Project of Solar Optoelectronics Development 97 4 99 12 99 4 99 12
I III IV 1 2 4 5 4-1 5 4-2 7 4-3 8 4-4 9 11 14 6-1 14 6-2 15 6-3 (1)- 25 6-4 (2)- 26 6-5 (3)- 26 6-6 (4)- 27 6-7 28 I
6-8 31 6-9 33 6-10 34 37 7-1 37 7-2 38 7-3 40 41 8-1 41 8-2 43 44 45 46 II
4.1 5 4.2 8 5.1 12 5.2 13 5.3 13 6.1 14 6.2 34 III
6.1 36 IV
壹 計 畫 基 本 資 料 表 總 計 畫 名 太 陽 光 電 特 色 發 展 計 畫 稱 所 屬 類 別 工 業 類 生 技 類 農 漁 牧 類 通 訊 類 電 子 類 商 管 類 醫 療 照 護 類 休 閒 類 其 它 類 計 畫 期 程 全 程 之 第 1 年 全 程 之 第 2 年 全 程 之 第 3 年 ( 校 內 : 化 工 系 機 械 系 電 子 系 營 建 系 材 料 所 等 ( 校 際 : 執 行 學 校 主 辦 學 校 : 夥 伴 學 校 : 計 計 畫 姓 名 黃 炳 照 總 畫 姓 名 陳 良 益 主 持 電 話 02-27376624 聯 電 話 02-27376615 人 傳 真 絡 02-27376644 傳 真 02-27376644 人 E-mail bjh@mail.ntust.edu.tw E-mail sampras@mail.ntust.edu.tw 執 行 教 育 部 核 定 補 助 經 費 (A) 學 校 配 合 經 費 (B) 小 計 計 畫 經 費 ( 請 填 寫 已 執 行 年 度 經 費 ) 年 度 經 常 門 資 本 門 經 常 門 資 本 門 (A+B) 97 4,500,000 4,500,000 1,000,000 0 10,000,000 98 504,000 4,536,000 1,008,000 0 6,048,000 99 合 計 5,004,000 9,036,000 2,008,000 0 16,048,000 計 畫 序 號 計 畫 名 稱 主 持 人 職 稱 服 務 單 位 總 計 畫 太 陽 能 光 電 特 色 發 展 計 畫 黃 炳 照 教 授 化 工 系 分 項 計 畫 1 太 陽 能 電 池 材 料 之 開 發 黃 炳 照 教 授 化 工 系 太 陽 能 電 池 製 程 技 術 之 分 項 計 畫 2 開 發 洪 儒 生 教 授 化 工 系 太 陽 能 電 池 製 程 設 備 之 分 項 計 畫 3 開 發 陳 炤 彰 教 授 機 械 系 太 陽 能 電 池 併 網 技 術 之 分 項 計 畫 4 開 發 羅 有 綱 教 授 電 子 系
2 : () () ()
(RIE) () 3
4 (1) (2) (3) (4) (5) (6) () () / (ZnO/Cu 2 O) () POCl 3 n + ()
85% 1 5
4-1 ( ) 1997 (Kyoto Protocol) 2012 CO 2 5 1990 5.2% 21 (Energy Information Administration, EIA)2003 4.1 1 (European Renewable Energy Council) 2040 25% 4.1 41 30%2006 368 2005 2006 2005 4.3 2006 6.7 6
2006 7 2005 9 2006 2005 65 MW 2006 340 MW 440 MW 960 MW 56 108 MW 2007 400 2006 2008 900 1990 2004 5.14% 955 MW IEAInternational Energy Agency 2010 1500 MW / 6.7.% 25% 7
2005 70 2006 200 2008 900 4-2 0.2 ~ 2.4 4.2 (silicon crystalline) (silicon amorphous) (silicon thin film)cdtecis/cigs (dyed sensitized) (organic hybrid) (US$ 11/Wp) (15~205 NT$/kWh) 8
9 4.2 Turnkey 4-3 380 340 9,500 1.21
10 0.5%7%1% 14 107 1.3% 10 EMBA SCI/SSCI 2.5 4-4 ( 96 13 1 4 4 :
; 11
12 ( ) 5.1 : () () () ()
() 5.2 () / (ZnO/Cu 2 O) 5.3 () POCl 3 () 5.1 13
5.2 5.3 14
( ) 6-1 6.1 6.1 15
6-2 (1) 65 51 (i) ( ) Absorption Layer Materials of CIGS Solar Cells Investigated by 2007/05~ 500,000 Synchrotron Radiation Light 2007/11 Sources Synthesis and characterization of CIGS nano-compounds Nanostructured Materials for Direct Methanol Fuel Cells (III) (96-2120-M-011-001-) Research on Advanced Positive Materials of L(NiMn) 1/2 O 2 for Lithium Ion Batteries (NSC 96-ET-7-011-002-ET) 16 1,000,000 10,000,000 896,000 2008/03~ 2008/11 2007/08~ 2008/07 2007/01~ 2007/12 Analysis of Commercial Polymer 2007/01~ Li-ion Battery and Fuel Cells 1,881,400 2007/12 2008/08~ 6,000,000 (1/3) 2009/07 2008/08~ 1,649,000 2009/07 2009/08~ 6,000,000 (2/3) 2010/07 2009/03~ 516,000 2012/02
LiFePO 4 /C 2009/01~ 903,000 2009/12 2009/04~ 500,000 2009/11 X-Ray 2007/08~ 752,000 ( ) 2008/7 2007/12~ 826,000 2008/08 2007/10~ 498,000 2008/05 2007/5~ 1,050,000 2007/12 2007/08 5,147,000 2008/01 2008/08~ 833,000 2009/07 2008/08~ 563,000 ( ) 2009/07 / 2007/08~ 2,044,000 (1/3) 2010/07 2007/05~ 800,000 2008/04 2007/12~ 400,000 2008/05 LLC 2007/08~ 2,323,000 2010/07 2007/12~ / 2,500,000 2008/08 2008/01~ 425,000 2008/12 400,000 2007/06~ 17
2007/11 1.2 kw 300,000 18 2007/03~ 2007/08 LLC 200808~ 975,000 (2/3) 2009/07 200808~ 706,000 (2/3) 2009/07 ( 200808~ 706,000 2009/07 ) 2009/11~ 4,361,000 (2/3) 2010/10 2007/08~ 1,634,000 2008/07 (3/3) 2,294,000 2007/08~ 2008/07 2007/05~ 499,000 2008/04 Benzoxazine 2006/05~ 498,000 2007/04 1,372,000 2008/08~ 2009/07 2008/08~ 379,000 2009/07 2009/08~ 4,017,000 2012/07 2009/11~ 396,000 2010/10 420,000 2007/05~
2008/04 (96-2622-E-011-007-CC3) / - 2008/08~ 1,274,000 2009/07 N / / 2009/01 2,700,000 2009/12 2009/08~ 3,873,000 2012/07 2008/08~ 802,000 2009/07 2009/08~ 1,736,000 2011/07 2009/01~ 538,000 2009/12 metal phthalocyanine 2007/08~ 763,000 2008/07 2008/08~ 1,113,000 2009/07 2009/08~ 786,000 2010/07 2007/12~ 1,120,000 2008/08 779,000 2007/08~ (I) 2008/08 19
NSC96-2628-E-011-113-MY3 CMP 800,000 2007/11~ 2008/10 2007/03~ 550,000 2008/11 2007/05~ 700,000 2008/12 ( 2007/11~ ) 564,000 NSC96-2622-E-011-014-CC3 2008/10 2008/08~ 735,000 2009/07 1,001,000 2007/08~ 2008/07 TFT 2,706,000 2007/08~ 2010/07 2008/08~ 1,189,000 2009/07 ( ) 800,000 2007/08~ 2008/07 1,398,000 2008/08~ 2009/08 2009/08~ 3,422,000 2011/07 20
2007/08~ 843,000 2008/07 2009/11~ 575,000 2010/10 396,000 2006/11~ 2007/10 584,000 2006/08~ 2007/07 3,861,000 2009/08~ 2011/07 21
(ii) 194932 (2004) Application No. 11939341 (2007) METHOD OF FABRICATING ONE-DIMENSIONAL METALLIC NANOSTRUCTURE 125535 Y 160768 219660 220023 220081 224420 234698 P17611 94104969 95111686 590327 Method for fabricating semiconductor films Thin film transistor and method for fabricating the TFT 200711535 200713763 US-10/026989 US-6861668 B2 22
9614664 095120472 095120471 095120470-093136386 - 090121252 Yuh Sung, Ming-Der Methods for Metallizing Surface of Ger, US 6, 773, Substrates Yu-Hsien 760 B1 Chou, Bing Joe Hwang 090121252 23
24 090121252 89125178 177126 179463 I220450 I227318 I254124 I269021 I286207 I274156
25 I250912 I240063 200769 204462 208004 216299 M246571 M242502 M241154 I249256 97127297 (97/07/18) 97137704 (97/10/01) 97139889 97145678
6-3 (1)- (1) (i) (ii) (2) UV-Vis, PL, IPCE diffusion length, absorption spectrum region 26
( interfacial discrimination, surface adhesion problem, electrode diffusion ) 6-4 (2)- (1) (2) 60MHZ (VHF) >10% (tandem) (3) (ZnO)n- (Cu 2 O) / (ZnO/Cu 2 O) 5 5 cm 2 6-5 (3)- (1) 27
(2) (3) POCl 3 n + 6-6 (4)- DC/DC / MPPT 1 85% 28
6-7 1 * (FE-SEM) 1 * (HR-AEM) (SIMS) 1 * x (XPS) 1 * FTIR ( ) 1 * AFM ( ) 1 * AFM ( ) 1 * 1 * 1 * UV/vis 1 * Solid-state NMR spectrometer 1 * 1 * 1 * 1 * DSC 1 * 1 * 1 * 1 * LineScan 1 * AreaScan 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * PXI 1 * 1 * 1 * ELVIS 1 * 1 * (UHV/PE-CVD) 29
(RHEED) 1 * 1 * (PE-CVD) 1 * / 10 * 20 * 5 * / 2 * 1 * / 6 * DSP 5 * 1 * 1 * LCR 1 * 1 * 20 * 1 * 1 * Logitech PM5 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * 2 RIE 1 * 1 * 2 1 * / 1 * 2 1 * 1 * 1 * HP4156 IV 1 * HP4284 CV 1 * 2 1 * 30
1 * 125mmx125mm RIE 1 * 1 * 8 (Class A) 1 * 1 * 1 * 1 * 1 * UV-Visible Spectroscope 1 * 1 * 1 * Micro-PCD 1 * 1 * 1 * AC2 1 * 1 * 1 * 1 * 8 * 1 * 1 * 1 * 31
6-8 XPS p-i-n 17 m2 T1-305 70 m 2 E2-518 E1-B01 70 m 2 T3-202 IB-806 70 m 2 IB-807 120 m 2 EE-502 IV/CV/ 40 m 2 EEB07 LED 20 m 2 E2-818 p-i-n 20 m 2 T1-305 16 m 2 T1-307 32
wire saw wire saw 200 m 2 T3-101 (Chemical Mechanical Polishing, CMP) 75 m 2 E2-617 75 m 2 E2-402 50 m2 IB-603 33
34 6-9
6-10 - 6-6 6.2 35
(1) (open-circuit voltagev OC ) (short-circuit current densityj SC ) (Maximum power point) (filling factor) (efficiency) (2) (3) (4) 36
(5) - 6.1 6.1 37
7-1 ( ) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 A. A1 A3 A4 A5 B. B2 B3 B4 B5 C. C2 C3 C4 C5 D. E. E3 F. G. 20 25 30 35 45 55 60 65 70 80 90 100 D4 F4 D5 E5 F5 G5 38
7-2 1. 1. 3. 1. 3. 1. 1. 2. A1 99/04/30 B2 99/05/31 2. 80% C2 99/05/31 2. A3 99/06/30 B3 99/06/30 1. CIGS 2. C3 99/06/30 2. D3 99/06/30 2. E3 99/06/30 A4 99/09/30 B4 99/09/30 1. / 2. C4 99/09/30 39
1. 1. 2. 1. 3. TCO/ZnO/Cu 2 O/Cu F4 99/09/30 2 A5 99/12/10 B5 99/12/10 2. /, 1% 3. 5x5cm 2 C5 99/12/10 3. 5x5cm 2 D5 99/12/10 2. E5 99/12/10 400V/ 110V DC/AC 1kW 92% 85% F5 99/12/10 2 G5 99/12/10 40
7-3 (1) ; (2) (5) (1) ; (5) (1) ; (5) (1) ; (5) (1) ; (5) (1) ; (5) (3) ; (5) (2) (5) (2) ; (5) (3) ; (5) (4) ; (5) (4) ; (5) (3) ; (5) (5) (5) 41
8-1 1 231,000 231,000 0 231,000 1 260,400 260,400 0 260,400 1 478,800 478,800 0 478,800 8 50,000 400,000 0 400,000 1 1,210,000 1,210,000 0 1,210,000 1 800,000 800,000 0 800,000 1 3,620,000 3,620,000 0 3,620,000 1 3,500,000 3,500,000 (AC2) 0 3,500,000 10,508,200 0 10,508,200 2,000,000 0 2,000,000 IC 2,502,000 2,502,000 0 4,502,000 2,502,000 2,000,000 42
97 98 99 ( ) 4,500 0 4,536 0 10,508.2 0 4,500 1,000 504 1,008 2,000 2,502 90% 10% 83.3% 16.7% 80% 20% 10,000 6,048 15,010.2 43
8-2 - (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) 44
45
(1) (2) (3) (4) 46
( ) ( ( ) ( ) ) ( 1,000 ) 96 ( ) 150 1,200 ( ) 2350 ( ) 720 97 ( ) 900 i-space( ) 900 2520 ( ) 300 ( 98 504 ) i-space ( ) 640 1444 47
48 http://www.ntust.edu.tw/~be/ (http://www.ntust.edu.tw/~cewww/list.htm) : ELIS drug-eluting-stents ( ) BM-7 ProMetric BM-7 LabVIEW
Janet 152 () CIGS () 10x10 cm 2 700 mv () Si 3 N 4 () DSP FPGA DSP 98.7% FPGA 99% (i-space) ( ) ( )( )( ) 49
Leeds ( )( ) ( ) ( 50