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亢卢
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1 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器目录本章包括下列主题 : 45.1 简介数据存储器构成扩展数据空间数据对齐软件堆栈程序存储空间与数据存储空间的连接相关应用笔记版本历史具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第 45-1 页

2 PIC24F 系列参考手册 45.1 简介为满足 USB 和图形等一些应用对大型数据存储器的需求, 对某些 PIC24F 单片机 (MCU) 的数据地址空间进行了扩展这些具有扩展数据空间 (Extended Data Space,EDS) 的 PIC24F MCU 可以访问高达 16 MB 的内部和外部附加数据存储器通过增强型并行主控端口 (Enhanced Parallel Master Port,EPMP) 可以访问外部存储器与其他哈佛架构的器件一样,PIC24F MCU 同样具有独立的程序和数据存储空间及总线 PIC24F 架构同时还允许在代码执行过程中从数据空间直接访问程序存储器 DS39733A_CN 第 45-2 页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

3 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器 45.2 数据存储器构成数据地址空间 PIC24F 内核具有 16 位宽的数据存储空间, 可作为单个线性地址范围进行寻址使用两个地址发生单元 (Address Generation Unit,AGU) 分别对数据空间执行读写操作数据空间存储器映射如图 45-1 所示数据存储空间中的 16 位宽的数据地址指向数据空间 (Data Space,DS) 中的字节这使得数据空间的地址范围为 64 KB 或 32 K 字, 其中包括 2 KB 的 SFR 空间数据空间的低 32 KB(0x0000 至 0x7FFF) 与不具有 EDS 的 PIC24F MCU 兼容数据存储地址空间的高 32 KB (0x8000 至 0xFFFF) 用作 EDS 窗口 EDS 窗口用于访问 EDS 中使用的所有存储区域, 如图 45-2 所示 EDS 包含无法通过数据地址空间的低 32 KB 访问的所有附加内部数据存储器, 以及可以通过增强型 PMP 访问的所有外部存储器在具有 EDS 的 PIC24F MCU 中, 还可以从 EDS 中读取程序存储器 (Program Memory,PM) 这称为程序空间可视性(Program Space Visibility,PSV) EDS 以页的形式进行组织, 其中名为 EDS 页的单页等同于 EDS 窗口 (32 KB) 通过数据空间读寄存器 (DSRPAG) 或数据空间写寄存器 (DSWPAG), 可以对特定 EDS 页进行选择对于 PSV, 只使用 DSRPAG 寄存器 DSxPAG 寄存器的值与 16 位宽的数据地址共同组成 24 位有效地址 (Effective Address, EA) 若要详细了解如何为 EDS 地址空间生成 EA, 以访问内部扩展数据存储器外部数据存储器以及用于从 PM 读取数据的 PSV 地址空间, 请参见第节从 EDS 访问数据注 : 关于具体器件中的数据存储器的实际实现, 请参见具体器件的数据手册数据空间和扩展数据空间宽度数据存储空间组织为可按字节寻址的 16 位宽的块在数据存储器和寄存器中的数据是以 16 位字为单位对齐的, 但所有数据空间和扩展数据空间 EA 都将解析为字节每个字的低字节 (Least Significant Byte, LSB) 部分具有偶地址, 而高字节 (Most Significant Byte, MSB) 部分则具有奇地址图 45-1 显示了数据空间存储器映射 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第 45-3 页

4 PIC24F 系列参考手册图 45-1: PIC24F 器件 (1,3,5) 的数据空间存储器映射 MSB 地址 MSB LSB LSB 地址 0x0001 0x07FF 0x0801 SFR 空间 0x0000 0x07FE 0x0800 SFR 空间 Near (2) 数据空间 0x1FFF 0x2001 0x1FFE 0x2000 下半部分 30 KB 数据 RAM 0x7FFF 0x8001 0x7FFE 0x8000 (4) 上半部分 32 KB EDS 窗口 0xFFFF 0xFFFE 注 1: 数据存储区未按比例显示 2: Near 数据存储区可通过文件寄存器指令直接访问, 这些指令在操作码中编入 13 位地址 Near 数据存储区至少会覆盖所有 SFR 空间 3: 整个数据存储器可通过 W 寄存器指令间接访问 4: EDS 页可以映射到数据存储器的上半部分 5: 数据存储器实现的实际大小可能不同更多信息, 请参见具体器件的数据手册 DS39733A_CN 第 45-4 页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

5 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器图 45-2 显示了整个 DS EDS 及 PSV 空间图 45-2: PIC24F 器件的数据空间存储器 EDS 和 PSV 空间特殊功能寄存器 0x0000 0x KB 数据存储器 0x8000 0x x xFF8000 0x x7F8000 0x x7F KB EDS 窗口 EDS 窗口 EDS 窗口 EDS 窗口 PSV 窗口低位字 PSV 窗口低位字 PSV 窗口高位字 PSV 窗口高位字 0xFFFE 0x00FFFE DSxPAG = 0x001 0x017FFE 0xFFFFFE 0x007FFE 0x7FFFFE 0x007FFF 0x7FFFFF DSxPAG = 0x002 DSxPAG = 0x1FF DSRPAG = 0x200 DSRPAG = 0x2FF DSRPAG = 0x300 DSRPAG = 0x3FF 数据存储器 ( 内部扩展存储器和外部存储器 ) 程序存储器 Near 数据存储区介于 0x0000 和 0x1FFF 之间的 8 KB 地址空间被称为 Near 数据存储区 Near 数据存储区可通过所有文件寄存器指令中的 13 位绝对地址域直接寻址 Near 数据存储区也可通过所有间接寻址模式进行寻址, 此时可以通过任意的 16 位工作寄存器指向数据存储区的地址超出 0x1FFF 的数据存储区域 ( 包括 EDS) 只能通过间接寻址模式寻址 Near 数据区域包含的存储区取决于为每个 PIC24F 系列器件型号实现的数据存储量 Near 数据区域至少会包含所有 SFR 更多详细信息, 请参见图具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第 45-5 页

6 PIC24F 系列参考手册 SFR 空间 Near 数据空间的前 2KB 存储单元 ( 从 0x0000 至 0x07FF) 主要被特殊功能寄存器 (Special Function Register, SFR) 占用 PIC24F 内核和外设模块使用这些寄存器来控制器件的工作 SFR 分布在受其控制的模块中, 通常一个模块会使用一组 SFR 大部分 SFR 空间包含未使用的地址, 这些地址读为 0 表 45-1 所示的 SFR 空间图说明了 SFR 的实际实现地址每个实现的区域代表一个 32 字节区域, 其中至少有一个地址实现为一个 SFR 表 45-1: (1) 数据空间的实现区域 SFR 空间地址 xx00 xx20 xx40 xx60 xx80 xxa0 xxc0 xxe0 0x000 内核 ICN 中断 0x100 定时器捕捉比较 0x200 I 2 C UART SPI I/O 0x300 ADC/CTMU 0x400 0x500 0x600 增强型 PMP RTC/ 比较器 CRC PPS 0x700 GFX 控制器系统 NVM/PMD 图注 : = 在该块中未实现 SFR 注 1: 要了解实际的寄存器实现, 请参见具体器件的数据手册 DS39733A_CN 第 45-6 页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

7 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器 45.3 扩展数据空间具有 EDS 的 PIC24F 器件的 CPU 架构可提供高达 16 MB 的附加数据空间始终通过 32 KB 的 EDS 窗口访问 EDS 因此, EDS 中的单页所拥有的存储空间可高达 32 KB 可被寻址的页数取决于所执行的是读操作还是写操作执行写操作时, 可被访问的页数为 511 页 (0x001 至 0x1FF); 执行读操作时, 可被访问的页数为 1023 (0x001 至 0x3FF, 包含之前可执行写操作的 511 页 ) 可接受读操作和写操作的低 511 页 (0x001 至 0x1FF) 供扩展数据存储器使用 ; 属于只读空间的高 512 页 (0x200 至 0x3FF) 供 PSV 使用表 45-2 提供了整个数据存储器的存储映射, 其中包括 DS EDS 和 PSV 表 45-2: 具有 EDS 的 PIC24F 中的不同地址空间 DSRPAG DSWPAG 间接寻址时的源 / 目标 ( 数据空间 ( 数据空间地址读寄存器 ) 写寄存器 ) 指向 DS EDS 或 PSV 的 24 位 EA x (1) x (1) 0x0000 至 0x1FFF 0x 至 0x001FFF 0x001 0x001 0x2000 至 0x7FFF 0x8000 至 0xFFFF 0x 至 0x007FFF 0x 至 0x00FFFE 0x002 0x002 0x 至 0x017FFE 0x1FF 0x1FF 0xFF8000 至 0xFFFFFE 0x200 0x 至 0x007FFE 0x2FF 0x7F8000 至 --- (3) 0x7FFFFE 0x300 0x 至 0x007FFF 备注 DS ; near 数据存储区 (2) DS EDS ; 每页 32 KB PSV, 仅用于读操作的 4M 程序指令中的低字 (8 MB) PSV, 仅用于读操作的 4M 程序指令中的高字 (4 MB 保留, 4 MB 虚拟字节 ) 0x3FF 0x7F8001 至 0x7FFFFF 0x000 0x000 无效地址地址错误陷阱 (4) 注 1: 如果源 / 目标地址小于 0x8000, 则忽略 DSRPAG 和 DSWPAG 2: 也可通过直接寻址访问该数据空间 3: 由于 DSWPAG 是 9 位的寄存器, 因此对超出 EDS 页 ( 即 0x1FF) 的部分不允许通过 EDS 机制执行写操作 4: 如果源 / 目标地址大于 0x8000 且 DSRPAG/DSWPAG 为零, 则会出现地址错误陷阱 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第 45-7 页

8 PIC24F 系列参考手册内部 RAM 的物理实现大小依具体的器件而定例如,PIC24F256DA210 系列器件共有 96 KB 的内部 RAM, 其中 30 KB 是在 DS 的低 32 KB ( 其中含有 2 KB 的 SFR) 中物理实现的, 而另外的 66 KB RAM 是在 EDS 中物理实现的 EDS 的页 1 和页 2 共计实现 64 KB ( 或每页分别实现 32 KB) RAM, 而 EDS 的页 3 实现 2 KB RAM 增强型 PMP 地址同样位于该部分 EDS 中有关增强型 PMP 的详细信息, 请参见 PIC24F 系列参考手册的第 42 章增强型并行主端口 (EPMP) (DS39730) 注 1: 不可访问 EDS 页 0 ; 如果访问, 会生成地址错误陷阱 2: EDS 页之间不存在自动增量或减量在多个 EDS 页中访问数据时, DSRPAG 和 DSWPAG 必须载入正确的页码值从 EDS 访问数据当数据空间地址 ( 由其中一个工作寄存器 (Wn) 提供 ) 的 bit 15 置 1, 并且 DSRPAG/DSWPAG 寄存器具有有效的 EDS 页地址时, 将使能 32 KB 的 EDS 窗口每个 32 KB 的 EDS 窗口都会映射到所选 EDS 页的相应地址在对存储器执行读操作时, 可在 DSRPAG 寄存器中对 EDS 页编程, 或在对存储单元执行写操作时, 可在 DSWPAG 寄存器中对 EDS 页编程在具有 EDS 的 PIC24F MCU 中, 页寄存器在跨页时不会自动更新因此, 在汇编环境中编写代码时, 切记在数据存储器访问跨页时更新页寄存器 C 编译器会跟踪寻址并在访问连续数据存储位置时相应增加或减小页寄存器访问内部扩展数据存储器图 45-3 和图 45-4 分别说明了如何为数据存储器的读操作和写操作生成 EDS 地址的 EA 图 45-3: 用于读操作的 EDS 地址生成方式选择 1 Wn 9 8 DSRPAG 寄存器 0 9 位 15 位 24 位 EDS 地址 0 = SRAM 和增强型 PMP Wn<0> 如图 45-3 中所示, 当 DS 地址的最高有效位 (Most Significant bit, MSb) 为 1 且 DSRPAG<9> = 0 时, DSRPAG 的低 9 位与 DS 地址的低 15 位相连, 组成用于读操作的 24 位 EDS 空间地址注 : 对于字节操作,DS 地址的最低有效位 (Wn<0>) 用于确定要访问的字节等于 0 时, 访问 LSB ; 等于 1 时, 访问 MSB 对于字操作,Wn<0> 必须保持为 0, 否则将发生地址错误 DS39733A_CN 第 45-8 页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

9 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器图 45-4: 用于写操作的 EDS 地址生成方式选择 1 Wn 8 DSWPAG 寄存器 0 9 位 15 位 24 位 EDS 地址 Wn<0> 如图 45-4 中所示, 当 DS 地址的 MSb 为 1 时,DSWPAG 的低 9 位与 DS 地址的低 15 位相连, 组成用于写操作的 24 位 EDS 地址访问外部数据存储器 (EPMP) 扩展数据空间接口同样允许从 CPU 对外部数据存储器直接寻址通过 EPMP 实现对外部数据存储器的访问在该操作模式下, 必须使能 EPMP 模块 (PMPEN = 1), 并将其设置为主模式 (MODE<1:0> = 11) 对外部数据存储器执行读或写操作时, 所有必需的控制信号均由 EPMP 模块生成有关详细信息, 请参见 PIC24F 系列参考手册的第 42 章增强型并行主端口 (EPMP) (DS39730) 要从 CPU 访问外部存储器, 推荐的 PMP 配置如下 : 对于 16 位端口 ( 接口 ): 无地址复用, 无起始或中间数据等待状态, 允许 8/16 位访问对于 8 位端口 ( 接口 ): 无地址复用, 无起始或中间数据等待状态, 只允许 8 位访问对于外部存储器, 用于读操作和写操作的 EA 生成方式分别在图 45-3 和图 45-4 中给予了说明注 1: 当访问外部存储空间时, 如果禁用 EPMP 模块或将其配置为主模式以外的其他模式, 则会出现地址错误陷阱 2: 从外部存储器读取数据时, 如果没有物理存储器, 则会返回垃圾数据 ; 向外部存储器写入数据时, 如果没有物理存储器, 则写入操作为伪操作 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第 45-9 页

10 PIC24F 系列参考手册访问程序存储器 (PSV) 图 45-5 显示了 PIC24F 器件的程序存储器 (Program Memory,PM) 构成虽然可将 PM 空间视为 24 位宽, 但是将程序存储器的每个地址视为两个字 ( 一个高位字和一个低位字 ) 更为适合, 其中高位字的高位字节不使用在不具有 EDS 的 PIC24F 器件中, 不支持对高位字的 PSV 读操作在具有 EDS 的 PIC24F 器件中, 支持对程序存储器的高位字的 PSV 读操作高位字的低位字节包含 PM 数据, 而高位字的高位字节始终读作零图 45-5: 程序存储器构成虚拟字节, 读为 0 0x x x x x x x x 高位字 ( 仅使用低位字节 ) 低位字可以通过 EDS 页 (0x200 至 0x3FF) 访问整个 PM EDS 页的 0x200 至 0x2FF 组成低位字 ; EDS 页的 0x300 至 0x3FF 组成高位字节选择适当的页, 即可从所需的 PM 位置读取数据每页可以访问 32 KB 的数据图 45-6 说明了访问程序存储器进行读操作时, 为 PSV 地址生成 EA 的方式图 45-6: 为读操作生成 PSV 地址选择 1 Wn 9 8 DSRPAG 寄存器 0 9 位 15 位 24 位 PSV 地址 1 = PSV 1 = 程序存储器的高位字 0 = 程序存储器的低位字 Wn<0> DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

11 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器当 DS 地址的 MSb 为 1, 且 DSRPAG<9> 也为 1 时, 将 DS 地址的低 15 位和 DSRPAG 寄存器的低 9 位相连, 便组成了 24 位的 PSV 地址 24 位的 PSV 地址指向程序存储器位置 DSRPAG<8> 用于确定要寻址的字等于 0 时, 读取程序存储器的低位字 ; 等于 1 时, 读取高位字注 1: 如果读取程序存储器的高位字的高位字节 ( 虚拟字节 ), 则返回 0x00 2: 通常, PSV 是该器件中使用的闪存存储器, 无法使用 EDS 机制对它进行写操作但是, 可使用表写操作将数据写入程序存储器空间 EDS 读操作所有从 EDS 空间执行的读操作都要比从非 EDS 空间执行的读操作多使用一个指令周期, 因此至少需要两个指令周期才能完成一次 EDS 读操作在指令 REPEAT 下执行 EDS 读操作时, 最初两次访问分别需要三个周期, 而随后的访问仅需一个周期 EDS 读操作需要两个步骤首先, 设置地址指针方法是 : 将所需的 EDS 页码加载到 DSRPAG 寄存器中, 然后将偏移地址指定给一个 W 寄存器接下来, 就可以读取指定的 EDS 位置的内容例 45-1 显示了如何从 EDS 中读取字节字和双字例 45-1: EDS 读操作的代码 ; Set the EDS page from where the data to be read mov #0x001, w0 mov w0, DSRPAG ;page 0x001 is selected for read mov #0x800, w1 ;select the location (0x800) to be read bset w1, #15 ;set the MSB of the base address, enable EDS mode ;Read a byte from the selected location mov.b [w1++], w2 ;read Low byte mov.b [w1++], w3 ;read High byte ;Read a word from the selected location mov [w1], w2 ; ;Read Double - word from the selected location mov.d [w1], w2 ;two words read, stored in w2 and w3 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第页

12 PIC24F 系列参考手册例 45-2 显示了如何从 PSV 中读取字节字和双字例 45-2: PSV 读操作的代码 ;Reading Lower word of program memory ;Set the EDS page from where the data to be read mov #0x220, w0 mov w0, DSRPAG ;page 0x220 is selected for read mov #0x0C00, w1 ;select the location (0x0C00) to be read bset w1, #15 ;set the MSB of the base address, enable EDS mode ;Read a byte from the selected location mov.b [w1++], w2 ;read Low byte mov.b [w1++], w3 ;read High byte ;Read a word from the selected location mov [w1], w2 ; ;Read Double - word from the selected location mov.d [w1], w2 ;two words read, stored in w2 and w3 ;Reading Upper word of program memory ;Set the EDS page from where the data to be read mov #0x320, w0 mov w0, DSRPAG ;page 0x320 is selected for read mov #0x0C00, w1 ;select the location (0x0C00) to be read bset w1, #15 ;set the MSB of the base address, enable EDS mode ;Read a byte from the selected location mov.b [w1++], w2 ;read Low byte mov.b [w1++], w3 ;read High byte, always 0x00 (Phantom byte) ;Read a word from the selected location mov [w1], w2 ; ;Read Double - word from the selected location mov.d [w1], w2 ;two words read, stored in w2 and w3 DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

13 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器 EDS 写操作对 EDS 的所有写操作均在一个周期内执行与 EDS 读操作一样,EDS 写操作也需要两个步骤首先, 设置地址指针方法是 : 将所需的 EDS 页码加载到 DSWPAG 寄存器中, 然后将存储器地址指定给一个 W 寄存器接下来, 就可以对已寻址的位置执行写操作例 45-3 显示了如何向 EDS 写入字节字和双字例 45-3: EDS 写操作的代码 ; Set the EDS page where the data to be written mov #0x002, w0 mov w0, DSWPAG ;page 0x002 is selected for write mov #0x800, w1 ;select the location (0x800) to be written bset w1, #15 ;set the MSB of the base address, enable EDS ;mode ;Write a byte to the selected location mov #0x00A5, w2 mov #0x003C, w3 mov.b w2, [w1++] ;write Low byte mov.b w3, [w1++] ;write High byte ;Write a word to the selected location mov #0x1234, w2 ; mov w2, [w1] ; ;Write a Double - word to the selected location mov #0x2233, w2 mov #0x4455, w3 mov.d w2, [w1] ;2 EDS writes 注 1: 不支持使用 REPEAT 指令对 EDS 进行读 - 修改 - 写操作 2: 在执行读 - 修改 - 写操作 ( 例如面向位的指令 ) 时, 请使用 DSRPAG 寄存器 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第页

14 PIC24F 系列参考手册 45.4 数据对齐为保持与 PIC MCU 器件的向后兼容性和提高数据存储空间的使用效率, PIC24F 指令集同时支持字和字节操作在字节访问时, 所有有效地址的计算会通过按字对齐存储区在内部调整为字节操作在字操作期间,16 位数据地址的 LSb 会被忽略字数据按小尾数格式对齐, 即 LSB 位于偶地址 (LSb = 0), MSB 位于奇地址 (LSb = 1) 对于字节操作, 数据地址的 LSb 用于选择要访问的字节图 45-7 显示了用于字操作和字节操作的数据对齐图 45-7: 数据对齐 15 MSB 8 7 LSB 0 0x0001 字节 1 字节 0 0x0000 0x0003 字节 3 字节 2 0x0002 0x0005 字节 5 字节 4 0x0004 字 0 字 1 长字 <15:0> 长字 <31:16> 0x0006 0x0008 0x000A 0x000C 数据字节读操作将读取包含字节的整个字, 使用任何 EA 的 LSb 来确定要选取的字节选定的字节被放在数据路径的 LSB 处这就是说, 数据存储器和寄存器被组织为两个并行的字节宽的实体, 它们共享 ( 字 ) 地址译码, 但写入线独立数据字节写操作只写入阵列或寄存器中与字节地址匹配的那一侧所有有效地址的计算都是根据执行的是字节访问还是字访问而自动调整例如, 对于字操作, 在操作后递增地址指针时, 地址将递增 2 类似地, 对于字节操作, 在操作后递增地址指针时, 地址将递增 1 所有字访问必须按偶地址对齐不支持不对齐的字数据取操作, 所以在混合字节和字操作时, 或者从 8 位 MCU 代码转换时, 必须要小心如果试图进行不对齐的读或写操作, 将产生地址错误陷阱如果在读操作时发生错误, 正在执行的指令将完成 ; 而如果在写操作时发生错误, 指令仍将执行, 但不会进行写入无论是哪种情况, 都会执行陷阱, 从而系统和 / 或用户能够检查地址错误发生之前的机器状态关于中断的更多详细信息, 请参见 PIC24F 系列参考手册的第 8 章中断 (DS39707) 所有载入 W 寄存器的字节都将载入 LSB, 但不修改 MSB 提供了一条符号扩展 (SE) 指令, 允许用户将 8 位有符号数据转换为 16 位有符号值或者, 对于 8 位无符号数据, 用户可以通过在适当地址处执行一条零扩展 (ZE) 指令清零任何 W 寄存器的 MSB 尽管大多数指令能够进行字或字节操作, 但要注意的是, 部分指令只能进行字操作 DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

15 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器 45.5 软件堆栈对于堆栈操作, 需要将 PIC24F 器件的数据存储器的一部分分配为堆栈关于软件堆栈的更多详细信息, 请参见 PIC24F 系列参考手册的第 2.3 节软件堆栈指针 (DS39703) 45.6 程序存储空间与数据存储空间的连接 PIC24F 架构采用 24 位宽的程序空间和 16 位宽的数据空间由于该架构也是一种改进型哈佛结构, 因此访问程序空间数据就如同访问数据空间数据一样要成功使用该数据, 在访问数据时必须确保这两种存储空间中的信息是对齐的除了正常执行外, PIC24F 架构还提供了两种可在操作过程中访问程序空间的方法 : 使用表指令访问程序空间中任意位置的各个字节或字使用 DSRPAG 寄存器将程序空间的一部分重新映射到数据空间表指令允许应用程序读写程序存储器的一小块区域这一方法对于访问需要定期更新的数据表来说非常理想也可通过表操作访问一个程序字的所有字节重映射方法允许应用程序访问一大块数据, 但只限于读操作, 它非常适合于在一个大的静态数据表中进行查找有关程序存储器和数据存储器接口的更多详细信息, 请参见 PIC24F 系列参考手册的第 4.3 节从程序存储器存取数据 (DS39715) 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第页

16 PIC24F 系列参考手册 45.7 相关应用笔记本节列出了与手册本章内容相关的应用笔记这些应用笔记可能并不是专为 PIC24 器件系列而编写的, 但其概念是相关的, 通过适当修改即可使用, 但在使用中可能会受到一定限制当前与具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器相关的应用笔记有 : 标题目前没有相关的应用笔记应用笔记编号注 : 如需获取更多 PIC24F 系列器件的应用笔记和代码示例, 请访问 Microchip 网站 ( DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

17 第 45 章具有扩展数据空间 (EDS) 的数据存储器 45.8 版本历史版本 A (2009 年 12 月 ) 这是本文档的初始版本 45 具有扩展数据空间的数据存储器 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第页

18 PIC24F 系列参考手册注 : DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip

19 请注意以下有关 Microchip 器件代码保护功能的要点 : Microchip 的产品均达到 Microchip 数据手册中所述的技术指标 Microchip 确信 : 在正常使用的情况下, Microchip 系列产品是当今市场上同类产品中最安全的产品之一目前, 仍存在着恶意甚至是非法破坏代码保护功能的行为就我们所知, 所有这些行为都不是以 Microchip 数据手册中规定的操作规范来使用 Microchip 产品的这样做的人极可能侵犯了知识产权 Microchip 愿与那些注重代码完整性的客户合作 Microchip 或任何其他半导体厂商均无法保证其代码的安全性代码保护并不意味着我们保证产品是牢不可破的代码保护功能处于持续发展中 Microchip 承诺将不断改进产品的代码保护功能任何试图破坏 Microchip 代码保护功能的行为均可视为违反了数字器件千年版权法案 (Digital Millennium Copyright Act) 如果这种行为导致他人在未经授权的情况下, 能访问您的软件或其他受版权保护的成果, 您有权依据该法案提起诉讼, 从而制止这种行为提供本文档的中文版本仅为了便于理解请勿忽视文档中包含的英文部分, 因为其中提供了有关 Microchip 产品性能和使用情况的有用信息 Microchip Technology Inc. 及其分公司和相关公司各级主管与员工及事务代理机构对译文中可能存在的任何差错不承担任何责任建议参考 Microchip Technology Inc. 的英文原版文档本出版物中所述的器件应用信息及其他类似内容仅为您提供便利, 它们可能由更新之信息所替代确保应用符合技术规范, 是您自身应负的责任 Microchip 对这些信息不作任何明示或暗示书面或口头法定或其他形式的声明或担保, 包括但不限于针对其使用情况质量性能适销性或特定用途的适用性的声明或担保 Microchip 对因这些信息及使用这些信息而引起的后果不承担任何责任如果将 Microchip 器件用于生命维持和 / 或生命安全应用, 一切风险由买方自负买方同意在由此引发任何一切伤害索赔诉讼或费用时, 会维护和保障 Microchip 免于承担法律责任, 并加以赔偿在 Microchip 知识产权保护下, 不得暗中或以其他方式转让任何许可证商标 Microchip 的名称和徽标组合 Microchip 徽标 dspic KEELOQ KEELOQ 徽标 MPLAB PIC PICmicro PICSTART rfpic 和 UNI/O 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的注册商标 FilterLab Hampshire HI-TECH C Linear Active Thermistor MXDEV MXLAB SEEVAL 和 The Embedded Control Solutions Company 均为 Microchip Technology Inc. 在美国的注册商标 Analog-for-the-Digital Age Application Maestro CodeGuard dspicdem dspicdem.net dspicworks dsspeak ECAN ECONOMONITOR FanSense HI-TIDE In-Circuit Serial Programming ICSP Mindi MiWi MPASM MPLAB Certified 徽标 MPLIB MPLINK mtouch Octopus Omniscient Code Generation PICC PICC-18 PICDEM PICDEM.net PICkit PICtail PIC 32 徽标 REAL ICE rflab Select Mode Total Endurance TSHARC UniWinDriver WiperLock 和 ZENA 均为 Microchip Technology Inc. 在美国和其他国家或地区的商标 SQTP 是 Microchip Technology Inc. 在美国的服务标记在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有 2010, Microchip Technology Inc. 版权所有 ISBN: Microchip 位于美国亚利桑那州 Chandler 和 Tempe 与位于俄勒冈州 Gresham 的全球总部设计和晶圆生产厂及位于美国加利福尼亚州和印度的设计中心均通过了 ISO/TS-16949:2002 认证公司在 PIC MCU 与 dspic DSC KEELOQ 跳码器件串行 EEPROM 单片机外设非易失性存储器和模拟产品方面的质量体系流程均符合 ISO/TS :2002 此外, Microchip 在开发系统的设计和生产方面的质量体系也已通过了 ISO 9001:2000 认证 2010 Microchip Technology Inc. 超前信息 DS39733A_CN 第页

20 全球销售及服务网点美洲亚太地区亚太地区欧洲公司总部 Corporate Office 2355 West Chandler Blvd. Chandler, AZ Tel: Fax: 技术支持 : 网址 : 亚特兰大 Atlanta Duluth, GA Tel: Fax: 波士顿 Boston Westborough, MA Tel: Fax: 芝加哥 Chicago Itasca, IL Tel: Fax: 克里夫兰 Cleveland Independence, OH Tel: Fax: 达拉斯 Dallas Addison, TX Tel: Fax: 底特律 Detroit Farmington Hills, MI Tel: Fax: 科科莫 Kokomo Kokomo, IN Tel: Fax: 洛杉矶 Los Angeles Mission Viejo, CA Tel: Fax: 圣克拉拉 Santa Clara Santa Clara, CA Tel: Fax: 亚太总部 Asia Pacific Office Suites , 37th Floor Tower 6, The Gateway Harbour City, Kowloon Hong Kong Tel: Fax: 中国 - 北京 Tel: Fax: 中国 - 成都 Tel: Fax: 中国 - 重庆 Tel: Fax: 中国 - 香港特别行政区 Tel: Fax: 中国 - 南京 Tel: Fax: 中国 - 青岛 Tel: Fax: 中国 - 上海 Tel: Fax: 中国 - 沈阳 Tel: Fax: 中国 - 深圳 Tel: Fax: 中国 - 武汉 Tel: Fax: 中国 - 西安 Tel: Fax: 中国 - 厦门 Tel: Fax: 台湾地区 - 新竹 Tel: Fax: 澳大利亚 Australia - Sydney Tel: Fax: 印度 India - Bangalore Tel: Fax: 印度 India - New Delhi Tel: Fax: 印度 India - Pune Tel: Fax: 日本 Japan - Yokohama Tel: Fax: 韩国 Korea - Daegu Tel: Fax: 韩国 Korea - Seoul Tel: Fax: 或马来西亚 Malaysia - Kuala Lumpur Tel: Fax: 马来西亚 Malaysia - Penang Tel: Fax: 菲律宾 Philippines - Manila Tel: Fax: 新加坡 Singapore Tel: Fax: 泰国 Thailand - Bangkok Tel: Fax: 奥地利 Austria - Wels Tel: Fax: 丹麦 Denmark-Copenhagen Tel: Fax: 法国 France - Paris Tel: Fax: 德国 Germany - Munich Tel: Fax: 意大利 Italy - Milan Tel: Fax: 荷兰 Netherlands - Drunen Tel: Fax: 西班牙 Spain - Madrid Tel: Fax: 英国 UK - Wokingham Tel: Fax: 加拿大多伦多 Toronto Mississauga, Ontario, Canada Tel: Fax: 中国 - 珠海 Tel: Fax: 台湾地区 - 高雄 Tel: Fax: 台湾地区 - 台北 Tel: Fax: /30/09 DS39733A_CN 第页超前信息 2010 Microchip Technology Inc.

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untitled C 8051 MCU SPI EEPROM Alexandru Valeanu Microchip Technology Inc. Microchip Technology 25XXX EEPROM SPI 25XXX EEPROM SO 25XXX EEPROM 3MHz 20 MHz SPI HOLD 25XXX EEPROM EEPROM MCU HOLD 25XXX EEPROM SPI EEPROM