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1 第 34 卷摇 2013 年 12 月第 12 期发摇光摇学摇报 CHINESE JURNAL F LUMINESCENCE Vol 郾 34 No 郾 12 Dec., 2013 文章编号 : 1000 鄄 7032(2013)12 鄄 1618 鄄 06 磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响侯建华 1,2, 罗劲松 1, 李颜涛 1, 范摇翊 1* 1, 刘星元 (1. 发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 吉林长春摇 ; 2. 长春理工大学, 吉林长春摇 ) 摘要 : 发展了基于稳定金属电极的阴极界面材料, 对促进聚合物电致发光器件的产业化进程具有重要意义侧链含磷酸酯功能基团的聚芴衍生物 (PF 鄄 EP) 是一种极性聚合物中性材料, 能溶于乙醇等醇类溶剂, 非常适合制备多层溶液加工型发光器件除此之外, 它结合稳定的金属电极能实现有效电子注入本文以 PF 鄄 EP 在绿光聚芴发光器件中的应用为例, 详细对比分析了两种基于 PF 鄄 EP 的阴极电极结构 ( PF 鄄 EP / LiF / 和 PF 鄄 EP / ) 的器件 EL 性能结果显示,PF 鄄 EP / LiF / 阴极结构具有更优异的电子注入能力基于单电子器件和 X 射线光电子能谱, 本文对这一高效电子注入结构的注入能力和注入机理进行了探讨关摇键摇词 : 磷酸酯聚芴 ; 界面修饰 ; 聚合物电致发光中图分类号 : TN 摇摇摇文献标识码 : A 摇摇摇 DI: / fgxb Effect of Phosphonate 鄄 functionalized Polyfluorene as Cathode Interfacial Layer on Electroluminescence Properties of Polymer Light 鄄 emitting Diodes HU Jian 鄄 hua 1,2, LU Jin 鄄 song 1, LI Yan 鄄 tao 1, FAN Yi 1*, LIU Xing 鄄 yuan 1 (1. State Key Laboratory of Luminescence and Applications, Changchun Institute of ptics, Fine Mechanics and Physics, Chinese Academy of Sciences, Changchun , China; 2. Changchun University of Science and Technology, Changchun , China) *Corresponding Author, E 鄄 mail: fanyi@ ciomp. ac. cn Abstract: It is of great importance for developing stable 鄄 metal 鄄 based cathode interfacial layer of polymer light 鄄 emitting diodes ( PLEDs), which is one of the key points for the mass 鄄 production techniques of PLEDs. Phosphonate 鄄 functionalized polyfluorene (PF 鄄 EP) is a neutral polar polymer material, which is soluble in alcohol solvent (thus being compatible for preparing multilayer solution 鄄 processed lighting devices). And most importantly, it can achieve highly efficient electron injection current in conjunction with stable aluminum as cathode. Herein, we systematically discussed the applications of two cathode structures of PF 鄄 EP/ LiF/ and PF 鄄 EP/ in a prototype green 鄄 polyfluorene based PLEDs. The results indicate that the structure of PF 鄄 EP/ LiF/ possesses much higher electron injection capability than PF 鄄 EP/. The electron injection behavior and mechanism has been discussed based on the studies on the electron 鄄 only devices and X 鄄 ray photoelectron spectroscopy. Key words: phosphonate 鄄 functionalized polyfluorene; interfacial modification; polymer light 鄄 emitting diodes 摇摇收稿日期 : 2013 鄄 10 鄄 03; 修订日期 : 2013 鄄 10 鄄 24 摇摇基金项目 : 国家自然科学基金 ( ) 资助项目摇摇作者简介 : 侯建华 ( ), 男, 吉林长春人, 博士, 主要从事有机电致发光方面的研究 E 鄄 mail: houjh163@ 163. com, Tel: (0431)

2 摇第 12 期侯建华, 等 : 磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响摇摇引摇摇言基于溶液加工制备方法的聚合物电致发光器件 (Polymer light 鄄 emitting diodes,pleds) 自诞生之日起就受到学术和产业界的广泛关注 [1] 该项技术可望在大面积印刷及打印型平板显示和照明领域得到重要应用目前,PLED 的发光效率和稳定性距离实际应用仍有差距界面修饰是提高 PLED 性能的有效手段之一一方面,PLEDs 经常采用的阳极修饰层材料 poly(ethylenedioxy 鄄 thio 鄄 phene) 颐 poly( styrenesulfonate) ( PEDT 颐 PSS), 可通过降低空穴注入势垒平衡载流子注入 / 传输以及抑制阳极一侧漏电流和激子猝灭等实现器件性 [2 鄄能的大幅提升 3] ; 另一方面, 研究人员已开发出具有水 / 醇溶解性的阴极界面修饰层材料, 基于稳定金属电极 ( 例如金, 银, 铝电极 ) 实现了高效的电子注入 [4], 这将为发展高效和长寿命 PLED 器件提供可能然而, 当前满足水 / 醇溶解性要求的有效阴极界面材料和结构仍然有限, 成为 PLED 研究工作中的薄弱环节当前有效的水 / 醇溶解性阴极界面材料包括两大类 : 第一类是含功能性极性离子型侧基 ( 如氨基, 磺酸基等 ) 的聚电解 [5 鄄质 6] ; 第二类是含功能性极性侧基 ( 如 NH 2, 等 ) 的极性共轭中性聚合物 [4] 就工作原理而言, 极性聚电解质基于稳定金属电极实现有效电子注入主要依赖于界面偶极效应和电场依赖的离子迁移两方面 [5] 因此, 通常该类界面层材料的注入效果存在明显的时间依赖特性, 这将影响 PLEDs 实际工作中的响应时间而极性共轭中性聚合物界面材料由于主要基于界面偶极效果实现有效电子注入, 因此不存在电子注入的时间延迟问题然而, 从材料种类而言, 当前开发的第二类界面材料相对匮乏近期, 含磷酸酯功能侧基的聚芴衍生物 (PF 鄄 EP) 结合金属铝电极在 PLEDs 实现了很好的应用, 然而其器件应用效果和界面注入机理仍然存在争议 [7] 虽然 PF 鄄 EP 基于 PF 鄄 EP / LiF / 和 PF 鄄 EP / 两种结构分别取得了很好的应用效果, 然而它们二者的直接比较和工作机理对比尚未见诸报道本文以绿光聚芴类器件为例, 详细对比了基于 PF 鄄 EP / LiF / 和 PF 鄄 EP / 两种阴极界面层结构的器件并进行了细致的讨论最后, 基于单电子器件和 XPS 的分析揭示了 PF 鄄 EP / LiF / 作为高效欧姆注入型电子注入结构的可能工作机理 2 摇实摇摇验 2. 1 摇器件和测试样品的制备我们制备了 4 种 PLED 器件 : IT / PEDT 颐 PSS(50 nm) / (140 nm) / PF 鄄 EP(30 nm) / LiF (1 nm) / (100 nm);it / PEDT 颐 PSS(50 nm) / (140 nm) / PF 鄄 EP(30 nm) / (100 nm); IT / PEDT 颐 PSS(50 nm) / (140 nm) / LiF(1 nm) / ( 100 nm); IT / PEDT 颐 PSS ( 50 nm ) / (140 nm) / (100 nm) 其中,PEDT 颐 PSS (AI4083 型号 ) 从 Baytron 公司购买, 和 PF 鄄 EP 均依据文献 [7] 合成首先, 将充分清洗干净的 IT 玻璃基板 (3 cm 伊 3 cm) 通过紫外臭氧处理 25 min 然后, 在其上旋涂约 50 nm 厚的 PEDT 颐 PSS 空穴注入层, 并在设定为 120 益的鼓风烘箱中干燥 30 min 接下来将基片传入具有氮气气氛保护的手套箱中旋涂发光层, 发光层溶液浓度为 12 mg / ml ( 甲苯溶剂 ) 发光层旋涂后, 将基片放置在手套箱中的热台上 80 益热退火处理 30 min 下一步是在发光层基底上旋涂 PF 鄄 EP 的乙醇溶液 (3 mg / ml) 最后, 将基片传入热蒸发镀膜机中蒸镀 LiF 和电极 ( 厚度分别为 1 nm 和 100 nm), 蒸发速率分别为 0. 1 nm / s 和 0. 5 nm / s, 真空度约为 4 伊 10-4 Pa 器件面积由 IT 阳极和阴极的交叉面积所确定, 为 cm 2 对于 XPS 测试样品, 硅片基底上分别旋涂 PF 鄄 EP(30 nm), 然后传入真空蒸发台中蒸镀所需的 LiF 以及电极 2. 2 摇实验仪器与表征所有器件电压鄄电流密度鄄亮度测试均由电脑控制的 Keithley 2400 电流鄄电压源和 PR650 光谱仪测试得到器件测试均在室温和大气环境中测量 XPS 测量仪器为 Thermo ESCALAB 250, 其中激发源为单色化的 K 琢线 (h 淄 = ev) 3 摇结果与讨论 3. 1 摇器件结果分析图 1 所示为 4 类器件的结构和 PF 鄄 EP 的分子式器件的区别在于阴极结构不同器件 A 和 B 均采用了 PF 鄄 EP 的电子注入 / 传输界面修饰层, 而 C 和 D 则没有引入 PF 鄄 EP 器件 B C 均含有 LiF 界面层

3 摇 1620 发摇摇光摇摇学摇摇报第 34 卷 PF - EP LiF PF - EP LiF 器件 A 器件 B 器件 C 器件 D n C 8H 17 C 8H 17 1-x x n N N S P P, x=0.15 PF - EP 图 1 摇器件结构发光层材料和电子注入 / 传输界面修饰层材料 PF 鄄 EP 的分子结构 Fig. 1 摇 Device structures, the chemical structures of the emissive layer and electron injection layer. 摇摇以上 4 类器件的电致发光 ( EL) 性能如图 2 所示首先可以看到, 含有 PF 鄄 EP 界面层的器件 A 和 B 的 EL 性能明显优于不含 PF 鄄 EP 的器件 C 和 D 这表明 PF 鄄 EP 修饰层在作发光层的器件中起到非常重要的作用器件 A B C D 的起亮电压 ( 亮度为 1 cd / m 2 ) 分别为 3. 2,4. 4,9. 9, V 器件 C 相对于器件 D 的性能改善源于 LiF 界面层的引入 [8] ; 然而, 在缺少 PF 鄄 EP 界面层时, 器件 C 对 D 的改善作用是十分有限的对比器件 A 和 D 可以看到,PF 鄄 EP 在和之间的引入使得器件性能有了显著的提升, 器件效率从 0. 2 cd / A 提升到了 cd / A XPS 和 UPS 的实验结果表明,PF 鄄 EP 的引入使得电子注入势垒大幅降低这一效果是由于 PF 鄄 EP 中的磷酸酯聚芴基团本征的有利界面偶极以及磷酸酯功能基团与的配位键合作用所致 [7] 进一步比较器件 A 和 B 可以发现,PF 鄄 EP / 的界面处引入 LiF 使得器件的驱动电压进一步降低例如, 在 5 V 和 10 V 的外加偏压下, 采用 PF 鄄 EP / 阴极和 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件的电流密度分别为 , ma / cm 2 和 0. 78, ma / cm 2, 发光亮度分别为 6,1 603 cd / m 2 和 92, cd / m 2 然而, 采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的 PLEDs 的发光效率却低于采用 PF 鄄 EP / 阴极的器件, 如图 2 所示, 最大电流效率从 cd / A 降至 cd / A 由于器件 B 的驱动电压较器件 A Luminance/(cd m -2 ) Luminous efficiency/(cd A -1 ) PF - EP/LiF/ PF - EP/ LiF/ V/V Power efficiency/(lm W -1 ) 图 2 摇器件 A B C D 的亮度 ( L) 鄄电流密度 ( J) 鄄电压 ( V) Fig. 2 摇曲线和电流效率鄄功率效率鄄电流密度曲线 Luminance 鄄 current density 鄄 voltage curves ( a), and luminous efficiency 鄄 power efficiency 鄄 current density curves of the device A, B, C and D. 有显著的降低, 二者的最大流明效率相当, 均为 8. 2 lm / W 图 3 分别给出了器件 A 和器件 B 在不同电压下的 EL 光谱对于采用 PF 鄄 EP / 阴极的器

4 摇第 12 期侯建华, 等 : 磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响摇 1621 件 A,EL 光谱中除了来自材料的位于 537 nm 的主峰外, 还出现了位于 436 nm 的肩峰, 并且随着外加偏压的增加, 该肩峰的相对强度逐渐增大相比之下, 对于采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件 B, EL 光谱完全来自发光层的贡献, 而且不同电压下光谱稳定由于 436 nm 的发射峰与基于 PF 鄄 EP 的蓝光器件的 EL 光谱峰一致, 因此器件 A 的激子复合区域靠近 / PF 鄄 EP 界面, 部分激子直接在 PF 鄄 EP 层发生复合而且随着驱动电压的增加, 激子复合区域逐渐向 PF 鄄 EP 侧移动, 导致 PF 鄄 EP 蓝光发射的相对强度逐渐增大对于采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件 B, EL 光谱中完全没有 PF 鄄 EP 的贡献, 因此器件 B 的激子复合区域更加远离 / PF 鄄 EP 界面器件的 J 鄄 L 鄄 V 及 EL 结果的对比分析表明, PF 鄄 EP / LiF / 阴极结构具有更高效的电子注入能力, 可使激子复合区域远离阴极界面这也同时说明在采用 PF 鄄 EP / 阴极的器件 A 中,PF 鄄 EP 部分参与 EL 发射的原因在于 PF 鄄 EP / 阴极的电子注入能力依然有限, 使得整个器件的激子复合区域靠近 EML / PF 鄄 EP 界面尽管如此, 采用 PF 鄄 EP / 的器件 A 的发光效率却高于采用 PF 鄄 EL intensity/ norm. EL intensity/ norm. Fig. 3 摇图 3 摇姿 /nm 姿 /nm PF - EP/ 7 V 10 V 13 V PF - EP/LiF/ 6 V 9 V 12 V 器件 A 和 B 的电致发光光谱 The electroluminescence spectra of the device A and B ( with PF 鄄 EP / and PF 鄄 EP / LiF / as cathode, respectively) EP / LiF / 阴极的器件 B, 这是由于 PF 鄄 EP / LiF / 更加有效的电子注入将激子复合区域偏移到阳极 PEDT 颐 PSS 一侧, 因而器件效率反而降低了 [3] 因此, 尽管 PF 鄄 EP / LiF / 阴极器件结构具有更有利的电子注入效果并且 PF 鄄 EP 自身的发光行为不影响器件的 EL 光谱稳定性, 但是, 发光层中电荷平衡性反而随之变差为了更好地体现 PF 鄄 EP / LiF / 降低器件驱动电压改善器件功率效率的作用, 下一步的工作有必要同时对 PEDT 颐 PSS 阳极实施修饰这将充分体现出高效电子注入阴极结构 PF 鄄 EP / LiF / 的有益效果 3. 2 摇单电子器件结果分析为了比较 PF 鄄 EP / 和 PF 鄄 EP / LiF / 的电子注入能力, 我们制备了结构为 IT / PE 鄄 EP ( 75 nm) / 和 IT / PE 鄄 EP ( 75 nm ) / LiF ( 1nm ) / (100 nm) 的器件由于 PF 鄄 EP 具有较高的最高占据分子轨道 (Highest occupied molecular orbital, HM)(5. 5 ev), 与电子注入相比, 空穴难以从 IT 一侧直接注入到 PF 鄄 EP 上因此, 这两个器件为单电子型单级器件同时,IT 为透明电极, 我们可以从器件是否发光来判断是否有空穴注入到了 PF 鄄 EP 内, 据此来判定单电子型器件的有效性如图 4 所示, 在 1. 8 ~ 4. 5 V 区间, 两个器件的亮度均在仪器检测线以下 ( < 1 cd / m 2 ), 可以认为均为单电子电流区采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件的注入电子电流密度是基于 PF 鄄 EP / 阴极的器件的 2. 3 伊 10 5 ~ 2. 9 伊 10 3 倍, 如图 4 所示进一步对两类器件的 J 鄄 V 曲线特性进行分析发现 : 两器件首先在低驱动电压下表现为肖特基热发射电流 ( Schottky thermonic current) 的行为 [9] ; 随着电压的增加, 采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件进入了 logj 鄄 logv 斜率为 2 左右的 J 鄄 V 区间, 表明此时的载流子注入为空间电荷限制 (SCLC) 行为 ( J = 9 / 8 着着 0 滋 E 2 / L), 因此该阴极结构体现出了欧姆式或准鄄欧姆式的电子注入行为 [10] 对于采用 PF 鄄 EP / 阴极的器件, 高驱动电压下的 logj 鄄 logv 斜率为 7. 14, 离 SCLC 的注入要求差距很大, 因此为非欧姆式的注入限制接触因此, 从单电子器件分析结果发现,PF 鄄 EP / LiF / 的电子注入能力显著高于 PF 鄄 EP /, 通过 LiF 层的引入, 实现了非欧姆式注入到欧姆式注入的转变

5 摇 1622 发摇摇光摇摇学摇摇报第 34 卷图 4 摇 Fig. 4 摇 10 3 PF - EP/ 10 2 PF - EP/LiF/ SCLC 10 1 K= K= Bias voltage/ V a:it/pf - EP(75 nm)/lif(4 nm)/ b:it/pf - EP(75 nm)/ a/b V/V K=2 K=7.14 不同阴极结构器件的 J 鄄 V 曲线 ( a) 和两器件位于单电子电流区间的 J 鄄 V 放大图 J 鄄 V curves of the devices based on different cathode structure ( a), and the enlarged curves of the so 鄄 called electron 鄄 only regions of the top figure 摇 XPS 测试结果分析基于 LiF 界面层的高效电子注入结构如八羟基喹啉铝 ( q 3 ) / LiF / TmPyPB / LiF / 等均是基于界面处的三元分解反应机制即 LiF 在界面处所参与的配位作用或者解离式反应是实现有效电子注入的关键而针对 PF 鄄 EP / LiF / 这一有效电子注入的界面, 我们基于 XPS 技术对其可能的注入机理进行了研究图 5 分别给出了 F 元素和 Li 元素的结合能演变结果对于 PF 鄄 EP / LiF 接触界面, 即 LiF 在 PF 鄄 EP 层上蒸镀的情况, 没有发生 PF 鄄 EP 与热蒸镀的 LiF 分子之间的化学反应及 LiF 的自分解反应, 原因是与本征 LiF 薄膜相比,PF 鄄 EP / LiF 情况下的 Li (1s) 和 F (1s) 的半峰宽 ( FWHM) 没有发生改变与本征 LiF 薄膜相比,Li (1s) 和 F (1s) 的峰位结合能均负向移动了 0. 4 ev, 这是界面偶极等非键合效应带来的影响 (PF 鄄 EP 分子中的磷酸酯基团和 LiF 分子均存在大的偶极 ) [8,11 鄄 12] 然而, 对于 PF 鄄 EP / LiF / 界面接触情况,F(1s) 的半峰宽从 ev 增大到 ev 通过双峰 Gaussi 鄄 an 鄄 Lorentzian 拟合, 我们分别得到了位于 ev 和 ev( 本征 ) 的结合能峰位对于 Li (1s) 而言, 尽管它的光电离截面非常低, 除了位于 ev 的本征峰位之外, 我们还观察到一个峰位位于约 ev 处的肩峰这表明在 PF 鄄 EP / LiF / 的三相界面处,LiF 分子发生了解离反应这与高效电子注入结构 q 3 / LiF / 的界面情况十分相近 Hung [13] [14] 和 Le 等分别通过高能电子能量损失谱 (HREELS) 和 XPS 的分析手段得出 LiF 的分解反应也是发生在三相的接触界面处, 尽管 q 3 中的喹啉基团具有很强的配位能力 [15], 但是在 q 3 / LiF 的两相界面处仍未发生键合反应这里考虑到磷酸酯基团同样具有强的配位反应能力这一特点 [16], 我们推测 PF 鄄 EP / LiF / 实现有效电子注入的机制可能与 q 3 / LiF / 的情况很相似 [13 鄄 14], 即在 PF 鄄 EP LiF 和共存的三相界面处,LiF 分子发生解离, 解离之后通过与磷酸酯基团的配位键合或对表层接触 PF 鄄 EP 分子的 n 鄄型掺杂途径最终改善该界面处电子的注入 Intensity/a. u. F(1s) PF - EP/LiF/ PF - EP/LiF Bulk LiF Li(1s) PF - EP/LiF/ PF - EP/LiF Bulk LiF Binding energy/ev 图 5 摇系列样品 LiF 中 F(1s) 和 Li(1s) 的 XPS 谱图 (( a) Fig. 5 摇图中的虚线为对 PF 鄄 EP / LiF / 样品中 F1s 的高斯鄄洛伦兹函数的分峰拟合结果 ) XPS spectra of F (1s) and Li (1s) in a series of samples (dashed lines of ( a) are Gaussian 鄄 Lorentz fitting results of F(1s) of the PF 鄄 EP/ LiF/ sample) 4 摇结摇摇论磷酸酯聚芴 PF 鄄 EP 做为一种有效的阴极界面修饰材料在聚合物电致发光器件中得到了很好的应用本文详细地对比了 PF 鄄 EP / 和 PF 鄄 EP / LiF / 两种阴极结构在绿光聚芴模型器件中的应用情况结果表明, 采用 PF 鄄 EP / LiF / 阴极的器件具有更低的驱动电压, 且器件中完全没有

6 摇第 12 期侯建华, 等 : 磷酸酯聚芴阴极界面修饰层对聚合物电致发光性能的影响摇 1623 PF 鄄 EP 自身的蓝光发射 ; 而采用 PF 鄄 EP / 阴极结构的器件, 器件激子复合区位于发光层和 PF 鄄 EP 界面接触区, 因此尽管电流效率更高, 但是器件 EL 光谱稳定性差单电子器件结果显示, PF 鄄 EP / LiF / 实现了欧姆式的电子注入行为, 电子电流是相同电压下采用 PF 鄄 EP / 结构的 10 3 ~ 10 5 倍 XPS 分析结果显示,PF 鄄 EP / LiF / 实现高效注入的原因可能是在三相界面处的 LiF 分子发生解离, 解离之后通过与磷酸酯基团的配位键合或对表层接触 PF 鄄 EP 分子的 n 鄄型掺杂途径最终改善该界面处电子的注入, 与经典的 q 3 / LiF / 注入机理相类似综上所述, PF 鄄 EP / LiF / 三元复合阴极结构是一种高效的电子注入结构, 在优化器件阳极一侧的 PEDT 颐 PSS 界面修饰层的同时, 可望进一步提高 PLED 器件的性能参摇考摇文摇献 : [ 1 ] Burroughes J H, Bradley D D C, Brown A R, et al. Light 鄄 emitting diodes based on conjugated polymers [ J]. Nature, 1990, 347:539 鄄 541. [ 2 ] Jou J H, Wang W B, Hsu M F, et al. Extraordinarily high efficiency improvement for LEDs with high surface 鄄 charge polymeric nanodots [J]. Acs Nano, 2010, 4(7):4054 鄄 [ 3 ] Kim J S, Friend R H, Grizzi I, et al. Spin 鄄 cast thin semiconducting polymer interlayer for improving device efficiency of polymer light 鄄 emitting diodes [J]. Appl. Phys. Lett., 2005, 87(2): 鄄 1 鄄 3. [ 4 ] Liang T J, Zhang F H, Ding L. Transparent organic light emitting diodes using a multilayer oxide as a composite cathode [J]. Chin. J. Liq. Cryst. Disp. ( 液晶与显示 ), 2012, 27(1):43 鄄 46 (in Chinese). [ 5 ] Du W S, Gao C, Qiu S J. Synthesis and optical spectral properties of polyfluorene derivative with broad emission [ J]. Chin. J. Liq. Cryst. Disp. ( 液晶与显示 ), 2011, 26(1):1 鄄 4 (in Chinese). [ 6 ] Min C, Shi C S, Zhang W J, et al. A small 鄄 molecule zwitterionic electrolyte without a p 鄄 delocalized unit as a charge 鄄 injection layer for high 鄄 performance PLEDs [J]. Angew. Chem. Int. Edit., 2013, 52(12):3417 鄄 [ 7 ] Zhang B, Qin C, Niu X Z, et al. n the origin of efficient electron injection at phosphonate 鄄 functionalized polyfluorene / a 鄄 luminum interface in efficient polymer light 鄄 emitting diodes [J]. Appl. Phys. Lett., 2010, 97(4): 鄄 1 鄄 3. [ 8 ] Greczynski G, Fahlman M, Salaneck W R. An experimental study of poly(9,9 鄄 dioctyl 鄄 fluorene) and its interfaces with Li,, and LiF [J]. J. Chem. Phys., 2000, 113(6):2407 鄄 [ 9 ] Hong I H, Lee M W, Koo Y M, et al. Effective hole injection of organic light 鄄 emitting diodes by introducing buckminster 鄄 fullerene on the indium tin oxide anode [J]. Appl. Phys. Lett., 2005, 87(6): 鄄 1 鄄 3. [10] Wang Z B, Helander M G, Greiner M T, et al. Analysis of charge 鄄 injection characteristics at electrode 鄄 organic interfaces: Case study of transition 鄄 metal oxides [J]. Phys. Rev. B, 2009, 80(23): 鄄 1 鄄 5. [11] Schlaf R, Merritt C D, Crisafulli L A, et al. rganic semiconductor interfaces: Discrimination between charging and band bending related shifts in frontier orbital line 鄄 up measurements with photoemission spectroscopy [ J]. J. Appl. Phys., 1999, 86(10):5678 鄄 [12] Vaynzof Y, Dennes T J, Schwartz J, et al. Enhancement of electron injection into a light 鄄 emitting polymer from an alumi 鄄 num oxide cathode modified by a self 鄄 assembled monolayer [J]. Appl. Phys. Lett., 2008, 93(10): 鄄 1 鄄 3. [13] Hung L S, Zhang R Q, He P, et al. Contact formation of LiF / cathodes in q 鄄 based organic light 鄄 emitting diodes [J]. J. Phys. D: Appl. Phys., 2002, 35(2):103 鄄 107. [14] Le Q T, Yan L, Gao Y L, et al. Photoemission study of aluminum / tris 鄄 (8 鄄 hydroxyquinoline) aluminum and aluminum / LiF / tris 鄄 (8 鄄 hydroxyquinoline) aluminum interfaces [J]. J. Appl. Phys., 2000, 87(1):375 鄄 379. [15] Shen C F, Hill I G, Kahn A, et al. rganometallic chemistry at the magnesium 鄄 tris ( 8 鄄 hydroxyquinolino) aluminum interface [J]. J. Am. Chem. Soc., 2000, 122(22):5391 鄄 [16] Vioux A, Bideau J L, Mutin P H, et al. New aspects in phosphorus chemistry IV: Hybrid organic 鄄 inorganic materials based on organophosphorus derivatives [J]. Top. Curr. Chem., 2004, 232(1):145 鄄 174.

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