INTRO Rosny sous Bois 实力雄厚 同轴产品 凭借集销售 研发 产业化 制造和质量控制等各领域技术于一身的雄厚实力, 雷迪埃能够生产一系列适合行业应用的高性能 低成本设备, 以及满足军用和航空航天领域苛刻要求的高可靠性元器件 产品广泛 专精于无源微波元件的雷迪埃工程人员研制了一系列

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1 目录 单位换算 ( 功率 温度等 ) SPDT R R570 SPDT 50GHz RAMSES R572 SPDT 40GHz RAMSES R570 SPDT 12.4GHz RAMSES RAMSES R595 SPDT PLATINUM DP3T SPDT R585 DP3T SPDT 40GHz RAMSES RAMSES R595 DP3T SPDT PLATINUM DPDT R577 DPDT 40GHz RAMSES R577 DPDT 12.4GHz RAMSES RAMSES R513 DPDT TITANIUM R593 DPDT PLATINUM SPnT R591 SPnT R57 SPnT 40GHz RAMSES R57 SPnT 12.4GHz RAMSES SPnT RAMSES RAMSES R51 TITANIUM R594 PLATINUM (& 5-37) 产品概述 射频微波和宇航级产品 开关应用 SWITCHING PRODUCTS INTRO 1-3

2 INTRO Rosny sous Bois 实力雄厚 同轴产品 凭借集销售 研发 产业化 制造和质量控制等各领域技术于一身的雄厚实力, 雷迪埃能够生产一系列适合行业应用的高性能 低成本设备, 以及满足军用和航空航天领域苛刻要求的高可靠性元器件 产品广泛 专精于无源微波元件的雷迪埃工程人员研制了一系列标准同轴产品, 其中包括负载 衰减器 耦合器 同轴检波器 同轴和波导开关, 频率范围为 DC 至 50GHz 研发创新 日趋复杂的微波系统需要越来越多的高性能元器件 经验丰富 得益于 60 多年的丰富经验和研发方面的不懈努力, 雷迪埃现已发展成为欧洲首屈一指的同轴连接器生产商 作为市场领导者,50 多年来, 雷迪埃在无源微波元件领域一直居于领先地位 如今, 雷迪埃在无源微波元件的设计 研发和制造方面的竞争力在业内已众所周知 为了满足这些需求, 雷迪埃的研发部门不断致力于新产品的开发, 与此同时也对现有产品进行了改进 由于配备了微波与机械 CAD 系统以及频率高达 60GHz 的最新一代微波测试设备, 雷迪埃采用最先进的技术优化其产品, 同时对于客户的特定需求在第一时间内做出快速响应 1-4

3 同轴产品 生产稳定 质量可靠 质量和可靠性 : 雷迪埃多年以来一直致力于满足无源微波元件的这两大要求 通过 ISO 9001 V2008 认证有力证明了产品从设计到制造的各个环节均实施了严格的质量保证措施 所有的新产品在批量生产前都要执行严格的质量鉴定程序 同样, 每个可能影响到产品质量的因素都要进行定期测试. INTRO 微波产品的电气性能取决于单个零件和相关电镀的加工质量 采用最先进的数控金加工设备及自己的电镀生产线, 雷迪埃能够生产出高品质的零件 得益于其厚膜与薄膜刻蚀设备, 我们的生产部门能制造出保证产品质量及重复性的开关用负载零件 拥有打样车间使雷迪埃能够快速回复特殊的客户需求 所有的制造和测试阶段都由我们的质量部门进行严格检查, 以保证产品的一致性并满足通用和特殊需求 NATO 代码 雷迪埃是可以使用军用标记 ( 制造商代码 F0503 和 F6507) 的合格微波元件制造商 其产品质保程序符合北约标准 1-5

4 INTRO 1) 测试实验室 同轴产品 拥有一个通过 CECC 认证的内部测试实验室证明了雷迪埃对于质量与可靠性的承诺, 该实验室使雷迪埃能完成客户要求的大部分测试 2) 部分测试方法列表 > 电气 击穿电压绝缘电阻接触电阻 12 KVolts MOhms 1μOhms > 环境 > 微波 电压驻波比插入损耗隔离度 射频泄漏 /EMC ( 电磁兼容 ) 功率容量 矢量网络分析仪从 0.04 至 60GHz TDR 150ps 混响室方法 0.5 至 20GHz / 噪声 100dB 400 W CW at 936 MHz 400 W CW at 17.8 GHz 20 W CW 8 up to 18 GHz 100 W CW at 420 MHz 20 W CW 8 up to 18 GHz 振动 : 随机正弦 g 5 to 4000 Hz 冲击 30 to 1000g 震动 25 to 40g 6 ms 热真空 10-5 TORR -45 to +100 C 热冲击 -70 C +200 C / transfert 20s 存储温度 -70 C to +200 C 湿度 20 to 98 % HR 盐雾 -35 C to +55 C 密封性 Helium 10-5 to 10-8 atm cm 3 /s 1-6

5 同轴产品 3) 产品实力 雷迪埃同轴开关主要应用于四个市场领域 : 电信, 仪器测试, 军事和高可靠的宇航应用 雷迪埃产品目前用于军用飞机, 地面站, 自动测试设备, 仪器测试系统, 无线基站及包括地面段的宇航应用 INTRO 本样本旨在作为为特定应用选择正确开关类型的选型指南 必须注意的是雷迪埃不局限于提供样本所列产品, 还能够以合理的费用, 在紧凑的工期内灵活设计定制产品 雷迪埃非常乐意和每个客户探讨其独特需求 4) 可靠性 所有的雷迪埃同轴开关都具有非常优越的可靠性和性能 激励器和传输链路的独特专利设计使雷迪埃可以保证带负载 SPnT 的 200 万次切换, 以及 SPDT 的 1000 万次切换, 并具有出色的重复性 5) 适用文件列表 适用于本样本所述设备的通用机械和环境测试的相关文件列表如下 : AIR 7304 NFC MIL C DIN NFC MIL E 5400 NFC NFC MIL STD 202 NFC MIL DTL IEC 1-7

6 INTRO 6) 满足 MIL DTL3928 与 MIL STD202 要求的通用指标 > 环境特性 这些要求根据 MIL 标准来保证, 参见适用的产品章节以获得更准确和详细的信息 振动方法 Hz 10g 工作 冲击方法 g, 1/2 sinus 非工作 > 机械特性 材料和成品 所有的材料和成品都符合适用的 MIL 和 NF 规范 所有的连接器都符合适用的 MIL,DIN,NF 和 CEI 规范 本样本中所有尺寸均以毫米为单位 没有特别规定的尺寸公差为 +/- 0.5 mm 同轴产品 射频外壳 触点 铝, 镀金铝, 镀镍铝, 三价铬钝化铜铍合金, 镀金 绝缘体聚四氟乙烯, ULTEM 1000 连接器 结构封盖 钝化不锈钢镀镍黄铜防溅型铝, 阳极蓝 7) 制造与质保 雷迪埃的射频开关产品系列包含约 16 个系列的开关, 每个系列又分成很多配置 产品型号由 9 个数字构成, 每个数字标明该部件的部分实际特性 ( 如系列, 频率, 激励器电压等 ) 对于每个数字, 都有 2 至 10 种选项 一个完整的产品型号代表一个特定的配置 总的来说, 由于 RAMSES 开关系列的模块化设计, 使用少量子组件 ( 少于 300 种不同的子组件 ) 就可以实现 80,000 多种不同的配置 科学的预测订单计划过程的实施减少了交付周期和库存 根据市场预测和每月一次的更新, 生产不同的子组件 接到订单后,MRP 系统自动从库存备件中选择合适的子组件, 在很短的时间周期内生产出所需产品 取决于产品生产的复杂性, 时间周期从几天到几周不等 雷迪埃采用了 精益制造 的过程管理理念 该过程通过消除我们的管理过程和生产中不产生附加值的所有阶段, 保证我们同轴产品的最优价格和交付周期 该过程管理理念首先应用于我们的 RAMSES SPDT 和 SP6T 不带负载同轴产品, 继而扩展到所有其它同轴开关 1-8

7 同轴产品 8) 制造与质量保障体系流程图 MIL STD 105 INTRO 100% 100%

8 INTRO 9) RAMSES 结构 雷迪埃创造性地设计了一个全新系统, 用于构造机电同轴射频开关, 并提高长期可靠性 雷迪埃机电开关模块化系统 (RAMSES) 是一个专有概念, 能使设计出的开关在不降低接触电阻长期可靠性的基础上保证具有 1000 万次的典型使用寿命 此外, 该独特的内部结构使雷迪埃开关比传统开关更具价格优势 RAMSES 的独特设计基于摩擦力的降低, 即尽量减少可能会干扰低频信号 ( 频率可达 3GHz) 传输的沉积颗粒 这种颗粒消除效果对于目前在 900MHz 和 2GHz 频段的电信应用尤为重要 此外, 该设计较之其它微波开关采用更少的器件, 使其组装更便捷更迅速 这样就可以在提高性能的同时降低成本 (a) 同轴产品 许多现有的同轴机电开关也能实现 1000 万次机械切换, 但是其电气触点的可靠性和质量在寿命周期内会严重降低 通常, 这些传统开关通过移动矩形腔内的矩形开关闸刀工作 这些闸刀通过介电材料构成的推杆连结起来, 在射频腔和开关激励器之间的余隙孔内运动 这些推杆对准介电材料导管 这些介电部件与闸刀和余隙孔内壁摩擦, 在射频腔内产生绝缘颗粒污染电气触点, 最终导致运行故障 图 1 所示是一套传统开关在 100 万次切换后触点上所积累的微小介电颗粒 由于接触是通过电容效应建立的, 因此这些缺陷在频率非常高时不明显 但是, 触点的插入损耗在低频率时 (3GHz 及以下 ) 会显著上升 新的激励器配置为了解决触点插入损耗增加的问题,RAMSES 装置采用由两片悬挂在托架上的平行连接片组成的专有系统, 这样换向连接片的导向和定位完全可以在射频腔外完成 这些连接片迫使推杆进行直线运动, 抑制射频腔内的摩擦和颗粒的形成 这个独特系统非常小, 可用于所有的 RAMSES 系列开关. (b) 所示是一个 RAMSES 第二项改进是采用了一个由高能磁体制成的直线激励器, 其切换性能取决于尺寸大小 根据其在开关中的使用方式, 该系统可以用于不保持和自保持激励器的生产 该激励器系统还可以产生远远超过传统激励器的粘附力 : 即 500g 锁紧力或 28V,100mA 功耗下 300 至 800g 的电流力 该新型激励器的另外一个优点是磁漏非常低, 这样激励器之间的间隔就可以非常小同时不会降低性能 最后, 通过使用干燥固体润滑剂和控制摩擦区域, 激励器的使用寿命在 -55 至 +85 的温度范围内可以延长至超过 5000 万次无故障运行 1-10

9 同轴产品 (a) INTRO RAMSES 开关性能 RAMSES 系列开关在 -55 至 +85 的温度范围内成功进行 1000 万次切换试验后, 仍能保证良好的接触电阻稳定性 试验后对这些开关的目检表明射频线路不会像传统开关在同类测试中那样产生大量污染 传统开关和 RAMSES 开关的部件在激励 100 万次后实际测量的接触电阻的对比情况如图 4 所示 RESISTANCE CONTACT mω (a) CYCLES (b) 射频线路闭合 RAMSES 虽然不能认为传统开关出现故障, 然而其接触电阻已经不稳定, 其可靠性也会显著下降 RESISTANCE CONTACT mω (b) CYCLES 100 (a) RAMSES (b) 1-11

10 INTRO 10) 射频电路 SPDT 同轴产品 SPDT 带一个输入端口和两个可选输出端口的开关 同 SPDT, 但未用的输出端口自动带 50Ω 阻性负载 DP3T DPDT 带两个输入端口和三个输出端口的开关 每个输入 (J2-J4) 可在两个相邻输出之间切换并且两个输入有一个公共输出 带两个独立通路 ( 可在两个可选端口之一同时操作 ) 的四端口开关 DPDT / 转换开关的两条传输通路如上图所示 n n n (n<13) 带一个输入端口和两个以上的输出端口的开关 多端口开关可以通过将各自的激励器通电而直接使用单独的输出端口 雷迪埃 SPnT 开关可提供多达 12 个输出端口 n (n<13) 同 SPnT, 但每个未用的输出端口都自动带一个内部 50Ω 阻抗负载 1-12

11 同轴产品 11) 术语 > 激励器电压 所有的 RAMSES 系列继电器在整个温度范围内标称电压均为 12 Vdc 或 28 Vdc 开关的工作电压范围为标称电压的 -15% 至 +10% 其他诸如 5V,15V,24V 的电压可根据客户的需求另行提供 > 自动 复位 自保持多位开关 ( 或 SPnT) 引起如下的使用场景 : 当一个射频通路被闭合, 在断电之后开关仍旧保持在闭合位置 ( 自保持功能 ) 为了切换至另一个通路, 第一个通路必须通过 复位 驱动器被打开, 而第二个射频通路随即被闭合 不使用 复位 驱动器, 两个通路将同时保持在 ON 的位置 为了简化自保持产品的使用, 推荐使用 自动复位 自动复位是通过一个电子电路实现的, 这个电子电路在改变开关位置时自动打开原先闭合的通路 注意 : INTRO > BCD( 二进制编码数字 ) 驱动接口 BCD 逻辑编码 射频与微波通路位 E1 E2 E3 E 自保持模式 : 所有通路都在 OFF 位 常开模式 : 保持最后的位置 Way IN - 1 在 ON 位 Way IN - 2 在 ON 位 Way IN - 3 在 ON 位 Way IN - 4 在 ON 位 Way IN - 5 在 ON 位 Way IN - 6 在 ON 位 Way IN - 7 在 ON 位 Way IN - 8 在 ON 位 Way IN - 9 在 ON 位 Way IN - 10 在 ON 位 Way IN - 11 在 ON 位 Way IN - 12 在 ON 位 自保持模式 : 保持最后的位置 常开模式 : 所有通路都在 OFF 位 注意 :E1 E2 E3 E4 BCD E4 8 8 E

12 INTRO 术语 ( 续 ) > 先断后合 同轴产品 雷迪埃的同轴继电器采用了 先断后合 方式 先断后合产品, 即在最后连接建立之前, 先将其第一个通路的连接状态断开 > 不保持 带激励器的开关包含一个机械或磁性的返回机构, 在功率终端断电情况下将射频连接到一个选定的位 这种开关需要持续的电压, 以维持与其他位的射频连接 > 频率范围 每个设备所指示的频率范围指示了雷迪埃公司所承诺产品性能的最大频率 > 指示器触点 开路, 短路 类电气触点, 在机械上与执行器相连, 并与切换的射频通路同步, 从而确保射频传输通路位的再现 当微波通路被切换时, 其相应的指示器触点将被闭合 通常使用信号灯来指示射频触点的位置 ( 由阻抗负载表示其特性 ) > 交调 交调 (PIM), 或者缩写为 intermod, 是信号失真的一种形式, 它往往发生在包含某些线性响应的无源设备上有两个或两个以上频率信号产生的时候 这种干扰现象可归因于许多原因, 例如低接触压力, 不洁互连, 磁材料或者其他的阳极效应 雷迪埃同轴开关的典型值约为 120 dbc( 在 + 43 dbm 时有两个载波 ), 当然可根据需求设计具有更好性能的产品 > 隔离度 由连接通路到通路外任意连接器的射频泄露 隔离度可由输入功率对应的分贝来表示 > 自保持 带激励器的开关包含一个机械或磁性机构, 可以在切换完成之后无论上电与否都维持所选的射频触点通路 持续时间的脉冲长度等于最长切换时间, 足够用于变换开关位置 > 开关寿命 即产品的切换次数 RAMSES 和 PLATINUM 系列继电器和开关的寿命为切换二百万次至一千万次 > 常开 常开是一种运行模式, 在该模式下开关的所有输出端口都与输入端口断开, 直至选定的位上电 1-14

13 同轴产品 术语 ( 续 ) > 多插针连接器 开关系列 类型系列连接器 插针数 备注 RAMSES SPDT SPDT => R570 D-Sub( 公头 ) 9 针 仅用于 2-20 页描述的产品 SPDT => R572 不可用 仅有焊针 PLATINUM SPDT SPDT => R595 D-Sub( 公头 ) 9 针 非带负载型号 RAMSES DPDT DPDT => R577 D-Sub( 公头 ) 9 针 仅用于 4-6 页描述的产品 TITANIUM DPDT DPDT => R513 HE10 带状插座 10 针发货包含带状电缆 750mm(30inches)+ PLATINUM DPDT DPDT => R593 ( 公头 ) HE10 连接器 ( 母头 ) RAMSES DP3T (1) DP3T => R585 不可用 仅有焊针 PLATINUM DP3T (1) DP3T => R595 D-Sub( 公头 ) 9 针 -- RAMSES & SPnT =>R573/R 超小型 SPnT 3 至 10 位 D-Sub( 公头 ) 25 针 和 12 位 44 针高密度 SPnT => R591 Micro-D 插座 9 针 -- 4 和 6 位 ( 母头 ) TITANIUM SPnT SPnT => R 和 6 位 HE10 带状插座 ( 公头 ) 16 针 发货包含带状电缆 750mm(30inches)+ HE10 连接器 ( 母头 ) PLATINUM SPnT SPnT => R594 4 和 6 位 HE10 带状插座 ( 公头 ) 16 针发货包含带状电缆 750mm(30inches)+ HE10 连接器 ( 母头 ) INTRO 注意 (1):RAMSES 和 PLATINUM SPDT 带负载 SPDT 属于 R585 和 R595 系列 > PLATINUM 和 TITANIUM 系列 四十多年来, 我们一直将 RAMSES 概念 ( 无摩擦 ) 和我们的知识运用到同轴开关的生产当中 雷迪埃为市场带来了一款新型高性能同轴开关 :PLATINUM 系列 随着仪器仪表市场的需求日益增长, 我们的 PLATINUM 同轴开关经过不断优化, 适用于自动化测试平台或测量设备 我们承诺我们的产品在寿命周期内 ( 一千万次切换 ) 插入损耗重复性达到 0.03dB,PLATINUM 系列开关非常适用于需要卓越射频性能的应用场合 此外, 雷迪埃提供 SPDT-DP3T(R595 系列 ) 转换继电器 DPDT(R593 系列 ) 和多掷开关 SPnT(R594 系列 ) 等全系列同轴开关, 与射频性能水平相同, 可以用于最严格的环境 TITANIUM 系列具有与 PLATINUM 系列相同的射频性能 由于其产品的寿命周期缩短 ( 与 PLATINUM 的 1000 万次相比, 只有 250 万次 ),TITANIUM 产品价格更经济 该产品系列是仪器仪表市场的理想选择, 因为相对于产品切换次数来说, 该市场更看重射频性能 > 极性 雷迪埃选择公共负极电势作为其标准产品 其反向极性 ( 公共正极 ) 也在 RAMSES 埃 系列内, 亦可选或咨询雷迪 注意 : PLATINUM TITANIUM 1-15

14 INTRO 术语 ( 续 ) > 射频额定功率 同轴产品 射频额定功率是通过闭合触点处理射频功率 ( 连续波功率 ) 的能力 在切换时应去除射频功率 额定功率是指在室温 (25 ) 海平面压力 (14.7 p.s.i) 冷切换情况下的单位电压驻波比 ( 匹配负载 ) 连续波功率能力与频率关系图如下 这些规格的变化要求功率降额 ( 见降额因数对电压驻波比 ) 此关系图基于如下条件 : 环境温度 :+ 25 海平面 电压驻波比为 1:1 冷切换 (W) (GHz) > 降额因数 必须降低平均输入功率, 以使得载荷的电压驻波比接近 1:

15 同轴产品 术语 ( 续 ) > 峰值功率容量峰值功率容量是指在室温, 每毫秒一个微秒脉冲的条件下, 不能永久改变开关指标的最大峰值功率 任何超过该限制的过功率都将改变开关的射频性能 > 重复性重复性是指产品的整个寿命周期中每个通路的插入损耗参数的最大标准偏差 所有 PLATINUM 系列 ( 超过 1000 万次 0.03dB) 和 TITANIUM 系列 ( 超过 250 万次 0.03dB) 的插入损耗重复性都已规定 > 射频连接器除非另有规定, 射频连接器是 50 或 75 Ω 母头 ( 孔式 ) 适合的匹配尺寸 材料和表面处理方法都依照国际标准 (MIL C 39012,DIN 47295) 中的适用章节 NB 75 ΩDIN 1.6/5.6 INTRO > 自断电该术语是指当执行位切换时, 开关断开激励器电压的能力 系统适用于自保持继电器, 通过固态电路实现 RAMSES 同轴开关的自断电时间为 40ms 至 120ms > 焊针 RAMSES 继电器带焊针, 用于控制和指示器触点 对于无铅焊接, 焊接时的最大温度不得超过 250 且持续 30 秒, 或超过 300 且持续 10 秒 > 抑制二极管抑制二极管是指在驱动器信号断电时, 为了抑制线圈自感所产生的瞬态电压而与开关线圈并联的二极管 该选项被系统地集成在所有的 TTL 自断电和所有电子接口中 > 切换时间即激励器终端完成上电与完成切换之间所需的总时间, 如果有触点回跳时间, 也应包括在内 总切换时间包括三个部分 : 即激励器线圈内的电感延迟, 射频触点的转换时间, 以及射频触点的回跳时间 > TTL 驱动接口该术语指由电子线路实现的接口, 该电子线路通过 TTL 逻辑信号驱动继电器或开关 含本选项的产品具有一个为激励器供电 (12V 或 28V) 的插针, 以及由每个位共享的 TTL 驱动插针, 而其极性与应用无关 其逻辑采用的是正逻辑, 即 TTL 信号的标称 高电平 +5V(2.2 至 5.5V) 意味着逻辑 1, 能够闭合相应的微波通道 而低电平, 即逻辑 0, 其电压为 0-0.8V > 电压驻波比电压驻波比 (VSWR) 是对连接至传输线路的设备的回波损耗或反射信号水平的度量 电压驻波比与反射系数 (r) 的关系如下式所示 : 1+/r/ Z-Zo V.S.W.R = r = /r/ Z+Zo r 是反射系数 ; Zo 是线路的特性阻抗 ; Z : 是线路的阻抗 ; 电压驻波比值的范围从 1 至无穷大, 当等于 1 时, 代表完全匹配 1-17

16 INTRO 12) 射频重复性和开关寿命测试参数 同轴产品 我们采取的方法是对开关的整个寿命 (250 万次到 1000 万次, 具体取决于开关型号 ) 进行鉴定 雷迪埃构建了一个自动测试平台, 由矢量网络分析仪 (VNA) 数字万用表(DMM) PC 和开关驱动组成 该 ATE 可以根据我们的内部程序提取并存储开关的射频参数或接触电阻 计算每个频率点的电压驻波比和插入损耗标准偏差 所有测量都是在室温条件下进行 射频开关的切换频率为 3Hz > 3D 图中的曲线表示 SP6T-26.5GHz RAMSES 开关在超过 1000 万次切换后的射频特性 Rc 所起的作用可使用如下公式计算 : RL=20 Log 10 = 20 Log 10 Rc VSWR= 1+ Ro IL= 10 Log Ro 10 Ro + Rc Rc 2Ro + Rc 以下曲线显示了 1000 万次切换时的射频接触电阻 开关的切换频率为 3Hz, 每进行 50 次切换记录一次 Rc 1-18

17 同轴产品 13) 测量单位换算 > 英寸与毫米的单位换算 : 1 Inch=25.4mm / 1 meter=39.3 Inches. > 厘米与英尺的单位换算 : 1 foot=30.40 cm / 1 meter=3.28 feet. > 千克与磅的单位换算 : 1 kg=2.20 Lb / 1 pound=0.45 kg. 14) 功率换算 (dbm) / (W) dbm Power dbm Power dbm Power dbm Power µw µw mw mw µw µw mw mw µw µw mw mw µw µw mw mw µw µw mw 30 1 W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw 33 2 W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw µw mw W µw 0 1 mw mw W INTRO dbm = 10 x Log 10 P (mw) P (mw) = 10^ (dbm/10) 1-19

18 INTRO 15) 反射系数 / 回波损耗换算 Reflection Coefficient V.S.W.R. Return Loss (db) Reflection Coefficient V.S.W.R. Return Loss (db) Reflection Coefficient V.S.W.R. 同轴产品 Return Loss (db) , 反射系数 ( ) 电压驻波比 (1 + ) / (1 - ) 回波损耗 (db) (-20 log 10 (1-2 )) 1-20

19 同轴产品 16) 温度换算 / C F C F C F C F INTRO Temp ( C) = (( F - 32 ) x 5 )) / 9 Temp ( F) = (( 9 x C ) / 5)

20 INTRO 17) 温度降额信息 开关的使用温度会影响线圈电阻 这是由于铜电阻率会随温度变化, 吸合电压也会随温度变化 线圈电阻相对于温度变化的数学公式如下所示 : R = R (1 + K (t t)) K = 温度系数 ( 对于铜, 取 ) R = 在温度 t 时 ( ) 的线圈电阻 (Ω) R = 在温度 t 时 ( ) 的线圈电阻 (Ω) 同轴产品 > 计算实例 : 装置 :SPDT 不保持 R 如何计算该继电器 70 时的电流? 参考 技术数据表 中的规范线圈电阻在 25 时为 275 Ω(R = 275,t =2 5,t' = 70) 标称电流 = 102 ma (25 时 ) 标称电压 = 28 V 新的线圈电阻在 70 时为 : R = 275 ( (70 25)) R = 275 x 2,71 R = 323 Ω 根据第二定律 ( U = R I ), 在 70 时 : U = R x I I = 87 ma 1-22

21 同轴产品 下图是同一产品 R (SPDT SMA) 的计算实例 > 最大吸合电压与温度的关系曲线 Pick up voltage (V) INTRO Temperature ( C) > 超过温度范围时电流值与电压值的关系曲线 Current value (milli Amperes) Temperature ( C) 1-23

22 INTRO > 线圈电阻值与温度的关系曲线 Coil resistance variation (Ohms) 同轴产品 Temperature ( C) > 最大吸合电压变化量与温度的关系曲线 Coil resistance & current variation (%) Temperature ( C) 1-24

23 同轴产品 18) 同轴开关适用的连接器组件的用户手册 怎样将射频同轴连接器连接到雷迪埃开关上? 为了避免对射频同轴开关造成不可逆转的损坏, 应该采取一些预防措施 A) 仅使用具有正确接口尺寸的连接器 INTRO 在连接器上施加适当扭矩, 避免损坏触点 应使用带扭矩校准功能的专用工具 使用如下规定的推荐扭矩 SMA TNC from 80 to 120 cm 390 N.cm B) 将半刚性电缆的中心导体用作插针, 连接母头连接器 如果中心导体与母头插座的排列不同, 开关射频连接器可能被损坏 带活动螺母的射频连接器可通过目视控制保证中心导体的正确定位.085" R " R SMA 1-25

24 INTRO / 开关产品选型指南 2.5 GHz SPDT / DP3T / DPDT SMT R SPDT & DPDT R570, R572 & 2-12 / 2-16 R577 / 4-2 DIN 1.6/5.6 R570, R572 & 2-12 / 2-16 R577 / 4-2 BNC R570 & R / 2-16 SMB / SMC Pc / SMB R570, R572 & 2-12 / 2-16 R577 / 4-2 QMA N TNC SMA SMA 2.9 R mm SPDT & R SMA RAMSES DP3T 3 GHz NEW 6 GHz 8 GHz 12.4 GHz RAMSES 18 GHz 26.5 GHz 40 GHz NEW 同轴产品 50 GHz NEW SPDT & SPDT R / 3-12 SMA DPDT R SMA/SMA 2.9 DPDT R SMA/SMA 2.9 SPnT 3 6 R DIN 1.6/5.6 R BNC R TNC R QMA R573 & R N R573 & R SMA R573 & R SMA 2.9 SP4T & SP6T R513 & R SMA/SMA dB/ PLATINIUM 0.03dB/ TITANIUM 0.03dB/ PLATINIUM RAMSES 0.03dB/ TITANIUM NEW SPnT SP4T & SP6T R SMA/SMA dB/ PLATINIUM SP4T & SP6T R QMA 5-2 SMA RAMSES NEW SPnT 7 8 R573 & R N R573 & R SMA SPnT 9 10 R573 & R N R573 & R SMA SPnT N 5-8 SMA RAMSES RAMSES RAMSES 2.5 GHz 3 GHz 6 GHz 8 GHz 12.4 GHz 18 GHz 26.5 GHz 40 GHz 50 GHz 1-26

航天电器 SAM 系列射频同轴连接器 机械和电气基准面 a b c 头部配合尺寸 m n l k 机械和电气基准面 d e f p q r g s t i h j u w 尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值 a 3.30 h p 1/4-36UNS-2A b

航天电器 SAM 系列射频同轴连接器 机械和电气基准面 a b c 头部配合尺寸 m n l k 机械和电气基准面 d e f p q r g s t i h j u w 尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值尺寸代号最小值最大值 a 3.30 h p 1/4-36UNS-2A b SAM 系列射频同轴连接器 航天电器 特点简介 SMA 射频同轴连接器具有体积小 频带宽 机械电气性能优越 可靠性高等优点, 是应用最广泛的射频电连接器 广泛用于微波通讯 航天航海 武器系统及微波测量设备等领域 技术特性 温度范围 -65 ~ +165 绝缘电阻 5000MΩ 特性阻抗 50Ω 介质耐压 1000V 频率范围 配软电缆 0 ~ 12.4GHz 中心导体 0.003Ω 接触电阻配半刚

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