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钝俞
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智能双电池电源管理芯片简介是一款支持双电池智能切换功能的管理芯片, 可用于带皮套电池或者内置电池的手机等应用 ( 皮套电池和内置电池等应用 ) 它集成了一个可切换的充电电路, 节省了外部二极管,

则内部充电器自动关闭主控器件通过 I2C 串行总线读取电池的连通状态只要两个电池的连通状态发生变化, 将会发送中断信号给主控器件, 从而实现对双电池连通状态的监控当主电池的电压降低到一定阈值时,

5V 的工作电压 400kHz 的 I2C 串行接口智能双电池电源切换管理双电池状态监控支持电池热插拔, 中断管理内部集成充电转换电路内部集成小电流充电器兼容单电池应用方案硬件复位功能 8kV

1 智能双电池电源管理芯片简介是一款支持双电池智能切换功能的管理芯片, 可用于带皮套电池或者内置电池的手机等应用 ( 皮套电池和内置电池等应用 ) 它集成了一个可切换的充电电路, 节省了外部二极管, 可直接选择电源通路系统并对双电池的切换进行管理可对双电池充电过程进行管理, 控制 PMIC 为正在使用中的电池充电, 芯片同时通过内部集成的充电器提供小电流为未使用的电池充电, 直到电池充满, 则内部充电器自动关闭主控器件通过 I2C 串行总线读取电池的连通状态只要两个电池的连通状态发生变化, 将会发送中断信号给主控器件, 从而实现对双电池连通状态的监控当主电池的电压降低到一定阈值时, 电源系统会自动切换到副电池, 确保手机不会掉电关机的工作电压在 2.4V~5.5V, 使用 QFN-20(3mm 3mm) 封装, 工作在 -40 C ~ +85 C 的温度下特性 2.4V 到 5.5V 的工作电压 400kHz 的 I2C 串行接口智能双电池电源切换管理双电池状态监控支持电池热插拔, 中断管理内部集成充电转换电路内部集成小电流充电器兼容单电池应用方案硬件复位功能 8kV HBM ESD 可工作在 -40 C ~ +85 C 的温度范围内 QFN-20(3mm 3mm) 封装应用皮套电池手机掌上电脑游戏机和其他掌上电子设备典型应用电路图图 1 典型应用电路图 ( 基本应用 ) P0.6 1

2 图 2 典型应用电路图 ( 功能扩展 ) 注释 1: 当基带系统需要同时精确监测 A-BAT 和 B-BAT 电池电压时, 可使用两路 ADC 检测电路接入 V A V B 来检测电池电压若只有一路 ADC, 可选择接入 V C 电压点, 即可实时监测使用中电池的电压状态此电路可选择不接应用于 MTK 平台时,R1=R3=470kΩ,R2=R4=300kΩ; 应用于展讯平台时,R1=R3=470kΩ,R2=R4=100kΩ 注释 2: 当适配器插入, 且无电池连接时,S0 开启, 由适配器直接为系统供电此电路可选择不接,SEL 引脚可悬空推荐配置见第 12 页注释 3:Base Band 可通过 I2C 串行总线控制和读取双电池的连通状态, 具体功能见第 9 页此电路可选择不接, 若不接, 寄存器配置为上电默认配置注释 4: 复位电路可通过按键置低 RSTB 引脚使得手机掉电关机, 具体功能见第 14 页此电路可选择不接,RSTB 引脚可悬空注释 5: 若使用双接口电池,BATA_ID 和 BATB_ID 引脚需接 10kΩ 电阻下拉到地, 建议使用三接口电池 P0.6 2

3 引脚结构封装形式引脚结构 ( 俯视图 ) QFN BATB_ID AD1 SEL AC AD0 AC VCC GND BATA 11 BATB NC BATA VBAT VBAT BATB BATA_ID RSTB INTB SCL SDA 引脚描述引脚号引脚名描述 1 BATB_ID 2 SEL 3, 13 AC 适配器输入 4 VCC 内部电源引脚 5, 7 BATA 接 A-BAT 阳极 6 NC 无连接 8, 9 VBAT 电池输出供电引脚 10, 11 BATB 接 B-BAT 阳极 12 GND 接地 14 AD0 器件从地址引脚 15 AD1 器件从地址引脚 16 SDA I2C 串行数据线 17 SCL I2C 串行时钟线 B-BAT 的 BAT-ID, 内置上拉电阻若 B-BAT 电池无 ID 脚, 需通过 10kΩ 电阻下拉到地控制外部 PMOS 管输入当适配器插入, 且无电池连接时, PMOS 开启, 由适配器直接为系统供电低电平有效 18 INTB 电池中断输出, 低电平有效 19 RSTB 硬件复位输入, 低电平有效, 双电池供电通路同时断开, 内置上拉电阻 20 BATA_ID 散热片 A-BAT 的 BAT-ID, 内置上拉电阻若 A-BAT 电池无 ID 脚, 需通过 10kΩ 电阻下拉到地接地 P0.6 3

4 供应信息产品型号封装形式包装规格工作温度范围 I320E QFN 片 / 盘 -40 C ~ +85 C 环保代码 E: 无铅引脚代码 20: 20 引脚封装形式 3: QFN,3mm 3mm 温度代码 I: 工业标准,-40 C ~ +85 C P0.6 4

5 绝对最大额定范围供电电压,AC,BATA,BATB V ~ +7.0V 引脚电压 V ~ +7.0V 引脚温度 ( 焊接 10s) C 存储温度范围 C ~ +150 C 工作温度范围 C ~ +85 C 结温度 C ESD HBM kV 如果器件工作条件超过上述各项极限值, 可能对器件造成永久性损坏上述参数仅仅是工作条件的极限值, 不建议器件工作在推荐条件以外的情况器件长时间工作在极限工作条件下, 其可靠性及寿命可能受到影响电气特性测试条件 :V CC = 2.4V ~ 5.5V,T A = -40 C ~ +85 C( 除非有特殊说明 ) 典型测试值为 T A = 25 C ( 注释 6) 符号参数条件最小值典型值最大值单位 V CC 内部电源电压 V V TH1 切换阈值电压 1 配置寄存器 (01h) 的 V TH1 位置 V V TH2 切换阈值电压 2 配置寄存器 (01h) 的 V TH2 位置 V V HY V TH1 的切换迟滞电压配置寄存器 (01h) 的 HV 位置 V I DD 静态电流 V BATA = V BATB = 4.2V, 适配器无连接 100 μa V BATA = V BATB = 4.2V, 适配器连接 5 ma t D V TH1 切换延时应用条件见第 11 页 2 s I CH V OVP 内部集成充电器充电电流内部集成充电器过压保护电压 ma V R DS (ON) MOSFET 阻抗 100 mω R PD 电池内部 A_ID/B_ID 引脚下拉电阻值 150 kω t SW 开关切换延时 ns 数字逻辑控制电平特性 (SDA, SCL, AD0, AD1, RSTB) V IH 逻辑 1 输入电压 1.4 V V IL 逻辑 0 输入电压 0.4 V I IH, I IL 输入尖峰电流 μa C IN 输入电容 ( 注释 7) 10 pf V OLSDA SDA 输出低电压 I SINK = 6mA 180 mv V OL I N T INT 输出低电压 I SINK = 5mA 180 mv P0.6 5

6 时序特性 ( 注释 7) 测试条件 :V CC = 2.4V ~ 5.5V,T A = -40 C ~ +85 C( 除非有特殊说明 ) 典型测试值为 V CC = 3.6V,T A = 25 C 符号参数条件最小值典型值最大值单位 f SCL 连续时钟频率 400 khz t BUF 开始条件和停止条件间的空闲时间 1.3 μs t HD, STA 重复开始条件的保持时间 0.6 μs t SU, STA 重复开始条件的启动时间 0.6 μs t SU, STO 停止条件的启动时间 0.6 μs t HD, DAT 数据保持时间 ( 注释 8) 0.9 μs t SU, DAT 数据设定时间 100 ns t LOW 时钟线高电平周期 1.3 μs t HIGH 时钟线高电平周期 0.7 μs t R 时钟信号和数据信号的上升时间, 接收状态 ( 注释 9) Cb 300 ns t F 时钟信号和数据信号的下降时间, 接收状态 ( 注释 9) Cb 300 ns t F, TX SDA 线传输的下降时间 ( 注释 9) Cb 250 ns t SP 尖峰抑制脉宽 ( 注释 10) 50 ns C b 每条总线的容性负载 400 pf t W RSTB 脉宽 500 ns t RSTB RSTB 到开始条件的启动时间 1 μs 注释 6: 所有的参数都在 T A = 25 C 的条件下测试设计保证温度规格注释 7: 设计保证注释 8: 主控器件必须对 SDA 提供至少 300ns 的保持时间 ( 提到 SCL 信号的逻辑低电平 ) 用来补偿 SCL 下降沿未定义的区域注释 9: Cb 为 pf 级的总线上的电容值 I SINK 6mA. t R 和 t F 在 0.3 V DD 到 0.7 V DD 条件下测定注释 10: 输入滤波器在 SDA 和 SCL 噪声尖峰抑制上至少 50ns P0.6 6

7 详细介绍 I2C 通信接口使用两条符合 I2C 通信协议的串行传输线 SDA 和 SCL 来控制芯片的功能使用 7 位的从地址 (A7:A1),A0 位为读写标志位 A0 置 0 为写入数据 ;A0 置 1 为读出数据 A2 位和 A1 位由芯片 AD1/AD0 引脚的连接决定完整的从地址为 : 表格 1 从地址位 A7:A3 A2 A1 A0 设定值 AD1 AD0 0/1 AD1/AD0 接 V DD 时,AD1/AD0 = 1; AD1/AD0 接 GND 时,AD1/AD0 = 0; I2C 总线支持数据双向传输 SCL 为单向端口 ;SDA 为双向端口, 开漏输出驱动, 需外接上拉电阻 ( 典型值为 4.7kΩ) 最大时钟频率由 I2C 的标准频率 400kHz 决定在这种情况中, 主控器件为单片机等控制器, 从器件为图 3 为 I2C 的时序图, 在 SCL 为稳定的高电平时,SDA 为闭锁状态并且在不使用的时候应保持高电平开始信号是由 SCL 为高电平时将 SDA 拉低产生的首先传送 7 位的器件地址和 1 位读写标志位当 SCL 为高电平时,SDA 必须保持稳定在最后一位数据传送出去后, 主控器件会检测的应答信号主控器件通过上拉电阻释放 SDA 线为高电平, 然后使 SCL 发送一个脉冲如果正确的接收到地址信号, 在 SCL 的脉冲期间它将使 SDA 拉低 ; 如果 SDA 线不为低, 则表示数据没有正确接收, 主控器件将会发送一个停止信号 ( 稍候介绍 ) 并且中断数据传递在的应答信号发送之后, 寄存器的地址将被发送寄存器地址发出后, 也必须产生一个应答信号来表示寄存器地址是否被正确接收接下来传送 8-bit 寄存器数据 8-bit 数据传送完后, 同样需要产生一个应答信号来表示数据的正确接收如果主控器件还有其他数据要传送给, 重复之前叙述的两步, 直到所有数据传送完停止信号将结束数据的传送当 SCL 信号为高电平时将 SDA 拉高就产生了停止信号 I2C 写数据主控器件通过发送最低位置 0 的器件地址来实现对写入数据器件地址传送后, 再依次发送寄存器地址和数据 ( 见图 5) I2C 读数据主控器件发送最低位置 0 的器件地址后发送需要读取数据的寄存器地址重新发送一个开始信号后, 主控器件再发送最低位置 1 的器件地址, 相应寄存器的数据即可读取到主控器件里 ( 见图 6) 图 3 传送时序 SDA SCL DATA LINE STABLE; DATA VALID CHANGE OF DATA ALLOWED 图 4 开始和停止条件 P0.6 7

8 图 5 数据写入图 6 读出数据 P0.6 8

9 寄存器定义表格 2 寄存器功能列表地址名称功能表格 R/W 默认值 00h 电池状态寄存器存储 A,B 电池的状态信息 3 R - 01h 配置寄存器设置工作电压及电源选择 4 R/W xx Fh 复位寄存器重置所有寄存器数据为上电默认值 - W xxxx xxxx 表格 3 00h 电池状态寄存器 ( 只读 ) 位 D7 D6 D5:D4 D3:D2 D1:D0 名称 BI AI BS BVD AVD R/W 默认值 - 存储 A,B 电池的连接状态信息 BI BATB-ID 状态位 0 BATB-ID 为低电平 ( 电池接入 ) 1 BATB-ID 为高电平 ( 电池断开 ) AI BATA-ID 状态位 0 BATA-ID 为低电平 ( 电池接入 ) 1 BATA-ID 为高电平 ( 电池断开 ) BS 电池状态位 00 A-BAT 电池供电 01 B-BAT 电池供电 11 A B 电池均无连接, 由适配器供电 BVD B-BAT 电压状态位 00 V B-BAT < V TH2 01 V TH2 < V B-BAT < V TH1 10 V TH1 < V B-BAT < 4.2V 11 V B-BAT 4.2V AVD A-BAT 电压状态位 00 V A-BAT < V TH2 01 V TH2 < V A-BAT < V TH1 10 V TH1 < V A-BAT < 4.2V 11 V A-BAT 4.2V R 表格 4 01h 配置寄存器位 D7 D6 D5:D4 D3:D2 D1 D0 名称 SB SA/CS PS HV V TH1 V TH2 R/W R R/W W W W W 默认值 - -/ 设置工作电压及电源选择 SB 内部集成充电器对 B-BAT 充电状态位 ( 只读位 ) 0 充电开启 1 充电关闭 SA(R) 内部集成充电器对 A-BAT 充电状态位 ( 只读位 ) 0 充电开启 1 充电关闭 CS(W) 内部集成充电器控制位 0 开启 1 关闭 PS 电源选择位 00 自动选择 01 A-BAT 供电 10 B-BAT 供电 HV V TH1 迟滞电压设置位 V V V TH1 阈值电压设置位 0 3.5V 1 3.6V V TH2 阈值电压设置位 0 3.2V 1 3.3V P0.6 9

10 0Fh 复位寄存器写入任意 8 位数据到复位寄存器中可使的所有寄存器数据重置为上电默认值在初始上电时, 寄存器数据也将被复位成默认值 P0.6 10

11 应用说明双电池切换供电是一款支持双电池智能切换功能的管理芯片, 可自动选择电源通路系统并对双电池的切换进行管理放电电池切换状态 ( 适配器无连接 ): 状态 1: 当 V A-BAT V TH1,V B-BAT V TH1 时, 由 A-BAT 供电状态 2: 当 V A-BAT V TH1, 且持续 t D,V B-BAT V TH1 +V HY 时, 切换到 B-BAT 供电状态 3: 当 V A-BAT V TH2,V B-BAT V TH1 时, 立即切换到 B-BAT 供电状态 4: 当 V A-BAT V TH1,V TH2 V B-BAT V TH1 时, 由 A-BAT 供电 BATA A-BAT BATB VTH1 B-BAT VTH2 A-BAT B-BAT VBAT Device 状态 5: 当 V TH2 V A-BAT V TH1,V TH2 V B-BAT V TH1 时, 由 A-BAT 供电状态 6: 当 V A-BAT V TH2,V TH2 V B-BAT V TH1 时, 切换到 B-BAT 供电注意 : 当 V A-BAT 和 V B-BAT 都高于 V TH2 时, 可通过写入配置寄存器 (01h) 的 PS 位强制选择使用哪个电池供电若强制选择电池供电后, 其一电池电压低于 V TH2, 则强制选择失效, 系统按照默认条件选择供电电池, 直到双电池都恢复到 V TH2 以上, 再由强制选择的电池供电状态 7: 当 V B-BAT V TH2 时, 则一直由 A-BAT 供电 P0.6 11

12 充电电池切换状态 ( 适配器连接 ): 双电池的充电原则为 : 当适配器插入时,PMIC 为正在使用中的电池充电, 芯片同时通过内部集成的充电器提供小电流为未使用的电池充电当未使用的电池电压低于 V TH2 时, 芯片内部集成的充电器提供 20mA 的电流对其充电, 直到电池电压达到 V TH2 后, 芯片内部集成的充电器才开始提供 150mA 的恒流继续对其充电, 当电池电压达到 4.2V 左右时即停止充电恒流充电时, 电池电压发生变化, 充电原则依据下述电池切换条件变化直到电池电压达到 4.2V 为止, 内部充电器则自动关闭, 恒流充电无法将电池充满, 需要 PMIC 完成充满任务当适配器插入, 且双电池电压都大于 V TH1 时,PMIC 先为 A-BAT 充电 A-BAT 充电完成后, 建议通过配置寄存器 (01h) 的 PS 位, 强制切换到 B-BAT 进行供电, 此时 PMIC 为 B-BAT 充电当 B-BAT 也充满后, 双电池充电完成此时建议通过配置寄存器 (01h) 的 PS 位重新切换为自动选择, 并停止 PMIC 充电和内部充电, 直到有一个电池再次没电这样可以提高 PMIC 使用效率, 缩短充电时间状态 1: 当 V A-BAT V TH2,V B-BAT V TH1 时, 由 B-BAT 供电此时,PMIC 为 B-BAT 充电, 同时通过内部集成的充电器提供小电流 (20mA) 为 A-BAT 充电直到 V A-BAT 电压充至 V TH1 +V HY 时, 切换供电电池状态 2: 当 V A-BAT 电压充至 V TH1 +V HY,V B-BAT V TH1 时, 切换回 A-BAT 供电此时,PMIC 为 A-BAT 充电, 同时通过内部集成的充电器提供小电流 (150mA) 为 B-BAT 充电状态 3: 当 V A-BAT V TH2,V TH2 V B-BAT V TH1 时, 由 B-BAT 供电此时,PMIC 为 B-BAT 充电, 同时通过内部集成的充电器提供小电流 (20mA) 为 A-BAT 充电直到 V A-BAT 电压充至 V TH2 +0.1V 时, 切换供电电池状态 4: 当 V A-BAT 电压充至 V TH2 +0.1V,V TH2 V B-BAT V TH1 时, 切换回 A-BAT 供电此时,PMIC 为 A-BAT 充电, 同时通过内部集成的充电器提供小电流 (150mA) 为 B-BAT 充电状态 5: 当 V A-BAT V TH2,V B-BAT V TH2 时, 双电池与 VBAT 断开, 都不供电此时,PMIC 不为双电池充电, 通过内部集成的充电器提供小电流 (20mA) 同时为 A-BAT B-BAT 充电直到其中一个电池电压充至 V TH2 +0.1V 时, 由此电池供电状态 6: 若 V A-BAT 电压先充至 V TH2 +0.1V,V B-BAT V TH2 时, 由 A-BAT 供电此时,PMIC 为 A-BAT 充电, 同时通过内部集成的充电器提供小电流 (20mA) 为 B-BAT 充电若 V B-BAT 电压先充至 V TH2 +0.1V, 则充电情况相反 P0.6 12

13 双电池应用环境配置 1. 皮套电池 :A-BAT 为皮套电池,B-BAT 为内置电池 2. 内置电池 :A-BAT 为非固定电池,B-BAT 为固定电池 3. 相同容量, 可插拔电池 :A-BAT B-BAT 其一即可以上三种应用环境都可使用图 1 图 2 的应用电路双电池间的切换均满足上述充放电切换条件注意, 由于手机应用系统的差异, 可能会造成在主电池电压还未低于 V TH1 进行切换时, 手机即提示低电报警或关机警报建议使用 I2C 配置寄存器 (01h) 的 PS 位, 强制切换到副电池供电, 可避免此情况发生迟滞电压的电池切换电压设有迟滞功能迟滞电压的设置可避免双电池间的频繁切换, 并可保证以 A-BAT 为主电池的供电系统在使用中的电池低于阈值电压而发生切换时, 只有当电池电压恢复到阈值电压 + 迟滞电压以上时, 才可重新切换回来通过配置寄存器 (01h) 的 HV 位可对电池的迟滞电压 V HY 进行设置, 当 HV 位置 00 时,V HY = 0.1V, 置 01 时,V HY = 0.05V V HY 为 V TH1 的迟滞电压, V TH2 的迟滞电压固定为 0.1V 寄存器功能配置性能通过写入配置寄存器 (01h) 可设置的工作性能 CS 位可对内部集成充电器进行控制, 当 CS 位置 0 时, 内部集成充电器开启 ; 当 CS 位置 1 时, 内部集成充电器关闭 PS 位可对电源系统进行设置, 当 PS 位置 00 时, 系统根据上述切换条件自动选择电池源 ; 当 PS 位置 01 时, 电源系统强制使用 A-BAT 供电, 置 10 时强制使用 B-BAT 供电注意, 此功能只有当 V A-BAT 和 V B-BAT 都高于 V TH2 时才有效 V TH1 位可设置电池的阈值电压 V TH1, 当 V TH1 位置 0 时,V TH1 = 3.5V, 置 1 时,V TH1 = 3.6V V TH2 位可设置电池的阈值电压 V TH2, 当 V TH2 位置 0 时,V TH2 = 3.2V, 置 1 时,V TH2 = 3.3V 读取电池状态电池状态寄存器 (00h) 为只读寄存器, 存储双电池的连接和使用状态 BI 位为 BATB_ID 状态位, 当 BATB_ID 为低电平时, BI 为 0 ;BATB_ID 为高电平时,BI 为 1 AI 位为 BATA_ID 状态位, 当 BATA_ID 为低电平时, AI 为 0 ;BATA_ID 为高电平时,AI 为 1 BS 为电池状态位, 当使用 A-BAT 供电时,BS 为 00 ; 当使用 B-BAT 供电时,BS 为 01 ; 当 A-BAT B-BAT 均无连接, 由适配器供电时,BS 为 11 BVD 为 B-BAT 电压状态位, 当 V B-BAT < V TH2 时,BVD 为 00 ; 当 V TH2 < V B-BAT < V TH1 时,BVD 为 01 ; 当 V TH1 < V B-BAT < 4.2V 时,BVD 为 10 ; 当 V B-BAT 4.2V 时,BVD 为 11 AVD 为 A-BAT 电压状态位, 当 V A-BAT < V TH2 时,AVD 为 00 ; 当 V TH2 < V A-BAT < V TH1 时,AVD 为 01 ; 当 V TH1 < V A-BAT < 4.2V 时,AVD 为 10 ; 当 V A-BAT 4.2V 时,AVD 为 11 配置寄存器 (01h) 的 SA SB 位为只读位, 存储内部集成充电器对双电池的充电状态 SA 为内部集成充电器对 A-BAT 充电状态位, 当集成的充电器为 A-BAT 进行小电流充电时, SA 为 0, 否则为 1 SB 为内部集成充电器对 B-BAT 充电状态位, 当集成的充电器为 B-BAT 进行小电流充电时, SB 为 0, 否则为 1 注意,CS 位和 SA 位为配置寄存器 (01h) 中的同一位, 分别对应读写操作 ( 见表格 4) 写入 CS 位可对内部集成充电器进行控制, 若设置内部集成充电器关闭, 此时读取到 SA SB 位的数据则都为 1, 内部集成充电器关闭不对任何电池充电 ; 若设置内部集成充电器开启, 此时读取到 SA SB 位的数据则可显示出内部集成充电器正在为哪个电池充电或两电池均充满的信息中断信号带有的中断功能可标示电池的状态改变当双电池的状态 (00h 寄存器和 01h 寄存器部分只读位所指示的连接状态, 电池电位, 充电状态 ) 发生改变, 的 INTB 引脚拉低, 产生中断信号给 Baseband, Baseband 接收到中断信号后, 主控器件读取电池状态寄存器 (00h 寄存器和 01h 寄存器部分只读位 ) 获取状态信息, 读状态寄存器 (00h) 动作,INTB 电平会变高, 然后根据状态信息, 执行相应处理 INTB 为中断输出口, 接 Base Band 中断口, 并通过一个 100kΩ 的电阻上拉到 V DD 电池热插拔支持电池热插拔功能当供电电池拔掉时, 会自动切换到另一电池供电, 保证手机不掉电关机一旦双电池的连接状态发生变化时, 将会发送中断信号, 通知 ( 使 ) 主控器件读取电池连接状态 P0.6 13

14 硬件复位功能支持硬件复位功能当手机由于误操作导致死机时, 用户无需拆卸电池, 只需通过按键置低 RSTB 引脚就可以使得手机掉电关机单电池应用方案支持单电池应用 ( 见图 7) A-BAT/B-BAT 与 VBAT 间预留阻值为 0Ω 的电阻当对应的 0Ω 电阻连接上时, 为兼容 A-BAT/B-BAT 供电的单电池应用方案图 7 单电池应用电路设计指南元器件选择二极管 D1~D4 为齐纳二极管, 用于防止浪涌电压击坏芯片, 需靠近芯片放置 D3 二极管还可用于防止 AC 引脚的电压过高对芯片造成损坏建议使用较小的 SOD-323 封装兼容单电池方案中的 0Ω 电阻 ( 见图 7), 选取时需注意电阻所能承受的电流一般来说,GSM 打开瞬间有 2.5A 的大电流, 每个 0402 封装的 0Ω 可以承受的电流约为 1A,0603 封装的电阻可以承受电流约为 2.5A, 每个 0805 封装的电流约为 5A 所以每路建议使用三个 0402 封装的 0Ω 电阻并联, 或者使用一个 0805 封装的 0Ω 电阻由于的开关速度可达 150ns,C BAT 使用 10μF 的瓷片电容即可所有电容均要求达到耐压 10V 以上 Adapter 供电电路可选择使用 FDFMA2P853 芯片 FDFMA2P853 内部集成 PMOS 和二极管, 应用于手机电池充电开关电路详情请参考 FDFMA2P853 产品说明书 PCB 注意齐纳二极管 D1~D4 A-BAT 和 B-BAT 的电容需靠近芯片放置 BAT-ID 的走线应尽量屏蔽, 避免其他信号的干扰连接电池的 BATA BATB 引脚, 以及连接到 Base Band 的 VBAT 引脚, 在 PCB 走线时要尽量宽短电流达到 2A 时, 建议线宽设置 0.8mm 以上 ;4A 时, 线宽需达 1.5mm 以上电源线地线宽度应大于 1.0mm P0.6 14

15 回流焊接特性参数 Profile Feature Pb-Free Assembly Preheat & Soak Temperature min (Tsmin) Temperature max (Tsmax) Time (Tsmin to Tsmax) (ts) 150 C 200 C seconds Average ramp-up rate (Tsmax to Tp) 3 C/second max. Liquidous temperature (TL) Time at liquidous (tl) 217 C seconds Peak package body temperature (Tp)* Max 260 C Time (tp)** within 5 C of the specified classification temperature (Tc) Average ramp-down rate (Tp to Tsmax) Time 25 C to peak temperature Max 30 seconds 6 C/second max. 8 minutes max. 图 8 回流焊接温度曲线 P0.6 15

16 卷带包装信息 P0.6 16

17 封装信息 QFN-20 注意 : 除非特殊说明, 上图所有尺寸单位均为毫米 (mm) 重要声明不对本公司产品以外的任何电路的使用负责, 也不提供其专利许可保留在任何时间没有任何通报的前提下修改产品资料和规格的权利客户应该在发送订单之前取得最新的相关信息并且核对信息的正确和完整性 P0.6 17

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