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1 第 1 章 VLSI 概论 1 讲课教师 : 胡新伟 办公室 : 电四楼 200 办公室电话 : 手机 : huxw@ustc.edu.cn 第 1 章 VLSI 概论 2

2 助教 : 汤纬地手机 : viddy@mail.ustc.edu.cn 赵晓诗手机 : sschase@mail.ustc.edu.cn 马晓超手机 : tiao625@mail.ustc.edu.cn 葛阳洋手机 : gyy1993@mail.ustc.edu.cn 第 1 章 VLSI 概论 3 教材 : 超大规模集成电路与系统导论原著 :Introduction to VLSI Circuits and Systems,2002 [ 美 ]John P. Uyemura 著, 周润德译电子工业出版社,2004 年 1 月参考书 : 数字集成电路 电路 系统与设计 ( 第二版 ) 原著 : Digital Integrated Circuits A Design Perspective,Second Edition, 2003 [ 美 ] Jan M. Rabaey Anantha Chandrakasan Borivoje Nikolic 著周润德等译, 电子工业出版社,2004 年 10 月 第 1 章 VLSI 概论 4

3 理论课内容 硅片逻辑 :MOSFET 逻辑设计 CMOS 集成电路的物理结构 制造工艺 版图设计 ; 电路设计 :MOSFET 的电气特性 逻辑门的电子学分析 高速 CMOS 逻辑电路设计 CMOS 逻辑电路的高级技术 ; 系统设计 :Verilog HDL 常用的 VLSI 系统部件 CMOS VLSI 运算电路 存储器与可编程逻辑 系统级物理设计 第 1 章 VLSI 概论 5 实验教材 ( 实验从第 9 周开始 ): Cadence IC 设计实验 ( 电子版 ) 黄鲁 胡新伟 白雪飞编 评分标准 : 平时 :30%~40% 考试 :60%~70% 课件下载地址 : 第 1 章 VLSI 概论 6

4 第 1 章 VLSI 概论 本章目录 1.1 全世界半导体市场 1.2 集成电路发展史 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) 1.4 集成电路的分类 1.5 数字集成电路设计的挑战 1.6 集成电路设计方法 第 1 章 VLSI 概论 全世界半导体市场 资料来源 : 美国半导体行业协会 第 1 章 VLSI 概论 8

5 1.1 全世界半导体市场 2004 年半导体产品类型比例 本课程学习任务 第 1 章 VLSI 概论 全世界半导体市场 集成电路产业发展现状 计算机和通信是信息社会的两大支柱, 集成电路设计是计算机和通信的核心技术 以集成电路为核心的电子信息产业已成为世界第一大产业 目前, 发达国家国民经济总产值增长部分的 65% 与集成电路相关 世界范围内集成电路销售额以年平均 15% 的速度增长,2010 年达到 6000 亿美元 现代经济发展的数据表明, 每 l~2 元的集成电路产值, 带动了 10 元左右电子工业产值的形成, 进而带动了 100 元 GDP 的增长 如果以单位质量的 钢 对国民生产总值的贡献为 1 来计算, 则小轿车为 5, 彩电为 30, 计算机为 1000, 而集成电路则高达 第 1 章 VLSI 概论 10

6 1.2 集成电路发展史 最早的 计算器 算盘 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 第一个自动计算器 (1832 年 ) The Babbage Difference Engine (1832) 25,000 parts cost: 17, 第 1 章 VLSI 概论 12

7 1.2 集成电路发展史 1904 年 : 英国电气工程师 Fleming 发明真空二极管, 标志着世界从此进入了电子时代 1906 年 : 美国人 Lee De Forest 发明真空三极管, 为电子计算机的发展奠定了基础 ENIAC 第一台电子计算机 (1946 年 ) 诞生于美国宾夕法尼亚大学, 电子管,6000 继电器, 7000 个电阻,10000 个电容, 重 30 吨,30 米长, 功率 174KW 时钟频率 100KHz, 平均正常工作时间 2.5 小时 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 1940 年贝尔实验室 Russel 发明 PN 结 1947 年底贝尔实验室 John Bardeen 和 Walter Brattain 发明点接触晶体管 ( point contact transistor) 第 1 章 VLSI 概论 14

8 1.2 集成电路发展史 1951 年贝尔实验室 William Shockley 发明了更实用的结型晶体管 (junction transistor), 不久用于电话上 1956 年,William Shockley, John Bardeen 和 Walter Brattain 获得 Nobel 物理奖 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 1958 年 - 发明集成电路集成电路 : 采用一定的制造工艺, 把整个电路的元器件制作在同一块半导体基片上, 构成特定功能的电子电路 1958 年 9 月, Texas Instruments( 简称 TI) 公司 Jack Kilby 用 5 个集成元件做出了简单振荡器, 1959 年 2 月申请专利 第 1 章 VLSI 概论 16

9 1.2 集成电路发展史 1959 年 发明平面工艺技术 1959 年 7 月 Fairchild 公司 Robert Noyce 结合其同事 Jean Hoerni 发明的刻蚀氧化硅工艺, 在电路上淀积金属薄层进行电路连接, 使复杂集成电路成为可能 2000 年,Jack Kilby, Robert Noyce 获得 Nobel 物理奖 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 1960 年 : Bell 实验室 Kahng 和 Atalla 造出第一个 MOSFET 栅极 :Al 沟道长度 :25µm 栅氧层厚度 :100nm 第 1 章 VLSI 概论 18

10 1.2 集成电路发展史 Bipolar logic 1960 s ECL 3-input Gate Motorola 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 1967 年 :Bell 实验室的 Kahng 和 Sze 发明浮栅 (Floating gate) 技术 源极 浮栅 栅极 漏极 t ox n + 衬底 p t ox n + 器件截面图 第 1 章 VLSI 概论 20

11 1.2 集成电路发展史 1970 年 : Intel 公司 1K bits DRAM 芯片 工艺 : 硅栅 PMOS 工艺特征尺寸 :8µm 芯片面积 :10mm 2 资料来源 :Intel 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 1971 年 :Intel 4004 工艺 : 硅栅 PMOS 工艺特征尺寸 :10µm 晶体管数 :2300 个时钟频率 :108KHz 芯片面积 :13.5mm 2 资料来源 :Intel 第 1 章 VLSI 概论 22

12 1.2 集成电路发展史 Intel 8080 Intel 8086/8088 Intel Intel Intel Intel Pentium Intel Pentium Pro Intel Pentium II Intel Pentium III 资料来源 :Intel 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 时间 微处理器 工艺 特征 芯片面积 晶体管数 时钟频率 尺寸 1974 年 Intel 8080 NMOS,1P1M 6µm 20.0mm 2 6,000 2MHz 1978 年 Intel 8086/8088 NMOS,1P1M 3µm 28.6mm 2 29, MHz 1982 年 Intel CMOS,1P2M 1.5µm 68.7mm 2 134, MHz 1985 年 Intel CMOS,1P2M 1.5µm 104mm 2 275, MHz 1989 年 Intel CMOS,1P3M 1.0µm 163mm 2 1.2M 25-50MHz 1993 年 Intel Pentium BiCMOS,1P3M 0.8µm 264mm 2 3.2M 60-66MHz 1995 年 Intel Pentium Pro BiCMOS,1P4M 0.35µm 310mm 2 5.5M MHz 1997 年 Intel Pentium Ⅱ CMOS,1P4M 0.35µm 209mm 2 7.5M MHz 1999 年 Intel Pentium Ⅲ CMOS,1P6M 0.18µm 140mm 2 28M MHz 第 1 章 VLSI 概论 24

13 1.2 集成电路发展史 2000 年 : Intel Pentium 4 工艺 : 硅栅 CMOS 工艺, 1 层多晶,6 层金属特征尺寸 :0.18µm 晶体管数 :42M 时钟频率 : GHz 芯片面积 :224mm 2 资料来源 :Intel 第 1 章 VLSI 概论 集成电路发展史 我国集成电路的发展 1956 年研制出第一个锗晶体管 1965 年制成了第一片集成电路 我国集成电路生产能力方面 1993 年生产的集成电路为 1.78 亿块, 占世界总产量的 0.4%, 相当于美国 1969 年的水平, 日本 1971 年的水平 2000 年生产的集成电路为 58.8 亿块, 国内集成电路市场总用量为 240 亿块, 国内市场占有率为 24.5% 绝大部分依靠进口 2005 年生产的集成电路为 288 亿块, 国内集成电路市场总用量为 830 亿块, 国内市场占有率为 34.7% 总之, 我国集成电路产业的总体发展水平还很低, 与国外相比大约落后 10~15 年 第 1 章 VLSI 概论 26

14 1.2 集成电路发展史 Who are They? J. Fleming Lee de Forest W. Shockley Jack S. Kilby Gordon Moore 第 1 章 VLSI 概论 摩尔定律 (Moore s Law) LOG 2 OF THE NUMBER OF COMPONENTS PER INTEGRATED FUNCTION Electronics, April 19, 第 1 章 VLSI 概论 28

15 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) Moore 定律 (Moore s Law): 1965 年, Gordon Moore 注意到单块芯片上的晶体管数目每 18 至 24 个月 (1.5 年至 2 年 ) 翻一倍 他预见半导体工艺将在每 18 个月更新一代 代的含义 特征尺寸与集成度特征尺寸 :0.7x, 意味着集成度 x2 性能与功能速度 :2x 芯片尺寸与面积芯片尺寸 :1.5x, 意味着芯片面积 x2 成本单位功能成本 0.7x/ 年 第 1 章 VLSI 概论 摩尔定律 (Moore s Law) 存储器容量的增长趋势 存储器容量每 18 个月翻一番! 第 1 章 VLSI 概论 30

16 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) 微处理器晶体管数的增长趋势 Transistors (MT) 每 1.96 年翻一倍! 第 1 章 VLSI 概论 P6 Pentium proc Year 资料来源 : Intel 最先进微处理器的晶体管数目每两年翻一倍! 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) 微处理器工作频率的增长趋势 Frequency (Mhz) 每两年翻一倍 286 P6 Pentium proc Year 资料来源 : Intel 最先进微处理器芯片的工作频率每两年翻一倍! 第 1 章 VLSI 概论 32

17 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) 微处理器单个芯片尺寸的增长趋势 100 Die size (mm) P6 486 Pentium proc ~7% growth per year ~2X growth in 10 years Year 资料来源 : Intel 微处理器单个芯片尺寸每年增长 7%, 每 10 年增长两倍! 第 1 章 VLSI 概论 摩尔定律 (Moore s Law) 成品率 芯片成本 = f 4 ( 芯片面积 ) 第 1 章 VLSI 概论 34

18 1.3 摩尔定律 (Moore s Law) 每个晶体管的成本 单位 : 美分 每个晶体管的制造投资 ( 符合摩尔定律 ) 第 1 章 VLSI 概论 摩尔定律 (Moore s Law) Moore 定律 (Moore s Law): 1965 年, Intel 公司的 Gordon Moore 注意到单块芯片上的晶体管数目每 18 至 24 个月 (1.5 年至 2 年 ) 翻一倍 他预见半导体工艺将在每 18 个月更新一代 第 1 章 VLSI 概论 36

19 1.4 集成电路的分类 1 按集成电路规模分类 小规模集成电路 (Small Scale IC,SSI ):<10 门 中规模集成电路 (Medium Scale IC,MSI):10~100 门 大规模集成电路 (Large Scale IC,LSI):100~10000 门 超大规模集成电路 (Very Large Scale IC,VLSI):10 4 ~10 6 门 特大规模集成电路 (Ultra Large Scale IC,ULSI):10 6 ~10 8 门 巨大规模集成电路 (Gigantic Scale IC,GSI):>10 8 门 2 按制造工艺分类 双极 IC CMOS IC BiCMOS IC 第 1 章 VLSI 概论 集成电路的分类 3 按处理的信号类型分类 模拟集成电路 数字集成电路 数模混合集成电路 4 按设计方法分类 全定制设计 半定制设计 可编程设计 5 按生产的目的分类 通用集成电路 专用集成电路 (ASIC) 第 1 章 VLSI 概论 38

20 1.5 数字集成电路设计的挑战 数字集成电路设计的挑战 超高速设计 互连 噪声 串扰 功耗 电源分布 时钟分布 可移植性 投放市场时间 等等 第 1 章 VLSI 概论 数字集成电路设计的挑战 微处理器功耗的增长趋势 100 Power (Watts) P6 Pentium proc Year 资料来源 : Intel 最先进微处理器的功耗在持续增长! 第 1 章 VLSI 概论 40

21 1.5 数字集成电路设计的挑战 功耗将成为主要问题 Power (Watts) Pentium proc 18KW 5KW 1.5KW 500W Year 资料来源 : Intel 功率的传输和耗散将成为集成电路发展的主要障碍! 第 1 章 VLSI 概论 数字集成电路设计的挑战 微处理器功率密度的增长趋势 Power Density (W/cm2) 火箭喷管 核反应堆 8086 热金属板 P6 Pentium proc Year 资料来源 : Intel 第 1 章 VLSI 概论 42

22 1.6 集成电路设计方法 集成电路设计能力的发展趋势 10,000,000 10, ,000,000 1,000,000 1,000 复杂度 100, , , 每芯片逻辑晶体管数人均每月设计晶体管数 x x x x x x x x 每年复杂度的综合增长率为 58% 每年设计能力的综合增长率为 21% 10,000,000 1,000, ,000 10,000 1, 每芯片逻辑晶体管数 (M) 设计能力 (K) 人均每月设计晶体管数 Source: Sematech 芯片复杂度的增长速度超过了设计能力的增长速度 第 1 章 VLSI 概论 集成电路设计方法 基本解决方案 1 采用更有效的设计方法和设计流程 2 采用更有效 更合适的 EDA 设计工具 3 采用更高层次的设计综合方法和最强有力的验证手段, 保证设计的一次成功 4 采用低功耗设计方法解决功耗问题 5 在前端设计时充分考虑后端设计的要求, 减少迭代次数 6 采用可测试设计方法, 保证芯片的可测试性 第 1 章 VLSI 概论 44

23 1.6 集成电路设计方法 层次化设计 : 抽象层次 系统 + 模块 门 电路 S n+ G 器件 n+ D 第 1 章 VLSI 概论 集成电路设计方法 层次化设计的一般框图 自顶向下 (Top-down) 自底向上 (Bottom-up) 第 1 章 VLSI 概论 46

24 思考 : 为什么要不断减小特征尺寸? 降低电源电压会带来哪些问题? 如何减少电容和电感 ( 耦合 ) 的串扰? 可以采用哪些方法降低功耗? 你预计 CPU 主频的极限是多少? 第 1 章 VLSI 概论 47

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untitled ( ) 2005 2 27 1 70 :SSI(Small Scale Integration), 1 10,MSI (Medium Scale Integration),,, 80 LSI(Large Scale Integration),, 16,Motoral M68000(7 ),Intel 80286 (12.5 ),80386 (27.5 ) 90 : VLSI(Very Large Scale

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