以对附属闪存程序存储器进行编程, 无需产生 CPU 停顿注 1: 如果在 RTSP 擦除或编程操作正在进行过程中发生 POR 或 BOR 事件,RTSP 操作会被立即中止用户应在器件退出复位状态之后再次执行 RTSP 操作 2: 如果在 RTSP 擦除或编程操作正在进行过程中发生 EXTR SWR WDTO TRAPR CM 或 IOPUWR 复位事件, 则只有在 RTSP 操作完成之后器件才会发生复位 3: 如果对闪存配置字进行再编程, 则只有在执行复位序列之后, 新值才会生效闪存的行编程算法用户应用程序可以对闪存程序存储器的一行 (128 个指令字 ) 进行编程要执行该操作, 必须擦除包含该行在内的页 (1024 个指令字 ) 一般过程如下 : 1. 读取闪存程序存储器的一页 (1024 个指令字 ), 并将其作为数据镜像存储到数据 RAM 中 RAM 镜像必须从 1024 字程序存储器的偶地址边界读取 2. 用新的闪存程序存储器数据更新 RAM 中的数据镜像 3. 擦除闪存程序存储器页 a) 设置 NVMCON 寄存器以擦除闪存程序存储器的一页 b) 禁止中断 c) 将要擦除行的地址写入 NVMADRU 和 NVMADR 寄存器 ( 可以是该行中的任意地址 ) d) 将密钥序列写入 NVMKEY 寄存器, 以使能擦除 e) 将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 这将启动擦除周期 f) 当擦除周期结束时 WR 位会被清零 g) 重新允许中断 4. 用表写操作将指令字行 (128 个指令字 ) 从 RAM 装入写锁存器 5. 对闪存程序存储器中的行 (128 个指令字 ) 进行编程 a) 设置 NVMCON 寄存器以编程闪存程序存储器的一行 b) 禁止中断 c) 将要编程行的地址写入 NVMADRU 和 NVMADR 寄存器 ( 可以是该行中的任意地址 ) d) 将密钥序列写入 NVMKEY 寄存器, 以使能编程周期 e) 将 WR 位置 1 这将启动编程周期 f) 当编程周期结束时 WR 位会由硬件清零 g) 重新允许中断 6. 重复步骤 4-6, 对程序存储器页中所有 8 行进行编程 7. 根据需要, 重复步骤 1-7, 对所需大小的闪存程序存储器进行编程注 1: 用户应谨记, 可以用 RTSP 擦除的最小闪存程序存储器大小为 1024 个指令字单元因此, 很重要的一步是在开始擦除周期前, 在通用 RAM 中存储这些单元的镜像 2: 闪存程序存储器中的一行或一个字不应在擦除前被编程超过 2 次 3: 在一些器件中, 配置寄存器是闪存程序存储器中的用户空间的一部分因此, 用户需负责对最后一页进行擦除和行编程的操作 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-9 页

10 dspic33e/pic24e 系列参考手册擦除闪存的一页例 5-4 中所示代码序列可用于擦除闪存程序存储器的一页 (1024 条指令 ) NVMCON 寄存器配置为擦除程序存储器的一页 NVMADR 和 NVMADRU 寄存器中装入要擦除页的地址程序存储器必须在 1024 个指令字的偶地址边界处擦除因此, 擦除页时, 表写程序存储器地址的低 11 位无效擦除操作通过以下操作启动 : 在将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 前, 将特殊的解锁或密钥序列写入 NVMKEY 寄存器解锁序列需要严格按例 5-4 中所示顺序执行, 不能有中断因此, 在写序列之前, 应先禁止中断应在代码中擦除周期之后插入两条 NOP 指令最后就可以允许中断了 ( 如果需要 ) 例 5-4: 擦除闪存程序存储器的一页 ; Define the start address from where the erase has to start.equ PROG_ADDR, 0x ; Perform dummy table write to the Page to be erased. MOV #tblpage(prog_addr),w0 MOV W0,NVMADRU MOV #tbloffset(prog_addr),w0 MOV W0,NVMADR TBLWTL w0,[w0] ; Setup NVMCON to erase one row of Program Memory MOV #0x4003,W0 MOV W0,NVMCON ; Disable interrupts while the KEY sequence is written PUSH SR MOV #0x00E0,W0 IOR SR ; Write the KEY Sequence MOV #0x55,W0 MOV W0,NVMKEY MOV #0xAA,W0 MOV W0,NVMKEY ; Start the erase operation BSET NVMCON,#15 ; Insert two NOPs after the erase cycle (required) NOP NOP ;Re-enable interrupts, if needed POP SR 注 : 一些器件系列每页具有 512 条指令要确认闪存页大小, 请参见具体器件的数据手册 DS70609C_CN 第 5-10 页 2011 Microchip Technology Inc.

11 第 5 章闪存编程装载写锁存器写锁存器用作用户应用程序表写与实际行编程序列之间的储存机制例 5-5 给出了可用于装载 128 个写锁存器 (128 个指令字 ) 的指令序列要对闪存程序存储器的一行进行编程, 需要 128 条 TBLWTL 和 128 条 TBLWTH 指令来装载写锁存器 128 个指令字的行不一定要按顺序写入表写地址的低 8 位决定将写入哪些锁存器但是, 对于每个编程周期都要写入所有 128 个指令字, 以覆盖旧数据闪存程序存储器必须在 128 个指令字的偶地址边界处编程事实上, 表写操作的低 8 位选择对行内指令字编程所用的写锁存器编程程序存储器的一行时, 这低 8 位不起作用注 1: Load_Write_Latch_Row 的代码如例 5-5 所示, Load_Write_Latch_Word 的代码如例 5-6 所示这两个示例中的代码会在后续示例中被引用 2: 关于锁存器数量, 请参见具体器件的数据手册例 5-5: 为行编程装载写锁存器 Load_Write_Latch_Row: ; Set up a pointer to the first latch location to be written. MOV #0xFA,W0 MOV W0,TBLPAG MOV #0,W1 ; Perform the TBLWT instructions to write the latches ; W2 is incremented in the TBLWTH instruction to point to the ; next instruction location. MOV #128,W3 loop: TBLWTL.b TBLWTL.b TBLWTH.b INC2 DEC BRA [W2++], [W1++] [W2++], [W1--] [W2++], [W1] W1, W1 W3, W3 NZ, loop 例 5-6: 为字编程装载写锁存器 Load_Write_Latch_Word: ; Define the start address from where the programming has to start.equ PROG_ADDR, 0x ; Set up a pointer to the first latch location to be written. MOV #0xFA,W0 MOV W0,TBLPAG MOV #0,W1 ; Perform the TBLWT instructions to write the latches TBLWTL [W2++],[W1] TBLWTH [W2++],[W1++] TBLWTL [W2++],[W1] TBLWTH [W2++],[W1++] 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-11 页

12 dspic33e/pic24e 系列参考手册单行编程示例 NVMCON 寄存器配置为编程闪存程序存储器的一行编程操作通过以下操作启动 : 在将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 前, 将特殊的解锁或密钥序列写入 NVMKEY 寄存器解锁序列需要严格按例 5-7 中所示顺序执行, 不能有中断因此, 在写序列之前, 应先禁止中断应在代码中编程周期之后插入两条 NOP 指令最后就可以允许中断了 ( 如果需要 ) 例 5-7: 单行编程 ; Define the start address from where the programming has to start.equ PROG_ADDR, 0x ; Load the destination address to be written MOV #tblpage(prog_addr),w9 MOV #tbloffset(prog_addr),w8 MOV W9,NVMADRU MOV W8,NVMADR ; Setup NVMCON to write 1 row of program memory MOV #0x4002,W0 MOV W0,NVMCON ; Load the 64 program memory write latches CALL Load_Write_Latch_Row ; Disable interrupts, if enabled PUSH SR MOV #0x00E0,W0 IOR SR ; Write the KEY sequence MOV #0x55,W0 MOV W0,NVMKEY MOV #0xAA,W0 MOV W0,NVMKEY ; Start the programming sequence BSET NVMCON,#15 ; Insert two NOPs after programming NOP NOP ; Re-enable interrupts, if required POP SR 注 : 更多信息, 请参见第页装载写锁存器 DS70609C_CN 第 5-12 页 2011 Microchip Technology Inc.

13 第 5 章闪存编程字编程对于熟悉 dspic33f 和 PIC24H 器件系列 ( 这些器件向写锁存器存储区中写入单个字 ) 的用户, 需要注意 dspic33e/pic24e 器件的字编程稍有不同, 这些器件将写入两个字假设用户应用程序已擦除了要进行编程的闪存单元, 使用表写指令向写锁存器存储区的前两个字存储单元中写入两个字将要编程的闪存存储器字的地址装入 NVM 地址寄存器 NVMCON 寄存器配置为编程闪存程序存储器的两个字编程操作通过以下操作启动 : 在将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 前, 将特殊的解锁或密钥序列写入 NVMKEY 寄存器解锁序列需要严格按例 5-8 中所示顺序执行, 不能有中断因此, 在写序列之前, 应先禁止中断应在代码中编程周期之后插入两条 NOP 指令最后就可以允许中断了 ( 如果需要 ) 例 5-8: 编程闪存的两个字 ; Define the start address from where the programming has to start.equ PROG_ADDR, 0x022222; Load the destination address to be written MOV #tblpage(prog_addr),w9 MOV #tbloffset(prog_addr),w8 MOV W9,NVMADRU MOV W8,NVMADR; ; Load the two words into the latches CALL Load_Write_Latch_Word ; Setup NVMCON for word programming MOV #0x4001,W0 MOV W0,NVMCON ; Disable interrupts while the KEY sequence is written PUSH SR MOV #0x00E0,W0 IOR SR ; Write the key sequence MOV #0x55,W0 MOV W0,NVMKEY MOV #0xAA,W0 MOV W0,NVMKEY ; Start the write cycle BSET NVMCON,#15 ;Re-enable interrupts, if needed POP SR 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-13 页

14 dspic33e/pic24e 系列参考手册写入器件配置寄存器 RTSP 可用于写入器件配置寄存器, RTSP 允许单独重写每个配置寄存器, 而无需先执行擦除周期写入配置寄存器时要小心, 因为它们控制着关键的器件工作参数, 例如系统时钟源 PLL 和 WDT 使能对器件配置寄存器编程的步骤与对闪存程序存储器编程的步骤类似, 除了一点 : 只需 TBLWTL 指令这是因为每个器件配置寄存器的最高 8 位都未用此外, 表写地址的 bit 23 必须置 1 才能访问配置寄存器关于器件配置寄存器的完整说明, 请参见 dspic33e/pic24e 系列参考手册中的第 30 章器件配置 (DS70618) 和具体器件的数据手册注 1: 并不是所有器件都支持写入器件配置寄存器要确定对应于器件具体 NVMOP<3:0> 位定义的可用模式, 请参见具体器件的数据手册 2: 对器件配置寄存器执行 RTSP 时, 器件必须使用内部 FRC 振荡器 ( 不带 PLL) 工作如果器件使用其他时钟源工作, 则必须先将时钟切换为内部 FRC 振荡器 (NOSC<2:0> = 000), 然后再对器件配置寄存器执行 RTSP 操作 3: 如果将振荡器配置寄存器 (FOSC) 中的主振荡器模式选择位 (POSCMD<1:0>) 重新设定为一个新值, 则用户必须确保 FOSC 寄存器中的时钟切换模式位 (FCKSM<1:0>) 的初始设定值为 0, 然后才能执行该 RTSP 操作配置寄存器写算法一般过程如下 : 1. 将要编程的值存储到数据 RAM 中作为数据映像 2. 使用 TBLWTL 指令将新的配置值写入表写锁存器 3. 配置 NVMCON 为配置寄存器写操作 (NVMCON = 0x4000) 4. 如果允许了中断, 将其禁止 5. 将要编程的配置寄存器的地址写入 NVMADRU 和 NVMADR 寄存器 6. 向 NVMKEY 寄存器中写入密钥序列 7. 通过将 WR 位 (NVMCON<15>) 置 1 启动写序列 8. 如果需要, 重新允许中断例 5-9 给出了可用于修改器件配置寄存器的代码序列 DS70609C_CN 第 5-14 页 2011 Microchip Technology Inc.

15 第 5 章闪存编程例 5-9: 配置寄存器写代码示例 ; Define the address to be written.equ DestinationAddress, 0x ; Initialize the write pointer for writing to the latches MOV #0x0000, W7 ; Initialize TBLPAG register for writing to the latches MOV #0xFA, W12 MOV W12, TBLPAG ; Get the new data to write to the configuration register MOV #ConfigValue,W1 ; Perform the table write to load the write latch TBLWTL W1,[W7] ; Load the address which is to be programmed MOV #DestinationAddress<15:0>,W2 MOV #DestinationAddress<23:16>,W3 MOV W3,NVMADRU MOV W2,NVMADR ; Configure NVMCON for a configuration register write MOV #0x4000,W0 MOV W0,NVMCON ; Disable interrupts, if enabled PUSH SR MOV #0x00E0,W0 IOR SR ; Write the KEY sequence MOV #0x55,W0 MOV W0,NVMKEY MOV #0xAA,W0 MOV W0,NVMKEY ; Start the programming sequence BSET NVMCON,#15 ; Insert two NOPs after programming NOP NOP ; Re-enable interrupts, if required POP SR 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-15 页

16 DS70609C_CN 第 5-16 页 2011 Microchip Technology Inc. 5.5 寄存器映射表 5-1: 闪存编程寄存器表 5-1 中提供了与闪存编程相关的寄存器汇总寄存器名称 Bit 15 Bit 14 Bit 13 Bit 12 Bit 11 Bit 10 Bit 9 Bit 8 Bit 7 Bit 6 Bit 5 Bit 4 Bit 3 Bit 2 Bit 1 Bit 0 NVMCON WR WREN WRERR NVMSIDL NVMOP<3:0> 0000 NVMADRU NVMADRU<7:0> 0000 NVMADR NVMADR<15:0> 0000 NVMKEY NVMKEY<7:0> 0000 图注 : x = 复位时的未知值, = 未实现, 读为 0 复位值以十六进制显示注 1: 并非所有位在所有器件上都可用详情请参见具体器件的数据手册所有复位时的状态 dspic33e/pic24e 系列参考手册

17 第 5 章闪存编程 5.6 相关应用笔记本节列出了与手册本章内容相关的应用笔记这些应用笔记可能并不是专为 dspic33e/pic24e 产品系列而编写的, 但其概念是相近的, 通过适当修改并受到一定限制即可使用当前与闪存编程相关的应用笔记有 : 标题目前没有相关的应用笔记应用笔记编号 N/A 注 : 如需获取更多 dspic33e/pic24e 系列器件的应用笔记和代码示例, 请访问 Microchip 网站 ( 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-17 页

18 dspic33e/pic24e 系列参考手册 5.7 版本历史版本 A (2009 年 8 月 ) 这是本文档的初始版本版本 B (2011 年 2 月 ) 该版本包括以下更新 : 示例 : - 删除了例 5-3 和例更新了例 5-4 例 5-7 和例在例 5-4 例 5-7 和例 5-8 中, 将所有对于 #WR 的引用更新为 #15 - 在例 5-5 中进行了以下更新 : 将标题字编程更新为为行编程装载写锁存器将所有对于 #ram_image 的引用更新为 #0xFA - 增加了例更新了例 5-8 中的标题注 : - 在第页闪存编程操作中增加了两条注释 - 更新了第页装载写锁存器中的注释 - 在第页写入器件配置寄存器中增加了三条注释 - 在表 5-1 中增加了注 1 寄存器 : - 更新了闪存控制 (NVMCON) 寄存器中 NVMOP<3:0>:NVM 操作选择位的位值 ( 见寄存器 5-1) 章节 : - 删除了第节字模式写入和第节字节模式写入 - 更新了第 5.3 页控制寄存器 - 在第页字编程中进行了以下更新 : 将章节标题编程闪存的一个字更改为字编程更新了第一段将第二段中的一个字一词更改为两个字 - 在第页配置寄存器写算法中增加了新的步骤 1 表格 : - 更新了表 5-1 将几处对于程序存储器的引用更新为闪存程序存储器对整篇文档进行了其他少量更新, 如语言和格式的更新 DS70609C_CN 第 5-18 页 2011 Microchip Technology Inc.

19 第 5 章闪存编程版本 C (2011 年 6 月 ) 该版本包括以下更新 : 示例 : - 更新了例更新了例 5-8 注 : - 在第页 RTSP 工作原理中增加了一条注释 - 在第页闪存编程操作中增加了注 3 - 在第页闪存的行编程算法中增加了注 3 - 在第页擦除闪存的一页中增加了一条注释 - 在第页装载写锁存器中增加了注 2 寄存器 : - 更新了非易失性存储器地址寄存器中 bit 15-0 的位说明 ( 见寄存器 5-3) 章节 : - 更新了第页 RTSP 工作原理 - 更新了第页字编程对整篇文档进行了其他少量更新, 如语言和格式的更新 5 闪存编程 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-19 页

20 dspic33e/pic24e 系列参考手册注 : DS70609C_CN 第 5-20 页 2011 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip

21 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性代码保护并不意味着我们保证产品是牢不可破的代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为提供本文档的中文版本仅为了便于理解请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示书面或口头法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况质量性能适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负买方同意在由此引发任何一切伤害索赔诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 dspic KEELOQ KEELOQ 徽标 MPLAB PIC PICmicro PICSTART PIC 32 徽标 rfpic 和 UNI/O 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MXDEV MXLAB SEEVAL 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro chipkit chipkit 徽标 CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPLAB Certified 徽标 MPLIB MPLINK mtouch Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail REAL ICE rflab Select Mode Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2011, Microchip Technology Inc. 版权所有 ISBN: Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2009 认证 Microchip 的 PIC MCU 与 dspic DSC KEELOQ 跳码器件串行 EEPROM 单片机外设非易失性存储器和模拟产品严格遵守公司的质量体系流程此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 2011 Microchip Technology Inc. DS70609C_CN 第 5-21 页

22 全球销售及服务网点美洲亚太地区亚太地区欧洲公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : support 网址 : 亚特兰大 Atlanta Duluth, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 克里夫兰 Cleveland Independence, OH Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 印第安纳波利斯 Indianapolis Noblesville, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣克拉拉 Santa Clara Santa Clara, CA Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 亚太总部 Asia Pacific Office Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重庆 Tel: Fax: 中国 - 杭州 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦门 Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Daegu Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或马来西亚 Malaysia - Kuala Lumpur Tel: Fax: 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: /02/11 DS70609C_CN 第 5-22 页 2011 Microchip Technology Inc.

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untitled C 8051 MCU SPI EEPROM Alexandru Valeanu Microchip Technology Inc. Microchip Technology 25XXX EEPROM SPI 25XXX EEPROM SO 25XXX EEPROM 3MHz 20 MHz SPI HOLD 25XXX EEPROM EEPROM MCU HOLD 25XXX EEPROM SPI EEPROM