规格书 ( 二级保护用 )
目录 1 概述 4 2 特点 4 3 应用 4 4 方框图 5 5 订购信息 5 6 产品目录 6 7 封装 脚位及标记信息 6 8 测试电路 7 9 绝对最大额定值 8 10 电气特性 9 101 电气参数 9 11 电池保护 IC 应用电路示例 19 111 3 节串联 19 112 2 节串联 19 12 工作说明 21 121 过充电状态 21 122 待机状态 21 123 缩短测试时间功能 22 13 时序图 23 14 封装信息 24 141 TSOT-23-6 封装 24 15 TAPE & REEL 信息 25 151 Tape & Reel 信息 ---TSOT-23-6 25 16 修订记录 26 page2
注意 : 1 本说明书中的内容, 随着产品的改进, 有可能不经过预告而更改 请客户及时到本公司网站下载更新 http:// 2 本规格书中的图形 应用电路等, 因第三方工业所有权引发的问题, 本公司不承担其责任 3 本产品在单独应用的情况下, 本公司保证它的性能 典型应用和功能符合说明书中的条件 当使用在客户的产品或设备中, 以上条件我们不作保证, 建议客户做充分的评估和测试 4 请注意输入电压 输出电压 负载电流的使用条件, 使 IC 内的功耗不超过封装的容许功耗 对于客户在超出说明书中规定额定值使用产品, 即使是瞬间的使用, 由此所造成的损失, 本公司不承担任何责任 5 本产品虽内置防静电保护电路, 但请不要施加超过保护电路性能的过大静电 6 本规格书中的产品, 未经书面许可, 不可使用在要求高可靠性的电路中 例如健康医疗器械 防灾器械 车辆器械 车载器械及航空器械等对人体产生影响的器械或装置, 不得作为其部件使用 7 本公司一直致力于提高产品的质量和可靠度, 但所有的半导体产品都有一定的失效概率, 这些失效概率可能会导致一些人身事故 火灾事故等 当设计产品时, 请充分留意冗余设计并采用安全指标, 这样可以避免事故的发生 8 本规格书中内容, 未经本公司许可, 严禁用于其它目的之转载或复制 page3
1 概述 HY2131 系列 IC, 内置高精度电压检测电路和延迟电路, 是用于锂离子 / 锂聚合物可再充 电电池的二级保护 IC 本 IC 适合于对 2 节 /3 节锂离子 / 锂聚合物可再充电电池的过充电进行保护 2 特点 HY2131 全系列 IC 具备如下特点 : (1) 高精度电压检测电路 过充电检测电压 V CUn (n=1,2,3) 4000~4550V 精度 ±20mV 过充电释放电压 V 待机检测电压 V SBn CRn (n=1,2,3) 3800~4500V 精度 ±50mV (n=1,2,3) 3500V 精度 ±04V (2) 延迟时间由内部电路设置 ( 不需外接电容 ) 60s 精度 ±20% (3) 延时时间缩短功能 : 通过特定的设置可以缩短过充电检测延迟时间 12ms 精度 ±50% 例如 : 当 V C2 =V C3 =V SS, 缩短 cell1 的过充电检测延迟时间 ; 当 V C1 =V C2,V C3 =V SS, 缩短 cell2 的过充电检测延迟时间 ; 当 V C1 =V C2 =V C3, 缩短 cell3 的过充电检测延迟时 间 (4) 输出逻辑 :CMOS 输出, 高电平有效 ; 高电平由稳压器输出 47V( 典型值 ) (5) 低耗电流 工作模式 待机模式 典型值 30μA, 最大值 60μA(V Celln =39V) 最大值 05μA(V Celln (6) 2 节 /3 节应用选择 : 通过外部线路,2 节或 3 节应用可选 (7) 高耐压设计 : 绝对最大额定值是 30V (8) 宽工作温度范围 : -40 ~+85 (9) 小型封装 : TSOT-23-6 (10) 无卤素绿色环保产品 3 应用 2 节 /3 节锂离子可再充电电池组 ( 二次保护用 ) 2 节 /3 节锂聚合物可再充电电池组 ( 二次保护用 ) =31V) page4
4 方框图 VDD VC1 过充电检测比较器 1 + - 待机检测 逻辑电路 稳压器 VR VC2 VR VC3 + - 过充电检测比较器 2 + - 过充电检测比较器 3 待机检测 待机检测 延迟时间缩短电路 逻辑电路 振荡器 计数器 VR COUT VSS 5 订购信息 产品名称定义 HY2131-#%$& 特性代码按 A~Z 顺序设定延迟时间代码按 1~9 顺序设定封装名称代码 F: TSOT-23-6 序列号按 A~Z 顺序设定 page5
6 产品目录 型号 参数 过充电检测电压 过充电释放电压 过充电检测 延迟时间 V CUn V CRn T OCn 过充电释放延迟时间 T CRn 过充电检测计时器复位延迟时间 T DTR HY2131-AF1A 4350V 4050V 60s 16ms 6ms HY2131-BF1A 4450V 4150V 60s 16ms 6ms HY2131-CF1A 4400V 4100V 60s 16ms 6ms HY2131-DF1A 4500V 4200V 60s 16ms 6ms HY2131-EF1A 4550V 4250V 60s 16ms 6ms 备注 : 需要上述规格以外的产品时, 请与本公司业务部联系 7 封装 脚位及标记信息 TSOT-23-6 封装 表 1 TSOT-23-6 封装 脚位符号说明 1 VDD 电源端, 正电源输入端子 2 V 电池 1 的正电压连接端子 C1 3 V 电池 1 的负电压 电池 2 的正电压连接端子 C2 4 V 电池 2 的负电压 电池 3 的正电压连接端子 C3 5 VSS 接地端, 电池 3 的负电压连接端子 6 COUT 充电控制用 FET 门极连接端子 6 5 4 E#$& XXXX 1 2 3 E: 产品代码 #: 序列号, 按 A~Z 顺序设定 $: 延迟时间代码, 按 1~9 顺序设定 &: 特性代码, 按 A~Z 顺序设定 XXXX: 生产识别码 page6
8 测试电路 page7
9 绝对最大额定值 表 2 绝对最大额定值 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目符号规格单位 VDD 和 VSS 之间输入电压 V VSS 03 ~ VSS+30 V C1 V C2 V C3 DD 输入端子电压 VC1 V C2 03 ~ V C2 +65 V 输入端子电压 VC2 VC3 03 ~ V C3 +65 V 输入端子电压 V 03 ~ 65 C3 COUT 输出端子电压 V COUT 03 ~ VOH1+03 V 工作温度范围 T OP 40 ~ +85 储存温度范围 T ST 40 ~ +125 容许功耗 P 250 D V V mw page8
10 电气特性 101 电气参数 表 4 HY2131-AF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 60 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 05 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4330 4350 4370 V -5 ~55 (*2) 4325 4350 4375 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4000 4050 4100 V 待机检测电压 V SB 31 35 39 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 48 60 72 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 128 16 192 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 2 6 10 ms 复位延迟时间 V CUn +0050V V CRn -0100V 控制端子输出电压 COUT 端子输出高电压 VCOH1 ICOH =0μA, V Celln =47V(n=1,2,3) 40 47 54 V COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page9
表 5 HY2131-AF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=-40~85 (*2), 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 66 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 08 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4311 4350 4384 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 3982 4050 4118 V 004 待机检测电压 V SB 296 35 394 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 31 60 94 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 85 16 252 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 115 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 ICOH =0μA, V COUT 端子输出高电压 V Celln COH1 36 47 58 V =47V(n=1,2,3) COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page10
表 6 HY2131-BF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 60 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 05 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4430 4450 4470 V -5 ~55 (*2) 4425 4450 4475 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4100 4150 4200 V 待机检测电压 V SB 31 35 39 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 48 60 72 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 128 16 192 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 2 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 10 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 COUT 端子输出高电压 VCOH1 ICOH =0μA, V Celln =47V(n=1,2,3) 40 47 54 V COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page11
表 7 HY2131-BF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=-40~85 (*2), 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 66 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 08 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4411 4450 4484 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4082 4150 4218 V 004 待机检测电压 V SB 296 35 394 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 31 60 94 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 85 16 252 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 115 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 ICOH =0μA, V COUT 端子输出高电压 V Celln COH1 36 47 58 V =47V(n=1,2,3) COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page12
表 8 HY2131-CF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 60 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 05 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4380 4400 4420 V -5 ~55 (*2) 4375 4400 4425 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4050 4100 4150 V 待机检测电压 V SB 31 35 39 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 48 60 72 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 128 16 192 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 2 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 10 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 COUT 端子输出高电压 VCOH1 ICOH =0μA, V Celln =47V(n=1,2,3) 40 47 54 V COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page13
表 9 HY2131-CF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=-40~85 (*2), 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 66 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 08 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4361 4400 4434 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4032 4100 4168 V 004 待机检测电压 V SB 296 35 394 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 31 60 94 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 85 16 252 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 115 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 ICOH =0μA, V COUT 端子输出高电压 V Celln COH1 36 47 58 V =47V(n=1,2,3) COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page14
表 10 HY2131-DF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 60 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 05 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4480 4500 4520 V -5 ~55 (*2) 4475 4500 4525 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4150 4200 4250 V 待机检测电压 V SB 31 35 39 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 48 60 72 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 128 16 192 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 2 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 10 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 COUT 端子输出高电压 VCOH1 ICOH =0μA, V Celln =47V(n=1,2,3) 40 47 54 V COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page15
表 11 HY2131-DF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=-40~85 (*2), 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 66 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 08 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4461 4500 4534 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4132 4200 4268 V 004 待机检测电压 V SB 296 35 394 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 31 60 94 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 85 16 252 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 115 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 ICOH =0μA, V COUT 端子输出高电压 V Celln COH1 36 47 58 V =47V(n=1,2,3) COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page16
表 12 HY2131-EF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=25, 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 60 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 05 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4530 4550 4570 V -5 ~55 (*2) 4525 4550 4575 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4200 4250 4300 V 待机检测电压 V SB 31 35 39 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 48 60 72 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 128 16 192 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 2 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 10 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 COUT 端子输出高电压 VCOH1 ICOH =0μA, V Celln =47V(n=1,2,3) 40 47 54 V COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page17
表 13 HY2131-EF1A 电气参数 (VSS=0V,Ta=-40~85 (*2), 除非特别说明 ) 项目 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 输入电压 VDD-VSS 工作电压 VDSOP1-36 - 30 V 耗电流 工作电流 IDD VC1= V C2 = V C3 =39V - 30 66 μa 待机电流 ISB VC1= V C2 = V C3 =31V - 03 08 μa 检测电压 过充电检测电压 n(*1) V CUn 4511 4550 4584 V 过充电释放电压 n(*1) V CRn 4182 4250 4318 V 004 待机检测电压 V SB 296 35 394 V 延迟时间 VCelln =39V, 过充电检测延迟时间 TOCn V Cell1 =39V 47V 31 60 94 s (*3) 过充电释放延迟时间 TCRn VCelln =39V, V Cell1 =47V 39V(*3) 85 16 252 ms VCelln= V CUn +0050V 过充电检测计时器 V T CRn -0100V DTR 复位延迟时间 V CUn +0050V 6 115 ms V CRn -0100V 控制端子输出电压 ICOH =0μA, V COUT 端子输出高电压 V Celln COH1 36 47 58 V =47V(n=1,2,3) COUT 端子输出高电压 VCOH2 =47V(n=1,2,3) VCOH1-05 VCOH1-01 - V COUT 端子输出低电压 VCL =39V(n=1,2,3) - 01 05 V 说明 :*1 n=1 2 3 *2 此温度范围内的参数是设计保证值, 而非高 低温实测筛选 *3 Vcelln 为 Cell-n 的电压,n=1 2 3 page18
11 电池保护 IC 应用电路示例 111 3 节串联 SC PROTECTOR RVDD EB+ Cell1 Cell2 Cell3 R1 R2 R3 CVDD C1 C2 C3 VDD VC1 VC2 VC3 VSS HY2131 COUT 112 2 节串联 SC PROTECTOR RVDD EB+ Cell1 Cell2 R1 R2 CVDD C1 C2 VDD VC1 VC2 VC3 HY2131 COUT VSS EB- EB- page19
连接电芯时,Cell1 的正极必须最后连接 否则,COUT 端子可能会输出高电平, 导致 Fuse 被熔断, 但是 IC 不会被损坏 如果连接 SC 保护器, 电芯必须按照以下顺序连接 : 3 节串联时, 连接电芯顺序 : Cell3 -> Cell2 -> Cell1 Cell2 -> Cell3 -> Cell1 2 节串联时, 连接电芯顺序 : Cell2 -> Cell1 标记 器件名称 用途 最小值 典型值 最大值 说明 RVDD 电阻 限流, 稳定 VDD 100Ω 100Ω 1KΩ *1 R1~R3 电阻 限流 330Ω 1kΩ 1kΩ *2 CVDD 电容 滤波, 稳定 VDD 001μF 01μF 10μF *1 C1~C3 电容 001μF 01μF 10μF *2 *1 RVDD 和 CVDD 有稳定 VDD 电压的作用 RVDD 连接过小电阻, 由于电流导致 Cell 电压发生较大波动, 可能导致 IC 工作不稳定 RVDD 连接过大电阻, 由于 IC 自身的耗电流会在 RVDD 上产生压降, 使得 VDD 端 子和 VC1 端子电压存在压差, 可能会导致不可估计结果 因此 RVDD 的范围值为 100Ω~1KΩ,CVDD 的范 围值 001μF ~10μF, 请不要连接 001μF 以下的电容 *2 R1~R3 和 C1~C3 有稳定 cell1~cell3 电压的作用 R1~R3 连接过大电阻, 由于耗电流产生的压降, 影响 检测电压精度 因此 R1~R3 请连接 1KΩ 以下的电阻 ;C1~C3 请连接 001μF 及以上的电容 3 上述典型应用电路图仅供参考 该电路的性能很大程度上取决于 PCB 的布局和外部元器件, 在实际应用中, 请进行充分的评估和测试 4 过电压和过电流不可以超出 IC 和外围器件的绝对最大值 当检测到过充保护状态后, 直到保险丝断开的这段时间内, 大电流会流过 FET 为保证 FET 不被损坏, 搭配的 FET 的耐流值要足够大 5 如果连接 SC 保护器,SC 保护器必须最后连接到电池 连接电芯时,Cell1 的正极必须最后连接 否则, COUT 端子可能会输出高电平, 导致 Fuse 被熔断 SC 保护器为 Zip code 141-0032(Sony Chemical & Information Device Company Ltd) 注意 : 1 上述参数有可能不经预告而作更改, 请及时到网站上下载最新版规格书 网址 :http:// 2 外围器件如需调整, 建议客户进行充分的评估和测试 page20
12 工作说明 121 过充电状态 此 IC 持续侦测连接在 V C1 和 V C2 端子之间电池 1 的电压 连接在 V C2 和 V C3 端子之间电池 2 的电压和连接在 V C3 和 VSS 端子之间电池 3 的电压, 来控制充电 当至少一个电池的电压高 于或等于过充电检测电压 (V CUn ), 并且这种状态持续的时间大于或等于过充电检测延迟时间 (T OCn ) 时,IC 的 COUT 端子输出电压由低电平变为高电平, 关闭充电控制用的 MOSFET, 停止充电, 这个状态称为 过充电状态 过充电状态释放 : 当电池 1 电池 2 电池 3 电压都低于或等于到过充电释放电压 (V CRn), 且这种状态持续的时间大于或等于过充电释放延迟时间 (T CRn ) 时,IC 的 COUT 端子输出电 压由高电平变为低电平, 过充电状态释放, 恢复到正常工作状态 注意 : 1 过充保护延迟时间是内置的固定的输出, 如果过充电检测计时器复位, 过充保护状态释 放, 恢复到正常状态 2 即使只有其中一个电池的电压一直高于过充电检测电压, 且持续时间超过过充电检测延 迟时间,IC 仍然会进入过充电保护状态 3 如果由于噪声或者其他原因, 导致至少一个电池的电压高于过充电检测电压, 但在过充 电检测延迟时间内, 电池 1 电池 2 和电池 3 的电压又都低于过充电检测电压, 高于过充电 检测电压持续的这段时间将被保留并累计, 当累积的时间大于过充电检测延迟时间,IC 会进 入 过充电状态 4 过充电保护后, 即使所有电池电压都等于或小于过充电释放电压, 如果至少其中一个电 池电压在过充释放延迟时间内高于过充释放电压, 那么过充保护状态不会释放 5COUT 端子输出类型为 CMOS, 高电平有效 输出电压介于 VSS 和内部稳压器输出电 压之间 高电平由内部稳压器提供, 典型值 47V 122 待机状态正常工作状态下的电池, 在放电过程中, 当电池 1 电池 2 电池 3 电压都降低到待机检测电压 (V SB ) 以下时,IC 耗电流减小到待机时的耗电流值, 这个状态称为 待机状态 此时耗电流最大值为 04uA 当 IC 进入待机状态后, 一旦某一个电池电压高于或等于待机检测电压 (V SB ) 时, 待机状态释放, 恢复到正常工作状态 page21
123 缩短测试时间功能 除了待检测电压外, 通过短接另外两个电池正负极, 可以缩短测试待测电池的过充保护 延迟时间和过充释放延迟时间 表 5 缩短测试时间功能连线短接说明 缩短延迟时间待测电池电池 1 电池 2 电池 3 连线短接说明 V C2 与 V C3 端子短接,V C3 与 V ss 端子短接 V C1 与 V C2 端子短接,V C3 与 V ss 端子短接 V C1 与 V C2 端子短接,V C2 与 V C3 端子短接 page22
13 时序图 (1) 过充电检测 VCU1 VCR1 VCELL1 TOC TCR TOC TCR t VCU2 VCR2 VCELL2 TOC TCR TOC TCR t VCU3 VCR3 VCELL3 TOC TCR TOC TCR t VR COUT TOC TOC TCR VSS t 充电电流 充电电流 / 放电电流 0 t 放电电流 充电器连接 负载连接 状态 (1) (2) (1) (2) 说明 : (1) 正常工作状态, (2) 过充电状态 page23
14 封装信息 141 TSOT-23-6 封装 说明 : 单位为 mm ALL DIMENSIONS IN SYM MILLIMETERS BOL MINIMUM NOMINAL MAXIMUM A - 08 09 A1 0-015 A2-07 08 b 030-050 b1 030 040 045 b2 030 040 050 c 008-022 c1 008 013 020 D 290 ± 02 BSC E 280 ± 02 BSC E1 160 +02 or -01 BSC e 095 BSC e1 190 BSC L 030 045 060 L1 060 REF L2 025 BSC R 010 - - R1 010-025 θ 0 4 8 θ1 5-15 θ2 5-15 page24
15 Tape & Reel 信息 151 Tape & Reel 信息 ---TSOT-23-6 单位 : mm 1511 Reel Dimensions A W1 1512 Carrier Tape Dimensions D0 P0 P2 W E F 5ºMAX B0 P1 A0 5ºMAX K0 Reel SYMBOLS Dimensions Carrier Tape Dimensions A W1 A0 B0 K0 P0 P1 P2 E F D0 W Spec 178 94 317 323 137 400 400 200 175 350 155 800 Tolerance ±200 ±150 ±010 ±010 ±010 ±010 ±010 ±005 ±010 ±005 ±005 +030/-010 Note: 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance is ±020mm 1513 Pin1 direction page25
16 修订记录以下描述本文件差异较大的地方, 而标点符号与字形的改变不在此描述范围 版本 页次 变更摘要 V01 - 新版发行 V02 All 增加新型号, 详见第 6 10 11 12 页 19 增加 Tape & Reel 信息 V03 All 修改 HY2131-BF1A HY2131-CF1A HY2131-DF1A 和 HY2131-EF1A 的延迟时间代码和 TOC V04 All 增加 -40~85 C 电气参数表和测试电路图, 修改 11 电池保护 IC 应用举例说明和 14 封装信息 page26