FAQ_Chipsea MCU_V1.0

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1 MCU 系列问题集 Rev. 2.3 通讯地址 : 深圳市南山区南海大道 1079 号花园城数码大厦 A 栋 9 楼邮政编码 : 公司电话 :+(86 755) 传真 :+(86 755) 公司网站 : 第 1 页, 共 53 页

2 版本历史 版本历史 历史版本. 修改内容 版本日期 REV 1.0 初始版本 REV 修订 增加 增加仿真器 1 2 REV 修订 2 2 增加 增加烧录器 REV 增加烧录器 REV 增加烧录器 增加仿真器内容 3 增加 30 REV 增加 增加仿真器问题 6 3 增加烧录器 9 REV 增加 REV 增加 34 重要 增加 35 重要 有关 CSU8RP3119B 的使用说明 REV 增加仿真器问题 REV 增加 REV 增加 37 重要 针对方案中外部 Vref 参考电压大于芯片 VDD 电压的处理方法 REV 增加仿真器 REV 增加 38 控制互补 PWM 輸出的编程注意事项 REV 修订问题 增加 增加仿真器 9 REV 增加 42 有关 CSU8RF211X 系列产品 INT1 使用注意事项 第 2 页, 共 53 页

3 目录 目录 问题 1. 怎么样用外部复位电路对 MCU 系列芯片进行复位?... 5 问题 2. 当芯片进入休眠模式时, 应如何设置 I/O 状态, 使功耗最小?... 5 问题 3. 没有用到的 I/O 如何处理?... 5 问题 4. 怎么样从芯片内部时钟转换到外部时钟?... 6 问题 5. 怎么样给 MCU 提供外部时钟源?... 6 问题 6. 怎么样通过 FSR0 和 IND0 对通用数据寄存器清 0?... 7 问题 7. 怎么样计算延时程序的时间?... 7 问题 8. 怎么样算定时器的溢出时间?... 8 问题 9. 怎么样清掉 TM0CNT 只读寄存器?... 8 问题 10. 怎么样计算 PWM 的频率和占空比?... 8 问题 11. 怎么样让蜂鸣器输出 2KHZ 的频率?... 9 问题 12. 怎么样来读写芯片内部的 E2PROM 数据? 读写的过程需要增加延时吗?... 9 问题 13. 程序中怎么样来使用 SLEEP 和 HALT 唤醒? 问题 14. 怎么样在程序中建立查表? 问题 15. 怎么样使用看门狗? 问题 16. 简单的 AD 口电路要注意什么? 问题 17. 怎么样采集 ADC 数据? 问题 18. 怎么用内部 1.4V 作参考, 测试 AD 通道的数据? 问题 19. 如何使用芯片内部的数字比较器? 问题 20. 如何用一个已知的固定信号与通道 1 的信号比较大小? 问题 21. 如何使用芯片内部的比较器? 问题 22. 如何使用芯片内部运算放大器? 问题 23 中断使用注意事项 问题 24.I/O 外接下拉电阻, 没有外接信号时芯片为何读不到低电平? 问题 25. 产品开发过程中如何提高 EFT 特性? 问题 26.CSU8RF211X 的 INT1( 外部中断 1) 和 CSU8RF311X CSU8RF322X 的有什么不同? 问题 27. 如何保障外部中断响应的准确性? 问题 28. 不同的系统时钟对电压有什么要求? 问题 29. 在 AD 测量中怎样减小 OFFSET 对测量结果的影响? 问题 30. 如何在主程序中调用其他文件的子程序? 问题 31.IDE 异常退出后如何重新设置目标器件和主文件? 问题 32. 如何定义位, 并可用指令直接对其操作? 问题 33. 当 RAM 的地址为 9 位时, 如 10AH 这样的地址, 在预定义是应该如何定义? 问题 34. 上电后没清零 SRAM 会有什么影响?MCU 上电后在哪个阶段清零 SRAM? 问题 35. CSU8RP3119B 代码选项中移动电源选项和限流功能的使用说明 问题 36. 如何避免因系统启动 PWM 对 AD 检测带来的干扰 问题 37. 针对方案中外部 VREF 参考电压大于芯片 VDD 电压的处理方法 [ 适用于移动电源等类似的方案 ] 问题 38. 控制互补 PWM 輸出的编程注意事项 [ 适用于移动电源等类似的方案 ] 问题 39. EEPROM 在失效后 ( 比如达到擦写次数 ), 还能再操作吗? 问题 40. 堆栈溢出, 新入堆栈数据是覆盖第一个入栈数据吗? 问题 41. ADDPCW 低 8 位溢出时, 是否会自动进位? 问题 42. 为什么 CSU8RF211X 系列产品在中断程序中判断外部中断 1 异常? 第 3 页, 共 53 页

4 目录 2 烧录器 问题 1. 安装完烧录器安装包后, 电脑提示发现新的硬件向导怎么办? 问题 2. 如何使用离线烧录器烧录芯片? 问题 3. 如何才能读出被烧录过的芯片程序? 问题 4. 离线烧录器载入的程序是否可以被读出? 问题 5. 怎么样来进行烧录器的自我检测? 问题 6. 离线烧录器上没有烧录转接板的情况下, 怎么样来烧录芯片? 问题 7. 为什么裸片的烧录无法正常导入 HEX 档? 问题 8. 离线烧录器与烧录机怎么连接? 问题 9.WIN 7 WIN8 系统下如何安装离线烧录器的驱动文件? 仿真器 问题 1. 为什么在烧录的时候没能找到对应的产品型号或弹出的烧录选项与用户手册不一致? 问题 2. 每次安装完新的 IDE, 需要对仿真器做什么操作? 问题 3. 为什么在烧录的时候没有弹出代码设置选项? 问题 4. 为什么按照更新固件的步骤进行仿真器固件的升级却没有看到 UPDATE FPGA 的进度框? 问题 5. 如何将仿真板的烧录线外接? 芯片贴到目标板上能被正常烧录吗? 问题 6. 为什么在仿真时有时出现无法跳到指定断点或仿真过程中功能异常的现象? 问题 7. 为什么 CSU8ASM 仿真器在 WIN7 环境下自动安装驱动会导致仿真异常? 问题 8. 为什么 IDE 的中文复制到办公软件中为乱码, 文本的中文复制到 IDE 为?? 问题 9. 宏定义时 A EQU 2 ; B EQU A*10 像这样的定义是否有效? 第 4 页, 共 53 页

5 1 客户在应用 Chipsea MCU 产品的时候常常遇到一些问题, 为帮助客户能更容易使用我们的产品, 将一些进行总结和解答 问题 1. 怎么样用外部复位电路对 MCU 系列芯片进行复位? 解答 :MCU 芯片上电复位与低电压复位发生时, 所有的系统寄存器恢复默认状态, 程序停止运行, 同时程序计数器 PC 清零 复位结束后系统从向量 0000H 处重新开始运行 MCU 芯片都有内部 POR 上电复位, 对于从启动到稳定的时间较长的低频振荡器, 我们需要用外部的上电复位电路来延长复位, 以保证复位的正常进行 如图 1.1 所示, 一般的外接上电复位电路 RC 电路 如图 1.2 所示, 在电源频繁插拔过程中, 欠压保护复位电路 如图 1.3 所示, 芯片复位电路 图 1.1 图 1.2 图 1.3 问题 2. 当芯片进入休眠模式时, 应如何设置 I/O 状态, 使功耗最小? 解答 :I/O 口断开内部上拉电阻, 作为输出, 并输出低电平 关闭 A/D 使能, 关闭比较器使能 问题 3. 没有用到的 I/O 如何处理? 解答 : 没有用到的 I/O 口 : 1 可设成输入状态, 并启用内部上拉电阻, 避免因 I/O 悬空时造成芯片耗电 ; 2 将 I/O 口设置为输出状态 第 5 页, 共 53 页

6 问题 4. 怎么样从芯片内部时钟转换到外部时钟? 解答 : 把 CPU 时钟由内部晶振切换到外部晶振, 对 MCK 寄存器进行写操作时, 建议使用 bcf 或 bsf 指令 内部晶振关闭时应按照以下例程中的顺序执行, 其中若是切换至外部 32768Hz 低 速晶振, 则需要将 50ms 延时增加至 500ms HIS_EXT_CONVSER: BCF MCK,7 ; 打开外部晶振 CALL DELAY_50MS ; 延时 50MS 等待外部时钟稳定 BSF MCK,0 ; 切换到外部晶振 NOP NOP BSF MCK,6 ; 关闭内部晶振 问题 5. 怎么样给 MCU 提供外部时钟源? 解答 : 如图 2.1 所示, 当使用外部时钟时, 由 C1 C2 Y1 构成外部时钟电路 Y1 可以是外部 32768Hz 晶振 (RTC) 或 4MHz~16MHz 晶振 图 2.1 图 2.2 图 2.3 如图 2.2 所示, 当用外部灌时钟为 MCU 提供时钟时, 灌时钟从 XIN 脚输入, 此时 XOUT 脚可以用作 IO 口, 或者让 XOUT 开路 如图 2.3 所示, 当用外部 RC 振荡电路为 MCU 提供时钟时, 时钟从 XIN 脚输入, 此时 XOUT 脚可以用作 IO 口, 或者让 XOUT 开路 ( 若想在原来外部 RC 振荡频率的基础上提高频率, 减小外部 RC 电路的功耗, 建议在 XIN 与 MCU 芯片的 (XIN/INT1) 脚间串接一个电阻 ) 第 6 页, 共 53 页

7 问题 6. 怎么样通过 FSR0 和 IND0 对通用数据寄存器清 0? 解答 : 上电清通用数据寄存器, 当有个别的寄存器需要给定初值时, 可以在 RETURN 返回指令前 赋值 CLRRAM80_DFH: ; 如果把 80h-DFh 的通用数据寄存器清 0 MOVLW 80H MOVWF FSR0 CLRRAM80_DFH _LOOP: MOVLW 00H MOVWF IND0 INCF FSR0,F MOVLW DFH XORWF FSR0,w BTFSS status,z GOTO CLRRAM80_DFH _LOOP MOVLW 00H MOVWF IND0 MOVLW 2 ; 上电的时候, 让芯片工作在模式 2 MOVWF MODE_SELECT RETURN 问题 7. 怎么样计算延时程序的时间? 解答 : 若一个机器周期为 1us, 以下程序的延时时间约为 4+(2+(0.5+2)*15+(0.5+2))*8= 340 us DELAY_SUB: MOVLW 8 MOVWF TEMP0 LOOP_2: MOVLW 0FH MOVWF TEMP1 LOOP_1: DECFSZ TEMP1,1 GOTO LOOP_1 DECFSZ TEMP0,1 GOTO LOOP_2 RETURN 第 7 页, 共 53 页

8 问题 8. 怎么样算定时器的溢出时间? 解答 : 以定时器 1 为例, 当使用内部 16M 的晶振作系统时钟时, 指令周期设为 4 个时钟周期 ;CPUCLK=4M ;TIM1 的 T1RATE = CPUCLK /4 = 1MHZ ; 定时器 1 的溢出时间为 125US TIM_CONFIG: MOVLW 124; MOVWF TM1IN ; 定时 / 计数器溢出值 ( 溢出值 :1~255) BSF INTE,GIE ; 使能所有非屏蔽中断 BSF INTE,TM1IE ; 使能定时 / 计数器 1 中断 ;B[6:4] 001 CPUCLK /4 MOVLW b ; B[3]=0 CPUCLK 的分频时钟作 TIM1 时钟源 MOVWF TM1CON ;B[2] =0 使能定时 / 计数器 1 复位 定时器的溢出时间为 : (124+1)/(4M/4) = 125US 问题 9. 怎么样清掉 TM0CNT 只读寄存器? 解答 : 对 TM0CON 寄存器中的 T0RSTB 位置 0, 就可以对只读寄存器 TM0CNT 清 0 问题 10. 怎么样计算 PWM 的频率和占空比? 解答 : ;PWM 周期为 125 个 T1RATE, 其占空比为 100:25 ;PT1.2 为 PWM 输出 PWM_OUT: MOVLW 124; MOVWF TM1IN MOVLW 100 MOVWF TM1R ; 定时 / 计数器 1 的 PWM 高电平占空比控制寄存器 MOVLW b ;B[7]=1 使能 TIM1\ 选择 TIM1 时钟源 \ 使能 TIM1 复位 MOVWF TM1CON ;B[1:0]=1 1 PT1.2 为 PWM 输出 ; 关闭 PWM 输出时, 一定要把 PT1.2 设置为 IO 输出, 如果不用 TIM0 的话, 可以关闭定时器 1 使能或中断 MOVLW b ;B[1:0] =00 MOVWF TM1CON PWM 的频率为 : 16M/4/4/125US = 8K 占空比 : 正宽频为 100US 负宽频 25US 第 8 页, 共 53 页

9 问题 11. 怎么样让蜂鸣器输出 2KHZ 的频率? 解答 : 蜂鸣器周期 = (3+1)*2/15625=512US ( 1000MS/0.512MS= HZ) MOVLW 3 MOVWF TM1IN MOVLW b ;B[7]=1 使能 TIM1\ ; 选择 TIM1 时钟源 = 4M/256=15625HZ \ 使能 TIM1 复位 MOVWF TM1CON ;B[1:0]=1 0 PT1.2 为 BZ 输出 关闭蜂鸣器输出时, 做法和关闭 PWM 输出一样 问题 12. 怎么样来读写芯片内部的 E2PROM 数据? 读写的过程需要增加延时吗? 解答 : WRITE_EEPROM: ; 例如数据 E2PROM 的地址范围为 400H~41BH MOVFW Temp1 ; Temp1 = 04H MOVWF EADRH ; 给高字节地址赋值 MOVFW Temp0 ; Temp0 = 00H~1BH MOVWF EADRL ; 给低字节地址赋值 MOVFW Temp3 ; Temp3= XXH MOVWF EDATH ; 给高字节数据赋值 MOVFW Temp2 ; 给低字节数据赋值 Temp2 = XXH BCF INTE,GIE ; 如果开了中断 / 看门狗, 执行写操作前关掉中断使能以及看门狗 CLRWDT TBLP 0 ; 执行写操作 TBLP, 指令后面参数固定为 0 NOP ; 写操作后增加一条空指令缓冲 BSF INTE,GIE ; 执行完写操作后, 打开总中断使能 Return READ_EEPROM: MOVFW Temp0 MOVWF EADRL ; MOVFW Temp1 MOVWF EADRH MOVP ; 执行读操作 NOP ; 读操作后增加一条空指令缓冲 MOVWF Temp0 ; 先从 W 中读出低字节的数据 MOVFW EDATH 第 9 页, 共 53 页

10 MOVWF return Temp1 注 : 写 E2PROM 执行 TBLP 指令大约需要 3MS 时间, 在 TBLP 和 MOVP 指令之后, 可适当增加一 条 NOP 语句缓冲 问题 13. 程序中怎么样来使用 SLEEP 和 HALT 唤醒? 解答 :CPU 执行停止指令后, 程序计数器停止计数直到出现中断指令,CPU 执行睡眠指令后, 所有 的振荡器停止工作 (EO_SLEEP 为 0 时 ) 直到出现一个外部中断指令复位 CPU) MOVLW 01H MOVWF PT1UP ; 断开 PT1 除 BIT0 外的其他接口的上拉电阻 MOVLW FEH MOVWF PT1EN ;PT1 口除 BIT0 做输入口外, 其他接口作为输出口 CLRF PT1 ; 将 PT1 输出为低 CLRF PT2UP ; 断开 PT2 上拉电阻 CLRF PT2EN ;PT2 口用作输入口 CLRF INTF ; 清中断标志位 MOVLW 81H MOVWF INTE ; 使能外部中断 0 唤醒 HALT ; SLEEP ; 如果程序要进入 SLEEP 模式, 用 SLEEP 替换 HALT 指令 NOP ; 保证程序返回时能正常运行 注意 : 1. 为了保证 CPU 在睡眠模式下的功耗最小, 在执行睡眠指令之前, 需要把 IO 口的上拉电阻断开 ( 除了某些特殊要求, 如需按键唤醒等 ), 并且保证所有的 I/O 口是接到 VDD 或 DGND 电平 2. 所有的中断都可唤醒 sleep 睡眠模式和 halt 停止模式 3. 如果在烧录选项代码中有打开 2.4/3.6V 低电压检测,SLEEP 功耗下会增加 8uA 电流 打开 WDT 会增加 2uA 的电流 第 10 页, 共 53 页

11 问题 14. 怎么样在程序中建立查表? 解答 : 用 ADDPCW 建立查表方法 : MOVFW DATA ;DATA = 4 CALL GETIN_DATA MOVWF TEMP0 ; 查表后得到的值传送到 TEMP0 中 TEMP0 < B GETIN_DATA: Addpcw RETLW RETLW RETLW RETLW 08h 10h 0AH 5AH 在程序中用 MOVP 查表最大范围只能到程序 ROM 空间的最后一个 BYTE 可根据 MCU 的型号来把表建在不同的 ROM 空间位置 第 11 页, 共 53 页

12 ; 例如查表地址为 0380 MOVFW 80H MOVWF EADRL MOVFW 03 MOVWF EADRH MOVP ; 执行读操作 MOVWF Temp0 ; Temp0<-34H MOVFW EDATH MOVWF Temp1 ; Temp1<-12H MOVFW 88H MOVWF EADRL ; 查表地址为 0388 MOVFW 03 MOVWF EADRH MOVP ; 执行读操作 MOVWF Temp2 ; Temp2<-12H MOVFW EDATH MOVWF Temp3 ; Temp3<-00H 查表用 DB 时, 高字节的数据默认为 00H ORG 0380H GETIN_DATA: DW 1234H ;address 0380 = 1234H DW 5678H ;address 0381 = 5678H DW ABCDH ;address 0382 = ABCDH DW EF00H ;address 0383 = EF00H 问题 15. 怎么样使用看门狗? 解答 : 看门狗用于防止程序由于某些不确定因素而失去控制而造成死循环, 如果使用 WDT, 一定要在程序中的适当地方放一条 CLRWDT 指令, 以保证在 WDT 计时溢出前能被清 0, 否则会造成 CPU 产生 RESET, 使系统无法正常工作 在睡眠情况下, 开着看门狗, 会增加 2uA 的电流 问题 16. 简单的 AD 口电路要注意什么? 解答 : 以 CSU8RF31XX 芯片来举例说明 第 12 页, 共 53 页

13 1.ADC 采样时钟建议使用 2M 或 2M 以下 2. 如果输入阻抗为 10K,ADC 采样时间为 2M, 建议用 8 或 16 个 ADC 输入信号获取时间 ADC 输入信号获取时间取决于外部模拟输入信号的输出阻抗, 阻抗越大, 获取的时间越长 12 位 AD 转换时间 =(1/ADC 时钟频率 ) 12+ADC 输入信号获取时间 +CALIF) 问题 17. 怎么样采集 ADC 数据? 解答 : 例如 VDD 作参考 ADC 时钟为 2M AIN0 输入结果存放在 SRAD 中 AD_PORT_CONFIGUE: MOVLW b ;P3.0/P3.3 为输入口 MOVWF PT3EN MOVLW b ;ad 口不使用上拉电阻 MOVWF PT3PU MOVLW b ;=0 数字口 =1 模拟口 MOVWF PT3CON MOVLW b MOVWF PT3 AD_init: ;CPUCLK = 16/4 =4MHZ MOVLW B ;B1:B0 01 ADC CLOCK = CPUCLK/2=2M MOVWF SRADCON0 ;B5 B4 = 0 0 ADC 输入信号获取时间 16 个 ADC 时钟 MOVLW B ;B[5] 0 结果放在 SRAD 中 MOVWF SRADCON1 ;B[1:0] 00 参考电压 VDD 第 13 页, 共 53 页

14 MOVLW B ;00H AIN0 输入 MOVWF SRADCON2 MOVLW B MOVWF SRADL ;[ADL7:0] ADC 数据的低 8 位 MOVWF SRADH ;[ADH11:8] ADC 数据的高 4 位 ADC_CONVERT: CLRF AD_VALU_L ; 清保存 ADC 转换结果的寄存器 CLRF AD_VALU_H BSF SRADCON1,ADEN ; 打开 ADC 使能 CALL delay40us ; 等待 40US BSF SRADCON1,SRADS ; 启动 ADC 转换 BTFSC SRADCON1,SRADS ;SRADS=0 表示转换结束, 否则一直等待转换完成 GOTO $-1 SAVE_AD: MOVFW SRADL MOVWF AD_VALU_L,1 MOVFW SRADH MOVWF AD_VALU_H,1 问题 18. 怎么用内部 1.4V 作参考, 测试 AD 通道的数据? 解答 : 如果用到内部 1.4V 作参考时, 由于 1.4V 本身有所浮动, 所以需要对 1.4V 的参考进行校正, 在烧录芯片的时候, 已经在 E2PROM 的 041AH( 不同型号 MCU 的位置有差别, 注意参考用户手册 ) 的地址里烧录了 1.4V 的校正值, 所以在上电的时候, 需要把这个校正值读出来, 在采到 AD 后, 把这个校正值与采到的 AD 值相乘然后除以 8000H, 得到的最后结果才是实际 AD 值 如果有多个通道在使用时, 当检测其中任一通道时, 其它模拟口要设置为数字口 MOVLF MACRO d1,f1 MOVLW d1 MOVWF f1 ENDM MOVFF MACRO f1,f2 MOVFW f1 第 14 页, 共 53 页

15 MOVWF f2 endm ;************************************************************************ E2PROM_ROUT: ; 上电先从 EEPROM 的 41AH 中读出 1.4V 参考的校准值 MOVLF 1aH,eadrl ; 要读的 EEPORM 地址放入 EADRL EADRH 中 MOVLF 04H,eadrh MOVP MOVWF M_D_TEMP12 ; 低位 W 中的数据放在 M_D_TEMP12 中 MOVFF edath,m_d_temp11 ; 高位 EDATH 的数据放在 M_D_TEMP11 中 RETURN AD_init: ;CPUCLK = 16/4 =4MHZ MOVLW B ;B1:B0 01 ADC CLOCK = CPUCLK/2=2M MOVWF SRADCON0 ;B5 B4 = 0 0 ADC 输入信号获取时间 16 个 ADC 时钟 MOVLW B ;B[5] 0 结果放在 SRAD 中 MOVWF SRADCON1 ;B[1:0] 10 内部参考电压 1.4V MOVLW B ;00H AIN0 输入 MOVWF SRADCON2 MOVLW B MOVWF SRADL ;[ADL7:0] ADC 数据的低 8 位 MOVWF SRADH ;[ADH11:8] ADC 数据的高 4 位 ADC_CONVERT: MOVLF B ; 把其它的模拟口设为数字口, 打开当前的模拟口 MOVWF PT3CON MOVLF 30h,SRADCON2 ; 转换第 3 通道的信号 BSF SRADCON1,ADEN CALL delay40us BSF SRADCON1,SRADS NOP BTFSC SRADCON1,SRADS GOTO $-1 MOVFW SRADL MOVWF AD3_VALU_l,1 MOVFW SRADH MOVWF AD3_VALU_h,1 第 15 页, 共 53 页

16 MOVFF AD3_VALU_h,M_D_TEMP3 MOVFF AD3_VALU_l,M_D_TEMP4 ; 采到的 AD 值作为被乘数 MOVFF M_D_TEMP11,M_D_TEMP9 MOVFF M_D_TEMP12,M_D_TEMP10 ;EEPROM 里 014AH 读出的值为乘数 CALL F_Mul2_2 ; 调用乘法运算 MOVLF 80H,M_D_TEMP9 MOVLF 00H,M_D_TEMP10 ;AD 值与校准系数得到的积作被除数 /8000H CALL F_Div4_2 ; 调用除法运算 movff M_D_TEMP3,AD3_VALU_h movff M_D_TEMP4,AD3_VALU_l ; 把除法结果重新放在 AD 保存寄存器里 问题 19. 如何使用芯片内部的数字比较器? 解答 : 比较通道 0 和通道 1 的电压值, 通道 0 接比较器正端, 通道 1 接比较器负端 CLRF SRADCON1 ;VDD 为参考电压,often=0,calif=0;enov=0 BSF SRADCON1,5 ;often=1, 结果保存在 sroft 寄存器中 MOVLW 00h MOVWF SRADCON2 ;chs[7:4]=0000, 选择通道 0 作为比较器负端 BSF SRADCON1,7 ; 使能 ADC 模块 CALL delay_40us BSF SRADCON1,6 ;srads=1, 开始转换 BTFSC SRADCON1,6 ; 检测转换是否完成 GOTO $-1 MOVLW 10h MOVWF SRADCON2 ;chs[7:4]=0001, 选择通道 1 作为比较器正端 BCF SRADCON1,5 ;often=0 BSF SRADCON1,4 ;calif=1 BSF SRADCON1,3 ;enov=1 BSF SRADCON1,6 ;srads=1, 开始转换 第 16 页, 共 53 页

17 BTFSC SRADCON1,6 ; 检测转换是否完成 GOTO $-1 BTFSC sradh,3 GOTO le_cmp ; 正端电压小于负端电压 GOTO gt_cmp ; 正端大于等于负端电压 问题 20. 如何用一个已知的固定信号与通道 1 的信号比较大小? 解答 : 比较 1V 电压和通道 1 的电压, 通道 1 接比较器正端,1V 接比较器负端, 假设采用 5V 的 VDD 作为参考电压, 那么 1V 的 AD 值为 0x333 CLRF SRADCON1 ;VDD 为参考电压,often=0,calif=0;enov=0,offex=0,vrefs=00 MOVLW 10h MOVWF SRADCON2 ;chs[7:4]=0001, 选择通道 1 作为比较器正端 BSF SRADCON1,4 ;calif=1 BSF SRADCON1,3 ;enov=1 MOVLW 03h MOVWF srofth MOVLW 33h MOVWF sroftl ;sroft 寄存器存入 333h, 即 1V 作为比较器负端 BSF SRADCON1,7 ; 使能 ADC 模块 CALL delay_10us BSF SRADCON1,6 ;srads=1, 开始转换 BTFSC SRADCON1,6 ; 检测转换是否完成 GOTO $-1 BTFSC SRADH,3 GOTO le_cmp ; 正端电压小于负端电压 GOTO gt_cmp ; 正端大于等于负端电压 第 17 页, 共 53 页

18 问题 21. 如何使用芯片内部的比较器? 解答 : ;PT5.4 CINA( 运放 + 输入端 ) ;PT5.3 CINB( 运放 输入端 ) ;PT5.2 CO ( 运放输出端 ) PT5_Io_SET: MOVLW b ; pt5:( 上电默认值为 :uuuxxxxx) GPIO5 口数据标志 MOVWF pt5 MOVLW b ; pt5en:( 上电默认值为 :uuu00000) GPIO5 口输入 / 输出控制标志 MOVWF pt5en MOVLW b ; pt5pu:( 上电默认值为 :uuu00000) GPIO5 口上拉电阻使能标志 MOVWF pt5pu MOVLW b ; pt5con:( 上电默认值为 :uuu00000) MOVWF pt5con. MOVLW b MOVWF cmpcon 问题 22. 如何使用芯片内部运算放大器? 解答 : ;PT5.4 CINA( 运放 + 输入端 ) ;PT5.3 CINB( 运放 输入端 ) ;PT5.2 CO ( 运放输出端 ) MOVLW b ; pt5:( 上电默认值为 :uuuxxxxx) GPIO5 口数据标志 MOVWF pt5 MOVLW b ; pt5en:( 上电默认值为 :uuu00000) GPIO5 口输入 / 输出控制标志 MOVWF pt5en MOVLW b ; pt5pu:( 上电默认值为 :uuu00000) GPIO5 口上拉电阻使能标志 MOVWF pt5pu MOVLW b ; pt5con:( 上电默认值为 :uuu00000) MOVWF pt5con MOVLW b MOVWF cmpcon 第 18 页, 共 53 页

19 CSU8RF3223 用作比较器时, 如上图, 断开 JP1 用作放大器时, 接上 JP1, 放大倍数取决于 R11:R10 输入信号为 AIN+ 与 AIN- 的差值 问题 23 中断使用注意事项解答 : 1. 进入中断时, 要清掉中断标志位 2. 一定要有入栈和出栈指令 3. 每次有且只有一个中断在响应, 如果同时置起了几个中断标志, 执行完当前中断后, 会再进中断执行其它的中断, 中断的先后和用户中断程序标志的判断有关系 ORG 004H GOTO INT_SERVICE INT_SERVICE: PUSH BTFSC INTF,E0IF ; 判断外部中断 0 GOTO EX0_INT EXIT_INT: POP retfie EX0_INT: BCF INTF,E0IF ; 一定要记得清中断标志 GOTO EXIT_INT 第 19 页, 共 53 页

20 问题 24.I/O 外接下拉电阻, 没有外接信号时芯片为何读不到低电平? 解答 : 如果在程序中将 I/O 口的上拉电阻使能, 同时又在该 I/O 口的周边接有下拉电阻, 在 没有信号输入的情况下, 相当于内置上拉电阻与外接下拉电阻串联分压, 所以有可能会导 致 I/O 口读不到低电平, 若测高电平, 则高电平应保持在 0.75VDD 以上 问题 25. 产品开发过程中如何提高 EFT 特性? 解答 :1. 电源输入位置要做好滤波, 通常采用大小电容组合, 外部电源必须要经过电容再到达芯片电源端 ; 2. 设计外挂晶振电路时, 应视晶振参数选择合适的匹配电容和电阻, 振荡电路应尽可能靠近芯片引脚, 并与地线和电源线保持足够的距离, 以避免电源高频干扰 3.I/O 口与带有高杂信号的负载连接时, 最好采用光藕等元件进行隔离或增加干扰信号吸收电路 如果是有危险的负载, 应加有上拉或下拉电阻以防止芯片损坏时的误动作 另外, 某些特殊场合由于安全的需要, 具有危险性的负载也可以利用软体脉冲驱动的方式, 透过电容耦合, 以避免芯片复位或当机时的误启动造成的危险 问题 26.CSU8RF211X 的 INT1( 外部中断 1) 和 CSU8RF311X CSU8RF322X 的有什么不同? 解答 :CSU8RF211X 的外部中断 1 只作唤醒 sleep 或 halt 模式用, 正常工作时, 外部中断 1 不会使 CPU 进入中断 CSU8RF311X CSU8RF322X 则不同, 这两个系列的产品在正常工作时, 外部中断 1 可以令 CPU 进入中断 问题 27. 如何保障外部中断响应的准确性? 解答 : 方法如下 ( 以开启 INT0 为例 ): BCF INTE, GIE ; 关闭总中断使能 BSF INTE, E0IE ; 使能 INT0 NOP ; 让相关 I/O 口电平保持稳定 NOP ; 让相关 I/O 口电平保持稳定 NOP ; 让相关 I/O 口电平保持稳定 NOP ; 让相关 I/O 口电平保持稳定 BCF INTF, E0IF ; 清除中断响应标志位 BSF INTE, GIE ; 开启总中断使能 原理如下 : 第 20 页, 共 53 页

21 1 CSU8RF211X CSU8RF311X CSU8RF322X 系列产品在外部中断使能位打开时启动信 号采集时钟, 信号采集时钟的开启与外部中断的使能位 I/O 口的外部中断开关有关, 与总 中断使能位 GIE 无关 采集时钟开启之后, 若 PT1CON 中开启了相应的 INT1 功能引脚, MCU 检测到符合 INT1 条件的信号变化, 则将 E1IF 被置 1; 若检测到符合 INT0 条件的信 号变化, 则将 E0IF 置 1 如果在关闭外部中断使能和禁止 INT1 功能时, 某引脚 A 的电平 为低, 当开启 INT1 使能外部中断 1 设定 状态改变时触发 时, 某引脚 A 的电平为高, 则会触发中断 1 而本次开启瞬间的触发不一定是应用设计者所期望的响应 下面是以 INT1 操作为例的示意图 1 设置 INT1 的触发方式 2 启用 I/O 口 A 的 INT1 功能 3 开启 E1IE 4 E1IF 被置 1 5 开启 GIE 1 禁止 I/O 口 A 的 INT1 功能 2 关闭 E1IE 开启瞬间触发外部中断 1 I/O 口 A 的信号 另外一种情况为在不使用外部中断时, 中断使能端没有关闭,PT1CON 没有禁止使用相关 的 INT1 功能, 仅关闭总中断使能 GIE, 则在关闭 GIE 期间, 相关的 IO 口检测到符合条件 的信号变化后将 E1IF 或 E0IF 置位 当总中断开启时, 相应的中断触发 下面是以 INT0 操 作为例的示意图 1 INT0 的触发方式为状态改变触发 2 保持 E0IE=1 3 关闭 GIE 1 开启 GIE 开启瞬间触发外部中断 0 I/O 口 A 的信号 1 I/O 口 A 的信号发生改变 2 E0IF 被置 1 以下是 INT1 类似操作, 若在关闭 GIE 时 E1IF 为低电平, 则不会触发外部中断 1 第 21 页, 共 53 页

22 1 禁止 I/O 口 A 的 INT1 功能 2 保持 E1IE=1 3 关闭 GIE 1 启用 I/O 口 A 的 INT1 功能 2 开启 GIE I/O 口 A 的信号 1 I/O 口 A 的信号发生改变 2 E1IF 保持原来的状态 2 后续推出的产品 CSU8RP341X CSU8RP342X 系列的产品, 信号采集时钟会一直开启, 当 PT1 口的的 INT1 功能启用后, 若相关 I/O 口的电平变化满足触发条件, 则 E1IF 被置 1 PT1.0 的电平变化满足触发条件时,E0IF 被置 1 综上所述, 使用前面的方法可以让外部中断 0 和外部中断 1 被更加合理的应用 问题 28. 不同的系统时钟对电压有什么要求? 解答 : 不同的系统时钟对工作电压有不同的要求, 所以在应用的过程中, 应当让芯片在规定的时间内达到最低的工作电压要求 通常, 芯片的上电时间要求为 32-48ms 系统时钟与工作电压的要求如下: 16M/32=0.5M VDD:2.3V~5.5V 16M/8=2M VDD:2.4V~5.5V 16M/4=4M VDD:3.6V~5.5V 问题 29. 在 AD 测量中怎样减小 offset 对测量结果的影响? 解答 : AD 采样完毕后的响应有两种方式, 一种是中断, 另外一种是查询 本次使用的方法, 只能够通过中断响应实现, 具体过程如下 : ; 开启 AD 中断使能 ; 关闭除 AD 中断外的其他中断使能 第 22 页, 共 53 页

23 ; 开启 AD 使能 BSF SRADCON1, SRADS ; 启动 AD 转换 HALT ; 令 PC 指针停在此处, 暂时不往下执行, 以降低芯片的功 ; 耗, 功耗的降低可以减弱 offset 对测量结果的影响 此时 ; 虽然 PC 指针没往下执行, 但时钟系统仍然在工作,AD ; 采样仍然在进行, 当采样完成时,AD 中断会退出 Halt ; ( 停止 ) 模式, 程序继续往下执行 NOP ; Halt 指令后加 NOP 指令保证程序返回时能正常运行 问题 30. 如何在主程序中调用其他文件的子程序? 解答 :1 首先保证被调用的子程序所在的文件与主文件在一同工程文件中, 如下图所示 工程文件列表 2 在主程序中 include 被调用子程序所在的文件, 将 include 操作放在适当的位置, 保证 1 个地址不进行 2 次汇编指令的操作 以下是错误的示例 : 被包含文件 int.inc 程序代码 第 23 页, 共 53 页

24 include int.inc 所放位置不当导致 IDE 报错 INCLUDE 的文件中如果除了变量定义外, 还带有程序段,IDE 在汇编的过程, 程序段将从 000H 地址开始编起,INCLUDE 后方的程序段再次定义了 000H 和 004H 地址, 所以 IDE 将报错 将 INCLUDE 的操作放在程序段的后方, 点编译, 即可正常编译, 正确的示例如下图 第 24 页, 共 53 页

25 调整 include int.inc 位置后可通过编译 问题 31.IDE 异常退出后如何重新设置目标器件和主文件? 解答 : 当 IDE 异常退出时, 工程文件中的目标器件和主文件设置信息能被清除, 这将导致重新打开工程文件并对工程文件进行编译时,IDE 提示编译错误 1 重新设置工程文件的目标器件在下图中所示的位置,io_program 下方的小电脑图标上右键, 点击 Select Device For Target( 目标器件设置 ), 选择相应的 IC 型号 图设置工程文件目标器件示意图 第 25 页, 共 53 页

26 2 重新设置工程文件的主文件 首先找到该工程文件中的主文件, 在主文件上右键, 点击 Set as a Main File( 设置为主文件 ) 即可完成主文件的设置, 如下图 图设置主文件示意图 问题 32. 如何定义位, 并可用指令直接对其操作? 解答 : 采用 CSU8ASM IDE 进行软件开发的过程, 可采用以下的方式对位进行定义, 经过以下方法定义后的位可以用指令进行操作, 跳过中间的寄存器, 极大便利程序的设计与维护 B EQU 80H ; B 是地址为 80H 的寄存器 C EQU 3 ; C 表示第 3 位 DEFINE A "B,C" ; 定义 A 为 B[C], 即 80H 寄存器的 Bit3... ; 经过上述定义后可使用如下 ORG 000H BCF A ; 等效于 BCF 80H, 3 ; 等效于 BCF B, C 问题 33. 当 RAM 的地址为 9 位时, 如 10AH 这样的地址, 在预定义是应该如何定义? 解答 : 我司的 RAM 当有 9 位的地址时, 在预定义可写成 TEMP EQU 10AH 在直接寻址中, 可直接使用预定义字符, 如 BTFSS TEMP,5 如果是间接寻址, 采用 INDO FSR0 的方式, 则要进 第 26 页, 共 53 页

27 行分页处理 1 直接寻址方式 TEMP EQU 10AH ; 预定义 ; 经过上述定义后可使用如下 ORG 000H BTFSS TEMP,5 ; 直接寻址可直接使用预定义字符 2 间接寻址方式 BSF BSR,IRP0 ; 访问后 256BYTE 地址 CLRF FSR0 ; 即 RAM 的地址为 100H CLRF IND0 ; (100H)= 0 问题 34. 上电后没清零 SRAM 会有什么影响?MCU 上电后在哪个阶段清零 SRAM? 解答 : 不同型号的 MCU,SRAM 掉电记忆维持的时间有所区别 当 MCU 的工作电压低于额定最低正常工作电压时,MCU 进入掉电复位状态, 但只要 MCU VDD 的电压未等于 0V 时,SRAM 中的数据仍有存在的可能 SRAM 没有在合适的时间清除, 在以下情况下可能存在影响 : 情况 1: TEMP EQU 80H ; 假设 TEMP 是 80H 地址的数据寄存器 FLAG EQU 01H ; 假设 FLAG 是位于 BIT 1 的一个标志位 LABEL0: BTFSS TEMP, FLAG GOTO LABEL1 ; TEMP1 = 0 GOTO LABEL2 ; TEMP1 = 1 CALL CLEANSRAM ; 调用清 SRAM 子程序 在情况 1 中, 假如 LABEL0 在上电和正常的程序中均有被调用的可能, 则理论上, 上电后 TEMP 应为 0, 判断 FLAG 位之后应该跳转到 LABEL1 但是, 不良的上电环境可能导致 SRAM TEMP 寄存器在上电后, 数值不为 0, 从而误跑到 LABEL2 的程序中去 第 27 页, 共 53 页

28 情况 2: TEMP EQU 80H ; 假设 TEMP 是 80H 地址的数据寄存器 FLAG EQU 01H ; 假设 FLAG 是位于 BIT 1 的一个标志位 ORG 000H NOP NOP GOTO MAIN ORG 004H ; 中断入口地址 GOTO INTERRUPT INTERRUPT: PUSH ; 此处假设定时器 0 每 100us 进入中断一次 BTFSS TEMP, FLAG GOTO LABEL1 ; TEMP1 = 0 GOTO LABEL2 ; TEMP1 = 1 LABEL1: GOTO EXIT_INTER LABEL2: GOTO EXIT_INTER EXIT_INTER : POP RETFIE MAIN: ; 开启定时器 0 中断, 设置定时器 0 进中断时间为 100us ; 其他程序段 ; 从开启定时器到此处累计执行指令的时间超过 100us CALL CLEANSRAM ; 调用清 SRAM 子程序 第 28 页, 共 53 页

29 在情况 2 中, 定时器 0 进入中断, 在上电清除 SRAM 之前, 则理论上, 上电后 TEMP 应为 0, 判断 FLAG 位之后应该跳转到 LABEL1 但是, 不良的上电环境可能导致 SRAM TEMP 寄存 器在上电后, 数值不为 0, 从而误跑到 LABEL2 的程序中去 为了防止情况 1 和情况 2 的出现, 建议在 MCU 上电初始化时, 马上对 SRAM 进行清零操作 并且清零操作需安排在中断打开前以及判断 SRAM 数据之前 问题 35. CSU8RP3119B 代码选项中移动电源选项和限流功能的使用说明解答 : CSU8RP3119B 针对软三合一移动电源方案, 特别在芯片中增加了移动电源选项和限流功能 打开移动电源选项就是把 PT3.4 和 PT5.1 内接 10K 下拉电阻,PT1.0 内接 1K 下拉电阻, PT1.3 内接 400K 下拉电阻 打开限流功能, 即可把 PT1.1 PT1.4 PT1.5 的 Ioh 电流可配置为小电流 即使在代码选项中禁止移动电源选项和禁止 PT1.1 PT1.4 PT1.5 限流功能, 如下图 : 但是芯片上电的瞬间, 移动电源选项和限流功能中这些 I/O 口的上 下拉和限流电阻默认是 接通的, 只有上电完成后, 移动电源选项和限流功能才会被禁止 所以如果方案中本身没有 用到移动电源选项和限流功能, 建议在电路设计时, 考虑 I/O 口的规划, 避开出现以下问题 : 如下图所示 : 用 PT1.0 口驱动 LED 灯, 正常时 PT1.0 口为低电平时,LED 灯亮,PT1.0 口为高电平时,LED 灯灭 由于上电时 PT1.0 口默认内接 1K 下拉, 造成上电过程中 ( 近 98MS), LED1 一直常亮 [ 常态上电 LED1 不会亮 ] PT1.0 驱动 LED1 示意图 第 29 页, 共 53 页

30 问题 36. 如何避免因系统启动 PWM 对 AD 检测带来的干扰解答 : 系统在启动 PWM 时, 会导致 VDD 波动很大 这时也会使内部基准电压偏差较大 此时 AD 检测的值误差较大 所以在方案应用中, 程序应尽量避开这段时间 应在系统电压稳定后 ( 例 : CSU8RP3119B 在移动电源应用中, 稳定时间大于 15ms), 再启动 AD 检测 不同的芯片在不同的应用中会有差异, 具体时间以实测为主 问题 37. 针对方案中外部 Vref 参考电压大于芯片 VDD 电压的处理方法 [ 适用于移动电源 等类似的方案 ] 解答 : 芯片规格中有明确指出, 外部 Vref input range 的范围为 0~ VDD, 如下图所示 : 若在方案应用中外部 Vref 参考电压大于芯片 VDD 电压, 则 AD 的测试精度会急剧下降, 偏差变得非常大 如果方案中, 外部 Vref 参考电压大于芯片 VDD 电压, 要通过外围电路用电阻分压的方式使输入的参考电压控制在 VDD 电压范围之内 如下图所示, 若电池 BAT 的电压高于芯片 VDD 的电压值, 不能直接把电池接到 PT3.0 口上, 否则测试的 A/D 数值偏差会非常大 为了保证睡眠时, 不会在 R1 和 R2 上产生大的静态电流, 故两个电阻不能选得太小 105 VDD 1 VDD U4 VSS 14 UGND 2 P15/XIN/IT1 P34/AIN P14/XO/IT1P33/AIN3 P13/RST/IT1 P32/AIN2 P51/BZ/P3 P31/AIN1 P50/BZ/P2 P30/A0/VR P11/IT1/T3 P10/IT0/T Vref C8 104 BAT+ R1 100K R2 100K CSU8RP3119B UGND 第 30 页, 共 53 页

31 问题 38. 控制互补 PWM 輸出的编程注意事项 [ 适用于移动电源等类似的方案 ] 解答 : 在控制芯片互补 PWM 輸出时, 除了对 PWM 的輸出口进行选择, 还需要对 PWM 的死区时间进行配置, 程序员可以通过控制 PWM 正宽频或 PWM 周期来调整 PWM 的輸出 如 :CSU8RP3119B 的 TM3CON2 寄存器可以使能互补的 PWM 輸出, 选择 PWM 互补輸出口, 配置互补 PWM 的死区时间, 当程序中设置好 TM3R 的值时, 只需要调整 TM3IN 的数值, 就可以控制 PWM 负宽频的宽度, 当 TM3IN 的值在递增或递减后, 要把 TM3CON 中的 T3RSTB 位清 0, 让 TM3CNT 复位 否则, 当 TM3IN=10 并且 TM3CNT=9 时, 由于 PWM 周期的调整,TM3IN 减 1, 造成 TM3IN=9, 而 TM3CNT 又刚好加到 10 了, 这样造成 TM3CNT 会一直累加到 0xFFF 后才复位,TM3CNT>10 这段时间 PWM 輸出会断开, 造成 PWM 调整不稳定 程序写法如下 : INCF TM3IN,1 BCF TM3CON,T3RSTB ; 复位 TM3CNT RETURN 问题 39. EEPROM 在失效后 ( 比如达到擦写次数 ), 还能再操作吗? 解答 : 失效后数据随机, 即使失效后能成功改写数据, 也无法保证是否容易丢失 所以 EERPOM 擦写次数达到规定后, 不建议再进行 EEPROM 的操作 问题 40. 堆栈溢出, 新入堆栈数据是覆盖第一个入栈数据吗? 解答 : 是去除第一个入栈的数据, 其他的数据往下压 问题 41. ADDPCW 低 8 位溢出时, 是否会自动进位? 解答 : 例如 (pc=0x1fb) MOVLW 0X0F ADDPCW 结果是 pc=0x20b, 有向高字节进位 问题 42. 为什么 CSU8RF211X 系列产品在中断程序中判断外部中断 1 异常? 解答 : 根据用户手册中第 11 页的描述, 第 31 页, 共 53 页

32 烧录器 外部中断 1 的标志位不可读, 所以在中断程序中不能通过判断外部中断 1 的标志位来确定是 否外部中断 1 唤醒睡眠 建议先识别其他的中断, 若其他所有中断均不是, 则可确认为是外部中断 1 触发 2 烧录器 问题 1. 安装完烧录器安装包后, 电脑提示发现新的硬件向导怎么办? 解答 : 在安装路径下, 找到 X:\XX\CSWrite\CSWrite VX.X.X\USB DRIVER\USB_Interrupt, 直到 [ 确定 ] 按钮从灰色变成黑色, 电脑系统会自动帮你重新加载烧录器的驱动后, 就可以直接使用烧录器了 问题 2. 如何使用离线烧录器烧录芯片? 解答 : 通过 CSWrite 上位机软件, 把烧录文件通过 USB 接口直接发送给离线烧录器, 并且存储在烧录器的 E2PROM 中, 然后就可以脱机烧录了 [ 步骤为 :OPEN( 加载烧录文件 )------LOAD( 向烧录器 E2PROM 写入要烧录的代码 )-----READ ONLINE BUFFER( 读取烧录器 E2PROM 中的数据 )------OMPARE( 比对原烧录代码和 E2PROM 中的代码 ), 如果提示 THE SAME 则下载程序 OK, 否则重新 LOAD 程序 ] 问题 3. 如何才能读出被烧录过的芯片程序? 解答 : 把烧录器通过 USB 连接到电脑上, 选择被读芯片对应的型号, 然后点 READ 读取就可以在上位机对话框中看到芯片的代码, 若想对比读出来的代码和原烧录代码是否一致, 可以在连接电脑后, 先加载原烧录代码并显示在 Source 对话框中, 然后点 READ 读出芯片的代码显示在 READ 框中, 然后用 COMPARE 作比对 问题 4. 离线烧录器载入的程序是否可以被读出? 第 32 页, 共 53 页

33 烧录器 解答 : 把烧录器通过 USB 连接到电脑上, 选择 READ ONLINE BUFFER, 就可以在 READ 框中看到烧录器 E2PROM 中的代码了, 若想对比读出来的代码和原烧录代码是否一致, 可以在连接电脑后, 先加载原烧录代码并显示在 Source 对话框中, 然后点 READ ONLINE BUFFER, 读出芯片的代码显示在 READ 框中, 然后用 COMPARE 作比对 问题 5. 怎么样来进行烧录器的自我检测? 解答 : 烧录器报 ERR-01 : 1. 烧录小板型号不对 2. 烧录座错位或者烧录芯片错位 3. 烧录芯片放置颠倒 4. 烧录机台卡针接触不良 烧录器报 ERR-02: 1. 烧录芯片型号错误 2. 烧录芯片 ID 已更改, 或者是旧版本的芯片 烧录器报 ERR-12 烧录器的限制次数已经到了 烧录器报 Err-14 烧录器烧录电压 (VPP 和 VCC) 超出限制范围 用 MODE 键的 FUN-00 来查询所有烧录电压 的值 显示值与实际值相差 0.1V 左右 出现下图的错误, 应该在以下几个方面排查 : 1. USB 连接接触不良 第 33 页, 共 53 页

34 烧录器 2. 烧录器的需要重新驱动 ( 在安装路径下, 找到 X:\XX\CSWrite\CSWrite VX.X.X\ USB DRIVER\USB_Interrupt, 直到 [ 确定 ] 按钮从灰色变成黑色, 电脑系统会自动帮你重新加载烧录器的驱动后, 就可以直接使用烧录器了 ) 3. 用 BUS_HOUND 工具来捕捉烧录器和 PC 机间有无通讯, 判断是否是上位机没有下发数据或烧录器没有上传数据 问题 6. 离线烧录器上没有烧录转接板的情况下, 怎么样来烧录芯片? 解答 : 当烧录器上没有烧录转接板的情况下, 可以通过以下几种方式来烧录 : 如下图 : 1. 直接从烧录器上 HEADER 10 的 10 根母座排针上拉线出来烧录 ( 根据烧录型号来连接烧录口线 ) 2. 由于烧录器上 HEADER 20X2 的双排母座排针和绿色烧录转接座是对应的,HEADER 20X2 的 1 2 对应绿色转接座的最上面一排, 如果把芯片放置在烧录转接座来烧录的话, 可以直接从 HEADER 10 这边连线到 HEADER 20X2 上面, 具体的连接方法以 CSU8RF3221 芯片为例, 只要把 VCC/GND/VS/DA/CLK 连接上 CSU8RF3221 的相对应的引脚上就可以了 第 34 页, 共 53 页

35 烧录器 *CSU8RF311X/CSU8RF322X/CSU8RF342X 系列的 MCU 在烧录的时候, 一定要记得从 VS 脚拉线到 P3.0 口进行内部 1.4V 参考电压的校准 第 35 页, 共 53 页

36 烧录器 问题 7. 为什么裸片的烧录无法正常导入 HEX 档? 解答 : MCU 系列产品的裸片, 在建立工程文件时, 请选择末位为 B 的目标器件 如下图所示, 若所用的芯片为 CSU8RF3223 的裸片, 则应当选择 CSU8RF3220B 同理, 若所用的芯片为 CSU8RF2112 的裸片, 则应当选择 CSU8RF2110B 这样编译出来的 HEX 档就可以用于裸片的烧录 如果工程文件已存在, 并且目标器件在工程文件建立时没有选择相匹配的型号 那么, 根据下图的方法重新设置目标器件并编译 在图中我们可以看到当前工程的目标器件为 CSU8RF3223, 此时可在红色方框处右键, 在弹出的菜单上选择 目标器件设置 以选择正确的型号 设置完毕之后对工程文件重新进行编译即可生成裸片 CSU8RF3223 的烧录 HEX 档 第 36 页, 共 53 页

37 烧录器 完成 HEX 档的生成之后, 若采用离线烧录器进行烧录, 同样的, 在导入的过程中需要选择对 应的 B 结尾的型号 问题 8. 离线烧录器与烧录机怎么连接? 解答 : 烧录器连接烧录机台时, 10PIN 连接口脚位 (Program Port) 如下 : 上排针从左至右分别为 GND NC NC +5V +5V 下排针从左至右分别为 OK FAIL BUSY KEY GND 问题 9.WIN 7 WIN8 系统下如何安装离线烧录器的驱动文件? 解答 : WIN 7 WIN8 系统有 2 种版本 :32 位与 64 位 WIN7-32 位系统 WIN8-32 位系统驱动程序 : WIN7-32 位系统的 USB 驱动与 XP 系统的驱动一致, 位于安装目录下 USB DRIVER 文件夹内 USB_Interrupt 文件夹中 WIN7-64 位系统 WIN8-64 位系统驱动程序 : 1 文件夹 CS-Write V1.2.2 版本以上安装目录下的 USB DRIVER 文件夹中存放有 win7_64usbdriver 2 离线烧录器连接电脑的 usb,win7 系统会自动装上 usb 驱动, 但此时还不能用如下图 : 第 37 页, 共 53 页

38 烧录器 点击 Silabs C8051F340 USB Board 右键选择 更新驱动程序软件, 选择 浏览计算机以查找驱动程序软件, 选择 从计算机的设备驱动程序列表中选择, 然后按照以下图示依次进行操作 第 38 页, 共 53 页

39 烧录器 第 39 页, 共 53 页

40 烧录器 到目前为止, 64 位系统已经装上了烧录器的 USB 驱动, 但该驱动没有经过数字签名, 而 64 位系统装驱动都要经过数字签名的驱动才能装得上 所以, 为了使用不经过数字签名的驱动采取如下方法 : Win7-64 位系统进入 禁用数字签名模式 的方法如下步骤 : 在开机前按 F8/Fn+F8 进入模式选择页面 第 40 页, 共 53 页

41 烧录器 选择 禁用驱动程序签名强制, 按回车键确定即可 进入桌面后显示下图 : 上图表示 WIN7-64 位系统 USB 驱动安装成功, 可以使用离线烧录器开展烧录动作 注意 : 关机重启后还会默认不开启 禁用驱动程序签名强制 功能, 所以每次使用时都要 F8 进行选择 Win8-64 位系统装驱动的方式如上, 同样是选择 win7_64usbdriver 文件夹中驱动文件, 装完驱动后, 重启进入禁用数字签名模式 Win8 64 位系统进入 禁用数字签名模式 的方法如下步骤 : 鼠标放在屏幕的右下角或右上角, 出现如下图 : 第 41 页, 共 53 页

42 烧录器 点击设置后如下图 点击 更改电脑设置 第 42 页, 共 53 页

43 烧录器 选择 更新和恢复 后, 选择 恢复 ( 有些系统在 常规 里找到高级启动项 ) 点击立即重启 第 43 页, 共 53 页

44 烧录器 选择疑难解答, 之后选择启动设置 第 44 页, 共 53 页

45 烧录器 然后按 7 或 F7 进入 禁用驱动程序强制签名 模式启动系统即可 第 45 页, 共 53 页

46 仿真器 3 仿真器 问题 1. 为什么在烧录的时候没能找到对应的产品型号或弹出的烧录选项与用户手册不一致? 解答 : 产生该问题的原因有如下 2 个 1 我司不断推出不同系列的 MCU SOC 产品, 仿真器需要及时更新固件, 才能仿真及烧录不同类型的芯片 自 CSU8ASM-IDE V1.2.3 版本开始, 我司新版仿真器 CSU-ICE 具有在线升级的功能 当本次使用产品与上次所使用产品不在同一个系列或者为新安装使用时, 例如上次使用的为 CSU8RF311X 系列的产品, 本次要烧录的文件为 CSU8RF211X, 若没有确定好编译的型号或跳过编译和在线仿真的过程, 直接点击烧录按钮进入烧录界面, 则可能出现没有所要烧录的产品型号或烧录选项异常的现象 如果上次使用的是产品是 CSU8RF2112, 本次使用的产品时 CSU8RF2111, 它们属于同一个系列的产品, 那么使用过程可以跳过以上的 在线仿真 步骤 正确的烧录流程如下所示 在上图 1 处点击鼠标右键, 再点击 目标器件设置, 选择所要编译的产品型号 确定型号之后按下上图 2 处进行编译 完成之后点击菜单栏 ( 图 3 处 ) 调试, 点击 调试设置 点选 在线仿真 然后按 确定 返回主界面 ; 紧接着点击图中 4 处的 Debug( 调试 ) 按钮 假如本次使用的产品与上次的不属于同一系列的产品, 则会弹出以下所示的硬件自动升级窗口 完成升级后进入在线仿真界面再退出回到主界面, 则硬件更新工作完成 最后点击上图 5 处, 进行烧录即可 第 46 页, 共 53 页

47 仿真器 2 较早期的仿真器, 没有在线升级的功能, 可能不支持新版本的 MCU 及 SOC 若硬件版本较低, 如 v1.0.8,v1.0.9 等, 请与我司工作人员联系进行一次硬件升级或更换新版本的的仿真器 硬件版本号的查看方法如下 : 在打开一个工程文件之后, 将仿真器与电脑连接完毕并打开开关 设置目标器件 编译 设置在线仿真 点击 Debug( 调试 ) 按钮, 正确设置完烧录信息后可进入在线仿真界面 最后查看仿真界面的左下角, 如下图所示, 仿真器版本号 :1.2.2 即为硬件版本号 判断是否为早期仿真器的第二个方法是 : 令本次进入在线仿真的产品与上次所用的不同, 若进入在线仿真的过程中没有弹出 Update FPGA 的硬件升级窗口, 则有很大的可能为早期版本 仿真器按照 1 中的操作未能正常弹出 Update FPGA 的硬件升级窗口还有另外一个原因 仿真器的底板上的 8312 调试接口中间的两根插针被短接 将短接该两根插针的线材去除 ( 见下页图 ), 若仿真器不是较早期的版本, 则可正常升级, 若是早期版本的仿真板, 则仍然不可以正常升级 第 47 页, 共 53 页

48 仿真器 若这两插针未被 短接且仿真板正 常, 则可升级 问题 2. 每次安装完新的 IDE, 需要对仿真器做什么操作? 解答 : 每次安装完新的 IDE, 安装包中的仿真器固件时序均会有所升级 但安装完新的 IDE 并非代表与 PC 相连接的仿真器的内部已更新到最新的时序 假设仿真器在 IDE 更新前, 使用的版本为 V1.0, 调试的工程项目是 CSU8RF2111; 在安装完新的 IDE( 版本为 V2.0) 之后, 仍然调试的工程项目是 CSU8RF2111; 那么现在仿真器内部的固件时序仍然为 V1.0 版本的 CSU8RF2111 的固件时序 若要将仿真器中的固件时序更新到最新版本的时序, 请按照上述仿真器问题 1 中所述 1 的步骤进行 若无法正常升级, 请参照仿真器问题 1 中的 2 进行问题定位 问题 3. 为什么在烧录的时候没有弹出代码设置选项? 解答 : 采用仿真器进行烧录的过程中,IDE 未弹出代码选项窗口, 原因有两个 1IDE 有 BUG, 该类型事件出现的概率较小 ; 2 仿真器中的固件时序不是最新的, 并且版本相差较远, 详细仿真板固件更新的步骤可参考按照上述仿真器问题 1 中所述 1 的步骤进行 若无法正常升级, 请参照仿真器问题 1 中的 2 进行问题定位 问题 4. 为什么按照更新固件的步骤进行仿真器固件的升级却没有看到 UPDATE FPGA 的进度框? 解答 : 请参照仿真器问题 1 中的 2 进行问题定位 问题 5. 如何将仿真板的烧录线外接? 芯片贴到目标板上能被正常烧录吗? 解答 : 仿真器的底板如下图所示 首先, 请找到烧录接口 接着, 请查阅芯片用户手册烧录时所用到的引脚 例如 CSU8RF311X 系列产品烧录所用引脚 第 48 页, 共 53 页

49 仿真器 如下表 端口名称 VDD VSS PDA PCL VS 说明输入输入 PT1[4] 输入 / 输出 PT1[5] 输入 PT3[0]AD 校正信号线 表烧录接口说明 最后根据下图, 对相关引脚进行连接即可 采用仿真板对大多数 MCU( 除 CSU8RP3424 CSU8RP3425 CSU8RP3426 CSU8RP3427 CSU8RP3429 外 ) 进行烧录时, 不需要连接 VS 脚 ( 注 : 所有的 MCU 芯片, 若在烧录模块一节标注有 VS 线连接脚, 则在用离线烧录器对芯片进行烧录时, 需连接 VS 脚 ) 除上述提到的 5 款芯片外, 其他芯片按照下图连接相关的线, 可正常烧录 第 49 页, 共 53 页

50 仿真器 CSU8RP3424 CSU8RP3425 CSU8RP3426 CSU8RP3427 CSU8RP3429 这 5 款型号的芯片在仿真板上的引线跟其他的芯片有所不同, 需要再仿真小板上进行引线 同时在烧录的过程中还需要连接 VS 线, 该线与 AD 校正有关, 线材不宜太长, 且须保持接触良好! 具体引线的地方如下示意图的烧录输出接口 CON5, 同时该小板须正确安装在仿真底板上, 并将底板的烧录接口与下图中仿真小板的烧录输入接口 CON1 进行连接 上图烧录输出接口 CON5 从左到右依次是 : VS GND VCC PCLK PDA VPP 在烧录过程, 若被贴到目标板的 MCU 的相关引脚接有电容或其他元器件, 则可能会导致烧录不能顺利完成 问题 6. 为什么在仿真时有时出现无法跳到指定断点或仿真过程中功能异常的现象? 解答 : 通常情况下, 请先升级仿真器的固件时序 详细操作见问题 1 第二, 请保障 USB 线连接的有效性, 检查 USB 线与 PC 和仿真器的连接中是否有出现松动 第三, 如果仿真器仅连接了 USB 线, 请为仿真器接 9V 电源, 增强仿真器的供电能力 第 50 页, 共 53 页

51 仿真器 问题 7. 为什么 CSU8ASM 仿真器在 Win7 环境下自动安装驱动会导致仿真异常? 解答 : 在 Win7 系统升级之后, 有时会发现 CSU8ASM 仿真器出现仿真异常, 如全速运行不到断点 处 ( 断点设置是理论上是可以跑到的 ) 全速程序跑飞等 分析步骤 : 1) 查看仿真板是否异常 使用其他的电脑 ( 未升级 ) 与仿真板连接正常, 测试用例能正常的实现单步 全速的等, 排除仿真板的问题 2) 查看电脑是否异常 使用仿真板与 PC( 升级过系统 ) 连接正常, 但是仿真异常, 如上描述 3) 查看 USB 驱动版本, 若不是安装包里面的自带的 Win7 驱动版本, 则是驱动的兼容问题 解决办法 : CSU8ASM 仿真板与 PC 连接之后, 驱动版本信息可以在设备管理器查看, 如下图, 右键点击 端口 (COM 和 LPT), 可以看到 驱动程序的 的相关信息, 下图信息是 CSU8ASM-IDE 安装包自带的驱动, 可以发现版本是 如果仿真异常, 发现驱动版本不是 版本, 解决办法是卸载当前的 USB 驱动, 然后再自定义重新安装驱动 安装步骤 : 第 51 页, 共 53 页

52 仿真器 1) 卸载了之前的 USB 驱动之后, 把 USB 线与 PC 断开, 再重新连接的时候 Win7 会自动扫描右下角会显示 正在安装驱动程序 ( 这个就是自动安装最新版本 USB 的原因 ), 此时查看如下图, 点击 跳过从 Windows Update 获得驱动程序软件, 然后点击确定 此时右下角显示 驱动未能正常安装 2) 手动安装驱动 直接到 CSU8ASM-IDE 安装目录下的驱动文件夹, 比如安装在 C 盘 : C:\Program Files\chipsea\CSU8ASM\CSU8ASM IDE V1.4.5\USB DRIVER\FTDI USB\win7, 双击运行 CDM20814_Setup.exe, 在驱动安装的过程中会出现如下界面, 等该界面自动退出, 驱动则安装完毕 第 52 页, 共 53 页

53 仿真器 问题 8. 为什么 IDE 的中文复制到办公软件中为乱码, 文本的中文复制到 IDE 为?? 解答 : 该问题主要由系统编码的问题引起 解决方法 : 将系统右下角的输入法设置, 设定为 CN 样式的中文输入法, 之后进行复制操作, 即可解决该问题 通常情况下, 如果设定为 EN- 美式键盘, 在该键盘输入法的环境下复制, 会导致乱码的出现 问题 9. 宏定义时 A EQU 2 ; B EQU A*10 像这样的定义是否有效? 解答 : 暂不支持上述类型的定义 第 53 页, 共 53 页