GaAs MMIC 芯片 1.1 单片集成功分器 型号工作频率功能描述 插损隔离度回波损耗 (db) (db) (db) 尺寸 页 码 YTGF-0P5/1P5 0.5~1.5 0 o 2 路 *1.3mm 1 YTGF-01/03 1.0~3.0 0 o 2 路 0.8

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1 GaAs MMIC 芯片 1.1 单片集成功分器 型号工作频率功能描述 插损隔离度回波损耗 (db) (db) (db) 尺寸 页 码 YTGF-P5/1P5.5~1.5 o 2 路.9 1.5*1.3mm 1 YTGF-1/3 1.~3. o 2 路.8 1.5*1.2mm 3 YTGF-2/6 2.~6. o 2 路.8 1.3*1.mm 5 YTGF-2/18 2.~18. o 2 路 *2.mm 7 YTGF-3/9 3.~9. o 2 路.7 1.2*1.mm 9 YTGF-6/18 6.~18. o 2 路.8 1.*.85mm 11 YTGF-8/12 8.~12. o 3 路.7 1.5*1.5mm 13 YTGF-12/26P5 12.~26.5 o 2 路.7 1.5*2.mm 单片集成低通滤波器 型号通带频率功能描述 回波 插损 带外衰减 损耗 (db) (db) (db) 尺寸 页 码 YTLF-1T DC~1. 低通滤波器.9@.5GHz; 1.9@1.GHz 22@1.6GHz; 4@2.~16 GHz 1.5*.75mm 21 YTLF-1P5T DC~1.5 低通滤波器.87@1.GHz; 1.5@1.5GHz 22@2.3GHz; 4@2.6~11 GHz 1.5*.75mm 22 YTLF-2T DC~2. 低通滤波器.85@1.5GHz; 1.4@2.GHz 22@2.3GHz; 4@2.6~11 GHz 1.5*.75mm 23 YTLF-2P5T DC~2.5 低通滤波器.9@2GHz; 1.4@2.5GHz 2@3.9GHz; 4@4.8~2 GHz 1.5*.75mm 24 YTLF-3T DC~3. 低通滤波器 1.@2.5GHz; 1.2@3GHz 22@4.6GHz; 4@5.2~17 GHz 1.5*.75mm 25

2 YTLF-3P5T DC~3.5 低通滤波器 GHz 1.5*.7mm 26 YTLF-4 DC~4. 低通滤波器 *.7mm 27 YTLF-4T DC~4. 低通滤波器 *.7mm 28 YTLFT DC~ GHz 1.3*.7mm 29 YTLF-6 DC~6. 低通滤波器 GHz 1.5*.7mm 3 YTLF-6T DC~6. 低通滤波器 1.@5GHz; 1.7@6GHz @7.7GHz; 4@8.3~23 GHz 1.3*.75mm 31 YTLF-7 DC~7. 低通滤波器 1.1@6GHz; 1.6@7GHz 23@9.5GHz; 4@11.4GHz 1.5*.7mm 32 YTLF-8 DC~8. 低通滤波器 1.3@7GHz; 1.8@8GHz 23@1.3GHz; 4@12.3 GHz 1.5*.7mm 33 YTLF-9 DC~9. 低通滤波器 1.2@8GHz; 1.6@9GHz 2@12.3GHz; 4@14.6 GHz 1.2*.7mm 34 YTLF-1 DC~1 低通滤波器 1.2@9GHz; 2.1@1GHz 2@12.5GHz; 4@14.8 GHz 1.3*.7mm 35 YTLF-12 DC~12 低通滤波器 1.3@11GHz; 2.5@12GHz 2@14.7GHz; 4@17.2GHz 1.3*.75mm 36 YTLF-14 DC~14 低通滤波器 1.5@13GHz; 2.1@14GHz 2@17.3GHz; 4@2.2GHz 1.2*.75mm 37 YTLF-16 DC~16 低通滤波器 1.6@15GHz; 2.5@16GHz -21 2@19.5GHz; 4@22.7GHz 1.*.5mm 38 YTLF-19 DC~19 低通滤波器 1.4@18GHz; 2.5@19GHz 2@22.7GHz; 4@26.5GHz 1.2*.7mm 单片集成高通滤波器 型号通带频率功能描述插损回波损耗带外衰减尺寸页

3 (db) (db) (db) 码 YTHF-2T 2~18 高通滤波器 GHz 1.5*.75mm 4 YTHF-3T 3~18 高通滤波器 1.5@3.GHz;.8@4.GHz 25dB@1.9GHz; 48@1.7 GHz 1.5*.75mm 41 YTHF-4T 4~2 高通滤波器 2.1@4.GHz; 1.1@5.GHz 2dB@3.1GHz; 4@2.8 GHz 1.5*.75mm 42 YTHFT 5~3 高通滤波器 1.8@5.GHz; 1.1@6.GHz 22@3.6GHz; 43@3.2 GHz 1.5*.75mm 43 YTHF-6T 6~3 高通滤波器 1.8@6.GHz; 1.1@7.GHz 22@3.6GHz; 43@3.2 GHz 1.2*.75mm 44 YTHF-7T 7~3 高通滤波器 1.4@7.GHz; 1.@8.GHz 22@5.GHz; 41@4.4 GHz 1.2*.75mm 45 YTHF-8T 8~3 高通滤波器 1.8@8.GHz; 1.3@9.GHz 21@6.5GHz; 4@6.2 GHz 1.5*.75mm 46 YTHF-9 9~3 高通滤波器 1.35@9.GHz; 1.35@1.GHz 21@6.GHz; 4@4.8 GHz 1.2*.75mm 47 YTHF-1 1~3 高通滤波器 1.4@1.GHz; 1.2@11.GHz 21@6.8GHz; 4@5.4 GHz 1.5*.75mm 单片集成幅度均衡器 型号工作频率均衡类型 均衡量插损回波损耗 (db) (db) (db) 尺寸 页 码 YTJH-1/2-2 1~2 负斜率型 2* *1.mm 54 YTJH-1/2-3 1~2 负斜率型 3* *1.mm 55 YTJH-1/6-3P5 1~6 负斜率型 *.85mm 56 YTJH-1/8-4 1~8 负斜率型 *.85mm 57

4 YTJH-2/4-3 2~4 负斜率型 *.85mm 58 YTJH-2/4-4 2~4 负斜率型 4.6.8*.85mm 59 YTJH-2/18-8 2~18 负斜率型 *.85mm 6 YTJH-6/12-3 6~12 负斜率型 *.85mm 61 YTJH-6/18-3 6~18 负斜率型 *.85mm 62 YTJH-6/18-4 6~18 负斜率型 *.85mm 63 YTJH-6/18 6~18 负斜率型 *.85mm 64 YTJH-6/18-6 6~18 负斜率型 *.85mm 65 YTJH-8/12-2 8~12 负斜率型 *1.mm 66 YTJH-8/12-3 8~12 负斜率型 *1.mm 67 YTJH-8/12-4 8~12 负斜率型 *.85mm 单片集成宽带固定 / 可选衰减器 型号 衰减量 衰减精度 回波损耗 衰减精度 回波损耗 2-4 DCGhz DCGhz (db) GHz 尺寸 页 码 YTGS- ±.2-2 ±.8 2.5*.5mm 69 YTGS-P5.5 ±.2 2 ±.5 2.5*.5mm 7 YTGS-1 1 ±.2 2 ±.6 2.5*.5mm 71 YTGS-2 2 ±.3 25 ± *.5mm 72 YTGS-3 3 ±.2 23 ± *.5mm 73 YTGS-4 4 ±.3 2 ± *.5mm 74 YTGS 5 ±.4 2 ± *.5mm 75 YTGS-6 6 ±.2 2 ± *.5mm 76 YTGS-8 8 ±.4 2 ± *.5mm 77 YTGS-1 1 ±.3 2 ± *.5mm 78 YTGS 15 ±.7 2 ± *.5mm 79

5 YTGS 2 ±.8 18 ± *.5mm 8 YTGS-P5//1 YTGS-1//2 YTGS-1P5//3 YTGS-2//4 YTGS-3//5 /.5/1 可选 /1/2 可选 /1.5/3 可选 /2/4 可选 /3/5 可选 ±.1 25 ± *.5mm 81 ±.2 25 ± *.5mm 83 ±.2 25 ± *.5mm 85 ±.2 25 ± *.5mm 87 ±.2 22 ± *.5mm GaAs MMIC 驱动放大器芯片 型号 工作频率 输入功率 dbm 输出回波损耗插损输入回波损耗 (db) (db) (db) 尺寸 页 码 YT451 5~ *1.4mm

6 YTGF-P5/1P5 GaAs 单片二功分器,.5~1.5GHz 性能特点通带频段 :.5~1.5 GHz 通带损耗 :.9 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.5mmx1.3mm x.1mm YTGF-P5/1P5 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采用了片上通 孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了金属化处理, 适 合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) S21 S31 插入损耗 S O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 回波损耗 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 1

7 YTGF-P5/1P5 GaAs 单片二功分器,.5~1.5GHz 极限参数 最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5ohm 传输线 5 ~ DP5-1P5 1 3 DP5-1P 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形 键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合 时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 2

8 YTGF-1/3 GaAs 单片二功分器,1~3GHz 性能特点通带频段 :1~3 GHz 通带损耗 :.8 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.5mmx1.2mm x.1mm YTGF-1/3 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) S21 S31 插入损耗 S O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 回波损耗 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 3

9 YTGF-1/3 GaAs 单片二功分器,1~3GHz 极限参数 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型 最高输入功率 +3dBm 的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) -65 ~+15 5 ~ 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操.6 1 D1-3 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶 1. 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 5ohm 传输线 2 1 D1-3 3 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 4

10 YTGF-2/6 GaAs 单片二功分器,2~6GHz 性能特点通带频段 :2~6 GHz 通带损耗 :.8 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.3mmx1.mm x.1mm YTGF-2/6 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 S21 S31 插入损耗 回波损耗 S33 1. 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 5

11 YTGF-2/6 GaAs 单片二功分器,2~6GHz 极限参数最高输入功率 1. +3dBm -65 ~+15 5 ~ 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤.5 1 D2-6 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操 作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 1. 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 5ohm 传输线 2 1 D2-6 3 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 6

12 YTGF-2/18 GaAs 单片二功分器,2~18GHz 性能特点通带频段 :2~18 GHz 通带损耗 :1.4 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :2.25mmx2.mm x.1mm YTGF-2/18 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 S21 S31 插入损耗 回波损耗 S33 1. 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 7

13 YTGF-2/18 GaAs 单片二功分器,2~18GHz 极限参数 最高输入功率 +3dBm 5ohm 传输线 -65 ~+15 5 ~ D D 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 3 功能描述.16 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 8

14 YTGF-3/9 GaAs 单片二功分器,3~9GHz 性能特点通带频段 :3~9 GHz 通带损耗 :.7 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.2mmx1.mm x.1mm YTGF-3/9 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 S21 S 插入损耗 S 回波损耗 1. 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 9

15 YTGF-3/9 GaAs 单片二功分器,3~9GHz 极限参数最高输入功率 +3dBm 5ohm 传输线 -65 ~+15 5 ~ D D 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型 的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 1. 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 1

16 YTGF-6/18 GaAs 单片二功分器,6~18GHz 性能特点通带频段 :6~18 GHz 通带损耗 :.8 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.mmx.85mm x.1mm YTGF-6/18 是一款砷化镓单片功分器芯片 该功分 器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易集 成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采用 了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了金 属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 S21 S 插入损耗 S 回波损耗 隔离度 (db) -1 相位 ( 度 ) 隔离度 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 11

17 YTGF-6/18 GaAs 单片二功分器,6~18GHz 极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~ D 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 1. 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 5ohm 传输线 2 1 D 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型 的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 12

18 YTGF-8/12 GaAs 单片三功分器,8~12GHz 性能特点通带频段 :8~12 GHz 通带损耗 :.7 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.5mmx1.5mm x.1mm YTGF-8/12 是一款砷化镓单片三功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C S21 S31 S 插入损耗 S33 S 三温插入损耗 回波损耗 S23 S24 S 隔离度 (db) -1 相位 (deg) phase(2,1)-phase(3,1) phase(2,1)-phase(4,1) phase(3,1)-phase(4,1) 隔离度 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 13

19 YTGF-8/12 GaAs 单片三功分器,8~12GHz 极限参数 最高输入功率 +3dBm 5ohm 传输线 -65 ~+15 5 ~ D D 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型 的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 1. 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 14

20 YTGF-12/18 GaAs 单片二功分器,12~18GHz 性能特点通带频段 :12~18 GHz 通带损耗 :.5 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.5mmx1.5mm x.1mm YTGF-12/18 是一款砷化镓单片二功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C 三温插入损耗 S21 S31 插入损耗 回波损耗 S33 1. 隔离度 (db) 隔离度 相位 (deg) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 15

21 YTGF-12/18 GaAs 单片二功分器,12~18GHz 极限参数最高输入功率 +3dBm 5ohm 传输线 -65 ~+15 5 ~ D D 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述.19 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 16

22 YTGF-12/26P5 GaAs 单片二功分器,12~26.5GHz 性能特点通带频段 :12~26.5 GHz 通带损耗 :.7 db 隔离度 :2dB 回波损耗 :db 芯片尺寸 :1.5mmx2.mm x.1mm YTGF-12/26P5 是一款砷化镓单片功分器芯片 该功 分器芯片具有插损小 隔离度高 体积小 重量轻 易 集成 等特点, 广泛应用于功率分配及合成 该芯片采 用了片上通孔金属化工艺保证良好的接地 背面进行了 金属化处理, 适合共晶烧结和导电胶粘接工艺 典型曲线 (T A =+25 ) O C 5 O C +125 O C S21 S31 插入损耗 S 插入损耗 回波损耗 隔离度 (db) 隔离度 相位 ( 度 ) 相位一致性 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 17

23 YTGF-12/26P5 GaAs 单片二功分器,12~26.5GHz 极限参数最高输入功率 +3dBm 5ohm 传输线 -65 ~+15 5 ~ 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 键合压点镀金, 压点尺寸 :.15mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合键合压点定义 压点 编号 功能 符号 功能描述 1 RFin RF 输入端口, 阻抗 5ohm 2 3 RFout RF 输出端口, 阻抗 5ohm GND 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 18

24 YTLF-1T GaAs 单片低通滤波器,DC~1GHz 性能特点 通带频段 :DC~1GHz 通带损耗 : 1.9dB 阻带衰减 : 22dB@1.6GHz 回波损耗 :db 4dB@2.-16.GHz YTLF-1T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-1T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 19

25 YTLF-1P5T GaAs 单片低通滤波器,DC~1.5GHz 性能特点 通带频段 :DC~1.5GHz 通带损耗 : 1.5dB 阻带衰减 : 22dB@2.3GHz 回波损耗 :db 4dB@ GHz YTLF-1P5T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该 滤波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特 点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯 片采用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简 单方便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-1P5T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 2

26 YTLF-2T GaAs 单片低通滤波器,DC~2GHz 性能特点 通带频段 :DC~2.GHz 通带损耗 : 1.4dB 阻带衰减 : 22dB@2.3GHz 回波损耗 :db 4dB@ GHz YTLF-2T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-2T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 21

27 YTLF-2P5T GaAs 单片低通滤波器,DC~2.5GHz 性能特点 通带频段 :DC~2.5GHz 通带损耗 : 1.4dB 阻带衰减 : 22dB@3.9GHz 回波损耗 :db 4dB@4.8.GHz YTLF-2P5T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该 滤波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特 点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯 片采用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简 单方便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-2P5T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 22

28 YTLF-3T GaAs 单片低通滤波器,DC~3GHz 性能特点 通带频段 :DC~3.GHz 通带损耗 : 1.2dB 阻带衰减 : 22dB@4.6GHz 回波损耗 :db 4dB@ GHz YTLF-3T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-3T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 23

29 YTLF-3P5T GaAs 单片低通滤波器,DC~3.5GHz 性能特点 通带频段 :DC~3.5GHz 通带损耗 : 1.3dB 阻带衰减 : 23dB@5.2GHz 回波损耗 :db 4dB@6.2-3.GHz YTLF-3P5T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该 滤波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特 点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯 片采用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简 单方便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-3P5T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 24

30 YTLF-4 GaAs 单片低通滤波器,DC~4GHz 性能特点 通带频段 :DC~4.GHz 通带损耗 : 1.8dB 阻带衰减 : 23dB@5.6GHz 回波损耗 :-21dB 4dB@6.8-3.GHz YTLF-4 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 25

31 YTLF-4T GaAs 单片低通滤波器,DC~4GHz 性能特点 通带频段 :DC~4.GHz 通带损耗 : 1.7dB 阻带衰减 : 23dB@5.2GHz 回波损耗 :-23dB 4dB@ GHz YTLF-4T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-4T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 26

32 YTLFT GaAs 单片低通滤波器,DC~5GHz 性能特点 通带频段 :DC~5.GHz 通带损耗 : 1.2dB 阻带衰减 : 23dB@6.9GHz 回波损耗 :-22dB 4dB@7.5.GHz YTLFT 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LFT 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 27

33 YTLF-6 GaAs 单片低通滤波器,DC~6GHz 性能特点 通带频段 :DC~6.GHz 通带损耗 : 1.4dB 阻带衰减 : 23dB@8.4GHz 回波损耗 :db 4dB@1-4.GHz YTLF-6 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 28

34 YTLF-6T GaAs 单片低通滤波器,DC~6GHz 性能特点 通带频段 :DC~6.GHz 通带损耗 : 1.7dB 阻带衰减 : 23dB@7.7GHz 回波损耗 :-22dB 4dB@ GHz YTLF-6T 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.3mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF-6T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 29

35 YTLF-7 GaAs 单片低通滤波器,DC~7GHz 性能特点 通带频段 :DC~7.GHz 通带损耗 : 1.6dB 阻带衰减 : 23dB@9.5GHz 回波损耗 :-22dB 4dB@11.4GHz YTLF-7 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 3

36 YTLF-8 GaAs 单片低通滤波器,DC~8GHz 性能特点 通带频段 :DC~8.GHz 通带损耗 : 1.8dB 阻带衰减 : 23dB@1.3GHz 回波损耗 :db 4dB@12.3GHz YTLF-8 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 31

37 YTLF-9 GaAs 单片低通滤波器,DC~9GHz 性能特点 通带频段 :DC~9.GHz 通带损耗 : 1.6dB 阻带衰减 : 2dB@12.3GHz 回波损耗 :db 4dB@14.6GHz YTLF-9 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.2mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 32

38 YTLF-1 GaAs 单片低通滤波器,DC~1GHz 性能特点 通带频段 :DC~1.GHz 通带损耗 : 2.1dB 阻带衰减 : 2dB@12.5GHz 回波损耗 :db 4dB@14.8GHz YTLF-1 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.3mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 33

39 YTLF-12 GaAs 单片低通滤波器,DC~12GHz 性能特点 通带频段 :DC~12.GHz 通带损耗 : 2.5dB 阻带衰减 : 2dB@14.7GHz 回波损耗 :db 4dB@17.2GHz YTLF-12 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.3mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 34

40 YTLF-14 GaAs 单片低通滤波器,DC~14GHz 性能特点 通带频段 :DC~14.GHz 通带损耗 : 2.1dB 阻带衰减 : 2dB@17.3GHz 回波损耗 :db 4dB@2.2GHz YTLF-14 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.2mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 35

41 YTLF-16 GaAs 单片低通滤波器,DC~16GHz 性能特点 通带频段 :DC~16.GHz 通带损耗 : 2.5dB 阻带衰减 : 2dB@19.5GHz 回波损耗 :-21dB 4dB@22.7GHz YTLF-16 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.mmx.5mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) LF-17 1 RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 36

42 YTLF-19 GaAs 单片低通滤波器,DC~19GHz 性能特点 通带频段 :DC~19.GHz 通带损耗 : 2.5dB 阻带衰减 : 2dB@22.7GHz 回波损耗 :db 4dB@26.5GHz YTLF-19 是一款砷化镓单片低通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.2mmx.7mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 LF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 37

43 YTHF-2T GaAs 单片高通滤波器,2~18GHz 性能特点 通带频段 :2~18 GHz 通带损耗 : 2.4 db 阻带衰减 : 2dB@1.5 GHz 回波损耗 : db 4dB@1.45 GHz YTHF-2T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~ RF1 RF2 2 HF-2T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 38

44 YTHF-3T GaAs 单片高通滤波器,3~18GHz 性能特点 通带频段 :3~18 GHz 通带损耗 : 1.5 db 阻带衰减 : 25dB@1.9 GHz 回波损耗 : db 48dB@1.7 GHz YTHF-3T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~ RF1 RF2 2 HF-3T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 39

45 YTHF-4T GaAs 单片高通滤波器,4~2GHz 性能特点 通带频段 :4~2 GHz 通带损耗 : 2.1 db 阻带衰减 : 2dB@3.1 GHz 回波损耗 :db 4dB@2.8 GHz YTHF-4T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 HF-4T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 s11 s11 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 4

46 YTHF GaAs 单片高通滤波器,5~3GHz 性能特点 通带频段 :5~3 GHz 通带损耗 : 1.8 db 阻带衰减 : 22dB@3.6 GHz 回波损耗 :db 43dB@3.2 GHz YTHF 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 HF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 41

47 YTHF-6T GaAs 单片高通滤波器,6~3GHz 性能特点 通带频段 :6~3 GHz 通带损耗 : 1.8 db 阻带衰减 : 22dB@3.6 GHz 回波损耗 :db 43dB@3.2 GHz YTHF-6T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.2mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 HF-6T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 -1 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 42

48 YTHF-7T GaAs 单片高通滤波器,7~3GHz 性能特点 通带频段 :7~3 GHz 通带损耗 : 1.4 db 阻带衰减 : 22dB@5. GHz 回波损耗 :db 41dB@4.4 GHz YTHF-7T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.2mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~ RF1 RF2 2 HF-7T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 43

49 YTHF-8T GaAs 单片高通滤波器,8~3GHz 性能特点 通带频段 :8~3 GHz 通带损耗 : 1.8 db 阻带衰减 : 21dB@6.5 GHz 回波损耗 :db 4dB@6.2 GHz YTHF-8T 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~ RF1 RF2 2 HF-8T 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 44

50 YTHF-9 GaAs 单片高通滤波器,9~3GHz 性能特点 通带频段 :9~3 GHz 通带损耗 : 1.35 db 阻带衰减 : 21dB@6. GHz 回波损耗 :db 4dB@4.8 GHz YTHF-9 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤波 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 HF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 ohm 传输线 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 45

51 YTHF-1 GaAs 单片高通滤波器,1~3GHz 性能特点 通带频段 :1~3 GHz 通带损耗 : 1.4 db 阻带衰减 : 21dB@6.8 GHz 回波损耗 :db 4dB@5.4 GHz YTHF-1 是一款砷化镓单片高通滤波器芯片 该滤 波器芯片具有体积小 重量轻 易集成 远寄生等特点, 广泛应用于谐波抑制及本底噪声改善 该滤波器芯片采 用集总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方 便 芯片尺寸 1.5mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF2 2 HF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 46

52 YTJH-1/2-2 GaAs 单片均衡器,1~2GHz 性能特点 通带频段 :1.~2.GHz 通带损耗 :.3 db 均衡量 :2.dB 回波损耗 :-22dB YTJH-1/2-2 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸 1.mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 47

53 YTJH-1/2-3 GaAs 单片均衡器,1~2GHz 性能特点 通带频段 :1.~2.GHz 通带损耗 :.45 db 均衡量 :3.dB 回波损耗 :-22dB YTJH-1/2-3 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸 1.mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 48

54 YTJH-1/6-3P5 GaAs 单片均衡器,1~6GHz 性能特点 通带频段 :1.~6.GHz 通带损耗 :.43 db 均衡量 :3.5dB 回波损耗 :db YTJH-1/6-3P5 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均 衡器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 49

55 YTJH-1/8-4 GaAs 单片均衡器,1~8GHz 性能特点 通带频段 :1.~8.GHz 通带损耗 :.47 db 均衡量 :4.dB 回波损耗 :-22dB YTJH-1/8-4 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) P5 1 RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 5

56 YTJH-2/4-3 GaAs 单片均衡器,2~4GHz 性能特点 通带频段 :2.~4.GHz 通带损耗 :.6 db 均衡量 :3.dB 回波损耗 :-21dB YTJH-2/4-3 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 51

57 YTJH-2/4-4 GaAs 单片均衡器,2~4GHz 性能特点 通带频段 :2.~4.GHz 通带损耗 :.6 db 均衡量 :4.dB 回波损耗 :db YTJH-2/4-4 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 极限参数 最高输入功率 插入损耗 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 52

58 YTJH-2/18-8 GaAs 单片均衡器,2~18GHz 性能特点 通带频段 :2.~18.GHz 通带损耗 : 1.2 db 均衡量 :8.4dB 回波损耗 :-18dB YTJH-2/18-8 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 53

59 YTJH-6/12-3 GaAs 单片均衡器,6~12GHz 性能特点 通带频段 :6.~12.GHz 通带损耗 :.9 db 均衡量 :3.4dB 回波损耗 :db YTJH-6/12-3 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.8mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) R F1 R F 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 54

60 YTJH-6/18-3 GaAs 单片均衡器,6~18GHz 性能特点 通带频段 :6.~18.GHz 通带损耗 : 1. db 均衡量 :3.dB 回波损耗 :db YTJH-6/18-3 是一款砷化镓单片均衡器芯片 该均衡 器芯片具有体积小 重量轻 易集成 高性能等特点, 广泛应用于通道幅度平坦度改善 该均衡器芯片采用集 总单元实现, 性能不受外部盒体影响, 使用简单方便 芯片尺寸.85mmx.75mm x.1mm 典型曲线 (T A =+25 ) RF1 RF 单位 : 毫米, 公差 :±.5mm 3. 键合压点镀金, 压点尺寸 :.1mm*.1mm 4. 不能在通孔上进行键合 5ohm 传输线 插入损耗极限参数最高输入功率 +3dBm -65 ~+15 5 ~+125 注 : 陶瓷基板应尽量靠近芯片以缩短键合金丝尺寸 典型的装配间隙是.76~.152 mm (3 ~ 6 mils) 2. 操作注意事项存储 : 芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中, 并在氮气环境下保存 清洁处理 : 裸芯片必须在净化环境中操作使用, 禁止采用液态清洁剂对芯片进行清洁处理 静电防护 : 请严格遵守 ESD 防护要求, 避免器件静电损伤 常规操作 : 拿取芯片请使用真空夹头或精密尖头镊子 操作过程中要避免工具或手指触碰到芯片表面 装架操作 : 芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结或导电胶粘接工艺 安装面必须清洁平整 键合操作 : 球形或楔型键合均采用 Φ.25mm (1mil) 金丝 热超声键合温度 15 C 球形键合劈刀压力 4~5gf, 楔形键合劈刀压力 18~22 gf 采用尽可能小的超声波能量 键合时起始于芯片上的压点, 终止于封装 ( 或基板 ) 联系方式 : 联系地址 : 成都市天府一街中环岛广场 A 座 87 55