指导单位工业和信息化部电子信息司主办单位工业和信息化部软件与集成电路促进中心 (CSIP) 编辑指导委员会主任 : 丁文武邱善勤委员 : 赵波刁石京关白玉白为民王勃华高松涛王莉华侯建仁彭红兵梁峰任志安杨旭东乔跃山周海燕任爱光曲晓杰江明涛吴国纲谢学军专家顾问委员会许居衍王芹生严晓浪魏少军时龙兴滕敬信程

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1 内部资料, 请勿转阅 芯闻参考 存储器专题 2011 年第 5 期总第 8 期 中国电子工业科学技术交流中心 ( 工业和信息化部软件与集成电路促进中心 ) 二零一一年十二月 1

2 指导单位工业和信息化部电子信息司主办单位工业和信息化部软件与集成电路促进中心 (CSIP) 编辑指导委员会主任 : 丁文武邱善勤委员 : 赵波刁石京关白玉白为民王勃华高松涛王莉华侯建仁彭红兵梁峰任志安杨旭东乔跃山周海燕任爱光曲晓杰江明涛吴国纲谢学军专家顾问委员会许居衍王芹生严晓浪魏少军时龙兴滕敬信程玉华冯军邹祥永汪东颖刘强励民朱一明胡胜发张华龙张明孙凤文孙剑勇朱卫良编辑部总编 : 孙加兴执行主编 : 朱彬编辑 : 邢雁宁姚琳徐燕屠故园王伟赵欣凯衣丰涛郭雅琳联系方式 地址 : 北京市海淀区羊坊店东路 5 号博望园西配楼 10 号 邮编 : 联系电话 : /8116 传真 : zhub@csip.org.cn/yaol@csip.org.cn/xingyn@csip.org.cn 2

3 目 录 一 我国发展存储器面临的国际形势... 5 ( 一 ) DRAM 及 FLASH 占全球存储器市场份额近 95%... 5 ( 二 ) 全球存储器市场基本被四大巨头所占据... 7 ( 三 ) 全球存储器产业技术趋势... 9 二 我国存储器产业现状与发展机遇 ( 一 ) 各领域产业状况 ( 二 ) 发展形势与机遇 ( 三 ) 国内重点存储器相关企业 三 发展建议 ( 一 ) 政府层面 ( 二 ) 企业层面 关于联合成立技术创新中心的通知 国家集成电路公共服务平台会员单位名单 启事

4 芯闻参考 存储器专题 存储器 (Memory) 是计算机系统中用来存放程序和数据的记忆设备 由于其通常需要在很短的时间内采用最先进的技术以实现极高的集成密度, 所以能够充分体现集成电路的技术特点和技术状况, 是显示集成电路发展水平的重要标志之一 存储器芯片是应用面最广 市场比例最高的集成电路基础性产品 目前,DRAM 及 FLASH 占全球存储器市场份额近 95%, 全球存储器市场基本被韩国三星 美国美光 韩国海力士 日本比尔达四大巨头所占据 虽然存储器各种新技术不断涌现, 但尚未有一种新兴存储器形成一统天下的趋势 我国存储器市场需求巨大, 但几乎完全依赖进口 存储器成为我国受外部制约最严重的基础产品之一, 发展拥有自主可控的半导存储器产业至关重要 我国存储器产业尚处起步阶段, 与国际巨头还有相当的差距, 但山东华芯的 DRAM 及北京兆易创新的 NOR flash 芯片在市场上的良好表现, 让我们看到了存储器产业发展的希望 本期芯闻参考将从产业 市场 厂商 技术等多个角度对全球及我国存储器产业进行分析和总结, 进而提出发展我国存储器产业的思路和政策建议 4

5 一 我国发展存储器面临的国际形势 存储器一直是全球半导体市场中比重最大的产品之一, 目前 IC 市场 (IC 市场约占半导体市场 80%) 上独立存储器 (stand alone memory) 约占 IC 总数量的 1/4 而嵌入式存储器(embedded memory) 约占 SoC 芯片面积的 80% 以上, 随着 IC 制造工艺的不断进步, 这一比例也不断提高 例如, 采用 45nm 工艺制造的 SoC 芯片中, 存储器所占面积达 90% 以上 在逻辑芯片中, 存储器所占的面积也在 70% 以上 可见, 存储器市场今后仍然是全球 IC 市场的主战场 ( 一 ) DRAM 及 FLASH 占全球存储器市场份额近 95% 存储器芯片按存取方式的不同可分为随机存取存储器芯片 (RAM) 和只读存储器芯片 (ROM) 而按照断电后数据是否丢失又可分为挥发性存储器 (VM, 也叫易失性存储器 ) 和非挥发性存储器 (NVM, 也叫非易失性存储器 ) RAM 中的 SRAM 和 DRAM 属于挥发性存储器, 其余均属于非挥发性存储器, 而 ROM 都是非挥发性的 近些年快速发展的一些新型技术, 包括相变存储器 (PCM) 铁电存储器(FRAM) 磁存储器 (MRAM) 和阻变存储器 (RRAM) 等均属于非挥发性随机存取存储器 在这些存储器中,DRAM 和 Flash 的应用最为广泛, 共占据着存储器市场份额的近 95%( 如图 2 所示 ) 据 Gartner 最新研究显示, 全球 DRAM 业仍将面临苦战, 预估今年全球 DRAM 产值将比去年衰退 26.6%;2010 年到 2015 年, 年复合衰 5

6 退率为 2.2% 今年全球 NAND Flash 芯片产值大约 200 亿美元, 仅 DRAM 的五成, 不过在智能手机 平板计算机, 以及固态硬碟 (SSD) 等三大动能驱动之下,NAND Flash 市场后市可期 预期 2014 年全球 NAND Flash 芯片产值将超过 DRAM, 成为最大宗的存储器产业 存储器 RAM( 随机存取存储器 ) ROM( 只读存储器 ) 挥发性 RAM 非挥发性 RAM 可重复编程 ROM 一次编程 ROM SRAM( 静态存储器 ) ReRAM( 电阻式存储器 ) EPROM PROM( 可编程 ROM) DRAM( 动态存储器 ) FeRAM( 铁电介质存储器 ) EEPROM Mask ROM MRAM( 磁性存储器 ) Flash PCM( 相变存储器 ) NOR NAND 图 1. 存储器的分类图 6

7 2% 4% 8% DRAM NAND Flash 32% 54% NOR Flash SRAM Others 图 年世界半导体存储器市场构成 ( 资料来源 :Gartner) ( 二 ) 全球存储器市场基本被四大巨头所占据 据 Gartner 统计,2010 年半导体存储器总市场近 700 亿美金 百万美元 年存储器市场需求状况 350, , , , , ,000 50, % F 2012F 存储器市场半导体市场 % 25.0% 22.5% 20.0% 17.5% 15.0% 12.5% 10.0% 图 3 半导体存储器总市场 ( 数据来源 :Gartner) 近期的市场数据显示,2011 年第一季度全球 DRAM 市场规模约 83 亿 美元 从 2011 年第一季度全球各大企业的市占率来看, 三星以约 33 7

8 亿美元占据了市场近 40%, 海力士则以近 19 亿美元占约 23%, 日厂尔必达市占率约 13% 美光约 11% 台厂南亚科则为 4% 三星今年全球 DRAM 市占率继第二季突破 40% 后, 第三季再攀高峰, 市占率直逼 45% 名列第 2 3 名的海力士 (Hynix) 和尔必达 (Elpida) 市占率也微幅衰退, 台厂南亚科 力晶 茂德在减产并半退出 DRAM 市场 韩国两大企业稳居该市场前两位, 合计市场占有率在 60% 以上 同时, 这两大企业在 NAND Flash 市场的占有率也在逐渐攀升, 接近 50% 目前转进 30nm 制程速度最快的是三星 海力士和尔必达, 其中三星和海力士 2 家韩系大厂 30nm 制程比重已达 21%, 而尔必达和转投资的瑞晶也预计到了 2012 年上半 30nm 制程也大幅增加 ; 而台厂制程仍停留在转进 40nm 制程的路途中 三星 ( 韩国 ): 产品线最为丰富, 除了 DRAM, 其 Flash 的产品线和布局也很完整 根据研究机构 IHS isuppli 的资料, 三星在第 2 季占了全球 DRAM 市场的 41.6%, 同期 NAND Flash 占有率则为 41.6% 此外, 三星自 2010 年还涉足了代工业 三星的现金余额 销售现金比率 总体市场份额和产品组合实力都是业界其他厂商所无法比拟的 因此, 三星在 DRAM 市场的优势地位近两年不会受到任何威胁, 是存储器行业的绝对霸主 美光 ( 美国 ): 拥有强大的产品组合和良好的资产负债表, 其产品研发能力也仅次于三星, 因此后劲十足 另外, 美光与英特尔的合资公司 IMF 也具有先进的工艺技术和良好的盈利能力 综合以上因素, 美光的竞争力可排在第二的位置 8

9 海力士 ( 韩国 ): 市场占有率位于全球第二, 但负债比较多, 这不仅会侵蚀未来的现金流, 而且也会削弱其在必要时借款的能力 综合来看, 海力士的竞争力排在第三 尔必达 ( 日本 ): 在收购了奇梦达显卡内存业务之后, 其获利能力有了显著提高, 但其产品线相对单一, 抗风险能力弱 近期的 DRAM 市场价格大跌, 尔必达在四大厂商中受影响最大, 因此尔必达将精力放在台湾, 寻求整合支持 综合实力位列全球第四 ( 三 ) 全球存储器产业技术趋势 1. DRAM DRAM 单元和电路结构已成为经典, 目前看不到替代技术的苗头 DRAM 核心技术在于高质量电容的优化 ( 密度与漏电 ), 工艺与设计结合是 DRAM 制胜的关键, 因此 DRAM 市场主要是 IDM 公司的天下 未来, 复杂结构上的高质量 High-k 与 FinFET 结合 3-D Cell 等是技术发展的趋势 从 DRAM 产品来看, 三星 海力士 尔必达 美光和南亚均已切换到主流 DDR3 产品线, 而台湾厂商多以 Niche Market( 即低次代 ) 产品为主 从工艺平台角度来看, 在 40 纳米工艺平台上, 尔必达被点名 40 纳米良率不高, 而海力士 40 纳米工艺平台更出现设计问题, 美光的合作伙伴南亚科与华亚的 50 纳米制程良率问题也未解决 因此, 在相当长一段时间内, 主流工艺仍为 5xnm 工艺平台 而原奇梦达 BWL( 埋 9

10 藏字线 ) 工艺依靠独特工艺优势, 芯片面积和功耗优势明显, 目前 65nm BWL 工艺平台仍具备一定竞争力, 自 2010 年 9 月份以来, 奇梦达 46nm BWL 的工艺平台开始在台湾华邦晶圆厂导入, 目前已开始新工艺 DRAM 产品的试产, 良率表现良好, 预计年底实现量产 2. SRAM SRAM 不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据, 因此 SRAM 具有较高的性能, 但是 SRAM 也有它的缺点, 即它的集成度较低, 相同容量的 DRAM 内存可以设计为较小的体积, 但是 SRAM 却需要很大的体积, 且功耗较大 SRAM 主要用于二级高速缓存 (Level2 Cache) 从设计和制造技术的角度看,SRAM 作为存储器的特点不突出, 倒更象一个高速 IC; 面临的技术挑战也与 IC 一样, 即纳米尺度下的功耗问题及工艺波动引起的不确定性问题 对于 SRAM 来说, 功耗 速度的权衡 (Trade-off) 是最重要的 未来, 与 宿主 一起开发嵌入 IP 设计技术是介入 SRAM 领域很好的途径 3. Flash 多值是 Flash 进一步挖掘密度潜力的一个重要途径, 目前的主流产品是 2bit 的, 将来还可能发展成为 3 4bit 另外,CTM( 转制 ) 存储器开始进入实用, 将在未来 2-3 年内成为 Flash 的主流结构, 并主导 NVM 市场 10 年左右 但是, 传统浮栅结构面临等比例缩小极限和互感电容的问题, 无法应用到 40nm 工艺以下 Flash 器件的物理本质决定了它一定早于 Moore 定律寿终正寝, 其固有的写入速度慢 (ms 级 ) 擦除电压高(10V 左 10

11 右 ) 和擦写次数受限 (10 6 ) 等问题无法解决,Flash 面临工艺和物理限制, 因此, 急需发展新型非易失存储技术 4. 新型存储器存储器技术是一种不断进步的技术, 随着各种专门应用不断提出新的要求, 新的存储器技术也层出不穷, 每一种新技术的出现都会使某种现存的技术走进历史, 因为开发新技术的初衷就是为了消除或减弱某种特定存储器产品的不足之处 未来新型存储器主要包括相变存储器 铁电存储器 磁阻存储器以及阻变存储器等 (1) 相变存储器 (PCM) 它是新一代非易失性存储器技术 它是一种利用材料中的可逆相态变化来存储信息的非易失性存储器 PCM 兼有 NOR flash,nand flash 和 RAM 或 EEPROM 相关的属性 PCM 的优点可归结为以下几个方面 1) 如同 RAM 或 EEPROM,PCM 可变的最小单元是一位 闪存技术在改变储存的信息时要求有一步单独的擦除步骤 而在一位可变的存储器中存储的信息在改变时无需单独的擦除步骤, 可直接由 1 变为 0 或由 0 变为 1 2)PCM 如 NOR 闪存与 NAND 闪存一样是非挥发性的存储器 早期 Intel 进行的兆比特 PCM 存储阵列能够保存大量数据, 该实验结果表明 PCM 具有良好的非挥发性 3) 如同 RAM 和 NOR 闪存,PCM 技术具有随机存储速度快的特点 这使得存储器中的代码可以直接执行, 无需中间拷贝到 RAM PCM 读取反应时间与最小单元一比特的 NOR 闪存相当, 而它的带宽可以媲美 11

12 DRAM 相对的,NAND 闪存因随机存储时间长达几十微秒, 无法完成代码的直接执行 4)PCM 能够达到如同 NAND 的写入速度, 但是 PCM 的反应时间更短, 且无需单独的擦除步骤 NOR 闪存具有稳定的写入速度, 但是擦除时间较长 PCM 同 RAM 一样无需单独擦除步骤, 但是写入速度 ( 带宽和反应时间 ) 不及 RAM 随着 PCM 技术的不断发展, 存储单元缩减,PCM 将不断被完善 5)PCM 可以不断缩小体型, 而 NOR 和 NAND 存储器的结构导致存储器很难缩小体型 PCM 集其它各类型存储器的优点于一身, 如果在高端系统使用低延时 PCM 技术, 有望大大提升系统性能 (2) 铁电存储器 (FeRAM) 它是利用铁电晶体的电滞回特性, 来存储数据的一种新型存储器, FRAM 记忆体不需要定时刷新, 掉电后数据立即保存, 它速度很快, 且不容易写坏 目前铁电存储器的两大先驱是 Ramtron 和 Symetrix 公司, 这两家公司的许可权购买方包括各大重要的半导体制造商, 如富士通, 海力士,IBM, 英飞凌,Oki, 松下,Raytheon, Rohm, 三星, 意法半导体, 德州仪器以及东芝等 已有多款商业产品出现 目前铁电存储产品主要集中在传感器,RFID 控制器等需要非挥发存储, 而且难以提供 Flash 所需要的高压的应用环境 铁电存储器的优点在于非挥发存储, 功耗低, 单位存储单元面积小, 读取速度快, 不需要高电压操作 但是缺点在于 :1) 铁磁材料损害硅基底, 因此在铁磁层和硅之间必须加入一个铂隔离层 因为铂几乎不与其他材料反应, 因此非常难于蚀刻 更加激进的工艺更会加 12

13 重这种情形 2) 因为铁电材料会污染 CMOS 工艺线, 因此铁电存储器普遍采用前端 CMOS 电路和后端存储单元分开生产的模式, 提高了成本而且难以采用最新工艺来生产铁电存储器 (3) 磁阻存储器 (MRAM) 磁阻内存的存储原理则完全不使用电容, 它采用两块纳米级铁磁体, 在界面上用一个非磁金属层或绝缘层来夹持一个金属导体的结构 通过改变两块铁磁体的方向, 下面的导体的磁致电阻就会发生变化 电阻一旦变大, 通过它的电流就会变小, 反之亦然 目前的 MRAM 采用一种称为自旋扭矩转换 (spin torque transfer STT) 的新技术, 利用了放大的隧道效应 与铁电存储器一样, 磁阻存储器也具备 SRAM 一样的速度, 接近 DRAM 的存储密度, 而且具备非挥发特性, 但同样的与 CMOS 工艺的不兼容性导致目前难以在最新工艺平台上开发产品 (4)RRAM( 阻变存储器 ) RRAM 通常采用金属 绝缘介质 金属 (MIM) 的三明治结构, 通过绝缘介质的电阻转变进行工作 RRAM 是国际上最近兴起的新型存储器, 其中过渡金属氧化物 RRAM 在近两年内得到国际重要大公司同时力推, 包括三星 SHARP IBM NEC 等 在 RRAM 的电阻转变材料方面 2005 年三星制备了交叉阵列的 50nm 技术的阻变存储阵列, 并且具有较小的工作电流和改善的转变电压分布 ; 2007 年富士通提出 Ti 掺杂 NiO 组成的 1T1R 型阻变存储单元, 速度可达 5ns, 电流小于 100uA ; 三星 2007 年也报道了采 13

14 用 Ti 掺杂 NiO 组成的双层 1D1R 型结构 8 8 阵列来演示 RRAM 高密度集成 ; 在 2009 年的 IEDM 会议上, 台湾工研院报道了采用台积电 (TSMC)0.18 标准工艺成功制备了存储密度为 1-Kb 的 RRAM 阵列电路, 采用的 1T1R 型存储单元尺寸为 30 30nm2, 成品率达到 100%, 可在 40ns 宽脉冲工作模式下转变 106 次以上, 且保持特性可达 10 年等良好的非易失性存储特性 ;2010 年日本 SHARP 报道了基于 CMOS 工艺的容量为 128Kb 的 RRAM 样品 ; 2010 年 ISSCC 上美国的 Unity Semiconductor 报道了 90nm 工艺制造的 64Mb 测试芯片, 但是未报道单元存储特性 总体来看, 以上报道的研究成果均为试验芯片, 研究进展也主要集中在材料 单元和关键工艺的研究和小规模演示电路的水平 由于目前 DRAM 和 flash 的技术成熟程度和规模, 即使往下发展技术上有很多挑战, 大约五到十年内很难有新的技术可以替代, 在某些特殊领域, 也许有新的存储器类型可能胜出 从目前的结果看, 最有可能仍然是 RRAM, 因为该技术具有和现有的 CMOS 工艺的良好的兼容性, 易于等比缩小以及低功耗等性能 表一新型存储器与闪存性能比较 存储器类型 单元元件 单元面积 NOR 闪存 NAND 闪存铁电存储器磁阻存储器相变存储器阻变存储器 1T 1T 1T1C 1T1R 1T1R 1T1R/1D1R 9-11F 2 5F F F F 2 5-8F 2 读电压 2V 2v 0.9v-3.3v 1.5v 3v 0.4v 读时间 10ns 50ns 45ns 20ns 60ns <10ns 14

15 写电压 7-9v 15v v 1.5v 3v 0.5v-1v 写时间 1us/10ms 1ms/0.1ms 10ns 20ns 50/120ns 5-10ns 写能量 >1e-14 >1e-14 >3e-14 >1.5e-10 >6e-12 >1e-12 读写次数 保持时间 >1e5 >1e5 >1e14 >1e16 >1e9 >1e6 10 年 10 年 10 年 10 年 10 年 10 年 评论 / / 与 CMOS 工艺不兼容, 存储密度较小 与 CMOS 工艺不兼容, 写操作功耗大 与 CMOS 工艺不兼容, 写操作功耗大 与 CMOS 兼容性好, 研究时间短, 物理机理不明确 二 我国存储器产业现状与发展机遇 我国 IC 市场总额约 6000 亿元 / 年, 我国存储器的市场总额约为 2000 亿元, 占 IC 市场的三分之一 存储芯片在我国有巨大的市场, 但由于长期缺乏具有自主知识产权的存储器设计及制造技术, 国内存储器生产成本极为高昂, 目前我国存储器产业几乎才刚刚起步 ( 一 ) 各领域产业状况 1 NAND flash 市场最大, 接下来几年增长速度会最快, 但是在中国目前没有投入设计和制造 ; 做存储卡的小公司很多, 但均是直接购买国外存储芯片来组装为成品 2 DRAM 市场份额很大, 与 CPU 并列为计算机两大核心芯片 在 DRAM 芯片设计开发方面, 原奇梦达在西安建有中国研发中心, 可从事 DRAM 完整的设计测试开发, 金融危机后, 被山东华芯半导体收购并更名为西安华芯半导体, 继续从事存储器的开发 另外, 美光 15

16 在上海建有中国研发中心 ( 独资 ), 从事 DRAM 和 NOR flash 的设计 在 DRAM 芯片制造方面, 90 年代末通过 909 工程引进 NEC 工艺技术, 接近世界水平生产 DRAM, 后来不再生产 2000 年后, 中芯国际引进日本尔必达和德国奇梦达的 DRAM 工艺进行代工, 技术到 80nm 接近世界水平, 同时建有自己的低端 DRAM 的封装测试厂 受到金融危机的影响后, 中芯国际放弃 DRAM 生产 另一方面, 韩国海力士 2005 年落户无锡, 经过六年发展, 从早期的 90nm 发展到 80nm 66nm 及现在的 44nm 工艺技术 产能据说已经发展到每月 18 万片, 占到海力士全球产能的近一半, 技术也可能发展到 38nm, 从技术和规模上均为世界水平 但是该厂为海力士独资, 不对外合作 在 DRAM 芯片封装测试方面, 美光在西安 2006 年开始建立有先进的大规模后端厂, 目前仅做测试和模组制造 原奇梦达在苏州工业园区建有大规模的后端厂, 后被苏州政府接管, 更名为智瑞达, 仍然从事 DRAM 为主的封装测试 目前中国的 DRAM 在各环节上均有涉及, 但没有形成完整的产业链, 核心的芯片制造环节为韩国独资, 至今没有自己的 DRAM 工艺和晶圆制造厂 就目前来看, 国内的 DRAM 产品在整个国际市场上处于非常弱小的地位 3 NOR flash 和 EEPROM 市场份额较小, 中国目前主要有两家公司从事基于中芯国际 90nm 的小容量的 NOR flash, 分别是北京兆易创新科技有限公司 ( 原北京芯技佳易微电子科技有限公司 ) 和镇江隆智半导体有限公司, 且均为设计公司 华虹有基于自己工艺的 EEPROM 的产品 以上公司的产品在国内均有销售, 但在整个国际市场所占的份额极小 从制造工艺看, 中芯国际除了基于 90nm NOR flash, 同时在武 16

17 汉的新芯拥有飞索 (Spansion) 的 65nm MirroBit( 电荷捕获 ) 工艺技术, 目前仅能给飞索提供代工服务, 两家公司已经达成协议, 开始扩展到 45nm 技术 每月产能大月 3000 片 片 12 寸晶圆 4 SRAM 市场最小, 目前主要应用于通讯类和极少数消费类, 如华为 中兴等 在中国有很少几个基于老工艺做特殊 SRAM 芯片设计开发的研究所, 但没有商业销售 国内对 SRAM 的需求均是直接购买国外芯片 5. 新型存储器市场尚未开启, 国内各大高校及研究机构均处于研究阶段 值得关注的是, 北京时代全芯公司已经设计完成第一批基于相变存储器的产品芯片, 成为中国第一家取得高密度相变存储器芯片的公司 目前, 公司已经成功设计了两颗完整的产品芯片 (256Mb 的 LPDDR2 和 32Mb 的 SPI 芯片 ), 并设计了一个 16Mb 的嵌入式相变存储器的宏模块 ( 二 ) 发展形势与机遇 1 发展形势传统结构 DRAM Flash 需要设计和制造技术紧密配合, 已形成少数大型 IDM 公司垄断的局面, 在主流分立产品上我国正面切入的难度相当大 目前, 国内外客户对高速 SRAM 的需求量越来越大, 其主要应用包括 USB3.0 甚高速数字用户环路(VDSL) 机顶盒 (STB) 和基带 (Baseband) 等 但高速 SRAM IP 和低功耗 SRAM IP 绝大部分由欧美公司提供, 许可费用昂贵 17

18 2 主要挑战目前, 我国企业在产品推广中遇到的挑战主要在市场端 由于国内缺少制造和封装测试环节, 晶圆以及封装测试都需要外包, 因此造成产量小, 成本居高不下 虽然在高端市场 ( 服务器 工业级应用 ) 赢得一定的客户, 但市场容量小, 不易形成规模 ; 在中低端市场 ( 平板电脑, 机顶盒 ) 有大量客户, 对成本很敏感, 虽然形成了相对的量, 但面临国际大厂激烈竞争, 推广难, 毛利低 我国企业作为市场中的后进入者, 还未打开知名度, 需要拿高品质的产品到价格敏感的消费市场打拼 ; 对一些高端客户, 作为新公司 新品牌, 必然受到很多挑战 如何不断降低产品成本以提升产品的综合竞争力是遇到的主要困难 如今半导体市场的推动力已经由 PC 转向消费电子产品 PC 过去基本是企业采购 单位采购 因此从企业角度说, 对计算机只要满足使用要求, 它并不会对计算机提出不断升级内存要求 而对于消费电子产品, 手机 MP3/MP4 平板电脑 电视机 音响 都属于个人或家庭消费, 对产品的要求越来越严格 价格也是越来越低 如果芯片价格不降低, 质量要求不严格, 就很难卖出去, 这实际上也是工业的推动力发生了转变 3 发展机遇 (1) 对于低次代应用, 发挥我们贴近市场和服务支持的优势, 芯片设计加制造的模式是有一定机会的, 但需强化存储器芯片制造技术 ; (2)SRAM 与 宿主 关系密切, 结合高端芯片的研发, 从设计技术的角度开发并优化嵌入式 SRAM IP 是一个不错的切入点 ; (3) 新型存储器在未来 5-10 年当中可能成长为与 Flash 并驾齐驱的 18

19 主流技术之一, 甚至有可能成为 Universal Memory, 我们应该抓住这个难得的技术路线转移的机会, 部署新型存储器的研发 (4)SRAM 由于读写速度的提升和存储空间的增大, 其功耗在芯片功耗中所占的比重越来越高 在 SoC 芯片中, 位于数据通路关键路径上的 SRAM 访问速度直接制约芯片系统速度, 其密度也直接影响芯片的面积和成本, 而这依赖于先进的设计技术和精致的物理实现技术 SRAM 成了制约 SoC 速度 ( 频率 ) 和功耗 面积的严重瓶颈 因此, 定制关键路径上的高速低功耗高密度 SRAM 非常有利于 SoC 芯片性能的整体提高, 功耗的降低和成本的减少 国际上高端 CPU 及 SoC 芯片公司 ( 如 IBM Intel AMD SUN) 都有自己的 SRAM 设计团队和设计能力 市场上销售的 SRAM 编译器 ( 如 Foundry 提供的 ) 只能满足中低端需要, 速度慢于高端 SoC 芯片和 CPU 公司的 SRAM 50%, 面积大且成本高 因此, 采用自主的专利技术和可配置的高速低功耗高密度 SRAM 及编译器, 设计高性能 SRAM 高速总线接口和高速缓存接口, 提高 SoC 芯片性能, 降低功耗和面积成本, 对提高国产中高端 SoC 芯片的竞争力十分必要 ( 三 ) 国内重点存储器相关企业 1 山东华芯半导体有限公司华芯半导体的主要研发力量来自 2009 年收购的德国奇梦达科技研发团队, 这一收购使得它跨越式地拥有了世界先进水平的存储器设计团队, 获得了先进的软硬件设计平台和高水平的分析测试实验室 山东华芯半导体公司利用自己的研发优势, 从成立之初就展开与国际大厂华邦和尔必达的合作, 并利用原奇梦达技术在华邦成功投产 19

20 1Gb 和 2Gb DDR2 芯片, 同时研发和量产了 1/2/4/8GB DDR2 等多种 DRAM 模组, 产品已批量应用于浪潮服务器 浪潮高端容错计算机 基于龙芯 CPU 的龙梦一体电脑和刀片服务器 浪潮数字高清机顶盒 基于瑞芯微芯片的平板电脑和北大众志计算机 同时也已成功打入了国内著名彩电制造商创维和海信高端平板电脑 DRAM 芯片供应商名单 华芯截止 2011 年 6 月的 DRAM 出货量累计已超过 240 万颗, 下半年将推出 DDR3 DRAM 芯片 华芯半导体目前正在济南投资建设一条新的封装测试线, 并从主流 DRAM 的封装测试切入 (FBGA 封装 ), 预计建成后将进一步提高华芯的 DRAM 供货能力, 并提升我国存储器领域的封装测试工艺和制造水平 华芯半导体规划的未来发展方向是以存储器系统为核心的综合方案提供商 存储系统包括内嵌的 e-sram e-flash 内嵌存储器控制器等 IP 核 闪存控制 SoC 芯片 以及独立的 SRAM DRAM 芯片及内存模组 整个产品的定位会在保持兼容标准的同时, 侧重于低功耗的解决方案 各个产品均可作为标准产品独立使用, 如果是提供完整的存储系统的解决方案, 则很多功能 性能是在系统级优化设计的, 可以提供优越的性能, 如功耗等 在 SRAM 方面, 在完成内嵌 IP 设计后, 将会进一步开发独立的基于逻辑工艺的高速 SRAM 芯片产品, 主要应用于通讯类产品 在 DRAM 方面, 目前华芯已经和华邦联合开发 DDRIII 接口标准的产品, 明年会推出 同时针对日益重要的移动存储应用, 公司未来也将规划开发 mobile DRAM 山东华芯半导体有限公司的 2Gb 大容量动态存储器芯片 (DRAM) 连续获得 2010 年 中国芯 最具潜质奖及 2011 年 中国芯 最佳市 20

21 场表现奖! 2 北京兆易创新科技有限公司北京兆易创新科技有限公司 ( 原北京芯技佳易微电子科技有限公司 ) 成立于 2005 年 4 月, 是国内首家从事存储器及相关芯片设计的集成电路设计公司, 公司致力于各种高速和低功耗存储器的研究及开发, 已通过 SGS 认证的 ISO9001 质量管理体系认证和 ISO14001 环境管理体系认证 兆易公司拥有超过 110 件的发明专利申请, 获得授权专利 26 件, 包括 dysramtm 和 gflashtm 等核心专利技术, 保证了本公司产品凭借 高技术 低功耗 低成本 的特性领先世界同类产品 兆易创新科技的核心团队都曾在硅谷 韩国 台湾等各地著名的存储器公司工作多年, 有着丰富的存储器设计及研发经验 公司依托 SRAM 产品奠定行业地位,2008 年, 推出国内首款 Serial Flash 产品, 填补了国内空白, 并成为国内最先量产 Serial Flash 产品的企业, 进一步巩固了行业领军地位 截止 2011 年 Q4, 兆易创新实现了 512Kb 128Mb 产品的全线量产, 并率先推出了 256Mb 产品, 生产工艺上升至 90nm 兆易创新正在逐步建立世界级的存储器设计公司的市场地位 公司专注于各类存储器集成电路产品的研发和销售, 同时为系统级集成电路设计公司提供自主创新性存储器 IP 授权 公司研发的主要产品为 Serial Flash MCP EPD Controller 以及 OTP 等 产品具有高可靠性 低功耗及适应便携式应用等特点, 广泛地应用于手持移动终端 消费类电子产品 个人电脑及其周边, 网络 电信设备 医疗设备 办公设备 汽车电子及工业控制设备等领域 21

22 为进一步树立兆易公司在芯片设计行业的领袖地位, 本公司正全力打造一个和谐共赢的产业生态系统 : 凭借其先进的技术和产品, 兆易公司与多家世界知名的晶圆厂, 封测厂结成战略合作伙伴关系, 建立多元共赢的销售代理体系 此外, 兆易公司还与清华大学等著名学府进行全面合作, 共同推进 IC 设计的技术创新 2011 年公司业绩较 2010 年有大幅提高, 全部芯片本年销售量预计超过 3 亿颗, 销售额超过 5 亿元, 进入 SPI Flash 领域世界排名第四, 成为国内首家大规模量产主流存储器的公司 同时 SPI Flash 产品成功打入 MTK, 使公司产品向国际市场又迈进了一步 公司正在进一步加大研发及产品推广力度, 力争再上一个新台阶 北京兆易创新科技有限公司的 SPI Flash 存储器 GD25Q80SCP 芯片及 GD25Q32BWIG 芯片分别获得 2010 年 中国芯 最佳市场表现奖及 2011 年 中国芯 最佳市场表现奖! 3 北京时代全芯公司北京时代全芯公司是由美国全芯科技公司 (BAMC-USA) 与北京亦庄国际投资发展有限公司合资成立的一家高科技公司, 公司主要负责相变存储技术的产品化研究 引进消化和在中国的产业化, 致力于发展具有一批中国自主知识产权的半导体存储技术和专利 北京时代全芯公司在与美国全芯科技公司及其合作方 IBM 团队的共同努力下, 于 2011 年 8 月 31 日完成第一批基于相变存储器的产品芯片 该公司设计了两颗完整的产品芯片 (256Mb 的 LPDDR2 和 32Mb 的 SPI 芯片 ), 此外, 还设计了一个 16Mb 的嵌入式相变存储器的宏模块, 和一些其它的测试结构 这是北京时代全芯公司成立以来的一个重要的成绩, 也是中国第一家取得高密度相变存储器芯片的公司 22

23 其设计的芯片在市场中有突出的优点 SPI 芯片和现有使用闪存 的系统完全兼容并可以直接插入现有系统使用 LPDDR2 芯片是第一 个效仿 DRAM 功能的相变存储器, 它的设计数据速率达到突出的 800 Mb/sec 16Mb 的嵌入式相变存储器 IP 可以用于很多 SoC 设计 嵌 入式 IP 完全由北京时代全芯团队设计 目前, 这些产品的制造已经 在 IBM 位于佛蒙特洲的伯灵顿的半导体设备中开始进行生产 时代全 芯的下一个主要的任务是使这些芯片走向大量生产, 计划在北京建设 一个相变存储器的小型生产线以提供制造的需要 三 发展建议目前我国存储器产业面临的情况是 : 在今后相当长的时间内, 我 国仍是存储器最大的消费国, 但是存储器的供应为国外大厂垄断, 韩 国两个公司即占到全球三分之二的供应, 而且有进一步整合的趋势 我国只有加大投入发展存储器产业, 建立起完整的产业链, 才能克服 由于存储器的缺失造成的整个产业链的利润流失 虽然我国存储器的产业发展接受着巨大的挑战, 但是我们也同样 面临着前所未有的机遇 例如, 经过多年的产业发展, 我国在技术人 才方面均有一定的积累, 也具备了较多存储器产业的经验, 更为重要 的是有我国的巨大市场需求做支撑 结合我国存储器产业的实际状况, 具体的发展建议如下 : ( 一 ) 政府层面 1. 积极进行布署, 伺机弯道超车 在发展思路与策略上, 针对我国目前没有晶圆制造厂的现状, 应 该充分利用我国的市场优势, 确定核心的存储器大客户, 针对 1-2 款 23

24 细分产品进行重点突破 通过持续有 1-2 款产品形成大规模的销售, 特别是得到国家采购或研发的大力支持, 使芯片设计公司形成对设计 开发 测试和量产的技术经验, 以及形成可持续积累的产业经验 这样我们便会有相应的公司积极准备应对, 当产业发展机遇到来, 就会第一时间把握机遇, 实现弯道超车 所谓弯道机会, 应该是两个 : 一是国际厂商转型 行业波动或金融危机出现的收购的机遇 ; 二是我们关注与新技术的研究和提前投入开发, 有合理的提前量的准备迎接新技术的到来 现在 DRAM 和 FLASH 技术均开始面临其本征的物理极限, 新的替代技术早晚会胜出 2. 明确产业定位, 统筹规划发展存储器产业是一个资金和技术密集性的产业, 当明确定位于国家的战略部署, 并得到科学的规划 持续的资金以及投入的人力这些支持之后, 我国存储器才可能发展壮大起来 只要我国存储器发展起来, 形成了完整的产业链, 即使遇到存储器价格波动, 对国家来说只是利润在链条中上下游的重新分配问题 但如果存储器缺失, 则可导致整个产业链巨大的利润流失到国外 此外, 在产业的初期, 单纯靠企业是难以抗衡产业波动和国际大厂的挤压的 对照三星的发展, 比较我们 909 工程以后 DRAM 的发展以及台湾存储器产业的发展, 就可以得出明确的结论 ---- 自主可控的包括制造工艺 产品设计 市场的长期战略规划以及长期持续的投入是存储器产业壮大的关键条件 产业发展最大的困难是缺长远规划和持之以恒的决心 3. 设立专项支持课题国家通过实施重大专项的措施来发展高端通用芯片, 存储器作为除 CPU 之外最为通用 国内产业最弱的环节, 国家在 01 专项和 02 专 24

25 项, 都要进一步增加对存储器的支持措施 在具体政策上, 首先是将存储器纳入 十二五 集成电路产业规划重点支持的领域 ; 其次是在技术开发 产品设计 制造工艺 封装工艺等层面通过 01 重大专 02 重大专项 电子基金和国家有关部委的产业化专项每年拿出大量的资金支持, 以优势企业为龙头, 加快存储器产品研发和产业化 ; 再次是应用政策支持, 特别是各种大需求量的电子整机产品配套应用的政策支持 例如政府云计算中心的内存采购, 政府和国防军队计算机内存采购, 三网融合中机顶盒 电视机用芯片采购, 都可指定用国产的内存芯片 在 十二五 期间, 建议国家 核高基 重大专项 集成电路成套工艺及装备专项 甚至新一代移动通信都要将存储器的发展列入重点 在具体课题设置上, 建议一将 与国产 CPU( 或嵌入式 CPU) 紧密结合的超低功耗动态随机存储器产品研发 列入重点课题 ; 二将 支持国产关键通信系统设备的高速静态随机存储器 列入重点课题 ; 三将 面向 CPU 与存储器的系统级封装工艺研发及产业化 列入 02 重大专项 同时, 建议 01 和 02 专项进一步加强统筹和协同, 两个专项在课题设置和目标设置的指标和时间节点上保持一致 ( 二 ) 企业层面 1. 存储器产业的技术更新非常快, 要加大与国际大厂的合作, 保证自己的研发技术能力与国际大厂同步发展 如与国际大厂合作开发新的项目, 提前布局今后存储器市场 ; 关注全球产业动向, 寻找合适的机会窗口收购国际大厂优势资源, 形成自我开发能力 2. 充分发挥自身的技术支持能力, 不断拓展国内市场和国际市场, 用产品品质和技术服务的能力, 赢得越来越多的用户 首先应立 25

26 足于设计开发符合国际标准的动态随机存储器芯片, 以替代部分进口产品 ; 同时考虑在系统的层次, 对包括 CPU 在内的计算机进行优化设计, 提供差异化的存储器产品, 提高整机性能, 竞争以应用为导向, 不仅在单个的芯片层面, 而且在系统整机层面提高竞争力 安全适用计算机, 包括平板电脑给我们提供了一个很好的切入市场的机会 3. 作为一种通用大宗商品, 存储器有着替代性强的特点, 非常适于后来者以产品的某种特性来进入该市场 因此, 建议我国企业寻找和定位在一些特殊的市场及用户群体, 避开和国际大厂的正面冲突, 比如工业级产品 特殊模组等 通过以上一些列措施, 提升我国存储器的研发水平, 扩大我国自 主存储器的市场应用及推广的空间, 同步我国 CPU 和存储器的应用规 模和市场竞争力 26

27 关于联合成立技术创新中心的通知 各相关企业 : 为促进我国电子信息产业调结构 转方式, 实现跨越式 可持续发展, 提升电子信息整机企业自主创新能力 增强整机企业产品综合竞争力 提高整机企业盈利水平, 扩大芯片企业 中国芯 产品市场份额 更大发挥 中国芯 产品支撑倍增作用, 在工业和信息部电子信息司的指导下, 我中心拟与国内具有较强技术水平, 在技术领域和经营模式方面勇于创新, 有较大芯片需求量的整机企业一起联合成立技术创新中心 一 技术创新中心职责 1 评估 试用 采用国内的 中国芯 产品, 优先考虑 核高基 重大专项 电子发展基金等支持的 中国芯 产品 2 与国内优势 中国芯 企业联合定义 开发 中国芯 产品 3 共同做好 中国芯 产品的宣传推广工作 二 技术创新中心审批流程 1 整机企业填报申请表 2 CSIP 收集芯片企业情况 3 在整机企业和芯片企业供需匹配的情况下,CSIP 对整机企业申报材料进行评审, 与评审通过的整机企业联合成立技术创新中心 27

28 4 履行技术创新中心职责 整机企业联系人 : 徐燕, 赵欣凯, 王伟电话 : /8113/ xuy@csip.org.cn;zhaoxk@csip.org.cn; wangw@csip.org.cn 芯片企业联系人 : 屠故园, 朱彬 / tugy@csip.org.cn zhub@csip.org.cn 28

29 卡美欧 赛纳 爱国者示范技术创新中心成功模式 为推动国产芯片产业化, 促进芯片与整机联动, 近日, 工业和信息化部软件与集成电路促进中心 (CSIP) 与卡美欧通讯有限公司 珠海赛纳科技有限公司和北京华旗资讯 ( 爱国者 ) 数码科技有限公司共建了国家集成电路公共服务平台技术创新中心, 创新模式已初见成效 技术创新中心将通过整机和芯片企业的联合攻关, 相互促进, 突破制约我国终端整机制造业发展的核心关键技术 不仅以拓宽我国芯片企业 中国芯 产品的销售渠道 提高市场份额 更大的发挥国产芯片的支撑倍增作用为建设目标, 更以我国的电子终端整机制造业能够拥有自主的核心技术, 提高终端产品的附加值, 具备与世界强手的竞争能力, 彻底改变目前 我国企业组装, 国外企业挣钱 的局面为使命 国家集成电路公共服务平台技术创新中心为我国整机企业与芯片企业的快速发展创造了一个产业链上下游联动的平台, 实现了整机企业与芯片企业的双赢互惠发展 CSIP 主任邱善勤声称 CSIP 今后将利用其在集成电路产业内的强大影响力和丰富的企业资源, 与国内具有创新精神 在技术领域和经营模式方面勇于创新的整机企业一起联合成立更多技术创新中心, 从而有效提升我国电子信息整机企业的核心竞争力 29

30 历届 中国芯 评选获奖企业及产品名单 2006 年获奖企业及芯片名单 奖项 厂商 芯片类型 芯片型号 晶门科技有限公司 晶门科技有限公司 CSTN 液晶驱动 SSD1772 控制器芯片 展讯通信 ( 上海 ) GSM/GPRS 手机核心芯片 SC6600 有限公司 美新半导体 ( 无锡 ) 加速传感器芯片 MXR6800Q 有限公司 最佳市 北京中星微电子有 笔记本电脑嵌入式图像处理芯片 VC0321 场表现奖 限公司炬力集成电路设计 便携多媒体音视频处理器 ATJ2097 有限公司 福州瑞芯微电子有 数字音视频处理芯片 RK2606A 限公司 北京中电华大电子 电信卡芯片 CIU5164 设计有限公司 锐迪科微电子 ( 上 TD-SCDMA/GSM/GPRS 双模全集成 RDA8605 海 ) 有限公司 单芯片射频芯片 最具潜 北京中科亿芯信息 聚芯 SoC 芯片 1000B 质奖 技术有限公司 硅谷数模半导体 ( 北京 ) 有限公司 单端口 HDMI 接收芯片 ANX 年获奖芯片及企业名单 奖项 厂商 芯片类型 芯片型号 展讯通信 ( 上海 ) 有限 多媒体娱乐基带芯片 SC6600M 公司 晶门科技有限公司 TFT 液晶显示控制单芯片 SSD1289 最佳市场表现 福州瑞芯微电子有限公司 数字音视频处理芯片 RK2608A 30

31 奖 最具潜质奖 杭州国芯科技有限公司芯邦科技 ( 深圳 ) 有限公司北京凌讯华业科技有限公司智多微电子 ( 上海 ) 有限公司深圳芯海科技有限公司大唐微电子技术有限公司中国科学院计算技术研究所 卫星数字电视解调码单片接收 SOC 芯片 USB2.0/1.1 闪存盘控制芯片国标地面数字电视信道解调芯片移动应用处理器高精度 Sigma-DeltaADC 芯片面向通信的综合信息处理 COMIPSOC 芯片龙芯 2 号增强型处理器 GX6101 CBM2091 LGS8913 C7280 CS1242 DTT6C01B Loongson2E 2008 年获奖芯片及企业名单 奖项 厂商 芯片类型 芯片型号 展讯通信 ( 上海 ) 有限 GSM/GPRS 入门级多媒体基带 SC6600I 公司 芯片 最佳市 福州瑞芯微电子有限 便携式多媒体播放器主控芯片 RK2706 场表现奖 公司北京中星微电子有限 手机嵌入式数码相机图像处理 VC0578BRDB 公司 芯片 杭州国芯科技有限公 有线数字电视信道接收芯片 GX1001 司 埃派克森微电子 ( 上 3D 全集成光电导航 SOC 芯片 A2636 海 ) 有限公司 晶门科技有限公司 MagusCoreTM 多媒体处理器 SSD1933 北京天碁科技有限公 Genie(TD-SCDMA) 终端基带 TD60186 司 芯片 最具潜 卓胜微电子 ( 上海 ) 有 Quasar MXD1320 质奖 限公司 芯邦科技 ( 深圳 ) 有限 SD/MMC 卡控制芯片 AVL1108 公司 北京中天联科微电子技术有限公司 基于 ABS-S 标准的卫星信道接收解调芯片 CBM

32 2009 年获奖芯片及企业名单 奖项 厂商 芯片类型 芯片型号 北京君正集 多媒体应用处理器 Jz4740 成电路有限公司 最佳市场表现奖 格科微电子 ( 上海 ) 有限公司 GC0307 图像传感器 1/7 VGASOCCMOS AVL1108 最具潜质奖 最佳创新应用奖 北京中天联科微电子技术有限公司 基于我国具有核心自主知识产权的 ABS-S 标准的卫星信道解调芯片 北京天碁科 Thunderbird(TD-HSDPA) 终端基带 TD60291 技有限公司 芯片 澜起科技 ( 上海 ) 有限公司 DVB-C 数字有线电视解调器 M88DC2800 上海坤锐电 超高频电子标签芯片 QR2233 子科技有限 公司 杭州国芯科 AVS/MPEG2 交互式高性能解码系 GX3101 技股份有限 统芯片 公司 苏州瀚瑞微 投射电容式触控芯片 PIX99032NQ 电子有限公 司 雅格罗技 ( 北 基于 FPGA 技术的 Angelo 可编程 AG1F4N4L144 京 ) 科技有限 芯片 公司 北京创毅视 中国移动多媒体广播 (CMMB) 接 IF208 讯科技有限 收芯片 公司 汉王科技股 汉王电纸书 N518 份有限公司 江苏龙芯梦 龙芯便携式笔记本电脑 逸珑 兰科技有限 8101-Yeeloong 公司 北京中电华 华大电子 UART 接口无线网卡 TLG09UA01 大电子设计 有限责任公 司 九阳股份有 温暖系列五谷食尚豆浆机 JYDZ-P11S81 限公司 北京华旗数 爱国者 MP6 网络音响 E808 32

33 最佳设计企业奖 码技术实验室有限责任公司 展讯通信 ( 上海 ) 有限公司福州瑞芯微电子有限公司晶门科技有限公司 07 年获奖情况 ( 芯片型号 ) 最佳市场表现奖 (SC6600M) 最佳市场表现奖 (RK2608A) 最佳市场表现奖 (SSD1289) 08 年获奖情况 ( 芯片型号 ) 最佳市场表现奖 (SC6600I) 最佳市场表现奖 (RK2706) 最具潜质奖 (SSD1933) 2010 年获奖芯片及企业名单 奖项 厂商 芯片类型 芯片型号 国民技术股份有限 USBKEY 系列安全芯片 公司 上海华虹集成电路 世博门票芯片 Inlay 最佳市场表现 有限责任公司北京兆易创新科技 SPI Flash 存储器 GD25Q80SCP 奖 有限公司 深圳比亚迪微电子有限公司 30 万像素的 CMOS 图像传感器 深圳国微技术有限 CAM 卡专用芯片 公司 福州瑞芯微电子有 个人移动信息终端主控芯 RK2818 限公司 片 硅谷数模半导体 ( 北 超低功耗 HDMI1.3 发送芯 ANX7150 京 ) 有限公司 片 最具潜 北京君正集成电路 应用处理器 JZ4760 质奖 有限公司 盛科网络 ( 苏州 ) 有 高端以太网交换芯片 CTC6048-Humber 限公司 北京华大信安科技 基于 ECC 的客户端安全芯片 IS32U256A 有限公司 北京中电华大电子 n 全集成射频芯片 HED09W06RN 设计有限责任公司 美新半导体 ( 无锡 ) 有限公司 新型磁传感器 MMC214 MMC3140 华芯半导体有限公司 2Gb 大容量动态存储器芯片 33

34 天津市晶奇微电子有限公司北京东方联星科技有限公司 视频监控用大动态范围低照度 CMOS 图像传感器多系统兼容卫星导航芯片 BGI0365 OTrack-32 十年中国芯 获奖名单 奖项 获奖企业 获奖企业 深圳市海思半导体有限公司 大唐微电子技术有限公司 北京中星微电子有限公司 无锡华润矽科微电子有限公司 领军设计企业 上海华虹集成电路有限责任公司 北京中电华大电子设计有限责任公司 展讯通信 ( 上海 ) 有限公司 晶门科技有限公司 福州瑞芯微电子有限公司 杭州国芯科技股份有限公司 北京君正集成电路股份有限公司 埃派克森微电子 ( 上海 ) 有限公司 安凯 ( 广州 ) 微电子技术有限公司 昂宝电子 ( 上海 ) 有限公司 北京创毅视讯科技有限公司 北京华虹集成电路设计有限责 北京同方微电子有限公司 任公司 重庆西南集成电路设计有限责 格科微电子 ( 上海 ) 有限公司 任公司 优秀设计企业 国民技术股份有限公司 杭州士兰微电子股份有限公司 华润矽威科技 ( 上海 ) 有限公司 炬力集成电路设计有限公司 澜起科技 ( 上海 ) 有限公司 美新半导体 ( 无锡 ) 有限公司 深圳市芯海科技有限公司 深圳市中兴微电子技术有限公司 深圳芯邦科技股份有限公司 无锡硅动力微电子股份有限公司 无锡市晶源微电子有限公司 中芯国际集成电路制造有限 上海华虹 NEC 电子有限公司 公司 (SMIC) 华润上华科技有限公司 新思科技 (Synopsys) 最佳支撑服务企业 北京华大九天软件有限公司 安谋咨询 ( 上海 ) 有限公司 (ARM) 苏州国芯科技有限公司 杭州中天微系统有限公司 四川和芯微电子股份有限公司 无锡中微腾芯电子有限公司 上海华岭集成电路股份有限公 司 34

35 最佳产业园区 北京集成电路设计园 上海张江高科技园区 无锡 ( 国家 ) 工业设计园天津滨海高新技术产业开发区软件园 国家集成电路设计深圳产业化基地国家集成电路设计上海产业化基地无锡国家集成电路设计园 35

36 国家集成电路公共服务平台会员单位名单 昂宝电子 ( 上海 ) 有限公司深圳市江波龙电子有限公司锐迪科微电子 ( 上海 ) 有限公司珠海全志科技股份有限公司厦门优迅高速芯片有限公司 晶门科技有限公司建荣集成电路科技 ( 珠海 ) 有限公司华芯半导体有限公司杭州晟元芯片技术有限公司钜泉光电科技 ( 上海 ) 股份有限公司 北京思比科微电子技术股份有限公司东莞市泰斗微电子科技有限公司 南京国博电子有限公司 山东力创赢芯集成电路有限公司 无锡硅动力微电子股份有限公司 澜起科技 ( 上海 ) 有限公司 重庆西南集成电路设计有限责任公司珠海中慧微电子有限公司 华为终端有限公司北京朝歌数码科技股份有限公司深圳市欧度利方科技有限公司京微雅格 ( 北京 ) 科技有限公司上海高性能集成电路设计中心深圳泰胜微科技有限公司珠海艾派克微电子有限公司国民技术股份有限公司 卡美欧通讯有限公司国防科学技术大学计算机学院珠海赛纳打印科技股份有限公司龙芯中科技术有限公司上海华岭集成电路技术股份有限公司苏州希图视鼎微电子有限公司南京通华芯微电子有限公司曙光信息产业股份有限公司 36

37 启 事 由 CSIP 集成电路处编写的系列产业调研报告 芯闻参考 已经连续发行 8 期, 面向中央和各级地方政府行业主管部门 国内半导体企业 电子整机企业发放, 为我国半导体产业和电子信息产业的发展提出见解和参考意见 芯闻参考 2012 年计划如下, 欢迎有关企事业单位 各地方政府和研究机构与直接与们联系, 开展深入合作! 特别提示 :2012 年底参加第七届 中国芯 产业促进大会的业界同仁将免费获得 2012 年度芯闻参考汇编! 芯闻参考 2012 年度计划 2011 中国芯 专题平板电脑专题 智能电表专题信息安全专题 LED 专题芯片制造专题 智能手机专题数字电视专题视频监控专题物联网专题 EDA 专题 CPU 专题 ( 二 ) IP 及设计服务专题 电源管理专题 联系人 : 朱彬邢雁宁姚琳地址 : 北京市海淀区羊坊店东路 5 号博望园西配楼 10 号 (100038) 联系电话 : /8116 传真 : zhub@csip.org.cn 37

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<4D F736F F D D6D0B9FAD0BEB4F3BBE1D7DCBDE1B1A8B8E6312E372E646F63> 主办 : 工业和信息化部软件与集成电路促进中心 (CSIP) 天津滨海新区人民政府 感谢语 尊敬的各位领导 各位嘉宾 业界朋友们 : 感谢您在百忙之中出席 2010 中国集成电路产业促进大会暨第五届 中国芯 颁奖典礼! 本次大会得到工业和信息化部的指导, 天津市经济和信息化委员会 天津市科学技术委员会 天津市发展和改革委员会 核高基重大专项实施管理办公室 中国半导体行业协会集成电路设计分会 国家集成电路公共服务联盟

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