概述 HM1532 是一款由基准电压电路振荡电路误差放大电路相位补偿电路时钟闩锁式短路保护电路 PWM/PFM 切换控制电路构成的 CMOS 升压型 DC/DC 控制器由于使用外接的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET, 因此适用于需要高效率高输出电流的应用电路 HM1532 可通过

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情冀
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1 HM1532 PWM/PFM 可切换, 输出空载时系统静态电流 70UA--80UA( 国内专利技术 ) 转换效率 :92%(D1FH3)90%(SS34) 1.2MHZ 开关频率, 搭配电感体积可以更小典型应用图中建议使用参数 : RFB1=110K,RFB2=15K, Cout 若使用电解电容, 推荐 220uF 的电解电容与 22uF 贴片陶瓷电容并联, 且 CFB 不连接 Cout 若使用 2 个 22uF 贴片陶瓷电容并联, CFB=22pF, 电感使用 1.5uH 1 / 15

2 概述 HM1532 是一款由基准电压电路振荡电路误差放大电路相位补偿电路时钟闩锁式短路保护电路 PWM/PFM 切换控制电路构成的 CMOS 升压型 DC/DC 控制器由于使用外接的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET, 因此适用于需要高效率高输出电流的应用电路 HM1532 可通过 PWM 控制电路, 将占空系数线性改变到 90% 为止, 因此可对应高效率输入输出电压差较大的电压条件 ; 同时还具有 PWM/PFM 切换功能, 在轻负载时将工作切换为 PFM 控制电路, 从而防止因 IC 的工作电流而导致的效率下降 HM1532 的输出电容器可使用陶瓷电容器并且采用了小型的 SOT-23-5 封装, 因此可适用于高密度安装特点输入电压范围振荡频率基准电压软启动功能低消耗电流占空系数开 / 关控制功能外接元器件 UVLO( 欠压锁定 ) 功能无铅 Sn 100% 无卤素 :1.8 V~5.5V :1.2MHz :0.6V±2.0% :10ms 典型值 : 静止时 35μA 典型值 : 内置 PWM/PFM 切换控制电路 20%~90% : 休眠时消耗电流 1.0μA( 最大值 ) : 电感器二极管电容器晶体管 :1.7V 典型值用途 MP3 播放器数码音响播放器移动电源数码相机 GPS 无绳收发机其他携带设备 2 / 15

3 封装 SOT-23-5L 引脚号符号描述 1 FB 输出电压反馈端子图 1 2 VDD 电源输入端子 3 ON/OFF 开关控制端子 H 正常工作 L 待机 4 GND GND 端子 5 EXT 外接晶体管连接端子绝对最大额定值 ( 除特殊注明以外 : Ta = 25 C VSS = 0 V) 项目符号绝对最大额定值单位 VDD 端子电压 V DD VSS-0.3 ~ VSS+6.0 V FB 端子电压 V FB VSS-0.3 ~ VDD+0.3 V EXT 端子电压 V EXT VSS-0.3 ~ VDD+0.3 V ON/OFF 端子电压 V ON/OFF VSS-0.3 ~ VDD+0.3 V 容许功耗 P D 650 mw 工作环境温度 T OPR -40 ~+85 保存温度 T STG -40 ~+125 注意绝对最大额定值是指无论在任何条件下都不能超过的额定值万一超过此额定值, 有可能造成产品劣化等物理性损伤 3 / 15

4 方框图图 2 电气特性 ( 除特殊注明以外 : VDD = 3.3 V Ta = 25 C) 项目符号条件最小典型最大单位测试电路输入电压 VDD V 2 FB 电压 VFB V 2 FB 端子输入电流工作时消耗电流 *1 ISS1 IFB VDD=1.8 V~5.5 V ua 2 切换工作时, 无负载 VFB=VFB(S) ua 1 4 / 15

5 静止时消耗电流 ISS2 切换停止时, VFB=VFB(S) ua 1 休眠时消耗电流 ISS0 VON/OFF=0V ua 1 EXT 端子输出电 IEXTH VEXT=VDD-0.4V ma 流 IEXTL VEXT=0.4V ma 1 振荡频率 FOSC MHz 1 最大占空系数 MAX DUTY VFB=VFB(S) % 1 PWM/PFM 切换 VDD=VOUT(S)-0.1V, *2 PFM DUTY 占空系数无负载 % 2 UVLO 解除电压 VUVLO V 1 UVLO 滞后幅度 VUVLOHY S V 1 ON/OFF 端高电位输入电压 VSH VDD=1.8V~5.5V V 1 ON/OFF 端低电位输入电压 VSL VDD=1.8 V~5.5V V 1 ON/OFF 端高电 VDD=1.8 V~5.5V, ISH 位输入电流 VON/OFF=0.75V ua 1 ON/OFF 端低电 VDD=1.8 V~5.5V, ISL 位输入电流 VON/OFF=0V ua 1 软启动时间 tss ms 2 *1. VFB(S) 表示 FB 电压的设定值 *2. VOUT(S) 表示输出电压设定值 VOUT(S) 可根据 VFB 值与输出电压设定电阻 (RFB1, RFB2) 之间的比例来进行设定 5 / 15

6 测试电路 HM1532 图 3 HM1532 图 4 6 / 15

7 功能描述 1. 切换控制方式 HM1532 是可根据负载电流而自动切换脉冲幅度变调方式 (PWM) 或脉冲频率变调方式 (PFM) 的 DC/DC 控制器在输出负载电流大的领域内, 利用脉冲幅度可在 20%~90% 的范围内发生变化的 PWM 控制, 可构成低纹波电源的 DC/DC 控制器在输出负载电流小的领域内, 作为 PFM 控制的脉冲幅度为 20% 的固定脉冲, 可根据负载电流量而被跳过因此, 振荡电路变为间隔振荡, 因可抑制其自身消耗电流, 所以在输出负载电流小的领域内可以防止效率的降低 2. 软启动功能 HM1532 内置了软启动电路在电源投入时或 ON/OFF 端子为 H 的启动后, 输出电压 (VOUT) 缓慢启动上升, 可以抑制冲击电流以及输出电压的上冲 HM1532 将从启动后到 VOUT 达到输出电压设定值 (VOUT(S)) 的 90% 为止的时间称为软启动时间 (tss) 软启动的方式采用了基准电压调整方式, 在开始软启动的同时, 基准电压从 0V 开始缓慢启动上升 3. UVLO 功能 HM1532 为了防止因电源电压降低而导致 IC 的误工作, 内置了 UVLO( 欠压锁定 ) 电路在 UVLO 检测状态时停止进行切换工作, 外接晶体管保持 OFF 状态另外, 一旦进入 UVLO 检测状态, 软启动功能就会被复位但是, 其它的内部电路仍在正常工作, 不同于电源切断状态, 务请注意 7 / 15

8 典型应用图 5( 输出端使用电解电容与贴片陶瓷电容并联 ) 8 / 15

9 图 5( 输出端使用贴片陶瓷电容 ) 9 / 15

10 外接元器件选定 1. 电感器 HM1532 工作频率为 1.2MHz, 推荐使用电感值为 1.5uH---3.3uH 电感器电感值对最大输出电流 (IOUT) 和效率 (η) 产生很大的影响电感值变得越小时, 电感器峰值电流 (IPK) 就变得越大, 提高电路的稳定性, 并使可稳定获取的 IOUT 増大然而, 电感值变得更小时, 由于外接晶体管的电流驱动能力变得不足, 而导致效率的降低,IOUT 也会逐渐减少电感值变大时, 切换晶体管的 IPK 所引起的功耗变小, 达到一定的值时效率变为最大然后, 电感值变得更大时, 电感器的串联电阻所引起的功耗也变大, 而导致效率的降低此外, 在选用电感器时, 请注意电感器的容许电流若电感器流入超过此容许电流的电流, 会引起电感器处于磁性饱和状态, 而明显地降低工作效率并导致 IC 的破损因此, 请选用 IPK 不超过此容许电流的电感器在非连续模式连续模式下的理想状态的 IPK 如以下公式所示 *1. fosc 为振荡频率 *2. VD 为二极管的正向电压 2. 二极管请使用满足以下条件的外接二极管 : 采用低正向电压(0.3V 左右 ) 的肖特基二极管切换速度快反向耐压在设定 VOUT 峰值电压以上额定电流在 IPK 以上 10 / 15

11 3. 输入, 输出电容器输入端电容器 (CIN) 可通过降低电源阻抗输入电流平均化而提高效率 HM1532 推荐使用的电容值为 10μF 输出端电容器 (COUT) 是为了平滑输出电压而使用的, 由于升压型产品从输入至输出的电流供应为断续性, 因此与降压型产品相比需要更大的电容值 HM1532 推荐使用陶瓷电容器, 在输出电压较高或负载电流较大的情况下, 则推荐使用输出容量值较大的电容器输出 5V, 2.1A 应用时, 若输出端使用电解电容, 推荐容值为 220uF 的电解电容与 22uF 的贴片陶瓷电容并联 ; 若输出端使用 2 个 22uF 的贴片陶瓷电容并联, 则需要在 RFB1 两端并联 22pF 的反馈电容 CFB, 并且使用 1.5uH 的电感, 从而保证输入电压在 3.3V--4.2V 范围内系统都能稳定工作 4. 外接增强型 MOSFET 请使用 N 沟道增强型 MOSFET 为了获得良好的效率, 使用 ON 电阻 (RON) 较低输入容量 (CISS) 较小的 MOSFET 最为理想由于 MOSFET 的门极电压会被供应到输入电压 (VDD), 因此须选用门极耐压输入电压的使用最大值, 漏极耐压输出电压 (VOUT)+ 二极管的正向电压 (VD) 的 MOSFET 另外, 若使用接近 UVLO 检测电压阈值的 MOSFET, 在电源投入时会流入大电流, 最糟糕时会导致输出电压不能启动上升, 而激发时钟闩锁式短路保护电路的情况发生因此, 请选用开启阈值 (VTH) 比 UVLO 检测电压值低很多的 MOSFET 5. 输出电压设定电阻值 (RFB1,RFB2), 相位补偿电容器 (CFB) HM1532 可通过外接分压电阻器, 将 VOUT 设定为任意的数值请在 VOUT 端子与 VSS 端子之间连接分压电阻器由于 VFB=0.6V( 典型值 ), 因此 VOUT 可按以下公式求出为了避免受到噪声的影响, 请调整 RFB1 和 RFB2 的数值, 推荐使用 RFB1=110k, RFB2=15k 与 RFB1 并联连接的 CFB 为相位补偿用的电容器该电容 CFB 与 RFB1 并联后可设定零点 ( 相位提前 ), 11 / 15

12 使反馈环路有一定的相位裕度来确保电路工作的稳定性为了有效地利用该零点所产生的相位提前效果, 请参考以下公式来设定 CFB 若输出电容使用贴片陶瓷电容, 则推荐使用 CFB=22pF 的贴片电容 ; 若输出电容使用电解电容, 请勿连接 CFB 电容, 以避免环路不稳定应用注意事项功率路径的布线, 包括地线, 电源线, 以及电感与外接 MOSFET,DIODE 连线尽量走直线, 并且粗短外接的电容器电感器等请尽量安装在 IC 附近, 并进行单点接地分压电阻 RFB1,RFB2 尽可能靠近 FB 端子, 并且远离电路的开关结点相位补偿电容 CFB 紧靠 RFB1 连接 VDD 与 VSS 端子间所连接的电容为 0.1μF 的电容器为旁路电容器, 请优先将旁路电容器安装在 IC 附近包含了 DC/DC 控制器的 IC, 会产生特有的纹波电压和尖峰噪声另外, 在电源投入时会流入冲击电流这些现象会因所使用的线圈电容器以及电源阻抗的不同而受到很大的影响因此, 设计时请在实际的应用电路上进行充分的评价本 IC 虽内置防静电保护电路, 但请不要对 IC 施加超过保护电路性能的过大静电 12 / 15

13 特性曲线 1. 输出电压纹波 Iout=500mA Iout=1000mA 2. 过度响应曲线 (Vin:0--3V) Iout=500mA Iout=1000mA 13 / 15

14 3. 输出电流 (Iout)--- 输出电压 (Vout) 特性 14 / 15

15 封装尺寸 15 / 15

概述 SLM5000 是一款由基准电压电路振荡电路误差放大电路相位补偿电路时钟闩锁式短路保护电路 PWM/PFM 切换控制电路构成的 CMOS 升压型 DC/DC 控制器由于使用外接的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET, 因此适用于需要高效率高输出电流的应用电路 SLM5000

概述 SLM5000 是一款由基准电压电路振荡电路误差放大电路相位补偿电路时钟闩锁式短路保护电路 PWM/PFM 切换控制电路构成的 CMOS 升压型 DC/DC 控制器由于使用外接的低导通电阻的 N 沟道功率 MOSFET, 因此适用于需要高效率高输出电流的应用电路 SLM5000 SLM5000(SLM8366AAB BB) PWM/PFM 可切换, 输出空载时系统静态电流 70UA--80UA( 国内专利技术 ) 转换效率 :92%(D1FH3)90%(SS34) 输出短路保护功能 1.2MHZ 开关频率典型应用图中建议使用参数 : RFB1=110K,RFB2=15K,CFB=50PF, Cout=100UF 或 2*47UF 或 3*22UF www.jtm-ic.com